WO2018164160A1 - モジュール - Google Patents

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sealing resin
resin layer
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裕太 森本
野村 忠志
元彦 楠
了 小松
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a module in which a component that generates heat is mounted on a substrate and has a heat dissipation structure.
  • heat dissipation measures may be taken in order to suppress adverse effects on the components due to heat generation.
  • a module with such a heat dissipation measure for example, there is a semiconductor device 100 described in Patent Document 1 shown in FIG.
  • the semiconductor device 100 is held on the semiconductor element mounting surface 101a of the multilayer wiring substrate 101 by the multilayer wiring substrate 101, the conductive leads 102, and the conductive leads 102, and has a circuit formation surface 103a and an anti-circuit formation surface 103b. Except for the semiconductor element 103 and the anti-circuit formation surface 103b of the semiconductor element 103, the conductive lead 102 and the resin 104 provided to seal the semiconductor element 103 are bonded to the anti-circuit formation surface 103b of the semiconductor element 103.
  • the heat radiation fin 105 is provided. The heat dissipation fin 105 is used to improve the heat dissipation effect of the semiconductor device 100.
  • the semiconductor device 100 since the heat dissipation fin 105 protrudes from the surface opposite to the surface of the resin 104 facing the semiconductor element mounting surface 101a, the semiconductor device 100 becomes large. is there.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a module capable of realizing a low profile while maintaining sufficient heat dissipation.
  • a module of the present invention includes a substrate, a first component that generates heat mounted on one main surface of the substrate, and is mounted on the one main surface.
  • Heat transfer connected to the second component lower than the temperature rise during operation of the first component, the opposite surface opposite to the mounting surface of the first component, and the opposite surface opposite to the mounting surface of the second component
  • the heat transfer member is provided to connect the opposite surface of the first component and the opposite surface of the second component, for example, the heat transfer member is disposed only on the opposite surface of the first component.
  • the capacity of the heat transfer member can be increased as compared with the case where this is done, and thereby sufficient heat dissipation can be obtained.
  • the first component is connected to the second component via the heat transfer member, the heat generated by the first component can be released from the heat transfer member to the second component, thereby further improving the heat dissipation effect. Improvement is achieved.
  • the height from one main surface to the highest surface of a heat-transfer member is below the height from one main surface to the highest surface of a sealing resin layer, the height reduction of a module is achieved.
  • the highest surface of the heat transfer member may be exposed from the highest surface of the sealing resin layer. According to this configuration, since the heat transfer member is exposed from the sealing resin layer, heat can be released to the outside from the exposed portion of the heat transfer member, thereby further improving the heat dissipation effect.
  • the height from the one main surface to the opposite surface of the first component is different from the height from the one main surface to the opposite surface from the second component, and the heat transfer member is connected to the first component and the first component.
  • the thickness of the heat transfer member on the first component and the second component so that the highest surface of the heat transfer member is substantially parallel to the one main surface when connected to the second component.
  • the thickness of the heat transfer member may be set. According to this configuration, the first component and the second component having different heights can be connected, and the heat generated by the first component can be released to the second component having a different height from the first component.
  • a heat conductive paste may be used as the heat transfer member. According to this configuration, by using the heat conductive paste as the heat transfer member, the first component and the second component having different heights can be easily connected, and the heat generated by the first component is the first component. It is possible to escape to the second parts having different heights.
  • the heat transfer member may be a wiring board, and may further include a connection member that connects the board and the wiring board. According to this configuration, since the heat generated by the first component can be released to the substrate via the wiring substrate and the connection member, the heat dissipation effect can be further improved. Further, since the wiring board can be used as both a heat radiating member and a wiring member, the module can be reduced in size.
  • a shield layer that covers at least the surface of the sealing resin layer and the side surface of the substrate may be further provided. According to this configuration, the heat generated by the first component can be released from the shield layer to the substrate, thereby further improving the heat dissipation effect.
  • the heat transfer member is provided to connect the opposite surface of the first component and the opposite surface of the second component, for example, the heat transfer member is disposed only on the opposite surface of the first component.
  • the capacity of the heat transfer member can be increased as compared with the case where this is done, and thereby sufficient heat dissipation can be obtained.
  • the first component is connected to the second component via the heat transfer member, the heat generated by the first component can be released from the heat transfer member to the second component, thereby further improving the heat dissipation effect. Improvement is achieved.
  • the height from one main surface to the highest surface of a heat-transfer member is below the height from one main surface to the highest surface of a sealing resin layer, the height reduction of a module is achieved.
  • (A) is sectional drawing of the module which concerns on the modification 1 of 5th Embodiment of this invention
  • (b) is sectional drawing of the module which concerns on the modification 2 of 5th Embodiment of this invention
  • (c ) Is a cross-sectional view of a module according to Modification 3 of the fifth embodiment of the present invention. It is sectional drawing of the conventional module.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the module 1 according to the first embodiment.
  • the module 1 according to the first embodiment is mounted on, for example, a mother board of an electronic device.
  • the module 1 includes a substrate 2 having a land electrode 8 formed on one main surface 2a, and a first component 3 and a first component 3 mounted on the one main surface 2a so that connection terminals are connected to the land electrode 8 by solder 9.
  • the two components 4, the opposite surface (upper surface 3 a) opposite to the mounting surface of the first component 3, and the opposite surface (upper surface 4 a) opposite to the mounting surface of the second component 4 are connected via the adhesive member 5.
  • a sealing resin layer 7 for sealing the one main surface 2a, the first component 3, the second component 4, and the metal block 6.
  • the substrate 2 is formed of, for example, low temperature co-fired ceramics or glass epoxy resin.
  • a plurality of land electrodes 8 are formed on one main surface 2 a of the substrate 2, a plurality of external electrodes (not shown) are formed on the other main surface 2 b, and a plurality of ground electrodes and a plurality of ground electrodes are formed on the surface layer and the inner layer of the substrate 2.
  • a wiring electrode, a plurality of via conductors, and the like are formed. Each ground electrode is formed so as to be exposed from the side surface of the substrate 2, for example.
  • Each land electrode, each external electrode, each ground electrode, and each wiring electrode are each formed of a metal generally employed as an electrode such as Cu, Ag, or Al.
  • Each via conductor is formed of a metal such as Ag or Cu.
  • the first component 3 is a component that generates heat, and examples of the first component 3 include active components such as an IC and a power amplifier.
  • the first component 3 is mounted on the one main surface 2 a of the substrate 2 by connecting the connection terminals to the land electrodes 8 formed on the one main surface 2 a of the substrate 2 using the solder 9.
  • the second component 4 is a component that does not generate heat compared to the first component 3, and has a temperature rise due to heat generation during operation that is lower than the temperature rise due to heat generation during operation of the first component 3.
  • Passive parts such as The second component 4 is mounted on the one main surface 2 a of the substrate 2 by connecting the connection terminals to the land electrodes 8 formed on the one main surface 2 a of the substrate 2 using the solder 9.
  • the height up to the opposite surface (hereinafter referred to as “upper surface”) 4a opposite to the mounting surface 4 is the same.
  • the upper surface 3a of the first component 3 and the upper surface 4a of the second component 4 are on the same plane.
  • the metal block 6 is placed from the upper surface 3a of the first component 3 to the upper surface 4a of the second component 4 by being bonded to the upper surface 3a of the first component 3 and the upper surface 4a of the second component 4 by the adhesive member 5.
  • the metal block 6 connects the first component 3 and the second component 4 via the adhesive member 5. That is, one metal block is in contact with both the first part 3 and the second part 4.
  • the metal block 6 is formed by inserting the module 1 from a direction perpendicular to the opposite surface (hereinafter referred to as “upper surface”) 7 a opposite to the opposite surface facing the one main surface 2 a of the sealing resin layer 7.
  • the metal block 6 is a metal plate such as a plate-like copper plate, and conducts heat.
  • the adhesive member 5 is, for example, a heat conductive adhesive or solder that conducts heat. For this reason, the heat generated by the first component 3 can be released to the second component 4 via the adhesive member 5, the metal block 6, and the adhesive member 5.
  • the metal block 6 corresponds to the “heat transfer member” of the present invention.
  • the metal block 6 is mounted when the metal block 6 is mounted.
  • the thickness of the metal block 6 is changed between the first region on the first part 3 and the second region on the second part 4 so that the upper surface 6a of the member 6 is substantially parallel to the one main surface 2a, or
  • the thickness of the adhesive member 5 may be changed between the first region on the first component 3 and the second region on the second component 4.
  • a material having high thermal conductivity such as AIN may be used as the heat transfer member.
  • AIN a material having high thermal conductivity such as AIN
  • a heat conductive sheet may be provided, or a metal film may be provided from the upper surface 3a of the first component 3 to the upper surface 4a of the second component 4 by plating or sputtering.
  • the sealing resin layer 7 is sealed so as to cover the one main surface 2 a of the substrate 2, the first component 3, the second component 4, and the metal block 6.
  • the sealing resin layer 7 has an opposite surface (hereinafter, referred to as “upper surface”) 6 a opposite to the opposing surface facing the first component 3 and the second component 4 of the metal block 6. Covering. That is, the height from the one main surface 2a to the upper surface 6a of the metal block 6 is less than the height from the one main surface 2a to the upper surface 7a of the sealing resin layer 7, and the metal block 6 is the sealing resin layer 7. It is buried in.
  • the sealing resin layer 7 can be formed of a resin generally employed as a sealing resin such as an epoxy resin containing a silica filler.
  • a filler with high heat conductivity such as an alumina filler, can also be used for high heat conduction.
  • the upper surface 7a of the sealing resin layer 7 corresponds to “the highest surface of the sealing resin layer” in the present invention
  • the upper surface 6a of the metal block 6 corresponds to “the highest surface of the heat transfer member” in the present invention. .
  • Module manufacturing method Next, a method for manufacturing the module 1 will be described. In the first embodiment, after an assembly of a plurality of modules 1 is formed, the module 1 is manufactured by being separated into pieces.
  • a plurality of land electrodes 8 are formed on one main surface 2a, a plurality of external electrodes are formed on the other main surface 2b, and a plurality of ground electrodes, a plurality of wiring electrodes, a plurality of ground electrodes, An assembly of the substrate 2 on which a plurality of via conductors and the like are formed is prepared.
  • Each land electrode 8, each external electrode, each ground electrode, and each wiring electrode can be formed by screen printing a conductive paste containing a metal such as Cu, Ag, or Al.
  • Each via conductor can be formed by a well-known method after forming a via hole using a laser or the like.
  • the first component 3 and the second component 4 are mounted on the one main surface 2a of the substrate 2 using a known surface mounting technique.
  • the solder 9 is formed on the desired land electrode 8 of the land electrodes 8 of the substrate 2, and the first component 3 and the land 9 are formed on the corresponding land electrode 8 of the land electrodes 8 on which the solder 9 is formed.
  • a reflow process is performed. Note that the assembly of the substrates 2 is cleaned as necessary after the reflow process.
  • the adhesive member 5 is applied to each of the upper surface 3 a of the first component 3 and the upper surface 4 a of the second component 4.
  • the metal block 6 is arranged on the upper surface 3a of the first component 3 and the upper surface 4a of the second component 4 to which the adhesive member 5 is applied.
  • the metal block 6 is a metal plate such as a plate-like copper plate, and conducts heat.
  • the adhesive member 5 is, for example, a heat conductive adhesive or solder that conducts heat.
  • the sealing resin is applied to the one main surface 2a of the substrate 2 so as to cover the one main surface 2a of the substrate 2, the first component 3 and the second component 4 mounted on the one main surface 2a, and the metal block 6.
  • Layer 7 is formed.
  • a transfer mold method, a compression mold method, a liquid resin method, a sheet resin method, or the like can be used.
  • a general epoxy resin containing silica filler can be used for the sealing resin layer 7.
  • an epoxy resin containing a filler having a high thermal conductivity such as an alumina filler can be used for the sealing resin layer 7.
  • plasma cleaning of the substrate 2 is performed as necessary.
  • the module 1 is separated into pieces by a known method such as dicer or laser processing.
  • the metal block 6 is provided so as to connect the upper surface 3 a of the first component 3 and the upper surface 4 a of the second component 4 via the adhesive member 5. For this reason, for example, when the module 1 is viewed from a direction perpendicular to the upper surface 7 a of the sealing resin layer 7, a heat transfer member having the same size as the upper surface 3 a of the first component 3 is disposed on the upper surface 3 a of the first component 3. Compared to the case, the capacity of the metal block 6 can be increased, thereby improving the heat dissipation effect.
  • the first component 3 is connected to the second component 4 via the adhesive member 5 and the metal block 6, the heat generated by the first component 3 is transmitted via the adhesive member 5, the metal block 6 and the adhesive member 5.
  • the second component 4 can be escaped, thereby further improving the heat dissipation effect.
  • the stability of the module operation is improved in addition to the heat dissipation effect.
  • the metal block 6 is embedded in the sealing resin layer 7, the module 1 can be reduced in height.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the module 1a according to the second embodiment.
  • the module 1a according to the second embodiment differs from the module 1 according to the first embodiment described with reference to FIG. 1 in that the upper surface 6a of the metal block 6 is exposed from the sealing resin layer 20 as shown in FIG. This is the point. Since other configurations are the same as those of the module 1 according to the first embodiment, the description thereof is omitted by giving the same reference numerals.
  • the sealing resin layer 20 is sealed so as to cover the one main surface 2 a of the substrate 2, the first component 3, the second component 4, and the metal block 6 except for the upper surface 6 a of the metal block 6.
  • the upper surface 6 a of the metal block 6 is exposed from the sealing resin layer 20. That is, the height from the one main surface 2a to the upper surface 6a of the metal block 6 is the opposite surface (hereinafter referred to as “upper surface”) from the one main surface 2a to the opposite surface facing the one main surface 2a of the sealing resin layer 20.
  • the metal block 6 is embedded so that the upper surface 6a of the metal block 6 is exposed from the upper surface 20a of the sealing resin layer 20.
  • the sealing resin layer 20 can be formed of a resin that is generally employed as a sealing resin such as an epoxy resin containing a silica filler. Moreover, a filler with high heat conductivity, such as an alumina filler, can also be used for high heat conduction.
  • the sealing resin layer 20 can be formed as follows, for example.
  • One main surface 2a of the substrate 2, the first component 3 and the second component 4 mounted on the one main surface 2a, and the metal block 6 are covered with a sealing resin layer ( (Corresponding to the sealing resin layer 7 in FIG. 1).
  • a sealing resin layer (Corresponding to the sealing resin layer 7 in FIG. 1).
  • resin is removed, and this removal is performed until the upper surface 6a of the metal block 6 is exposed,
  • the sealing resin layer 20 is formed.
  • a UV laser, a CO 2 laser, a Green laser, or the like can be used as the laser.
  • a known grinding method such as polishing may be used instead of laser irradiation.
  • the upper surface 20a of the sealing resin layer 20 corresponds to “the highest surface of the sealing resin layer” in the present invention
  • the upper surface 6a of the metal block 6 corresponds to “the highest surface of the heat transfer member” in the present invention.
  • the same effect as that of the module 1 of the first embodiment can be obtained, and the upper surface 6a of the metal block 6 is exposed from the upper surface 20a of the sealing resin layer 20, so that the metal block Heat can be released from the exposed portion 6 to the outside, thereby further improving the heat dissipation effect.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the module 1b according to the third embodiment.
  • the module 1b according to the third embodiment is different from the module 1 according to the first embodiment described with reference to FIG. 1 in that the metal block 6 is replaced with a wiring board 30 as shown in FIG. This is that a plurality of connection members 31 for connecting the substrate 2 are provided. Since other configurations are the same as those of the module 1 according to the first embodiment, the description thereof is omitted by giving the same reference numerals.
  • the wiring board 30 is formed of, for example, low temperature co-fired ceramics or glass epoxy resin.
  • a plurality of electrodes (land electrodes and the like) (not shown) are formed on the one main surface 30a and the other main surface 30b of the wiring board 30, and a plurality of ground electrodes, a plurality of wiring electrodes 32, In addition, a plurality of via conductors are formed.
  • various electrodes of the wiring board 30 can be connected between components (for example, And between the first component 3 and the second component 4).
  • the other main surface 30 b of the wiring board 30 is bonded to the upper surface 3 a of the first component 3 by the adhesive member 5 and is bonded to the upper surface 4 a of the second component 4 by the adhesive member 5. It is placed from 3 a to the upper surface 4 a of the second component 4. Thereby, the wiring board 30 connects the first component 3 and the second component 4 via the adhesive member 5.
  • the wiring board 30 includes, for example, the first region overlapping the upper surface 3a of the first component 3 and the upper surface 4a of the second component 4 when viewed from the direction perpendicular to the upper surface 7a of the sealing resin layer 7. It exists in the area
  • the wiring board 30 corresponds to the “heat transfer member” of the present invention.
  • connection member 31 is connected to one main surface 2 a of the substrate 2 and is connected to the other main surface 30 b of the wiring substrate 30.
  • Each connection member 31 is for transmitting the heat generated by the first component 3 from the wiring board 30 to the board 2 and is, for example, a metal such as copper that conducts heat.
  • the connection member 31 may also have a function of electrically connecting the wiring board 30 and the board 2.
  • you may change a material for every connection member, such as a part of connection member 31 being an insulating material.
  • it is good also as a structure which has a some electrically conductive part mutually insulated by the insulation part, combining a metal material and an insulating material in the inside of one connection member 31.
  • the connection member 31 may have a columnar shape, a flat plate shape, a bent plate shape, or the like.
  • the sealing resin layer 7 is sealed so as to cover the one main surface 2 a of the substrate 2, the first component 3, the second component 4, the wiring substrate 30, and each connection member 31.
  • the sealing resin layer 7 covers one main surface 30 a of the wiring substrate 30. That is, the height from the one main surface 2a to the one main surface 30a of the wiring substrate 30 is less than the height from the one main surface 2a to the upper surface 7a of the sealing resin layer 7, and the wiring substrate 30 is made of the sealing resin.
  • the upper surface 7a of the sealing resin layer 7 corresponds to the “highest surface of the sealing resin layer” of the present invention
  • the one main surface 30a of the wiring board 30 corresponds to the “highest surface of the heat transfer member” of the present invention. Equivalent to.
  • the wiring board 30 is provided so as to connect the upper surface 3a of the first component 3 and the upper surface 4a of the second component 4 via the adhesive member 5, for example,
  • the module 1 b is viewed from a direction perpendicular to the upper surface 7 a of the sealing resin layer 7, compared to the case where a heat transfer member having the same size as the upper surface 3 a of the first component 3 is disposed on the upper surface 3 a of the first component 3.
  • the capacity of the wiring board 30 can be increased, thereby improving the heat dissipation effect.
  • the first component 3 is connected to the second component 4 via the adhesive member 5 and the wiring substrate 30, the heat generated by the first component 3 is transmitted via the adhesive member 5, the wiring substrate 30 and the adhesive member 5.
  • the second component 4 can be escaped, thereby further improving the heat dissipation effect.
  • the stability of the module operation is improved in addition to the heat dissipation effect.
  • the first component 3 is connected to the substrate 2 via the adhesive member 5, the wiring substrate 30 and the connection member 31, the heat generated by the first component 3 is generated by the adhesive member 5, the wiring substrate 30 and the connection member 31.
  • the heat dissipation effect can be further improved.
  • the wiring board 30 is embedded in the sealing resin layer 7, the module 1b can be reduced in height.
  • the wiring board 30 can be used as both a heat radiating member and a wiring member, the module 1b can be downsized.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a module 1c according to Modification 1 of the third embodiment.
  • the module 1c according to the first modification of the third embodiment is different from the module 1b according to the third embodiment described with reference to FIG. 3 in that the one main surface 30a of the wiring board 30 is sealed as shown in FIG. It is a point exposed from the stop resin layer 20. Since the other configuration is the same as that of the module 1b according to the third embodiment, the description thereof is omitted by giving the same reference numerals.
  • the sealing resin layer 20 is sealed so as to cover the one main surface 2 a of the substrate 2, the first component 3, the second component 4, and the wiring substrate 30 except for the one main surface 30 a of the wiring substrate 30.
  • the one main surface 30 a of the wiring substrate 30 is exposed from the sealing resin layer 20. That is, the height from the one main surface 2a to the one main surface 30a of the wiring board 30 is the same as the height from the one main surface 2a to the upper surface 20a of the sealing resin layer 20, and the wiring board 30 has the one main surface.
  • the surface 30 a is embedded so as to be exposed from the upper surface 20 a of the sealing resin layer 20.
  • the upper surface 20a of the sealing resin layer 20 corresponds to “the highest surface of the sealing resin layer” in the present invention
  • the one main surface 30a of the wiring board 30 corresponds to “the highest surface of the heat transfer member” in the present invention. Equivalent to.
  • the same effect as that of the module 1b of the third embodiment can be obtained, and the one main surface 30a of the wiring board 30 is exposed from the upper surface 20a of the sealing resin layer 20. Therefore, heat can be released to the outside from the exposed portion of the wiring board 30, thereby further improving the heat dissipation effect.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the module 1d according to the fourth embodiment.
  • the module 1d according to the fourth embodiment is different from the module 1 according to the first embodiment described with reference to FIG. 1 in that the height of the first component 3 and the second component 40 is high as shown in FIG.
  • the metal blocks 6 that connect the first component 3 and the second component 40 are replaced with the heat conductive paste 41, and the heat conductive paste 41 is exposed from the sealing resin layer 42. Since other configurations are the same as those of the module 1 according to the first embodiment, the description thereof is omitted by giving the same reference numerals.
  • the second component 40 is a component that does not generate heat compared to the first component 3 and has a temperature rise due to heat generation during operation that is lower than the temperature rise due to heat generation during operation of the first component 3.
  • Passive parts such as The second component 40 is mounted on the one main surface 2 a of the substrate 2 by connecting the connection terminals to the land electrodes 8 formed on the one main surface 2 a of the substrate 2 using the solder 9.
  • the heat conductive paste 41 is provided from the upper surface 3a of the first component 3 to the upper surface 40a of the second component 40 so as to contact the upper surface 3a of the first component 3 and to contact the upper surface 40a of the second component 40. .
  • the heat conductive paste 41 connects the first component 3 and the second component 40.
  • the heat conductive paste 41 is, for example, the first component 3 when viewed from the direction perpendicular to the opposite surface (upper surface 42a) opposite to the opposite surface facing the one main surface 2a of the sealing resin layer 42 when viewed from the module 1d.
  • the first region overlaps the upper surface 3a of the second part 40
  • the second region overlaps the upper surface 40a of the second component 40, and the region including the region between the first region and the second region.
  • the heat conductive paste 41 is a metal paste such as an Ag paste that conducts heat.
  • the heat conductive paste 41 corresponds to the “heat transfer member” of the present invention.
  • the sealing resin layer 42 is sealed so as to cover the one main surface 2 a of the substrate 2, the first component 3, the second component 40, and the heat conductive paste 41 except for the upper surface 41 a of the heat conductive paste 41.
  • the upper surface 41 a of the heat conductive paste 41 is exposed from the sealing resin layer 42. That is, the height from the one main surface 2a to the upper surface 41a of the heat conductive paste 41 is the same as the height from the one main surface 2a to the upper surface 42a of the sealing resin layer 42, and the heat conductive paste 41 has its upper surface. 41 a is embedded so as to be exposed from the upper surface 42 a of the sealing resin layer 42.
  • the sealing resin layer 42 can be formed of a resin generally employed as a sealing resin such as an epoxy resin containing a silica filler. Moreover, a filler with high heat conductivity, such as an alumina filler, can also be used for high heat conduction.
  • the upper surface 42a of the sealing resin layer 42 corresponds to “the highest surface of the sealing resin layer” of the present invention
  • the upper surface 41a of the heat conductive paste 41 corresponds to “the highest surface of the heat transfer member” of the present invention.
  • Module manufacturing method Next, a method for manufacturing the module 1d will be described.
  • the module 1d is manufactured by being separated into pieces.
  • an assembly of the substrates 2 is prepared, and the first component 3 and the second component 40 are attached to the one main surface 2a of the substrate 2 using a known surface mounting technique.
  • a temporary sealing resin layer (on the one main surface 2a of the substrate 2 is covered so as to cover the one main surface 2a of the substrate 2 and the first component 3 and the second component 40 mounted on the one main surface 2a.
  • a sealing resin layer that becomes the sealing resin layer 42 is formed by removing a predetermined portion of the resin.
  • the temporary sealing resin is viewed from the direction perpendicular to the one main surface 2a so that the upper surface 3a of the first component 3 is exposed and the upper surface 40a of the second component 40 is exposed.
  • the resin is removed by performing laser irradiation or the like on the region from the upper surface 3a of the first component 3 to the upper surface 40a of the second component 40 of the layer.
  • the sealing resin layer 42 is formed.
  • the resin to be removed The resin is removed so as not to reach the one main surface 2a of the substrate 2.
  • a UV laser, a CO 2 laser, a Green laser, or the like can be used as the laser.
  • the heat conductive paste 41 is filled in the portion where the resin is removed, and the heat conductive paste 41 is cured.
  • the heat conductive paste 41 is a metal paste such as an Ag paste that conducts heat.
  • the module 1d is separated into pieces by a known method such as dicer or laser processing.
  • the heat conductive paste 41 is provided so as to connect the upper surface 3a of the first component 3 and the upper surface 40a of the second component 40, for example, the upper surface of the sealing resin layer 42.
  • the capacity of the heat conductive paste 41 is larger than that in the case where the heat transfer member having the same size as the upper surface 3a of the first component 3 is disposed on the upper surface 3a of the first component 3. This can increase the heat dissipation effect.
  • the first component 3 is connected to the second component 40 via the heat conductive paste 41, the heat generated by the first component 3 can be released to the second component 40 via the heat conductive paste 41.
  • the heat dissipation effect can be further improved.
  • the heat conductive paste 41 is embedded in the sealing resin layer 42, the height of the module 1d can be reduced. Further, by using the heat conductive paste 41, the first component 3 and the second component 40 having different heights can be easily connected, and the heat generated by the first component 3 is heightened with the first component 3. It is possible to escape to different second parts 40.
  • the first component 3 that generates heat is taller than the second component 40 that does not generate heat compared to the first component 3, but the contents of the fourth embodiment also apply to the reverse case. be able to.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the module 1e according to the fifth embodiment.
  • the module 1e according to the fifth embodiment differs from the module 1 according to the first embodiment described with reference to FIG. 1 in that the surface of the sealing resin layer 7 (the sealing resin before shielding) as shown in FIG.
  • the shield layer 15 is provided so as to cover the exposed portion of the layer 7 and the side surface of the substrate 2. Since other configurations are the same as those of the module 1 according to the first embodiment, the description thereof is omitted by giving the same reference numerals.
  • the shield layer 15 is provided so as to cover the surface of the sealing resin layer 7 (exposed portion of the sealing resin layer 7 before shielding) and the side surface of the substrate 2.
  • the shield layer 15 reduces the unwanted electromagnetic waves radiated from the external device from reaching the first component 3, the second component 4 and the wiring electrodes of the module 1e, or the first component 3 and the second component 2 of the module 1e. This is to reduce the leakage of unnecessary electromagnetic waves radiated from the component 4 and each wiring electrode to the outside. Further, the shield effect can be improved by contacting the shield layer 15 with a ground electrode (not shown) exposed from the side surface of the substrate 2.
  • the shield layer 15 is, for example, a multilayer structure having an adhesion layer laminated on the surface of the sealing resin layer 7 and the side surface of the substrate 2, a conductive layer laminated on the adhesion layer, and a corrosion-resistant layer laminated on the conductive layer. Can be formed.
  • the adhesion layer is provided to increase the adhesion strength between the conductive layer and the sealing resin layer 7 or the like, and can be formed of a metal such as SUS, for example.
  • the conductive layer is a layer that bears a substantial shielding function of the shield layer 15 and can be formed of any one of Cu, Ag, and Al, for example.
  • the conductive layer itself is not limited to a single material, and may have a multilayer structure in which a plurality of materials are stacked.
  • the corrosion resistant layer is provided to prevent the conductive layer from being corroded or scratched, and can be formed of, for example, SUS.
  • a sputtering method, a vapor deposition method, a paste coating method, or the like can be used to form the shield layer 15.
  • the same effects as those of the module 1 of the first embodiment can be obtained, and the heat generated by the first component 3 can be released from the shield layer 15 to the substrate 2, thereby radiating heat.
  • the effect is further improved.
  • FIG. 7A is a cross-sectional view of a module 1f according to Modification 1 of the fifth embodiment.
  • the module 1f in Modification 1 of the fifth embodiment is similar to the module 1a of the second embodiment in that the surface of the sealing resin layer 20 (exposed portion of the sealing resin layer 20 before shielding) and the upper surface 6a of the metal block 6 ( The shield layer 15 is provided so as to cover the exposed portion of the metal block 6 before shielding and the side surface of the substrate 2.
  • FIG. 7B is a cross-sectional view of a module 1g according to Modification 2 of the fifth embodiment.
  • the module 1g in Modification 2 of the fifth embodiment covers the surface of the sealing resin layer 7 (the exposed portion of the sealing resin layer 7 before shielding) and the side surface of the substrate 2 on the module 1b of the third embodiment.
  • the shield layer 15 is provided.
  • FIG.7 (c) is sectional drawing of the module 1h which concerns on the modification 3 of 5th Embodiment.
  • the module 1h in the third modification of the fifth embodiment is similar to the module 1c of the first modification of the third embodiment in that the surface of the sealing resin layer 20 (exposed portion of the sealing resin layer 20 before shielding) and the wiring board 30 are used.
  • the shield layer 15 is provided so as to cover one main surface 30a (exposed portion of the wiring substrate 30 before shielding) and the side surface of the substrate 2.
  • the connection member 31 may not be provided in the third modification of the fifth embodiment.
  • the shield layer 15 corresponds to the “heat transfer member” of the present invention and also corresponds to the “shield layer” of the present invention.
  • the heat generated by the first component 3 can be released from the shield layer 15 to the substrate 2, thereby further improving the heat dissipation effect.
  • first parts 3 and second parts 4 there may be a plurality of first parts 3 and second parts 4 respectively.
  • the part to be thermally insulated may not be connected to the heat transfer member.
  • the thermal conductivity of the heat transfer member varies depending on the location, for example, the thermal conductivity of the heat transfer member is lowered only on the component that is to be thermally insulated, and the component that is to be thermally insulated A heat transfer member may be connected.
  • the heat transfer member may be divided into a plurality of parts.
  • the heat transfer member when the heat transfer member is divided into two or more, for example, one is the first embodiment, and the other is the third embodiment. May be. Further, even if there is only one heat transfer member, for example, a configuration in which the portion of the first embodiment and the portion of the third embodiment are integrated, and a plurality of embodiments are combined and integrated in the conductive member. It is good also as the structure which carried out.
  • the wiring board 30 is mounted.
  • the thickness of the wiring board 30 is set so that the one main surface 30a of the wiring board 30 is substantially parallel to the one main surface 2a.
  • the thickness of the adhesive member 5 may be changed between the first region on the first part 3 and the second region on the second part 4.
  • the module 1d according to the fourth embodiment may have a configuration in which the heat transfer member according to the first embodiment is embedded in the heat conductive paste 41.
  • the module 1d in the fourth embodiment is provided with the shield layer 15 so as to cover the surface of the sealing resin layer 42, the upper surface 41a of the heat conductive paste 41, and the side surface of the substrate 2 as in the fifth embodiment. You may do it.
  • heat conductive paste 41 described in the fifth embodiment may be used as a heat transfer member for connecting the first component 3 and the second component 4 having the same height.
  • the upper surface 41a of the heat conductive paste 41 is covered using, for example, a transfer mold method, a compression mold method, a liquid resin method, a sheet resin method, or the like.
  • a sealing resin layer may be further formed.
  • the present invention can be applied to a module having a heat dissipation structure as well as a component that generates heat on a substrate.
  • Module 2 Substrate 2a One main surface 3 First part 4, 40 Second part 5 Adhesive member 6 Metal block 7, 20, 42 Sealing resin layer 15 Shield layer 30 Wiring board 31 Connecting member 41 Thermal conductive paste

Landscapes

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Abstract

放熱効果の向上を図りつつ低背化を実現することができるモジュールを提供する。 モジュール1は、基板2と、基板2の一方主面2aに実装された発熱する第1部品3と、一方主面2aに実装され、動作時の上昇温度が第1部品3の動作時の上昇温度よりも低い第2部品4と、第1部品3の一方主面2aと対向する対向面と反対側の反対面3aおよび第2部品4の一方主面2aと対向する対向面と反対側の反対面4aに接続される金属ブロック6と、一方主面2a、第1部品3、第2部品4および金属ブロック6を封止する封止樹脂層7とを備え、一方主面2aから金属ブロック6の最も高い面8aまでの高さは一方主面2aから封止樹脂層7の最も高い面7aまでの高さよりも低い。

Description

モジュール
 本発明は、基板に発熱する部品が実装されており、放熱構造を有するモジュールに関する。
 配線基板の実装面に発熱する部品が実装されたモジュールでは、発熱による部品への悪影響を抑制するために、放熱対策が施される場合がある。このような放熱対策が施されたモジュールとして、例えば、図8に示す特許文献1に記載の半導体装置100がある。
 半導体装置100は、積層配線基板101と、導電性リード102と、導電性リード102によって積層配線基板101の半導体素子搭載面101aに保持されており、回路形成面103aおよび反回路形成面103bを有する半導体素子103と、半導体素子103の反回路形成面103bを除いて、導電性リード102および半導体素子103を封止するように設けられた樹脂104と、半導体素子103の反回路形成面103bに接合された放熱用のフィン105とを有する。この放熱用のフィン105により、半導体装置100の放熱効果の向上を図っている。
特開平7-273250号公報(段落0031~0032、図6参照)
 しかしながら、上記した半導体装置100では、放熱用のフィン105が樹脂104の半導体素子搭載面101aと対向する面と反対側の面よりも突出しているため、半導体装置100が大きくなってしまうという問題がある。
 本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、十分な放熱性を維持しつつ低背化を実現することができるモジュールを提供することを目的とする。
 上記した目的を達成するために、本発明のモジュールは、基板と、前記基板の一方主面に実装された発熱する第1部品と、前記一方主面に実装され、動作時の上昇温度が前記第1部品の動作時の上昇温度よりも低い第2部品と、前記第1部品の実装面と反対側の反対面および前記第2部品の実装面と反対側の反対面に接続される伝熱部材と、前記一方主面、前記第1部品、前記第2部品および前記伝熱部材を封止する封止樹脂層とを備え、前記一方主面から前記伝熱部材の最も高い面までの高さは前記一方主面から前記封止樹脂層の最も高い面までの高さ以下であることを特徴としている。
 この構成によれば、伝熱部材は第1部品の反対面と第2部品の反対面とを接続するように設けられているため、例えば伝熱部材を第1部品の反対面上にのみ配置する場合に比べて伝熱部材の容量を大きくすることができ、これにより十分な放熱性が得られる。また、第1部品は伝熱部材を介して第2部品に接続されているため、第1部品が発した熱を伝熱部材から第2部品に逃すことができ、これにより放熱効果の更なる向上が図られる。また、一方主面から伝熱部材の最も高い面までの高さは一方主面から封止樹脂層の最も高い面までの高さ以下であるため、モジュールの低背化が図られている。
 また、前記伝熱部材の最も高い面は前記封止樹脂層の最も高い面から露出しているとしてもよい。この構成によれば、伝熱部材が封止樹脂層から露出しているため、伝熱部材の露出部分から熱を外部に逃がすことができ、これにより放熱効果の更なる向上が図られる。
 また、前記一方主面から前記第1部品の反対面までの高さと前記一方主面から前記第2部品までの反対面までの高さとは異なっており、前記伝熱部材を前記第1部品および前記第2部品と接続したときに、前記伝熱部材の最も高い面が前記一方主面と略平行になるように、前記第1部品上の前記伝熱部材の厚さと前記第2部品上の前記伝熱部材の厚さを設定するとしてもよい。この構成によれば、高さの異なる第1部品と第2部品とを接続することができ、第1部品が発した熱を第1部品と高さの異なる第2部品に逃がすことができる。
 また、前記伝熱部材として熱伝導ペーストが用いられるとしてもよい。この構成によれば、伝熱部材として熱伝導ペーストを用いることにより、高さの異なる第1部品と第2部品とを容易に接続することができ、第1部品が発した熱を第1部品と高さの異なる第2部品に逃がすことができる。
 また、前記伝熱部材は配線基板であり、前記基板と前記配線基板とを接続する接続部材を更に備えるとしてもよい。この構成によれば、第1部品が発した熱を配線基板および接続部材を介して基板に逃すことができるので、放熱効果の更なる向上が図られる。また、配線基板は放熱用の部材と配線用の部材とを兼用することが可能になるので、モジュールの小型化を実現することができる。
 また、前記封止樹脂層の表面および前記基板の側面を少なくとも被覆するシールド層を更に備えるとしてもよい。この構成によれば、第1部品が発した熱をシールド層から基板に逃がすことができ、これにより放熱効果の更なる向上が図られる。
 本発明によれば、伝熱部材は第1部品の反対面と第2部品の反対面とを接続するように設けられているため、例えば伝熱部材を第1部品の反対面上にのみ配置する場合に比べて伝熱部材の容量を大きくすることができ、これにより十分な放熱性が得られる。また、第1部品は伝熱部材を介して第2部品に接続されているため、第1部品が発した熱を伝熱部材から第2部品に逃すことができ、これにより放熱効果の更なる向上が図られる。また、一方主面から伝熱部材の最も高い面までの高さは一方主面から封止樹脂層の最も高い面までの高さ以下であるため、モジュールの低背化が図られている。
本発明の第1実施形態に係るモジュールの断面図である。 本発明の第2実施形態に係るモジュールの断面図である。 本発明の第3実施形態に係るモジュールの断面図である。 本発明の第3実施形態の変形例1に係るモジュールの断面図である。 本発明の第4実施形態に係るモジュールの断面図である。 本発明の第5実施形態に係るモジュールの断面図である。 (a)は本発明の第5実施形態の変形例1に係るモジュールの断面図であり、(b)は本発明の第5実施形態の変形例2に係るモジュールの断面図であり、(c)は本発明の第5実施形態の変形例3に係るモジュールの断面図である。 従来のモジュールの断面図である。
 <第1実施形態>
 本発明の第1実施形態に係るモジュール1について図1を参照して説明する。なお、図1は第1実施形態に係るモジュール1の断面図である。
 第1実施形態に係るモジュール1は、例えば、電子機器のマザー基板等に搭載されるものである。モジュール1は、一方主面2aにランド電極8が形成された基板2と、接続端子が半田9によりランド電極8に接続されるように、一方主面2aに実装された第1部品3および第2部品4と、第1部品3の実装面の反対側の反対面(上面3a)と第2部品4の実装面の反対側の反対面(上面4a)とを、接着部材5を介して接続する金属ブロック6と、一方主面2a、第1部品3、第2部品4および金属ブロック6を封止する封止樹脂層7とを備える。
 基板2は、例えば低温同時焼成セラミックスやガラスエポキシ樹脂等で形成される。基板2の一方主面2aには複数のランド電極8が形成され、他方主面2bには不図示の複数の外部電極が形成され、基板2の表層および内層には複数のグランド電極、複数の配線電極、および複数のビア導体等が形成されている。なお、各グランド電極は、例えば、基板2の側面から露出するように形成されている。
 各ランド電極、各外部電極、各グランド電極、および各配線電極は、それぞれ、CuやAg、Al等の電極として一般的に採用される金属で形成されている。また、各ビア導体は、AgやCu等の金属で形成されている。
 第1部品3は発熱する部品であり、第1部品3として、例えばIC、パワーアンプ等の能動部品が挙げられる。第1部品3は、接続端子が、基板2の一方主面2aに形成されたランド電極8に、半田9を用いて接続されることによって、基板2の一方主面2aに実装されている。
 第2部品4は第1部品3に比べ発熱しない、動作時の発熱による上昇温度が第1部品3の動作時の発熱による上昇温度よりも低い部品であり、第2部品4として例えばインダクタ、コンデンサ等の受動部品が挙げられる。第2部品4は、接続端子が、基板2の一方主面2aに形成されたランド電極8に、半田9を用いて接続されることによって、基板2の一方主面2aに実装されている。この第1実施形態では、一方主面2aから第1部品3の実装面の反対側の反対面(以下、「上面」と記載する。)3aまでの高さと、一方主面2aから第2部品4の実装面の反対側の反対面(以下、「上面」と記載する。)4aまでの高さは同じである。言い換えると、第1部品3の上面3aと第2部品4の上面4aとは同一面上にある。
 金属ブロック6は、第1部品3の上面3aおよび第2部品4の上面4aに、接着部材5により接着されることによって、第1部品3の上面3aから第2部品4の上面4aにかけて載置されている。これにより、金属ブロック6は第1部品3と第2部品4とを接着部材5を介して接続している。すなわち、ひとつの金属ブロックが、第1部品3と第2部品4の両方に、接触している構造となっている。なお、金属ブロック6は、例えば、封止樹脂層7の一方主面2aと対向する対向面と反対側の反対面(以下、「上面」と記載する。)7aに垂直な方向からモジュール1を見て、第1部品3の上面3aと重複する第1領域、第2部品4の上面4aと重複する第2領域、および第1領域と第2領域との間の領域を含む領域に存在する。金属ブロック6は、例えば板状の銅板等の金属板であり、熱を伝導するものである。また、接着部材5は、例えば熱を伝導する熱伝導接着剤や半田等である。このため、第1部品3が発した熱は、接着部材5、金属ブロック6、接着部材5を介して第2部品4に逃がすことができる。なお、金属ブロック6は本発明の「伝熱部材」に相当する。
 なお、一方主面2aから第1部品3の上面3aまでの高さと一方主面2aから第2部品4の上面4aまでの高さが異なる場合は、金属ブロック6を搭載したときに、金属ブロック6の上面6aが一方主面2aと略平行になるようにするため、金属ブロック6の厚さを第1部品3上の第1領域と第2部品4上の第2領域で変えるか、または、接着部材5の厚さを第1部品3上の第1領域と第2部品4上の第2領域で変えるようにしてもよい。
 なお、伝熱部材として、金属以外にもAINなどの熱伝導率が高い材料を用いてもよい。また、第1部品3の上面3aから第2部品4の上面4aにかけて接着部材5を用いて金属ブロック6を設ける代わりに、例えば、第1部品3の上面3aから第2部品4の上面4aにかけて熱伝導シートを設けるようにしてもよく、メッキやスパッタによって第1部品3の上面3aから第2部品4の上面4aにかけて金属膜を設けるようにしてもよい。
 封止樹脂層7は、基板2の一方主面2a、第1部品3、第2部品4、金属ブロック6を覆うように封止する。この第1実施形態では、封止樹脂層7は金属ブロック6の第1部品3および第2部品4と対向する対向面と反対側の反対面(以下、「上面」と記載する。)6aを覆っている。つまり、一方主面2aから金属ブロック6の上面6aまでの高さは一方主面2aから封止樹脂層7の上面7aまでの高さ未満になっており、金属ブロック6は封止樹脂層7に埋設されている。封止樹脂層7は、シリカフィラー入りのエポキシ樹脂等の封止樹脂として一般的に採用される樹脂で形成することができる。また、高熱伝導のため、アルミナフィラーなどの熱伝導率が高いフィラーを使用することもできる。なお、封止樹脂層7の上面7aが本発明の「封止樹脂層の最も高い面」に相当し、金属ブロック6の上面6aが本発明の「伝熱部材の最も高い面」に相当する。
 (モジュールの製造方法)
 次に、モジュール1の製造方法について説明する。この第1実施形態では、複数のモジュール1の集合体が形成された後に、個片化されることによりモジュール1が製造される。
 まず、一方主面2aに複数のランド電極8が形成され、他方主面2bに複数の外部電極が形成されるとともに、表層または内層に複数のグランド電極、複数の配線電極、複数のグランド電極および複数のビア導体等が形成された基板2の集合体を用意する。各ランド電極8、各外部電極、各グランド電極、および各配線電極については、CuやAg、Al等の金属を含有する導電性ペーストをスクリーン印刷するなどしてそれぞれ形成することができる。また、各ビア導体については、レーザ等を用いてビアホールを形成した後、周知の方法により形成することができる。
 次に、基板2の一方主面2aに、周知の表面実装技術を用いて第1部品3および第2部品4を実装する。例えば、基板2のランド電極8のうち所望のランド電極8上に半田9を形成しておき、半田9が形成されているランド電極8のうちの対応するランド電極8上に第1部品3および第2部品4を実装し、第1部品3および第2部品4を実装した後、リフロー処理を行う。なお、リフロー処理後に必要に応じて基板2の集合体の洗浄を行う。
 次に、第1部品3の上面3aおよび第2部品4の上面4aのそれぞれに接着部材5を塗布する。そして、接着部材5が塗布された第1部品3の上面3aおよび第2部品4の上面4aに金属ブロック6を配置する。金属ブロック6は、例えば板状の銅板等の金属板であり、熱を伝導するものである。また、接着部材5は、例えば熱を伝導する熱伝導接着剤や半田等である。
 次に、基板2の一方主面2aとこの一方主面2aに実装された第1部品3および第2部品4と金属ブロック6とを覆うように、基板2の一方主面2aに封止樹脂層7を形成する。封止樹脂層7の形成に、例えば、トランスファーモールド方式、コンプレッションモールド方式、液状樹脂工法、シート樹脂工法等を用いることができる。ここで、封止樹脂層7に、一般的なシリカフィラー入りのエポキシ樹脂を用いることができる。なお、封止樹脂層7に高い熱伝導性を持たせるために、アルミナフィラーなどの熱伝導率が高いフィラー入りのエポキシ樹脂を封止樹脂層7に用いることもできる。なお、封止樹脂層7の形成前に、必要に応じて基板2のプラズマ洗浄を行う。
 封止樹脂層7が形成された後、ダイサーまたはレーザ加工などの周知の方法により、モジュール1を個片化する。
 上記した第1実施形態によれば、金属ブロック6は接着部材5を介して第1部品3の上面3aと第2部品4の上面4aとを接続するように設けられている。このため、例えば封止樹脂層7の上面7aに垂直な方向からモジュール1を見た場合に、第1部品3の上面3aと同サイズの伝熱部材を第1部品3の上面3aに配置する場合に比べて、金属ブロック6の容量を大きくすることができ、これにより放熱効果の向上が図られる。また、第1部品3は接着部材5および金属ブロック6を介して第2部品4に接続されているため、第1部品3が発した熱を接着部材5、金属ブロック6および接着部材5を介して第2部品4に逃すことができ、これにより放熱効果の更なる向上が図られる。さらに、第1部品3と第2部品4の温度差が所望の範囲にあるときに回路動作が安定するような設計がなされたモジュールにおいては、放熱効果に加えてモジュール動作の安定性の向上が図られる。また、金属ブロック6は封止樹脂層7に埋設されているため、モジュール1の低背化が図られる。
 <第2実施形態>
 本発明の第2実施形態に係るモジュール1aについて図2を参照して説明する。なお、図2は第2実施形態に係るモジュール1aの断面図である。
 第2実施形態に係るモジュール1aが図1を用いて説明した第1実施形態に係るモジュール1と異なる点は、図2に示すように、金属ブロック6の上面6aが封止樹脂層20から露出している点である。その他の構成は第1実施形態に係るモジュール1と同様であるため、同一符号を付すことによりその説明を省略する。
 封止樹脂層20は、金属ブロック6の上面6aを除いて、基板2の一方主面2a、第1部品3、第2部品4、金属ブロック6を覆うように封止する。この第2実施形態では、金属ブロック6の上面6aは封止樹脂層20から露出している。つまり、一方主面2aから金属ブロック6の上面6aまでの高さは一方主面2aから封止樹脂層20の一方主面2aと対向する対向面と反対側の反対面(以下、「上面」と記載する。)20aまでの高さと同じになっており、金属ブロック6はその上面6aが封止樹脂層20の上面20aから露出するように埋設されている。封止樹脂層20は、シリカフィラー入りのエポキシ樹脂等の封止樹脂として一般的に採用される樹脂で形成することができる。また、高熱伝導のため、アルミナフィラーなどの熱伝導率が高いフィラーを使用することもできる。
 封止樹脂層20の形成は例えば次のようにして行うことができる。基板2の一方主面2aとこの一方主面2aに実装された第1部品3および第2部品4と金属ブロック6とを被覆するように、基板2の一方主面2aに封止樹脂層(図1の封止樹脂層7に相当)を形成する。そして、この封止樹脂層を形成した後、形成された封止樹脂層に対して例えばレーザ照射をして樹脂を除去し、この除去を金属ブロック6の上面6aが露出するまで行うことによって、封止樹脂層20を形成する。ここで、レーザとして、例えば、UVレーザ、COレーザ、Greenレーザ等を使用することができる。また、レーザ照射の代わりに研磨などの周知の研削方法を用いてもよい。
 なお、封止樹脂層20の上面20aが本発明の「封止樹脂層の最も高い面」に相当し、金属ブロック6の上面6aが本発明の「伝熱部材の最も高い面」に相当する。
 上記した第2実施形態によれば、第1実施形態のモジュール1と同様の効果が得られるとともに、金属ブロック6の上面6aが封止樹脂層20の上面20aから露出しているため、金属ブロック6の露出部分から熱を外部に逃がすことができ、これにより放熱効果の更なる向上が図られる。
 <第3実施形態>
 本発明の第3実施形態に係るモジュール1bについて図3を参照して説明する。なお、図3は第3実施形態に係るモジュール1bの断面図である。
 第3実施形態に係るモジュール1bが図1を用いて説明した第1実施形態に係るモジュール1と異なる点は、図3に示すように、金属ブロック6を配線基板30に置き換え、配線基板30と基板2とを接続する複数の接続部材31を設けている点である。その他の構成は第1実施形態に係るモジュール1と同様であるため、同一符号を付すことによりその説明を省略する。
 配線基板30は、例えば低温同時焼成セラミックスやガラスエポキシ樹脂等で形成される。配線基板30の一方主面30aおよび他方主面30bには不図示の複数の電極(ランド電極等)が形成され、配線基板30の表層および内層には複数のグランド電極、複数の配線電極32、および複数のビア導体等が形成されている。なお、例えば、配線基板30の他方主面30bに形成された電極を基板2の一方主面2aに形成された電極に柱状導体により接続することにより、配線基板30の各種電極を部品間(例えば、第1部品3と第2部品4との間)の信号の送受信に利用することができる。
 配線基板30は、その他方主面30bが第1部品3の上面3aに接着部材5により接着され、第2部品4の上面4aに接着部材5により接着されることによって、第1部品3の上面3aから第2部品4の上面4aにかけて載置されている。これにより、配線基板30は第1部品3と第2部品4とを接着部材5を介して接続している。なお、配線基板30は、例えば、封止樹脂層7の上面7aに垂直な方向からモジュール1bを見て、第1部品3の上面3aと重複する第1領域、第2部品4の上面4aと重複する第2領域、および第1領域と第2領域との間の領域を含む領域に存在する。なお、配線基板30は本発明の「伝熱部材」に相当する。
 各接続部材31は、基板2の一方主面2aに接続され、配線基板30の他方主面30bに接続されている。各接続部材31は第1部品3が発した熱を配線基板30から基板2に伝えるためのものであり、例えば熱を伝導する銅等の金属である。また、接続部材31は、配線基板30と基板2を電気的に接続する機能を兼用させてもよい。また、一部の接続部材31は絶縁材料にするなど、接続部材毎に材質を変えてもよい。また、一つの接続部材31内部で金属材料と絶縁材料とを組み合わせて、絶縁部で互いに絶縁された複数の導電部を有する構成としてもよい。また、接続部材31は柱状、平板状、屈曲板状などの形状であってもよい。
 封止樹脂層7は、基板2の一方主面2a、第1部品3、第2部品4、配線基板30、各接続部材31を覆うように封止する。この第3実施形態では、封止樹脂層7は配線基板30の一方主面30aを覆っている。つまり、一方主面2aから配線基板30の一方主面30aまでの高さは一方主面2aから封止樹脂層7の上面7aまでの高さ未満になっており、配線基板30は封止樹脂層7に埋設されている。なお、封止樹脂層7の上面7aが本発明の「封止樹脂層の最も高い面」に相当し、配線基板30の一方主面30aが本発明の「伝熱部材の最も高い面」に相当する。
 上記した第3実施形態によれば、配線基板30は、接着部材5を介して、第1部品3の上面3aと第2部品4の上面4aとを接続するように設けられているため、例えば封止樹脂層7の上面7aに垂直な方向からモジュール1bを見た場合に、第1部品3の上面3aと同サイズの伝熱部材を第1部品3の上面3aに配置する場合に比べて、配線基板30の容量を大きくすることができ、これにより放熱効果の向上が図られる。また、第1部品3は接着部材5および配線基板30を介して第2部品4に接続されているため、第1部品3が発した熱を接着部材5、配線基板30および接着部材5を介して第2部品4に逃すことができ、これにより放熱効果の更なる向上が図られる。さらに、第1部品3と第2部品4の温度差が所望の範囲にあるときに回路動作が安定するような設計がなされたモジュールにおいては、放熱効果に加えてモジュール動作の安定性の向上が図られる。また、第1部品3は接着部材5、配線基板30および接続部材31を介して基板2に接続されているため、第1部品3が発した熱を接着部材5、配線基板30および接続部材31を介して基板2に逃すことができ、これにより放熱効果の更なる向上が図られる。また、配線基板30は封止樹脂層7に埋設されているため、モジュール1bの低背化が図られる。また、配線基板30は放熱用の部材と配線用の部材とを兼用することが可能なため、モジュール1bの小型化を実現することができる。
 <変形例1>
 本発明の第3実施形態に係るモジュール1bの変形例1について図4を参照して説明する。なお、図4は第3実施形態の変形例1に係るモジュール1cの断面図である。
 第3実施形態の変形例1に係るモジュール1cが図3を用いて説明した第3実施形態に係るモジュール1bと異なる点は、図4に示すように、配線基板30の一方主面30aが封止樹脂層20から露出している点である。その他の構成は第3実施形態に係るモジュール1bと同様であるため、同一符号を付すことによりその説明を省略する。
 封止樹脂層20は、配線基板30の一方主面30aを除いて、基板2の一方主面2a、第1部品3、第2部品4、配線基板30を覆うように封止する。この第3実施形態の変形例1では、配線基板30の一方主面30aは封止樹脂層20から露出している。つまり、一方主面2aから配線基板30の一方主面30aまでの高さは一方主面2aから封止樹脂層20の上面20aまでの高さと同じになっており、配線基板30はその一方主面30aが封止樹脂層20の上面20aから露出するように埋設されている。なお、封止樹脂層20の上面20aが本発明の「封止樹脂層の最も高い面」に相当し、配線基板30の一方主面30aが本発明の「伝熱部材の最も高い面」に相当する。
 上記した第3実施形態の変形例1によれば、第3実施形態のモジュール1bと同様の効果が得られるとともに、配線基板30の一方主面30aが封止樹脂層20の上面20aから露出しているため、配線基板30の露出部分から熱を外部に逃がすことができ、これにより放熱効果の更なる向上が図られる。
 <第4実施形態>
 本発明の第4実施形態に係るモジュール1dについて図5を参照して説明する。なお、図5は第4実施形態に係るモジュール1dの断面図である。
 第4実施形態に係るモジュール1dが図1を用いて説明した第1実施形態に係るモジュール1と異なる点は、図5に示すように、第1部品3と第2部品40との背の高さが異なっており、第1部品3と第2部品40とを接続する金属ブロック6を熱伝導ペースト41に置き換え、熱伝導ペースト41が封止樹脂層42から露出している点である。その他の構成は第1実施形態に係るモジュール1と同様であるため、同一符号を付すことによりその説明を省略する。
 第2部品40は第1部品3に比べ発熱しない、動作時の発熱による上昇温度が第1部品3の動作時の発熱による上昇温度よりも低い部品であり、第2部品40として例えばインダクタ、コンデンサ等の受動部品が挙げられる。第2部品40は、接続端子が基板2の一方主面2aに形成されたランド電極8に半田9を用いて接続されることによって、基板2の一方主面2aに実装されている。この第4実施形態では、一方主面2aから第2部品40の一方主面2aと対向する面と反対側の面(以下、「上面」と記載する。)40a(第2部品40の最も高い面)までの高さと、一方主面2aから第1部品3の上面3a(第1部品3の最も高い面)までの高さは異なっており、第2部品40の方が第1部品3より低くなっている。
 熱伝導ペースト41は、第1部品3の上面3aと接触し、第2部品40の上面40aと接触するように、第1部品3の上面3aから第2部品40の上面40aにかけて設けられている。これにより、熱伝導ペースト41は第1部品3と第2部品40とを接続している。なお、熱伝導ペースト41は、例えば、封止樹脂層42の一方主面2aと対向する対向面と反対側の反対面(上面42a)に垂直な方向からモジュール1dを見て、第1部品3の上面3aと重複する第1領域、第2部品40の上面40aと重複する第2領域、および第1領域と第2領域との間の領域を含む領域に存在する。熱伝導ペースト41は、例えば熱を伝導するAgペースト等の金属ペーストである。なお、熱伝導ペースト41は本発明の「伝熱部材」に相当する。
 封止樹脂層42は、熱伝導ペースト41の上面41aを除いて、基板2の一方主面2a、第1部品3、第2部品40、熱伝導ペースト41を覆うように封止する。この第4実施形態では、熱伝導ペースト41の上面41aは封止樹脂層42から露出している。つまり、一方主面2aから熱伝導ペースト41の上面41aまでの高さは、一方主面2aから封止樹脂層42の上面42aまでの高さと同じになっており、熱伝導ペースト41はその上面41aが封止樹脂層42の上面42aから露出するように埋設されている。封止樹脂層42は、シリカフィラー入りのエポキシ樹脂等の封止樹脂として一般的に採用される樹脂で形成することができる。また、高熱伝導のため、アルミナフィラーなどの熱伝導率が高いフィラーを使用することもできる。
 なお、封止樹脂層42の上面42aが本発明の「封止樹脂層の最も高い面」に相当し、熱伝導ペースト41の上面41aが本発明の「伝熱部材の最も高い面」に相当する。
 (モジュールの製造方法)
 次に、モジュール1dの製造方法について説明する。この第4実施形態では、複数のモジュール1dの集合体が形成された後に、個片化されることによりモジュール1dが製造される。
 第1実施形態に係るモジュール1の製造方法と同様に、基板2の集合体を用意し、基板2の一方主面2aに周知の表面実装技術を用いて第1部品3および第2部品40を実装する。
 次に、基板2の一方主面2aとこの一方主面2aに実装された第1部品3および第2部品40とを覆うように、基板2の一方主面2aに仮の封止樹脂層(所定部分の樹脂が除去されることによって封止樹脂層42になる封止樹脂層)を形成する。
 次に、第1部品3の上面3aが露出し、第2部品40の上面40aが露出するように、一方主面2aに垂直な方向から仮の封止樹脂層を見て仮の封止樹脂層の第1部品3の上面3aから第2部品40の上面40aにかけての領域に対してレーザ照射等を行って樹脂を除去する。これにより封止樹脂層42が形成される。なお、第1部品3の上面3aから第2部品40の上面40aにかけての領域のうち、第1部品3の上面3aと第2部品40の上面40aを除く領域では、例えば、除去される樹脂が基板2の一方主面2aに達しないように樹脂の除去を行う。ここで、レーザとして、例えば、UVレーザ、COレーザ、Greenレーザ等を使用することができる。
 次に、樹脂が除去された部分に熱伝導ペースト41を埋め、熱伝導ペースト41を硬化させる。熱伝導ペースト41は、例えば熱を伝導するAgペースト等の金属ペーストである。
 次に、ダイサーまたはレーザ加工などの周知の方法により、モジュール1dを個片化する。
 上記した第4実施形態によれば、熱伝導ペースト41は第1部品3の上面3aと第2部品40の上面40aとを接続するように設けられているため、例えば封止樹脂層42の上面42aに垂直な方向からモジュール1dを見た場合に、第1部品3の上面3aと同サイズの伝熱部材を第1部品3の上面3aに配置する場合に比べて、熱伝導ペースト41の容量を大きくすることができ、これにより放熱効果の向上が図られる。また、第1部品3は熱伝導ペースト41を介して第2部品40に接続されているため、第1部品3が発した熱を熱伝導ペースト41を介して第2部品40に逃すことができ、これにより放熱効果の更なる向上が図られる。また、熱伝導ペースト41は封止樹脂層42に埋設されているため、モジュール1dの低背化が図られる。また、熱伝導ペースト41を用いることにより、高さの異なる第1部品3と第2部品40とを容易に接続することができ、第1部品3が発した熱を第1部品3と高さの異なる第2部品40に逃がすことができる。
 なお、この第4実施形態では、発熱する第1部品3が第1部品3に比べ発熱しない第2部品40より背が高いとしているが、逆の場合にも第4実施形態の内容は適用することができる。
 <第5実施形態>
 本発明の第5実施形態に係るモジュール1eについて図6を参照して説明する。なお、図6は第5実施形態に係るモジュール1eの断面図である。
 第5実施形態に係るモジュール1eが図1を用いて説明した第1実施形態に係るモジュール1と異なる点は、図6に示すように、封止樹脂層7の表面(シールド前の封止樹脂層7の露出部分)と基板2の側面とを被覆するようにシールド層15が設けられている点である。その他の構成は第1実施形態に係るモジュール1と同様であるため、同一符号をふすことによりその説明を省略する。
 シールド層15は、封止樹脂層7の表面(シールド前の封止樹脂層7の露出部分)と基板2の側面とを被覆するように設けられている。シールド層15は、外部機器から放射される不要電磁波がモジュール1eの第1部品3、第2部品4および各配線電極等へ到来することを低減したり、モジュール1eの第1部品3、第2部品4および各配線電極等から放射される不要電磁波が外部へ漏洩することを低減したりするためのものである。また、シールド層15が基板2の側面から露出しているグランド電極(不図示)と接触することで、シールド効果を上げることができる。
 シールド層15は、例えば、封止樹脂層7の表面および基板2の側面に積層された密着層と、密着層に積層された導電層と、導電層に積層された耐食層とを有する多層構造で形成することができる。密着層は、導電層と封止樹脂層7等との密着強度を高めるために設けられるものであり、例えば、SUS等の金属で形成することができる。導電層は、シールド層15の実質的なシールド機能を担う層であり、例えば、Cu、Ag、Alのうちのいずれかの金属で形成することができる。また、導電層自体は単一材料に限らず、複数材料を積層した多層構造としてもよい。耐食層は、導電層が腐食したり、傷が付いたりするのを防止するために設けられるものであり、例えば、SUSで形成することができる。シールド層15の形成に、例えば、スパッタ方式、蒸着方式、ペースト塗布方式等を用いることができる。
 上記した第5実施形態によれば、第1実施形態のモジュール1と同様の効果が得られるとともに、第1部品3が発した熱をシールド層15から基板2に逃がすことができ、これにより放熱効果の更なる向上が図られる。
 <変形例1>
 本発明の第5実施形態に係るモジュール1eの変形例1について図7(a)を参照して説明する。なお、図7(a)は第5実施形態の変形例1に係るモジュール1fの断面図である。
 第5実施形態の変形例1におけるモジュール1fは、第2実施形態のモジュール1aに、封止樹脂層20の表面(シールド前の封止樹脂層20の露出部分)と金属ブロック6の上面6a(シールド前の金属ブロック6の露出部分)と基板2の側面とを被覆するようにシールド層15を設けたものである。
 <変形例2>
 本発明の第5実施形態に係るモジュール1eの変形例2について図7(b)を参照して説明する。なお、図7(b)は第5実施形態の変形例2に係るモジュール1gの断面図である。
 第5実施形態の変形例2におけるモジュール1gは、第3実施形態のモジュール1bに、封止樹脂層7の表面(シールド前の封止樹脂層7の露出部分)と基板2の側面とを被覆するようにシールド層15を設けたものである。
 <変形例3>
 本発明の第5実施形態に係るモジュール1eの変形例3について図7(c)を参照して説明する。なお、図7(c)は第5実施形態の変形例3に係るモジュール1hの断面図である。
 第5実施形態の変形例3におけるモジュール1hは、第3実施形態の変形例1のモジュール1cに、封止樹脂層20の表面(シールド前の封止樹脂層20の露出部分)と配線基板30の一方主面30a(シールド前の配線基板30の露出部分)と基板2の側面とを被覆するようにシールド層15を設けたものである。なお、第5実施形態の変形例3において、接続部材31を設けないようにしてもよい。この場合、シールド層15は、本願発明の「伝熱部材」に相当するとともに、本願発明の「シールド層」に相当する。
 なお、第5実施形態の変形例1から変形例3においても、第1部品3が発した熱をシールド層15から基板2に逃がすことができ、これにより放熱効果の更なる向上が図られる。
 なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行うことができる。
 例えば、第1部品3および第2部品4はそれぞれ複数あってもよい。また、第1部品3および第2部品4がそれぞれ複数ある場合で、この中に熱的に絶縁したい部品がある場合は、この熱的に絶縁したい部品は伝熱部材と接続しなくてもよい。また、この場合、伝熱部材の熱伝導率が場所により変わる構成とし、例えば熱的に絶縁したい部品の上のみ伝熱部材の熱伝導率を低くした構成にして、熱的に絶縁したい部品と伝熱部材を接続してもよい。
 例えば、一つの伝熱部材に少なくとも一つの第1の部品および第2の部品が接続されていれば、伝熱部材は複数に分かれていてもよい。
 例えば、上記した各実施形態の内容および変形例の内容を組み合わせてもよい。
 例えば、伝熱部材が2つ以上に分かれている場合、例えば1つは第1実施形態、別の1つは第3実施形態とするなど、伝熱部材毎に自由に実施形態を変えて組み合わせてもよい。また、伝熱部材が1つの場合であっても、例えば第1実施形態の部位と第3実施形態の部位を一体化した構成とするなど、伝導部材内で複数の実施形態を組み合わせて一体化した構成としてもよい。
 例えば図3におけるモジュール1bで、一方主面2aから第1部品3の上面3aまでの高さと一方主面2aから第2部品4の上面4aまでの高さが異なる場合は、配線基板30を搭載したときに、配線基板30の一方主面30aが一方主面2aと略平行になるようにするため、配線基板30の厚さを第1部品3上の第1領域と第2部品4上の第2領域で変えるか、または、接着部材5の厚さを第1部品3上の第1領域と第2部品4上の第2領域で変えるようにしてもよい。
 例えば、第4実施形態におけるモジュール1dで、熱伝導ペースト41の中に、第1実施形態などの伝熱部材を埋没した構成としても良い。
 例えば、第4実施形態におけるモジュール1dに、第5実施形態のように、封止樹脂層42の表面と熱伝導ペースト41の上面41aと基板2の側面とを被覆するようにシールド層15を設けるようにしてもよい。
 また、高さが同じ第1部品3と第2部品4とを接続する伝熱部材として、第5実施形態で説明した熱伝導ペースト41を用いるようにしてもよい。
 また、第4実施形態におけるモジュール1dの熱伝導ペースト41を形成した後に、例えば、トランスファーモールド方式、コンプレッションモールド方式、液状樹脂工法、シート樹脂工法等を用いて、熱伝導ペースト41の上面41aを覆うように封止樹脂層を更に形成してもよい。
 本発明は、基板に発熱する部品が実装されているとともに、放熱構造を有するモジュールに適用することができる。
 1~1h モジュール
 2 基板
 2a 一方主面
 3 第1部品
 4,40 第2部品
 5 接着部材
 6 金属ブロック
 7,20,42 封止樹脂層
 15 シールド層
 30 配線基板
 31 接続部材
 41 熱伝導ペースト

Claims (6)

  1.  基板と、
     前記基板の一方主面に実装された発熱する第1部品と、
     前記一方主面に実装され、動作時の上昇温度が前記第1部品の動作時の上昇温度よりも低い第2部品と、
     前記第1部品の実装面と反対側の反対面および前記第2部品の実装面と反対側の反対面に接続される伝熱部材と、
     前記一方主面、前記第1部品、前記第2部品および前記伝熱部材を封止する封止樹脂層と
     を備え、
     前記一方主面から前記伝熱部材の最も高い面までの高さは前記一方主面から前記封止樹脂層の最も高い面までの高さ以下であることを特徴とするモジュール。
  2.  前記伝熱部材の最も高い面は前記封止樹脂層の最も高い面から露出していることを特徴とする請求項1に記載のモジュール。
  3.  前記一方主面から前記第1部品の反対面までの高さと前記一方主面から前記第2部品までの反対面までの高さとは異なっており、
     前記伝熱部材を前記第1部品および前記第2部品と接続したときに、前記伝熱部材の最も高い面が前記一方主面と略平行になるように、前記第1部品上の前記伝熱部材の厚さと前記第2部品上の前記伝熱部材の厚さを設定する
     ことを特徴とする請求項1または2に記載のモジュール。
  4.  前記伝熱部材として熱伝導ペーストが用いられることを特徴とする請求項3に記載のモジュール。
  5.  前記伝熱部材は配線基板であり、
     前記基板と前記配線基板とを接続する接続部材を更に備える
     ことを特徴とする請求項1または2に記載のモジュール。
  6.  前記封止樹脂層の表面および前記基板の側面を少なくとも被覆するシールド層を更に備えることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載のモジュール。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11984380B2 (en) 2020-08-21 2024-05-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor package, semiconductor device, semiconductor package-mounted apparatus, and semiconductor device-mounted apparatus

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001244391A (ja) * 1999-12-21 2001-09-07 Toyota Central Res & Dev Lab Inc マルチチップモジュールの冷却構造
JP2001267473A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2007311441A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
JP2014179611A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 General Electric Co <Ge> パワーオーバーレイ構造およびその製造方法
JP2016134591A (ja) * 2015-01-22 2016-07-25 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
WO2016117196A1 (ja) * 2015-01-21 2016-07-28 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001244391A (ja) * 1999-12-21 2001-09-07 Toyota Central Res & Dev Lab Inc マルチチップモジュールの冷却構造
JP2001267473A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2007311441A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
JP2014179611A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 General Electric Co <Ge> パワーオーバーレイ構造およびその製造方法
WO2016117196A1 (ja) * 2015-01-21 2016-07-28 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール
JP2016134591A (ja) * 2015-01-22 2016-07-25 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11984380B2 (en) 2020-08-21 2024-05-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor package, semiconductor device, semiconductor package-mounted apparatus, and semiconductor device-mounted apparatus

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