JP5551042B2 - 化学的機械的研磨法およびそれに用いられるスラリー - Google Patents
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Description
図1〜図5は、半導体装置の製造プロセスでのシャロー・トレンチ分離領域の形成工程を段階的に示した模式断面図である。なお、図1〜5は、基板(ウエハ)1中に1個の半導体装置の部分が形成されることを示しているが、実際には、1枚の基板に対してシャロー・トレンチ分離領域を有する半導体装置が複数作製され、ダイシングによって、個々の半導体装置(チップ)に分離される。また、図中の各部の寸法は、理解を容易にするために設定したもので、各部と各部との間の寸法比は、実際のものとは必ずしも一致しない。
前記キレート剤(a)の含有量が、スラリー全量中、0.02〜2.0質量%であり、
前記オリゴ糖および/またはその誘導体(b)の含有量が、スラリー全量中、0.02〜2.0質量%である、
化学的機械的研磨用スラリー。
[2] 前記キレート剤(a)と前記オリゴ糖および/またはその誘導体(b)との質量比が、1/10〜10/1である上記[1]に記載の化学的機械的研磨用スラリー。
[3] 前記オリゴ糖および/またはその誘導体(b)が、環状オリゴ糖および/またはその誘導体である上記[1]または[2]に記載の化学的機械的研磨スラリー。
[4] 環状オリゴ糖が、α−シクロデキストリン、β−シクロデキストリンおよびγ−シクロデキストリンよりなる群から選ばれる1種または2種以上である上記[3]に記載の化学的機械的研磨用スラリー。
[5] 前記キレート剤(a)が、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)(EDTMP)、N−(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミン三酢酸(HEDTA)、1,3−プロパンジアミン四酢酸(PDTA)、ジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)およびトリエチレンテトラミン六酢酸(TTHA)よりなる群から選択される1種または2種以上である、上記[1]〜[4]のいずれか一つに記載の化学的機械的研磨用スラリー。
[6] pHが、3.0〜12.5である上記[1]〜[5]のいずれか一つに記載の化学的機械的研磨用スラリー。
[7] 上記[1]〜[6]のいずれか一つに記載の化学的機械的研磨用スラリーを用いる化学的機械的研磨法。
[8] シャロー・トレンチ分離領域を形成する工程で用いられる、上記[7]に記載の化学的機械的研磨法。
(a)オリゴ糖または環状オリゴ糖の有するヒドロキシ基の水素原子が、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、2−エチルヘキシル、ノニル、デシル等の炭素数1〜20の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基で置換されたアルコキシ化誘導体、
(b)オリゴ糖または環状オリゴ糖の有するヒドロキシ基と、カルボン酸(例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸等のモノカルボン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、フマル酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸等のジカルボン酸、酒石酸、クエン酸、イソクエン酸等のヒドロキシカルボン酸)のカルボキシ基とが反応して得られるエステル化誘導体
などが挙げられる。
標準緩衝液(フタル酸塩pH緩衝液:pH4.00(25℃)、中性リン酸塩pH緩衝液:pH7.00(25℃)、ホウ酸塩pH緩衝液:pH9.00(25℃))を用いて、pHメータ(株式会社堀場製作所製「pHメータ F22」)を3点較正した後、該pHメータの電極をCMP用スラリーに入れてから2分間以上経過してpH値が安定した後に、その値を測定した。
[実施例1]
酸化セリウム砥粒のスラリー(昭和電工株式会社製研磨剤「GPL−C1010」、スラリー中の酸化セリウム砥粒含有量:10質量%)50g、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)(キレスト株式会社製)1.0g、α−シクロデキストリン(日本食品加工株式会社製)2.0gおよび蒸留水を、1Lメスシリンダー中で混合し、マグネチックスターラーで撹拌しながら、必要に応じて0.1Mアンモニア水(関東化学株式会社製)または0.1M塩酸(和光純薬工業株式会社製)を加えてpHを5.0とした後、蒸留水で全量を1,000gとして、酸化セリウム砥粒含有量0.5質量%、EDTA含有量0.1質量%およびα−シクロデキストリン含有量0.2質量%のCMP用スラリーを得た。
EDTA含有量を0.05質量%としたこと以外は実施例1と同様にして、CMP用スラリーを調製した。
α−シクロデキストリン含有量を0.3質量%としたこと以外は実施例1と同様にして、CMP用スラリーを調製した。
α−シクロデキストリン含有量を0.1質量%としたこと以外は実施例1と同様にして、CMP用スラリーを調製した。
α−シクロデキストリンの代わりにγ−シクロデキストリン(和光純薬株式会社製)を用いたこと以外は実施例1と同様にして、CMP用スラリーを調製した(スラリー全量中のγ−シクロデキストリンの含有量0.2質量%)。
α−シクロデキストリンの代わりにトレハロース(株式会社林原生物化学研究所製)を用いたこと以外は実施例1と同様にして、CMP用スラリーを調製した(スラリー全量中のトレハロースの含有量0.3質量%)。
EDTAの代わりにエチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)(EDTMP)(キレスト株式会社製)を用いたこと以外は実施例1と同様にして、CMP用スラリーを調製した。
EDTAの代わりにN−(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミン三酢酸(HEDTA)(株式会社同仁化学研究所製)を用いたこと以外は実施例1と同様にして、CMP用スラリーを調製した。
EDTAの代わりに1,3−プロパンジアミン四酢酸(PDTA)(キレスト株式会社製)を用いたこと以外は実施例1と同様にして、CMP用スラリーを調製した(スラリー全量中のPDTAの含有量0.12質量%)。
EDTAの代わりにジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)(株式会社同仁化学研究所製)を用いたこと以外は実施例1と同様にして、CMP用スラリーを調製した(スラリー全量中のDTPAの含有量0.15質量%)。
EDTAの代わりにトリエチレンテトラミン六酢酸(TTHA)(株式会社同仁化学研究所製)を用いたこと以外は実施例1と同様にして、CMP用スラリーを調製した(スラリー全量中のTTHAの含有量0.17質量%)。
酸化セリウム砥粒50g、EDTA1.0g、および蒸留水を1Lメスシリンダー中で混合し、マグネチックスターラーで撹拌しながら、塩酸(和光純薬工業株式会社製)を加えてpHを5.0とした後、蒸留水で全量を1,000gとして、酸化セリウム砥粒含有量0.5質量%およびEDTA含有量0.1質量%のCMP用スラリーを得た。
酸化セリウム砥粒50g、α−シクロデキストリン2.0g、および蒸留水を1Lメスシリンダー中で混合し、マグネチックスターラーで撹拌しながら、塩酸を加えてpHを8.0とした後、蒸留水で全量を1,000gとして、酸化セリウム砥粒含有量0.5質量%およびα−シクロデキストリン含有量0.2質量%のCMP用スラリーを得た。
EDTA含有量を0.01質量%、α−シクロデキストリン含有量を0.3質量%としたこと以外は実施例1と同様にして、CMP用スラリーを調製した。
α−シクロデキストリン含有量を0.005質量%としたこと以外は実施例1と同様にして、CMP用スラリーを調製した。
α−シクロデキストリン含有量を3.0質量%としたこと以外は実施例1と同様にして、CMP用スラリーを調製した。
EDTA含有量を3.0質量%、α−シクロデキストリン含有量を0.1質量%としたこと以外は実施例1と同様にして、CMP用スラリーを調製した。
酸化セリウム砥粒50g、コハク酸(和光純薬株式会社製)1.0g、α−シクロデキストリン2.0g、および蒸留水を1Lメスシリンダー中で混合し、マグネチックスターラーで撹拌しながら、塩酸を加えてpHを5.0とした後、蒸留水で全量を1,000gとして、コハク酸含有量0.1質量%、酸化セリウム砥粒含有量0.5質量%およびα−シクロデキストリン含有量0.2質量%のCMP用スラリーを得た。
酸化セリウム砥粒の代わりにヒュームドシリカ砥粒「Semi−Sperse 25」(キャボットマイクロエレクトロニクス社製)を用い、且つスラリーのpHを6.5としたこと以外は実施例1と同様にして、CMP用スラリーを調製した(スラリー全量中のヒュームドシリカ砥粒の含有量5質量%)。
EDTAの代わりにニトリロ三酢酸(NTA)(株式会社同仁化学研究所製)を用いたこと以外は実施例1と同様にして、CMP用スラリーを調製した(スラリー全量中のNTA含有量0.1質量%)。
試験基板としてSKW製パターンウエハ「SKW3−2」を用いた。前記ウエハは、図2に示すように、酸化絶縁膜2(酸化ケイ素)、ストッパ膜3(窒化ケイ素)、溝4、絶縁膜5(酸化ケイ素)が形成されたものである(酸化絶縁膜2の厚さ:10nm、ストッパ膜3の厚さ:150nm、ストッパ膜3の幅:100μm、溝4の深さ(ストッパ膜3の表面から溝4の底部までの距離):500nm、溝4の幅:100μm、絶縁膜5の平均厚さ:600nm)。研磨装置(MAT社製「BC−15」)の基板保持部に前記ウエハを固定した。一方、研磨定盤にはΦ380mmの無発泡ポリウレタン研磨パッドを両面テープで貼り付けた。コンディショナー(株式会社アライドマテリアル社製、直径19.0cm)を用い、圧力3.48kPa、定盤回転数100rpm、コンディショナー回転数140rpmで同方向に回転させ、純水を定量送液ポンプ(東京理科器械株式会社製「RP−1000」)にて毎分150mLで供給しながら60分間、研磨パッドのコンディショニングを行った。前記研磨パッド上に前記のようにして調製したCMP用スラリーを、毎分120mLで供給しながら、前記ウエハを研磨した(研磨定盤の回転速度100rpm、ウエハの回転速度99rpm、ウエハへの荷重23.4kPa)。ストッパ膜3(窒化ケイ素)上の絶縁膜5(酸化ケイ素)が消失し、ストッパ膜3が露出した時点をジャスト研磨として研磨を終了し、ウエハを蒸留水で洗浄および乾燥した。ジャスト研磨後のストッパ膜3と絶縁膜5との間の段差D2(図4)は、表面粗さ測定機を用いて測定した。詳しくは、表面粗さ測定機(株式会社ミツトヨ製小形表面粗さ測定機「SJ−400」)を用い、標準スタイラス、測定レンジ:80μm、JIS2001、GAUSSフィルタ、カットオフ値λc:2.5mm、カットオフ値λs:8.0μmの設定でジャスト研磨後のウエハを測定し、断面曲線から段差D2を算出した。結果を下記表1〜4に示す。
2 酸化絶縁膜(酸化ケイ素など)
3 ストッパ膜(窒化ケイ素など)
4 溝(エッチング部分)
5 絶縁膜(酸化ケイ素など)
6 シャロー・トレンチ分離領域
D1 初期段差
D2 段差
D3 段差増加量
Claims (5)
- 3個以上8個以下の酸性基を有し、最も離れた酸性基の間にある原子数が4〜12であるキレート剤(a)、オリゴ糖および/またはその誘導体(b)、酸化セリウム砥粒(c)並びに水(d)を含有し、
前記キレート剤(a)の含有量が、スラリー全量中、0.02〜2.0質量%であり、
前記オリゴ糖および/またはその誘導体(b)の含有量が、スラリー全量中、0.02〜2.0質量%であり、
前記オリゴ糖が、α−シクロデキストリン、β−シクロデキストリンおよびγ−シクロデキストリンよりなる群から選ばれる1種または2種以上であり、
シャロー・トレンチ分離領域を形成する工程で用いられる、
化学的機械的研磨用スラリー。 - 前記キレート剤(a)と前記オリゴ糖および/またはその誘導体(b)との質量比が、1/10〜10/1である請求項1に記載の化学的機械的研磨用スラリー。
- 前記キレート剤(a)が、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)(EDTMP)、N−(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミン三酢酸(HEDTA)、1,3−プロパンジアミン四酢酸(PDTA)、ジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)およびトリエチレンテトラミン六酢酸(TTHA)よりなる群から選択される1種または2種以上である、請求項1または2に記載の化学的機械的研磨用スラリー。
- pHが、3.0〜12.5である請求項1〜3のいずれか一項に記載の化学的機械的研磨用スラリー。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の化学的機械的研磨用スラリーを、シャロー・トレンチ分離領域を形成する工程で用いる化学的機械的研磨法。
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