JP6925444B2 - 半導体モジュール、電力変換装置、および移動体 - Google Patents
半導体モジュール、電力変換装置、および移動体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6925444B2 JP6925444B2 JP2019555098A JP2019555098A JP6925444B2 JP 6925444 B2 JP6925444 B2 JP 6925444B2 JP 2019555098 A JP2019555098 A JP 2019555098A JP 2019555098 A JP2019555098 A JP 2019555098A JP 6925444 B2 JP6925444 B2 JP 6925444B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- wiring
- semiconductor
- terminal
- impedance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 478
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 31
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
- H01L23/49844—Geometry or layout for devices being provided for in H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
- H02M7/5387—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration
- H02M7/53871—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration with automatic control of output voltage or current
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02P—CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
- H02P27/00—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of supply voltage
- H02P27/04—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of supply voltage using variable-frequency supply voltage, e.g. inverter or converter supply voltage
- H02P27/06—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of supply voltage using variable-frequency supply voltage, e.g. inverter or converter supply voltage using dc to ac converters or inverters
- H02P27/08—Arrangements or methods for the control of AC motors characterised by the kind of supply voltage using variable-frequency supply voltage, e.g. inverter or converter supply voltage using dc to ac converters or inverters with pulse width modulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
図1および図7に示されるように、実施の形態1に係る半導体モジュール100は、外部と接続される第1端子部1および第2端子部2と、第1端子部1と第2端子部2との間を並列に接続している第1電流経路CP1、第2電流経路CP2、および第3電流経路CP3とを備えている。第1端子部1は、半導体モジュール100の外部に配置される直流電源の正極側に接続される。第2端子部2は、上記直流電源の負極側に接続される。第1端子部1は、後述する第1配線10上に設けられている。第2端子部2は、後述する第2配線11上に設けられている。
第1の例では、上記通電能力は、コレクタ−エミッタ間飽和電圧Vce(sat)として表現される。コレクタ−エミッタ間飽和電圧Vce(sat)とは、各半導体装置に定格電流を流した時のコレクターエミッタ間電圧を意味する。第1半導体装置3Aのコレクターエミッタ間飽和電圧は、第2半導体装置3Bおよび第3半導体装置3Cの各コレクターエミッタ間飽和電圧よりも、高い。
<半導体モジュールの製造方法>
次に、半導体モジュール100の製造方法について説明する。まず、同一の仕様とされた第1半導体装置3A、第2半導体装置3B、および第3半導体装置3Cが準備される。
上記特許文献1に記載の並列接続部は、各半導体装置と直流電源との間の電流経路のインピーダンスが均等になるように、各半導体装置と直流電源との間を同一配線長で接続するように設けられている。そのため、このような並列接続部によって、同一仕様であるが通電能力に関しバラつきを有する複数の半導体装置が並列に接続された場合、並列に形成される各電流経路のインピーダンス差は、複数の半導体装置間のインピーダンス差と等しくなる。そのため、上記並列接続部を備える電力変換装置では、複数の半導体装置間の通電能力のバラつきに起因して、各半導体装置に加えられる負荷にバラつきが生じることとなり、各半導体装置の寿命にもばらつきが生じる。その結果、このような電力変換装置は、十分に長寿命化することが困難であった。
図8に示されるように、実施の形態2に係る半導体モジュール101は、実施の形態1に係る半導体モジュール100と基本的に同様の構成を備えるが、第1配線部4Aの厚みが第3配線部4Bおよび第5配線部4Cの厚みと異なるように設けられている点で異なる。半導体モジュール100では、各配線部のインピーダンス差が各配線部を介して接続された第1端子部1または第2端子部2と各半導体装置との最短距離の差により設計されている。これに対し、半導体モジュール101は、各配線部のインピーダンス差が各配線部を介して接続された第1端子部1または第2端子部2と各半導体装置との最短距離の差および各配線部の厚みの差により設計されている。
半導体モジュール100,101において、第1配線部4A、第3配線部4B、第5配線部4Cは、第1端子部1と、第1半導体装置3A、第2半導体装置3B、第3半導体装置3Cの各コレクタ端子とを最短距離で接続しているが、これに限られるものではない。同様に、第2配線部5A、第4配線部5B、第6配線部5Cは、第2端子部2と、第1半導体装置3A、第2半導体装置3B、第3半導体装置3Cの各コレクタ端子とを最短距離で接続しているが、これに限られるものではない。
