JP7047610B2 - 磁気センサ - Google Patents

Description

本発明は磁気センサに関し、特に、センサチップにバイアス磁界を印加する永久磁石を備えた磁気センサに関する。

磁気センサの中には、センサチップにバイアス磁界を印加する永久磁石を備えた磁気センサが存在する。例えば、特許文献１には、永久磁石のＮ極上にセンサチップを搭載した構成を有する磁気センサが開示されている。

特許文献１に記載された磁気センサは、永久磁石の上にセンサチップを搭載することによってバイアス磁界を印加しているため、永久磁石の磁界がセンサチップにそのまま印加される。これに対し、センサチップから見て磁界の検出方向とは異なる方向に永久磁石を配置することによって、センサチップに弱いバイアス磁界を印加するタイプの磁気センサも存在する。このようなタイプの磁気センサにおいては、永久磁石の磁界がセンサチップにそのまま印加されないよう、センサチップと永久磁石の間に磁気シールドが設けられることがある。

特開２００４－３４０６６９号公報

しかしながら、センサチップと永久磁石の間に磁気シールドを設けると、バイアス磁界の一部が磁気シールドに吸収されるため、磁気シールドの形状によっては、検出波形が歪むおそれがあった。

したがって、本発明は、センサチップと永久磁石の間に磁気シールドが設けられた構造を有する磁気センサにおいて、検出波形の歪みを低減することを目的とする。

本発明による磁気センサは、第１の方向の磁束を検出するセンサチップと、センサチップにバイアス磁界を印加する永久磁石と、第１の方向と交差する第２の方向からセンサチップと永久磁石に挟まれるように配置された磁気シールドとを備え、磁気シールドと永久磁石の第２の方向における距離が第１の方向における端部において拡大されるよう、磁気シールドに面取り部が設けられていることを特徴とする。

本発明によれば、磁気シールドに面取り部が設けられていることから、シールド機能を確保しつつ、検出対象となる磁気パターンによるバイアス磁界の変化量を増大させることが可能となる。したがって、例えば、第２の方向に被測定部材をスキャンすれば、特にスキャン方向における検出波形の歪みを低減することが可能となる。

本発明による磁気センサは、磁束をセンサチップに集める磁性体をさらに備えるものであっても構わない。これによれば、磁界の検出感度が高められるとともに、検出すべき磁気パターンの検出可能範囲を拡大することが可能となる。

本発明において、磁気シールドは、第２の方向からセンサチップを挟み込む第１及び第２の側壁部と、第１の側壁部の一端に接続され、磁性体に向けて第２の方向に延在する第１の天板部と、第２の側壁部の一端に接続され、磁性体に向けて第２の方向に延在する第２の天板部とを含み、永久磁石は、磁気シールドの第１の側壁部を覆う第１の永久磁石と、磁気シールドの第２の側壁部を覆う第２の永久磁石を含み、第１の側壁部と第１の天板部を接続する角部と、第２の側壁部と第２の天板部を接続する角部に面取り部が設けられていても構わない。これによれば、第２の方向における構造の対称性が高まることから、センサの飽和を抑えることが可能となる。

本発明において、磁性体は、第１及び第２の天板部と接することなく、第１の天板部の先端と第２の天板部の先端によって形成されるギャップ内に配置されていても構わない。これによれば、磁気シールドによって形成されるギャップ内に磁性体が配置されることから、磁性体の直下（又は直上）に位置する磁気パターンに対する検出選択性を高めることが可能となる。

本発明において、磁気シールドは、第１の側壁部の他端に接続され、第１の天板部と同方向に延在する第１の底板部と、第２の側壁部の他端に接続され、第２の天板部と同方向に延在する第２の底板部とをさらに含み、第１の側壁部と第１の底板部を接続する角部と、第２の側壁部と第２の底板部を接続する角部に面取り部が設けられていても構わない。これによれば、第１の方向における構造の対称性についても高まることから、センサの飽和をより効果的に抑えることが可能となる。

本発明において、面取り部の第２の方向における面取り量は、面取り部の第１の方向における面取り量よりも大きくても構わない。これによれば、面取り部を設けることによる効果を十分に得ることができるため、検出波形の歪みをより効果的に低減することが可能となる。

このように、本発明によれば、空間分解能が高く、且つ、検出波形の歪みが少ない磁気センサを提供することが可能となる。このため、紙幣などの被測定部材に埋め込まれた微細な磁気パターンを高精度に読み取ることが可能となる。

図１は、本発明の第１の実施形態による磁気センサ１００Ａの構成を示す略斜視図である。 図２は、磁気センサ１００Ａの内部構造を説明するための模式図であり、（ａ）は略側面図、（ｂ）は略上面図である。 図３は、単位磁気センサ１０の構造を説明するための略斜視図である。 図４は、単位磁気センサ１０の構造を説明するための略上面図である。 図５は、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４の接続関係を説明するための回路図である。 図６は、磁気センサ１００Ａのｙｚ断面図である。 図７は、磁気シールド５０に面取り部５０ａを設けたことによる効果を示すグラフである。 図８は、磁気シールド５０に面取り部５０ａを設けたことによる効果を示すグラフである。 図９は、磁気シールド５０に面取り部５０ａを設けたことによる効果を示すグラフであり、面取り部５０ａの形状とセンサ出力の関係を示している。 図１０は、磁気シールド５０に面取り部５０ａを設けたことによる効果を示すグラフであり、面取り部５０ａの形状とセンサ出力の関係を示している。 図１１は、比較例による磁気センサ１００Ｃのｙｚ断面図である。 図１２は、本発明の第２の実施形態による磁気センサ１００Ｂの構成を示す略斜視図である。 図１３は、磁気センサ１００Ｂのｙｚ断面図である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。

図１は、本発明の第１の実施形態による磁気センサ１００Ａの構成を示す略斜視図である。

本実施形態による磁気センサ１００Ａは、ｘ方向を長手方向とする長尺型の磁気センサであり、ｙ方向に移動する被測定部材（図示せず）に設けられた磁気パターンをスキャンすることができる。特に限定されるものではないが、被測定部材としては紙幣が挙げられる。紙幣のスキャン方向は、短辺方向および長辺方向のいずれであっても構わない。

図１に示すように、本実施形態による磁気センサ１００Ａは、ｘ方向に配列された複数の単位磁気センサ１０と、単位磁気センサ１０を覆う磁気シールド５０と、磁気シールド５０をｙ方向から挟むように配置された第１及び第２の永久磁石６１，６２を備えている。単位磁気センサ１０は基板２０に搭載されており、それぞれセンサチップ３０及び磁性体４０を含んでいる。

図１には、一例として６個の単位磁気センサ１０が図示されているが、当然ながら、本発明がこれに限定されるものではない。磁気センサ１００Ａを構成する単位磁気センサ１０の数は、磁気センサ１００Ａのｘ方向における長さと、単位磁気センサ１０の１個あたりのｘ方向における長さによって適宜定めればよい。例えば、磁気センサ１００Ａのｘ方向における長さが約１８ｃｍであり、単位磁気センサ１０の１個あたりのｘ方向における長さが約１ｃｍであれば、１８個の単位磁気センサ１０を用いればよい。磁気センサ１００Ａのｘ方向における長さは、対象となる被測定部材のサイズによって定められ、単位磁気センサ１０の１個あたりのｘ方向における長さは、求められる解像度によって定められる。

図２は、磁気センサ１００Ａの内部構造を説明するための模式図であり、（ａ）は略側面図、（ｂ）は略上面図である。

図２に示すように、磁気センサ１００Ａの内部にはｘ方向を長手方向とする基板２０が配置されており、基板２０の表面に複数の単位磁気センサ１０が搭載される。単位磁気センサ１０は、磁気検出素子を有するセンサチップ３０と、センサチップ３０に固定された磁性体４０によって構成される。磁性体４０は、フェライトなどの高透磁率材料からなる板状の直方体であり、磁束をセンサチップ３０に集める役割を果たす。ここで、ｘ方向に隣接する２つの磁性体４０は接触しておらず、僅かなギャップＧｘを介して分離されている。一方、センサチップ３０のｘ方向における長さは、磁性体４０のｘ方向における長さよりも十分に小さく、したがって、ｘ方向に隣接する２つのセンサチップ３０同士は十分に離間している。また、磁性体４０のｙ方向における幅は、センサチップ３０のｙ方向における幅よりも十分に小さい。

ギャップＧｘは、磁気パターンを検出することができない、或いは、検出感度が大幅に低下する部分である。したがって、ギャップＧｘのｘ方向における幅は、できるだけ狭く設計することが好ましい。但し、ｘ方向に隣接する２つの磁性体４０が接触すると、単位磁気センサ１０間において磁気的な干渉が生じることから、両者が直接接触しないようレイアウトする必要がある。

図３及び図４は単位磁気センサ１０の構造を説明するための図であり、図３は略斜視図、図４は略上面図である。

図３及び図４に示すように、基板２０は実装領域２１を有しており、実装領域２１に単位磁気センサ１０が実装される。単位磁気センサ１０は、略直方体形状を有するセンサチップ３０と、ｘ方向を長手方向とする板状の磁性体４０からなる。センサチップ３０の上面である素子形成面３１には、４つの磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４と複数の端子電極３２が形成されており、これら端子電極３２は、ボンディングワイヤＢＷを介して基板２０に設けられた端子電極２２に接続されている。磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４としては、磁界の向きに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）を用いることが好ましい。磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４の磁化固定方向は、図４の矢印Ｐが示す方向（ｙ方向）に全て揃えられている。

センサチップ３０の素子形成面３１には、板状の磁性体４０が固定されている。磁性体４０は、磁気検出素子Ｒ１，Ｒ３と磁気検出素子Ｒ２，Ｒ４との間に配置される。ここで、磁気検出素子Ｒ１，Ｒ３はｙ方向における位置が等しく、磁気検出素子Ｒ２，Ｒ４はｙ方向における位置が等しい。また、磁気検出素子Ｒ１，Ｒ４はｘ方向における位置が等しく、磁気検出素子Ｒ２，Ｒ３はｘ方向における位置が等しい。磁性体４０は、垂直方向（ｚ方向）の磁束を集める役割を果たし、磁性体４０によって集磁された磁束は、ｙ方向にほぼ均等に分配される。このため、垂直方向の磁束は、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４に対してほぼ均等に与えられることになる。

図５は、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４の接続関係を説明するための回路図である。

図５に示すように、磁気検出素子Ｒ１，Ｒ２は、電源電位Ｖｄｄが供給される端子電極３２と接地電位Ｇｎｄが供給される端子電極３２との間に直列に接続される。同様に、磁気検出素子Ｒ３，Ｒ４も、電源電位Ｖｄｄが供給される端子電極３２と接地電位Ｇｎｄが供給される端子電極３２との間に直列に接続される。そして、磁気検出素子Ｒ１と磁気検出素子Ｒ２の接続点の電位Ｖａは所定の端子電極３２を介して外部に出力され、磁気検出素子Ｒ３と磁気検出素子Ｒ４の接続点の電位Ｖｂは別の端子電極３２を介して外部に出力される。

そして、磁気検出素子Ｒ１，Ｒ３は平面視で磁性体４０からみて一方側（図４では上側）に配置され、磁気検出素子Ｒ２，Ｒ４は平面視で磁性体４０からみて他方側（図４では下側）に配置されていることから、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４は差動ブリッジ回路を構成し、磁束密度に応じた磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４の電気抵抗の変化を高感度に検出することが可能となる。つまり、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４は、全て同一の磁化固定方向を有していることから、平面視で磁性体４０からみて一方側に位置する磁気検出素子Ｒ１，Ｒ３の抵抗変化量と、平面視で磁性体４０からみて他方側に位置する磁気検出素子Ｒ２，Ｒ４の抵抗変化量との間には差が生じる。この差は、図５に示した差動ブリッジ回路によって増幅される。但し、本発明において４つの磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４を用いることは必須ではなく、例えば２つの磁気検出素子（Ｒ１とＲ４）を用いても構わない。

図６は、本実施形態による磁気センサ１００Ａのｙｚ断面図である。

図６に示すように、センサチップ３０及び磁性体４０からなる単位磁気センサ１０は、磁気シールド５０によって大部分が覆われる。磁気シールド５０の材料としては、パーマロイなど透磁率の高い磁性金属材料を用いることが好ましい。磁気シールド５０の材料として磁性金属材料を用いれば、２枚の磁性金属板を折り曲げることにより、第１の側壁部５１及び第１の天板部５３からなる部分と、第２の側壁部５２及び第２の天板部５４からなる部分を容易に作成することができる。但し、本発明において、第１の側壁部５１及び第１の天板部５３からなる部分や、第２の側壁部５２及び第２の天板部５４からなる部分が一体的である必要はなく、別部材を接着したものであっても構わない。また、磁気シールド５０と基板２０に囲まれた空間を樹脂材料でモールドしても構わない。

図６に示すように、磁気センサ１００Ａに使用される磁気シールド５０は、ｙ方向における一方側（図６における右側）から単位磁気センサ１０を覆う第１の側壁部５１と、ｙ方向における他方側（図６における左側）から単位磁気センサ１０を覆う第２の側壁部５２と、第１の側壁部５１のｚ方向における一端に接続され、磁性体４０に向けてｙ方向に延在する第１の天板部５３と、第２の側壁部５２のｚ方向における一端に接続され、磁性体４０に向けてｙ方向に延在する第２の天板部５４によって構成されている。第１及び第２の天板部５３，５４は、ｘｙ平面を構成する。

これにより、単位磁気センサ１０は、第１及び第２の側壁部５１，５２によってｙ方向から挟み込まれるとともに、第１の天板部５３の先端と第２の天板部５４の先端によって形成されるギャップＧｙ内に磁性体４０が配置される。特に限定されるものではないが、磁性体４０のｚ方向における先端部は、第１及び第２の天板部５３，５４と同一平面に位置することが好ましい。これは、第１及び第２の天板部５３，５４から見て、磁性体４０のｚ方向における先端部が奥側に引っ込むほど磁界の検出感度が低下する一方、磁性体４０のｚ方向における先端部の突出量が大きくなるほどノイズの影響を受けやすくなるからである。また、磁性体４０は、第１及び第２の天板部５３，５４と接しておらず、第１及び第２の天板部５３，５４に対して所定の間隔Ｓを有している。磁性体４０と第１及び第２の天板部５３，５４の間には、樹脂などの非磁性部材が介在していても構わない。

また、磁気シールド５０は、第１及び第２の永久磁石６１，６２によってｙ方向から挟まれている。第１及び第２の永久磁石６１，６２は、単位磁気センサ１０にバイアス磁界を与えるために用いられ、第１の永久磁石６１の極性と第２の永久磁石６２の極性が逆となるよう配置されている。これにより、第１の永久磁石６１と第２の永久磁石６２に挟まれた領域においては、磁束の大部分が打ち消され、弱いバイアス磁界が磁性体４０を介してセンサチップ３０に印加される。

第１及び第２の永久磁石６１，６２のｚ方向における先端部は、第１及び第２の側壁部５１，５２と同一平面に位置するか、或いは、第１及び第２の側壁部５１，５２のｚ方向における先端部よりも奥側に引っ込んでいることが好ましい。これは、第１及び第２の永久磁石６１，６２のｚ方向における先端部が突出していると、その分、磁性体４０と被測定部材のｚ方向における距離が離れ、検出感度が低下するからである。

図６には、被測定部材６０も示されている。被測定部材６０はｙ方向に配列された磁気パターンＭ１を有しており、被測定部材６０をｙ方向にスキャンすると、磁気パターンＭ１が磁性体４０の直下をｙ方向に通過することになる。尚、被測定部材６０のスキャンは、磁気センサ１００Ａを固定した状態で被測定部材６０をｙ方向に移動させても構わないし、逆に、被測定部材６０を固定した状態で磁気センサ１００Ａをｙ方向に移動させても構わない。また、磁気センサ１００Ａと被測定部材６０の上下位置は逆であっても構わない。そして、磁気パターンＭ１が磁性体４０の直下をｙ方向に通過する際に生じるバイアス磁界の変化が磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４によって検出され、これによって磁気パターンＭ１が読み取られる。

つまり、磁気パターンＭ１が符号ｙ１の位置にある場合には、第１及び第２の永久磁石６１，６２によって形成される磁気バイアスが所定の安定状態を保っているため、センサチップ２０からは、磁気バイアスに対応したセンサ出力が出力される。これに対し、磁気パターンＭ１が符号ｙ２の位置まで移動すると、第１及び第２の永久磁石６１，６２によって形成される磁気バイアスの状態が磁気パターンＭ１の存在によって崩れ、磁性体４０に印加される磁束φのｚ方向成分に変化が生じる。このような原理により、磁気パターンＭ１の通過を検出することが可能となる。

さらに、本実施形態においては、磁気シールド５０に面取り部５０ａが設けられており、この部分において、磁気シールド５０の側壁部５１と永久磁石６１のｙ方向における距離、並びに、磁気シールド５０の側壁部５２と永久磁石６２のｙ方向における距離が拡大されている。これにより、磁気シールド５０に吸収されるバイアス磁界が少なくなり、磁気パターンＭ１にバイアス磁界が効果的に印加されることから、検出感度が高められるとともに、検出波形の歪みを低減することが可能となる。

図７～図１０は、磁気シールド５０に面取り部５０ａを設けたことによる効果を示すグラフであり、磁気パターンＭ１が通過した際に得られるセンサ出力の変化を示している。図７及び図８において、実線は本実施形態による磁気センサ１００Ａの特性を示し、破線は図１１に示す比較例による磁気センサ１００Ｃの特性を示している。図１１に示すように、比較例による磁気センサ１００Ｃは、磁気シールド５０に面取り部５０ａが設けられていない点において、本実施形態による磁気センサ１００Ａと相違している。

図７に示すように、磁気パターンＭ１が通過した際に得られるセンサ出力は、磁気シールド５０に面取り部５０ａが設けられた磁気センサ１００Ａの方が高いことが分かる。これは、磁気シールド５０に面取り部５０ａが設けられていない磁気センサ１００Ｃでは、永久磁石６１，６２の角部Ｃから発生する磁束の多くが磁気シールド５０に吸い込まれてしまい、磁気パターンＭ１に印加されるバイアス磁界が低減するのに対し、磁気シールド５０に面取り部５０ａが設けられた磁気センサ１００Ａでは、より多くのバイアス磁界が磁気パターンＭ１に印加されるためである。

図８は、センサ出力のピーク値を±１００％とした場合のセンサ出力の変化量を示している。図８に示すように、磁気シールド５０に面取り部５０ａが設けられていない磁気センサ１００Ｃでは、センサ出力の変化開始時および変化終了時に±５％程度のオーバーシュートおよびアンダーシュートが発生しているが、磁気シールド５０に面取り部５０ａが設けられた磁気センサ１００Ａにおいては、このようなオーバーシュートおよびアンダーシュートがほとんど発生していないことが分かる。

図９及び図１０は、面取り部５０ａの形状とセンサ出力の関係を示しており、図６に示すｚ方向における面取り量Ｃｚを０．８ｍｍに固定した場合において、ｙ方向における面取り量Ｃｙを０．４ｍｍ、０．６ｍｍ、０．８ｍｍ、１．０ｍｍ、１．２ｍｍとした場合におけるセンサ出力を示している。図９に示すように、センサ出力は、ｙ方向における面取り量Ｃｙが大きいほど高くなることが分かる。これは、面取り部５０ａの形状のうち、磁気バイアスに与える影響の多くは、ｙ方向における面取り量Ｃｙに依存するためである。図示しないが、ｙ方向における面取り量Ｃｙを所定値に固定した状態で、ｚ方向における面取り量Ｃｚを変化させても、センサ出力に大きな変化は見られない。また、図１０に示すように、センサ出力の変化開始時および変化終了時におけるオーバーシュートおよびアンダーシュートについても、ｙ方向における面取り量Ｃｙが大きいほど緩和されることが分かる。

以上説明したように、本実施形態による磁気センサ１００Ａは、磁気シールド５０に面取り部５０ａが設けられていることから、より高いセンサ出力を得ることが可能となる。これにより、検出波形の歪みが低減された磁気センサ１００Ａを提供することが可能となる。

しかも、本実施形態による磁気センサ１００Ａは、単位磁気センサ１０がｘ方向に複数個配列されており、且つ、単位磁気センサ１０に含まれる磁性体４０のｘ方向における長さは、センサチップ３０のｘ方向における長さよりも十分に長いことから、より小型のセンサチップ３０を用いつつ、ｘ方向における全幅をスキャンすることが可能となる。通常、センサチップ３０は集合基板を用いて作製されるため、そのサイズが小型であるほど、１つの集合基板から多数個取りできるセンサチップ３０の数が増加し、コストを削減することができる。そして、本実施形態による磁気センサ１００Ａによれば、単位磁気センサ１０のｘ方向におけるスキャン幅が磁性体４０によって担保されるため、センサチップ３０のｘ方向におけるサイズをより小型とすることが可能となる。これにより、従来の長尺型磁気センサに比べて、部品コストを大幅に削減することが可能となる。

そして、磁性体４０によって集磁された磁束は、小型なセンサチップ３０上の磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４に集中することから、より高い検出感度を得ることも可能となる。

図１２は、本発明の第２の実施形態による磁気センサ１００Ｂの構成を示す略斜視図である。また、図１３は、本発明の第２の実施形態による磁気センサ１００Ｂのｙｚ断面図である。

図１２及び図１３に示すように、第２の実施形態による磁気センサ１００Ｂは、磁気シールド５０が第１及び第２の底板部５５，５６を備えているとともに、磁気シールド５０に面取り部５０ｂが設けられている点において、第１の実施形態による磁気センサ１００Ａと相違している。その他の構成は、第１の実施形態による磁気センサ１００Ａと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

磁気シールド５０の第１の底板部５５は、第１の側壁部５１のｚ方向における他端に接続され、第１の天板部５３と同方向に延在している。また、磁気シールド５０の第２の底板部５６は、第２の側壁部５２のｚ方向における他端に接続され、第２の天板部５４と同方向に延在している。これにより、第１及び第２の底板部５５，５６は、ｘｙ平面を構成する。第１の底板部５５の先端と第２の底板部５６の先端はギャップＧｙを構成している。

本実施形態においては、磁気シールド５０がｙ方向に対称形であるのみならず、ｚ方向にも対称形であることから、磁気検出素子Ｒ１～Ｒ４がより飽和しにくくなる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

例えば、上記実施形態による磁気センサ１００Ａ，１００Ｂは、複数の単位磁気センサ１０がｘ方向に配列された構成を有しているが、単位磁気センサ１０の数は１個であっても構わない。

１０ 単位磁気センサ
２０ 基板
２０ センサチップ
２１ 実装領域
２２ 端子電極
３０ センサチップ
３１ 素子形成面
３２ 端子電極
４０ 磁性体
５０ 磁気シールド
５０ａ，５０ｂ 面取り部
５１ 第１の側壁部
５２ 第２の側壁部
５３ 第１の天板部
５４ 第２の天板部
５５ 第１の底板部
５６ 第２の底板部
６０ 被測定部材
６１ 第１の永久磁石
６２ 第２の永久磁石
１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ 磁気センサ
ＢＷ ボンディングワイヤ
Ｃ 角部
Ｃｙ，Ｃｚ 面取り量
Ｇｘ，Ｇｙ ギャップ
Ｍ１ 磁気パターン
Ｒ１～Ｒ４ 磁気検出素子
Ｓ 間隔
φ 磁束

Claims (7)

1. 第１の方向の磁束を検出するセンサチップと、
   前記センサチップにバイアス磁界を印加する永久磁石と、
   前記第１の方向と交差する第２の方向から前記センサチップと前記永久磁石に挟まれるように配置された磁気シールドと、を備え、
   前記磁気シールドと前記永久磁石の前記第２の方向における距離が前記第１の方向における端部において拡大されるよう、前記磁気シールドに面取り部が設けられていることを特徴とする磁気センサ。
2. 前記磁束を前記センサチップに集める磁性体をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
3. 前記磁気シールドは、前記第２の方向から前記センサチップを挟み込む第１及び第２の側壁部と、前記第１の側壁部の一端に接続され、前記磁性体に向けて前記第２の方向に延在する第１の天板部と、前記第２の側壁部の一端に接続され、前記磁性体に向けて前記第２の方向に延在する第２の天板部とを含み、
   前記永久磁石は、前記磁気シールドの前記第１の側壁部を覆う第１の永久磁石と、前記磁気シールドの前記第２の側壁部を覆う第２の永久磁石を含み、
   前記第１の側壁部と前記第１の天板部を接続する角部と、前記第２の側壁部と前記第２の天板部を接続する角部に前記面取り部が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の磁気センサ。
4. 前記磁性体は、前記第１及び第２の天板部と接することなく、前記第１の天板部の先端と前記第２の天板部の先端によって形成されるギャップ内に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の磁気センサ。
5. 前記磁気シールドは、前記第１の側壁部の他端に接続され、前記第１の天板部と同方向に延在する第１の底板部と、前記第２の側壁部の他端に接続され、前記第２の天板部と同方向に延在する第２の底板部とをさらに含み、
   前記第１の側壁部と前記第１の底板部を接続する角部と、前記第２の側壁部と前記第２の底板部を接続する角部に前記面取り部が設けられていることを特徴とする請求項３又は４に記載の磁気センサ。
6. 前記面取り部の前記第２の方向における面取り量は、前記面取り部の前記第１の方向における面取り量よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の磁気センサ。
7. 前記第２の方向は、被測定部材のスキャン方向であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の磁気センサ。

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