JP7051690B2 - スプリアスモード除去をもたらす誘導表面弾性波デバイス - Google Patents
スプリアスモード除去をもたらす誘導表面弾性波デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP7051690B2 JP7051690B2 JP2018539285A JP2018539285A JP7051690B2 JP 7051690 B2 JP7051690 B2 JP 7051690B2 JP 2018539285 A JP2018539285 A JP 2018539285A JP 2018539285 A JP2018539285 A JP 2018539285A JP 7051690 B2 JP7051690 B2 JP 7051690B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric layer
- support substrate
- saw device
- thickness
- saw
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims description 192
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 172
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 68
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 64
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 52
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 27
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 259
- 239000000463 material Substances 0.000 description 43
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 21
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 21
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 241000473391 Archosargus rhomboidalis Species 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013292 LiNiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- NVLSIZITFJRWPY-ONEGZZNKSA-N n,n-dimethyl-4-[(e)-2-(4-nitrophenyl)ethenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 NVLSIZITFJRWPY-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02779—Continuous surface reflective arrays
- H03H9/02787—Continuous surface reflective arrays having wave guide like arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/14564—Shifted fingers transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6406—Filters characterised by a particular frequency characteristic
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
後述の諸実施形態は、当業者が、実施形態を実施し、実施形態を実施する最良のモードを例示することを可能にするために必要な情報を表している。添付の図面に照らして次の説明を読むと、当業者であれば、本開示の概念を理解し、本明細書に具体的に取り組んでいないこれらの概念の適用例を認識するであろう。これらの概念及び適用例が、本開示及び添付の特許請求の範囲内に入ることを認識すべきである。
- 圧電厚さが、2ラムダ(λ)未満であり、バルク波カットオフ周波数が、fa+(fa-fr)/2よりも大きく、Vsubが、毎秒6,984メートル(m/s)未満である、圧電物質/非半導体基板上の、または
- 圧電厚さが、2λ未満であり、バルク波カットオフ周波数が、fa+(fa-fr)/2よりも大きく、Vsubが、6,000m/s未満である、圧電物質/非半導体基板上の、または
- 圧電厚さが、2λ未満であり、バルク波カットオフ周波数が、fa+(fa-fr)/2よりも大きく、Vsubが、5,400m/s未満である、圧電物質/非半導体基板上の、または
- 圧電厚さが、2λ未満であり、Vsubが、櫛形トランスデューサ(IDT)中の表面波速度の1.07倍から6,984m/sの間である、圧電物質/非半導体基板上の、または
- 圧電厚さが、2λ未満であり、Vsubが、IDT中の表面波速度の1.07倍から6,000m/sの間である、圧電物質/非半導体基板上の、または
- 圧電厚さが、2λ未満であり、Vsubが、IDT中の表面波速度の1.07倍から5,400m/sの間である、圧電物質/非半導体基板上の
二酸化ケイ素(SiO2)を含まない表面弾性波(SAW)デバイスであって、
- 圧電材料が、タンタル酸リチウム(LiTaO3;LT)またはニオブ酸リチウム(LiNbO3)であり、
- 圧電材料が、回転YカットLTであり、LT厚さが、(λを単位にして)1.76-2.52e-4×{Vsub+4210-(-2.435e-9θ6+1.103e-6θ5-1.719e-4θ4+1.145e-2θ3-4.229e-1θ2+9.765θ+4.103e+3)}未満であり、ここで、
- Vsubは、(毎秒メートル(m/s)で表して)基板中の速度であり、
- θは、(度で表して)LTカット角であり、
- 圧電厚さが、0.10λよりも大きい、
二酸化ケイ素(SiO2)を含まない表面弾性波(SAW)デバイス。
- 圧電厚さが、2ラムダ(λ)未満であり、バルク波カットオフ周波数が、fa+(fa-fr)/2よりも大きく、Vsubが、6,984m/s未満である、圧電物質/SiO2/非半導体基板上の、または
- 圧電厚さが、2λ未満であり、バルク波カットオフ周波数が、fa+(fa-fr)/2よりも大きく、Vsubが、6,000m/s未満である、圧電物質/SiO2/非半導体基板上の、または
- 圧電厚さが、2λ未満であり、バルク波カットオフ周波数が、fa+(fa-fr)/2よりも大きく、Vsubが、5,400m/s未満である、圧電物質/SiO2/非半導体基板上の、または
- 圧電厚さが、2λ未満であり、Vsubが、櫛形トランスデューサ(IDT)中の表面波速度の1.07倍から6,984m/sの間である、圧電物質/SiO2/非半導体基板上の、または
- 圧電厚さが、2λ未満であり、Vsubが、IDT中の表面波速度の1.07倍から6,000m/sの間である、圧電物質/SiO2/非半導体基板上の、または
- 圧電厚さが、2λ未満であり、Vsubが、IDT中の表面波速度の1.07倍から5,400m/sの間である、圧電物質/SiO2/非半導体基板上の
二酸化ケイ素(SiO2)を含む表面弾性波(SAW)デバイスであって、
- 圧電材料が、タンタル酸リチウム(LiTaO3;LT)またはニオブ酸リチウム(LiNbO3)であり、
- 圧電材料が、回転YカットLTであり、LT厚さが、(λを単位にして)1.76-2.52e-4×{Vsub+4210-(-2.435e-9θ6+1.103e-6θ5-1.719e-4θ4+1.145e-2θ3-4.229e-1θ2+9.765θ+4.103e+3)}-0.50×TSiO2未満であり、ここで、
- Vsubは、(毎秒メートル(m/s)で表して)基板中の速度であり、
- θは、(度で表して)LTカット角であり、
- TSiO2は、(λを単位にして)SiO2厚さであり、
- 圧電厚さが、0.05λよりも大きく、
- SiO2厚さが、0.1λ未満であり、
- 圧電層が、単結晶(堆積膜ではない)であり、
- 非半導体基板が、ウェハ(堆積膜ではない)から作製される、
二酸化ケイ素(SiO2)を含む表面弾性波(SAW)デバイス。
- 基板上のSAWフィルタまたはSAWデュプレクサ。
Claims (8)
- 非半導体支持基板、
前記非半導体支持基板の表面上の圧電層、及び
前記非半導体支持基板とは反対側の前記圧電層の表面上の少なくとも1つの櫛形トランスデューサ(Interdigitated Transducer:IDT)
を備えた誘導表面弾性波(Surface Acoustic Wave:SAW)デバイスであって、前記圧電層の厚さ、前記圧電層のSAW速度、及び前記非半導体支持基板の音響速度は、前記誘導SAWデバイスの共振周波数を上回るスプリアスモードの周波数が、前記スプリアスモードが抑制されるように前記誘導SAWデバイスのバルク波カットオフ周波数を上回るようになっており、
前記圧電層の前記厚さが、スプリアスモードを抑制する前記圧電層の規定の最大厚さ未満であり、前記圧電層の前記規定の最大厚さが、前記圧電層の前記SAW速度と、前記非半導体支持基板の伝搬方向における最遅音響モードの速度との両方の関数であり、
前記非半導体支持基板と前記圧電層との間に誘電体層が存在せず、
前記圧電層が、タンタル酸リチウム(LT)を備え、
前記圧電層の前記規定の最大厚さが、λを単位にして、
であり、ここでVsubは毎秒メートルで表して前記非半導体支持基板の伝搬方向における最遅音響モードの速度であり、Vpiezoは毎秒メートルで表して前記圧電層の前記SAW速度である、
前記誘導表面弾性波(SAW)デバイス。 - 前記圧電層が、タンタル酸リチウムを含む、請求項1に記載の誘導SAWデバイス。
- 前記圧電層の前記厚さが、λの0.1倍よりも大きく、ここでλは前記誘導SAWデバイスの前記共振周波数の波長であり、前記非半導体支持基板の伝搬方向における最遅音響モードの速度が毎秒6,984メートル未満である、請求項1に記載の誘導SAWデバイス。
- 前記非半導体支持基板の伝搬方向における最遅音響モードの速度が毎秒6,000メートル未満である、請求項1に記載の誘導SAWデバイス。
- 前記非半導体支持基板の伝搬方向における最遅音響モードの速度が毎秒5,400メートル未満である、請求項1に記載の誘導SAWデバイス。
- 前記圧電層が、単結晶である、請求項1に記載の誘導SAWデバイス。
- 前記非半導体支持基板が、ウェハから作製されている、請求項1に記載の誘導SAWデバイス。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662288244P | 2016-01-28 | 2016-01-28 | |
US62/288,244 | 2016-01-28 | ||
US15/086,936 | 2016-03-31 | ||
US15/086,936 US10128814B2 (en) | 2016-01-28 | 2016-03-31 | Guided surface acoustic wave device providing spurious mode rejection |
PCT/US2017/014808 WO2017132184A1 (en) | 2016-01-28 | 2017-01-25 | Guided surface acoustic wave device providing spurious mode rejection |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019503627A JP2019503627A (ja) | 2019-02-07 |
JP7051690B2 true JP7051690B2 (ja) | 2022-04-11 |
Family
ID=59387695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018539285A Active JP7051690B2 (ja) | 2016-01-28 | 2017-01-25 | スプリアスモード除去をもたらす誘導表面弾性波デバイス |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10128814B2 (ja) |
JP (1) | JP7051690B2 (ja) |
WO (1) | WO2017132184A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112015005947T5 (de) | 2015-06-15 | 2018-01-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Datenübertragungssystem, Datenübertragungsvorrichtung und Sensorvorrichtung |
US10381998B2 (en) | 2015-07-28 | 2019-08-13 | Qorvo Us, Inc. | Methods for fabrication of bonded wafers and surface acoustic wave devices using same |
US20180337657A1 (en) * | 2015-09-25 | 2018-11-22 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic wave resonator having antiresonant cavity |
US20180241374A1 (en) * | 2015-09-25 | 2018-08-23 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd | Acoustic wave resonator having antiresonant cavity |
US10084427B2 (en) | 2016-01-28 | 2018-09-25 | Qorvo Us, Inc. | Surface acoustic wave device having a piezoelectric layer on a quartz substrate and methods of manufacturing thereof |
US10128814B2 (en) | 2016-01-28 | 2018-11-13 | Qorvo Us, Inc. | Guided surface acoustic wave device providing spurious mode rejection |
US11095266B2 (en) | 2016-10-07 | 2021-08-17 | Qorvo Us, Inc. | Slanted apodization for acoustic wave devices |
US10924086B2 (en) | 2016-10-14 | 2021-02-16 | Qorvo Us, Inc. | Surface acoustic wave (SAW) device with antireflective structure |
US10848121B2 (en) | 2016-10-14 | 2020-11-24 | Qorvo Us, Inc. | Guided SAW device |
US10924085B2 (en) | 2016-10-17 | 2021-02-16 | Qorvo Us, Inc. | Guided acoustic wave device |
SG11201903365SA (en) | 2016-10-20 | 2019-05-30 | Skyworks Solutions Inc | Elastic wave device with sub-wavelength thick piezoelectric layer |
US11206007B2 (en) | 2017-10-23 | 2021-12-21 | Qorvo Us, Inc. | Quartz orientation for guided SAW devices |
FR3079667B1 (fr) * | 2018-03-28 | 2020-03-27 | Frec'n'sys | Dispositif d'onde acoustique de surface sur substrat composite |
SG10201905013VA (en) * | 2018-06-11 | 2020-01-30 | Skyworks Solutions Inc | Acoustic wave device with spinel layer |
GB2608902B (en) * | 2018-08-22 | 2023-05-17 | Skyworks Solutions Inc | Multilayer piezolelectric substrate |
US11171627B2 (en) * | 2018-10-01 | 2021-11-09 | Qorvo Us, Inc. | Wave apodization for guided SAW resonators |
KR102145309B1 (ko) * | 2018-11-29 | 2020-08-18 | 삼성전기주식회사 | 음향 공진기 |
DE102018132862A1 (de) * | 2018-12-19 | 2020-06-25 | RF360 Europe GmbH | Akustischer Oberflächenwellenresonator und Multiplexer, der diesen umfasst |
CN113615083A (zh) * | 2019-03-14 | 2021-11-05 | 谐振公司 | 带有半λ介电层的横向激励的薄膜体声波谐振器 |
US11750172B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-09-05 | Skyworks Solutions, Inc. | Multilayer piezoelectric substrate |
US11722122B2 (en) | 2019-11-22 | 2023-08-08 | Skyworks Solutions, Inc. | Multilayer piezoelectric substrate with high density electrode |
JP7485478B2 (ja) | 2020-03-13 | 2024-05-16 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ |
CN115485974A (zh) * | 2020-05-14 | 2022-12-16 | 京瓷株式会社 | 电容元件以及弹性波装置 |
US20230402995A1 (en) * | 2022-06-09 | 2023-12-14 | RF360 Europe GmbH | Surface-Acoustic-Wave (SAW) Filter for Suppressing Intermodulation Distortion |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008078481A1 (ja) | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
WO2010004741A1 (ja) | 2008-07-11 | 2010-01-14 | パナソニック株式会社 | 板波素子と、これを用いた電子機器 |
WO2010125934A1 (ja) | 2009-04-30 | 2010-11-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2011037145A1 (ja) | 2009-09-25 | 2011-03-31 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
WO2011046117A1 (ja) | 2009-10-13 | 2011-04-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
JP5835480B2 (ja) | 2012-06-22 | 2015-12-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4600853A (en) | 1985-08-23 | 1986-07-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Saw-CTD serial to parallel imager and waveform recorder |
FR2682833B1 (fr) | 1991-10-18 | 1993-12-03 | Thomson Csf | Filtre a ondes de surface et a trajet acoustique replie. |
US5384477A (en) | 1993-03-09 | 1995-01-24 | National Semiconductor Corporation | CMOS latchup suppression by localized minority carrier lifetime reduction |
