JP6900412B2 - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及びプログラム - Google Patents

基板処理装置及び半導体装置の製造方法及びプログラム Download PDF

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Description

本開示は、シリコンウェーハ等の基板に薄膜の生成、酸化、拡散、ＣＶＤ、アニール等の熱処理を行う基板処理装置及び半導体装置の製造方法及びプログラムに関するものである。
基板処理装置にて基板を熱処理する際に使用される化学物質として、多くの化学物質が使用される。該化学物質は可燃性、支燃性、毒性、腐食性等に分類され、人体にとって有害な物質も存在する。
化学物質を処理炉に搬送する配管として、通常ステンレス製の配管が使用される。配管同士の接続は、継手等を使用している為、継手を介して化学物質が外部に漏洩する可能性がある。従来では、化学物質の漏洩を防止する為、配管をガスボックスに収納し、該ガスボックス内を排気し陰圧にすることで、化学物質漏洩時の作業者への暴露を防止している。
一例として、従来のガスボックスでは、排気流路にダンパ弁を設けられる。該ダンパ弁に設けられた調整板を動かすことで、ガスボックス内が化学物質の漏洩による暴露を防止できる圧力となるようダンパ弁を手動で調整している。また、圧力センサも設けられ、陰圧が不十分な場合、安全回路が働いて化学物質の供給を停止するようになっている。
特開２００４−１９３２３８号公報
従来では、圧力低下により化学物質の供給が停止する安全回路が作動するのを防止する為、定期的にダンパ弁を調整し圧力を維持する必要がある。圧力の低下は、装置台数の増加減により設備用力が変動することで引き起こされうる。安全回路が作動して化学物質の供給が停止すると、処理中の基板が生産不良となり、多額の損失が発生する。又、ダンパ弁を過度に開放することで既設の配管内の圧力低下を抑制できるが、排気の量が増大し、生産コストの増大を招く。
またダンパ弁は、ガスボックスと排気ダクトの間に設けられるため、仕様によっては高所に設置されうる。その場合、調整作業に危険を伴う場合もあった。
本開示は、排気ダンパ弁の開度を自動で遠隔制御可能とする基板処理装置及び半導体装置の製造方法及びプログラムを提供するものである。
本開示の一態様は、処理容器と、該処理容器の開口を塞ぐ蓋体と、該蓋体を開けた時に前記処理容器の開口と連通し、基板の搬送を行う移載室と、前記処理容器内の前記基板を加熱するヒータと、前記処理容器へ供給するガスを制御する機器を収納するガスボックスと、前記処理容器への前記ガスの導入部の周辺を囲むように設けられるスカベンジャと、前記ヒータが設けられた空間を冷却した空気を排出するヒータ室排気ダクトと、前記ガスボックス内の雰囲気を吸引して排出するガスボックス排気ダクトと、前記スカベンジャ内の雰囲気を吸引して排出するスカベンジャ排気ダクトと、前記移載室内の所定の箇所に設けられた局所排気口に連通し、雰囲気を吸引して排出する局所排気ダクトと、負圧に維持された工場排気ダクトに接続された前記ヒータ室排気ダクトと、前記ガスボックス排気ダクトと、前記スカベンジャ排気ダクトと、前記局所排気ダクトのうち少なくとも１つに設けられた開度可変機構付きの排気ダンパ弁と、設置面から操作可能な高さに設けられ、操作に応じて前記排気ダンパ弁の開度を遠隔制御可能に構成されたコントローラとを具備する構成が提供される。
本開示によれば、高所に設けられた排気ダンパ弁の開度が自動で調整され、定期的に手動で調整する必要がないので、作業者の安全性を確保できると共に、作業性を向上させるという優れた効果を発揮する。
本開示の実施例に係るクリーンルームとクリーンルーム内に設置された基板処理装置を示す概略図である。 実施例に係る基板処理装置を示す斜視図である。 実施例に係る基板処理装置を示す側面図である。 実施例に係る基板処理装置のヒータ室やガスボックス等を示す斜視図である。 実施例に係るガスボックス排気ダンパ弁を示す斜視図である。 実施例に係るガスボックス排気ダンパ弁を示す正面図である。 実施例に係るガスボックス排気ダンパ弁を示す分解斜視図である。 実施例に係るエアーの吸排気系を説明する説明図である。 実施例に係る処理炉を示す縦断面図である。 実施例に係る移載室内の隔離空間を説明する説明図である。 実施例に係る冷却水系を説明する説明図である。
以下、図面を参照しつつ本開示の実施例を説明する。図１は、基板処理装置が設置されるクリーンルームを示している。又、図２、図３は基板処理装置の一例として縦型の基板処理装置を示している。尚、該基板処理装置において処理される基板は、一例としてシリコン等からなるウェーハが示されている。
図１に示されるように、基板処理装置１は、半導体工場２のクリーンルーム３内に設置される。クリーンルーム３には、外調機４により半導体工場２の外部から取入れられた外気の温度及び湿度をコントロールした後、ＦＦＵ（Ｆａｎ Ｆｉｌｔｅｒ Ｕｎｉｔ）５で除塵したエアー（空気）６が取入れられるようになっている。
基板処理装置１の上面には吸気ダクト（吸気口）７及び排気ダクト８が設けられる。排気ダクト８は、工場外迄延出する工場排気ダクト（設備排気ダクト）９に接続されている。工場排気ダクト９には排気ファン１１が設けられ、工場排気ダクト９内は逆流防止の為排気ファン１１により常に所定の負圧に維持される。
吸気ダクト７を介して基板処理装置１内に取入れられたエアー６は、移載室（後述）等を満たす清浄雰囲気、処理炉（ヒータ）１２の冷却媒体、有害なガスやパーティクルのパージのために使用された後、排気ダクト８、工場排気ダクト９を通って排気ファン１１により工場外へと排出されるようになっている。尚、吸気ダクト７や排気ダクト８は、用途ごとにそれぞれ個別に設けられうる。また排気の除害の必要性温度等に応じて、工場排気ダクトも複数の系統に分けて設けられうる。
図２、図３に示されるように、基板処理装置１は筐体１３を備え、該筐体１３の正面壁１４の下部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１５が開設され、該正面メンテナンス口１５は正面メンテナンス扉１６によって開閉される。
筐体１３の正面壁１４にはポッド搬入搬出口１７が筐体１３の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１７はフロントシャッタ１８によって開閉され、ポッド搬入搬出口１７の正面前方側にはロードポート１９が設置されており、該ロードポート１９は載置されたポッド２１を位置合せするように構成されている。
該ポッド２１は密閉式の基板収容器であり、図示しない工程内搬送装置によってロードポート１９上に搬入され、又、該ロードポート１９上から搬出されるようになっている。
筐体１３内の前後方向の略中央部に於ける上部には、回転式ポッド棚２２が設置されており、該回転式ポッド棚２２は複数個のポッド２１を格納するように構成されている。又、正面メンテナンス口１５内であり、ロードポート１９の下方には予備ポッド棚２３が設置されており、該予備ポッド棚２３は複数個のポッド２１を格納するように構成されている。
回転式ポッド棚２２は垂直に立設されて間欠回転される支柱２４と、該支柱２４に上中下段の各位置において放射状に支持された複数段の棚板２５とを備えている。棚板２５はポッド２１を複数個載置した状態で格納するように構成されている。
回転式ポッド棚２２の下方には、ポッドオープナ２６が設けられ、ポッドオープナ２６はポッド２１を載置し、ポッド２１の蓋を開閉可能な構成を有している。
ロードポート１９と回転式ポッド棚２２、ポッドオープナ２６との間には、ポッド搬送装置２７が設置されている。又、ポッド搬送装置２７は、ポッド２１を保持して昇降可能、進退可能、横行可能となっており、ロードポート１９、回転式ポッド棚２２、ポッドオープナ２６との間でポッド２１を搬送するように構成されている。
筐体１３内の前後方向の後方寄りに於ける下部には、サブ筐体２８が後端に亘って設けられている。サブ筐体２８の正面壁２９にはウェーハ（基板）３１をサブ筐体２８内に対して搬入搬出する為のウェーハ搬入搬出口３２が一対、垂直方向に上下２段に並べられて開設されており、上下段の該ウェーハ搬入搬出口３２に対してポッドオープナ２６がそれぞれ設けられている。
ポッドオープナ２６はポッド２１を載置する載置台３３と、ポッド２１の蓋を開閉する開閉機構３４とを備えている。ポッドオープナ２６は載置台３３に載置されたポッド２１の蓋を開閉機構３４によって開閉することにより、ポッド２１のウェーハ出入口を開閉するように構成されている。
サブ筐体２８はポッド搬送装置２７や回転式ポッド棚２２が配設されている空間（ポッド搬送空間）から気密となっている移載室（ローディングエリア）３５を構成している。該移載室３５の前側領域にはウェーハ搬送機構（以後、移載機ともいう）３６が設置されており、移載機３６は、ウェーハ３１を保持する所要枚数（図示では５枚）のウェーハ載置プレート（基板支持部）３７を具備し、該ウェーハ載置プレート３７は水平方向に直動可能、水平方向に回転可能、又垂直方向に昇降可能となっている。移載機３６はボート（基板保持具）３８に対してウェーハ３１を装填及び払出しするように構成されている。
移載室３５の上方には、スカベンジャ７４を挟んでヒータ室４５（図３、図９参照）が設けられ、その中に縦型の処理炉１２が設置される。処理炉１２は内部に処理室を形成し、処理室の下寄りの炉口部はスカベンジャ７４内に位置する。炉口部の下端は開口しており、炉口シャッタ４１により開閉されるようになっている。
サブ筐体２８の側面にはボート３８を昇降させる為のボートエレベータ４２が設置されている。ボートエレベータ４２の昇降台に連結されたアーム４３には蓋体としてのシールキャップ４４が水平に取付けられており、該シールキャップ４４はボート３８を垂直に支持し、ボート３８を処理炉１２に装入した状態で炉口部を気密に閉塞可能となっている。ボート３８は、複数枚（例えば、５０枚〜１７５枚程度）のウェーハ３１をその中心に揃えて水平姿勢で多段に保持するように構成されている。
ボートエレベータ４２側と対向した位置にはクリーンユニット（図示せず）が配設され、該クリーンユニットは、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエアを供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されている。移載機３６とクリーンユニットとの間には、ウェーハ３１の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合せ装置（図示せず）が設置されている。
クリーンユニットから吹出されたクリーンエアは、ノッチ合せ装置、移載機３６、ボート３８に流通された後に、一部は局所排気ダクト５９（又は共通排気ダクト）等により吸込まれて、排気ダクト８を通じて筐体１３の外部に排気され、他の一部はクリーンユニットによって再び移載室３５内に吹出されるように構成されている。
次に、基板処理装置１の作動について説明する。
ポッド２１がロードポート１９に供給されると、ポッド搬入搬出口１７がフロントシャッタ１８によって開放される。ロードポート１９上のポッド２１はポッド搬送装置２７によって筐体１３の内部へポッド搬入搬出口１７を通して搬入され、回転式ポッド棚２２の指定された棚板２５へ載置される。ポッド２１は回転式ポッド棚２２で一時的に保管された後、ポッド搬送装置２７により棚板２５からいずれか一方のポッドオープナ２６に搬送されて載置台３３に移載されるか、もしくはロードポート１９から直接載置台３３に移載される。
載置台３３に載置されたポッド２１はその開口側端面がサブ筐体２８の正面壁２９に於けるウェーハ搬入搬出口３２の開口縁辺部に押付けられると共に、蓋が開閉機構３４によって取外され、ウェーハ出入口が開放される。
ポッド２１がポッドオープナ２６によって開放されると、移載機３６はウェーハ３１をポッド２１から取出し、ボート３８に装填（チャージング）する。ボート３８にウェーハ３１を受渡した移載機３６はポッド２１に戻り、次のウェーハ３１をボート３８に装填する。
予め指定された枚数のウェーハ３１がボート３８に装填されると炉口シャッタ４１によって閉じられていた処理炉１２の炉口部が炉口シャッタ４１によって開放される。続いて、ボート３８はボートエレベータ４２によって上昇され、処理炉１２に搬入（ローディング）される。
ローディング後は、処理炉１２にてウェーハ３１に任意の処理が実施される。処理後は、上述の手順と逆の手順により、ウェーハ３１及びポッド２１が筐体１３の外部へと搬出される。
次に図４及び図８を参照して、エアーの吸排気系について説明する。図８に示されるように、基板処理装置１には、クリーンルーム内のエアーを取入れて排気する（消費する）エアーの流路として、ヒータ室４５、スカベンジャ７４、ガスボックス７９および移載室３５がある。尚この図では、エアーをろ過或いは冷却して循環させる系は省略してある。図４に示されるように、処理炉１２を収納するヒータ室４５は、基板処理装置１の背面側に設けられている。ヒータ室４５を開閉する為の背面扉４６には、ヒータ室４５内に空気を取入れる為のヒータ室吸気口４７が形成される。ヒータ室４５は、基板処理装置１の背面から見て左寄りに設けられ、右側方には後述のスカベンジャ排気ダクト７５や図示しないケーブルや電装品等を収納する空間が画成されている。
基板処理装置１の筐体１３の背面の上寄りには、ヒータ室４５内で加熱されたエアーを排出する為のヒータ室排気ダクト５０と、スカベンジャ７４内のエアーを排出する為のスカベンジャ排気ダクト７５が設けられている。ヒータ室排気ダクト５０は、開度可変機構付きのヒータ室排気ダンパ弁４８よりも上流側に設けられた圧力センサ４９を有し、スカベンジャ排気ダクト７５は、スカベンジャ排気ダンパ弁７６よりも上流側に設けられた圧力センサ８０を有し、圧力センサ４９，８０の検出結果は後述するプロセスモジュール制御器９６又は主制御部９５にフィードバックされるようになっている。図４では、ヒータ室排気ダクト５０は、圧力センサ４９よりも下流且つヒータ室排気ダンパ弁４８よりも上流の箇所で切断して示され、他のダクトも同様に示されている。
尚、処理炉１２の外装板（熱シールド板）や背面扉４６には、人が触れる部分が高温になることによる火傷を防止できるよう、それぞれ温度センサ５１が取付けられている。例えば、処理炉１２の表面温度が所定より高い時に、背面扉４６が開かないようにロックすることができる。
ガスボックス７９は、基板処理装置１の筐体１３の背面に後方に伸びて設けられるユーティリティの１つであり、本例では筐体１３の背面に隣接して、ヒータ室４５と略同じ高さの位置に設けられる。ガスボックス７９は、後述のＭＦＣ（マスフローコントローラ）７７やバルブ７８と、それらを繋ぐガス供給管７３を収容する、直方体状の箱であり、その前面には、外気を取込むスリット状のガスボックス吸気口９７が複数形成されている。又、ガスボックス７９の上面には、ガスボックス７９内の雰囲気を排気する排気口としてのガスボックス排気ダクト９８が接続され、ガスボックス排気ダクト９８は工場排気ダクト９に接続されている。ガスボックス排気ダクト９８には、開度可変機構付きのガスボックス排気ダンパ弁９９と、ガスボックス排気ダンパ弁９９よりも上流側に位置する圧力センサ１０１が設けられている。
移載室３５には、クリーンルーム内のエアーを取り込む、密閉可能なインテイクダンパー５８が設けられる。取り込まれたエアーは移載室３５内の局所排気などと合流して、ブロアによってフィルタに送られて、更に清浄化された陽圧のエアーとなって移載室３５内を循環する。また余剰のエアーは、移載室３５の平面に設けられた移載室排気ダクト５９を通って工場排気ダクト９へ排出される。移載室排気ダクト５９には、圧力差が所定以上になった時に開くオートダンパ６０と、移載室排気ダクト５９を全閉および全開にすることができる移載室排気ダンパ弁６１と、オートダンパ６０よりも上流側に位置する圧力センサ６２が設けられている。
又、基板処理装置１の所定位置には、基板処理装置１に対する各種制御を行う主制御部９５（後述）の操作パネル（操作部）５２が設けられている。該操作部５２は例えばタッチパネルであり、主制御部９５に制御値を入力する為の入力部と、入力された制御値を認識可能に表示する表示部を有している。尚、操作部５２が設けられる位置は、筐体１３後方のユーティリティの側面や背面もしくは基板処理装置１の正面であり、且つ基板処理装置１の設置面（もしくはフロアーＢＯＸ）に立つ作業者が操作可能な高さとなっている。作業者は、入力部を介して操作部５２に直接制御値を入力し、開度を指定することで、ガスボックス排気ダンパ弁９９等の開度を直接制御できるようになっている。
次に、図５〜図７において、本実施例に係るガスボックス排気ダンパ弁９９の詳細について説明する。尚、ヒータ室排気ダンパ弁４８、スカベンジャ排気ダンパ弁７６の構造は、ガスボックス排気ダンパ弁９９と同様であるので説明を省略する。
ガスボックス排気ダクト９８の両端には、それぞれフランジ５３が形成され、一方のフランジ５３を介してガスボックス排気ダクト９８がガスボックス７９に接続されると共に、他方のフランジ５３を介してガスボックス排気ダクト９８が工場排気ダクト９に接続される。又、一方のフランジ５３の一辺には、後述するモータ５６をガスボックス排気ダクト９８に取付ける為の取付けフランジ５３ａが設けられている。更に、ガスボックス排気ダクト９８の周面には、後述するシャフト５５とモータ５６を保持する台座部８ａが設けられている。
