JP7077754B2 - インプリントモールド用基板、インプリントモールド及びそれらの製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、インプリントモールド用基板、インプリントモールド及びそれらの製造方法に関する。

微細加工技術として知られているナノインプリント技術は、基材の表面に微細凹凸パターンが形成されてなるインプリントモールドを用い、当該微細凹凸パターンを被加工物に転写することで微細凹凸パターンを等倍転写するパターン形成技術である。半導体デバイス、光学素子、バイオ関連製品等の製造プロセス等においてナノインプリント技術が利用されている。

ナノインプリント技術においては、一般に、基板上に被加工物としてのインプリント樹脂が塗布された基板をインプリント装置の基板ステージ上に載置し、インプリント樹脂にインプリントモールドを接触させることでインプリントモールドの微細凹凸パターンにインプリント樹脂を充填させる。そして、その状態で当該インプリント樹脂を硬化させることにより、インプリントモールドの微細凹凸パターンが転写されてなるパターン構造体が形成される。

インプリント樹脂にインプリントモールドを接触させるとき、基板ステージ上に載置された基板（インプリント樹脂）とインプリントモールドとの間に存在する気体（空気）が挟み込まれると、微細凹凸パターンにインプリント樹脂が十分に充填されず、パターン構造体に欠陥（未充填欠陥）を生じさせてしまう。

このような問題を解決するために、従来、貫通孔を有するインプリントモールドを用い、当該インプリントモールドの貫通孔を介して基板とインプリントモールドとの間にヘリウムガスを供給可能なインプリント装置が知られている（特許文献１，２参照）。

特表２００７－５０９７６９号公報 特表２００９－５３２２４５号公報

上記特許文献１及び特許文献２に記載のインプリント装置においては、基板とインプリントモールドとの間にヘリウムガスが供給され、それらの間に存在する気体（空気）がヘリウムによって置換される。ヘリウムガスは、インプリントモールドとインプリント樹脂との間に挟み込まれても、インプリントモールドがインプリント樹脂に押圧されることでインプリント樹脂中に溶解するため、未充填欠陥の発生を防止することができる。

一般に、インプリント装置におけるモールドホルダに保持されたインプリントモールドを用いてインプリント処理を行う際に、所望とする倍率で凹凸パターンが転写されるように、インプリントモールドの側面を中心に向かって押圧することによる倍率補正が行われる。上記特許文献１及び特許文献２に記載されている、貫通孔を有するインプリントモールドにおいては、当該貫通孔が高精度に形成されていないと、所望とする倍率で補正することが困難となる。しかしながら、微小、かつ高精度の貫通孔を形成することは、高度な技術を適用しない限り容易ではなく、それによりインプリントモールドの製造コストが上昇してしまうという問題がある。

上記課題に鑑みて、本開示は、製造コストを削減可能なインプリントモールド用基板及びインプリントモールド、並びにそれらの製造方法を提供することを一目的とする。

上記課題を解決するために、本開示の一実施形態として、第１面及び前記第１面に対向する第２面を有し、凹凸パターンの形成されるパターン領域が前記第１面側に設定されてなる薄板部と、前記薄板部の前記第２面を支持する支持面を有する中空筒状の支持部と、前記薄板部及び前記支持部の間に介在し、それらを接合する接合部とを備え、前記支持部の支持面は、前記薄板部の前記第１面側からの平面視において前記薄板部の外縁よりも外側にはみ出して露出する第１領域と、前記第１領域の内側に位置し、前記薄板部の前記第２面の一部と対向する環状の第２領域とを含み、前記支持部には、前記第１領域に開口部を位置させるように前記支持部を貫通する少なくとも１つの貫通孔が形成されており、前記薄板部は、前記中空筒状の支持部の開口一端を前記第２面で閉塞するようにして、前記接合部を介して前記支持部と連結されており、前記接合部は、前記支持部の前記第２領域と前記薄板部の前記第２面とを接着可能な材料により構成され、前記接合部と前記支持部の前記第２領域との間、及び前記接合部と前記薄板部の前記第２面との間のそれぞれに介在する剥離層をさらに備え、前記接合部と前記支持部の前記第２領域との間に介在する前記剥離層の剥離力と、前記接合部と前記薄板部の前記第２面との間に介在する前記剥離層の剥離力とが、互いに異なるインプリントモールド用基板が提供される。

上記インプリントモールド用基板において、前記第１領域は、前記薄板部の外縁との間に間隔をあけるようにして立設する側面部と、前記側面部の上端部に連続する平面部とを含み、前記薄板部の前記第１面を上方に位置させたときに、前記平面部は、前記薄板部の前記パターン領域と同一又はそれよりも低い高さ位置に存在し、前記貫通孔は、前記開口部を前記側面部に位置させるようにして形成されていればよい。

上記インプリントモールド用基板において、前記貫通孔は、前記開口部から前記支持部の外側に向かう方向であって、前記薄板部の前記第１面と実質的に平行な方向に沿って前記支持部を貫通していてもよい。

上記インプリントモールド用基板において、前記貫通孔は、前記開口部から前記支持部の外側に向かう方向であって、前記薄板部の前記第１面に対して交差する方向に沿って前記支持部を貫通していてもよいし、前記支持部の厚さ方向に沿って貫通していてもよい。

上記インプリントモールド用基板において、前記接合部と前記支持部の前記第２領域との間に介在する前記剥離層の剥離力が、前記接合部と前記薄板部の前記第２面との間に介在する前記剥離層の剥離力よりも小さいのが特に好ましい。

本開示の一実施形態として、第１面及び前記第１面に対向する第２面を有し、凹凸パターンの形成されるパターン領域が前記第１面側に設定されてなる薄板部と、前記薄板部の前記第２面を支持するようにして前記第２面に連続する中空筒状の支持部とを備え、前記薄板部及び前記支持部は、同一材料により構成され、前記支持部は、前記薄板部の前記第１面側からの平面視において前記薄板部の外縁よりも外側にはみ出して露出する第１領域を含み、前記第１領域は、前記薄板部の外縁との間に間隔をあけるようにして立設する側面部と、前記側面部の上端部に連続する平面部とを含み、前記支持部には、前記側面部に開口部を位置させるように前記支持部を貫通する少なくとも１つの貫通孔が形成されており、前記薄板部の前記第１面を上方に位置させたときに、前記平面部は、前記薄板部の前記パターン領域と同一又はそれよりも低い高さ位置に存在し、前記貫通孔は、前記開口部から前記支持部の外側に向かう方向であって、前記薄板部の前記第１面と実質的に平行な方向に沿って前記支持部を貫通しているインプリントモールド用基板が提供される。

本開示の一実施形態として、第１面及び前記第１面に対向する第２面を有し、凹凸パターンの形成されるパターン領域が前記第１面側に設定されてなる薄板部と、前記薄板部の前記第２面を支持するようにして前記第２面に連続する中空筒状の支持部とを備え、前記薄板部及び前記支持部は、同一材料により構成され、前記支持部は、前記薄板部の前記第１面側からの平面視において前記薄板部の外縁よりも外側にはみ出して露出する第１領域を含み、前記支持部には、前記第１領域に開口部を位置させるように前記支持部を貫通する少なくとも１つの貫通孔が形成されており、前記貫通孔は、前記開口部から前記支持部の外側に向かう方向であって、前記薄板部の前記第１面に対して交差する方向に沿って前記支持部を貫通しているインプリントモールド用基板が提供される。

上記インプリントモールド用基板において、前記薄板部の前記第１面側からの平面視において、前記支持部には、複数の前記開口部が前記薄板部の外縁を取り囲むようにして複数の前記貫通孔が形成されていてもよく、前記薄板部の外縁を取り囲む前記複数の開口部が実質的に一様に分布するように、前記複数の貫通孔が形成されていればよい。前記インプリントモールド用基板の平面視において、前記薄板部の中心と前記支持部の中心とを一致させたときに前記薄板部の中心及び前記支持部の中心を通る仮想線分上における前記薄板部の中心から外縁までの長さが、前記仮想線分上における前記支持部の中心から前記第２領域の内縁までの長さよりも長く、前記仮想線分上における前記支持部の中心から前記貫通孔の前記開口部の縁部までの長さ以下であればよく、前記仮想線分上における前記薄板部の外縁から前記貫通孔の前記開口部の縁部までの長さを、５０μｍ以上にすることができる。

上記インプリントモールド用基板において、前記薄板部は、前記薄板部の前記第１面の外縁から前記第２面の外縁に向かって広がるようにして傾斜する傾斜面をさらに有していてもよく、前記傾斜面は、前記第１面側に向かって凸状に湾曲する湾曲傾斜面であればよく、前記薄板部は、前記第１面から突出する凸構造部をさらに有し、前記凸構造部の上面に前記パターン領域が設定されていればよい。

本開示の一実施形態として、上記インプリントモールド用基板の前記薄板部の前記パターン領域に、凹凸パターンが形成されてなるインプリントモールドが提供される。

本開示の一実施形態として、上記インプリントモールド用基板を製造する方法であって、前記支持部の前記開口一端を前記薄板部で閉塞するように、前記接合部を介して前記支持部の前記第２領域と前記薄板部の前記第２面とを接合する工程を含むインプリントモールド用基板の製造方法が提供される。

本開示の一実施形態として、上記インプリントモールド用基板を準備する工程と、前記インプリントモールド用基板の前記薄板部の前記パターン領域に前記凹凸パターンを形成する工程とを含むインプリントモールドの製造方法が提供される。

本開示によれば、製造コストを削減可能なインプリントモールド用基板及びインプリントモールド、並びにそれらの製造方法を提供することができる。

図１は、本開示の第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す平面図である。 図２は、本開示の第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す分解斜視図である。 図３は、本開示の第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。 図４は、本開示の第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板における支持部近傍の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 図５は、本開示の第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板の薄板部近傍の概略構成を示す部分拡大平面図である。 図６は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールド用基板における接合部近傍の他の態様の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 図７は、本開示の第２の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。 図８は、本開示の第２の実施形態に係るインプリントモールド用基板における支持部近傍の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 図９は、本開示の第３の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。 図１０は、本開示の第３の実施形態に係るインプリントモールド用基板における支持部近傍の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 図１１は、本開示の第４の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。 図１２は、本開示の第４の実施形態に係るインプリントモールド用基板における支持部近傍の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 図１３は、本開示の第４の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す側面図である。 図１４は、本開示の第５の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。 図１５は、本開示の第５の実施形態に係るインプリントモールド用基板における支持部近傍の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 図１６は、本開示の第６の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。 図１７は、本開示の第６の実施形態に係るインプリントモールド用基板における支持部近傍の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 図１８は、本開示の第７の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。 図１９は、本開示の第７の実施形態に係るインプリントモールド用基板における支持部近傍の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 図２０は、本開示の第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板の製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。 図２１は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図である。 図２２は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの概略構成を示す平面図である。 図２３は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面図にて示す工程フロー図である。 図２４は、本開示の一実施形態におけるインプリント装置を概略的に示す構成図である。 図２５は、本開示の一実施形態におけるインプリント装置における転写位置近傍の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 図２６は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールド用基板の再生方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。 図２７は、本開示の他の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。

本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
本明細書に添付した図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりしている場合がある。本明細書等において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。

〔インプリントモールド用基板〕
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す平面図であり、図２は、第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す分解斜視図であり、図３は、第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図であり、図４は、第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板における支持部近傍の概略構成を示す部分拡大切断端面図であり、図５は、第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板の薄板部近傍の概略構成を示す部分拡大平面図である。

図１～図５に示すように、第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板１は、インプリントモールドの微細凹凸パターンが形成され得る第１面２Ａ及び第１面２Ａに対向する第２面２Ｂを有する薄板部２と、薄板部２の第２面２Ｂを支持する支持面３Ａを有する中空筒状の支持部３と、薄板部２及び支持部３の間に介在し、薄板部２及び支持部３を連結する接合部４とを備える。

薄板部２は、中空筒状の支持部３の開口一端を第２面２Ｂで閉塞するようにして、接合部４を介して支持部３と連結されている。

薄板部２としては、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、アクリルガラス基板、ホウケイ酸ガラス基板等のガラス基板；ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、その他ポリオレフィン基板等の樹脂基板等からなる単層基板や、上記基板のうちから任意に選択された２以上を積層してなる積層基板等の透明基板等を用いることができる。

なお、第１の実施形態において「透明」とは、インプリント樹脂としての光硬化性樹脂を硬化させることが可能な波長の光、例えば波長１５０～４００ｎｍの光線を対象物（本実施形態においては薄板部２）の片側（本実施形態においては薄板部２の第１面２Ａ側又は第２面２Ｂ側）から照射した際、照射された側とは反対側へ光が到達することを意味する。透明であるのは光硬化性樹脂を硬化させることが目的であるのだから、好適な基準を透過率で示すならば６０％以上、好ましくは９０％以上、特に好ましくは９６％以上である。

第１の実施形態において、薄板部２の形状（平面視形状）は略矩形状であるが、このような形状に限定されるものではなく、インプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールドの用途等に応じた任意の形状、例えば、略円形状等であってもよい。また、薄板部２の大きさ（平面視の大きさ）も、特に限定されるものではなく、インプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールドの用途等に応じた大きさに設定され得る。

さらに、薄板部２の厚さＴ２は、薄板部２の材質、インプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールドの用途等に応じて適宜設定され得るが、当該薄板部２が石英ガラスにより構成される場合、０．３～１．５ｍｍ程度に設定され得る。第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド１０（図２１参照）は、支持部３の中空部の開口一端が薄板部２により閉塞されることで形成される凹部６を有することで、インプリント処理時、特にインプリントモールド１０の剥離時において、薄板部２のうちの微細凹凸パターンが形成されている領域を少なくとも湾曲させることができ、その結果、インプリントモールドをインプリント樹脂に押圧するときには、インプリント樹脂内に気体（空気）が残存することによるパターン欠陥を抑制し、インプリントモールドの剥離時には、インプリント樹脂からの剥離を容易にするという効果を奏する。そのため、薄板部２の厚さＴ２が薄すぎたり、厚すぎたりすると、インプリントモールド１０の剥離時に意図したとおりに湾曲させるのが困難となるおそれがある。また、薄板部２の厚さＴ２が薄すぎると、インプリントモールド１０の強度が低下するおそれもある。

第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板１において、薄板部２の第１面２Ａに対向する第２面２Ｂの外縁部近傍には、接合部４を介して支持部３が連結されているが、薄板部２の第２面２Ｂのうち、少なくとも接合部４に当接する領域である外縁部近傍の表面には、粗面化、密着層形成等、接合部４との密着性を向上させる処理がなされていてもよい。第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド１０においては、長期間に亘って使用された後、薄板部２と支持部３とを分離することで、支持部３が再利用され得る。この薄板部２と支持部３とを分離する際に、接合部４が支持部３側に残存してしまうと、当該支持部３を再利用するにあたって、支持部３から接合部４を除去しなければならない。しかしながら、薄板部２の第２面２Ｂにおける上記外縁部近傍の表面に接合部４との密着性を向上させる処理が施されていることで、薄板部２と支持部３とを分離するときに、接合部４を薄板部２側に残存させることができ、支持部３の再利用がより容易になる。

第１の実施形態において、薄板部２は、第１面２Ａ側に凸構造部２１、いわゆるメサ構造を有するものであるが、この態様に限定されるものではなく、当該凸構造部２１（メサ構造）を有しない平板であってもよい。また、薄板部２の第１面２Ａには、Ｃｒ、Ｃｒの窒化物等のクロム系材料；シリコン、シリコンを含む合金、シリコン酸化物、シリコン窒化物等のシリコン系材料等により構成されるハードマスク層（図示省略）が形成されていてもよい。

支持部３は、外形が平面視略方形状の中空角筒状を有しており、平面視における略中心に略円形の中空部が形成されてなる。支持部３の開口一端を薄板部２（第２面２Ｂ）で閉塞するように、支持部３の支持面３Ａが接合部４を介して薄板部２の第２面２Ｂに連結されていることで、有底略円筒状の凹部６が形成される。

支持部３の支持面３Ａは、薄板部２の第１面２Ａ側からの平面視において、薄板部２の外縁よりも外側にはみ出して露出する第１領域３１Ａと、第１領域３１Ａの内側に位置し、薄板部２の第２面２Ｂと接合部４を介して連結される環状の第２領域３２Ａとを含む。

平面視における支持部３の外形の大きさは、薄板部２よりも大きく構成されている。これにより、支持部３は、薄板部２の外縁よりも外側にはみ出して露出する第１領域３１Ａを有することになる。支持部３が薄板部２よりも大きいことで、例えば支持部３と薄板部２とを分離する際、支持部３を保持可能な領域として、大きさの差分が生じた箇所を保持することが可能となる。また、支持部３と薄板部２との接合時における両者の位置ずれも許容される。

平面視における中空部（薄板部２により閉塞される開口一端）の大きさは、少なくとも、薄板部２の第１面２Ａ上に微細凹凸パターンが形成される領域（凸構造部２１の上面の領域）を包含し得る大きさである。平面視において、中空部が微細凹凸パターンの形成される領域（凸構造部２１の上面の領域）を内包可能な大きさであることで、インプリントモールド用基板１から作製されたインプリントモールド１０を用いたインプリント処理時、微細凹凸パターンが形成されている領域を少なくとも湾曲させることができ、その結果、インプリントモールドをインプリント樹脂に押圧するときには、インプリント樹脂内に気体（空気）が残存することによるパターン欠陥を抑制し、インプリントモールドの剥離時には、インプリント樹脂からの剥離を容易にするという効果が発揮され得る。

支持部３の厚さＴ３は、第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド１０の凹部６の深さに応じて適宜設定され得るが、例えば、３～１０ｍｍ程度に設定され得る。

第１領域３１Ａの幅Ｗ_31Aは、後述する貫通孔３３を形成可能な程度の幅であればよく、例えば、２０ｍｍ～６０ｍｍ程度であればよい。第２領域３２Ａの幅Ｗ_32Aは、接合部４を介して薄板部２と支持部３とを強固に接合可能な程度の幅であればよく、例えば、１ｍｍ～３０ｍｍ程度であればよい。なお、第２領域３２Ａの幅Ｗ_32Aは、凹部６を薄板部２の第１面２Ａに投影した平面視（図１参照）において、凹部６の外壁に対する接線に直交する方向における最小の長さを意味するものとする。

支持部３には、薄板部２の外周を取り囲むように支持部３の厚さ方向（支持面３Ａから対向面３Ｂ（又は対向面３Ｂから支持面３Ａ）に向かう方向）に沿って貫通する（支持面３Ａ及び対向面３Ｂの間を貫通する）複数の貫通孔３３が形成されている。貫通孔３３の第１開口部３３Ａは第１領域３１Ａに位置しており、第２開口部３３Ｂは対向面３Ｂに位置している。なお、第１の実施形態において、支持部３には、少なくとも１つの貫通孔３３が形成されていればよいが、複数の貫通孔３３が形成されているのが好ましく、複数の貫通孔３３が薄板部２の外縁の各辺に沿って、かつ薄板部２をほぼ均等に取り囲む（ほぼ一様に分布する）ように形成されているのがより好ましい。

図５に示すように、インプリントモールド用基板１の平面視において、すべての貫通孔３３の第１開口部３３Ａの少なくとも一部が薄板部２により塞がれていなければよく、薄板部２の中心Ｃ₂と支持部３の中心Ｃ₃とを一致させ、薄板部２の中心Ｃ₂及び支持部３の中心Ｃ₃と貫通孔３３の第１開口部３３Ａの中心Ｃ₃₃とを通る仮想線分ＶＬを引いたときに、当該仮想線分ＶＬ上における薄板部２の中心Ｃ₂から薄板部２の外縁との交点Ｐ₂までの長さＬ₁が、仮想線分ＶＬ上における支持部３の中心Ｃ₃から第２領域３２Ａの内縁（凹部６の外壁）との交点Ｐ₃までの長さＬ₂よりも長く、仮想線分ＶＬ上における支持部３の中心Ｃ₃から貫通孔３３の第１開口部３３Ａの縁部（薄板部２の中心Ｃ₂（支持部３の中心Ｃ₃）から見たときに最も近い縁部）との交点Ｐ₃₃までの長さＬ₃以下であればよい。

また、仮想線分ＶＬ上における薄板部２の外縁との交点Ｐ₂から貫通孔３３の第１開口部３３Ａの縁部との交点Ｐ₃₃までの長さＬ₄が、５０μｍ以上であるのが好ましく、１００μｍ～１５ｍｍであるのがより好ましい。当該長さＬ₄が５０μｍ未満であると、薄板部２の中心Ｃ₂と支持部３の中心Ｃ₃との位置ずれが生じると、少なくとも一部の貫通孔３３の第１開口部３３Ａの一部が薄板部２によって塞がれてしまうおそれがある。

貫通孔３３は、インプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド１０を用いたインプリント処理時に、インプリントモールド１０と被転写基板との間にヘリウムガス等を供給するとともに、余剰のヘリウムガス等を回収するために用いられる。したがって、貫通孔３３の数は特に限定されるものではなく、インプリントモールド１０と被転写基板との間にヘリウムガス等を十分に供給可能な程度で適宜設定され得る。

第１の実施形態において、第１開口部３３Ａの外縁及び／又は第２開口部３３Ｂの外縁に、面取り部３３１，３３２が設けられているのが好ましい（図４参照）。このような面取り部３３１，３３２が設けられていることで、第１開口部３３Ａや第２開口部３３Ｂの外縁から異物が発生するのを抑制することができる。

貫通孔３３の第１開口部３３Ａの開口径Ｄ_33Aと第２開口部３３Ｂの開口径Ｄ_33Bとは、特に限定されるものではなく、実質的に同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。

支持面３Ａ側における貫通孔３３の開口径Ｄ_331Aと対向面３Ｂ側における貫通孔３３の開口径Ｄ_331Bとは、実質的に同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。それらが互いに異なっている場合、支持面３Ａ側における貫通孔３３の開口径Ｄ_331Aが対向面３Ｂ側における貫通孔３３の開口径Ｄ_331Bよりも小さいのが好ましい。支持面３Ａ側における貫通孔３３の開口径Ｄ_331Aが対向面３Ｂ側における貫通孔３３の開口径Ｄ_331Bよりも小さいことで、第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板１やそれから作製されるインプリントモールド１０の洗浄時に、第１開口部３３Ａから貫通孔３３に浸入した洗浄液等が、スピン乾燥時の遠心力により第２開口部３３Ｂから効果的に排出されやすくなる。この場合において、第１開口部３３Ａ側から第２開口部３３Ｂ側に向けて、貫通孔３３の内径が徐々に大きくなるように変化しているのが、洗浄液等の排出容易性の観点から好ましい。

支持面３Ａ側における貫通孔３３の開口径Ｄ_331Aと対向面３Ｂ側における貫通孔３３の開口径Ｄ_331Bとが実質的に同一であって、貫通孔３３は支持部３の厚さ方向において実質的に一定の内径（開口径Ｄ_331A，Ｄ_331Bと実質的に同一の内径）を有していてもよい。支持部３の厚さ方向の途中における貫通孔３３の内径が、支持面３Ａ側における貫通孔３３の開口径Ｄ_331Aや対向面３Ｂ側における貫通孔３３の開口径Ｄ_331Bよりも小さかったり大きかったりすると、貫通孔３３に浸入した洗浄液等が排出され難くなるおそれがある。なお、支持面３Ａ側における貫通孔３３の開口径Ｄ_331Aが対向面３Ｂ側における貫通孔３３の開口径Ｄ_331Bよりも大きく、貫通孔３３の内径は第２開口部３３Ｂ側から第１開口部３３Ａ側に向けて徐々に大きくなっていてもよい。

また、貫通孔３３の内径は、第１開口部３３Ａ側から第２開口部３３Ｂ側に向けて徐々に大きくなっていてもよいが、この態様に限定されるものではなく、貫通孔３３の内壁面が階段状に形成され、貫通孔３３の内径が第１開口部３３Ａ側から第２開口部３３Ｂ側に向けて段階的に大きくなっていてもよい。

支持面３Ａ側における貫通孔３３の開口径Ｄ_331Aは、特に限定されるものではないが、例えば、０．１ｍｍ～５ｍｍ程度に設定され得る。また、対向面３Ｂ側における貫通孔３３の内径Ｄ_331Bも特に限定されるものではないが、例えば、０．１ｍｍ～７ｍｍ程度に設定され得る。

後述するように、第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド１０は、インプリントモールド１０を保持する保持面１１１を有するモールドホルダ１１０と、被転写基板２００が載置される基板ステージ１２０と、モールドホルダ１１０の保持面１１１に形成され、インプリントモールド１０及び被転写基板２００の間にヘリウムガス等を供給するためのガス供給孔１３０とを備えるインプリント装置１００（図２１参照）において好適に用いられる。このガス供給孔１３０にインプリントモールド１０の第２開口部３３Ｂを位置合わせするようにしてモールドホルダ１１０にインプリントモールド１を保持させることで、貫通孔３３を介してインプリントモールド１０と被転写基板２００との間にヘリウムガス等を供給することができる。

第１の実施形態において、貫通孔３３の内壁面には、当該内壁面の全体を覆う保護膜が形成されていてもよい。保護膜としては、例えば、クロム、アルミニウム、タンタル、チタン、タングステン、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）等からなる膜、並びにこれらの金属の酸化膜及び窒化膜等が挙げられる。このような保護膜が形成されていることで、インプリントモールド１０の製造過程において凸構造部２１上に微細凹凸パターン１１をドライエッチングにより形成する際に、貫通孔３３の内壁面がエッチングされるのを抑制することができる。なお、保護膜は、例えば、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法により貫通孔３３の内壁面に形成され得る。なお、貫通孔３３の内壁面に保護膜が形成されていないと、第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板１からインプリントモールド１０を作製する際に、インプリントモールド用基板１をエッチングに付して微細凹凸パターン１１を形成するが、そのときに貫通孔３３の内壁面もエッチングに曝される。しかしながら、微細凹凸パターン１１を形成するときにおける貫通孔３３の内壁面のエッチング量は、非常に小さく（ナノメートルオーダー）、インプリントモールド１０の機能、作用等に与える影響はない又は極めて小さいと考えられる。

支持部３を構成する材料としては、特に限定されるものではなく、薄板部２を構成する材料と同一材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。支持部３が、薄板部２を構成する材料と異なる材料により構成される場合、当該支持部３を構成する材料としては、例えば、シリコン系材料、金属材料、石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料；ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、その他ポリオレフィン類等の樹脂材料のほか、低膨張セラミックス等のセラミックス材料等が挙げられる。

接合部４は、薄板部２及び支持部３を接着可能であって、かつ薄板部２及び支持部３を分離可能な構成を有する。なお、第１の実施形態において、接合部４が薄板部２と支持部３との間にのみ存在している態様を例に挙げるが、インプリント処理に影響を及ぼさないのであれば、このような態様に限定されるものではない。例えば、接合部４は、薄板部２の第２面２Ｂの全面を覆っていてもよいし、中空部から露出する第２面２Ｂの一部を覆っていてもよい。このような態様のインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド１０を用いたインプリント処理において、インプリント樹脂として光硬化性樹脂を用いるのであれば、接合部４は、当該光硬化性樹脂を硬化させ得る光を透過可能に構成されていればよい。

