JP2000183488A - ハイブリッドモジュール - Google Patents
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Abstract
したハイブリッドモジュールを提供する。 【解決手段】 回路基板11に凹部17を形成し、該凹
部17に回路部品13を実装し、回路基板11の凹部1
7が形成された主面16を親回路基板に対向させて実装
されるハイブリッドモジュール10において、凹部17
の底面にはグランド電極15aを形成し、凹部17の壁
面にはグランド電極15aと接続する金属膜21を形成
し、凹部17の底面にはグランド電極15aと接続する
金属壁22を形成した。これにより、回路部品13に発
生する熱が金属膜21及び金属壁22を介して効率的に
親回路基板に放熱される。また、凹部17内のシールド
効果が向上する。
Description
成された回路基板に、積層コンデンサや積層インダクタ
等のチップ部品や、半導体部品等の回路部品を実装して
電子回路を形成するハイブリッドモジュールに関するも
のである。
としては、図15に示すようなものが知られている。図
15は、従来のハイブリッドモジュールを示す側面断面
図である。このハイブリッドモジュール200は、回路
基板201上にチップ状電子部品202及び発熱性を有
する半導体素子等の回路部品203を実装したものであ
る。
窒化アルミニウム系のセラミック基板や、ガラスエポキ
シ系のプリント基板などである。チップ状電子部品20
2は、回路基板201上に形成された回路パターン20
6に半田付けされている。回路部品203は、半田バン
プ203aを介して回路パターン206上に接合されて
いる。ここで、チップ状電子部品202は、例えば積層
コンデンサ等の受動部品である。また、回路部品203
は、例えばFET等の能動部品である。
と接続するための端子電極201aが形成されている。
この端子電極201aは、親回路基板Sに形成された回
路パターンSpに半田付けされている。また、回路基板
201の親回路基板Sと対向する主面201bは、親回
路基板Sに形成された導体膜Sfを介して接合されてい
る。この導体膜Sfは、ハイブリッドモジュール200
の熱を親回路基板Sに効率的に伝導するためのものであ
り、熱伝導性の良好な部材からなる。
モジュール200では、回路基板201に実装された回
路部品203から発生する熱が、回路基板201及び導
体膜Sfを介して親回路基板S或いはグランドなどの広
いエリアを有する導体膜へと伝導され、放熱される。
イブリッドモジュール200では、回路部品203に発
生する熱は回路部品203の半田バンプ203aを介し
て回路基板201に伝導され、さらに、回路基板201
及び導体膜Sfを介して親回路基板に伝導されるため、
熱伝導が低いという問題があった。また、熱伝導率を高
めるために用いられる窒化アルミニウム系セラミック
は、一般的なアルミナ系の基板材料に比べて高価であ
り、経済性に欠けるという問題があった。また、プリン
ト基板を用いる場合には、より熱伝導率を高める工夫が
必要であった。さらに、全ての部品を回路基板201の
片面上に実装するので、高密度化が困難であるという問
題もあった。
に示すようなハイブリッドモジュールが提案されてい
る。図16は従来の他のハイブリッドモジュールを示す
側面断面図である。
回路基板201の裏面側に凹部211を形成するととも
に、この凹部211に回路部品203を実装したもので
ある。具体的には、この凹部211は、底面に回路パタ
ーン206が露出するよう回路基板201の裏面に形成
される。回路部品203は、半田バンプ203aを介し
て凹部211の回路パターン206に実装されている。
回路部品203の表面側には放熱板212が接着されて
いる。凹部211には回路部品203を封止する封止用
樹脂213が充填されている。
発生する熱は、放熱板212に伝導され、この放熱板2
12を介して親回路基板に放熱されるので、放熱効率を
向上させることができる。また、回路基板201の両面
に部品を配置できるので高密度化が実現できる。
ル210では、回路部品203の一面側は回路基板20
1に実装されるとともに、他面側は放熱板212に接着
している。このため、ハイブリッドモジュール210の
実装時の熱や回路部品203から発生する熱により各部
材の歪み差が生じると、この歪み差による応力を逃がし
たり吸収したりできず各界面(接着面)において剥離が
生じるおそれがある。これによりハイブリッドモジュー
ル210の信頼性、特に機械的な衝撃に対する信頼性が
低下するという問題があった。また、このハイブリッド
モジュール210では、端子電極201aを介して親回
路基板に接地するので、高周波域での接地性が十分でな
い場合があった。すなわち、親回路基板との接続経路が
長くなるのでインダクタンスが無視できなくなるもので
ある。
であり、その目的とするところは、放熱性が良好である
とともに高周波回路に適したハイブリッドモジュールを
提供することにある。
に、請求項1の発明では、凹部が形成された回路基板
と、該回路基板の凹部内に実装された発熱性を有する回
路部品とを備え、回路基板の前記凹部が形成された側を
親回路基板に対向させて実装されるハイブリッドモジュ
ールにおいて、前記凹部の底面には金属壁が形成され、
前記凹部には前記回路部品を封止する樹脂が充填されて
いることを特徴とするものを提案する。
ているので、凹部に実装された回路部品に発生する熱が
樹脂を介して金属壁に伝導する。したがって、熱伝導性
の良好な金属壁により、回路部品の放熱効率が向上す
る。また、金属壁のシールド効果により、高周波回路に
適したものとなる。
のハイブリッドモジュールにおいて、前記凹部の底面に
は前記金属壁と接合するグランドパターンが形成されて
いることを特徴とするものを提案する。
するグランドパターンが形成されているので、回路部品
に発生する熱がこのグランドパターンを介して金属壁に
伝導する。したがって、放熱性がさらに向上する。ま
た、凹部内におけるシールド効果が向上するので、さら
に高周波回路に適したものとなる。
載のハイブリッドモジュールにおいて、前記回路部品
は、前記グランドパターンと接合していることを特徴と
するものを提案する。
効率的にグランドパターンに伝導するので放熱効率が向
上したものとなる。
3何れか1項記載のハイブリッドモジュールにおいて、
前記凹部の壁面には金属膜が形成されていることを特徴
とするものを提案する。
部品に発生する熱を放熱することができるので、さらに
放熱効率が向上したものとなる。また、この金属膜によ
り凹部内におけるシールド効果が向上するので、さらに
高周波回路に適したものとなる。
載のハイブリッドモジュールにおいて、前記金属壁の少
なくとも一端が前記金属膜と接合していることを特徴と
するものを提案する。
よるシールド効果が向上するので、さらに高周波回路に
適したものとなる。
5何れか1項記載のハイブリッドモジュールにおいて、
前記回路部品は、前記凹部の底面において前記金属壁に
囲まれていることを特徴とするものを提案する。
れているので、回路部品のシールド性が向上する。これ
により、さらに高周波回路に適したものとなる。
6何れか1項記載のハイブリッドモジュールにおいて、
前記回路部品を複数備え、凹部に実装された回路部品の
間には前記金属壁が形成されていることを特徴とするも
のを提案する。
効果により相互干渉を軽減することができるので、ハイ
ブリッドモジュールの回路特性を向上させることができ
る。
7何れか1項記載のハイブリッドモジュールにおいて、
前記金属壁は、親回路基板と対向する面が前記回路基板
の親回路基板と対向する面と同一面上に配置されるよう
形成されていることを特徴とするものを提案する。
ールを親回路基板に実装した際に金属壁が親回路基板に
当接するので、回路部品に発生する熱を金属壁を介して
親回路基板に放熱することができる。また、金属壁を親
回路基板のグランドパターンに接続すれば、金属壁によ
るシールド効果が向上するので、さらに高周波回路に適
したものとなる。
1の実施の形態にかかるハイブリッドモジュールについ
て図1〜図6を参照して説明する。図1は第1の実施形
態にかかるハイブリッドモジュールを主面側から見た外
観斜視図、図2は樹脂を取り除いた第1の実施形態にか
かるハイブリッドモジュールの主面側の平面図、図3は
回路部品の実装構造を説明する図2についての拡大図、
図4は図2のA−A’線についての断面図、図5は図2
のB−B’線についての断面図、図6は第1の実施の形
態にかかるハイブリッドモジュールの親回路基板への実
装を説明する断面図である。
路基板(図示省略)に実装されて使用されるものであ
る。このハイブリッドモジュール10は、回路パターン
が形成された回路基板11と、回路基板11に実装され
た複数のチップ状電子部品12と、回路基板11に実装
された発熱性を有する半導体素子等の回路部品13とを
主たる構成要素とする。
極層15により形成された矩形の多層プリント基板であ
る。多層プリント基板としては、例えば、絶縁体層14
がエポキシ系の材料からなり、電極層15がCuからな
るものである。
板への実装時に親回路基板と対向する主面16には、回
路部品13を実装するための凹部17が形成されてい
る。この凹部17は、少なくとも回路部品13が収容で
きる大きさとなっている。
品13に発生する熱を放熱するとともにグランドパター
ンとして機能するグランド電極15aと、回路部品13
やチップ状電子部品12と導通接続して電気回路を形成
するための回路電極15bとからなる。ここで、グラン
ド電極15aは、熱伝導率を考慮して回路電極15bよ
りも層厚を大きく設定してある。
部に埋設されており、回路基板11の一側面から該側面
に対向する側面に亘って横長矩形に形成されている。ま
た、グランド電極15aは、前記凹部17の底面に露出
している。さらに、グランド電極15aには、凹部17
の底面において開口する接続口18が形成されている。
この接続口18の内側には、回路部品13と接続するた
めの接続端子19が形成されている。
び内部において所定パターンに形成されており、必要に
応じて電極間をビアホール20により接続されている。
また、回路電極15bは、ビアホール20を介して前記
接続端子19と接続されている。
属膜21が形成されている。この金属膜21は、凹部1
7の底面から回路基板11の主面16に亘って形成され
ている。また、この金属膜21は、凹部17の底面にお
いて前記グランド電極15aに導通接続している。この
金属膜21の材質としては、熱伝導率及び導電率が良好
な金属が望ましい。具体的には、例えば、Cu,Ni,
Al,Ag,Au等である。本実施の形態では、Cuを
主成分とするものを用いた。この金属膜21の形成は、
導電性ペーストを壁面に塗布して形成される。このよう
な金属膜21により、グランド電極15aに伝導する熱
が金属膜21にも伝導する。また、凹部17の内面のほ
とんどがグランド電極15a及び金属膜21に覆われる
ので、該凹部17内が電気的にシールドされる。
22が形成されている。この金属壁22は、前記グラン
ド電極15aと導通接続している。また、この金属壁2
2は凹部17のほぼ中央付近に形成されている。さら
に、この金属壁22は、その上面、すなわち、親回路基
板に対向する面が、回路基板11の主面16と同一面上
となるような高さに形成されている。この金属壁22の
材質としては、熱伝導率及び導電率が良好な金属が望ま
しい。例えば、Cu,Ni,Al,Ag,Au等であ
る。本実施の形態では、Cuを主成分とするものを用い
た。この金属壁22の形成は、例えば、金属片を導電性
樹脂により接着して形成したり、メッキ処理により形成
する。このような金属壁22により、グランド電極15
aに伝導する熱が金属壁22にも伝導する。また、金属
壁22により凹部17内のシールド効果を向上させるこ
とができる。
に露出するグランド電極15aに接着されている。回路
部品13は、上面側に複数の端子電極23を備えてお
り、背面側をグランド電極15aに接着されている。回
路部品13とグランド電極15aとの接着は、例えば導
電性樹脂接着法や高温半田接着法などが用いられる。こ
の回路部品13は、例えばGaAsMES型FET、G
aAsPHEMT型FET、InP系FET等の発熱性
を有するチップである。回路部品13の端子電極23
は、グランド電極15aの接続口18の内側に形成され
ている接続電極19及びグランド電極15aと、Au線
やAl線等の導電部材24を用いて電気的に接続してい
る。この接続は、ワイヤボンディング法が用いられる。
部品13を封止するための絶縁性樹脂25が充填されて
いる。この絶縁性樹脂25としては、例えばエポキシ系
やアクリル系のものが用いられる。
極15a又は回路電極15bと接続する外部電極26が
形成されている。この外部電極26のうち前記グランド
電極15aと接続するものは、放熱効率及び接地性を考
慮して回路基板11の側面に幅広に形成されている。ま
た、回路基板11の上面側の回路電極15bには、チッ
プ状電子部品12が半田付けされている。さらに、回路
基板11の上面側には、金属製のケース27が被装され
ている。
は、図6に示すように、凹部17が形成された主面16
を親回路基板30に対向させて実装される。親回路基板
30には、回路パターン31が形成されている。ハイブ
リッドモジュール10は、外部電極26、金属膜21及
び金属壁22を回路パターン31に半田付けして実装さ
れる。ここで、グランド電極15aと接続する外部電極
26、金属膜21及び金属壁22は、回路パターン31
のグランドに接続される。
よれば、回路基板11は多層構造のプリント基板により
形成され、また、回路部品13は回路基板11の主面1
6に形成した凹部17に実装されるので、実装密度が向
上する。
17に露出する電極層15のグランド電極15aに接着
されているので、回路部品13に発生した熱はグランド
電極15aに伝導する。さらに、該グランド電極15a
は凹部17に形成された金属壁22及び金属膜21と接
続しているので、回路部品13からの熱は該金属壁22
及び金属膜21を介して親回路基板30に放熱される。
また、回路部品13から絶縁性樹脂25に伝導した熱
が、金属膜21及び金属壁22を介して親回路基板30
に放熱される。さらに、グランド電極15aに伝導した
熱は、外部電極26を介しても親回路基板30に放熱さ
れる。したがって、回路部品13の放熱効率が優れたハ
イブリッドモジュールとなる。特に、金属壁22が回路
部品13の近傍に形成されているので、放熱効率が良好
である。
15bが形成されており、壁面には金属膜21が形成さ
れ、さらに底面には金属壁22が形成されているので、
回路部品13が外部から受ける電気的影響が軽減され
る。すなわち、シールド効果に優れたものとなる。特
に、金属膜21及び金属壁22を親回路基板30のグラ
ンドに接続するとシールド効果がさらに向上する。ま
た、外部電極26を介して接地するのと比較して、経路
が短距離となるので電気的特性が改善される。具体的に
はグランドまでのインダクタンス値を軽減できる。した
がって、このハイブリッドモジュール10は、高周波回
路に適したものとなる。
部17の底面に立設するように形成し、金属壁22と金
属膜21とは直接接合していないが、金属壁と金属膜2
1と導電接続するように形成していもよい。このような
ハイブリッドモジュールについて図7〜図9を参照して
説明する。図7〜図9は樹脂を取り除いた第1の実施形
態にかかる他のハイブリッドモジュールの主面側の平面
図である。
ル40では、凹部17の底面に、凹部17の壁面に形成
された金属膜21と導通接続するように金属壁41が形
成されている。この金属壁41は、一端部が金属膜21
と接続している。また、この金属壁41の材質や形成方
法については、前記金属壁22と同様である。また、回
路基板11や回路部品13等の他の構成については、前
述したハイブリッドモジュール10と同様である。
ジュール50では、凹部17の底面に、凹部17の壁面
に形成された金属膜21と導通接続するように金属壁5
1が形成されている。この金属壁51は、両端部が金属
膜21と接続している。また、この金属壁51の材質や
形成方法については、前記金属壁22と同様である。ま
た、回路基板11や回路部品13等の他の構成について
は、前述したハイブリッドモジュール10と同様であ
る。
モジュール60では、凹部17の底面に、凹部17の壁
面に形成された金属膜21と導通接続するように金属壁
61が形成されている。この金属壁61は、十文字状に
形成されており、各端部が金属膜21と接続している。
また、この金属壁61の材質や形成方法については、前
記金属壁22と同様である。また、回路基板11や回路
部品13等の他の構成については、前述したハイブリッ
ドモジュール10と同様である。
50,60では、金属壁41,51,61と金属膜21
が接続しているので、凹部17内のシールド効果がさら
に向上したものとなる。また、金属壁41,51,61
と金属膜21の間で熱伝導が行われるので、回路部品1
3の放熱効率も向上したものとなる。つまり、放熱性が
良好であるとともに高周波回路に適したハイブリッドモ
ジュールとなる。
部17の底面に一つ形成したが、複数形成してもよい。
このようなハイブリッドモジュールについて図10を参
照して説明する。図10は樹脂を取り除いた第1の実施
形態にかかる他のハイブリッドモジュールの主面側の平
面図である。
は、凹部17の底面に2つの金属壁71が形成されてい
る。回路部品13は、金属壁71の間に実装されてい
る。この金属壁71の材質や形成方法については、前記
金属壁22と同様である。また、回路基板11や回路部
品13等の他の構成については、前述したハイブリッド
モジュール10と同様である。
は、金属壁71が複数設けられているので、回路部品1
3の放熱性がさらに向上したものとなる。また、凹部1
7内のシールド効果がさらに向上したものとなる。つま
り、放熱性が良好であるとともに高周波回路に適したハ
イブリッドモジュールとなる。
回路部品13の側方に形成したが、凹部17の底面にお
いて回路部品13を囲むように形成してもよい。このよ
うなハイブリッドモジュールについて図11を参照して
説明する。図11は樹脂を取り除いた第1の実施形態に
かかる他のハイブリッドモジュールの主面側の平面図で
ある。
は、金属壁81が回路部品13を囲むように形成されて
いる。すなわち、4片の金属壁81a〜81dが回路部
品13の四方を囲むように形成されている。回路部品1
3は金属壁81によって囲まれた閉じた平面内に実装さ
れている。この金属壁81の材質や形成方法について
は、前記金属壁22と同様である。また、回路基板11
や回路部品13等の他の構成については、前述したハイ
ブリッドモジュール10と同様である。
は、回路部品13の周囲に金属壁81が形成されている
ので、放熱性がさらに向上したものとなる。また、凹部
17内のシールド効果がさらに向上したものとなる。つ
まり、放熱性が良好であるとともに高周波回路に適した
ハイブリッドモジュールとなる。
実施形態にかかるハイブリッドモジュールについて図1
2を参照して説明する。図12は樹脂を取り除いた第2
の実施形態にかかるハイブリッドモジュールの主面側の
平面図である。なお、図において第1の実施の形態と都
道いつの部材については同一の符号を付した。
の実施の形態にかかるハイブリッドモジュール10と相
違する点は、回路部品を複数設けた点にある。すなわ
ち、図12に示すように、回路基板11の凹部17に
は、2つの回路部品91及び92が実装されている。回
路部品91及び92は、両部品間に金属壁22が配置さ
れるように実装されている。各回路部品91,92とし
ては、第1の実施の形態と同様の半導体素子が用いられ
る。また、各回路部品91,92の実装方法についても
第1の実施の形態と同様である。さらに、回路基板11
や回路部品13等の他の構成についても、前述したハイ
ブリッドモジュール10と同様である。
は、各回路部品91,92間に金属壁22が配置されて
いるので、両部品間の電気的な相互干渉を防止すること
ができる。したがって、各回路部品91,92の動作モ
ードや動作周波数が異なる場合に適している。例えば、
高周波増幅回路等に有効である。つまり、放熱性が良好
であるとともに高周波回路に適したハイブリッドモジュ
ールとなる。
部17の底面に立設するように形成し、金属壁22と金
属膜21とは直接接合していないが、図7〜図9を参照
して前述したように、金属壁と金属膜21と導電接続す
るように形成していもよい。この場合には、各回路部品
91,92の間に金属壁を形成すれば、さらに、両部品
間の電気的な相互干渉を防止することができる。また、
回路部品は2個以上実装するようにしてもよい。
実施形態にかかるハイブリッドモジュールについて図1
3を参照して説明する。図13は樹脂を取り除いた第3
の実施形態にかかるハイブリッドモジュールの主面側の
平面図である。なお、図において第1の実施の形態と都
道いつの部材については同一の符号を付した。
1の実施の形態にかかるハイブリッドモジュール10と
相違する点は、凹部17の壁面には金属膜を形成してい
ない点にある。回路基板11や回路部品13等の他の構
成についても、前述したハイブリッドモジュール10と
同様である。
によれば、第1の実施の形態と比較すると、金属膜によ
る放熱性の向上及びシールド効果の向上は図れない。し
かしながら、金属壁22により回路部品13の放熱性が
向上したものとなる。また、金属22による凹部17内
のシールド効果が向上したものとなる。つまり、放熱性
が良好であるとともに高周波回路に適したハイブリッド
モジュールとなる。
実施形態にかかるハイブリッドモジュールについて図1
4を参照して説明する。図14は第4の実施形態にかか
るハイブリッドモジュールの断面図である。なお、図に
おいて第1の実施の形態と同一の部材については同一の
符号を付した。
1の実施の形態にかかるハイブリッドモジュール10と
相違する点は、凹部17に形成した金属壁111にあ
る。すなわち、金属壁111は、回路基板11の主面1
6にまで達しない高さに形成されている。したがって、
ハイブリッドモジュール110を親回路基板に実装する
際には、金属壁111が直接親回路基板に当接すること
がない。回路基板11や回路部品13等の他の構成につ
いても、前述したハイブリッドモジュール10と同様で
ある。
によれば、第1の実施の形態と比較すると、金属壁11
1による放熱性及びシールド効果は低下したものとな
る。しかしながら、金属壁111を形成していない場合
と比較すると、金属壁111が絶縁性樹脂25よりも熱
伝導率が高いことから、回路部品13の放熱効率が向上
したものとなる。また、金属壁111を形成していない
場合と比較すると、金属壁111により凹部17内のシ
ールド効果も発揮される。つまり、放熱性が良好である
とともに高周波回路に適したハイブリッドモジュールと
なる。
よれば、回路基板の凹部に金属壁が形成されているの
で、凹部に実装された回路部品に発生する熱が、凹部に
充填された樹脂を介して金属壁に伝導する。したがっ
て、熱伝導性の良好な金属壁により、回路部品の放熱効
率が向上する。また、金属壁のシールド効果により、高
周波回路に適したものとなる。
の凹部底面に金属壁と接合するグランドパターンが形成
されているので、回路部品に発生する熱がこのグランド
パターンを介して前記金属壁に伝導する。したがって、
放熱性がさらに向上する。また、凹部内におけるシール
ド効果が向上するので、さらに高周波回路に適したもの
となる。
路部品が凹部底面のグランドパターンと接合している、
回路部品に発生する熱が効率的にグランドパターンに伝
導する。したがって、さらに放熱効率が向上したものと
なる。
板の凹部壁面に金属膜が形成されているので、この金属
膜を介して回路部品に発生する熱を放熱することができ
る。したがって、さらに放熱効率が向上したものとな
る。また、この金属膜により凹部内におけるシールド効
果が向上するので、さらに高周波回路に適したものとな
る。
属壁の少なくとも一端が前記金属膜と接合しているの
で、金属壁及び金属膜によるシールド効果が向上する。
したがって、さらに高周波回路に適したものとなる。
品が金属壁に囲まれているので、回路部品のシールド性
が向上する。これにより、さらに高周波回路に適したも
のとなる。
回路部品の間に前記金属壁が形成されているので、各回
路部品間のシールド効果により相互干渉を軽減すること
ができる。したがって、ハイブリッドモジュールにおけ
る回路の特性を向上させることができる。
イブリッドモジュールを親回路基板に実装した際に金属
壁が親回路基板に当接するので、回路部品に発生する熱
を金属壁を介して親回路基板に放熱することができる。
また、金属壁を親回路基板のグランドパターンに接続す
れば、金属壁によるシールド効果が向上するので、さら
に高周波回路に適したものとなる。
ルを主面側から見た外観斜視図
ブリッドモジュールの主面側の平面図
拡大図
ールの親回路基板への実装を説明する断面図
ハイブリッドモジュールの主面側の平面図
ハイブリッドモジュールの主面側の平面図
ハイブリッドモジュールの主面側の平面図
のハイブリッドモジュールの主面側の平面図
のハイブリッドモジュールの主面側の平面図
イブリッドモジュールの主面側の平面図
のハイブリッドモジュールの主面側の平面図
ールの断面図
面図
面断面図
110…ハイブリッドモジュール、11…回路基板、1
2…チップ状電子部品、13,91,92…回路部品、
14…絶縁体層、15…電極層、15a…グランド電
極、15b…回路電極、16…主面、17…凹部、21
…金属膜、22,41,51,61,71,81,11
1…金属壁、25…絶縁性樹脂、30…親回路基板
Claims (8)
- 【請求項1】 凹部が形成された回路基板と、該回路基
板の凹部内に実装された発熱性を有する回路部品とを備
え、回路基板の前記凹部が形成された側を親回路基板に
対向させて実装されるハイブリッドモジュールにおい
て、 前記凹部の底面には金属壁が形成され、 前記凹部には前記回路部品を封止する樹脂が充填されて
いることを特徴とするハイブリッドモジュール。 - 【請求項2】 前記凹部の底面には前記金属壁と接合す
るグランドパターンが形成されていることを特徴とする
請求項1記載のハイブリッドモジュール。 - 【請求項3】 前記回路部品は、前記グランドパターン
と接合していることを特徴とする請求項2記載のハイブ
リッドモジュール。 - 【請求項4】 前記凹部の壁面には金属膜が形成されて
いることを特徴とする請求項1〜3何れか1項記載のハ
イブリッドモジュール。 - 【請求項5】 前記金属壁の少なくとも一端が前記金属
膜と接合していることを特徴とする請求項4記載のハイ
ブリッドモジュール。 - 【請求項6】 前記回路部品は、前記凹部の底面におい
て前記金属壁に囲まれていることを特徴とする請求項1
〜5何れか1項記載のハイブリッドモジュール。 - 【請求項7】 前記回路部品を複数備え、 凹部に実装された回路部品の間には前記金属壁が形成さ
れていることを特徴とする請求項1〜6何れか1項記載
のハイブリッドモジュール。 - 【請求項8】 前記金属壁は、親回路基板と対向する面
が前記回路基板の親回路基板と対向する面と同一面上に
配置されるよう形成されていることを特徴とする請求項
1〜7何れか1項記載のハイブリッドモジュール。
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---|---|---|---|
JP35268098A JP3715120B2 (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | ハイブリッドモジュール |
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JP35268098A JP3715120B2 (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | ハイブリッドモジュール |
Publications (2)
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JP3715120B2 JP3715120B2 (ja) | 2005-11-09 |
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---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US11374598B2 (en) | 2019-10-31 | 2022-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Radio frequency module and communication device |
-
1998
- 1998-12-11 JP JP35268098A patent/JP3715120B2/ja not_active Expired - Fee Related
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