JP7220522B2 - 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 - Google Patents
研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7220522B2 JP7220522B2 JP2018099745A JP2018099745A JP7220522B2 JP 7220522 B2 JP7220522 B2 JP 7220522B2 JP 2018099745 A JP2018099745 A JP 2018099745A JP 2018099745 A JP2018099745 A JP 2018099745A JP 7220522 B2 JP7220522 B2 JP 7220522B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- mass
- polishing slurry
- less
- abrasive grains
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
また、酸化セリウム粒子は、取扱性に優れ、所望の特性を効果的に発現できる観点から、粒子径分布が狭いことが好ましく、特に、累積体積90容量%における体積累積粒径D90と体積累積粒径D50との比(D90/D50)は1.0以上5.0以下とすることが好ましく、さらに好ましくは1.0以上3.0以下である。
pHの測定装置としては、例えば、株式会社堀場製作所製のpHイオンメーターD51、電極型式9625-10Dを用いることができる。
本実施形態の研磨砥粒は、無機研磨粒子の一例である酸化セリウム粒子の表面に多量のアミノ安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、アスパラギン酸、キナルジン酸、又はデフェリプロンが被覆されているので、研磨傷の発生を抑制しつつ研磨レートを向上させることが期待できる。
しかし、少なくとも出願時においては、著しく過大な経済的支出及び時間を要してしまう為、上述した特性又は構造を測定した上で、それらの特性又は構造を、請求項に規定することが技術的に不可能であった。
そこで、特許出願の性質上、迅速性等を必要とすることに鑑みて、上述した特性を規定することに代えて、「アミノ安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、アスパラギン酸、キナルジン酸及びデフェリプロンの群から選ばれる少なくとも1種の化合物の存在下で酸化セリウム粒子を湿式粉砕する工程を有する研磨砥粒の製造方法」という、その物の製造方法を、物の発明の請求項に記載して、請求項に係る本発明の研磨砥粒を特定している。
このように、本発明の出願時においては、本発明の研磨砥粒をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるという事情(「不可能的事情」)が存在している。
グルコースは、α-グルコースでもよいし、β-グルコースでもよい。例えば、α-グルコースがグリコシド結合した化合物としては、下記式(I)で表される構成単位及び下記式(II)で表される構成単位の少なくとも一方を含む糖類化合物が挙げられる。糖類は、1種類の糖類化合物であってもよいし、2種以上の糖類化合物の組合せであってもよい。
糖類の単糖としては、例えば、グルコース、ガラクトースが挙げられる。
糖類の二糖としては、例えば、ラクトース[構成:グルコース+ガラクトース]、イソマルツロース[構成:グルコース+フルクトース]、スクロース[構成:グルコース+フルクトース]等が挙げられる。イソマルツロースの具体例としては、例えば、三井製糖社製の商品名「パラチノース」等が挙げられる。
糖類の三糖としては、例えば、ラフィノース[構成:グルコース+ガラクトース+フルクトース]等が挙げられる。
糖類の四糖としては、例えば、アカルボース、スタキオースが挙げられる。
糖類のオリゴ糖としては、例えば、構成単位がグルコースのみであるオリゴ糖が挙げられ、具体的には、ゲンチオオリゴ糖等が挙げられる。ゲンチオオリゴ糖の具体例としては、例えば、日本食品化工社製の商品名「ゲントース♯45」等が挙げられる。
糖類の多糖としては、例えば、ポリデキストロース等が挙げられる。ポリデキストロースは、例えば、グルコースとソルビトールとクエン酸を89:10:1で加熱して製造されうる。ポリデキストロースの具体例としては、例えば、ダニスコ社製の商品名「ライテスIII」、「ライテスパウダー」、「ライテスII」、「ライテスウルトラ」、「ライテスファイバーHF」;テート&ライル社製の商品名「スターライトIII」、「スターライトエリート」、「プロミター85」;太陽化学社製の商品名「サンファイバー」;等が挙げられる。
検出器:ショーデックスRI SE-61示差屈折率検出器
カラム:東ソー株式会社製の「TSKgel α-M」と「TSKgel α-M」を直列につないだものを使用した。
溶離液:50mmoL/LiBr水溶液
カラム温度:40℃
流速:1.0mL/min
標準ポリマー:分子量が既知の単分散プルラン(Shodex社製のSTD-Pシリーズ)
研磨速度の向上という点では被研磨物の種類にもよるが、本実施形態の研磨スラリーのpHが6以上8以下の範囲が好ましい。無機研磨粒子のゼータ電位の点ではベスト(最も高い)な領域ではないが、研磨パッドとの関係もあって本実施形態の研磨スラリーのpHが6以上8以下の領域での研磨速度は、研磨スラリーのpH4.5~6の範囲に比べ向上し、研磨スラリーのpH3~4.5の範囲に比べ大きく向上する。尚、研磨スラリーのpHが4.5以下の領域では無機研磨粒子の帯電量を高く維持できるメリットがあるが、被研磨物が例えば酸化珪素膜である場合には該酸化珪素膜のゼータ電位がゼロに近づくため、研磨速度が下がるので、研磨傷抑制の効果はpHが4.5超の場合の方が有利になる。しかし、本実施形態の研磨スラリーはpH3~4.5の範囲でも、研磨傷の発生の抑制と研磨レートの向上の両立を十分に達成することができ、研磨スラリーのpH4.5~6の範囲では、研磨傷の発生の抑制と研磨レートの向上の両立を更に達成することができ、研磨スラリーのpH6~8の範囲では、研磨傷の発生の抑制と研磨レートの向上の両立を殊更達成することができる。
セリア砥粒A1~A5又はセリア砥粒B1に、必要に応じて糖類化合物及び水を混合して実施例1~20及び比較例1~2の研磨スラリーを得た。研磨スラリー中の各成分の含有量、及び研磨スラリーのpHを表1に示す。研磨スラリーのpHは、1規定のアンモニア水溶液を用いて調整した。
蒸留水にp-アミノ安息香酸を添加し、p-アミノ安息香酸の存在下に硝酸セリウムを出発原料として得られた高純度(純度99.99質量%)の酸化セリウム(湿式粉砕する前の粒径D50:10μm)を投入し、酸化セリウムをビーズミルで湿式粉砕して、セリア砥粒A1を得た。用いたビーズは直径1mmの株式会社ニッカトー製のものであった。得られたセリア砥粒A1は、構成する酸化セリウム粒子の平均粒径(D50)が40nmであり、酸化セリウム粒子の含有量が20質量%であった。また、p-アミノ安息香酸の仕込量が酸化セリウム粒子の質量に対して3質量%であった。
p-アミノ安息香酸に代えて、p-ヒドロキシ安息香酸を用いた以外はセリア砥粒A1と同様の製造方法にてセリア砥粒A2を製造した。得られたセリア砥粒A2は、構成する酸化セリウム粒子の平均粒径(D50)が40nmであり、酸化セリウム粒子の含有量が20質量%であった。また、p-ヒドロキシ安息香酸の仕込量が酸化セリウム粒子の質量に対して3質量%であった。
p-アミノ安息香酸に代えて、L-アスパラギン酸を用いた以外はセリア砥粒A1と同様の製造方法にてセリア砥粒A3を製造した。得られたセリア砥粒A3は、構成する酸化セリウム粒子の平均粒径(D50)が40nmであり、酸化セリウム粒子の含有量が20質量%であった。また、L-アスパラギン酸の仕込量が酸化セリウム粒子の質量に対して3質量%であった。
p-アミノ安息香酸に代えて、キナルジン酸を用いた以外はセリア砥粒A1と同様の製造方法にてセリア砥粒A4を製造した。得られたセリア砥粒A4は、構成する酸化セリウム粒子の平均粒径(D50)が40nmであり、酸化セリウム粒子の含有量が20質量%であった。また、キナルジン酸の仕込量が酸化セリウム粒子の質量に対して3質量%であった。
p-アミノ安息香酸に代えて、デフェリプロンを用いた以外はセリア砥粒A1と同様の製造方法にてセリア砥粒A5を製造した。得られたセリア砥粒A5は、構成する酸化セリウム粒子の平均粒径(D50)が40nmであり、酸化セリウム粒子の含有量が20質量%であった。また、デフェリプロンの仕込量が酸化セリウム粒子の質量に対して3質量%であった。
セリア砥粒B1としては、多結晶粉砕セリア粒子[昭和電工社製の「GPL-C1010」]を用いた。
<糖類>
グルコース[単糖]
ガラクトース[単糖]
ラクトース[二糖、構成:グルコース+ガラクトース]
スクロース[二糖、構成:グルコース+フルクトース]
イソマルツロース[二糖、構成:グルコース+フルクトース、三井製糖社製の「パラチノース」]
ラフィノース[三糖、構成:グルコース+ガラクトース+フルクトース]
ポリデキストロース[多糖、構成:グルコースとソルビトールとクエン酸とを混合し重合させたもの、重量平均分子量1400、デュポン社製の「ライテスII」]
セリア砥粒A1~A5又はセリア砥粒B1に、必要に応じて水、糖類化合物、pH調整剤を添加して表1に記載の実施例1~20及び比較例1~2の研磨スラリーを得た。pH調整剤として硝酸または水酸化カリウム水溶液を用いてpH値を調整した。研磨スラリーのpH値は下記方法により評価した。
実施例1~20および比較例1~2の研磨スラリーにおいて、添加剤によって被覆された砥粒のゼータ電位を、下記方法により評価した。また、実施例1~20および比較例1~2の研磨スラリーにおいて、酸化珪素膜の研磨速度(研磨レート)及び研磨傷を、それぞれ下記方法により評価した。その結果を下記表1に示した。
研磨開始前の各研磨スラリー25℃での添加剤によって被覆された砥粒のゼータ電位を測定した。ゼータ電位は大塚電子株式会社製の「ELSZ ゼータ電位・粒径測定システム」の電気泳動光散乱測定法の原理を用いた。
研磨液組成物の25℃におけるpH値は、pHメータ(東亜電波工業社製、「HM-30G」)を用いて測定した値であり、pHメータの電極を研磨液組成物へ浸漬して1分後の数値である。
後述する酸化珪素膜の研磨速度測定後の被研磨物の表面を、ブルカー・エイエックスエス株式会社製のAFM(原子間力顕微鏡)「Dimension Icon AFM」を使用して、1視野(10μm×10μm)を3箇所観察して、スクラッチの有無を確認した。
実施例1~20及び比較例1~2の研磨スラリーにおいて、下記に示すように作成した試験片を用い、酸化珪素膜(被研磨膜)の研磨速度(研磨レート)、窒化珪素膜(研磨ストッパ膜)の研磨速度(研磨レート)、研磨速度比(研磨選択性)を、下記方法により測定した。その結果を下記表1に示した。
<ブランケット基板>
シリコンウェーハの片面に、TEOS-プラズマCVD法で厚さ2000nmの酸化珪素膜(ブランケット膜)を形成したものから、40mm×40mmの正方形片を切り出し、酸化珪素膜試験片(ブランケット基板)を得た。
同様に、シリコンウェーハの片面に、CVD法で厚さ700nmの窒化珪素膜(ブランケット膜)を形成したものから、40mm×40mmの正方形片を切り出し、窒化珪素膜試験片(ブランケット基板)を得た。
研磨装置として、定盤径380mmのテクノライズ製「TR15M-TRK1」を用いた。また、研磨パッドとしては、ニッタ・ハース社製の硬質ウレタンパッド「IC-1000/Suba400」を用いた。前記研磨装置の定盤に、前記研磨パッドを貼り付けた。前記試験片をホルダーにセットし、試験片の酸化珪素膜を形成した面が下になるように(酸化珪素膜が研磨パッドに面するように)ホルダーを研磨パッドに載せた。さらに、試験片にかかる荷重が300g重/cm2となるように、錘をホルダーに載せた。研磨パッドを貼り付けた定盤の中心に、研磨液組成物を50mL/分の速度で滴下しながら、定盤及びホルダーのそれぞれを同じ回転方向に100r/分で1分間回転させて、酸化珪素膜試験片の研磨を行った。研磨後、超純水を用いて洗浄し、乾燥して、酸化珪素膜試験片を後述の光干渉式膜厚測定装置による測定対象とした。
酸化珪素膜の研磨速度(Å/分)
=[研磨前の酸化珪素膜厚さ(Å)-研磨後の酸化珪素膜厚さ(Å)]/研磨時間(分)
試験片として酸化珪素膜試験片の代わりに窒化珪素膜試験片を用いること以外は、前記[酸化珪素膜の研磨速度の測定]と同様に、窒化珪素膜の研磨及び膜厚の測定を行った。窒化珪素膜の研磨速度は下記式により算出した。表1に示す結果は、比較例1を100とした相対値である。
窒化珪素膜の研磨速度(Å/分)
=[研磨前の窒化珪素膜厚さ(Å)-研磨後の窒化珪素膜厚さ(Å)]/研磨時間(分)
窒化珪素膜の研磨速度に対する酸化珪素膜の研磨速度の比を研磨速度比とし、下記式により算出した。研磨速度比の値が大きいほど、研磨選択性が高いことを示す。
研磨速度比=酸化珪素膜の研磨速度(Å/分)/窒化珪素膜の研磨速度(Å/分)
Claims (12)
- アミノ安息香酸で表面が被覆されており、pH8以下でゼータ電位がプラスである無機研磨粒子からなる研磨砥粒を含む研磨スラリーであって、
グルコース、ガラクトース、及び、グルコース又はガラクトースがグリコシド結合した化合物から選ばれる少なくとも1種以上の糖類を含有し、
前記研磨砥粒が、アミノ安息香酸の存在下で、分散剤による表面処理がされていない研磨砥粒を湿式粉砕することで製造されたものである、研磨スラリー。 - 前記無機研磨粒子が酸化セリウム粒子である請求項1に記載の研磨スラリー。
- 前記研磨スラリーにおけるバルク中の前記糖類の含有量が0.1質量%以上4質量%以下である請求項1又は2に記載の研磨スラリー。
- 前記研磨砥粒の体積累積粒径D50が5nm以上1000nm以下である請求項1~3の何れか1項に記載の研磨スラリー。
- 前記研磨スラリーのpHが3以上9以下である請求項1~4の何れか1項に記載の研磨スラリー。
- 前記研磨スラリーのpHが6以上8以下である請求項1~4の何れか1項に記載の研磨スラリー。
- 酸化珪素膜と窒化珪素膜とが共存する被研磨面を研磨するSTI工程に用いる、請求項1~6の何れか1項に記載の研磨スラリー。
- 請求項1~7の何れか1項に記載の研磨スラリーを用いて被研磨物を研磨する被研磨物の研磨方法。
- 酸化珪素膜と窒化珪素膜とが共存する被研磨面を研磨するSTI工程において、該被研磨面を研磨する、請求項8に記載の研磨方法。
- 請求項1~7の何れか1項に記載の研磨スラリーの製造方法であって、
アミノ安息香酸の存在下で、分散剤による表面処理がされていない無機研磨粒子からなる研磨砥粒を湿式粉砕する工程を有する、研磨スラリーの製造方法。 - 前記無機研磨粒子が酸化セリウム粒子である請求項10に記載の研磨スラリーの製造方法。
- 前記無機研磨粒子に対して、0.1質量%以上10質量%以下のアミノ安息香酸を用いる請求項10又は11に記載の研磨スラリーの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018099745A JP7220522B2 (ja) | 2018-05-24 | 2018-05-24 | 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018099745A JP7220522B2 (ja) | 2018-05-24 | 2018-05-24 | 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019203088A JP2019203088A (ja) | 2019-11-28 |
JP7220522B2 true JP7220522B2 (ja) | 2023-02-10 |
Family
ID=68726165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018099745A Active JP7220522B2 (ja) | 2018-05-24 | 2018-05-24 | 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7220522B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20240062240A (ko) * | 2022-10-28 | 2024-05-09 | 솔브레인 주식회사 | 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009272601A (ja) | 2008-04-09 | 2009-11-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤、これを用いた基板の研磨方法並びにこの研磨方法に用いる溶液及びスラリー |
JP2015129217A (ja) | 2014-01-07 | 2015-07-16 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 |
WO2016141259A1 (en) | 2015-03-05 | 2016-09-09 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition containing cationic polymer additive |
JP2016183346A (ja) | 2010-12-24 | 2016-10-20 | 日立化成株式会社 | 研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法 |
JP2016222867A (ja) | 2015-06-03 | 2016-12-28 | 日立化成株式会社 | スラリー及びその製造方法、並びに、研磨方法 |
JP2017110219A (ja) | 2015-12-14 | 2017-06-22 | 日立化成株式会社 | 研磨液、研磨液セット及び基体の研磨方法 |
JP2017190413A (ja) | 2016-04-14 | 2017-10-19 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 |
WO2017213255A1 (ja) | 2016-06-09 | 2017-12-14 | 日立化成株式会社 | Cmp用研磨液及び研磨方法 |
JP2018024814A (ja) | 2016-07-28 | 2018-02-15 | 株式会社バイコウスキージャパン | 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 |
WO2018062403A1 (ja) | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
JP2018059054A (ja) | 2016-09-29 | 2018-04-12 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
WO2018194792A1 (en) | 2017-04-17 | 2018-10-25 | Cabot Microelectronics Corporation | Self-stopping polishing composition and method for bulk oxide planarization |
JP2019070112A (ja) | 2017-09-28 | 2019-05-09 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | 浅溝分離に使用するための水性シリカスラリー及びアミンカルボン酸組成物並びにその使用方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101406759B1 (ko) * | 2012-11-07 | 2014-06-19 | 주식회사 케이씨텍 | 연마 슬러리 및 이를 이용한 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법 |
-
2018
- 2018-05-24 JP JP2018099745A patent/JP7220522B2/ja active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009272601A (ja) | 2008-04-09 | 2009-11-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤、これを用いた基板の研磨方法並びにこの研磨方法に用いる溶液及びスラリー |
JP2016183346A (ja) | 2010-12-24 | 2016-10-20 | 日立化成株式会社 | 研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法 |
JP2015129217A (ja) | 2014-01-07 | 2015-07-16 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 |
WO2016141259A1 (en) | 2015-03-05 | 2016-09-09 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition containing cationic polymer additive |
JP2016222867A (ja) | 2015-06-03 | 2016-12-28 | 日立化成株式会社 | スラリー及びその製造方法、並びに、研磨方法 |
JP2017110219A (ja) | 2015-12-14 | 2017-06-22 | 日立化成株式会社 | 研磨液、研磨液セット及び基体の研磨方法 |
JP2017190413A (ja) | 2016-04-14 | 2017-10-19 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 |
WO2017213255A1 (ja) | 2016-06-09 | 2017-12-14 | 日立化成株式会社 | Cmp用研磨液及び研磨方法 |
JP2018024814A (ja) | 2016-07-28 | 2018-02-15 | 株式会社バイコウスキージャパン | 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 |
WO2018062403A1 (ja) | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
JP2018059054A (ja) | 2016-09-29 | 2018-04-12 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
WO2018194792A1 (en) | 2017-04-17 | 2018-10-25 | Cabot Microelectronics Corporation | Self-stopping polishing composition and method for bulk oxide planarization |
JP2019070112A (ja) | 2017-09-28 | 2019-05-09 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | 浅溝分離に使用するための水性シリカスラリー及びアミンカルボン酸組成物並びにその使用方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019203088A (ja) | 2019-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106103640B (zh) | 研磨用组合物、研磨方法及基板的制造方法 | |
TWI475607B (zh) | Preparation method of non - oxide single crystal substrate | |
JP4759298B2 (ja) | 単結晶表面用の研磨剤及び研磨方法 | |
WO2013125446A1 (ja) | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 | |
JP5856256B2 (ja) | ニッケル−リン記憶ディスク用の研磨組成物 | |
KR102589117B1 (ko) | 슬러리, 연마액의 제조 방법, 및 연마 방법 | |
TWI664279B (zh) | 研磨粒、其製造方法、包含其之研磨漿料及使用其之研磨方法 | |
TWI433903B (zh) | 用於鎳-磷記憶碟之拋光組合物 | |
JP6510812B2 (ja) | 酸化珪素膜研磨用研磨粒子 | |
JPWO2018062403A1 (ja) | 研磨液組成物 | |
JP7220522B2 (ja) | 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 | |
JP6985905B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
TWI667199B (zh) | Tantalum gum and semiconductor wafer polishing composition containing the same | |
JP2017203076A (ja) | Cmp研磨剤及びこれを用いた研磨方法 | |
JP6563957B2 (ja) | 酸化珪素膜研磨用研磨液組成物 | |
WO2017085904A1 (ja) | 研磨組成物及び研磨方法 | |
WO2018179062A1 (ja) | 研磨液、研磨液セット、添加液及び研磨方法 | |
WO2019044978A1 (ja) | スラリ及び研磨方法 | |
JP2020023408A (ja) | セリア系微粒子分散液、その製造方法およびセリア系微粒子分散液を含む研磨用砥粒分散液 | |
JP7398304B2 (ja) | 研磨用組成物、研磨方法および半導体基板の製造方法 | |
JP7315394B2 (ja) | セリア系微粒子分散液、その製造方法およびセリア系微粒子分散液を含む研磨用砥粒分散液 | |
JP2019099762A (ja) | 研磨砥粒、その製造方法、それを含む研磨スラリー及びそれを用いる研磨方法 | |
KR20220122515A (ko) | 연마용 조성물 및 연마 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210928 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221025 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230131 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7220522 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |