JP6928271B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
図1は、第1実施形態に係る発光装置1の斜視図である。図2は、図1で示した発光装置1の上面図である。図3は、発光装置1の内部構造を説明するための斜視図であり、蓋部材80が省略された斜視図である。図4は、図3で示した発光装置1の上面図である。図5は、発光装置1の基部10だけを示した上面図である。図6は、図2のVI- VI線における発光装置1の断面図である。
まず、段差部上面21に保護素子60を配置する。例えば、Siの保護素子が配置される場合、セラミックの基部10を用いる方が、樹脂で形成された基部を用いるよりも接合に好ましい。保護素子との線膨張係数の差が、セラミックの方が小さいためである。
10 基部
11 上面
12 底面
13 下面
14 内側面
15 第1内側面
16 第2内側面
17 外側面
18 第1外側面
19 第2外側面
20 段差部
21 段差部上面
22 段差部側面
23 第1段差部
24 第2段差部
25 金属膜
30 半導体レーザ素子
31 第1半導体レーザ素子
32 第2半導体レーザ素子
33 第3半導体レーザ素子
40 サブマウント
50 光反射部材
60 保護素子
61 第1保護素子
62 第2保護素子
63 第3保護素子
70、71 ワイヤ
80 蓋部材
Claims (15)
- 複数の半導体レーザ素子と、
前記複数の半導体レーザ素子が配される底面を囲う枠部と、
前記枠部による枠の内側で前記底面に配され、前記底面に配された前記複数の半導体レーザ素子から前記枠部の第1内側面に向かって進行するレーザ光を反射する1又は複数の光反射部材と、
前記枠部の上面が形成する枠の内側において、前記第1内側面と交わる第2内側面に沿って形成される段差部と、
前記段差部の上面に設けられる複数の金属膜と、
前記複数の半導体レーザ素子を電気的に接続するための複数のワイヤと、
前記複数の半導体レーザ素子のうち第1半導体レーザ素子の光の出射端面を含む平面よりも光進行側で前記段差部の上面に配される保護素子と、
を有する発光装置。 - 複数の前記保護素子を有し、
2つの前記第2内側面のそれぞれで、前記第2内側面に沿って形成される前記段差部の上面に、1以上の前記保護素子が設けられる請求項1に記載の発光装置。 - 上面視で、前記保護素子及び前記光反射部材は、前記第1内側面に平行な1つの直線と交わる請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記複数の半導体レーザ素子は、前記第1半導体レーザ素子と並べて配置される第2半導体レーザ素子を有し、
前記複数のワイヤのうち、前記第1半導体レーザ素子を電気的に接続する複数のワイヤは、2つの前記第2内側面のうち、前記第2半導体レーザ素子の方が前記第1半導体レーザ素子よりも近い側の前記第2内側面に形成される前記段差部の上面に設けられる前記金属膜とは接合せず、
前記複数のワイヤのうち、前記第2半導体レーザ素子を電気的に接続する複数のワイヤは、2つの前記第2内側面のうち、前記第1半導体レーザ素子の方が前記第2半導体レーザ素子よりも近い側の前記第2内側面に形成される前記段差部の上面に設けられる前記金属膜とは接合しない請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記複数の半導体レーザ素子は、前記第1半導体レーザ素子及び前記第2半導体レーザ素子と並べて配置される第3半導体レーザ素子を有し、
前記複数のワイヤのうち、前記第3半導体レーザ素子を電気的に接続する複数のワイヤは、2つの前記第2内側面に形成される前記段差部の上面に設けられる前記金属膜と接合する請求項4に記載の発光装置。 - 前記第1半導体レーザ素子と前記第2半導体レーザ素子は隣り合って配置され、前記第3半導体レーザ素子は、前記第1半導体レーザ素子あるいは前記第2半導体レーザ素子と隣り合って配置される請求項5に記載の発光装置。
- 前記第1半導体レーザ素子、第2半導体レーザ素子、及び、第3半導体レーザ素子は、マルチエミッターである請求項5または6に記載の発光装置。
- 前記底面、及び、前記枠部を有し、凹形状を形成する基部を有する請求項1乃至7のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記段差部上面は、前記複数の半導体レーザ素子からの光の出射位置よりも高い請求項1乃至8のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記複数の半導体レーザ素子を配置するサブマウントをさらに有し、
前記複数の半導体レーザ素子は、前記サブマウントを介して前記底面に配置される請求項1乃至9のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記サブマウントの出射端面側の側面は、前記第2内側面に平行な方向に関して、対向する前記第1内側面の中心よりも、光進行側の前記第1内側面に近い位置で、前記底面に配置される請求項10に記載の発光装置。
- 前記サブマウントの出射端面側と反対側の側面は、前記第2内側面に平行な方向に関して、対向する前記第1内側面の中心よりも、素子側の前記第1内側面に近い位置で、前記底面に配置される請求項11に記載の発光装置。
- 前記枠部は、前記第1内側面側の第1外側面と、前記第2内側面側の第2外側面と、を有し、
前記サブマウントの出射端面側の側面は、前記第2内側面または前記第2外側面に平行な方向に関して、対向する前記第1外側面の中心よりも、光進行側の前記第1外側面に近い位置で、前記底面に配置される請求項10に記載の発光装置。 - 前記サブマウントの出射端面側と反対側の側面は、前記第2内側面または前記第2外側面に平行な方向に関して、対向する前記第1外側面の中心よりも、素子側の前記第1外側面に近い位置で、前記底面に配置される請求項13に記載の発光装置。
- 複数の前記保護素子を有し、
複数の前記保護素子のうちのいずれかの保護素子が配される前記金属膜において、前記第1半導体レーザ素子を電気的に接続するためのワイヤが接合される請求項1乃至14のいずれか一項に記載の発光装置。
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