EP0616426B1 (en) | 1993-03-15 | 1998-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device having a lamination structure |
JP3435789B2 (ja) | 1993-03-15 | 2003-08-11 | 松下電器産業株式会社 | 表面弾性波素子 |
DE69611771T2 (de) | 1995-09-01 | 2001-06-28 | Murata Manufacturing Co | Akustische Oberflächenwellenanordnung |
JP3196678B2 (ja) | 1997-02-07 | 2001-08-06 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
FR2774826B1 (fr) | 1998-02-06 | 2000-05-05 | Thomson Csf | Filtre a resonateurs a ondes acoustiques de surface |
FR2788176B1 (fr) | 1998-12-30 | 2001-05-25 | Thomson Csf | Dispositif a ondes acoustiques guidees dans une fine couche de materiau piezo-electrique collee par une colle moleculaire sur un substrat porteur et procede de fabrication |
JP2002076835A (ja) | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子 |
US7105980B2 (en) | 2002-07-03 | 2006-09-12 | Sawtek, Inc. | Saw filter device and method employing normal temperature bonding for producing desirable filter production and performance characteristics |
DE102004045181B4 (de) | 2004-09-17 | 2016-02-04 | Epcos Ag | SAW-Bauelement mit reduziertem Temperaturgang und Verfahren zur Herstellung |
JP4657002B2 (ja) | 2005-05-12 | 2011-03-23 | 信越化学工業株式会社 | 複合圧電基板 |
JPWO2007004661A1 (ja) | 2005-06-30 | 2009-01-29 | エプソントヨコム株式会社 | 弾性表面波デバイス |
JP2007028538A (ja) | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Tdk Corp | 弾性表面波装置 |
CN101401208A (zh) | 2006-03-15 | 2009-04-01 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于辐射检测的半导体器件 |
JP4316632B2 (ja) | 2007-04-16 | 2009-08-19 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波装置及び分波器 |
US8115365B2 (en) * | 2008-04-15 | 2012-02-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Surface acoustic wave devices |
US8035464B1 (en) | 2009-03-05 | 2011-10-11 | Triquint Semiconductor, Inc. | Bonded wafer SAW filters and methods |
JP5282141B2 (ja) | 2009-04-28 | 2013-09-04 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置及びその製造方法 |
US8456257B1 (en) * | 2009-11-12 | 2013-06-04 | Triquint Semiconductor, Inc. | Bulk acoustic wave devices and method for spurious mode suppression |
WO2012086441A1 (ja) | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
KR101623099B1 (ko) | 2010-12-24 | 2016-05-20 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치 및 그 제조 방법 |
CN103119847B (zh) * | 2010-12-28 | 2016-01-20 | 京瓷株式会社 | 弹性波元件及使用该弹性波元件的弹性波装置 |
WO2013002033A1 (ja) * | 2011-06-28 | 2013-01-03 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置 |
JP5783256B2 (ja) | 2011-08-26 | 2015-09-24 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス、および、圧電デバイスの製造方法 |
JP5797979B2 (ja) | 2011-08-31 | 2015-10-21 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
WO2013172251A1 (ja) | 2012-05-17 | 2013-11-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
KR101511001B1 (ko) | 2012-11-14 | 2015-04-10 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 복합 기판 |
WO2014148648A1 (ja) | 2013-03-21 | 2014-09-25 | 日本碍子株式会社 | 弾性波素子用複合基板および弾性波素子 |
US10148245B2 (en) | 2015-06-25 | 2018-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device |
US10381998B2 (en) | 2015-07-28 | 2019-08-13 | Qorvo Us, Inc. | Methods for fabrication of bonded wafers and surface acoustic wave devices using same |
US10084427B2 (en) | 2016-01-28 | 2018-09-25 | Qorvo Us, Inc. | Surface acoustic wave device having a piezoelectric layer on a quartz substrate and methods of manufacturing thereof |
US10128814B2 (en) | 2016-01-28 | 2018-11-13 | Qorvo Us, Inc. | Guided surface acoustic wave device providing spurious mode rejection |
US11095266B2 (en) | 2016-10-07 | 2021-08-17 | Qorvo Us, Inc. | Slanted apodization for acoustic wave devices |
US10848121B2 (en) | 2016-10-14 | 2020-11-24 | Qorvo Us, Inc. | Guided SAW device |
US10924086B2 (en) | 2016-10-14 | 2021-02-16 | Qorvo Us, Inc. | Surface acoustic wave (SAW) device with antireflective structure |
US10924085B2 (en) | 2016-10-17 | 2021-02-16 | Qorvo Us, Inc. | Guided acoustic wave device |
-
2016
- 2016-03-31 US US15/086,936 patent/US10128814B2/en active Active
-
2017
- 2017-01-25 JP JP2018539285A patent/JP7051690B2/ja active Active
- 2017-01-25 WO PCT/US2017/014808 patent/WO2017132184A1/en active Application Filing
-
2018
- 2018-09-13 US US16/130,433 patent/US11309861B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008078481A1 (ja) | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
WO2010004741A1 (ja) | 2008-07-11 | 2010-01-14 | パナソニック株式会社 | 板波素子と、これを用いた電子機器 |
WO2010125934A1 (ja) | 2009-04-30 | 2010-11-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2011037145A1 (ja) | 2009-09-25 | 2011-03-31 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
WO2011046117A1 (ja) | 2009-10-13 | 2011-04-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
JP5835480B2 (ja) | 2012-06-22 | 2015-12-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170222618A1 (en) | 2017-08-03 |
WO2017132184A1 (en) | 2017-08-03 |
US20190013791A1 (en) | 2019-01-10 |
US10128814B2 (en) | 2018-11-13 |
JP2019503627A (ja) | 2019-02-07 |
US11309861B2 (en) | 2022-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7051690B2 (ja) | スプリアスモード除去をもたらす誘導表面弾性波デバイス | |
US11863152B2 (en) | Elastic wave device and method for manufacturing the same | |
JP7317068B2 (ja) | 石英基板上に圧電層を含む弾性表面波デバイス及びその製造方法 | |
JP3892370B2 (ja) | 弾性表面波素子、フィルタ装置及びその製造方法 | |
JP4419961B2 (ja) | 弾性境界波装置 | |
JP4356613B2 (ja) | 弾性境界波装置 | |
JP4657002B2 (ja) | 複合圧電基板 | |
US7323803B2 (en) | Boundary acoustic wave device | |
KR100614547B1 (ko) | 탄성 표면파 소자, 그것을 갖는 송신 필터와 수신 필터,및 이들을 갖는 듀플렉서 | |
CN111697943B (zh) | 一种高频高耦合系数压电薄膜体声波谐振器 | |
TW202044757A (zh) | 高次模式彈性表面波裝置 | |
JP5154285B2 (ja) | 弾性境界波機能素子 | |
JP2007124627A (ja) | 弾性表面波デバイス、モジュール装置、発振回路および弾性表面波デバイスの製造方法 | |
US20200412326A1 (en) | Composite substrate for surface acoustic wave device and manufacturing method thereof | |
JP3476445B2 (ja) | 弾性表面波素子 | |
Xiao et al. | Inherent Suppression of Transverse Modes on LiTaO $ _ {\text {3}} $/AT-Quartz SAW Devices | |
CN116233709A (zh) | 一种基于纵声表面波的高性能声学器件 | |
CN114641932A (zh) | 使用瑞利模式的薄膜表面声波器件 | |
JP2014176076A (ja) | 弾性表面波・擬似弾性表面波・弾性境界波を用いた弾性表面波基板とその基板を用いた弾性表面波機能素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181128 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200915 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200918 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220302 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220330 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7051690 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |