JP6906431B2 - 減流装置 - Google Patents
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Description
本発明は、断流器と電力変換装置との間に配置される減流装置に関する。
鉄道車両の床下は駆動電気品である電力変換装置やフィルタリアクトル、さらに信号機器が搭載されている。近年では、車両のメンテナンス性を向上するために、車両機器や設備の劣化・故障を把握するためのモニタリング装置の搭載が検討されている。鉄道車両の床下スペースは有限であることから、これらのモニタリング装置を車両に新しく搭載するためには、駆動電気品を小型化する必要がある。電力変換装置では、電圧駆動型のパワー半導体であるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)やMOSFET(Metal−Oxide−Semiconductor Field−Effect Transistor)が適用されている。IGBTやMOSFETをはじめとするパワー半導体は高速なスイッチング動作によりスイッチング損失を低減でき、発生損失を低減できることから電力変換装置の冷却器を小型化することができる。
フィルタリアクトルを小型化するためにはそのインダクタンス値を低減することが有効である。しかし、インダクタンス値を低減すると、電力変換装置が故障、もしくは地絡が生じたときに架線から流入する単位時間当たりの電流が増大する。通常、この大電流は高速度遮断器など機械式の装置で遮断していたが、インダクタンス値を低減すると単位時間当たりの電流が増大するため、機械式の遮断器の遮断速度では変電所の許容電流を超過することが懸念される。そこで、半導体式の減流器と機械式の遮断器を組み合わせることで、機械式の遮断器単体に比べて遮断速度を高速化し、フィルタリアクトルのインダクタンス値の低減と遮断電流の低減を両立することが検討されている。
本技術分野の背景技術として特開2004−96877号公報(特許文献1)がある。この公報には、「架線から電力を供給されるパンタグラフと、前記パンタグラフと接続され前記パンタグラフから供給される架線電力を遮断する接触器と、前記接触器を介して供給された架線電力を三相交流電力に変換するインバータと、前記接触器と直列接続された第一の抵抗と、前記第一の抵抗と直列に接続され、前記第一の抵抗よりも抵抗値の高い第二の抵抗と、前記第一の抵抗と前記第二の抵抗からなる直列回路に並列に接続された第一のスイッチング素子と、前記第二の抵抗と並列接続された第二のスイッチング素子とを備えることを特徴とする電気車用電源装置」と記載されている(要約参照)。
先行技術文献において、インバータがアーム短絡事故を起こした場合はスイッチング素子をオフし抵抗で過電流を減流した後に接触器を開き、事故電流を遮断する。ここで、スイッチング素子をオフするときに、スイッチング素子と抵抗を接続する配線の寄生インダクタンスによりサージ電圧が生じる。このサージ電圧がスイッチング素子の定格電圧を超過するとスイッチング素子が破壊する。サージ電圧の原因となる寄生インダクタンスの低減には配線を短くすることが有効である。一方、抵抗の動作温度は200℃以上であるのに対してスイッチング素子の動作温度は125℃程度であるため、断熱のためには抵抗とスイッチング素子の距離を離すことが望ましい。
本発明の課題は、スイッチング素子と抵抗器とを結ぶ配線の寄生インダクタンスによるサージ電圧を低減することにある。
前記課題を解決するために、本発明は、直流架線から電力変換装置に供給される電力を遮断する断流器と前記電力変換装置との間に配置されて、そのオン動作時に前記断流器からの電力を前記電力変換装置に供給するスイッチング素子と、前記スイッチング素子に複数の配線を介して並列に接続される抵抗器と、を有し、前記複数の配線は、前記スイッチング素子の高電位側の電極と前記抵抗器の一端とを接続する第一の配線と、前記スイッチング素子の低電位側の電極と前記抵抗器の他端とを接続する第二の配線とから構成され、前記第一の配線と前記第二の配線は、相対向して配置されて積層され、前記第一の配線と前記第二の配線には、前記スイッチング素子がオンからオフに移行した際に互いに逆方向の電流が流れることを特徴とする。
本発明によれば、スイッチング素子と抵抗器とを結ぶ配線の寄生インダクタンスによるサージ電圧を低減することができる。
以下、図面を用いて実施例を説明する。なお、図面及び実施例ではスイッチング素子としてMOSFETを取り上げるが、本発明はIGBTにも適用可能である。
図1は、本発明の実施例1における電気車の概略図である。図1において、電気車を加速するための力行動作では、電力源である架線(直流架線)1から集電装置7を介して車両8に電力が供給される。車両8に供給された電力は、接触器11と半導体減流装置10とフィルタリアクトル9と電力変換装置6を介して直流−交流電力変換され、変換された交流電力により電動機5が駆動される。電動機5の駆動により、車輪3が回転することで車両8が前進する。電動機5は誘導電動機または永久磁石同期電動機のどちらでもよい。また、電気車を減速するための回生動作では、力行動作と電力の流れが逆になる。すなわち、電動機5が発電機として動作し、電力変換装置6により交流−直流電力変換された後にフィルタリアクトル9と集電装置7を介して架線1に電力が回生される。なお、電気的なグランドとして、電力変換装置6の負電圧側は、車輪3を介してレール2に接続されている。ここで、架線1の電圧は一例として直流1500Vを電源とした実施例を説明する。また、電動機5は台車4に搭載されており、台車4は車両8を支えている。
図2は、本発明の実施例1における駆動装置の全体構成を示す回路構成図である。図2において、電動機5を駆動するための駆動装置は、電力変換装置6を備えている。電力変換装置6は、直流−交流電力変換器として、キャパシタ103とスイッチング素子Q1〜Q6を備えており、スイッチング素子Q1、Q2は、直列接続されてU相、スイッチング素子Q3、Q4は、直列接続されてV相、スイッチング素子Q5、Q6は、直列接続されてW相をそれぞれ構成する。各スイッチング素子Q1〜Q6には、通流方向が逆方向となるようにダイオードD1〜D6が並列接続される。ここで、スイッチング素子Q1〜Q6がIGBTの場合にはダイオードD1〜D6を接続する必要があるが、スイッチング素子Q1〜Q6がMOSFETなどボディダイオードを有する素子である場合には、ダイオードD1〜D6を接続せずにMOSFETのボディダイオードを利用することができる。また、直列接続されたスイッチング素子もしくはダイオードが同一のパッケージに搭載された2in1素子を用いても良い。
電力変換装置6は、架線1から得た直流電力を平滑化し、ノイズを除去するためのキャパシタ103を備えている。また、U相、V相、W相のスイッチング素子Q1〜Q6は、例えば、スイッチング制御器(図示せず)からのPWM(Pulse Width Modulation)制御信号に応答してスイッチング動作することにより、キャパシタ103の直流電力を交流電力に変換し、変換された交流電力を電動機5に供給する。
また、電力変換装置6は、フィルタリアクトル9を介して半導体減流装置10に接続されている。半導体減流装置10はスイッチング素子Q7とその逆並列ダイオードD7および減流抵抗104で構成されている。スイッチング素子Q7は、エミッタ(電極)がフィルタリアクトル9を介して電力変換装置6に接続され、コレクタ(電極)が電流センサ12と接触器11と集電装置7を介して架線1に接続され、ゲート(電極)が制御回路13に接続される。この制御回路13は、電流センサ12と接触器11に接続されており、電流センサ12が地絡電流を検出した場合、スイッチング素子Q7をオンからオフに制御し、その後、接触器11を遮断する構成になっている。なお、スイッチング素子Q7がMOSFETの場合には逆並列ダイオードは搭載しなくてもよい。また、スイッチング素子Q7には冷却器(図示せず)が接続されており、スイッチング素子Q7は、冷却器により冷却される。
ここで、例えば、架線1から見てフィルタリアクトル9の後段で地絡が生じた場合、架線1からフィルタリアクトル9を介して地絡電流が生じる。この地絡電流が時間とともに増加する傾きは、リアクトルや他配線の抵抗成分を無視すると、架線1の電圧とフィルタリアクトル9のインダクタンス値の除算で算出される。すなわち、フィルタリアクトル9のインダクタンス値が小さいほど、地絡電流が増加する傾きは急峻となる。この際、フィルタリアクトル9のインダクタンス値を大きくすれば、地絡電流が増加する傾きが急峻となるのを抑制することはできるが、フィルタリアクトル9が大型になる。このため、フィルタリアクトル9としてインダクタンス値が小さいものが用いられている。
次に、半導体減流装置10を用いてこの地絡電流を遮断する動作を説明する。スイッチング素子Q7のオンオフ状態は電流センサ12の検出値(接触器11の電流値)を基に制御回路13によって制御される。例えば、スイッチング素子Q7をオフにするための設定値が2000A以上に設定されている場合、制御回路13は、電流センサ12の検出値が2000A未満の場合、スイッチング素子Q7をオン状態に保持し、電流センサ12の検出値である地絡電流が2000A以上の場合、スイッチング素子Q7をオンからオフに移行させる制御を実行する。
スイッチング素子Q7がオフ状態になると、地絡電流は、スイッチング素子Q7に並列接続された減流抵抗104に流れる。この地絡電流は減流抵抗104により減流される。たとえば、架線1の電圧が1500V、減流抵抗104の抵抗値が3Ωとすると、減流後の電流は500Aである。この結果、地絡電流は地絡が発生した直後の電流である2000Aから500Aまで減流するため、制御回路13は、接触器11を遮断するための制御を実行し、変電所を保護する。この際、接触器11は、架線1から電力変換装置6に供給される電力を遮断する断流器又は遮断器として機能する。
スイッチング素子Q1〜Q7はMOSFETやIGBTなどの電圧制御型スイッチング素子や、サイリスタなどの電流制御型スイッチング素子でよい。ダイオードD1〜D7はPNダイオードやSBD(Schottky Barrier Diode)などでよい。また、スイッチング素子Q1〜Q7はMOSFETやIGBTなど複数種類のスイッチング素子が混載していてよく、半導体材料の母材はSi(Silicon:シリコン)やSiよりもバンドギャップが広い半導体であるSiC(Silicon Carbide:炭化ケイ素)やGaN(Gallium Nitride:窒化ガリウム)でもよい。
図3は、本発明の実施例1における駆動装置の全体構成と半導体減流装置の等価回路を含む回路構成図である。図3において、半導体減流装置10のスイッチング素子Q7に、抵抗器としての減流抵抗104を並列接続するに際して、スイッチング素子Q7と減流抵抗104とを複数の配線を用いて電気的に接続する必要がある。ここで、各配線には寄生インダクタンス105a、105bが存在し、これらの寄生インダクタンス105a、105bには、電流変化に伴い誘導起電力が生じる。
次に、半導体減流装置10における寄生インダクタンス105a、105bの影響を検討する。電力変換装置6とレール2とを結ぶ回路で地絡が発生し、スイッチング素子Q7がオン状態からオフ状態へ移行するときに、大電流がスイッチング素子Q7から減流抵抗104に転流する。この電流変化に伴い、寄生インダクタンス105a、105bには誘導起電力が生じる。また、減流抵抗104には電流と抵抗値の積である電圧が生じる。これらの誘導起電力と減流抵抗104による電圧の和がスイッチング素子Q7のコレクタ−エミッタ間に印加される。誘導起電力は転流する電流が大きいほど増大するため、スイッチング素子Q7の破壊を防ぐためには、寄生インダクタンス105a、105bを低減する必要がある。
図4は、本発明の実施例1における半導体減流装置の実装構造を示す斜視図である。図4において、冷却器108上に配置されたスイッチング素子Q7と、減流抵抗104が一定の間隔を保って相対向して配置されている。この際、スイッチング素子Q7と減流抵抗104との間の空間が、スイッチング素子Q7と減流抵抗104とを互いに離すための風路110として形成されている。スイッチング素子Q7と減流抵抗104の上方には、正側バスバー106と負側バスバー107が、相対向して、互いに離れて配置されている。正側バスバー106と負側バスバー107は、銅製の板材を用いて略平板状に形成され、スイッチング素子Q7と減流抵抗104とを接続する配線として構成されている。
すなわち、スイッチング素子Q7と減流抵抗104は複数の配線を用いて電気的に接続されている。この際、複数の配線は、スイッチング素子Q7の高電位側(車両8の力行時における高電位側)の電極(コレクタ)と減流抵抗104の一端とを接続する第一の配線である正側バスバー(第一のバスバー)106と、スイッチング素子Q7の低電位側(車両8の力行時における低電位側)の電極(エミッタ)と減流抵抗104の他端とを接続する第二の配線である負側バスバー(第二のバスバー)107とから構成され、正側バスバー106と負側バスバー107が、相対向して配置されて積層されている。正側バスバー106と負側バスバー107には、スイッチング素子Q7がオンからオフに移行した際に互いに逆方向の電流が流れるようになっている。
具体的には、正側バスバー106の裏面側には、スイッチング素子Q7のコレクタ(電極)に接続された接続端子106aが固着されていると共に、減流抵抗104の一端(高電位側)に接続された接続端子106bが固着されている。一方、負側バスバー107の裏面側には、減流抵抗104の他端(低電位側)に接続された接続端子107aが、正側バスバー106の貫通孔(図示せず)を通って固着されていると共に、スイッチング素子Q7のエミッタ(電極)に接続された接続端子107bが、正側バスバー106の貫通孔(図示せず)を通って固着されている。この際、正側バスバー106の両側(長手方向両端側)は、接続端子106aを介してスイッチング素子Q7の高電位側の電極(コレクタ)、又は接続端子106bを介して減流抵抗104の一端にそれぞれ接続され、負側バスバー107の両側(長手方向両端側)は、接続端子107bを介してスイッチング素子Q7の低電位側の電極(エミッタ)、又は接続端子107aを介して減流抵抗104の他端にそれぞれ接続される。
ここで、スイッチング素子Q7がオンからオフに移行すると、接続端子106aから、正側バスバー106を介して接続端子106bに電流が流れ、この電流は、減流抵抗104を介して、接続端子107aから、負側バスバー107を介して接続端子107bに流れる。この場合、正側バスバー106と負側バスバー107は、相対向して、互いに離れて積層されているので、正側バスバー106を流れる電流と負側バスバー107を流れる電流の方向は互いに逆になる。このため、正側バスバー106を流れる電流による磁束と負側バスバー107を流れる電流による磁束が互いに相殺され、正側バスバー106と負側バスバー107の寄生インダクタンスの値を小さくすることができる。すなわち、互いに逆向きの電流が流れる正側バスバー106と負側バスバー107とを近接配置することで、発生する磁界を低減し、配線の寄生インダクタンスを低減することができる。なお、図中の矢印は、電流の流れる向きを示す。
本構造は、正側バスバー106と負側バスバー107の配線長が長くなっても、互いに逆向きの電流が流れるので、正側バスバー106と負側バスバー107の寄生インダクタンスを低減することができ、結果として、配線の寄生インダクタンスによるサージ電圧を低減することができる。
一方、前記のように2000A程度の大電流が減流抵抗104に流れると発熱が生じる。減流抵抗104は200℃以上で動作可能であるのに対して、スイッチング素子Q7の動作温度は125℃程度である。すなわち、減流抵抗104とスイッチング素子Q7とを断熱する必要がある。このため、実施例1では、減流抵抗104とスイッチング素子Q7との間の空間を、空気が流れる風路110とすることで、風路110を流れる空気によって、減流抵抗104を冷却することができると共に、スイッチング素子Q7と正側バスバー106および負側バスバー107を冷却することができる。すなわち、減流抵抗104とスイッチング素子Q7との距離を離すことで断熱(減流抵抗104の熱がスイッチング素子Q7に伝わるのを抑制)しつつ、誘導起電力によるスイッチング素子Q7の破壊を防ぐことができる。
スイッチング素子Q7にSiよりもバンドギャップが広い半導体材料(例えば、SiC)を用いた場合、スイッチング素子Q7に搭載されたチップの厚さを薄くすることができる。すなわち、導通損失を低減することができることから、スイッチング素子Q7の冷却器108を小型化することができる。
また、スイッチング素子Q7にMOSFETを用いた場合、IGBTのようなビルトイン電圧が生じないため、低電流における導通損失をIGBTに比べて低減できる。この結果、スイッチング素子Q7を冷却するための冷却器108を小型化することが可能となる。
本実施例によれば、スイッチング素子Q7と減流抵抗104とを結ぶ配線の寄生インダクタンスによるサージ電圧を低減することができると共に、減流抵抗104とスイッチング素子Q7との距離を離して断熱効果を高めることができる。
図5は、本発明の実施例2における半導体減流装置の実装構造を示す斜視図である。図5において、実施例2の半導体減流装置10の動作は実施例1と同様のため、その説明は省略する。
減流抵抗104とスイッチング素子Q7とを接続するための正側バスバー106と負側バスバー107の電流分布は均一であるほど、寄生インダクタンスを低減することができる。特に、減流抵抗104を正側バスバー106と負側バスバー107にそれぞれ接続するための接続端子付近の電流分布を均一化することが有効である。
本実施例では、減流抵抗104を正側バスバー106と負側バスバー107にそれぞれ接続するための接続端子106b、106cと接続端子107a、107cを千鳥状に配置している。すなわち、接続先(正側バスバー106又は負側バスバー107)が異なる接続端子をそれぞれ互い違いに配置している。この際、接続端子106b、106cは、正側バスバー106の裏面側に固着され、減流抵抗104の一端(高電位側)に接続される。接続端子107a、107cは、負側バスバー107の裏面側に、正側バスバー106の貫通孔(図示せず)を通って固着され、減流抵抗104の他端(低電位側)に接続される。
接続端子106b、106cと接続端子107a、107cを千鳥状に配置することで、これらの接続端子付近における正側バスバー106と負側バスバー107の電流分布を均一化することができ、正側バスバー106と負側バスバー107の寄生インダクタンスをより低減する効果がある。なお、スイッチング素子Q7を正側バスバー106と負側バスバー107にそれぞれ接続するための複数の接続端子(接続端子106a、107bを含む接続端子)を千鳥状に配置することもできる。この場合、接続端子106a、107bを含む接続端子付近における正側バスバー106と負側バスバー107の電流分布を均一化することができ、正側バスバー106と負側バスバー107の寄生インダクタンスをより低減することができる。
本実施例によれば、実施例1と同様の効果を奏することができると共に、千鳥状に配置された接続端子付近における正側バスバー106と負側バスバー107の電流分布を均一化することができ、正側バスバー106と負側バスバー107の寄生インダクタンスを実施例1よりも低減することができる。
図6は、本発明の実施例2における半導体減流装置の実装構造を示す斜視図である。図6において、実施例3の正側バスバー106と負側バスバー107は、平板状の導電性バスバー(実施例1の正側又は負側バスバーと同等のバスバー)をその長手方向の略中心で略直角に折り曲げ、L字型に形成したものであり、他の構成と半導体減流装置10の動作は実施例1と同様であるため、それらの説明は省略する。
減流抵抗104とスイッチング素子Q7とを接続するための正側バスバー106と負側バスバー107は積層されており、正側バスバー106と負側バスバー107には、互いに逆方向の電流が流れるので、正側バスバー106と負側バスバー107の寄生インダクタンスを低減することができる。このため、正側バスバー106と負側バスバー107は直線状(平板状)ではなく折れ曲がっていてもよい。また、折れ曲がりは1回だけでなく2回折れ曲がっていてもよい。また、正側バスバー106と負側バスバー107が折れ曲がっているので、スイッチング素子Q7と、減流抵抗104と、正側バスバー106及び負側バスバー107を纏めて箱や枠体内に収納し、箱や枠体を車両8の本体となる車体の内側に配置し、冷却器108を車体の外側に配置することができるので、実施例1よりも、半導体減流装置10を車体に実装することが容易になる。なお、本実施例においても、減流抵抗104とスイッチング素子Q7との間の空間に、風路110を形成することも可能である。
本実施例によれば、実施例1と同様の効果を奏することができると共に、実施例1よりも半導体減流装置10の実装が容易になる。
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、電流センサ12と制御回路13を半導体減流装置10に配置することもできる。また、電流センサ12と制御回路13とを一体化した制御回路を構成することができる。この場合、制御回路は、例えば、接触器11を流れる電流を基にスイッチング素子Q7をオンオフ制御(電流が設定値未満でオン、電流が設定値以上でオフ)することになり、接触器11による遮断の遅延時間を短縮し、遮断電流の低電流化を図ることが可能になる。さらに、遮断装置として、直流架線と電力変換装置との間に配置されて、前記直流架線から前記電力変換装置に供給される電力を遮断する断流器と、前記断流器を流れる電流を検出する電流センサと、前記断流器と前記電力変換装置との間に配置されて、そのオン動作時に前記断流器からの電力を前記電力変換装置に供給するスイッチング素子と、前記スイッチング素子に複数の配線を介して並列に接続される抵抗器と、前記電流センサの検出電流が設定値以上の場合、前記スイッチング素子をオンからオフに制御し、その後、前記断流器を遮断する制御を行う制御回路と、を有し、前記複数の配線は、前記スイッチング素子の高電位側の電極と前記抵抗器の一端とを接続する第一の配線と、前記スイッチング素子の低電位側の電極と前記抵抗器の他端とを接続する第二の配線とから構成され、前記第一の配線と前記第二の配線は、相対向して配置されて積層され、前記第一の配線と前記第二の配線には、前記スイッチング素子がオンからオフに移行する際に互いに逆方向の電流が流れるものを構成することができる。
また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
1 架線、2 レール、3 車輪、4 台車、5 電動機、6 電力変換装置、7 集電装置、8 車両、9 フィルタリアクトル、10 半導体減流装置、11 接触器、12 電流センサ、13 制御回路、Q1〜Q7 スイッチング素子、D1〜D7 ダイオード、103 キャパシタ、104 減流抵抗、105a、105b 寄生インダクタンス、106 正側バスバー、107 負側バスバー、108 冷却器、110 風路
Claims (8)
- 直流架線から電力変換装置に供給される電力を遮断する断流器と前記電力変換装置との間に配置されて、そのオン動作時に前記断流器からの電力を前記電力変換装置に供給するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に複数の配線を介して並列に接続される抵抗器と、を有し、
前記複数の配線は、
前記スイッチング素子の高電位側の電極と前記抵抗器の一端とを接続する第一の配線と、前記スイッチング素子の低電位側の電極と前記抵抗器の他端とを接続する第二の配線とから構成され、
前記第一の配線と前記第二の配線は、相対向して配置されて積層され、
前記第一の配線と前記第二の配線には、前記スイッチング素子がオンからオフに移行した際に互いに逆方向の電流が流れることを特徴とする減流装置。 - 請求項1に記載の減流装置において、
前記スイッチング素子と前記抵抗器は互いに離れて配置され、前記スイッチング素子と前記抵抗器との間には、空気が流れる風路が形成されていることを特徴とする減流装置。 - 請求項1又は2に記載の減流装置において、
前記第一の配線は、
第一のバスバーを有し、前記第一のバスバーの両側は、1又は2以上の接続端子を介して前記スイッチング素子の高電位側の電極又は前記抵抗器の一端にそれぞれ接続され、
前記第二の配線は、
第二のバスバーを有し、前記第二のバスバーの両側は、1又は2以上の接続端子を介して前記スイッチング素子の低電位側の電極又は前記抵抗器の他端にそれぞれ接続され、
前記スイッチング素子の高電位側の電極又は前記抵抗器の一端にそれぞれ接続される前記2以上の接続端子、或いは前記スイッチング素子の低電位側の電極又は前記抵抗器の他端にそれぞれ接続される前記2以上の接続端子のうち少なくとも一方は、千鳥状に配置されていることを特徴とする減流装置。 - 請求項1又は2に記載の減流装置において、
前記第一の配線は、
平板状のバスバーの少なくとも一部を折り曲げて形成された第一のバスバーを有し、前記第一のバスバーの両側は、1又は2以上の接続端子を介して前記スイッチング素子の高電位側の電極又は前記抵抗器の一端にそれぞれ接続され、
前記第二の配線は、
前記平板状のバスバーの少なくとも一部を折り曲げて形成された第二のバスバーを有し、前記第二のバスバーの両側は、1又は2以上の接続端子を介して前記スイッチング素子の低電位側の電極又は前記抵抗器の他端にそれぞれ接続されていることを特徴とする減流装置。 - 請求項4に記載の減流装置において、
前記スイッチング素子の高電位側の電極又は前記抵抗器の一端にそれぞれ接続される前記2以上の接続端子、或いは前記スイッチング素子の低電位側の電極又は前記抵抗器の他端にそれぞれ接続される前記2以上の接続端子のうち少なくとも一方は、千鳥状に配置されていることを特徴とする減流装置。 - 請求項1〜5のうちいずれか1項に記載の減流装置において、
前記スイッチング素子は、
シリコン又はシリコンより大きいバンドギャップを有する半導体材料を母材として構成されていることを特徴とする減流装置。 - 請求項1〜6のうちいずれか1項に記載の減流装置において、
前記スイッチング素子は、
MOSFET又はIGBTの電圧駆動型素子であることを特徴とする減流装置。 - 請求項1〜7のうちいずれか1項に記載の減流装置において、
前記断流器の電流を基に前記スイッチング素子のオンオフを制御する制御回路を更に有することを特徴とする減流装置。
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