CN109831914B - 研磨液组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够确保研磨速度、且提升研磨选择性及抑制研磨不均的研磨液组合物。本发明涉及一种研磨液组合物，其含有氧化铈粒子A、寡糖B及水，上述寡糖B是包含经3个以上且5个以下的葡萄糖键合而成的糖，且经8个以上的葡萄糖键合而成的糖的含量为27质量％以下的寡糖。

Description

研磨液组合物
技术领域
本发明涉及含有氧化铈粒子的研磨液组合物、使用了其的半导体基板的制造方法及研磨方法。
背景技术
化学机械抛光(CMP)技术为如下技术：在使想要加工的被研磨基板的表面与研磨垫接触的状态下将研磨液供给至它们的接触部位，并且使被研磨基板与研磨垫相对移动，由此使被研磨基板的表面凹凸部分进行化学反应，并且以机械方式去除而使其平坦化。
目前，在进行半导体元件的制造步骤中的层间绝缘膜的平坦化、浅沟槽元件分离结构(以下也称为“元件分离结构”)的形成、插塞及埋入式金属配线的形成等时，该CMP技术成为必需的技术。近年来，半导体元件的多层化、高精细化飞跃性地发展，逐渐要求半导体元件的成品率及生产能力(收量)的进一步提升。与此相伴，关于CMP步骤，也逐渐期望无研磨损伤且更高速的研磨。例如，在浅沟槽元件分离结构的形成步骤中，期望在高研磨速度的同时，提高研磨阻止膜(例如氮化硅膜)相对于被研磨膜(例如氧化硅膜)的研磨选择性(换言之，研磨阻止膜与被研磨膜相比难以被研磨的研磨选择性)。
在专利文献1中，作为用于形成元件分离结构的研磨剂，公开了一种CMP研磨剂，其包含：氧化铈粒子；分散剂；选自具有-COOM基、酚性OH基、-SO3M基、-OSO3H基、-PO4M2基或-PO3M2基等阴离子性基团的水溶性有机低分子(M为H、NH4、或者Na、K等金属原子)中的添加剂；以及水。
在专利文献2中公开了一种研磨剂，其含有：(A)氧化物微粒；(B)选自单糖、经2～20个单糖键合而成的寡糖、它们的糖醇、及它们的糖酯中的1种以上；(C)苯并***系化合物；以及(D)水。
在专利文献3中公开了一种研磨剂，其含有：水、氧化铈粒子、碳数为140以下的糖类、非离子性表面活性剂、以及有机酸。
在专利文献4中公开了一种研磨剂，其含有：环状寡糖等水溶性包合物、研磨粒及水。
在专利文献5中公开了一种研磨剂，其包含氧化铈磨粒、水及多糖类，还包含选自水溶性有机高分子及阴离子性表面活性剂中的1种以上。
在专利文献6中公开了一种研磨剂，其含有：水、包含四价金属元素的氢氧化物的磨粒、α-葡萄糖聚合物、以及阳离子性聚合物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2001-7060号公报
专利文献2：日本特开2004-55861号公报
专利文献3：日本特开2015-129217号公报
专利文献4：日本特开2011-103410号公报
专利文献5：WO2010/104085
专利文献6：WO2015/052988
发明内容
发明要解决的课题
近年来，在半导体领域中进行高集成化，要求配线的复杂化或微细化。因此，在CMP研磨中，要求确保研磨速度且进一步提升研磨选择性。而且，为了确保研磨速度及提升研磨选择性，研究了各种添加剂，但若使研磨液组合物中含有添加剂，则有产生研磨不均的情况。
本发明提供能够确保研磨速度且提升研磨选择性及抑制研磨不均的研磨液组合物、使用了其的半导体基板的制造方法及研磨方法。
用于解决课题的手段
本发明涉及一种研磨液组合物(以下也称为“本发明的研磨液组合物”)，其含有氧化铈粒子A、寡糖B及水，上述寡糖B是包含经3个以上且5个以下的葡萄糖键合而成的糖，且经8个以上的葡萄糖键合而成的糖的含量为27质量％以下的寡糖。
本发明涉及一种半导体基板的制造方法，其包括：使用本发明的研磨液组合物研磨被研磨基板的步骤。
本发明涉及一种基板的研磨方法，其包括：使用本发明的研磨液组合物研磨被研磨基板的步骤，上述被研磨基板是用于制造半导体基板的基板。
发明的效果
根据本发明，能够发挥出可提供能够确保研磨速度、且提升研磨选择性及抑制研磨不均的研磨液组合物这一效果。
附图说明
图1是表示使用实施例1的研磨液组合物进行研磨后的氮化硅膜的表面观察图像的一例的图。
图2是表示使用比较例4的研磨液组合物进行研磨后的氮化硅膜的表面观察图像的一例的图。
具体实施方式
本发明人等进行了努力研究，结果惊奇地发现：通过在含有氧化铈(以下也称为“二氧化铈”)粒子作为磨粒的研磨液组合物中含有规定的寡糖，能够确保研磨速度，并且提升研磨选择性及抑制研磨不均，从而完成了本发明。
即，本发明涉及一种研磨液组合物，其含有氧化铈粒子A、寡糖B及水，上述寡糖B是包含经3个以上且5个以下的葡萄糖键合而成的糖，且经8个以上的葡萄糖键合而成的糖的含量为27质量％以下的寡糖。根据本发明的研磨液组合物，能够确保研磨速度，并且提升研磨选择性及抑制研磨不均。
本发明的效果表现机理的详细内容虽不明确，但推测如下。
可认为：通常在使用含有氧化铈粒子作为磨粒的研磨液组合物进行的研磨中，氮化硅膜等研磨阻止膜受到因水分子引起的水解而成为与氧化硅膜等被研磨膜同等的组成，容易被氧化铈粒子研磨。与此相对，可推测：在使用本发明的研磨液组合物进行的研磨中，通过特定的寡糖B与水分子进行水合，可抑制氮化硅膜等研磨阻止膜的水解，抑制基于氧化铈的研磨。进而可推测：本发明的研磨液组合物通过含有特定的寡糖B，抑制对氮化硅膜等研磨阻止膜进行研磨的能力变高，可抑制氮化硅膜等研磨阻止膜发生研磨不均。
但是，本发明不受这些机理的限定性解释。
在本发明中，“研磨选择性”与被研磨膜的研磨速度相对于研磨阻止膜的研磨速度之比(被研磨膜的研磨速度/研磨阻止膜的研磨速度)同义，若“研磨选择性”高，则是指上述研磨速度比大。
“寡糖”一般被分类在单糖与多糖之间，是少量的单糖进行糖苷键合而成的糖的总称。作为构成寡糖的单糖的数量(聚合度)，例如可列举2～20左右。
[氧化铈(二氧化铈)粒子A]
本发明的研磨液组合物中，含有氧化铈粒子A(以下也简称为“粒子A”)作为研磨粒。关于粒子A的制造方法、形状及表面状态，可无特别限定。作为粒子A，例如可列举胶体二氧化铈、无定形二氧化铈、二氧化铈包覆二氧化硅(ceria coat silica)等。胶体二氧化铈例如可利用日本特表2010-505735号公报的实施例1～4中记载的方法，通过叠加工艺而获得。无定形二氧化铈例如可通过将碳酸铈或硝酸铈等铈化合物进行焙烧、粉碎而获得。作为二氧化铈包覆二氧化硅，例如可列举利用日本特开2015-63451号公报的实施例1～14或日本特开2013-119131号公报的实施例1～4中记载的方法，具有用粒状二氧化铈覆盖二氧化硅粒子表面的至少一部分而成的结构的复合粒子，该复合粒子例如可通过使二氧化铈沉积于二氧化硅粒子而获得。就提升研磨速度的观点而言，优选为胶体二氧化铈。就减少研磨后的残留物的观点而言，优选为二氧化铈包覆二氧化硅。粒子A可为1种二氧化铈粒子，也可为2种以上的二氧化铈粒子的组合。
就提升研磨速度的观点而言，粒子A的平均一次粒径优选为5nm以上，更优选为10nm以上，进一步优选为20nm以上，而且，就抑制研磨损伤的发生的观点而言，优选为300nm以下，更优选为200nm以下，进一步优选为150nm以下。在本发明中，粒子A的平均一次粒径使用通过BET(氮吸附)法算出的BET比表面积S(m2/g)而算出。BET比表面积可通过实施例中记载的方法进行测定。
作为粒子A的形状，例如可列举大致球状、多面体状、树莓状。
若将粒子A、寡糖B及水的总含量设为100质量％，则就确保研磨速度及提升研磨选择性的观点而言，本发明的研磨液组合物中的粒子A的含量优选为0.05质量％以上，更优选为0.10质量％以上，进一步优选为0.20质量％以上，而且，就相同的观点而言，优选为10.0质量％以下，更优选为7.5质量％以下，进一步优选为5.0质量％以下，更进一步优选为2.5质量％以下，更进一步优选为1.0质量％以下。在粒子A为2种以上的二氧化铈粒子的组合的情况下，粒子A的含量是指它们的总含量。
[寡糖B]
本发明的研磨液组合物中含有寡糖B。就确保研磨速度、提升研磨选择性及抑制研磨不均的观点而言，寡糖B优选为包含经3个以上且5个以下的葡萄糖键合而成的糖，且经8个以上的葡萄糖键合而成的糖的含量为27质量％以下的寡糖，并且为不包括环状在内的直链状或支链状的寡糖。上述3个以上且5个以下的葡萄糖的键优选为糖苷键。上述经3个以上且5个以下的葡萄糖键合而成的糖优选为寡糖B的有效成分。作为构成本发明中的寡糖B的单糖、即寡糖B的结构单元，就确保研磨速度、提升研磨选择性及抑制研磨不均的观点而言，例如优选仅为葡萄糖。寡糖B可为1种寡糖，也可为2种以上的寡糖的组合。在本发明中，“经8个以上的葡萄糖键合而成的糖的含量”是指寡糖B中的经8个以上的葡萄糖键合而成的糖的比率。
作为寡糖B，就确保研磨速度、提升研磨选择性及抑制研磨不均的观点而言，寡糖B中的分子量15000以上的糖的含量优选为0质量％以上，而且，优选为10质量％以下，更优选为5质量％以下，进一步优选为4质量％以下。
作为寡糖B，就确保研磨速度、提升研磨选择性及抑制研磨不均的观点而言，可列举选自龙胆寡糖B1、异麦芽寡糖B2、麦芽寡糖B3及黑曲霉寡糖B4中的至少1种。在它们之中，就确保研磨速度及提升研磨选择性的观点而言，优选为选自龙胆寡糖B1、异麦芽寡糖B2及黑曲霉寡糖B4中的1种或2种以上的组合，更优选为龙胆寡糖B1及异麦芽寡糖B2中的至少一者，更进一步优选为龙胆寡糖B1。
就确保研磨速度及提升研磨选择性的观点而言，本发明中的龙胆寡糖B1例如可列举包含经3个以上且5个以下的葡萄糖主要进行β-1，6-糖苷键合而成的直链寡糖作为有效成分的龙胆寡糖，具体而言，可列举包含龙胆三糖(三糖)、龙胆四糖(四糖)等作为有效成分的龙胆寡糖。龙胆寡糖B1例如可通过使β-葡糖苷酶作用于葡萄糖而制造。在通过这种制造方法而获得的龙胆寡糖B1或市售的龙胆寡糖B1中，除了上述有效成分以外，有时也包含作为单糖的葡萄糖或果糖、作为二糖的龙胆二糖、聚合度为6以上的糖等其他成分，这些其他成分可在不会明显有损本发明效果的范围内包含在本发明的研磨液组合物中。而且，就确保研磨速度及提升研磨选择性的观点而言，龙胆寡糖B1只要经8个以上的葡萄糖键合而成的糖的含量为27质量％以下即可。
就确保研磨速度及提升研磨选择性的观点而言，本发明中的异麦芽寡糖B2例如可列举包含经3个以上且5个以下的葡萄糖进行α-1，4-糖苷键合及/或α-1，6-糖苷键合而成的支链寡糖作为有效成分的异麦芽寡糖，具体而言，可列举包含异麦芽三糖(三糖)、潘糖(三糖)等作为有效成分的异麦芽寡糖。异麦芽寡糖B2例如可通过包括如下步骤的制造方法而制造：对葡聚糖进行酸处理而将葡聚糖分子中的α-1，6-糖苷键以外的键选择性地分解的步骤；以及，使内切葡聚糖酶或固定至载体的内切葡聚糖酶作用于该经酸处理的葡聚糖溶液，进行酶反应的步骤。在通过这种制造方法而获得的异麦芽寡糖B2或市售的异麦芽寡糖B2中，除了上述有效成分以外，有时也包含异麦芽糖(二糖)、聚合度为6以上的糖等其他成分，这些其他成分可在不会明显有损本发明效果的范围内包含在本发明的研磨液组合物中。而且，就确保研磨速度及提升研磨选择性的观点而言，异麦芽寡糖B2只要经8个以上的葡萄糖键合而成的糖的含量为27质量％以下即可。
就确保研磨速度及提升研磨选择性的观点而言，本发明中的麦芽寡糖B3例如可列举包含经3个以上且5个以下的葡萄糖进行α-1，4-糖苷键合而成的直链寡糖作为有效成分的麦芽寡糖，具体而言，可列举包含麦芽三糖(三糖)、麦芽四糖(四糖)等作为有效成分的麦芽寡糖。麦芽寡糖B3例如可使麦芽寡糖生成淀粉酶作用于淀粉而制造。在通过这种制造方法而获得的麦芽寡糖B3或市售的麦芽寡糖B3中，除了上述有效成分以外，有时也包含麦芽糖(二糖)、聚合度为6以上的糖等其他成分，这些其他成分可在不会明显有损本发明效果的范围内包含在本发明的研磨液组合物中。而且，就确保研磨速度及提升研磨选择性的观点而言，麦芽寡糖B3只要经8个以上的葡萄糖键合而成的糖的含量为27质量％以下即可。
就确保研磨速度及提升研磨选择性的观点而言，本发明中的黑曲霉寡糖B4例如可列举包含经3个以上且5个以下的葡萄糖进行α-1，3-糖苷键合及/或α-1，4-糖苷键合而成的支链寡糖作为有效成分的黑曲霉寡糖，具体而言，可列举包含黑曲霉三糖(三糖)、黑曲霉糖基葡萄糖(三糖)、黑曲霉四糖(四糖)、黑曲霉糖基麦芽糖(四糖)等作为有效成分的黑曲霉寡糖。黑曲霉寡糖B4例如可以麦芽糖溶液作为基质，并使黑曲霉寡糖生成酶发挥作用而制造。在通过这种制造方法而获得的黑曲霉寡糖B4或市售的黑曲霉寡糖B4中，除了上述有效成分以外，有时也包含黑曲霉二糖(二糖)、聚合度为6以上的糖等其他成分，这些其他成分可在不会明显有损本发明效果的范围内包含在本发明的研磨液组合物中。而且，就确保研磨速度及提升研磨选择性的观点而言，黑曲霉寡糖B4只要经8个以上的葡萄糖键合而成的糖的含量为27质量％以下即可。
就确保研磨速度、提升研磨选择性及抑制研磨不均的观点而言，寡糖B的重均分子量优选小于800，更优选为750以下，进一步优选为700以下，进一步优选为600以下，而且，优选为300以上，更优选为350以上，进一步优选为400以上。寡糖B的重均分子量可通过与下述化合物C的重均分子量相同的测定方法而算出。
若将粒子A、寡糖B及水的总含量设为100质量％，则就抑制研磨不均及抑制研磨阻止膜的研磨的观点而言，本发明的研磨液组合物中的寡糖B的含量优选为0.2质量％以上，更优选为0.3质量％以上，进一步优选为0.4质量％以上，进一步优选为0.5质量％以上，进一步优选为0.8质量％以上，而且，就确保研磨速度及提升研磨选择性的观点而言，优选为2.5质量％以下，更优选为2.0质量％以下，进一步优选为1.5质量％以下，进一步优选为1.1质量％以下。就相同的观点而言，上述寡糖B的含量优选为0.1质量％以上且2.5质量％以下，更优选为0.3质量％以上且2.5质量％以下，进一步优选为0.4质量％以上且2.0质量％以下，进一步优选为0.5质量％以上且1.5质量％以下。在寡糖B为2种以上的寡糖的组合的情况下，寡糖B的含量是指它们的总含量。
若将粒子A、寡糖B及水的总含量设为100质量％，则就抑制研磨不均及抑制研磨阻止膜的研磨的观点而言，本发明的研磨液组合物中的经3个以上且5个以下的葡萄糖键合而成的糖的含量优选为0.05质量％以上，更优选为0.08质量％以上，进一步优选为0.10质量％以上，进一步优选为0.12质量％以上，进一步优选为0.15质量％以上，进一步优选为0.25质量％以上，进一步优选为0.35质量％以上，而且，就确保研磨速度及提升研磨选择性的观点而言，优选为1.0质量％以下，更优选为0.7质量％以下，进一步优选为0.5质量％以下。
就确保研磨速度、提升研磨选择性及抑制研磨不均的观点而言，本发明的研磨液组合物中的寡糖B的含量相对于粒子A的含量之比B/A优选为0.01以上，更优选为0.1以上，进一步优选为0.3以上，而且，优选为20以下，更优选为10以下，进一步优选为5以下。
[化合物C]
就确保研磨速度及提升研磨选择性的观点而言，本发明的研磨液组合物优选含有具有阴离子性基团的化合物C(以下也称为“化合物C”)作为研磨助剂。化合物C可为1种，也可为2种以上的组合。
作为化合物C的阴离子性基团，可列举：羧酸基、磺酸基、硫酸酯基、磷酸酯基、膦酸基等。这些阴离子性基团可采用经中和的盐的形态。作为阴离子性基团采用盐的形态时的抗衡离子，可列举：金属离子、铵离子、烷基铵离子等，就提升半导体基板的品质的观点而言，优选为铵离子。
作为化合物C，例如可列举选自一元羧酸、柠檬酸及阴离子性聚合物中的至少1种。
作为化合物C为阴离子性聚合物时的具体例，可列举选自如下化合物中的至少1种：聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚苯乙烯磺酸、(甲基)丙烯酸与单甲氧基聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯的共聚物、具有阴离子基团的(甲基)丙烯酸酯与单甲氧基聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯的共聚物、(甲基)丙烯酸烷基酯与(甲基)丙烯酸与单甲氧基聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯的共聚物、它们的碱金属盐、及它们的铵盐，就提升半导体基板的品质的观点而言，优选为选自聚丙烯酸及其铵盐中的至少1种。
在化合物C为阴离子性聚合物的情况下，就确保研磨速度及提升研磨选择性的观点而言，化合物C的重均分子量优选为1000以上，更优选为10000以上，进一步优选为20000以上，而且，优选为550万以下，更优选为100万以下，进一步优选为10万以下。
在本发明中，重均分子量可使用液相色谱仪(株式会社日立制作所制造，L-6000型高效液相色谱仪)，并通过凝胶渗透色谱法(GPC)在下述条件下进行测定。
检测器：Shodex RI SE-61差示折射率检测器
色谱柱：使用将东曹株式会社制造的G4000PWXL与G2500PWXL串联而成的色谱柱。
洗脱液：以0.2M磷酸缓冲液/乙腈＝90/10(体积比)调整为0.5g/100mL的浓度，使用了20μL。
柱温度：40℃
流速：1.0mL/min
标准聚合物：分子量已知的单分散聚乙二醇
在化合物C为一元羧酸的情况下，作为化合物C，例如可列举选自乙酰丙酸、丙酸、香草酸、对羟基苯甲酸及甲酸中的至少1种。可认为：在本发明的研磨液组合物包含一元羧酸作为化合物C的情况下，保存稳定性变得良好。
就确保研磨速度及提升研磨选择性的观点而言，本发明的研磨液组合物中的化合物C的含量优选为0.001质量％以上，更优选为0.0015质量％以上，进一步优选为0.0025质量％以上，而且，优选为1.0质量％以下，更优选为0.8质量％以下，进一步优选为0.6质量％以下。在化合物C为2种以上的组合的情况下，化合物C的含量是指它们的总含量。
就确保研磨速度及提升研磨选择性的观点而言，本发明的研磨液组合物中的化合物C的含量相对于粒子A的含量之比(C/A)优选为0.0001以上，更优选为0.0005以上，进一步优选为0.001以上，而且，优选为1以下，更优选为0.1以下，进一步优选为0.01以下。
[水]
本发明的研磨液组合物中含有水作为介质。就提升半导体基板的品质的观点而言，该水更优选包含离子交换水、蒸馏水、超纯水等水。关于本发明的研磨液组合物中的水的含量，若将粒子A、寡糖B、水、视需要而添加的化合物C及下述任选成分的总含量设为100质量％，则可设为除了粒子A、寡糖B、化合物C及任选成分以外的余量。
[任选成分]
本发明的研磨液组合物中，可在无损本发明效果的范围内含有pH调节剂、化合物C以外的表面活性剂、增稠剂、分散剂、防锈剂、碱性物质、研磨速度提升剂等任选成分。就确保研磨速度的观点而言，这些任选成分的含量优选为0.001质量％以上，更优选为0.0025质量％以上，进一步优选为0.01质量％以上，就提升研磨选择性的观点而言，优选为1质量％以下，更优选为0.5质量％以下，进一步优选为0.1质量％以下。
作为上述pH调节剂，例如可列举：酸性化合物及碱化合物。作为酸性化合物，例如可列举：盐酸、硝酸、硫酸等无机酸；乙酸、草酸、柠檬酸及苹果酸等有机酸等。其中，就通用性的观点而言，优选为选自盐酸、硝酸及乙酸中的至少1种，更优选为选自盐酸及乙酸中的至少1种。作为碱化合物，例如可列举：氨及氢氧化钾等无机碱化合物；烷基胺及烷醇胺等有机碱化合物等。其中，就提升半导体基板的品质的观点而言，优选为选自氨及烷基胺中的至少1种，更优选为氨。
作为上述化合物C以外的表面活性剂，可列举成分C以外的阴离子性表面活性剂及非离子性表面活性剂(nonionic detergent)等。作为阴离子性表面活性剂，例如可列举：烷基醚乙酸盐、烷基醚磷酸盐及烷基醚硫酸盐等。作为非离子性表面活性剂，例如可列举：聚丙烯酰胺等非离子性聚合物、及聚氧亚烷基烷基醚、聚氧亚乙基二苯乙烯化苯基醚等。
本发明的研磨液组合物在一个或多个实施方式中，可实质上不包含非离子性表面活性剂。在本发明中，“实质上不包含非离子性表面活性剂”是指研磨液组合物中的非离子性表面活性剂的含量为0.1质量％以下。就确保氧化硅膜的研磨速度及提升研磨选择性的观点而言，本发明的研磨液组合物中的非离子性表面活性剂的含量优选小于0.01质量％，进一步优选为0.005质量％以下，进一步优选实质上为0质量％。
本发明的研磨液组合物在一个或多个实施方式中，可包含具有4个以上氨基的化合物，也可不包含该化合物。
[研磨液组合物]
本发明的研磨液组合物可通过包括如下步骤的制造方法而制造：利用公知的方法来配混包含粒子A及水的浆料、寡糖B、以及视需要的化合物C及任选成分等。例如，本发明的研磨液组合物可制成至少配混粒子A、寡糖B及水而成的组合物。在本发明中，“配混”包括同时或依次混合粒子A、寡糖B及水、以及视需要的化合物C及其他任选成分的操作。混合的顺序并无特别限定。上述配混例如可使用均质混合机、均质机、超声波分散机及湿式球磨机等混合器而进行。本发明的研磨液组合物的制造方法中的各成分的配混量可与上述本发明的研磨液组合物中的各成分的含量相同。