本実施の形態は、上述した実施の形態1または2にかかる半導体モジュール100,101を電力変換装置に適用したものである。本実施の形態は特定の電力変換装置に限定されるものではないが、以下、実施の形態3として、三相のインバータに本発明を適用した場合について説明する。図9は、実施の形態3にかかる電力変換装置200を適用した電力変換システムの構成を示すブロック図である。
本実施の形態は、上述した実施の形態3に係る電力変換装置200を移動体に適用したものである。図10は、実施の形態4にかかる移動体の一例として、電鉄車両として構成されている移動体500を示すブロック図である。
Claims (11)
- 外部と接続される第1端子部および第2端子部と、
前記第1端子部と前記第2端子部との間を並列に接続している第1電流経路および第2電流経路とを備え、
前記第1電流経路は、第1半導体装置と、前記第1端子部と前記第1半導体装置とを接続する第1配線部と、前記第1半導体装置と前記第2端子部との間を接続する第2配線部とを含み、
前記第2電流経路は、第2半導体装置と、前記第1端子部と前記第2半導体装置とを接続する第3配線部と、前記第2半導体装置と前記第2端子部との間を接続する第4配線部とを含み、
前記第1半導体装置の通電能力が前記第2半導体装置の通電能力よりも低く、前記第1配線部のインピーダンスと前記第2配線部のインピーダンスとの和が前記第3配線部のインピーダンスと前記第4配線部のインピーダンスとの和よりも低い、半導体モジュール。 - 平面視において、
前記第1配線部は、前記第1端子部と前記第1半導体装置との間を最短距離で接続しており、
前記第2配線部は、前記第2端子部と前記第1半導体装置との間を最短距離で接続しており、
前記第3配線部は、前記第1端子部と前記第2半導体装置との間を最短距離で接続しており、
前記第4配線部は、前記第2端子部と前記第2半導体装置との間を最短距離で接続しており、
前記第1端子部と前記第1半導体装置との間の前記最短距離と、前記第2端子部と前記第1半導体装置との間の前記最短距離との和は、前記第1端子部と前記第2半導体装置との間の前記最短距離と、前記第2端子部と前記第2半導体装置との間の前記最短距離との和よりも短い、請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記第1配線部および前記第2配線部の最小厚みは、前記第3配線部および前記第4配線部の最小厚みよりも厚い、請求項1または2に記載の半導体モジュール。
- 前記第1半導体装置および前記第2半導体装置はバイポーラトランジスタであり、
前記第1配線部は前記第1半導体装置のコレクタに接続されており、前記第2配線部は前記第1半導体装置のエミッタに接続されており、
前記第3配線部は前記第2半導体装置のコレクタに接続されており、前記第4配線部は前記第2半導体装置のエミッタに接続されており、
前記第1半導体装置のコレクタ−エミッタ間飽和電圧が前記第2半導体装置のコレクタ−エミッタ間飽和電圧よりも高い、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体モジュール。 - 前記第1半導体装置および前記第2半導体装置はゲート型トランジスタであり、
前記第1半導体装置のゲート閾値電圧が前記第2半導体装置のゲート閾値電圧よりも高い、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体モジュール。 - 前記第1半導体装置の導通開始遅れ時間が前記第2半導体装置の導通開始遅れ時間よりも長い、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体モジュール。
- 前記第1電流経路のインピーダンスは、前記第2電流経路のインピーダンスと等しい、請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体モジュール。
- 前記第1半導体装置および前記第2半導体装置を構成する材料は、ワイドバンドギャップ半導体材料を含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体モジュール。
- 前記第1半導体装置および前記第2半導体装置を構成する材料は、炭化珪素を含む、請求項8に記載の半導体モジュール。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体モジュールを有し、入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記主変換回路を制御する制御信号を前記主変換回路に出力する制御回路とを備える、電力変換装置。 - 請求項10に記載の電力変換装置と、
前記電力変換装置によって駆動されるモータとを備える、移動体。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/041796 WO2019102519A1 (ja) | 2017-11-21 | 2017-11-21 | 半導体モジュール、電力変換装置、および移動体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019102519A1 JPWO2019102519A1 (ja) | 2020-11-19 |
JP6925444B2 true JP6925444B2 (ja) | 2021-08-25 |
Family
ID=66630551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019555098A Active JP6925444B2 (ja) | 2017-11-21 | 2017-11-21 | 半導体モジュール、電力変換装置、および移動体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11348902B2 (ja) |
JP (1) | JP6925444B2 (ja) |
CN (1) | CN111357106B (ja) |
DE (1) | DE112017008225T5 (ja) |
WO (1) | WO2019102519A1 (ja) |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3530360A (en) * | 1968-05-31 | 1970-09-22 | Gen Electric | High-speed protective means for uninterruptible power systems |
JPH077958A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-10 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
