本明細書または特許請求の範囲において、三角形や四角形などの多角形に関しては、多角形の隅に角丸め、面取り、角取り、丸取り等の加工が施された形状も含めて、多角形と呼ぶものとする。また、隅(辺の端)に限らず、辺の中間部分に加工が施された形状も同様に、多角形と呼ぶものとする。つまり、多角形をベースにして加工が施された形状は、本明細書及び特許請求の範囲で記載される“多角形”の解釈に含まれるものとする。
また、多角形に限らず、台形や円形や凹凸など、特定の形状を表す言葉についても同様である。また、その形状を形成する各辺を扱う場合も同様である。つまり、ある辺において、隅や中間部分に加工が施されていたとしても、“辺”の解釈は加工された部分も含む。なお、意図的な加工が加えられていない“多角形”や“辺”を、加工された形状と区別する場合は“厳密な”を付して、例えば、“厳密な四角形”などと記載するものとする。
また、本明細書または特許請求の範囲において、ある構成要素に関し、これに該当するものが複数あり、それぞれを区別して表現する場合に、その構成要素の頭に“第1”、“第2”と付記して区別することがある。このとき、本明細書と特許請求の範囲とで区別する対象や観点が異なっていれば、本明細書における付記の態様と、特許請求の範囲における付記の態様と、が一致しないことがある。
以下に、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態を説明する。ただし、示される形態は、本発明の技術思想が具体化されたものではあるが、本発明を限定するものではない。また、以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、重複した説明は適宜省略することがある。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。
<第1実施形態>
図1は、第1実施形態に係る発光装置1の斜視図である。図2は、図1で示した発光装置1の上面図である。図3は、発光装置1の構成要素を説明するための斜視図であり、蓋部材70が省略された斜視図である。図4は、図3で示した発光装置1の上面図である。図5は、図2のV-V線における発光装置1の断面図である。図6は、発光装置1が有するサブマウント30の上面図である。図7は、発光装置1に関し、実装される半導体レーザ素子とサブマウント30の関係を説明するためのサブマウントの上面図である。図8及び図10は、拡大領域を示す点線枠を記した発光装置1の斜視図である。図9及び図11はそれぞれ、図8の拡大領域及び図10の拡大領域における拡大図である。図12は、出射位置の異なる半導体レーザ素子からの光を比較するための模式図である。なお、図が煩雑にならないように、図4に記されたワイヤを他の図では省略している。
発光装置1は、構成要素として、基部10、3つの半導体レーザ素子20、サブマウント30、光反射部材40、6つの保護素子50、9本のワイヤ60、及び、蓋部材70を有する。
基部10は、上面視で外形が矩形であり、外形の内側において凹形状を形成する。この凹形状は、上面から下面の方向に向かって窪んだ凹部を有する。また、基部10は、上面11、底面12、下面13、内側面14、及び、外側面15を有する。また、凹部において、上面と側面とで構成される段差部16を有する。
上面11は、内側面14及び外側面15と交わり、下面13は外側面15と交わる。底面12は、下面13より上方、かつ、上面11より下方にあり、凹部の底となる上面である。底面12は、段差部16が形成される領域では段差部16の側面と、段差部16が形成されていない領域では内側面14とが交わる。段差部16の上面は内側面14と交わる。
凹部は、上面が形成する枠の内側に窪んだ空間を形成する。この枠の外形は矩形である。段差部16は、この矩形の枠の内側に形成される。また、段差部16は、この矩形の対向する二辺に係る内側面14のそれぞれに沿って、内側面14の全長に亘って設けられる。
残りの対向する二辺に係る内側面14は、交差部分を除いて段差部16は設けられていない。ここで、交差部分とは、側面と側面とが交わる端の部分である。なお、段差部16を設ける領域はこれに限らない。一辺に係る内側面14にのみ段差部16を有していてもよい。また、上述の残りの対向する二辺の少なくとも一辺に係る内側面14にさらに段差部16を有していてもよい。
基部10は、セラミックを主材料として形成することができる。基部10に用いられるセラミックとしては、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素などが挙げられる。
基部10の下面13、及び、段差部16の上面には、それぞれ複数の金属膜が設けられる。また、下面13側の金属膜と、段差部16の上面側の金属膜とは、基部10の内部を通る金属で繋がり電気的に接続することができる。なお、金属膜は、基部10の別の領域に設けられてもよい。例えば、段差部16の上面に代えて底面12に、下面13に代えて基部10の上面11または外側面15に、金属膜が設けられてもよい。
なお、基部10は、底面12を含む底部と、内側面14や段差部16を含み底部を囲う枠を形成する枠部と、をそれぞれ異なる主材料で形成し、これらを接合することで形成されてもよい。例えば、枠部にはセラミックを主材料に用い、底部にはセラミックよりも熱伝導率の高い金属を主材料に用いて、基部10を形成してもよい。
半導体レーザ素子20は、上面視あるいは下面視で長方形の外形を有する。また、短辺及び長辺を有する長方形の外形を有する。この長方形の2つの短辺のうちの一辺と交わる側面が、半導体レーザ素子20から放射される光の出射端面201となる(図9参照)。また、半導体レーザ素子20の上面及び下面は、出射端面201よりも面積が大きい。
3つの半導体レーザ素子20のそれぞれが、2つのエミッターを有するマルチエミッターである。半導体レーザ素子20の上面及び下面において、一方の面(第1面202)に2つのエミッターに共通する1つの電極面が、他方の面(第1面202と反対側にある第2面203)に2つのエミッターに1対1で対応する2つの電極面が設けられる。第1面202の電極面はカソード電極で、第2面203の2つの電極面はアノード電極となる。
第2面203には、長方形の長辺方向に伸びる2つのリッジが並んで設けられ、1つのリッジに1つのエミッターに対応する電極面が設けられる。そのため、第2面203には、長辺方向に伸びる1つの溝が形成され、2つのリッジはこの溝を境に設けられている。
半導体レーザ素子20は2つのエミッターを有するため、出射端面201における光の出射位置EPも2箇所ある(図9参照)。半導体レーザ素子20では、この2箇所の出射位置EPはいずれも、第1面202よりも第2面203に近い位置にある。
それぞれのエミッターから放射されるレーザ光は拡がりを有し、光の出射端面201と平行な面において楕円形状のファーフィールドパターン(以下「FFP」という。)を形成する。なお、FFPとは、出射端面から離れた位置における出射光の形状や光強度分布のことである。
ここで、出射端面からFFPの楕円形状の中心を通る光を、光軸を通る光と呼ぶものとする。また、光強度分布におけるピーク強度値の半値全角を、そのレーザ光の拡がり角と呼ぶものとする。またさらに、FFPの楕円形状の長径方向における拡がり角を垂直方向の拡がり角、短径方向における拡がり角を水平方向の拡がり角と呼ぶものとする。
垂直方向の拡がり角に関して、3つの半導体レーザ素子20のうち1つの半導体レーザ素子は、2つの半導体レーザ素子のいずれよりも拡がり角が3度以上大きい。なお、3度未満であってもよく、あるいは、同じであってもよい。また、3つの半導体レーザ素子20はいずれも、垂直方向の拡がり角に対して水平方向の拡がり角が十分に小さい。例えば、水平方向の拡がり角は、垂直方向の拡がり角の半分以下である。
また、3つの半導体レーザ素子20は、それぞれ、青色の光を放射する半導体レーザ素子と、緑色の光を放射する半導体レーザ素子と、赤色の光を放射する半導体レーザ素子とで構成される。また、発光装置1では、赤色の光を放射する半導体レーザ素子の垂直方向の拡がり角が、他と比べて3度以上大きい。
ここで、青色の光は、その発光ピーク波長が420nm~494nmの範囲内にある光をいい、緑色の光は、その発光ピーク波長が495nm~570nmの範囲内にある光をいい、赤色の光は、その発光ピーク波長が605nm~750nmの範囲内にある光をいうものとする。なお、発光装置1にこれ以外の色の光を放射する半導体レーザ素子を採用してもよい。また、同じ色の半導体レーザ素子を複数採用してもよい。
また、青色または緑色の光を発する半導体レーザ素子には、窒化物半導体を含む半導体レーザ素子が挙げられる。窒化物半導体としては、例えば、GaN、InGaN、及びAlGaNを用いることができる。赤色の光を発する半導体レーザ素子には、例えば、InAlGaP系やGaInP系、GaAs系やAlGaAs系の半導体を含むものが挙げられる。
3つの半導体レーザ素子20のうち2つの半導体レーザ素子は、上面視の外形における長辺の長さが同じである。ここでの同じ長さとは、20%の差を含むものとする。また、残りの1つの半導体レーザ素子は、上面視の外形における長辺の長さが2つの半導体レーザ素子よりも大きい。具体的には20%を超えて長い。
なお、相対的にみて実質的に長いと言えれば、これに限らず、2つの半導体レーザ素子よりも残りの1つの半導体レーザ素子の方が長いといってよい。例えば、2つの半導体レーザ素子の間の長辺の長さの差よりも、この2つのうちの長い方の半導体レーザ素子と残りの1つの半導体レーザ素子の間の長辺の長さの差の方が大きい場合に、実質的に長いといってよい。
またあるいは、後述するサブマウント30の構造とも関係するが、少なくとも配線領域を確保する長さの分だけ、2つの半導体レーザ素子のいずれよりも残りの1つの半導体レーザ素子が長い場合に、実質的に長いといってよい。
2つの半導体レーザ素子に係るものとして、例えば、300μmの長さが配線領域のために確保される。またあるいは、残りの1つの半導体レーザ素子の係るものを加味して、例えば、450μmの長さが配線領域のために確保される。そのため、上面視の外形における長辺の長さについて、2つの半導体レーザ素子のいずれよりも残りの1つの半導体レーザ素子の方が300μm以上、または、450μm以上大きい場合に、実質的に長いといってもよい。
なお、発光装置1では、上面視の外形における長辺の長さについて、最も長い半導体レーザ素子は、他の半導体レーザ素子よりも、2倍以上、あるいは、500μm以上、長くなっている。
なお、「長辺の長さ」を「光の出射端面と直交する方向の長さ」と置き換えても同様のことがいえる。発光装置1では、赤色の光を放射する半導体レーザ素子が、青色または緑色の光を放射する半導体レーザ素子よりも長い方の半導体レーザ素子である。
長辺の長さを調整することで光の出力(発光強度)を調整することができる。また、必要な出力を得るために必要とされる長さは、発光効率もよる。そのため、各半導体レーザ素子に所望される光の発光色や出力に応じて長辺の長さは設計できる。このため、発光装置1では、長辺の長さの異なる半導体レーザ素子を有する。
以下の説明では、長辺の長さが短い方の2つの半導体レーザ素子と長い方の1つの半導体レーザ素子を区別したい場合に、短い方の2つの半導体レーザ素子を第1半導体レーザ素子21、長い方の1つの半導体レーザ素子を第2半導体レーザ素子24、と区別するものとする。
なお、半導体レーザ素子20は、エミッターが1つのシングルエミッターであってもよい。また、シングルエミッターとマルチエミッターの半導体レーザ素子が混在していてもよい。また、半導体レーザ素子の数は複数であるが、3つに限らない。例えば、2つや4つなど、複数の半導体レーザ素子で構成することができる。
サブマウント30は直方体の形状で構成される。また、サブマウント30は高さ方向の辺が最も小さい。高さ方向に垂直な上面及び下面は、いずれも矩形の外形を有する。また、上面と下面とは平行である。ここでの平行は5度以内の差を含む。なお、サブマウント30は、矩形の外形でなくてもよく、直方体の形状でなくてもよい。
サブマウント30は、絶縁性を有する絶縁部材を主材料として直方体の外形が形成される。また、その上面に、複数の領域に分かれて金属膜が設けられる。この複数の金属膜同士は繋がっていない。つまり、上面視で、各金属膜は絶縁材料を介して離隔している。
サブマウント30は、具体的に4つの金属膜を有している。また、この4つの金属膜は、サブマウント30の上面のうちの一辺の近傍に端が揃うようにして並べられる(図6参照)。ここで、揃うとは、距離が同じとなることである。つまり、4つの金属膜は、サブマウント30の上面の一辺からの距離が一定となるように設けられる。なお、金属膜の数は4つに限らなくてよい。
以下の説明では、これらの金属膜を区別したい場合に、図6の上辺において、左からこの並び順に、第1金属膜31、第2金属膜32、第3金属膜33、第4金属膜34、と区別するものとする。
各金属膜は、層構造を有しており、下層金属層35の上に上層金属層37が形成される。また、上層金属層37は、下層金属層35が形成された領域の一部に形成される。そのため、各金属膜は、上面視で、下層金属層35が露出する下層膜領域36と、上層金属層37が露出する上層膜領域38と、を有する。また、下層膜領域36の外形は、金属膜の外形でもある。なお、金属膜は、このような層構造を有するものに限らない。
第1金属膜31と第2金属膜32は、上面視で、同じ外形と大きさを有している。また、その外形は長方形である。また、上層膜領域38同士も、上面視で、同じ外形と大きさを有している。また、その外形は、下層金属層35よりも小さい長方形である。ここでの同じ大きさとは、20%以内の面積差を含むものとする。
第3金属膜33と第4金属膜34は、上面視で、異なる外形を有する多角形であるが、その外形にL字構造を含んでいる点で共通している。また、上層膜領域38同士は、同じ外形と大きさを有している。また、その外形は長方形である。ここでの同じ大きさとは、20%以内の面積差を含むものとする。
第1金属膜31から第4金属膜34まで、上層膜領域38を形成する長方形の長辺同士は平行である。従って、短辺同士も平行である。ここでの平行は、3度の差を含む。以降、サブマウント30に関する説明で、長辺方向、短辺方向というときは、この長方形の長辺方向、短辺方向に基づくものとする。
短辺方向の長さに関し、第1金属膜31または第2金属膜32の上層膜領域38は、第3金属膜33または第4金属膜34の上層膜領域38よりも大きい。具体的には、例えば、2倍以上大きい。また、長辺方向の長さに関し、第3金属膜33または第4金属膜34の上層膜領域38は、第1金属膜31または第2金属膜32の上層膜領域38よりも大きい。具体的には、例えば、20%を超えて大きい。
また、長辺方向の長さに関し、第3金属膜33または第4金属膜34の上層膜領域38の長さは、第1金属膜31または第2金属膜32の長さよりも大きい。
第3金属膜33のL字構造は、長辺方向に伸びる一辺と、第1金属膜31または第2金属膜32よりも長辺方向に突出した部分から短辺方向に伸びる一辺と、で構成される。また、短辺方向に伸びる一辺は、第1金属膜31または第2金属膜32との距離が遠ざからない方向に伸びる。図6の例では、左右反転したL字の構造を形成している。
第4金属膜34のL字構造は、長辺方向に伸びる一辺と、第1金属膜31、第2金属膜32、または、第3金属膜33の上層膜領域38よりも長辺方向に突出した部分から短辺方向に伸びる一辺と、で構成される。また、短辺方向に伸びる一辺は、第1金属膜31または第2金属膜32との距離が遠ざからない方向に伸びる。
従って、第3金属膜33または第4金属膜34は、長辺方向に第1金属膜31または第2金属膜32よりも突出した部分から同じ方向に伸びる。こうすることで、矩形などのシンプルな形状でサブマウント30の上面を形成し、かつ、その外形を小さくすることができる。
第3金属膜33の短辺方向に伸びる長さは、短辺方向で第1金属膜31よりも突出しない。これにより、同様に、サブマウント30の外形を小さく収めることができる。また、第4金属膜34の短辺方向に伸びる一辺の端ELよりも突出して、第3金属膜33は短辺方向に伸びる(図6参照)。また、短辺方向に伸びる長さは、第3金属膜33の方が第4金属膜34よりも長い。
第3金属膜33は、第4金属膜34の短辺方向に伸びる一辺の端ELよりも突出した部分で、長辺方向に伸びる。ここでの伸びる方向は、第1金属膜31または第2金属膜32との距離が遠ざかる方向である。また、この長辺方向に伸びる長さは、長辺方向で第4金属膜34よりも突出しない。これにより、同様に、サブマウント30の外形を小さく収めることができる。
第3金属膜33の短辺方向に伸びる一辺と、第1金属膜31または第2金属膜32との距離が遠ざかる方向で長辺方向に伸びる一辺とは、L字構造を構成する。従って、第3金属膜33は、互いに1つの辺を共有する2つのL字構造を有するといえる。また、この2つのL字構造は、共有する1つの辺を境に、互いに逆の向きで長辺方向に伸びる一辺を構成する。
第3金属膜33には、下層膜領域36において、管理情報を付記するための付記領域39が設けられる。管理情報とは、例えば、個々の発光装置1を識別する識別情報や、ロット単位で発光装置1を識別する識別情報など、発光装置1やその構成要素を管理するための情報である。管理情報は、例えば、二次元コードによって設けられる。
なお、管理情報としては、例示したものに限らない。例えば、二次元コードにアドレス情報を埋め込み、そのアドレスでインターネットにアクセスすることで製品マニュアルやヘルプ情報が閲覧できるようにしてもよい。つまり、管理情報は、間接的に製品情報へと結び付けるための情報であってもよい。
付記領域39を設けるため、第3金属膜33の方が第4金属膜34よりも面積が大きい。また、第3金属膜33の下層膜領域36の方が第4金属膜34の下層膜領域36よりも面積が大きい。また、短辺方向に伸びる一辺における長辺方向の幅は、第3金属膜33の下層膜領域36の方が第4金属膜34の下層膜領域36よりも大きい。
また、付記領域39は、第4金属膜34の短辺方向に伸びる一辺の端ELよりも突出した部分に設けられる。また、付記領域39は、この突出した部分で下層膜領域36が長辺方向に伸びる領域にまで及ぶ。つまり、管理情報を設けるために確保する領域は、下層膜領域36の長辺方向に伸びる領域にまで及び得る。
第4金属膜34の短辺方向に伸びる長さを第3金属膜33よりも短くし、第3金属膜33を長辺方向に突出させた第2のL字構造を設けることで、サブマウント30の外形を小さく収めつつ、第3金属膜33をはみ出さないように付記領域39を設けることができる。
なお、付記領域39を第4金属膜34に設けるようしてもよい。例えば、第3金属膜33の短辺方向に伸びる辺を短くし、第4金属膜34を第3金属膜33よりも短辺方向に突出させ、突出部分で第1金属膜31または第2金属膜32に近付く方向に伸びるようにしてもよい。
第1金属膜31または第1金属膜31の上層金属層37において、短辺方向の辺の中点を通り、長辺方向に平行な直線(仮想線ML1)は、第1金属膜31と第3金属膜33とに交わる(図6参照)。このとき、第3金属膜33では、上層金属層37は交わらず、下層金属層35が交わる。この関係を満たして金属膜を形成することで、サブマウント30の外形を小さく収めることができる。
サブマウント30、第2金属膜32、または、第2金属膜32の上層金属層37において、短辺方向の辺の中点を通り、長辺方向に平行な直線(仮想線ML2)は、第2金属膜32、第3金属膜33、及び、第4金属膜34に、この順で交わる(図6参照)。このとき、第3金属膜33と第4金属膜34では、上層金属層37は交わらず、下層金属層35が交わる。この関係を満たして金属膜を形成することで、サブマウント30の外形を小さく収めることができる。
付記領域39は、仮想線ML1と交わる。また、仮想線ML2を境界にして、第1金属膜31側に設けられる。
サブマウント30には、主材料の絶縁材料として、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、又は炭化ケイ素などを用いることができる。また、金属膜は、下層金属層35にTi/Pt/Au(サブマウント30の上面からTi、Pt、Auの順で積層したもの)を、上層金属層37にPt/AuSnを用いて形成することができる。なお、金属膜の形成材料はこれに限らない。
光反射部材40は、下面に対して傾斜した光反射面41を有する。光反射面41は平面で、下面に対して45度の角度を成すように設計される。なお、この角度は45度に限らなくてもい。また、光反射面41は曲面であってもよい。
光反射部材40には、ガラスや金属などを主材料に用いることができる。主材料は熱に強い材料がよく、例えば、石英若しくはBK7(硼珪酸ガラス)等のガラス、Al等の金属、又はSiなどを用いることができる。また、光反射面41には、Ag、Al等の金属やTa2O5/SiO2、TiO2/SiO2、Nb2O5/SiO2等の誘電体多層膜等を採用することができる。
光反射面41は、反射させるレーザ光のピーク波長に対する光反射率を99%以上とすることができる。これらの光反射率は100%以下あるいは100%未満とすることができる。
保護素子50は、特定の素子(例えば半導体レーザ素子)に過剰な電流が流れて破壊されてしまうことを防ぐためのものである。保護素子50としては、例えば、ツェナーダイオードがあげられる。また、ツェナーダイオードとしては、Siで形成されたものを採用できる。ワイヤ60は、例えば、金属の配線である。
蓋部材70は直方体の形状で構成される。また、蓋部材70は高さ方向の辺が最も小さい。蓋部材70は、透光性の材料を主材料に用いて形成される。主材料には、例えば、サファイアを用いることができる。サファイアは、比較的屈折率が高く、比較的強度も高い。また、蓋部材70の下面の外周領域には、金属膜が設けられる。
なお、蓋部材70は、上面あるいは下面の一部に非透光性の領域を有していてもよい。例えば、一部に反射性や遮光性の高い領域を設けてもよい。また、形状は直方体に限らない。また、蓋部材70の主材料にガラス等を用いることもできる。
次に、これらの構成要素を用いて製造される発光装置1について説明する。
まず、段差部16の上面に保護素子50を配置する。発光装置1では、1つの保護素子50が1つのエミッターに対応するため、エミッターの数だけ保護素子50が設けられる。保護素子50を配置する領域に、サブマウント30以外の領域を利用することで、サブマウント30の小型化に寄与する。なお、保護素子50は、凹部内で、段差部16の上面以外の領域に配されていてもよい。
次に、3つの半導体レーザ素子20がサブマウント30に配置される。また、3つの半導体レーザ素子20は、電極面がサブマウント30の上層金属層37と接合するように上層膜領域38に載置される。そのため、3つの半導体レーザ素子20は並んで配される。具体的には、2つの第1半導体レーザ素子21が隣り合って載置され、その内の1つの第1半導体レーザ素子21の隣に第2半導体レーザ素子24が載置される。従って、サブマウント30は、半導体レーザ素子20が載置される載置部材としての役割を果たす。
以下の説明では、サブマウント30に配置された2つの第1半導体レーザ素子21を区別する場合、第2半導体レーザ素子24に近い方の第1半導体レーザ素子を近位第1半導体レーザ素子22、第2半導体レーザ素子24から遠い方の第1半導体レーザ素子を遠位第1半導体レーザ素子23と区別する。
第1半導体レーザ素子21はジャンクションアップ型で接合され、第2半導体レーザ素子24はジャンクションダウン型で接合される。言い換えると、第1半導体レーザ素子21では第1面202がサブマウント30に載置され、第2半導体レーザ素子24では第2面203がサブマウント30に載置される。
遠位第1半導体レーザ素子23は第1金属膜31の上層金属層37に、近位第1半導体レーザ素子22は第2金属膜32の上層金属層37に接合されて載置される。第2半導体レーザ素子24は第3金属膜33及び第4金属膜34の上層金属層37に接合されて載置される。第2半導体レーザ素子24の第2面203に設けられた2つの電極面の一方を第3金属膜33に、他方を第4金属膜34に接合する。
金属膜は、半導体レーザ素子20を電気的に接続する導通部の役割を果たす。また、上層金属層37は、半導体レーザ素子20が載置される載置領域307を形成する。従って、上層膜領域38は載置領域307に相当する。また、下層金属層35にはワイヤ60が接合される。従って、下層膜領域36は、半導体レーザ素子20を電気的に接続するための配線が接合される配線領域308に相当する。導通部は、載置領域307と配線領域308を有するといえる。
ここで、半導体レーザ素子20との関係から、導通部を、1つの半導体レーザ素子の電気的な接続に係る単位で捉えるものとする。従って、導通部の単位で金属膜を分類すると、第1金属膜31で1つの導通部を、第2金属膜32で1つの導通部を、第3金属膜33及び第4金属膜34で1つの導通部を形成しているといえる。
以下の説明では、個々の半導体レーザ素子に係る導通部、載置領域、及び、配線領域を区別して説明する場合に、半導体レーザ素子と同様の方法で区別することとする。例えば、第1半導体レーザ素子に係る導通部は、第1導通部となる。また、遠位第1半導体レーザ素子に係る導通部は、遠位第1導通部となる。
第3金属膜33及び第4金属膜34を有する第2導通部304は、全体としてL字形状の外形を有している。また、第1導通部301を外側から包むようにして設けられている。また、上面視で、近位第1導通部302及び遠位第1導通部303のいずれよりも第2導通部304の方が面積は大きい。
第2導通部304は、L字形状の外形の内側で、絶縁材料を介して離隔した2つの領域を形成する。この2つの領域がそれぞれ第3金属膜33と第4金属膜34に相当する。ここで、一方のエミッター(第1エミッター)との電気的な接続に係る領域を第1部分305、他方のエミッター(第2エミッター)との電気的な接続に係る領域を第2部分306と呼ぶものとする。
従って、第2導通部304は、第1部分305及び第2部分306のそれぞれにおいて、第2載置領域307及び第2配線領域308を有するといえる。また、第2半導体レーザ素子24の第1エミッターに対応する電極面が第1部分305の第2載置領域307に、第2エミッターに対応する電極面が第2部分306の第2載置領域307に接合される。
第1半導体レーザ素子21よりも第2半導体レーザ素子24の方が、その長辺が長いため、載置領域307もこれに対応して、第1載置領域307より第2載置領域307の方が、その長辺が長くなっている。これにより、半導体レーザ素子との接合が強化される。また、半導体レーザ素子の活性層における電流分布の均一性を向上させることができる。
3つの半導体レーザ素子20は、載置領域307の端が並んだサブマウント30の1つの側面の近傍にその出射端面201が設けられるように配置される。そのため、この側面あるいは上面視でこの側面に対応する辺を、光出射側の側面あるいは辺と呼ぶものとする。3つの半導体レーザ素子20は、光出射側の側面309からサブマウント30の外側に向かう方向に光を出射する(図9参照)。
また、3つの半導体レーザ素子20は、出射端面201から出射されるレーザ光のFFPの楕円形状の短径方向がサブマウント30の上面と平行に、長径方向がサブマウント30の上面と垂直になるように配置される。ここでの平行及び垂直は5度の差を含む。
3つの半導体レーザ素子20は、その出射端面201が、サブマウント30の光出射側の側面309と同じ平面上に設けられるように配置される。あるいは、サブマウント30の光出射側の側面309よりも外側に突出して配置される。なお、サブマウント30の内側に配置されていてもよい。
また、3つの半導体レーザ素子20の出射端面201は同じ平面上に配置される。このように配置することで、発光装置1から出射する時点で、3つの半導体レーザ素子20の光軸を進む光の光路長を揃えることができる。
なお、上面視で、第1半導体レーザ素子21の出射端面201は、第1導通部301または第1載置領域307に収め、第2半導体レーザ素子24の出射端面201は、サブマウント30の側面を含む平面上に設けられるか、あるいは、この平面よりも外側に突出させて設けられてもよい。こうすることで、出射端面201からの光をサブマウント30の上面に照射せず、安定性や放熱性を良好にすることができる。
この点について、図12を用いて補足する。図12は、出射端面における光の出射位置が異なる2つの半導体レーザ素子20からの光を比較した図である。なお、図12では、2つの半導体レーザ素子20のうち出射位置が接合面BPに近い方が、垂直方向(上下方向)の光の拡がり角が大きい。このとき、図からも明らかなように、出射位置が接合面BPに近い方が、光が接合面に到達するまでの距離は短くなる。
発光装置1では、実装公差などの影響を加味した上で、出射された光がサブマウント30の上面に照射されないように半導体レーザ素子の配置位置を設計するのが好ましい。この観点に基づけば、出射位置がサブマウント30の上面に近い第2半導体レーザ素子24は、上面視で出射端面201がサブマウント30の内側にない方が好ましい。
一方で、接合面積が大きい方がサブマウント30との接合は安定する。また、接合面積が大きい方が放熱効果もよい。さらに、半導体レーザ素子20は、出射端面に近い方が、温度が高くなる。この観点に基づけば、出射位置がサブマウント30の上面から遠い第1半導体レーザ素子は、出射された光がサブマウント30の上面に照射されないようにしつつ、上面視で出射端面201がサブマウント30の内側に配置できる方が好ましい。
半導体レーザ素子20がサブマウント30に配置されると、半導体レーザ素子20とサブマウント30との間には以下の関係が成り立つ。ここで、上面視で、サブマウント30に載置された半導体レーザ素子20の光の出射端面201に平行な方向を第1方向、出射端面201に直交する方向を第2方向と呼ぶものとする。
第1導通部301は、第1方向の長さよりも第2方向の長さの方が大きい。また、第1配線領域308は、第2方向に関し、出射端面201から出射端面201と反対側の端面(側面)の方向に向かって、第1載置領域307から伸びるように設けられている。
第2載置領域307は、第2方向に関し、第1載置領域307よりも長い。また、第2方向に関し、出射端面201から反対側の端面の方向に向かって、第1載置領域307または第1配線領域308よりも伸びている。従って、第2方向に関し、第2導通部304または第2載置領域307は、出射端面201から反対側の端面の方向に向かって、第1導通部301よりも伸びている。
第2導通部304の第1部分305及び第2部分306はいずれも、第2方向に関し、光の出射端面201から反対側の端面へと向かう方向に第1導通部301よりも伸び、さらに、第1導通部301よりも伸びたところで、第1方向に関し、第1導通部301側へと伸びている。また、第1部分305及び第2部分306における第2配線領域308はいずれも、この第1導通部301側へと伸びた領域に設けられる。
第1部分305における第2配線領域308は、第1方向に関し、第1導通部301側に向かって遠位第1導通部303まで伸びた領域に設けられ、そこからさらに、第2方向に関し、出射端面201から反対側の端面の方向に向かって伸びた領域にまで設けられる。
第2部分306における第2配線領域308は、第2方向に関し、第2載置領域307よりもさらに光出端面から反対側の端面の方向に向かって伸びた領域に設けられ、そこからさらに、第1方向に関し、第1導通部301側に向かって遠位第1導通部303の手前まで伸びた領域に設けられる。
従って、第1方向に関し、第1部分305の第2配線領域308の方が、第2部分306の第2配線領域308よりも、第1導通部301側に伸びている。また、この第2部分306よりも伸びた領域に付記領域39が設けられる。
上面視で、遠位第1導通部303に配置された遠位第1半導体レーザ素子23の出射端面201の中点を通り、第2方向に進む直線は、順に、遠位第1載置領域307、遠位第1配線領域308、第1部分305の第2配線領域308、を通る。
上面視で、近位第1導通部302に配置された第1半導体レーザ素子の光の出射端面201の中点を通り、第2方向に進む直線は、順に、近位第1載置領域307、近位第1配線領域308、第1部分305の第2配線領域308、第2部分306の第2配線領域308を通る。
従って、第2方向に関し、第1導通部301に配置された第1半導体レーザ素子の光の出射端面201の中点を通り、光の出射端面201から反対側の端面へと進む直線は、順に、第1載置領域307、第1配線領域308、第2配線領域308、を進むといえる。
半導体レーザ素子20がサブマウント30に配置されることで、半導体レーザ素子20の光の出射位置を上方に調整することができる。つまり、サブマウント30は、光の出射位置を調整する調整部材としての役割を果たす。
次に、半導体レーザ素子20が配置されたサブマウント30を基部10の底面12に配置する。サブマウント30は、基部10の枠部によって形成された枠の内側で底面12に配置される。サブマウント30はさらに、基部10の段差部16の内側で底面12に配置される。1つのサブマウント30に1つの半導体レーザ素子20が配される場合と比べて、底面に配置するサブマウント30の数を少なくできるため、実装を簡素化できる。また、複数の半導体レーザ素子20間の相対的な位置精度も高くできる。
次に、光反射部材40を基部10の底面12に配置する。光反射部材40は、3つの半導体レーザ素子20から出射された光を反射する。従って、光反射面41は出射端面201側を向く。上面視で、傾斜した光反射面41の上端42および下端43となる辺と、サブマウント30の光出射側の側面309と、が平行となる。また、光反射面41の傾斜の上端42および下端43となる辺と、サブマウント30の上面と、が平行となる。
図9及び図11は、半導体レーザ素子20と光反射部材40が配置された部分の拡大図である。図9は、各半導体レーザ素子20の光の出射位置が見える向きで、図11は、光軸を進む光が光反射面41に照射される位置が見える向きで、図示している。破線の矢印は光軸を進む光を、点EPは出射位置を、点線HL及びLLは、それぞれ底面を基準とした等高線を示す。なお、点線HLの方が点線LLよりも高い位置にある。
発光装置1では、光軸を進む光は、サブマウント30の上面と平行な方向に進み、光反射面41で反射されることにより、底面から垂直に、上方へと進行する。ここでの垂直は、5度の差を含む。なお、垂直上方へと進行させなくてもよい。
また、第2半導体レーザ素子24の出射位置EPは、サブマウント30の上面に近い位置にあるため、サブマウント30の下面から上面までの厚み、または、底面からサブマウント30の上面までの高さが、底面から光反射面41の下端43までの高さよりも大きい。これにより、いずれの半導体レーザ素子20の出射位置EPも、光反射面41の下端43より高い位置に配することができる。
また、出射位置EPの関係から、光軸を進む光が光反射面41に照射される位置は、第1半導体レーザ素子21よりも第2半導体レーザ素子24の方が低い。発光装置1では、第1半導体レーザ素子21よりも第2半導体レーザ素子24の方が垂直方向(発光装置1の上面と下面に基づく上下方向)の拡がり角が大きいため、出射位置をこのようにすることで、光が効果的に光反射面41に照射される。
つまり、同じ高さから光を出射した場合、拡がりの大きい第2半導体レーザ素子24の光の出射領域は、第1半導体レーザ素子21よりも上方にまで及ぶ。第2半導体レーザ素子24の光の出射位置EPを、第1半導体レーザ素子21の光の出射位置EPよりも低くすることで、光反射面41の上端42までの高さを大きくし、光が効率的に光反射面41に照射されるようにすることができる。また、発光装置1の小型化にも寄与し得る。
従って、第1半導体レーザ素子21は第1面202をサブマウント30の上面と接合させるジャンクションアップで実装し、第2半導体レーザ素子24は第2面203をサブマウント30の上面と接合させるジャンクションダウンで実装している。
なお、効果的に光反射面41に照射させる上で、第1半導体レーザ素子21及び第2半導体レーザ素子24から出射された光の垂直方向の拡がり角または上下方向の拡がり角の差の好適な範囲は、各半導体レーザ素子20のFFPの拡がり角にも依存する。
例えば、発光装置1では、3度以上40度以下であることが好ましく、3度以上20度以下であることがより好ましく、5度以上10度以下であることが好ましい。拡がり角の差が大きすぎると光反射面に照射されない光が増え、拡がり角の差が小さくなれば同じ出射位置で揃えてもロスは小さい。
なお、1つの光反射部材40で全ての半導体レーザ素子20からの光を反射する代わりに、半導体レーザ素子毎に個別で光反射部材40を配置し、それぞれの光反射部材40が対応する半導体レーザ素子からの光を反射するようにしてもよい。
次に、各半導体レーザ素子20を電気的に接続するために複数のワイヤ60が接続される。ワイヤ60は、一端が半導体レーザ素子の上面あるいはサブマウント30の配線領域308に接合され、他端が段差部の上面に接合される。
第1半導体レーザ素子21においては、上面(第2面203)に2つのエミッターのそれぞれに対応する電極面が設けられているため、2本のワイヤ60の一端が第1半導体レーザ素子のそれぞれのエミッターの電極面に接合され、1本のワイヤ60の一端が、第1配線領域308に接合される。
第2半導体レーザ素子24においては、1本のワイヤ60の一端が第2半導体レーザ素子24の2つのエミッターに共通する1つの電極面に接合され、2本のワイヤ60の一端が、それぞれ第1部分305の第2配線領域308と、第2部分306の第2配線領域308と、に接合される。従って、第1エミッターと電気的に接続されるワイヤ60が第1部分305の配線領域308に、第2エミッターと電気的に接続されるワイヤ60が第2部分306の配線領域308に接合される。
発光装置1では、エミッター単位で光の出射のON/OFFが制御出来る。なお、半導体レーザ素子単位で制御する、つまり、マルチエミッターをまとめてON/OFF制御するようにしてもよい。制御の態様や半導体レーザ素子の数に応じて、ワイヤ60の本数は適宜決められる。
次に、蓋部材70を基部10の上面に接合する。蓋部材70と基部10のそれぞれに設けられた金属膜動詞を、Au-Sn等を介して接合することで固定される。半導体レーザ素子20が配される空間が気密封止された閉空間となるように、基部10と蓋部材70とが接合される。このように気密封止することで、半導体レーザ素子20の光の出射端面201に有機物等が集塵することを抑制することができる。
また、蓋部材70は、光反射部材40の光反射面41により反射された光を透過させる透光性部材としての役割を果たす。ここで、透光性とは、光に対する透過率が80%以上であることとする。
<第2実施形態>
次に、第2実施形態に係る発光装置2を説明する。発光装置2は、第1実施形態に係る発光装置1と比べて、2つの光反射部材が配置される点で相違する。第1実施形態において説明された内容については、この相違点から明らかに整合しない内容を除けば、第2実施形態に係る発光装置2に対しても同様のことがいえる。そのため、発光装置2の外形は、図1や図2で示した発光装置1の外形と同様の外形で実現できる。
図13は、発光装置2の構成要素を説明するための斜視図であり、蓋部材70が省略された斜視図である。図14は、図3で示した発光装置2の上面図である。図15は、図14のXV-XV線における発光装置2の断面図である。図16は、図15において点線枠で示した領域の拡大図である。
発光装置1では、第1半導体レーザ素子21及び第2半導体レーザ素子24のそれぞれから出射された光が、発光装置1から出射される地点において、同じ光路長になるように、出射端面を揃えて配置し、1つの光反射面によって反射させるようにした。一方で、出射位置EPの高さが異なるため、光軸を進む光が光反射面に到達する位置は、上面視で揃わない。言い換えると、上面視で、光軸を進む光の進行方向に垂直な一の直線上に、第1半導体レーザ素子21及び第2半導体レーザ素子24の光軸を進む光の到達位置が重ならない。
発光装置2では、上面視で、第1半導体レーザ素子21及び第2半導体レーザ素子24のそれぞれから出射された光軸を進む光が、光反射面に到達する位置で揃うように、光反射部材の配置を工夫する。具体的には、第1半導体レーザ素子21に対応する光反射部材40である第1光反射部材44と、第2半導体レーザ素子24に対応する光反射部材40である第2光反射部材45とを、適当な位置に配置する。
発光装置2では、サブマウント30に接合される複数の半導体レーザ素子20のうち、底面12から光の出射位置EPまでの高さが大きい半導体レーザ素子20に対応する光反射部材40の方が、底面から光の出射位置EPまでの高さが小さい半導体レーザ素子20に対応する光反射部材40よりも、光出射側に配置される。
なお、発光装置2では、第1半導体レーザ素子21が出射位置EPまでの高さが大きい半導体レーザ素子20に対応し、第2半導体レーザ素子24が出射位置EPまでの高さが小さい半導体レーザ素子20に対応する。高さの違いは、実装の向きなどに影響するため、大小関係は逆であってもよい。
また、第1光反射部材44と、第2光反射部材45とは、第1半導体レーザ素子21及び第2半導体レーザ素子24のそれぞれから出射された光軸を進む光の、光反射面における照射位置が、上面視で、光軸を進む光の進行方向に垂直な一の直線上に重なるように、配置される。
また、図15及び図16に示すように、より高い方の出射位置EPと同じ高さにおいて、より高い方の出射位置EPで光を出射する半導体レーザ素子20に対応する光反射部材40の光反射面41の方が、より低い方の出射位置EPで光を出射する半導体レーザ素子20に対応する光反射部材40の光反射面41よりも光出射側に配置される。
より低い方の出射位置EPと同じ高さにおいても、より高い方の出射位置EPで光を出射する半導体レーザ素子20に対応する光反射部材40の光反射面41の方が、より低い方の出射位置EPで光を出射する半導体レーザ素子20に対応する光反射部材40の光反射面41よりも光出射側に配置される。
また、底面12に垂直で、かつ、光軸を通る光の進行方向に平行な平面視で、出射位置EPまでの高さがより大きい方の半導体レーザ素子20から出射された光軸を進む光L1と、出射位置EPまでの高さがより小さい方の半導体レーザ素子20から出射された光軸を進む光L2とは、光反射部材40に反射されることで重なる。なお、出射位置EPの低い方の光が、高い方の光の出射位置EPに到達するまでの部分は除く(つまり、重ならない)。
このように、光の出射位置を揃えることで、発光装置から出射された複数の半導体レーザ素子からの光の制御が容易になることがある。例えば、発光装置から出射された複数のレーザ光をレンズなどの光学部品を用いて光学制御するときに、光の出射位置を揃える方が望ましい場合がある。
特許文献1においては、複数の発光素子が1つの載置部材に搭載される形態が開示されたが、これらの発光素子から出射される光の出射位置や、光反射部材との関係については、特段の開示はされていなかった。第2実施形態に係る発光装置2は、このような、光反射部材により反射された反射光の進行方向を制御するという課題を解決することができる発光装置を実現するものである。
<第3実施形態>
次に、第3実施形態に係る発光装置3を説明する。発光装置3は、第1実施形態に係る発光装置1と比べて、サブマウントの配線パターンが異なっている点と、第2半導体レーザ素子だけでなく第1半導体レーザ素子もジャンクションダウン型で接合される点で異なる。第1実施形態において説明された内容については、この相違点から明らかに整合しない内容を除けば、第3実施形態に係る発光装置3に対しても同様のことがいえる。そのため、発光装置3の外形は、図1や図2で示した発光装置1の外形と同様の外形で実現できる。
図17は、発光装置3の構成要素を説明するための上面図であり、蓋部材70が省略された図である。図18は、発光装置3が有するサブマウント80の上面図である。図19は、発光装置1に関し、実装される半導体レーザ素子とサブマウント30の関係を説明するためのサブマウントの上面図である。
サブマウント80は、第1実施形態などに係るサブマウント30と比べて、金属膜の数が多い。これらの金属膜を区別したい場合に、図18の上辺において、左からこの並び順に、第1金属膜81、第2金属膜82、第3金属膜83、第4金属膜84、第5金属膜85、第6金属膜86、と区別するものとする。
各金属膜における層金属層35、下層膜領域36、上層金属層37、及び、上層膜領域38について、及び、付記領域39については、第1実施形態で説明された内容と同様である。第1金属膜81と第3金属膜83は、上面視で、同じ外形と大きさを有している。また、第2金属膜82と第4金属膜84は、上面視で、同じ外形と大きさを有している。また、その外形は長方形の一部に凹部が設けられた形状である。凹部は、金属膜全体の大きさに比して小さい。
第1金属膜81から第4金属膜84までの凹部は、その窪み部分が、下層膜領域36の外形の一部を構成しており、かつ、上層金属層37の外形を構成しない。また、第1金属膜81の凹部と第2金属膜82の凹部、及び、第3金属膜83の凹部と第4金属膜84の凹部は、長辺方向に関して同じ位置に形成されており、互いに対向している。
また、第1金属膜81乃至第4金属膜84の上層膜領域38同士は、上面視で、同じ外形と大きさを有している。ここでの同じ大きさとは、20%以内の面積差を含むものとする。第5金属膜85と第6金属膜86はそれぞれ、第1実施形態で説明した第3金属膜33と第4金属膜34に対応する
第1金属膜81から第6金属膜86まで、上層膜領域38の長辺同士は平行である。従って、短辺同士も平行である。ここでの平行は、3度の差を含む。第1金属膜81から第6金属膜86は、短辺方向の長さが同じである。ここでの同じは、20%以内の差を含むものとする。
また、長辺方向の長さに関し、第5金属膜85または第6金属膜86の上層膜領域38は、第1金属膜81乃至第4金属膜84の上層膜領域38よりも大きい。具体的には、例えば、20%を超えて大きい。また、長辺方向の長さに関し、第5金属膜85または第6金属膜86の上層膜領域38の長さは、第1金属膜81乃至第4金属膜84の長さよりも大きい。
第1金属膜81と第2金属膜82の間を通り、長辺方向に平行な直線(仮想線ML3)は、第5金属膜85に交わる。また、他の金属膜とは交わらない。このとき、第5金属膜85の上層金属層37とは交わらず、下層金属層35と交わる。
第3金属膜83と第4金属膜84の間を通り、長辺方向に平行な直線(仮想線ML4)は、第3金属膜または第4金属膜84側から順に、第5金属膜85、第6金属膜86と交わる。このとき、いずれの金属膜においても、上層金属層37は交わらず、下層金属層35が交わる。付記領域39は、仮想線ML3と交わる。また、仮想線ML4を境界にして、第1金属膜81側に設けられる。
このようなサブマウント80を構成要素に含む発光装置3は、第1半導体レーザ素子21および第2半導体レーザ素子24を、共にジャンクションダウン型で、サブマウント80に接合させる。
遠位第1半導体レーザ素子23は第1金属膜81及び第2金属膜82の上層金属層37に、近位第1半導体レーザ素子22は第3金属膜83及び第4金属膜84の上層金属層37に接合されて載置される。第2半導体レーザ素子24は第5金属膜85及び第6金属膜86の上層金属層37に接合されて載置される。
また、サブマウント80においては、第2導通部304だけでなく、近位第1導通部302及び遠位第1導通部303も、第1部分305及び第2部分306を有する。第1金属膜81が、遠位第1導通部303の第1部分305、第2金属膜82が、遠位第1導通部303の第2部分306になる。第3金属膜83が、近位第1導通部302の第1部分305、第4金属膜84が、近位第1導通部302の第2部分306になる。第5金属膜85が、第2導通部304の第1部分305、第6金属膜86が、第2導通部304の第2部分306になる。
各第1導通部301は、第1部分305と第2部分306において互いに対向して形成される凹部のよって、アライメントマークを形成する。各第1半導体レーザ素子21は、このアライメントマークを利用してサブマウント80に接合することで、、精度良く実装することができる。
ここで、第1半導体レーザ素子21及び第2半導体レーザ素子24がジャンクションダウン型で接合される場合に、第1半導体レーザ素子21と第2半導体レーザ素子24との間で出射位置EPが揃わないことがあり得る。
例えば、第1半導体レーザ素子21と第2半導体レーザ素子24のサイズが大きく異なっている場合、これに起因してずれが生じる可能性がある。また例えば、使用する半導体材料が異なることに起因してずれが生じる可能性がある。あるいは、第1半導体レーザ素子21を製造するメーカーと、第2半導体レーザ素子24を製造するメーカーとが異なることに起因してずれが生じる可能性がある。例えば、半導体レーザ素子の接合面に設けるめっきの厚みが異なるなどが考えられる。
このように、半導体レーザ素子20の第2面から出射位置EPまでの高さが、第1半導体レーザ素子21と第2半導体レーザ素子24とで異なる場合、サブマウント80の下面から第1導通部301の載置領域307までの高さと、サブマウント80の下面から第2導通部304の載置領域307までの高さとを異ならせ、サブマウント80の下面または基部10の底面12からの出射位置EPの高さを揃えるようにするとよい。
例えば、第1半導体レーザ素子21の第2面から出射位置EPまでの高さが、第2半導体レーザ素子24の第2面から出射位置EPまでの高さよりも低い場合、その高さの差分だけ、第1導通部301の載置領域307の厚みの方が第2導通部304の載置領域307の厚みよりも大きくなるように、サブマウント80を形成する。
また例えば、第1半導体レーザ素子21の第2面から出射位置EPまでの高さが、第2半導体レーザ素子24の第2面から出射位置EPまでの高さよりも高い場合、その高さの差分だけ、第2導通部304の載置領域307の厚みの方が第1導通部301の載置領域307の厚みよりも大きくなるように、サブマウント80を形成する。
このように、サブマウント80における各載置領域までの高さを、そこに載置される半導体レーザ素子20の出射位置EPに応じて調整することで、1つの光反射部材40により、発光装置から出射される光の出射位置EPを揃えることができる。
つまり、発光装置から出射される光の出射位置EPを揃えるために、第2実施形態では、出射位置EPの高さの違いに合わせて複数の光反射部材を配置したが、本実施形態では、1つの光反射部材を配置し、サブマウントにおける各導通部の厚みを調整した。これにより、第2実施形態で説明したように、反射部材により反射された反射光の進行方向を制御するという課題を解決することができる発光装置を実現している。
発光装置3では、第1半導体レーザ素子21及び第2半導体レーザ素子24がジャンクションダウンで接合されるため、ワイヤ60の接続もこれに対応する。そのため、第1半導体レーザ素子21においても、1本のワイヤ60の一端が第1半導体レーザ素子21の2つのエミッターに共通する1つの電極面に接合され、2本のワイヤ60の一端が、それぞれ第1部分305の第1配線領域308と、第2部分306の第1配線領域308と、に接合される。従って、第1エミッターと電気的に接続されるワイヤ60が第1部分305の配線領域308に、第2エミッターと電気的に接続されるワイヤ60が第2部分306の配線領域308に接合される。
以上、第1実施形態乃至第3実施形態を通して本発明に係る発光装置を開示してきたが、これらの各実施形態に基づいて、異なる実施形態において開示された技術思想を統合した発光装置を実現することもできる。例えば、第3実施形態に係る発光装置において、第2実施形態で開示されたように複数の光反射部材を配置してもよい。各実施形態による開示は、このような統合により実現される発光装置の形態も含めた開示である。
また、実施形態に係る発光装置を説明してきたが、本発明に係る発光装置は、実施形態の発光装置に厳密に限定されるものではない。つまり、本発明は、実施形態により開示された発光装置の外形や構造に限定されなければ実現できないものではない。また、全ての構成要素を必要十分に備えることを必須とせずに適用され得るものである。例えば、特許請求の範囲に、実施形態により開示された発光装置の構成要素の一部が記載されていなかった場合、その一部の構成要素については、代替、省略、形状の変形、材料の変更などの当業者による設計の自由度を認め、その上で特許請求の範囲に記載された発明が適用されることを特定するものである。