本发明的研磨液组合物的实施方式可为在预先混合所有成分的状态下供给至市场的所谓单液型，也可为在使用时加以混合的所谓二液型。在二液型的研磨液组合物中，被分为第一液体及第二液体，研磨液组合物例如可由粒子A混合在水中而成的第一液体以及寡糖B混合在水中而成的第二液体构成，且第一液体与第二液体要进行混合。第一液体与第二液体的混合可在供给至研磨对象的表面之前进行，也可分别供给它们并在被研磨基板的表面上进行混合。
就确保研磨速度及提升研磨选择性的观点而言，本发明的研磨液组合物的pH值优选为4.0以上，更优选为5.0以上，进一步优选为6.0以上，而且，优选为9.0以下，更优选小于9.0，进一步优选为8.5以下，进一步优选为8.0以下。在本发明中，研磨液组合物的pH值是25℃下的值，是使用pH计测得的值。具体而言，本发明中的研磨液组合物的pH值可通过实施例中记载的方法进行测定。
在本发明中，“研磨液组合物中的各成分的含量”是指将研磨液组合物用于研磨时的上述各成分的含量。本发明的研磨液组合物可在无损其稳定性的范围内以浓缩状态进行保存及供给。此时，就能够降低制造/输送成本的方面而言是优选的。而且，该浓缩液可视需要而利用上述水系介质适当稀释并在研磨步骤中使用。作为稀释比率，优选为5～100倍。
[被研磨膜]
作为本发明的研磨液组合物设为研磨对象的被研磨膜，例如可列举氧化硅膜。因此，本发明的研磨液组合物可适合地用于在形成半导体基板的元件分离结构的步骤中进行的氧化硅膜的研磨。
[研磨液套组]
本发明涉及一种研磨液套组，其是用以制造研磨液组合物的套组，且包含：粒子A分散液，其是将含有上述粒子A的分散液收纳在容器中而成的；以及上述寡糖B，其收纳在与上述粒子A分散液不同的容器中。根据本发明的研磨液套组，可提供一种可获得能够确保研磨速度并且提升研磨选择性及抑制研磨不均的研磨液组合物的研磨液套组。
作为本发明的研磨液套组，例如可列举在含有上述粒子A的分散液(第一液体)及包含寡糖B的溶液(第二液体)未相互混合的状态下保存，且它们在使用时进行混合的研磨液套组(二液型研磨液组合物)。可在上述第一液体与上述第二液体混合后，视需要使用水进行稀释。在第二液体中可包含能够在用于研磨被研磨物的研磨液组合物中配合的其他成分。作为可配合至研磨液组合物中的其他成分，例如可列举：上述化合物C、酸、氧化剂、杂环芳香族化合物、脂肪族胺化合物、脂环式胺化合物等。在上述第一液体及第二液体中，可分别视需要而包含任选成分。作为该任选成分，例如可列举：增稠剂、分散剂、防锈剂、碱性物质、研磨速度提升剂、表面活性剂、高分子化合物等。
[半导体基板的制造方法]
本发明涉及一种半导体基板的制造方法(以下也称为“本发明的半导体基板的制造方法”)，其包括使用本发明的研磨液组合物研磨被研磨膜的步骤(以下也称为“使用了本发明的研磨液组合物的研磨步骤”)。根据本发明的半导体基板的制造方法，能够确保研磨步骤中的研磨速度，并且提升研磨选择性及抑制研磨不均，故而可发挥出能够高效地制造基板品质得以提升的半导体基板的效果。
作为本发明的半导体基板的制造方法的具体例，首先，通过将硅基板在氧化炉内暴露于氧气而使二氧化硅层在其表面生长，继而，通过例如CVD法(化学气相生长法)在该二氧化硅层上形成氮化硅(Si3N4)膜或多晶硅膜等研磨阻止膜。接着，使用光刻技术，对包含硅基板以及配置在上述硅基板的一个主面侧的研磨阻止膜的基板、例如在硅基板的二氧化硅层上形成有研磨阻止膜的基板形成沟槽。继而，例如通过使用了硅烷气体及氧气的CVD法，形成作为沟槽埋入用被研磨膜的氧化硅(SiO2)膜，获得研磨阻止膜经被研磨膜(氧化硅膜)覆盖的被研磨基板。通过形成氧化硅膜，上述沟槽被氧化硅膜的氧化硅填满，研磨阻止膜的上述硅基板侧的面的相反面被氧化硅膜覆盖。如此形成的氧化硅膜的硅基板侧的面的相反面具有与下层的凹凸对应地形成的高低差。继而，通过CMP法，将氧化硅膜研磨至至少研磨阻止膜的硅基板侧的面的相反面露出为止，更优选将氧化硅膜研磨至氧化硅膜的表面与研磨阻止膜的表面呈现同一平面为止。本发明的研磨液组合物可用于通过该CMP法进行研磨的步骤。
在基于CMP法的研磨中，在使被研磨基板的表面与研磨垫接触的状态下，将本发明的研磨液组合物供给至它们的接触部位，并且使被研磨基板与研磨垫相对移动，由此使被研磨基板的表面的凹凸部分平坦化。在本发明的半导体基板的制造方法中，可以在硅基板的二氧化硅层与研磨阻止膜之间形成其他绝缘膜，也可以在被研磨膜(例如氧化硅膜)与研磨阻止膜(例如氮化硅膜)之间形成其他绝缘膜。
在使用了本发明的研磨液组合物的研磨步骤中，研磨垫的转速例如可设定为30～200r/分钟，被研磨基板的转速例如可设定为30～200r/分钟，具备研磨垫的研磨装置所设定的研磨负载例如可设定为20～500g重/cm2，研磨液组合物的供给速度例如可设定为10～500mL/分钟以下。在研磨液组合物为二液型研磨液组合物的情况下，通过调整第一液体及第二液体各自的供给速度(或供给量)，可调整被研磨膜及研磨阻止膜各自的研磨速度、或者被研磨膜与研磨阻止膜的研磨速度比(研磨选择性)。
在使用了本发明的研磨液组合物的研磨步骤中，就提升生产率的观点而言，被研磨膜(例如氧化硅膜)的研磨速度优选为
Figure BDA0002012268480000131
以上，更优选为
Figure BDA0002012268480000132
以上，进一步优选为
Figure BDA0002012268480000133
以上。
在使用了本发明的研磨液组合物的研磨步骤中，就提升研磨选择性及缩短研磨时间的观点而言，研磨阻止膜(例如氮化硅膜)的研磨速度优选为
Figure BDA0002012268480000134
以下，更优选为
Figure BDA0002012268480000135
以下，进一步优选为
Figure BDA0002012268480000136
以下。
在使用了本发明的研磨液组合物的研磨步骤中，就缩短研磨时间的观点而言，研磨速度比(被研磨膜的研磨速度/研磨阻止膜的研磨速度)优选为5.0以上，更优选为10.0以上，进一步优选为20.0以上，更进一步优选为40.0以上。在本发明中，研磨选择性与被研磨膜的研磨速度相对于研磨阻止膜的研磨速度之比(被研磨膜的研磨速度/研磨阻止膜的研磨速度)同义，研磨选择性高是指研磨速度比大。
[研磨方法]
本发明涉及一种基板的研磨方法(以下也称为本发明的研磨方法)，其包括使用了本发明的研磨液组合物的研磨步骤。
通过使用本发明的研磨方法，能够确保研磨步骤中的研磨速度，并且提升研磨选择性及抑制研磨不均，故而可发挥出能够提升基板品质得以提升的半导体基板的生产率的效果。具体的研磨方法及条件可与上述本发明的半导体基板的制造方法相同。
本发明还涉及以下的组合物、制造方法。
<1>一种研磨液组合物，其含有氧化铈粒子A、寡糖B及水，
上述寡糖B是包含经3个以上且5个以下的葡萄糖键合而成的糖，且经8个以上的葡萄糖键合而成的糖的含量为27质量％以下的寡糖。
<2>根据<1>所述的研磨液组合物，其中，粒子A的平均一次粒径优选为5nm以上，更优选为10nm以上，进一步优选为20nm以上。
<3>根据<1>或<2>所述的研磨液组合物，其中，粒子A的平均一次粒径优选为300nm以下，更优选为200nm以下，进一步优选为150nm以下。
<4>根据<1>至<3>中任一项所述的研磨液组合物，其中，若将粒子A、寡糖B及水的总含量设为100质量％，则研磨液组合物中的粒子A的含量优选为0.05质量％以上，更优选为0.10质量％以上，进一步优选为0.20质量％以上。
<5>根据<1>至<4>中任一项所述的研磨液组合物，其中，若将粒子A、寡糖B及水的总含量设为100质量％，则研磨液组合物中的粒子A的含量优选为10.0质量％以下，更优选为7.5质量％以下，进一步优选为5.0质量％以下，更进一步优选为2.5质量％以下，更进一步优选为1.0质量％以下。
<6>根据<1>至<5>中任一项所述的研磨液组合物，其中，寡糖B的结构单元仅为葡萄糖。
<7>根据<1>至<6>中任一项所述的研磨液组合物，其中，寡糖B是选自龙胆寡糖、异麦芽寡糖、麦芽寡糖及黑曲霉寡糖中的至少1种。
<8>根据<1>至<7>中任一项所述的研磨液组合物，其中，寡糖B中的分子量15000以上的糖的含量为0质量％以上。
<9>根据<1>至<8>中任一项所述的研磨液组合物，其中，寡糖B中的分子量15000以上的糖的含量优选为10质量％以下，更优选为5质量％以下，进一步优选为4质量％以下。
<10>根据<1>至<9>中任一项所述的研磨液组合物，其中，若将粒子A、寡糖B及水的总含量设为100质量％，则寡糖B的含量优选为0.2质量％以上，更优选为0.3质量％以上，进一步优选为0.4质量％以上，进一步优选为0.5质量％以上，进一步优选为0.8质量％以上。
<11>根据<1>至<10>中任一项所述的研磨液组合物，其中，若将粒子A、寡糖B及水的总含量设为100质量％，则寡糖B的含量优选为2.5质量％以下，更优选为2.0质量％以下，进一步优选为1.5质量％以下，进一步优选为1.1质量％以下。
<12>根据<1>至<11>中任一项所述的研磨液组合物，其中，寡糖B的含量优选为0.1质量％以上且2.5质量％以下，更优选为0.3质量％以上且2.5质量％以下，进一步优选为0.4质量％以上且2.0质量％以下，进一步优选为0.5质量％以上且1.5质量％以下。
<13>根据<1>至<12>中任一项所述的研磨液组合物，其中，若将粒子A、寡糖B及水的总含量设为100质量％，则经3个以上且5个以下的葡萄糖键合而成的糖的含量优选为0.05质量％以上，更优选为0.08质量％以上，进一步优选为0.10质量％以上，进一步优选为0.12质量％以上，进一步优选为0.15质量％以上，进一步优选为0.25质量％以上，进一步优选为0.35质量％以上。
<14>根据<1>至<13>中任一项所述的研磨液组合物，其中，经3个以上且5个以下的葡萄糖键合而成的糖的含量优选为1.0质量％以下，更优选为0.7质量％以下，进一步优选为0.5质量％以下。
<15>根据<1>至<14>中任一项所述的研磨液组合物，其中，寡糖B的含量相对于粒子A的含量之比B/A优选为0.01以上，更优选为0.1以上，进一步优选为0.3以上。
<16>根据<1>至<15>中任一项所述的研磨液组合物，其中，寡糖B的含量相对于粒子A的含量之比B/A优选为20以下，更优选为10以下，进一步优选为5以下。
<17>根据<1>至<16>中任一项所述的研磨液组合物，其中，寡糖B的含量相对于粒子A的含量之比B/A为0.01以上且20以下。
<18>根据<1>至<17>中任一项所述的研磨液组合物，其中，寡糖B的重均分子量优选小于800，更优选为750以下，进一步优选为700以下，进一步优选为600以下。
<19>根据<1>至<18>中任一项所述的研磨液组合物，其中，寡糖B的重均分子量优选为300以上，更优选为350以上，进一步优选为400以上。
<20>根据<1>至<19>中任一项所述的研磨液组合物，其还含有具有阴离子性基团的化合物C。
<21>根据<20>所述的研磨液组合物，其中，化合物C的重均分子量优选为1000以上，更优选为10000以上，进一步优选为20000以上。
<22>根据<20>或<21>所述的研磨液组合物，其中，化合物C的重均分子量优选为550万以下，更优选为100万以下，进一步优选为10万以下。
<23>根据<20>所述的研磨液组合物，其中，化合物C为一元羧酸。
<24>根据<23>所述的研磨液组合物，其中，化合物C是选自乙酰丙酸、丙酸、香草酸、对羟基苯甲酸及甲酸中的至少1种。
<25>根据<20>至<24>中任一项所述的研磨液组合物，其中，研磨液组合物中的化合物C的含量优选为0.001质量％以上，更优选为0.0015质量％以上，进一步优选为0.0025质量％以上。
<26>根据<20>至<25>中任一项所述的研磨液组合物，其中，研磨液组合物中的化合物C的含量优选为1.0质量％以下，更优选为0.8质量％以下，进一步优选为0.6质量％以下。
<27>根据<20>至<26>中任一项所述的研磨液组合物，其中，研磨液组合物中的化合物C的含量相对于粒子A的含量之比(C/A)优选为0.0001以上，更优选为0.0005以上，进一步优选为0.001以上。
<28>根据<20>至<27>中任一项所述的研磨液组合物，其中，研磨液组合物中的化合物C的含量相对于粒子A的含量之比(C/A)优选为1以下，更优选为0.1以下，进一步优选为0.01以下。
<29>根据<1>至<28>中任一项所述的研磨液组合物，其用于氧化硅膜的研磨。
<30>根据<1>至<29>中任一项所述的研磨液组合物，其pH值优选为4.0以上，更优选为5.0以上，进一步优选为6.0以上。
<31>根据<1>至<30>中任一项所述的研磨液组合物，其pH值优选为9.0以下，更优选小于9.0，进一步优选为8.5以下，进一步优选为8.0以下。
<32>根据<1>至<31>中任一项所述的研磨液组合物，其pH值为4.0以上且小于9.0。
<33>根据<1>至<32>中任一项所述的研磨液组合物，其由粒子A混合在水中而成的第一液体以及寡糖B混合在水中而成的第二液体构成，且在使用时将第一液体与第二液体进行混合。
<34>一种半导体基板的制造方法，其包括使用<1>至<33>中任一项所述的研磨液组合物研磨被研磨基板的步骤。
<35>一种基板的研磨方法，其包括使用<1>至<33>中任一项所述的研磨液组合物研磨被研磨基板的步骤，上述被研磨基板是用于制造半导体基板的基板。
<36><1>至<33>中任一项所述的研磨液组合物的用于制造半导体基板的用途。
实施例
1.研磨液组合物的制备(实施例1～23及比较例1～20)
以成为下述表1-1、表1-2及表2所示含量的方式混合水、磨粒(粒子A)及添加剂(寡糖B、化合物C)，获得实施例1～23及比较例1～20的研磨液组合物。研磨液组合物的pH值使用0.1N铵水溶液进行调整。
作为粒子A，使用胶体二氧化铈(“ZENUS HC90”，阿南化成公司制造，平均一次粒径：99nm，BET比表面积：8.4m2/g)、无定形二氧化铈(焙烧粉碎二氧化铈GPL-C1010，昭和电工公司制造，平均一次粒径：70nm，BET比表面积：11.8m2/g)、二氧化铈包覆二氧化硅(平均一次粒径：92.5mm，BET比表面积：35.5m2/g)及氢氧化铈(平均一次粒径：5nm，BET比表面积：165m2/g)。
作为化合物C，使用聚丙烯酸铵盐(重均分子量：21000)、柠檬酸、乙酰丙酸、丙酸、香草酸、对羟基苯甲酸及甲酸。
作为寡糖B(B1～B16)，使用以下的寡糖。主结构单元是指寡糖的结构单元之中聚合度为2以上的单糖、即成为寡糖中的聚合度2以上的糖的结构单元的单糖。
B1：龙胆寡糖类(制品名：Gentose#45，日本食品化工公司制造，构成成分：单糖～五糖的直链寡糖，主结构单元：葡萄糖)
B2：异麦芽寡糖类(制品名：Biotose#50，日本食品化工公司制造，构成成分：三糖～五糖的支链寡糖，主结构单元：葡萄糖)
B3：异麦芽寡糖(制品名：Nisshoku Branch-Oligo，日本食品化工公司制造，构成成分：三糖～四糖的支链寡糖，主结构单元：葡萄糖)
B4：麦芽寡糖类(制品名：Fuji oligo#450，日本食品化工公司制造，构成成分：二糖～十糖的直链寡糖，主结构单元：葡萄糖)
B5：黑曲霉寡糖(制品名：Taste oligo，日本食品化工公司制造，构成成分：单糖～四糖的直链寡糖，主结构单元：葡萄糖)
B6：葡萄糖(单糖)
B7：半乳糖(单糖)
B8：木糖醇(单糖、糖醇，无环状结构)
B9：D-甘露醇(单糖、糖醇，无环状结构)
B10：蔗糖(二糖的直链寡糖，结构单元：葡萄糖+果糖)
B11：海藻糖(二糖的直链寡糖，主结构单元：葡萄糖)
B12：棉子糖(三糖的直链寡糖，结构单元：果糖+半乳糖+葡萄糖)
B13：半乳寡糖(二糖～五糖的直链寡糖，主结构单元：半乳糖)
B14：蔗糖硬脂酸酯(制品名：S-970，Mitsubishi-Chemical Foods公司制造，二糖的直链寡糖，结构单元：葡萄糖+果糖)
B15：α-环糊精(六糖的环状寡糖，主结构单元：葡萄糖)
B16：几丁质寡糖(数个N-乙酰葡糖胺连结而成的寡糖)
研磨液组合物的pH、粒子A的平均一次粒径及BET比表面积通过以下的方法进行测定。将pH的测定结果示于表1-1、表1-2及表2。
(a)研磨液组合物的pH测定
研磨液组合物的25℃下的pH值是使用pH计(东亚电波工业株式会社，HM-30G)所测得的值，为将电极浸渍在研磨液组合物中1分钟后的数值。
(b)粒子A的平均一次粒径
粒子A的平均一次粒径(nm)使用下述通过BET(氮吸附)法获得的比表面积S(m2/g)，将二氧化铈粒子的真密度设为7.2g/cm3而算出。
(c)粒子A的BET比表面积的测定方法
将二氧化铈粒子A分散液在120℃热风干燥3小时后，利用玛瑙研钵细细粉碎而获得样本。在即将测定之前在120℃的环境下干燥15分钟，然后使用比表面积测定装置(Micromeritics自动比表面积测定装置Flowsorb III2305，岛津制作所制造)，通过氮吸附法(BET法)测定比表面积S(m2/g)。
关于寡糖B1～B16的构成成分，在下述条件下使用HPLC进行分离，并使用LC-MS进行分析。
<HPLC条件>
·色谱柱：Shodex Asahipak NH2P-50
·洗脱液：乙腈与水的混合溶液
·流速：0.8mL/min
·温度：30℃
·试样浓度：0.1％(溶剂：乙腈与水的混合溶液)
·注入量：30μL
·检测：Q-Exactive(FT-MS)
2.研磨液组合物(实施例1～23及比较例1～20)的评价
[试验片的制作]
自利用TEOS-等离子体CVD法在硅晶片的单面形成厚度2000nm的氧化硅膜而得的产物中切割出40mm×40mm的正方形片，获得氧化硅膜试验片。
同样地，自利用CVD法在硅晶片的单面形成厚度300nm的氮化硅膜而得的产物中切割出40mm×40mm的正方形片，获得氮化硅膜试验片。
[氧化硅膜(被研磨膜)的研磨速度的测定]
作为研磨装置，使用了平台直径为300mm的Musashino Denshi公司制造的“MA-300”。另外，作为研磨垫，使用了Nitta Haas公司制造的硬质氨基甲酸酯垫“IC-1000/Sub400”。在上述研磨装置的平台上贴附上述研磨垫。将上述试验片安装于支架(holder)，以试验片的形成有氧化硅膜的面朝下的方式(以氧化硅膜面向研磨垫的方式)将支架载置于研磨垫。进而，以施加于试验片的负载成为300g重/cm2的方式，将重物承载于支架。一面将研磨液组合物以50mL/分钟的速度滴加至贴附有研磨垫的平台的中心，一面使平台及支架各自以90r/分钟沿着相同的旋转方向旋转1分钟，进行氧化硅膜试验片的研磨。研磨后，使用超纯水进行清洗，并进行干燥，将氧化硅膜试验片作为下述光干涉式膜厚测定装置的测定对象。
在研磨前及研磨后，使用光干涉式膜厚测定装置(大日本网屏公司制造的“LambdaACE VM-1000”)，测定氧化硅膜的膜厚。氧化硅膜的研磨速度通过下述式算出，并示于下述表1-1、表1-2及表2。
·氧化硅膜的研磨速度
Figure BDA0002012268480000201
＝[研磨前的氧化硅膜厚度
Figure BDA0002012268480000203
-研磨后的氧化硅膜厚度
Figure BDA0002012268480000202
]/研磨时间(分钟)
[氮化硅膜(研磨阻止膜)的研磨速度的测定]
作为试验片，使用氮化硅膜试验片来代替氧化硅膜试验片，除此以外，以与上述[氧化硅膜的研磨速度的测定]相同的方式，进行氮化硅膜的研磨及膜厚的测定。氮化硅膜的研磨速度通过下述式算出，并示于下述表1-1、表1-2及表2。
·氮化硅膜的研磨速度
Figure BDA0002012268480000211
＝[研磨前的氮化硅膜厚度
Figure BDA0002012268480000212
-研磨后的氮化硅膜厚度
Figure BDA0002012268480000213
]/研磨时间(分钟)
[研磨速度比]
将氧化硅膜的研磨速度相对于氮化硅膜的研磨速度之比设为研磨速度比，通过下述式算出，并示于下述表1-1、表1-2及表2。研磨速度比的值越大，则表示研磨选择性越高。
·研磨速度比＝氧化硅膜的研磨速度
Figure BDA0002012268480000214
/氮化硅膜的研磨速度
Figure BDA0002012268480000215
[研磨不均的评价方法]
为了测定研磨后的氮化硅膜试验片上的不均的个数，使用了下述评价方法。首先，使用NIKON公司制造的COOLPIXS3700，在下述条件下对氮化硅膜试验片拍摄照片。
·ISO灵敏度：400
·图像模式：2M(1600×1200)
·白平衡：萤光灯
·AF区域选择：中央
·AF模式：AF-S单次AF
·AF辅助光：无
·电子变焦：不进行
·宏：ON
继而，针对拍摄的照片，使用MITANI公司制造的图像分析软件WinROOF2013，在下述条件下测定研磨不均的个数。
将测定基准单位设定为1像素，将拍摄的照片进行单色图像化，通过修整而将晶片内部的514像素×514像素的正方形区域指定为分析区域(以下称为指定区域)。然后，使指定区域的内侧(实际面积为263952像素)的灰度级256灰度进行反转，为了使产生研磨不均的部分易于识别而进行增强，将增强的部分利用软件功能“基于2个阈值的二值化”，以阈值80～184、透明度127进行了二值化。其后，测量二值区域的形状特征，测定色度不同的不均部分作为研磨不均的个数。将测定结果示于表1-1、表1-2及表2。
[稳定性的评价]
测定将实施例15～23的研磨液组合物在60℃下静置1个月时的pH。将测定结果示于表2。在经过1个月后的研磨液组合物的研磨性能得以确保的情况下，可判断为保存稳定性良好。
[表1-1]
Figure BDA0002012268480000231
[表1-2]
Figure BDA0002012268480000241
[表2]
Figure BDA0002012268480000251
如表1-1、表1-2及表2所示，含有规定寡糖B的实施例1～23确保研磨速度，并且研磨选择性提升，进而，研磨不均得到抑制。关于包含聚丙烯酸铵或柠檬酸作为化合物C的实施例10～13，研磨选择性进一步提升。关于包含乙酰丙酸、丙酸、香草酸、对羟基苯甲酸或甲酸作为化合物C的实施例16～23，保存稳定性良好。
进而，将使用实施例1及比较例4的研磨液组合物进行了研磨的氮化硅膜的表面的观察图像示于图1及图2。如图1所示，在经实施例1的研磨液组合物研磨的氮化硅膜的表面，通过目测也确认不到研磨不均。另一方面，如图2所示，在经比较例4的研磨液组合物研磨的氮化硅膜的表面，通过目测也确认到研磨不均。
产业上的可利用性
本发明的研磨液组合物在高密度化或高集成化用半导体基板的制造方法中是有用的。

Claims (30)

1.一种研磨液组合物，其含有氧化铈粒子A、寡糖B及水，
所述寡糖B是包含经3个以上且5个以下的葡萄糖键合而成的糖，且经8个以上的葡萄糖键合而成的糖的含量为27质量％以下的寡糖，所述寡糖B的重均分子量为350以上且700以下。
2.根据权利要求1所述的研磨液组合物，其中，寡糖B的结构单元仅为葡萄糖。
3.根据权利要求1或2所述的研磨液组合物，其用于氧化硅膜的研磨。
4.根据权利要求1或2所述的研磨液组合物，其中，氧化铈粒子A的平均一次粒径为5nm以上且300nm以下。
5.根据权利要求1或2所述的研磨液组合物，其中，若将氧化铈粒子A、寡糖B及水的总含量设为100质量％，则研磨液组合物中的氧化铈粒子A的含量为0.05质量％以上且10.0质量％以下。
6.根据权利要求1或2所述的研磨液组合物，其中，寡糖B是选自龙胆寡糖、异麦芽寡糖、麦芽寡糖及黑曲霉寡糖中的至少1种。
7.根据权利要求1或2所述的研磨液组合物，其中，寡糖B是选自龙胆寡糖及异麦芽寡糖中的至少1种。
8.根据权利要求1或2所述的研磨液组合物，其中，寡糖B是龙胆寡糖。
9.根据权利要求1或2所述的研磨液组合物，其中，寡糖B中的分子量15000以上的糖的含量为5质量％以下。
10.根据权利要求1或2所述的研磨液组合物，其中，寡糖B的含量为0.1质量％以上且2.5质量％以下。
11.根据权利要求1或2所述的研磨液组合物，其中，寡糖B的含量为0.8质量％以上且2.0质量％以下。
12.根据权利要求1或2所述的研磨液组合物，其中，经3个以上且5个以下的葡萄糖键合而成的糖的含量为1.0质量％以下。
13.根据权利要求1或2所述的研磨液组合物，其中，寡糖B的含量相对于氧化铈粒子A的含量之比B/A为0.01以上且20以下。
14.根据权利要求1或2所述的研磨液组合物，其还含有：具有阴离子性基团的化合物C。
15.根据权利要求14所述的研磨液组合物，其中，化合物C是选自一元羧酸、柠檬酸及阴离子性聚合物中的至少1种。
16.根据权利要求14所述的研磨液组合物，其中，化合物C是选自柠檬酸及阴离子性聚合物中的至少1种。
17.根据权利要求14所述的研磨液组合物，其中，化合物C是阴离子性聚合物。
18.根据权利要求14所述的研磨液组合物，其中，化合物C的重均分子量为1000以上且550万以下。
19.根据权利要求14所述的研磨液组合物，其中，化合物C为一元羧酸。
20.根据权利要求14所述的研磨液组合物，其中，化合物C是选自乙酰丙酸、丙酸、香草酸、对羟基苯甲酸及甲酸中的至少1种。
21.根据权利要求14所述的研磨液组合物，其中，化合物C是选自乙酰丙酸、香草酸、对羟基苯甲酸及甲酸中的至少1种。
22.根据权利要求14所述的研磨液组合物，其中，化合物C是选自乙酰丙酸及甲酸中的至少1种。
23.根据权利要求14所述的研磨液组合物，其中，研磨液组合物中的化合物C的含量为0.001质量％以上且1.0质量％以下。
24.根据权利要求14所述的研磨液组合物，其中，研磨液组合物中的化合物C的含量相对于粒子A的含量之比C/A为0.0001以上且1以下。
25.根据权利要求1或2所述的研磨液组合物，其pH值为4.0以上且小于9.0。
26.根据权利要求1或2所述的研磨液组合物，其pH值为6.0以上且8.0以下。
27.根据权利要求1或2所述的研磨液组合物，其由粒子A混合在水中而成的第一液体以及寡糖B混合在水中而成的第二液体构成，在使用时将第一液体与第二液体进行混合。
28.一种半导体基板的制造方法，其包括：使用权利要求1～27中任一项所述的研磨液组合物研磨被研磨基板的步骤。
29.一种基板的研磨方法，其包括：使用权利要求1～27中任一项所述的研磨液组合物研磨被研磨基板的步骤，所述被研磨基板是用于制造半导体基板的基板。
30.权利要求1～27中任一项所述的研磨液组合物的用于制造半导体基板的用途。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2404412B1 (en) 2009-03-02 2019-05-01 Twilio Inc. Method and system for a multitenancy telephone network
KR101823083B1 (ko) * 2016-09-07 2018-01-30 주식회사 케이씨텍 표면개질된 콜로이달 세리아 연마입자, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물
JP7220522B2 (ja) * 2018-05-24 2023-02-10 株式会社バイコウスキージャパン 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法
US11072726B2 (en) * 2018-06-29 2021-07-27 Versum Materials Us, Llc Low oxide trench dishing chemical mechanical polishing
US11549034B2 (en) * 2018-08-09 2023-01-10 Versum Materials Us, Llc Oxide chemical mechanical planarization (CMP) polishing compositions
JP2020045291A (ja) * 2018-09-14 2020-03-26 恒隆 川口 酸化セリウム含有組成物
US11180678B2 (en) 2018-10-31 2021-11-23 Versum Materials Us, Llc Suppressing SiN removal rates and reducing oxide trench dishing for Shallow Trench Isolation (STI) process
US11608451B2 (en) 2019-01-30 2023-03-21 Versum Materials Us, Llc Shallow trench isolation (STI) chemical mechanical planarization (CMP) polishing with tunable silicon oxide and silicon nitride removal rates

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009065041A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Asahi Kasei Chemicals Corp 微細繊維状セルロース及び／又はその複合体を含む化学機械研磨用組成物
CN101451044A (zh) * 2007-11-30 2009-06-10 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN103097476A (zh) * 2010-09-08 2013-05-08 巴斯夫欧洲公司 化学机械抛光用于电子、机械和光学器件的衬底的含水抛光组合物和方法
CN104513626A (zh) * 2014-12-22 2015-04-15 深圳市力合材料有限公司 一种硅化学机械抛光液
CN104745092A (zh) * 2013-12-26 2015-07-01 安集微电子（上海）有限公司 一种应用于sti领域的化学机械抛光液及其使用方法
TW201619345A (zh) * 2014-09-26 2016-06-01 Kao Corp 氧化矽膜用研磨液組合物
WO2016143797A1 (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001007060A (ja) 1999-06-18 2001-01-12 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
JP4206233B2 (ja) 2002-07-22 2009-01-07 旭硝子株式会社 研磨剤および研磨方法
JP5192953B2 (ja) * 2007-09-14 2013-05-08 三洋化成工業株式会社 磁気ディスク用ガラス基板洗浄剤
JP2012109287A (ja) 2009-03-13 2012-06-07 Asahi Glass Co Ltd 半導体用研磨剤、その製造方法及び研磨方法
JP5481166B2 (ja) 2009-11-11 2014-04-23 株式会社クラレ 化学的機械的研磨用スラリー
JP5551042B2 (ja) * 2010-09-30 2014-07-16 株式会社クラレ 化学的機械的研磨法およびそれに用いられるスラリー
JP2015086355A (ja) * 2013-09-27 2015-05-07 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨方法、及び基板の製造方法
WO2015052988A1 (ja) * 2013-10-10 2015-04-16 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
JP6375623B2 (ja) 2014-01-07 2018-08-22 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
JP2017508833A (ja) * 2014-01-31 2017-03-30 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ ポリ（アミノ酸）を含む化学機械研磨（ｃｍｐ）組成物
JP6569191B2 (ja) * 2014-06-10 2019-09-04 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
JP2016199659A (ja) * 2015-04-09 2016-12-01 日立化成株式会社 研磨液、研磨液セット及び基体の研磨方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009065041A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Asahi Kasei Chemicals Corp 微細繊維状セルロース及び／又はその複合体を含む化学機械研磨用組成物
CN101451044A (zh) * 2007-11-30 2009-06-10 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
CN103097476A (zh) * 2010-09-08 2013-05-08 巴斯夫欧洲公司 化学机械抛光用于电子、机械和光学器件的衬底的含水抛光组合物和方法
CN104745092A (zh) * 2013-12-26 2015-07-01 安集微电子（上海）有限公司 一种应用于sti领域的化学机械抛光液及其使用方法
TW201619345A (zh) * 2014-09-26 2016-06-01 Kao Corp 氧化矽膜用研磨液組合物
CN104513626A (zh) * 2014-12-22 2015-04-15 深圳市力合材料有限公司 一种硅化学机械抛光液
WO2016143797A1 (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法

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Publication number Publication date
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