JP7029037B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施の形態に係る固体撮像装置(2次元イメージセンサ)は、図1に示すように、画素アレイ部1と周辺回路部(2,3,4,6,7)とを同一の半導体チップ上に集積化している。画素アレイ部1には、2次元マトリクス状に多数の画素Xij(i=1~m;j=1~n:m,nはそれぞれ整数である。)が配列されており、例えば、方形状の撮像領域を構成している。画素アレイ部1の下辺部には、画素行X11,X12,X13,……,X1m;X21,X22,X23,……,X2m;X31,X32,X33,……,X3m;……;Xn1,Xn2,Xn3,……,Xnm方向に沿って水平走査回路2が設けられ、画素アレイ部1の左辺部には画素列X11,X21,X31,……,Xn1;X12,X22,X32,……,Xn2;X13,X23,X33,……,Xn3;……;X1m,X2m,X3m,……,Xnm方向に沿って垂直走査回路3が設けられている。垂直走査回路3及び水平走査回路2には、タイミング発生回路4が接続されている。
次に、図18のタイミングチャートを参照しながら、第1の実施の形態に係る固体撮像装置の動作の一例を説明する。
第1の実施の形態の第1の変形例に係る半導体素子の構成を図20(a)に示し、図20(a)に対応する、下向きが電位の正の方向であるポテンシャル図を図20(b)に示す。図20(a)に示すように、第1の実施の形態の第1の変形例に係る半導体素子では、電荷読出領域15に接続する信号読み出し回路の読み出しトランジスタQRのソース側にスイッチングトランジスタQSW1が接続され、垂直信号線BjにスイッチングトランジスタQSW2のドレイン側が接続されている点が、図4に示した第1の実施の形態に係る半導体素子の信号読み出し回路の構成と異なる。
第1の実施の形態の第2の変形例として、第1の実施の形態に係る半導体素子の構成の変形例を説明する。図25に示すように、複数(2個)のフォトダイオードD1,D2と、複数(2個)のフォトダイオードD1,D2のそれぞれに接続された複数(2個)の転送トランジスタQTX1,QTX2を有していてもよい。複数(2個)のフォトダイオードD1,D2に対して1個の電荷読出領域15が設けられることにより、各画素Xijのサイズを縮小できるので、高空間解像度を実現可能となる。なお、フォトダイオードD1,D2及び転送トランジスタQTX1,QTX2の組み合わせは3個以上であってもよい。
本発明の第2の実施の形態に係る固体撮像装置の全体構成は、図1に示した構成と実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。第2の実施の形態に係る固体撮像装置の画素Xijを構成する半導体素子は、図29の平面図及び図29のA-A方向から見た断面図に対応する図30(a)に示すように、一対の横電界制御ゲート電極51,52を有する横電界制御トランジスタを設け、この一対の横電界制御ゲート電極51,52の間に転送チャネルを設けている点が、第1の実施の形態に係る半導体素子と異なる。図29に示すように、一対の横電界制御ゲート電極51,52のそれぞれは、電荷生成埋込領域16と電荷読出領域15との間の転送チャネルを挟んで対称に配置されている。
第2の実施の形態の変形例として、第2の実施の形態に係る半導体素子の構成の変形例を説明する。図32に示すように、複数(2個)のフォトダイオードD1,D2と、複数(2個)のフォトダイオードD1,D2のそれぞれに接続された複数(2個)の横電界制御トランジスタQTX1,QTX2を有していてもよい。横電界制御トランジスタQTX1,QTX2のそれぞれは、一対の横電界制御ゲート電極を転送チャネルを挟むように対向させて配置している。複数(2個)の横電界制御トランジスタQTX1,QTX2のそれぞれは、ゲート電極が破線で表されたシンボルマークで示され、ゲート電極の無いトランジスタと等価であることを意味している。複数(2個)のフォトダイオードD1,D2に対して1個の電荷読出領域15が設けられることにより、各画素Xijのサイズを縮小できるので、高空間解像度を実現可能となる。なお、フォトダイオードD1,D2及び転送トランジスタQTX1,QTX2の組み合わせは3個以上であってもよい。
本発明の第3の実施の形態に係る固体撮像装置は、図37に示すように、スイッチングトランジスタQ11,Q12,Q13,…Q1mが画素Xijの外側の周辺回路に設けられている点が、第1の実施の形態に係る固体撮像装置の構成と異なる。図38に示すように、第3の実施の形態に係る固体撮像装置の画素Xijを構成する半導体素子の信号読み出し回路を構成するスイッチングトランジスタQSLが接続されるビット線Bjには、画素Xijの外側の周辺回路のスイッチングトランジスタQ1jが接続される。又、第3の実施の形態に係る半導体素子の信号読み出し回路を構成する読み出しトランジスタQRにはスイッチングトランジスタQSW1が接続されている。
本発明の第4の実施の形態に係る固体撮像装置は、図40に示すように、スイッチングトランジスタQ11,Q12,Q13,…Q1m及びスイッチングトランジスタQ21,Q22,Q23,…Q2mが画素Xijの外側の周辺回路に設けられている点が、本発明の第3の実施の形態に係る固体撮像装置の構成と異なる。図41に示すように、第4の実施の形態に係る半導体素子の信号読み出し回路を構成する読み出しトランジスタ(増幅トランジスタ)QRのドレイン領域が、画素Xijの周辺回路であるスイッチングトランジスタQ2jに接続される。
上記のように、本発明は第1~第4の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
1…画素アレイ部
2…水平走査回路
3…垂直走査回路
4…タイミング発生回路
6…ノイズキャンセル回路
7…信号処理回路
8…信号読み出し回路
11…半導体領域
12…リセット生成領域
13,56b…電荷誘導領域
14,17…ピニング層
15…電荷読出領域
16…電荷生成埋込領域
18…転送ゲート電極
19…ゲート絶縁膜
20…遮光膜
21,23,25,27,33,34…表面配線
22…リセット配線
30…共通領域
31,32…ゲート電極
35…ドレイン領域
37…ソース領域
41…スイッチ回路
42…スイッチ
43…加算器
44…サンプルホールド(S/H)回路
45…アナログ・デジタル変換器(ADC)
46…レジスタ
51,52…横電界制御ゲート電極
53,54,57…半導体領域
56a…電荷導入部
56c…転送チャネル
Claims (3)
- 第1導電型の半導体領域と、
前記半導体領域の上部の一部に埋め込まれ、前記半導体領域とフォトダイオードをなして電荷を生成する第2導電型の電荷生成埋込領域と、
前記電荷生成埋込領域から離間して前記半導体領域の他の一部に設けられ、前記電荷生成埋込領域から転送された前記電荷を蓄積する第2導電型の電荷読出機能領域と、
前記電荷生成埋込領域と前記電荷読出機能領域との間の前記半導体領域上に配置され、前記電荷生成埋込領域から前記電荷読出機能領域への前記電荷の転送を制御する電荷転送手段と、
前記電荷読出機能領域から離間した前記半導体領域の更に他の一部に設けられた第2導電型のリセット生成領域と、
前記電荷生成埋込領域側で前記電荷読出機能領域に接して前記半導体領域の上部に設けられ、前記半導体領域よりも高不純物密度の第1導電型のピニング層と
を備え、前記ピニング層が前記電荷転送手段の下方よりも前記電荷読出機能領域側に設けられている画素を複数配列し、
前記電荷読出機能領域が、前記画素にそれぞれ設けられた読み出しトランジスタのゲート電極に接続され、
前記読み出しトランジスタのドレイン領域と電源との間に、第1のスイッチングトランジスタが前記画素にそれぞれ設けられ、
所定の電圧を有する制御信号線と垂直信号線の間に、第2のスイッチングトランジスタが前記画素にそれぞれ設けられ、
前記画素のそれぞれにおいて、前記電荷読出機能領域と前記リセット生成領域の間に挟まれた前記半導体領域に生じた電位障壁の高さを変化させるように可変電圧を前記リセット生成領域に印加し、前記可変電圧と、前記垂直信号線と、前記第1のスイッチングトランジスタと、前記読み出しトランジスタと、前記第2のスイッチングトランジスタの状態を、それぞれ変化させることで、前記電荷読出機能領域に蓄積された電荷を排出させることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記読み出しトランジスタのゲート容量をブートストラップ容量として用いて前記電荷読出機能領域の電位を変化させ、前記電荷読出機能領域に蓄積された電荷を排出させることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記電荷読出機能領域に蓄積された電荷を排出させる動作において、
前記第1のスイッチングトランジスタをオフ状態、かつ前記第2のスイッチングトランジスタをオン状態として前記読み出しトランジスタのソース領域を接地電位とし、
前記リセット生成領域に、前記可変電圧として第1の電圧を印加することにより、前記リセット生成領域を前記電荷読出機能領域の電位よりも低い一定の第1の電位に設定して前記電位障壁を越えて前記リセット生成領域に電荷を供給し、前記電荷読出機能領域の電位を前記第1の電位に設定し、
前記リセット生成領域に、前記可変電圧として第2の電圧を印加することにより、前記リセット生成領域を前記電荷読出機能領域が読出動作において取り得る電位よりも高い一定の第2の電位に設定し、前記電位障壁の高さを変化させて前記電荷読出機能領域の電位を前記電位障壁の電位と同一である第3の電位とし、
前記第1のスイッチングトランジスタをオン状態、かつ前記第2のスイッチングトランジスタをオフ状態として前記読み出しトランジスタのゲート容量をブートストラップ容量として用い、前記読み出しトランジスタのゲートの電位と等価な前記電荷読出機能領域の電位を電荷の排出に必要な電位とする
ことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。
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