このような接合部４として、薄板部２及び支持部３を接着可能であって、加熱等により、少なくとも支持部３に対する粘着力を低下させ得る樹脂材料（光硬化性粘着剤、ワックス系粘着剤等）を例示することができる。特に、接合部４を構成する材料として、薄板部２及び支持部３を常温で連結可能な光硬化性粘着剤を用いることで、連結時に薄板部２や支持部３に生じ得る内部応力を低減することができるため、薄板部２の主面２Ａの平坦性に影響を与えにくくなる。

上記樹脂材料の粘着力（被着体である薄板部２及び支持部３に対する粘着力）は、第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド１０をインプリント処理に使用しているときに、薄板部２と支持部３とが分離してしまわない程度であればよく、硬化させたインプリント樹脂（光硬化性樹脂）から薄板部２を垂直方向に剥離するのに要する力の２倍以上、好ましくは５倍以上の力に耐えられるものであればよい。例えば、接合部４が上記樹脂材料により構成され、薄板部２及び支持部３がともに石英により構成される場合、硬化させたインプリント樹脂（光硬化性樹脂）から薄板部２を垂直方向に剥離するのに要する力の最大値が２０Ｎであったならば、硬化させたインプリント樹脂（光硬化性樹脂）と薄板部２との接触面積と同一面積で石英に接着させた上記樹脂材料を剥離するのに要する力の最大値が４０Ｎ以上であるのが好ましい。ただし、実際のインプリント処理において、インプリントモールド１０を剥離するときに薄板部２が湾曲することで、接合部４には、垂直方向の力と薄板部２の湾曲による水平方向の力との合力が加わるため、インプリント処理での繰り返し利用や、インプリント処理以外の不慮の外力による剥離を防ぐために、硬化させたインプリント樹脂（光硬化性樹脂）から薄板部２を垂直方向に剥離するのに要する力の５倍以上（１００Ｎ以上）とすることが好ましい。

また、接合部４が上記樹脂材料により構成される場合、薄板部２の第２面２Ｂと接合部４との間及び／又は支持部３の第２領域３２Ａと接合部４との間に、さらに剥離層を有していてもよく、薄板部２の第２面２Ｂと接合部４との間及び支持部３の第２領域３２Ａと接合部４との間のそれぞれに第１剥離層５１及び第２剥離層５２のそれぞれを有しているのが好ましい（図６参照）。この場合において、接合部４と支持部３の第２領域３２Ａとの間に介在する第２剥離層５２の剥離力と、接合部４と薄板部２の第２面２Ｂとの間に介在する第１剥離層５１の剥離力とが、互いに異なるのが好ましく、接合部４と支持部３の第２領域３２Ａとの間に介在する第２剥離層５２の剥離力が、接合部４と薄板部２の第２面２Ｂとの間に介在する第１剥離層５１の剥離力よりも小さいのが特に好ましい。薄板部２と支持部３とを分離したときに、接合部４としての樹脂材料が支持部３側に残存すると、支持部３を再利用する場合に当該接合部４を除去する必要があるが、支持部３と接合部４との間に剥離層を有することで、接合部４としての樹脂材料が薄板部２側に残存しやすくなり、支持部３の再利用をより容易にすることができる。また、薄板部２の第２面２Ｂと接合部４との間及び支持部３の第２領域３２Ａと接合部４との間のそれぞれに第１剥離層５１及び第２剥離層５２のそれぞれを有しており、第１剥離層５１の剥離力と第２剥離層５２の剥離力とが互いに異なる場合において、第１剥離層５１の剥離力が第２剥離層５２の剥離力よりも小さい場合には、薄板部２と支持部３とを分離したときに支持部３の第２領域３２Ａ上に接合部４が残存するが、支持部３の第２領域３２Ａと接合部４との間に第２剥離層５２が介在していることで、支持部３から接合部４を容易に除去することができる。一方、第１剥離層５１の剥離力が第２剥離層５２の剥離力よりも大きい場合には、接合部４が薄板部２側に残存し易くなり、支持部３の再利用をより容易にすることができる。なお、薄板部２と接合部４との間及び支持部３と接合部４との間のいずれか一方であれば、後者に剥離層を有するのが好ましい。

第１の実施形態において、接合部４は、上記樹脂材料に限定されるものではなく、空隙を有する構造体により構成されていてもよい。接合部４内に空隙が存在することで、接合部４を物理的に破壊して、薄板部２及び支持部３を容易に分離することができる。

上記空隙を有する構造体としては、例えば、多孔質体や、ピラーアレイ等が挙げられる。特に、支持部３がシリコン系材料により構成される場合、支持部３の支持面３Ａ上に形成した多孔質シリコン層を、接合部４として用いることができる。

接合部４が空隙を有する構造体により構成される場合、接合部４の空隙率は、２０～６０％とすることができ、３０～５０％とするのが好ましい。当該空隙率が上記範囲内であれば、接合部４を破壊して、薄板部２及び支持部３を分離することができるとともに、他の部分（薄板部２及び支持部３）に比較して低強度の接合部４が破損することなく、第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されたインプリントモールドをインプリント処理に使用することができる。

接合部４の厚さＴ４は、可能な限り薄いのが好ましいが、接合部４や薄板部２を構成する材料に応じて適宜設定することができる。接合部４として上記樹脂材料を用いた場合、接合部４の厚さＴ４が薄くなると、薄板部２と支持部３との接合時に薄板部２に生じ得る内部応力がより低減される。例えば、接合部４の厚さＴ４は、３～１００ｎｍ程度とすることができる。薄板部２に生じ得る内部応力は、例えば、接合前後の上記樹脂材料（接合部４）の収縮率や膨張率、さらに熱膨張係数に依存する。このため、収縮率や膨張率が低く、または熱膨張係数が薄板部２に近い樹脂材料を接合部４として用いる場合には、接合部４の厚さＴ４を前述の数値範囲（３～１００ｎｍ）に比べて厚くすることができる。また、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールドを、薄板部２に生じ得る内部応力を無視することが可能な用途に使用する際には、上述の数値範囲によらず、例えばサブミクロン又はミクロン単位の厚さＴ４の樹脂材料を接合部４として使用することができる。なお、後述するように薄板部２の主面２Ａを平坦な面として構成させるために、接合部４は、薄板部２に引張応力を与える目的とする、薄板部２に生じ得る内部応力を調整可能な層であってもよい。

上述した構成を有するインプリントモールド用基板１は、薄板部２及び支持部３が接合部４を介して連結した構成を有することで、支持部３の中空部とその開口一端を閉塞する薄板部２（対向面２Ｂ）により、有底略円筒状の凹部６が形成される。そして、支持部３の中空部は、容易な加工技術により高精度に形成可能であり、薄板部２の対向面２Ｂは、高い平坦度を有する面として構成可能であるため、第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板１は、高精度の凹部６を有することになる。また、接合部４が薄板部２及び支持部３を分離可能に構成されていることで、インプリントモールド用基板１から作製されたインプリントモールドを廃棄するときに、薄板部２及び支持部３を容易に分離し、少なくとも支持部３を再利用することが容易となる。その結果、長期的な観点からインプリントモールドの製造コストの上昇を抑制することができる。

［第２の実施形態］
図７は、第２の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図であり、図８は、第２の実施形態に係るインプリントモールド用基板における支持部近傍の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。なお、第２の実施形態において、第１の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。

第２の実施形態に係るインプリントモールド用基板１は、支持部３の支持面３Ａの構造以外、第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板１と同様の構成を有する。したがって、支持部３の支持面３Ａの構造を中心に説明する。

第２の実施形態における支持部３の支持面３Ａは、薄板部２の第１面２Ａ側からの平面視において、薄板部２の外縁よりも外側にはみ出して露出する第１領域３１Ａと、第１領域３１Ａの内側に位置し、薄板部２の第２面２Ｂと接合部４を介して連結される環状の第２領域３２Ａとを含む。

第１領域３１Ａは、薄板部２の外縁との間に間隔をあけるようにして立設する側面部３１１と、側面部３１１の上端部に連続する平面部３１２とを含む。薄板部２の第１面２Ａを上方に位置させた状態において、平面部３１２は、薄板部２の凸構造部２１の上面に設定されるパターン領域と同一又はそれよりも低い高さ位置に存在する。平面部３１２がパターン領域よりも高い高さ位置に存在すると、インプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド１０を用いたインプリント処理時に、被転写基板２００に平面部３１２が衝突してしまうおそれがある。

側面部３１１は、薄板部２の外縁から外側に向かって（薄板部２の外縁の各辺に直交する方向に向かって）所定の間隔をあけるようにして離れて位置している。後述するように、薄板部２の外縁と側面部３１１との間の間隔に第１開口部３３Ａを位置させるように貫通孔３３が形成されているため、上記間隔の幅Ｗは、支持面３Ａ側における貫通孔３３の開口部の径Ｄ_331Aよりも大きければよく、例えば、０．２ｍｍ～６ｍｍ程度であればよい。

貫通孔３３は、薄板部２の外縁と側面部３１１との間の間隔に第１開口部３３Ａを位置させ、支持部３の対向面３Ｂに第２開口部３３Ｂを位置させるように、支持部３の厚さ方向に沿って形成されている。

第２の実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールドにおいて、パターン領域に形成されている微細凹凸パターン１１側から見たときに貫通孔３３の第１開口部３３Ａの外側に側面部３１１が設けられている。この側面部３１１が設けられていないと、貫通孔３３を通じて供給されるヘリウムガス等が、第１開口部３３Ａからインプリントモールドの外側へと流れてしまい、パターン領域側に効率よく供給され難くなる。しかしながら、側面部３１１が設けられていることで、第１開口部３３Ａからパターン領域へ向かうヘリウムガス等の流れを制御することができるため、当該ヘリウムガス等を微細凹凸パターン１１側に効率よく供給することが可能となり、ヘリウムガス等の供給量を抑制することができる。

［第３の実施形態］
図９は、第３の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図であり、図１０は、第３の実施形態に係るインプリントモールド用基板における支持部近傍の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。なお、第３の実施形態において、第１及び第２の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。

第３の実施形態に係るインプリントモールド用基板１は、薄板部２の外縁の近傍の構造以外、第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板１と同様の構成を有する。したがって、薄板部２の外縁の近傍の構造を中心に説明する。

第３の実施形態の薄板部２は、第１面２Ａと、第１面２Ａに対向する第２面２Ｂと、第１面２Ａの外縁及び第２面２Ｂの外縁の間を連続する傾斜面２Ｃとを有する。傾斜面２Ｃは、第１面２Ａの外縁から第２面２Ｂの外縁に向かって広がるように傾斜している。すなわち、第１面２Ａは、第２面２Ｂに包摂される大きさを有する。傾斜面２Ｃは、第１面２Ａ側に向かって凸状に湾曲する湾曲傾斜面であってもよいし（図９及び図１０参照）、第１面２Ａ側に向かって凹状に湾曲する湾曲傾斜面であってもよいし、平坦な傾斜面であってもよい。

第３の実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールドを用いてインプリント処理を行う際に、貫通孔３３を通じてパターン領域側に向かってヘリウムガス等が供給される。このとき、第３の実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールドによれば、第１開口部３３Ａから流出するヘリウムガス等が傾斜面２Ｃに沿ってパターン領域側に向かって案内されやすくなる。また、パターン領域側から外側に向かって流れる余剰のヘリウムガス等が、傾斜面２Ｃに沿って第１開口部３３Ａに向かって案内されやすくなる。よって、第１開口部３３Ａからパターン領域へ向かうヘリウムガス等の流れを制御することができるため、当該ヘリウムガス等を微細凹凸パターン１１側に効率よく供給することが可能となり、ヘリウムガス等の供給量を抑制することができる。また、パターン領域から外側へと向かうヘリウムガス等を第１開口部３３Ａに案内しやすくなるため、当該ヘリウムガス等を効率よく回収することが可能となり、ヘリウムガス等の使用量を抑制することができる。

［第４の実施形態］
図１１は、第４の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図であり、図１２は、第４の実施形態に係るインプリントモールド用基板における支持部近傍の概略構成を示す部分拡大切断端面図であり、図１３は、第４の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す側面図である。なお、第４の実施形態において、第１～第３の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。

第４の実施形態に係るインプリントモールド用基板１は、貫通孔３３の構造以外、第２の実施形態に係るインプリントモールド用基板１と同様の構成を有する。したがって、貫通孔３３の構造を中心に説明する。

第４の実施形態において、貫通孔３３は、薄板部２の外縁と側面部３１１との間の間隔に向かうように、側面部３１１に第１開口部３３Ａを位置させ、支持部３の外側面３Ｃに第２開口部３３Ｂを位置させるように、薄板部２の第１面２Ａと実質的に平行な方向に沿って支持部３を貫通している。

第４の実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールドを用いるインプリント処理において、パターン領域に形成されている微細凹凸パターンが所望とする倍率で転写されるように、インプリントモールドの支持部３の外側面３Ｃを中心に向かって押圧することによって倍率補正が行われる。支持部３に貫通孔３３が形成されていることで、押圧によって印加される荷重に対する支持部３の強度は低下している。しかしながら、貫通孔３３の孔軸方向が押圧方向と実質的に一致しているため、押圧によって印加される荷重に耐えることができ、支持部３の破損等が防止され得る。

［第５の実施形態］
図１４は、第５の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図であり、図１５は、第５の実施形態に係るインプリントモールド用基板における支持部近傍の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。なお、第５の実施形態において、第１～第４の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。

第５の実施形態に係るインプリントモールド用基板１は、貫通孔３３の構造以外、第４の実施形態に係るインプリントモールド用基板１と同様の構成を有する。したがって、貫通孔３３の構造を中心に説明する。

第５の実施形態において、貫通孔３３は、薄板部２の外縁と側面部３１１との間の間隔に向かうように、側面部３１１に第１開口部３３Ａを位置させ、支持部３の外側面３Ｃに第２開口部３３Ｂを位置させるように、薄板部２の第１面２Ａに交差する方向に沿って支持部３を貫通している。

第５の実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールドを用いるインプリント処理において、パターン領域に形成されている微細凹凸パターンが所望とする倍率で転写されるように、インプリントモールドの支持部３の外側面３Ｃを中心に向かって押圧することによって倍率補正が行われる。支持部３に貫通孔３３が形成されていることで、押圧によって印加される荷重に対する支持部３の強度は低下している。しかしながら、貫通孔３３の孔軸方向が押圧方向に対して所定の角度で傾斜しているため、押圧によって印加される荷重に耐えることができ、支持部３の破損等が防止され得る。また、貫通孔３３の第２開口部３３Ｂから第１開口部３３Ａへの方向が、インプリントモールドのパターン領域へ向かう方向であるため、貫通孔３３を通じて供給されるヘリウムガス等をパターン領域に向かって案内しやすい構造となっている。よって、第１開口部３３Ａからパターン領域へ向かうヘリウムガス等の流れを制御することができるため、当該ヘリウムガス等を微細凹凸パターン１１側に効率よく供給することが可能となり、ヘリウムガス等の供給量を抑制することができる。

［第６の実施形態］
図１６は、第６の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図であり、図１７は、第６の実施形態に係るインプリントモールド用基板における支持部近傍の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。なお、第６の実施形態において、第１～第５の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。

第６の実施形態に係るインプリントモールド用基板１は、薄板部２の外縁の近傍の構造以外、第５の実施形態に係るインプリントモールド用基板１と同様の構成を有する。したがって、薄板部２の外縁の近傍の構造を中心に説明する。

第６の実施形態における薄板部２は、第３の実施形態と同様に、第１面２Ａと、第１面２Ａに対向する第２面２Ｂと、第１面２Ａの外縁及び第２面２Ｂの外縁の間を連続する傾斜面２Ｃとを有する。傾斜面２Ｃは、第１面２Ａの外縁から第２面２Ｂの外縁に向かって広がるように傾斜している。すなわち、第１面２Ａは、第２面２Ｂに包摂される大きさを有する。傾斜面２Ｃは、第１面２Ａ側に向かって凸状に湾曲する湾曲傾斜面であってもよいし（図１６及び図１７参照）、第１面２Ａ側に向かって凹状に湾曲する湾曲傾斜面であってもよいし、平坦な傾斜面であってもよい。

第６の実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールドを用いてインプリント処理を行う際に、貫通孔３３を通じてパターン領域側に向かってヘリウムガス等が供給される。このとき、上記インプリントモールドによれば、第１開口部３３Ａから流出するヘリウムガス等が傾斜面２Ｃに沿ってパターン領域側に向かって案内されやすくなる。また、パターン領域側から外側に向かって流れる余剰のヘリウムガス等が、傾斜面２Ｃに沿って第１開口部３３Ａに向かって案内されやすくなる。よって、第１開口部３３Ａからパターン領域へ向かうヘリウムガス等の流れを制御することができるため、当該ヘリウムガス等を微細凹凸パターン１１側に効率よく供給することが可能となり、ヘリウムガス等の供給量を抑制することができる。また、パターン領域から外側へと向かうヘリウムガス等を第１開口部３３Ａに案内しやすくなるため、当該ヘリウムガス等を効率よく回収することが可能となり、ヘリウムガス等の使用量を抑制することができる。さらに、インプリントモールドの支持部３の外側面３Ｃを中心に向かって押圧して倍率補正が行われる際に、貫通孔３３の孔軸方向が押圧方向に対して所定の角度で傾斜しているため、押圧によって印加される荷重に耐えることができ、支持部３の破損等が防止され得る。

［第７の実施形態］
図１８は、第７の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図であり、図１９は、第７の実施形態に係るインプリントモールド用基板における支持部近傍の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。なお、第７の実施形態において、第１～第６の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。

第７の実施形態に係るインプリントモールド用基板１は、貫通孔３３の構造以外、第３の実施形態に係るインプリントモールド用基板１と同様の構成を有する。したがって、貫通孔３３の構造を中心に説明する。

第７の実施形態において、貫通孔３３は、支持部３の第１領域３１Ａに第１開口部３３Ａを位置させ、支持部３の外側面３Ｃに第２開口部３３Ｂを位置させるように、薄板部２の第１面２Ａに交差する方向に沿って支持部３を貫通している。すなわち、貫通孔３３の孔軸方向が押圧方向に対して所定の角度で傾斜している。

第７の実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールドを用いるインプリント処理において、パターン領域に形成されている微細凹凸パターンが所望とする倍率で転写されるように、インプリントモールドの支持部３の外側面３Ｃを中心に向かって押圧することによって倍率補正が行われる。支持部３に貫通孔３３が形成されていることで、押圧によって印加される荷重に対する支持部３の強度は低下している。しかしながら、貫通孔３３の孔軸方向が押圧方向に対して所定の角度で傾斜しているため、押圧によって印加される荷重に耐えることができ、支持部３の破損等が防止され得る。また、貫通孔３３の第２開口部３３Ｂから第１開口部３３Ａへの方向が、インプリントモールドのパターン領域へ向かう方向であるため、貫通孔３３を通じて供給されるヘリウムガス等をパターン領域に向かって案内しやすい構造となっている。よって、第１開口部３３Ａからパターン領域へ向かうヘリウムガス等の流れを制御することができるため、当該ヘリウムガス等を微細凹凸パターン１１側に効率よく供給することが可能となり、ヘリウムガス等の供給量を抑制することができる。

〔インプリントモールド用基板の製造方法〕
上述した構成を有するインプリントモールド用基板１は、以下のようにして製造することができる。図２０は、第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板１の製造工程を断面図にて概略的に示す工程フロー図である。

図２０（Ａ）に示すように、まず、薄板部２及び支持部３を準備し、支持部３の支持面３Ａにおける第２領域３２Ａ上に接合部４を設ける。なお、薄板部２の第２面２Ｂにおける接合部４と当接する部分には、必要に応じて表面処理（粗面化処理、密着層形成処理等）がなされている。また、薄板部２の第１面２Ａの凸構造部２１上には、予めハードマスク層が形成されていてもよい。

支持部３は、所定形状の基材を準備し、当該基材の略中心に中空部を形成するとともに、第１開口部３３Ａが支持面３Ａの第１領域３１Ａに位置し、第２開口部３３Ｂが対向面３Ｂに位置するように、厚さ方向に貫通する貫通孔３３を形成することにより得られる。中空部や貫通孔３３の形成方法は、特に限定されるものではなく、例えば、切削器具等を用いて機械的に加工してもよいし、中空部に相当する開口部を有するレジストパターン等を形成してエッチングしてもよい。

接合部４が上記樹脂材料により構成される場合、スピンコート法、インクジェット法、ディスペンサー法、上記樹脂材料を揮発させて塗布する蒸着法等の任意の塗布方法により、支持部３の支持面３Ａの第２領域３２Ａ上に接合部４を設けることができる。なお、接合部４と支持部３との間に剥離層を設ける場合、支持部３の支持面３Ａの第２領域３２Ａ上に剥離層を形成し、当該剥離層上に接合部４を設ければよい。また、接合部４と薄板部２との間に剥離層を設ける場合、支持部３の支持面３Ａの第２領域３２Ａ上に接合部４を設けるとともに、薄板部２の第２面２Ｂにおける接合部４と当接する面に剥離層を形成してもよいし、薄板部２の第２面２Ｂにおける接合部４と当接する面に剥離層及び接合部４をこの順に設けてもよい。

また、接合部４が空隙を有する構造体により構成される場合には、以下のようにして接合部４を設けることができる。

接合部４が多孔質シリコンにより構成される場合、例えば、シリコンウェハから作製された支持部３の支持面３Ａの第２領域３２Ａを、陽極化成法によりＨＦ水溶液中で電界エッチングすることにより、当該支持部３の支持面３Ａの第２領域３２Ａ上に多孔質シリコン層を形成することができる。この多孔質シリコン層を接合部４として用いることができる。

また、接合部４がピラーアレイ構造体により構成される場合、例えば、支持部３の支持面３Ａの第２領域３２Ａ上にピラーアレイに対応するレジストパターンを形成した後、エッチングすることで、支持部３の支持面３Ａの第２領域３２Ａ上にピラーアレイ構造体を形成することができる。このピラーアレイ構造体を接合部４として用いることができる。

なお、接合部４が空隙を有する構造体である場合、上述した方法により形成し、支持部３と一体的に構成される接合部４に限定されるものではなく、接合部４としての上記多孔質シリコン層やピラーアレイ構造体を別途作製し、支持部３の支持面３Ａの第２領域３２Ａ上に当該接合部４（多孔質シリコン、ピラーアレイ構造体等）を設けてもよい。

次に、図２０（Ｂ）に示すように、支持部３の開口一端を薄板部２（第２面２Ｂ）にて閉塞するように、薄板部２の第２面２Ｂと支持部３の支持面３Ａ（第２領域３２Ａ）とを、接合部４を介して連結する。これにより、第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板１を製造することができる。

薄板部２と支持部３とを連結する方法としては、例えば、接合部４が光硬化性粘着剤により構成される場合、薄板部２と、支持部３の支持面３Ａの第２領域３２Ａに設けられた接合部４とを貼り合わせ、光（例えば紫外線等）を照射する方法等が挙げられる。

また、接合部４が多孔質シリコン層により構成される場合、当該多孔質シリコン層あるいは薄板部２や支持部３としての石英の表面を、プラズマやレーザー等を用いて表面活性化処理し接合する直接接合法、薄板部２及び支持部３がホウケイ酸ガラスにより構成される場合には陽極接合法、シリコン酸化物を介して多孔質シリコン層とシロキサン結合により接合する方法等が挙げられる。

さらに、接合部４がピラーアレイ構造体により構成される場合、各ピラーの天面（頂部）に粘着剤層等を形成し、薄板部２の第２面２Ｂに当該粘着剤層等を介して貼り合わせる方法等が挙げられる。

〔インプリントモールド〕
続いて、上述した第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製され得るインプリントモールドについて説明する。図２１は、本実施形態におけるインプリントモールド１０を示す切断端面図であり、図２２は、当該インプリントモールド１０を示す平面図である。

図２１に示すように、本実施形態におけるインプリントモールド１０は、第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板１の薄板部２の第１面２Ａから突出する凸構造部２１上に、所望の微細凹凸パターン１１が形成されてなる。微細凹凸パターン１１の形状、寸法、アスペクト比等は、インプリントモールド１０の用途に応じて適宜設定され得る。

図２２に示すように、インプリントモールド１０の平面視において、微細凹凸パターン１１の形成されている凸構造部２１上のパターン領域は、支持部３の中空部の外形により規定される領域ＨＡに包含されている。したがって、当該インプリントモールド１０を用いたインプリント処理時において、インプリントモールド１０の薄板部２のうち、微細凹凸パターン１１の形成されているパターン領域を少なくとも湾曲させることができるため、被転写材としてのインプリント樹脂から容易に剥離することができる。

上記インプリントモールド１０は、薄板部２と支持部３とが、それらを分離可能な接合部４を介して連結されているため、例えば、複数回の使用により破損したときなど、当該インプリントモールド１０を廃棄するときに、薄板部２と支持部３とを容易に分離し、少なくとも支持部３を再利用することができる。

上記インプリントモールド１０は、支持部３に貫通孔３３が形成されているため、当該貫通孔３３を介してインプリントモールド１０と被転写基板２００との間にヘリウム等のガスを供給することができる。これにより、当該インプリントモールド１０を用いたインプリント処理により、被転写基板２００上に形成される転写パターンに欠陥を発生させるのを抑制することができる。

〔インプリントモールドの製造方法〕
上記インプリントモールド１０は、例えば下記のようにして製造することができる。図２３は、本実施形態におけるインプリントモールドの製造方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。

本実施形態におけるインプリントモールド１０の製造方法においては、まず、金属クロム膜等のハードマスク層１２が薄板部２の第１面２Ａの凸構造部２１上に設けられている第１の実施形態に係るインプリントモールド用基板１を用意し、微細凹凸パターン１１に対応するレジストパターン６０を当該第１面２Ａの凸構造部２１上における微細凹凸パターン１１を形成するパターン領域上に形成する（図２３（Ａ）参照）。

なお、ハードマスク層１２の厚さは、インプリントモールド用基板１の薄板部２を構成する材料に応じたエッチング選択比、インプリントモールド１０における微細凹凸パターン１１のアスペクト比等を考慮して適宜設定され得る。

レジストパターン６０を構成するレジスト材料としては、特に限定されるものではなく、従来公知のエネルギー線感応型レジスト材料（例えば、電子線感応型レジスト材料、紫外線感応型レジスト材料等）等を用いることができる。

レジストパターン６０を形成する方法としては、特に限定されるものではない。例えば、レジストパターン６０は、電子線リソグラフィー法やフォトリソグラフィー法等により形成され得る。

続いて、レジストパターン６０をマスクとして用いてハードマスク層１２をドライエッチング法によりエッチングし、ハードマスクパターン１３を形成する（図２３（Ｂ）参照）。そして、当該ハードマスクパターン１３をマスクとして用いてインプリントモールド用基板１の薄板部２の第１面２Ａの凸構造部２１をエッチングし、微細凹凸パターン１１を形成する（図２３（Ｃ）参照）。

最後に、ハードマスクパターン１３を除去する（図２３（Ｄ）参照）。これにより、薄板部２の第１面２Ａの凸構造部２１上に微細凹凸パターン１１が形成されてなり、高精度の凹部６を有するインプリントモールド１０を製造することができる。

なお、レジストパターン６０を形成する際に電子線リソグラフィー法やフォトリソグラフィー法を用いる場合には、露光光源側から見たときに、薄板部２はたわみを持たず一様に平坦であることがより好ましい。そのため、薄板部２は大きさに応じた厚みを有するか、あるいは張力を有するように支持部３に貼り付けられていることが好ましい。

［インプリント装置］
上述した構成を有するインプリントモールド１０を好適に用いることのできるインプリント装置の一例について説明する。

図２４は、本実施形態におけるインプリント装置を概略的に示す構成図であり、図２５は、本実施形態におけるインプリント装置における転写位置近傍の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。

本実施形態におけるインプリント装置１００は、インプリントモールド１０を保持可能な保持面１１１を有するモールドホルダ１１０と、モールドホルダ１１０に保持されたインプリントモールド１０の支持部３の外側面３Ｃを押圧することにより倍率補正を行い得る倍率補正機構（図示せず）と、被転写基板２００が載置される基板ステージ１２０と、インプリントモールド１０と接触して被転写基板２００上に濡れ広がったインプリント樹脂３００を硬化させるための硬化手段（ＵＶ光源等，図示せず）とを備える。モールドホルダ１１０には、モールドホルダ１１０に保持されたインプリントモールド１及び基板ステージ１２０に載置された被転写基板２００の間にガスを供給するためのガス供給孔１３０が形成されている。

基板ステージ１２０は、載置された被転写基板２００を保持可能な保持機構（図示せず）を有する。かかる保持機構としては、例えば、吸引による保持機構、機械挟持による保持機構、静電気による保持機構等が挙げられる。

基板ステージ１２０は、基板ステージ１２０上に載置・保持された被転写基板２００上にインプリント樹脂３００の液滴を供給するインクジェットヘッド１４０の下方の液滴供給位置（図２４において一点鎖線にて示される位置）と、モールドホルダ１１０の下方の転写位置との間で水平方向（図２４に示す矢印方向）に往復移動可能に構成されている。なお、基板ステージ１２０は、転写位置と液滴供給位置との間で相対的に往復移動可能に構成されていればよく、例えば、基板ステージ１２０は往復移動不可能に構成されており、モールドホルダ１１０及びインクジェットヘッド１４０のそれぞれが基板ステージ１２０の上方に移動可能に構成されていてもよい。

モールドホルダ１１０は、微細凹凸パターン１１を基板ステージ１２０側に向けてインプリントモールド１０を保持する保持面１１１を有する。モールドホルダ１１０は、例えば、吸引による保持機構、機械挟持による保持機構、静電気による保持機構等の保持機構（図示せず）を有し、当該保持機構によりインプリントモールド１０を保持することができる。モールドホルダ１１０は、基板ステージ１２０に載置されている被転写基板２００に向かって、鉛直方向に往復移動可能に構成されており、これにより、被転写基板２００上のインプリント樹脂３００にインプリントモールド１０の微細凹凸パターン１１を接触させ、またインプリント樹脂３００からインプリントモールド１０を離間させることができる。なお、モールドホルダ１１０に保持されているインプリントモールド１０の微細凹凸パターン１１に被転写基板２００上のインプリント樹脂３００を接触させるように、基板ステージ１２０が鉛直方向に往復移動可能に構成されていてもよい。

かかるインプリント装置１００において、インプリントモールド１０は、貫通孔３３の第２開口部３３Ｂをガス供給孔１３０に位置合わせして、モールドホルダ１１０の保持面１１１に保持される。ガス供給孔１３０は、ガスタンク（図示せず）に連続しており、ガスタンクから供給されるガスをインプリントモールド１０と被転写基板２００との間に供給可能に構成されている（図２５参照）。ガス供給孔１３０から供給され得るガスとしては、例えば、ヘリウム、ＰＦＰ（ペンタフルオロプロパン）、ＴＦＰ（テトラフルオロプロペン）等の凝縮性ガス等が挙げられる。

ガス供給孔１３０は、モールドホルダ１１０に保持されるインプリントモールド１０の貫通孔３３の第２開口部３３Ｂに対応する位置に設けられており、ガス供給孔１３０の内径は、第２開口部３３Ｂの開口径Ｄ_33Bと同一又はそれよりも大きければよい。これにより、モールドホルダ１１０にインプリントモールド１０が保持されたときにガス供給孔１３０から供給されるガスが貫通孔３３を介してインプリントモールド１０と被転写基板２００との間に供給される。ガス供給孔１３０の外径は、例えば、０．１ｍｍ～１０ｍｍ程度に設定され得る。

本実施形態におけるインプリントモールド１０を上記インプリント装置１００のモールドホルダ１１０に保持させるとともに、基板ステージ１２０上に載置・保持された被転写基板２００上にインクジェットヘッド１４０からインプリント樹脂３００の液滴を供給する。そして、液滴供給位置（図２４において一点鎖線にて示される位置）から、モールドホルダ１１０の下方の転写位置に被転写基板２００を水平方向に移動させる。インプリントモールド１０をモールドホルダ１１０に保持させるときに、貫通孔３３の第２開口部３３Ｂとガス供給孔１３０とを位置合わせするとともに、倍率補正機構（図示せず）により支持部３の外側面３Ｃを押圧して所定の倍率補正が行われる。

次に、ガス供給孔１３０及び貫通孔３３を介してインプリントモールド１０と被転写基板２００との間にヘリウム等のガスが供給され、モールドホルダ１１０を、基板ステージ１２０に載置されている被転写基板２００に向かって、鉛直方向に移動させ、被転写基板２００上のインプリント樹脂３００にインプリントモールド１０の微細凹凸パターンを接触させることで、インプリントモールド１０の凸構造部２１と被転写基板２００との間にインプリント樹脂３００を展開させる。その状態でインプリント樹脂３００を硬化させた後、モールドホルダ１１０を鉛直方向に移動させることで、インプリント樹脂３００からインプリントモールド１０を引き離す。これにより、被転写基板２００上のインプリント樹脂３００にインプリントモールド１０の微細凹凸パターン１１が転写され、転写パターンに欠陥を生じさせないようにすることができる。

〔インプリントモールドの再生方法〕
続いて、上記インプリントモールド１０の再生方法について説明する。図２６は、本実施形態におけるインプリントモールドの再生方法の各工程を断面図により示す工程フロー図である。

本実施形態においては、まず、使用済みのインプリントモールド１０の薄板部２と支持部３とを分離する（図２６（Ａ）参照）。薄板部２と支持部３とを分離する方法としては、例えば、接合部４が上記樹脂材料により構成される場合、当該接合部４に赤外線を照射して加熱することにより、接合部４の粘着力を低下させ、薄板部２と支持部３とを分離する方法等を挙げることができる。このとき、支持部３と接合部４との間に剥離層が設けられていれば、接合部４を薄板部２側に残存させるようにして薄板部２と支持部３とを分離することができる。

また、接合部４が空隙を有する構造体により構成される場合、当該接合部４（構造体）を機械的に切断することにより薄板部２と支持部３とを分離する方法等を挙げることができる。

次に、必要に応じて支持部３の支持面３Ａの第２領域３２Ａに残存する接合部４を除去したり、支持面３Ａを清浄化したりするとともに、別途新たな薄板部２’を準備し、支持部３の開口一端を当該薄板部２’にて閉塞するように、当該薄板部２’の第２面２Ｂ’と支持部３の支持面３Ａ（第２領域３２Ａ）とを、接合部４’を介して連結する。（図２６（Ｂ）参照）。これにより、使用済みのインプリントモールド１０をインプリントモールド用基板１として再生することができる。なお、使用済みのインプリントモールド１０の支持部３の対向面３Ｂに、別途新たな薄板部２’を連結して、インプリントモールド用基板１として再生してもよい。

新たな薄板部２’の第１面２Ａ’には、金属クロム膜等により構成されるハードマスク層が形成されていてもよい。薄板部２’と支持部３とを、接合部４を介して連結する方法としては、上記インプリントモールド用基板１の製造方法において説明した方法と同様の方法（図２６（Ｂ）参照）を採用することができる。

そして、再生されたインプリントモールド用基板１を用いて、図２３に示す方法によりインプリントモールド１０を製造することで、インプリントモールド１０を再生することができる。

上述のようにして、本実施形態によれば、少なくとも支持部３を再利用することができ、使用済みのインプリントモールド１０を再生することができる。

以上説明した実施形態は、本開示の理解を容易にするために記載されたものであって、本開示を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本開示の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

上記実施形態においては、薄板部２と支持部３とを連結する接合部４として、両者を接着可能な樹脂材料や空隙を有する構造体（多孔質シリコン層、ピラーアレイ構造体等）を例に挙げて説明したが、本開示はこのような態様に限定されるものではない。例えば、薄板部２と支持部３とを、両者を接着可能なゴム系接着剤等により構成される接合部４を介して連結してもよいし、薄板部２と支持部３とをネジ等により機械的に連結させてもよい。

上記実施形態においては、薄板部２の第２面２Ｂ又は支持部３の支持面３Ａ（第２領域３２Ａ）に接合部４を設け、当該接合部４を介して薄板部２と支持部３とを連結しているが、本開示はこのような態様に限定されるものではない。例えば、薄板部２の第２面２Ｂ及び支持部３の支持面３Ａ（第２領域３２Ａ）の双方に接合部４を設け、接合部４同士を接合することにより薄板部２と支持部３とを連結してもよい。

上記実施形態においては、薄板部２と支持部３とを、接合部４を介して連結してなるインプリントモールド用基板１を例に挙げて説明したが、本開示はこのような態様に限定されるものではない。例えば、接合部４を有さず、薄板部２と支持部３とが一体化されてなるものであってもよい（図２７参照）。

上記実施形態においては、薄板部２と支持部３とを、接合部４を介して連結してなるインプリントモールド用基板１の薄板部２の第１面２Ａから突出する凸構造部２１上に微細凹凸パターン１１を形成することによりインプリントモールド１０を製造しているが、本開示はこのような態様に限定されるものではない。例えば、第１面２Ａの凸構造部２１上に微細凹凸パターン１１が形成されてなる薄板部２と、支持部３とを準備し、当該薄板部２と支持部３とを、支持部３の開口一端を薄板部２の対向面２Ｂで覆うようにして接合部４を介して連結することで、インプリントモールド１０を製造してもよい。

本開示は、半導体基板等に微細凹凸パターンを形成するためにインプリントモールドを用いてナノインプリント工程を実施するような微細加工技術分野において有用である。

１…インプリントモールド用基板
２…薄板部
２Ａ…第１面
２Ｂ…第２面
３…支持部
３Ａ…支持面
３３…貫通孔
４…接合部
６…凹部
１０…インプリントモールド
１１…微細凹凸パターン

Claims (18)

1. 第１面及び前記第１面に対向する第２面を有し、凹凸パターンの形成されるパターン領域が前記第１面側に設定されてなる薄板部と、
   前記薄板部の前記第２面を支持する支持面を有する中空筒状の支持部と、
   前記薄板部及び前記支持部の間に介在し、それらを接合する接合部と
   を備え、
   前記支持部の支持面は、前記薄板部の前記第１面側からの平面視において前記薄板部の外縁よりも外側にはみ出して露出する第１領域と、前記第１領域の内側に位置し、前記薄板部の前記第２面の一部と対向する環状の第２領域とを含み、
   前記支持部には、前記第１領域に開口部を位置させるように前記支持部を貫通する少なくとも１つの貫通孔が形成されており、
   前記薄板部は、前記中空筒状の支持部の開口一端を前記第２面で閉塞するようにして、前記接合部を介して前記支持部と連結されており、
   前記接合部は、前記支持部の前記第２領域と前記薄板部の前記第２面とを接着可能な材料により構成され、
   前記接合部と前記支持部の前記第２領域との間、及び前記接合部と前記薄板部の前記第２面との間のそれぞれに介在する剥離層をさらに備え、
   前記接合部と前記支持部の前記第２領域との間に介在する前記剥離層の剥離力と、前記接合部と前記薄板部の前記第２面との間に介在する前記剥離層の剥離力とが、互いに異なる
   インプリントモールド用基板。
2. 前記第１領域は、前記薄板部の外縁との間に間隔をあけるようにして立設する側面部と、前記側面部の上端部に連続する平面部とを含み、
   前記薄板部の前記第１面を上方に位置させたときに、前記平面部は、前記薄板部の前記パターン領域と同一又はそれよりも低い高さ位置に存在し、
   前記貫通孔は、前記開口部を前記側面部に位置させるようにして形成されている
   請求項１に記載のインプリントモールド用基板。
3. 前記貫通孔は、前記開口部から前記支持部の外側に向かう方向であって、前記薄板部の前記第１面と実質的に平行な方向に沿って前記支持部を貫通している
   請求項１に記載のインプリントモールド用基板。
4. 前記貫通孔は、前記開口部から前記支持部の外側に向かう方向であって、前記薄板部の前記第１面に対して交差する方向に沿って前記支持部を貫通している
   請求項１に記載のインプリントモールド用基板。
5. 前記貫通孔は、前記支持部の厚さ方向に沿って貫通している
   請求項１に記載のインプリントモールド用基板。
6. 前記接合部と前記支持部の前記第２領域との間に介在する前記剥離層の剥離力が、前記接合部と前記薄板部の前記第２面との間に介在する前記剥離層の剥離力よりも小さい
   請求項１～５のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
7. 第１面及び前記第１面に対向する第２面を有し、凹凸パターンの形成されるパターン領域が前記第１面側に設定されてなる薄板部と、
   前記薄板部の前記第２面を支持するようにして前記第２面に連続する中空筒状の支持部と
   を備え、
   前記薄板部及び前記支持部は、同一材料により構成され、
   前記支持部は、前記薄板部の前記第１面側からの平面視において前記薄板部の外縁よりも外側にはみ出して露出する第１領域を含み、
   前記第１領域は、前記薄板部の外縁との間に間隔をあけるようにして立設する側面部と、前記側面部の上端部に連続する平面部とを含み、
   前記支持部には、前記側面部に開口部を位置させるように前記支持部を貫通する少なくとも１つの貫通孔が形成されており、
   前記薄板部の前記第１面を上方に位置させたときに、前記平面部は、前記薄板部の前記パターン領域と同一又はそれよりも低い高さ位置に存在し、
   前記貫通孔は、前記開口部から前記支持部の外側に向かう方向であって、前記薄板部の前記第１面と実質的に平行な方向に沿って前記支持部を貫通している
   インプリントモールド用基板。
8. 第１面及び前記第１面に対向する第２面を有し、凹凸パターンの形成されるパターン領域が前記第１面側に設定されてなる薄板部と、
   前記薄板部の前記第２面を支持するようにして前記第２面に連続する中空筒状の支持部と
   を備え、
   前記薄板部及び前記支持部は、同一材料により構成され、
   前記支持部は、前記薄板部の前記第１面側からの平面視において前記薄板部の外縁よりも外側にはみ出して露出する第１領域を含み、
   前記支持部には、前記第１領域に開口部を位置させるように前記支持部を貫通する少なくとも１つの貫通孔が形成されており、
   前記貫通孔は、前記開口部から前記支持部の外側に向かう方向であって、前記薄板部の前記第１面に対して交差する方向に沿って前記支持部を貫通している
   インプリントモールド用基板。
9. 前記薄板部の前記第１面側からの平面視において、前記支持部には、複数の前記開口部が前記薄板部の外縁を取り囲むようにして複数の前記貫通孔が形成されている
   請求項１～８のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
10. 前記薄板部の外縁を取り囲む前記複数の開口部が実質的に一様に分布するように、前記複数の貫通孔が形成されている
    請求項９に記載のインプリントモールド用基板。
11. 前記インプリントモールド用基板の平面視において、前記薄板部の中心と前記支持部の中心とを一致させたときに、前記薄板部の中心及び前記支持部の中心と前記貫通孔の前記開口部の中心とを通る仮想線分上における前記薄板部の中心から前記薄板部の外縁までの長さが、前記仮想線分上における前記支持部の中心から前記第２領域の内縁までの長さよりも長く、前記仮想線分上における前記支持部の中心から前記貫通孔の前記開口部の縁部までの長さ以下である
    請求項１～６のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
12. 前記仮想線分上における前記薄板部の外縁から前記貫通孔の前記開口部の縁部までの長さが、５０μｍ以上である
    請求項１１に記載のインプリントモールド用基板。
13. 前記薄板部は、前記薄板部の前記第１面の外縁から前記第２面の外縁に向かって広がるようにして傾斜する傾斜面をさらに有する
    請求項１～１２のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
14. 前記傾斜面は、前記第１面側に向かって凸状に湾曲する湾曲傾斜面である
    請求項１３に記載のインプリントモールド用基板。
15. 前記薄板部は、前記第１面から突出する凸構造部をさらに有し、
    前記凸構造部の上面に前記パターン領域が設定されてなる
    請求項１～１４のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
16. 請求項１～１５のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の前記薄板部の前記パターン領域に、凹凸パターンが形成されてなるインプリントモールド。
17. 請求項１～６のいずれかに記載のインプリントモールド用基板を製造する方法であって、
    前記支持部の前記開口一端を前記薄板部で閉塞するように、前記接合部を介して前記支持部の前記第２領域と前記薄板部の前記第２面とを接合する工程を含む
    インプリントモールド用基板の製造方法。
18. 請求項１～１５のいずれかに記載のインプリントモールド用基板を準備する工程と、
    前記インプリントモールド用基板の前記薄板部の前記パターン領域に前記凹凸パターンを形成する工程と
    を含むインプリントモールドの製造方法。

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