JP7017152B2 - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
図1に示されるように、半導体装置1は、窒化物半導体層10、窒化物半導体層10の裏面を被覆するドレイン電極22、窒化物半導体層10の表面の一部を被覆するボディ電極24、窒化物半導体層10の表面の一部を被膜するソース電極26、及び、窒化物半導体層10の表面の一部に設けられているトレンチゲート30を備えている。窒化物半導体層10は、n+型のドレイン領域12、n型のドリフト領域14、p型のボディ領域16、及び、n+型のソース領域18を有している。
図3に示されるように、半導体装置2は、ボディ領域16が低濃度ボディ領域16aと高濃度ボディ領域16bを有していることを特徴としている。低濃度ボディ領域16aは、ドリフト領域14と高濃度ボディ領域16bの間に配置されている。高濃度ボディ領域16bは、低濃度ボディ領域16aとソース領域18の間に配置されており、低濃度ボディ領域よりもp型不純物(マグネシウム)の濃度が高い。一例ではあるが、低濃度ボディ領域16aのp型不純物の濃度は、8×1016cm-3以下である。半導体装置2では、トレンチゲート30の底面の全体が、低濃度ボディ領域16aが存在する深さに位置している。換言すると、半導体装置1では、トレンチゲート30の底面の全体が、低濃度ボディ領域16aによって被覆されている。なお、低濃度ボディ領域16aは低濃度半導体領域の一例であり、高濃度ボディ領域16bは高濃度半導体領域の一例である。
図5に示されるように、半導体装置3は、低濃度ボディ領域16aと高濃度ボディ領域16bの間にエッチングストッパ層15をさらに備えていることを特徴としている。エッチングストッパ層15は、インジウム又はアルミニウムを含み、Gaを含まないGaN系化合物半導体の混晶である。例えば、エッチングストッパ層15の材料は、InAlNである。また、エッチングストッパ層15の厚みは、1nm以下である。
図7に示されるように、半導体装置4は、トレンチゲート30の底部の一部が突出して構成されていることを特徴としている。このトレンチゲート30の突出部36は、トレンチゲート30の側面の下部を構成している。換言すると、トレンチゲート30の突出部36は、トレンチゲート30の短手方向(紙面左右方向)の両端であって、トレンチゲート30の底部に設けられている。トレンチゲート30の突出部36は、ドリフト領域14内に侵入するように構成されている。一方、突出部36以外のトレンチゲート30の底部は、窒化物半導体層10の深さ方向において、ドリフト領域14とボディ領域16のpn接合面よりも浅い位置にある。このため、トレンチゲート30の底面の一部の下方には、ボディ領域16の一部が存在している。
10 :窒化物半導体層
12 :ドレイン領域
14 :ドリフト領域
16 :ボディ領域
18 :ソース領域
22 :ドレイン電極
24 :ボディ電極
26 :ソース電極
30 :トレンチゲート
32 :ゲート絶縁膜
34 :ゲート電極
TR1 :トレンチ
Claims (6)
- 第1導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域上に設けられている第2導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域上に設けられている第1導電型の第3半導体領域と、を有する半導体層を準備する工程と、
前記半導体層の表面から前記第3半導体領域を貫通して伸びるトレンチを形成する工程と、
前記トレンチ内にトレンチゲートを形成する工程と、を備えており、
前記半導体層を準備する工程は、
前記第1半導体領域上に前記第2半導体領域を結晶成長させる工程、を有しており、
前記第2半導体領域を結晶成長させる工程は、
前記第1半導体領域上に低濃度半導体領域を結晶成長させる第1工程と、
前記低濃度半導体領域上に第2導電型不純物の濃度が前記低濃度半導体領域よりも高い高濃度半導体領域を結晶成長させる第2工程と、を有しており、
前記トレンチを形成する工程では、前記高濃度半導体領域を貫通するとともに、前記トレンチの底面の全体の下方に前記低濃度半導体領域の一部が存在するように、前記トレンチが形成され、
前記トレンチゲートの底面の全体が、前記低濃度半導体領域によって被覆されている、半導体装置の製造方法。 - 前記第2半導体領域を結晶成長させる工程は、前記第1工程と前記第2工程の間において、前記低濃度半導体領域上にエッチングストッパ層を形成する工程、をさらに備えており、
前記トレンチを形成する工程では、前記半導体層の表面から進行するエッチングが前記エッチングストッパ層に達したときに前記エッチングが停止される、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体層の材料が、窒化物半導体である、請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 第1導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域上に設けられている第2導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域上に設けられている第1導電型の第3半導体領域と、を有する半導体層と、
前記半導体層の表面から前記第3半導体領域を貫通して伸びているトレンチ内に設けられているトレンチゲートと、を備えており、
前記第2半導体領域は、低濃度半導体領域と高濃度半導体領域を有しており、
前記低濃度半導体領域は、前記第1半導体領域と前記高濃度半導体領域の間に配置されており、
前記高濃度半導体領域は、前記低濃度半導体領域と前記第3半導体領域の間に配置されており、前記低濃度半導体領域よりも第2導電型不純物の濃度が高く、
前記トレンチゲートの底面の全体は、前記低濃度半導体領域が存在する深さに位置しており、
前記トレンチゲートの前記底面の全体が、前記低濃度半導体領域によって被覆されている、半導体装置。 - 前記半導体層の材料が、窒化物半導体である、請求項4に記載の半導体装置。
- 第1導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域上に設けられている第2導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域上に設けられている第1導電型の第3半導体領域と、を有する半導体層を準備する工程と、
前記半導体層の表面から前記第3半導体領域を貫通して伸びるトレンチを形成する工程と、
前記トレンチ内にトレンチゲートを形成する工程と、を備えており、
前記半導体層を準備する工程は、
前記第1半導体領域上に前記第2半導体領域を結晶成長させる工程、を有しており、
前記第2半導体領域を結晶成長させる工程は、
前記第1半導体領域上に低濃度半導体領域を結晶成長させる第1工程と、
前記低濃度半導体領域上に第2導電型不純物の濃度が前記低濃度半導体領域よりも高い高濃度半導体領域を結晶成長させる第2工程と、を有しており、
前記トレンチを形成する工程では、前記高濃度半導体領域を貫通するとともに、前記トレンチの底面の全体の下方に前記低濃度半導体領域の一部が存在するように、前記トレンチが形成され、
前記第2半導体領域を結晶成長させる工程は、前記第1工程と前記第2工程の間において、前記低濃度半導体領域上にエッチングストッパ層を形成する工程、をさらに備えており、
前記トレンチを形成する工程では、前記半導体層の表面から進行するエッチングが前記エッチングストッパ層に達したときに前記エッチングが停止される、半導体装置の製造方法。
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JP2019024678A JP7017152B2 (ja) | 2019-02-14 | 2019-02-14 | 半導体装置とその製造方法 |
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JP2019024678A JP7017152B2 (ja) | 2019-02-14 | 2019-02-14 | 半導体装置とその製造方法 |
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JP2020136345A JP2020136345A (ja) | 2020-08-31 |
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JP2014236088A (ja) | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 豊田合成株式会社 | 半導体素装置および半導体装置の製造方法 |
JP2017069270A (ja) | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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2019
- 2019-02-14 JP JP2019024678A patent/JP7017152B2/ja active Active
Patent Citations (2)
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