JP2000311983A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体モジュール |
JP3896940B2 (ja) * | 2002-10-08 | 2007-03-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2005261035A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
JP4547231B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2010-09-22 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
JP4661966B2 (ja) * | 2009-03-06 | 2011-03-30 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP5381251B2 (ja) * | 2009-04-06 | 2014-01-08 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US8816625B2 (en) * | 2011-10-27 | 2014-08-26 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Integrated regenerative AC drive with solid state precharging |
JP5778840B1 (ja) * | 2014-09-25 | 2015-09-16 | 株式会社日立製作所 | 電力変換ユニットおよび電力変換装置 |
JP6599736B2 (ja) * | 2015-11-20 | 2019-10-30 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体モジュール |
-
2017
- 2017-11-21 US US16/755,875 patent/US11348902B2/en active Active
- 2017-11-21 DE DE112017008225.0T patent/DE112017008225T5/de active Pending
- 2017-11-21 WO PCT/JP2017/041796 patent/WO2019102519A1/ja active Application Filing
- 2017-11-21 CN CN201780096905.5A patent/CN111357106B/zh active Active
- 2017-11-21 JP JP2019555098A patent/JP6925444B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210159218A1 (en) | 2021-05-27 |
JPWO2019102519A1 (ja) | 2020-11-19 |
DE112017008225T5 (de) | 2020-08-20 |
WO2019102519A1 (ja) | 2019-05-31 |
US11348902B2 (en) | 2022-05-31 |
CN111357106A (zh) | 2020-06-30 |
CN111357106B (zh) | 2023-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10411589B2 (en) | Power conversion apparatus and power semiconductor module | |
JP6457800B2 (ja) | 電力変換装置およびこれを備えた鉄道車両 | |
JP6912560B2 (ja) | 半導体モジュールおよび電力変換装置 | |
JP6196853B2 (ja) | 3レベルコンバータハーフブリッジ | |
JP2014217270A (ja) | 3レベル電力変換装置用ハーフブリッジ | |
JP2020004784A (ja) | パワーモジュールおよび電力変換装置 | |
JP6743728B2 (ja) | 半導体パワーモジュール及び電力変換装置 | |
US11127603B2 (en) | Semiconductor module and power conversion device | |
JP2015033222A (ja) | 半導体素子の駆動装置およびそれを用いる電力変換装置 | |
JP7045978B2 (ja) | 半導体装置および電力変換装置 | |
JP6925444B2 (ja) | 半導体モジュール、電力変換装置、および移動体 | |
US10734300B2 (en) | Semiconductor device and power converter | |
JP6827595B1 (ja) | 半導体装置および電力変換装置 | |
JP6368634B2 (ja) | 電力変換装置及びこれを備えた鉄道車両 | |
CN111630401B (zh) | 半导体装置以及电力变换装置 | |
JP6906431B2 (ja) | 減流装置 | |
JP2013140889A (ja) | パワーモジュール | |
JP6698968B1 (ja) | 半導体装置および電力変換装置 | |
JP2020088257A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の使用方法及び電力変換装置 | |
JP7268760B2 (ja) | 半導体モジュール、電力変換装置及び移動体 | |
JP6690777B2 (ja) | 主変換回路、電力変換装置及び移動体 | |
JP6541896B1 (ja) | 半導体モジュールおよび電力変換装置 | |
JP2022163477A (ja) | 半導体装置、電力変換装置および半導体装置の制御方法 | |
JP2023140778A (ja) | 半導体装置および電力変換装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200407 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200407 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210706 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210803 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6925444 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |