JP6962371B2 - 高周波モジュール - Google Patents

高周波モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP6962371B2
JP6962371B2 JP2019534528A JP2019534528A JP6962371B2 JP 6962371 B2 JP6962371 B2 JP 6962371B2 JP 2019534528 A JP2019534528 A JP 2019534528A JP 2019534528 A JP2019534528 A JP 2019534528A JP 6962371 B2 JP6962371 B2 JP 6962371B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
component
substrate
main surface
heat radiating
radiating member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019534528A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2019026902A1 (ja
Inventor
喜人 大坪
亮宏 藤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of JPWO2019026902A1 publication Critical patent/JPWO2019026902A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6962371B2 publication Critical patent/JP6962371B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5383—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0209—External configuration of printed circuit board adapted for heat dissipation, e.g. lay-out of conductors, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0088—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a plurality of shielding layers; combining different shielding material structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54433—Marks applied to semiconductor devices or parts containing identification or tracking information
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/54486—Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明は、基板に発熱する部品が実装されているとともに、放熱構造を有するモジュールに関する。
携帯端末装置などに搭載される高周波モジュールには、電磁波を遮蔽するためのシールド層が設けられる場合がある。また、この種のモジュールの中には、配線基板上に実装された部品がモールド樹脂で被覆され、該モールド樹脂の表面を被覆するようにシールド層が設けられるものがある。このようなシールド層が設けられた高周波モジュールとして、例えば、図１３に示す特許文献１に記載の電子部品モジュール１００がある。
電子部品モジュール１００は、配線基板１０１に実装されたＩＣ素子１０２が封止樹脂層１０３により被覆された構造を有し、封止樹脂層１０３の表面にはシールド層１０４が形成されている。封止樹脂層１０３には、平面視でＩＣ素子１０２と重なる位置に窓部１０３ａが設けられており、シールド層１０４が封止樹脂層１０３の表面を全面的に被覆するとともに、窓部１０３ａから露出するＩＣ素子１０２の上面１０２ａに被着するように形成されている。このようにシールド層１０４を設けることにより、ＩＣ素子１０２内の発振回路や増幅回路を構成する回路配線へ電磁波が侵入しにくくなり、電子部品モジュールの動作が安定する。また、ＩＣ素子１０２から発生した熱がシールド層１０４を介して電子部品モジュール１００の外へ放熱されるので、電子部品モジュール１００の動作がより安定する。
特許第４９０３５７６号公報（段落００１５〜００２２、図３参照）
しかしながら、上記した電子部品モジュール１００のようにシールド層１０４がＩＣ素子１０２の上面１０２ａの一部のみに接している構造では、放熱性が不十分となる恐れがある。一方、シールド層１０４がＩＣ素子１０２の上面全体を覆うようにした場合、シールド層と封止樹脂の線膨脹係数の差により、シールド層と樹脂がはがれてしまう恐れがある。
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、モジュールの放熱効率の向上を図り、はがれを防止することができるモジュールを提供することを目的とする。
上記した目的を達成するために、本発明のモジュールは、基板と、前記基板の主面に実装された第１部品と、前記第１部品の前記基板の前記主面と対向する面の反対面に接触するように配置された放熱部材と、前記基板の前記主面、前記第１部品および前記放熱部材を封止する封止樹脂層とを備え、前記放熱部材の形状は、略平板状をしており、前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１部品よりも大きい面積を有しており、前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１部品に重ならない領域に複数の貫通孔が形成され、前記封止樹脂層を構成する樹脂が前記複数の貫通孔の内部にも充填されていることを特徴としている。
この構成によれば、部品の上面全体が放熱部材と接触しているため、モジュールの放熱性を改善できる。このため、モジュールの反りや変形を抑制することができ、モジュールの特性変動も抑えることが可能となる。さらに、放熱部材には貫通孔が設けられており、貫通孔にも樹脂が充填されることで、放熱部材の上面と下面に接触している封止樹脂層が分断されることなく形成されるため、封止樹脂層が放熱部材から剥離することを防止できる。
また、前記基板の前記主面に実装された第２部品をさらに備え、前記第２部品の前記主面からの高さは、前記第１部品の前記主面からの高さよりも高く、前記複数の貫通孔のうち１つは、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第２部品よりも大きく形成されており、前記第２部品は、該第２部品よりも大きく形成された前記貫通孔に挿通されて配置されていてもよい。この構成によれば、基板に高さの異なる複数の部品が実装されており、放熱を必要とする部品が高さの低い方の部品である場合に、放熱を必要とする部品にだけ放熱部材を接触させることで、放熱効率を向上させることができる。
また、本発明の他のモジュールは、基板と、前記基板の主面に実装された第１部品と、前記第１部品の前記基板の前記主面と対向する面の反対面に接触するように配置された放熱部材と、前記基板の前記主面、前記第１部品および前記放熱部材を封止する封止樹脂層とを備え、前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１部品よりも大きい面積を有しており、前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１部品に重ならない領域に複数の貫通孔が形成され、前記封止樹脂層を構成する樹脂が前記複数の貫通孔の内部にも充填されており、前記基板の前記主面に実装された第３部品をさらに備え、前記第３部品の前記主面からの高さは、前記第１部品の前記主面からの高さよりも低く、前記放熱部材は、前記第３部品の前記基板の前記主面と対向する面の反対面と直接接触しているか、あるいは、他の放熱部材を介して接触していることを特徴としている。この構成によれば、部品の上面全体が放熱部材と接触しているため、モジュールの放熱性を改善できる。このため、モジュールの反りや変形を抑制することができ、モジュールの特性変動も抑えることが可能となる。さらに、放熱部材には貫通孔が設けられており、貫通孔にも樹脂が充填されることで、放熱部材の上面と下面に接触している封止樹脂層が分断されることなく形成されるため、封止樹脂層が放熱部材から剥離することを防止できる。また、基板に高さの異なる複数の放熱が必要な部品が実装されている場合に、効率よく放熱を行うことができる。
また前記封止樹脂層は、前記基板の前記主面と当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁どうしを繋ぐ側面とを有し、前記封止樹脂層の前記対向面および前記側面を少なくとも被覆するシールド層をさらに備え、前記放熱部材は、一部が前記封止樹脂層の前記側面に露出して前記シールド層に接触していてもよい。この構成によれば、モジュールの側面に放熱部材を露出することで、基板上の部品の実装位置によっては、最短距離での放熱が可能となり、放熱効率を向上させることができる。
また、本発明のさらに他のモジュールは、基板と、前記基板の主面に実装された第１部品と、前記第１部品の前記基板の前記主面と対向する面の反対面に接触するように配置された放熱部材と、前記基板の前記主面、前記第１部品および前記放熱部材を封止する封止樹脂層とを備え、前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１部品よりも大きい面積を有しており、前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１部品に重ならない領域に複数の貫通孔が形成され、前記封止樹脂層を構成する樹脂が前記複数の貫通孔の内部にも充填されており、前記封止樹脂層は、前記基板の前記主面と当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁どうしを繋ぐ側面とを有し、高周波モジュールは、前記封止樹脂層の前記対向面および前記側面を少なくとも被覆するシールド層をさらに備え、前記放熱部材は、一部が前記封止樹脂層の前記側面に露出して前記シールド層に接触しており、高周波モジュールは、前記封止樹脂層に形成された複数の接続導体をさらに備え、前記接続導体は、前記封止樹脂層の前記対向面と前記放熱部材との間に導電性材料が配置され、前記シールド層と前記放熱部材とを接続することを特徴としている。この構成によれば、部品の上面全体が放熱部材と接触しているため、モジュールの放熱性を改善できる。このため、モジュールの反りや変形を抑制することができ、モジュールの特性変動も抑えることが可能となる。さらに、放熱部材には貫通孔が設けられており、貫通孔にも樹脂が充填されることで、放熱部材の上面と下面に接触している封止樹脂層が分断されることなく形成されるため、封止樹脂層が放熱部材から剥離することを防止できる。また、モジュールの側面に放熱部材を露出することで、基板上の部品の実装位置によっては、最短距離での放熱が可能となり、放熱効率を向上させることができる。また、モジュールの側面と上面からの放熱により、さらに放熱効率を向上させることができる。また、モジュール内部に高さの異なる放熱が必要な部品が実装されている場合に、モジュールの上面に放熱フィンを取り付けて一括して放熱することが可能となる。
また、本発明のさらに他のモジュールは、基板と、前記基板の主面に実装された第１部品と、前記第１部品の前記基板の前記主面と対向する面の反対面に接触するように配置された放熱部材と、前記基板の前記主面、前記第１部品および前記放熱部材を封止する封止樹脂層とを備え、前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１部品よりも大きい面積を有しており、前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１部品に重ならない領域に複数の貫通孔が形成され、前記封止樹脂層を構成する樹脂が前記複数の貫通孔の内部にも充填されており、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記封止樹脂層の前記複数の貫通孔に重ならない位置に、識別文字または識別マークを構成する凹部が形成されていることを特徴としている。この構成によれば、部品の上面全体が放熱部材と接触しているため、モジュールの放熱性を改善できる。このため、モジュールの反りや変形を抑制することができ、モジュールの特性変動も抑えることが可能となる。さらに、放熱部材には貫通孔が設けられており、貫通孔にも樹脂が充填されることで、放熱部材の上面と下面に接触している封止樹脂層が分断されることなく形成されるため、封止樹脂層が放熱部材から剥離することを防止できる。また、部品が放熱物質で覆われているため、部品が実装されている位置にも識別文字または識別マークを構成する凹部を形成することが可能である。
本発明によれば、発熱する部品の上面全体が放熱部材と接しているため、モジュールの放熱性を改善することができ、モジュールの特性変動を抑制し、さらにモジュールの反りや変形を防止することができる。さらに、放熱部材には貫通孔が設けられており、貫通孔にも樹脂が充填されることで、封止樹脂層が放熱部材から剥離することを防止できる。
本発明の第１実施形態に係るモジュールの平面図である。 本発明の第１実施形態に係るモジュールの断面図である。 本発明の第２実施形態に係るモジュールの平面図である。 本発明の第２実施形態に係るモジュールの断面図である。 本発明の第３実施形態に係るモジュールの平面図である。 本発明の第３実施形態に係るモジュールの断面図である。 本発明の第４実施形態に係るモジュールの平面図である。 本発明の第４実施形態に係るモジュールの断面図である。 本発明の第５実施形態に係るモジュールの平面図である。 本発明の第５実施形態に係るモジュールの断面図である。 本発明の第６実施形態に係るモジュールの平面図である。 本発明の第６実施形態に係るモジュールの断面図である。 従来のモジュールの断面図である。
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態に係るモジュール１について図１および図２を参照して説明する。なお、図１は第１実施形態に係るモジュール１の平面図、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図である。なお、図１はシールド層１０の天面部分を図示省略している。
第１実施形態に係るモジュール１は、例えば、電子機器のマザー基板等に搭載されるものである。モジュール１は、図２に示すように、上面２ａ（本発明の「主面」に相当する）にランド電極３が形成された基板２と、接続端子がランド電極３に接続されるように上面２ａに実装された第１部品４および部品５〜７、第１部品４から発生する熱を放熱するための放熱部材８と、基板２の上面２ａ、各部品４〜７、および放熱部材８とを封止する封止樹脂層９と、封止樹脂層９の表面を被覆するシールド層１０とを備える。
基板２は、例えば低温同時焼成セラミックスやガラスエポキシ樹脂等で形成される。基板２の上面２ａには複数のランド電極３が形成され、下面２ｂには複数の外部電極１１が形成され、基板２の表層および内層には複数のグランド電極（図示省略）、複数の配線電極１２、および複数のビア導体１３等が形成されている。なお、各グランド電極は、例えば、基板２の側面から露出するように形成されている。
各ランド電極３、各外部電極１１、各グランド電極、および各配線電極１２は、それぞれ、ＣｕやＡｇ、Ａｌ等の電極として一般的に採用される金属で形成されている。また、各ビア導体１３は、ＡｇやＣｕ等の金属で形成されている。
第１部品４は発熱する部品であり、例えば、ＩＣ、パワーアンプ等の能動部品が挙げられる。第１部品４は、接続端子が基板２の上面２ａに形成されたランド電極３に半田を用いて接続されることによって、基板２の上面２ａに実装されている。
部品５〜７は、例えば、インダクタ、コンデンサ等の受動部品であり、接続端子が基板２の上面２ａに形成されたランド電極３に半田を用いて接続されることにより、基板２の上面２ａに実装されている。
放熱部材８は、第１部品４の上面４ａの全面に接触し、平面視で基板２の上面２ａの略全面を覆うように配置される。ただし、発生する熱が十分に伝わるように、放熱部材と第１部品は熱的に結合していればよく、その限りにおいては、一部接触していない箇所があっても構わない。図１に示すように、放熱部材８には、平面視で第１部品４と重ならない部分に複数の貫通孔１４が形成され、各貫通孔１４には樹脂が充填されており、封止樹脂層９の上部９ａと下部９ｂとが各貫通孔１４に充填された樹脂でつながった構造となっている。このため、封止樹脂層９が放熱部材８との界面で剥離することを防止することができる。また、放熱部材８は、金属箔、金属板、高熱伝導性フィルム、導電性ペーストなどの高熱伝導性物質で形成することができる。なお、この実施形態では、第１部品４の基板２の上面２ａからの高さが他の部品５〜７よりも高いため、放熱部材８は第１部品４の上面４ａにだけ接触し、他の部品５〜７には接触していない。
封止樹脂層９は、基板２の上面２ａ、各部品４〜７、放熱部材８を被覆するように基板２に設けられる。封止樹脂層９は、シリカフィラー入りのエポキシ樹脂等の封止樹脂として一般に採用される樹脂で形成することができる。また、高熱伝導のため、アルミナフィラーなどの熱伝導率が高いフィラーを使用してもよい。
シールド層１０は、基板２内の各配線電極１２、各グランド電極、各部品４〜７に対する外部からの電磁波を遮蔽するためのものであり、封止樹脂層９の表面と基板２の側面とを被覆するように封止樹脂層９に積層される。なお、シールド層１０は、基板２の側面に露出したグランド電極と電気的に接続される。
また、シールド層１０は、封止樹脂層９の表面に積層された密着膜と、密着膜に積層された導電膜と、導電膜に積層された保護膜とを有する多層構造で形成することができる。密着膜は、導電膜と封止樹脂層９との密着強度を高めるために設けられたものであり、例えば、ＳＵＳなどの金属で形成することができる。なお、密着膜は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＴｉＡｌ等であってもよい。導電膜は、シールド層１０の実質的なシールド機能を担う層であり、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのうちいずれかの金属で形成することができる。保護膜は、導電膜が腐食したり、傷が付いたりするのを防止するために設けられたものであり、例えば、ＳＵＳで形成することができる。なお、保護膜は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＴｉＡｌ等であってもよい。
（モジュールの製造方法）
次に、モジュール１の製造方法について説明する。この第１実施形態では、複数のモジュール１の集合体を形成した後に、個片化することによりモジュール１を製造する。
まず、上面２ａに複数のランド電極３が形成され、下面２ｂに複数の外部電極１１が形成されるとともに、表層または内層に複数のグランド電極、複数の配線電極１２、および複数のビア導体１３等が形成された基板２の集合体を用意する。各ランド電極３、各外部電極１１、各グランド電極、および各配線電極１２については、ＣｕやＡｇ、Ａｌ等の金属を含有する導電性ペーストをスクリーン印刷するなどしてそれぞれ形成することができる。また、各ビア導体１３については、レーザー等を用いてビアホールを形成した後、周知の方法により形成することができる。
次に、基板２の上面２ａに、周知の表面実装技術を用いて各部品４〜７を実装する。例えば、基板２のランド電極３のうち所望のランド電極３上にめっきを形成し、さらに半田を形成しておき、半田が形成されているランド電極３のうちの対応するランド電極３上に各部品４〜７を実装し、その後、リフロー処理を行う。なお、リフロー処理後に必要に応じて基板２の集合体の洗浄を行う。
次に、放熱部材８を第１部品４の上面４ａに接触するように形成する。放熱部材８は、例えば、貫通孔１４を設けた金属箔や金属板を第１部品４の上面４ａ上に配置することで形成することができる。その後、基板２の上面２ａ、各部品４〜７、放熱部材８を被覆するように封止樹脂層９を形成する。このとき、放熱部材８に設けた貫通孔１４にも樹脂が充填され、封止樹脂層９は放熱部材８によって分断されることなく、封止樹脂層９の上部９ａおよび下部９ｂが貫通孔１４に充填された樹脂によりつながって形成される。
なお、封止樹脂層９は、例えば、トランスファーモールド方式、コンプレッションモールド方式、液状樹脂工法、シート樹脂工法等を用いて形成することができる。また、封止樹脂層９には、一般的なシリカフィラー入りのエポキシ樹脂を用いることができる。なお、封止樹脂層９に高い熱伝導性を持たせるために、アルミナフィラーなどの熱伝導率が高いフィラー入りのエポキシ樹脂を用いることもできる。なお、封止樹脂層９の形成後に、シールドの付きを良くするため、必要に応じて基板２のプラズマ洗浄を行ってもよい。
封止樹脂層９が形成された後、スパッタ装置や真空蒸着装置を用いて、封止樹脂層９の表面および基板２の側面を被覆するようにシールド層１０を成膜する。その後、ダイサーまたはレーザー加工などの周知の方法により、モジュール１を個片化する。
上記した実施形態によれば、放熱部材８は、基板２の上面２ａと垂直な方向から見たときに、基板２の略全面を覆うように形成されているため、放熱面積が大きく放熱効率の向上を図ることができる。そして、発熱する部品の上面全体が放熱部材と接しているため、モジュールの放熱性を改善することができ、モジュールの特性変動を抑制し、モジュールの反りや変形を防止することができる。また、放熱部材８に貫通孔１４が設けられているため、封止樹脂層９の上部９ａと下部９ｂとが貫通孔１４に充填された樹脂によりつながった構造となり、封止樹脂層９が放熱部材８から剥離することを防止することができる。
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態に係るモジュール１ａについて、図３および図４を参照して説明する。なお、図３は第２実施形態に係るモジュール１ａの平面図、図４は図３のＡ−Ａ矢視断面図である。なお、図３はシールド層１０の天面部分を図示省略している。
第２実施形態に係るモジュール１ａが図１および図２を用いて説明した第１実施形態に係るモジュール１と異なる点は、図３に示すように、放熱部材８の周縁部がシールド層１０に接触している点である。その他の構成は第１実施形態に係るモジュール１と同様であるため、同一符号を付すことによりその説明を省略する。
放熱部材８は、基板２の上面２ａと垂直な方向から見たときに、その周縁に外向きに突出した複数の引出部８ａを有しており、各引出部８ａはシールド層１０に接触するように配置される。また、各貫通孔１４と同様に各引出部８ａの間にも樹脂が充填されている。
上記した実施形態によれば、第１実施形態のモジュール１と同様の効果を得ることができるとともに、側面への放熱が可能となり、モジュール内の部品の配置によっては最短距離で放熱することができるため、放熱効率の向上を図ることができる。なお、放熱部材８の引出部８ａの間に封止樹脂層９の上部９ａと下部９ｂとを連結する連結部９ｃが存在する場合、放熱部材８の貫通孔１４は放熱部材８の中央部には無くても良い。
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態に係るモジュール１ｂについて、図５および図６を参照して説明する。なお、図５は第３実施形態に係るモジュール１ｂの平面図、図６は図５のＡ−Ａ矢視断面図である。なお、図５はシールド層１０の天面部分を図示省略している。
第３実施形態に係るモジュール１ｂが図１および図２を用いて説明した第１実施形態に係るモジュール１と異なる点は、図５および図６に示すように、部品５に代えて第１部品４よりも基板２の上面２ａからの高さが高い第２部品１５を設け、第２部品１５が挿通する大きな貫通孔１４ａを放熱部材８に形成した点である。その他の構成は第１実施形態に係るモジュール１と同様であるため、同一符号を付すことによりその説明を省略する。
この実施形態のモジュール１ｂは、図５および図６に示すように、放熱部材８に接触している第１部品４よりも、基板２の上面２ａからの高さが高い第２部品１５が実装され、第２部品１５が放熱部材８に接触しないように、放熱部材８に平面視で第２部品１５の面積よりも大きな貫通孔１４ａが設けられている。第２部品１５は貫通孔１４ａに挿通される。
上記した実施形態によれば、第１実施形態のモジュール１と同様の効果を得ることができるとともに、モジュール１ｂに実装された各部品のうち、放熱を必要とする第１部品４が他の部品より背が低い場合であっても、効率よく放熱させることができる。さらに放熱は必要ではないが、熱によって特性変動し易い部品に対する熱の影響を抑える事ができる。
＜第４実施形態＞
本発明の第４実施形態に係るモジュール１ｃについて図７および図８を参照して説明する。なお、図７は第４実施形態に係るモジュール１ｃの平面図、図８は図７のＡ−Ａ矢視断面図である。なお、図７はシールド層１０の天面部分を図示省略している。
第４実施形態に係るモジュール１ｃが図１および図２を用いて説明した第１実施形態に係るモジュール１と異なる点は、図７および図８に示すように、部品６に代えて第１部品４よりも基板２の上面２ａからの高さが低い第３部品１６を設け、放熱部材８が第３部品１６にも接触している点である。その他の構成は第１実施形態に係るモジュール１と同様であるため、同一符号を付すことによりその説明を省略する。
そして、この実施形態のモジュール１ｃは、基板２の上面２ａからの高さが第１部品４よりも低い第３部品１６の上面１６ａに、放熱部材８ｂが配置され、放熱部材８ｂを介して第３部品１６と放熱部材８が接触している。放熱部材８ｂは、例えば、放熱部材８と同様の金属箔または金属板で形成することができる。また、放熱部材８、８ｂを導電性ペーストで形成することで、放熱部材８ｂを放熱部材８と一体的に形成することもできる。なお、第３部品１６は、第１部品４と同様に発熱する部品であり、例えば、ＩＣ、パワーアンプ等の能動部品が挙げられる。
上記した実施形態によれば、第１実施形態のモジュール１と同様の効果を得ることができるとともに、高さの異なる複数の部品に対しても、効率よく放熱させることができる。
＜第５実施形態＞
本発明の第５実施形態に係るモジュール１ｄについて図９および図１０を参照して説明する。なお、図９は第５実施形態に係るモジュール１ｄの平面図、図１０は図９のＡ−Ａ矢視断面図である。なお、図９はシールド層１０の天面部分を図示省略している。
第５実施形態に係るモジュール１ｄが図７および図８を用いて説明した第４実施形態に係るモジュール１ｃと異なる点は、図９および図１０に示すように、封止樹脂層９の上面９ｄに識別マーク形成エリア９ｅが設けられ、識別マーク形成エリア９ｅに識別文字または識別マークを構成する凹部１７が形成されている点である。その他の構成は第１実施形態に係るモジュール１と同様であるため、同一符号を付すことによりその説明を省略する。
この実施形態のモジュール１ｄは、封止樹脂層９の上面９ｄの識別マーク形成エリア９ｅを有し、該識別マーク形成エリア９ｅ内にレーザー加工等により文字列やマーク等を形成することができる。封止樹脂層９の上面９ｄにレーザー加工で識別文字や識別マークを構成する凹部１７を形成した後、図１０（ａ）のようにシールド層１０を形成してもよいし、図１０（ｂ）のように、シールド層を形成せず、凹部１７から放熱部材８を露出させてもよい。なお、識別マーク形成エリア９ｅは、基板２の上面２ａと垂直な方向から見たときに、各貫通孔１４と重ならない位置に設けるとよい。
上記した実施形態によれば、封止樹脂層９の上面９ｄに、レーザー加工により識別文字や識別マークを構成する凹部１７を設けても、放熱部材８が配置されているため、基板２に実装されている部品の損傷を低減することができる。例えば、放熱部材８が金属であって、レーザーでマーキングする場合、部品へのダメージを有効に抑える事ができる。また、放熱部材を凹部１７から露出させることで、識別文字や識別マークの視認性を向上させることができる。
＜第６実施形態＞
本発明の第６実施形態に係るモジュール１ｅについて図１１および図１２を参照して説明する。なお、図１１は第５実施形態に係るモジュール１ｅの平面図、図１２は図１１のＡ−Ａ矢視断面図である。なお、図１１はシールド層１０の天面部分を図示省略している。
第６実施形態に係るモジュール１ｅが図７および図８を用いて説明した第４実施形態に係るモジュール１ｃと異なる点は、封止樹脂層９の上部９ａに複数の接続導体１８が配置され、シールド層１０と放熱部材８とを接続している点である。その他の構成は第１実施形態に係るモジュール１と同様であるため、同一符号を付すことによりその説明を省略する。
この実施形態のモジュール１ｅは、シールド層１０と放熱部材８とが、複数の接続導体１８により接続されており、第１部品４および第３部品１６から発生した熱をシールド層１０の上面１０ａからも放熱することが可能である。また、第６実施形態の変形例として、図１２（ｂ）のように、シールド層１０の上面１０ａに放熱フィン２０を搭載してもよい。
接続導体１８は、例えば、封止樹脂層９を形成した後、封止樹脂層９の上面９ｄから放熱部材８が露出するまで、レーザー加工により孔１９を形成し、孔１９に高熱伝導性物質を充填して形成することができる。接続導体１８を形成した後、シールド層１０を設けることにより、放熱部材８とシールド層１０とが各接続導体１８により接続される。
上記した実施形態によれば、モジュールの側面および天面から放熱することが可能になり、さらなる放熱効率の向上を図ることができる。また、モジュール内部に高さの異なる複数の部品が実装されている場合でも、同一の放熱フィンを利用して一括して放熱を行うことが可能となる。
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。
また、本発明は、基板に発熱する部品が実装されているとともに、放熱構造を有するモジュールに適用することができる。
１、１ａ〜１ｅ モジュール
２ 基板
２ａ 上面（主面）
４ 第１部品
８、８ｂ 放熱部材
９ 封止樹脂層
１０ シールド層
１４ 貫通孔
１５ 第２部品
１６ 第３部品
１７ 凹部
１８ 接続導体

Claims (6)

  1. 基板と、
    前記基板の主面に実装された第１部品と、
    前記第１部品の前記基板の前記主面と対向する面の反対面に接触するように配置された放熱部材と、
    前記基板の前記主面、前記第１部品および前記放熱部材を封止する封止樹脂層とを備え、
    前記放熱部材の形状は、略平板状をしており、
    前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１部品よりも大きい面積を有しており、
    前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１部品に重ならない領域に複数の貫通孔が形成され、
    前記封止樹脂層を構成する樹脂が前記複数の貫通孔の内部にも充填されている
    ことを特徴とする高周波モジュール。
  2. 前記基板の前記主面に実装された第２部品をさらに備え、
    前記第２部品の前記主面からの高さは、前記第１部品の前記主面からの高さよりも高く、
    前記複数の貫通孔のうち１つは、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第２部品よりも大きく形成されており、
    前記第２部品は、該第２部品よりも大きく形成された前記貫通孔に挿通されて配置されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 基板と、
    前記基板の主面に実装された第１部品と、
    前記第１部品の前記基板の前記主面と対向する面の反対面に接触するように配置された放熱部材と、
    前記基板の前記主面、前記第１部品および前記放熱部材を封止する封止樹脂層とを備え、
    前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１部品よりも大きい面積を有しており、
    前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１部品に重ならない領域に複数の貫通孔が形成され、
    前記封止樹脂層を構成する樹脂が前記複数の貫通孔の内部にも充填されており、
    前記基板の前記主面に実装された第３部品をさらに備え、
    前記第３部品の前記主面からの高さは、前記第１部品の前記主面からの高さよりも低く、
    前記放熱部材は、前記第３部品の前記基板の前記主面と対向する面の反対面と直接接触しているか、あるいは、他の放熱部材を介して接触していることを特徴とする高周波モジュール。
  4. 前記封止樹脂層は、前記基板の前記主面と当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁どうしを繋ぐ側面とを有し、
    高周波モジュールは、前記封止樹脂層の前記対向面および前記側面を少なくとも被覆するシールド層をさらに備え、
    前記放熱部材は、一部が前記封止樹脂層の前記側面に露出して前記シールド層に接触していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  5. 基板と、
    前記基板の主面に実装された第１部品と、
    前記第１部品の前記基板の前記主面と対向する面の反対面に接触するように配置された放熱部材と、
    前記基板の前記主面、前記第１部品および前記放熱部材を封止する封止樹脂層とを備え、
    前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１部品よりも大きい面積を有しており、
    前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１部品に重ならない領域に複数の貫通孔が形成され、
    前記封止樹脂層を構成する樹脂が前記複数の貫通孔の内部にも充填されており、
    前記封止樹脂層は、前記基板の前記主面と当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁どうしを繋ぐ側面とを有し、
    高周波モジュールは、前記封止樹脂層の前記対向面および前記側面を少なくとも被覆するシールド層をさらに備え、
    前記放熱部材は、一部が前記封止樹脂層の前記側面に露出して前記シールド層に接触しており、
    高周波モジュールは、前記封止樹脂層に形成された複数の接続導体をさらに備え、
    前記接続導体は、前記封止樹脂層の前記対向面と前記放熱部材との間に導電性材料が配置され、前記シールド層と前記放熱部材とを接続することを特徴とする高周波モジュール。
  6. 基板と、
    前記基板の主面に実装された第１部品と、
    前記第１部品の前記基板の前記主面と対向する面の反対面に接触するように配置された放熱部材と、
    前記基板の前記主面、前記第１部品および前記放熱部材を封止する封止樹脂層とを備え、
    前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１部品よりも大きい面積を有しており、
    前記放熱部材は、前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第１部品に重ならない領域に複数の貫通孔が形成され、
    前記封止樹脂層を構成する樹脂が前記複数の貫通孔の内部にも充填されており、
    前記基板の前記主面に対して垂直な方向から見たときに、前記封止樹脂層の前記複数の貫通孔に重ならない位置に、識別文字または識別マークを構成する凹部が形成されていることを特徴とする高周波モジュール。
JP2019534528A 2017-08-01 2018-07-31 高周波モジュール Active JP6962371B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017148851 2017-08-01
JP2017148851 2017-08-01
PCT/JP2018/028649 WO2019026902A1 (ja) 2017-08-01 2018-07-31 高周波モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2019026902A1 JPWO2019026902A1 (ja) 2020-06-18
JP6962371B2 true JP6962371B2 (ja) 2021-11-05

Family

ID=65232800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019534528A Active JP6962371B2 (ja) 2017-08-01 2018-07-31 高周波モジュール

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11699670B2 (ja)
JP (1) JP6962371B2 (ja)
CN (1) CN110959189A (ja)
WO (1) WO2019026902A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107113371B (zh) * 2015-11-23 2020-06-05 深圳市大疆创新科技有限公司 影像撷取模组及航拍飞行器
CN108601241B (zh) 2018-06-14 2021-12-24 环旭电子股份有限公司 一种SiP模组及其制造方法
WO2020196752A1 (ja) * 2019-03-28 2020-10-01 株式会社村田製作所 モジュール
US11035910B2 (en) * 2019-03-29 2021-06-15 Ablic Inc. Magnetic substance detection sensor
WO2021060163A1 (ja) * 2019-09-27 2021-04-01 株式会社村田製作所 モジュールおよびその製造方法
WO2022050042A1 (ja) * 2020-09-03 2022-03-10 株式会社村田製作所 モジュール
KR102510878B1 (ko) * 2021-07-09 2023-03-17 제엠제코(주) 음각형 표면 형상의 패키지 하우징 구비한 반도체 패키지
KR102615841B1 (ko) * 2021-07-26 2023-12-22 한국과학기술원 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조 방법
JPWO2023162029A1 (ja) * 2022-02-22 2023-08-31
WO2024029313A1 (ja) * 2022-08-01 2024-02-08 株式会社村田製作所 モジュール

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2556294B2 (ja) * 1994-05-19 1996-11-20 日本電気株式会社 樹脂封止型半導体装置
US7180169B2 (en) * 2003-08-28 2007-02-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module and method for manufacturing the same
JP4012496B2 (ja) * 2003-09-19 2007-11-21 カシオ計算機株式会社 半導体装置
WO2006046713A1 (ja) 2004-10-28 2006-05-04 Kyocera Corporation 電子部品モジュール及び無線通信機器
JP4499577B2 (ja) * 2005-01-19 2010-07-07 三菱電機株式会社 半導体装置
JP5121783B2 (ja) * 2009-06-30 2013-01-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ Ｌｅｄ光源およびその製造方法ならびにｌｅｄ光源を用いた露光装置及び露光方法
JP2013251323A (ja) * 2012-05-30 2013-12-12 Kyocera Corp 電子部品
JP2015211105A (ja) * 2014-04-25 2015-11-24 株式会社デンソー モールドパッケージ
KR102424402B1 (ko) * 2015-08-13 2022-07-25 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
WO2018101382A1 (ja) * 2016-12-02 2018-06-07 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2018101381A1 (ja) * 2016-12-02 2018-06-07 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP6885175B2 (ja) * 2017-04-14 2021-06-09 富士電機株式会社 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20200161259A1 (en) 2020-05-21
WO2019026902A1 (ja) 2019-02-07
JPWO2019026902A1 (ja) 2020-06-18
US11699670B2 (en) 2023-07-11
CN110959189A (zh) 2020-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6962371B2 (ja) 高周波モジュール
JP7067609B2 (ja) 高周波モジュール
JP6891965B2 (ja) 高周波モジュールおよびその製造方法
JP6911917B2 (ja) モジュール
US11171067B2 (en) Module having a sealing resin layer with radiating member filled depressions
US11145569B2 (en) Module equipped with a heat dissipation member
US20140190727A1 (en) Method of fabricating flexible metal core printed circuit board
WO2018092529A1 (ja) 高周波モジュール
JP7354594B2 (ja) 電子素子モジュール及びその製造方法
US11322472B2 (en) Module
US11177189B2 (en) Module including heat dissipation structure
JP7320923B2 (ja) モジュール
JP2003007937A (ja) 電子部品実装モジュール及びその製造方法
US20210398866A1 (en) Package for containing electronic component, and electronic device
WO2018164160A1 (ja) モジュール
JP2000183488A (ja) ハイブリッドモジュール
JP7062473B2 (ja) アンテナモジュール
JP6322764B2 (ja) 回路基板の実装構造体および回路基板の実装方法
JP2019021856A (ja) モジュール
JP2016103569A (ja) 半導体素子の実装構造
JP2010177366A (ja) フレキシブル基板及びそれを用いた実装基板並びにフレキシブル基板の製造方法
JP2006202832A (ja) 高周波モジュール実装構造

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200117

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210326

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210914

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210927

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6962371

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150