ガスボックス排気ダクト９８には、ガスボックス排気ダンパ弁９９が設けられている。ガスボックス排気ダンパ弁９９は、ガスボックス排気ダクト９８の内径よりも若干小径であり、円板形状のシャッタ（弁体）５４と、シャッタ５４の径方向全長に亘って一体回転可能に設けられ、両端がガスボックス排気ダクト９８に回転可能に保持されるシャフト５５と、シャフト５５を回転駆動させる為のモータ５６とを有している。
シャフト５５の一端には、モータ５６の出力軸とＤカット（平面取り）やボス等により嵌合する嵌合部５５ａが形成され、嵌合部５５ａを介してモータ５６の駆動力がシャフト５５に伝達される。又、シャフト５５の下部には、シャッタ５４と接合可能な平面部５５ｂが形成されている。更に、モータ５６には、ガスボックス排気ダクト９８に取付ける為の取付けフランジ５６ａが形成されている。
ガスボックス排気ダンパ弁９９は、嵌合部５５ａをモータ５６の出力軸に結合させた状態で、シャフト５５を台座部８ａを介してガスボックス排気ダクト９８に挿通した後、シャッタ５４を平面部５５ｂにネジで固着すると共に、取付けフランジ５３ａ，５６ａをネジ止めすることで、ガスボックス排気ダクト９８に取付けられる。
尚、モータ５６は、例えばギアード・サーボモータであり、操作部５２からの開度指令値に基づき、シャフト５５を対応する角度になるよう回転させ、シャッタ５４の開度を無段階に調整可能となっている。
図９は、本開示の実施例で好適に用いられる基板処理装置１の処理炉１２周辺の縦断面図として示されている。処理炉１２は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース６４に支持されることで垂直に据付けられている。処理炉１２の内周面には、加熱機構としてのヒータ３９が設けられる。
処理炉１２の内側には、処理炉１２と同心円状にプロセスチューブ６５が配設されている。プロセスチューブ６５は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料から成るインナチューブ６６と、アウタチューブ６７とから構成されている。インナチューブ６６は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成され、処理容器の大部分を構成する。インナチューブ６６の筒中空部には処理室６８が形成されており、ウェーハ３１をボート３８によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。アウタチューブ６７は、内径がインナチューブ６６の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ６６と同心円状に設けられている。
アウタチューブ６７の下方には、アウタチューブ６７と同心円状にマニホールド６９が配設されている。マニホールド６９は、例えばニッケル合金等から成り、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド６９は、インナチューブ６６及びアウタチューブ６７に係合しており、これらを支持するように設けられている。尚、マニホールド６９とアウタチューブ６７との間には、シール部材としてのＯリング７１が設けられている。マニホールド６９に支持されることにより、プロセスチューブ６５は垂直に据付けられた状態となっている。プロセスチューブ６５とマニホールド６９とにより処理容器が形成される。
シールキャップ４４又はマニホールド６９にはガス導入部としてのノズル７２が処理室６８内に連通するように接続されており、ノズル７２にはガス供給管７３が接続されている。又、ヒータベース６４の下方には、ノズル７２（又は処理容器）とガス供給管７３の接続部の周囲を囲むようにスカベンジャ７４が設けられている。
スカベンジャ７４には、スカベンジャ７４内の雰囲気を吸引して排出する為のスカベンジャ排気ダクト７５が設けられ、スカベンジャ排気ダンパ弁７６に接続される。スカベンジャ７４によって囲まれる空間は、ガス供給管７３やその他の部材との間に生じる空隙７０等によってスカベンジャ７４外と連通しており、そこから基板処理装置１内のエアーを吸い込む。或いは、スカベンジャ７４内に不活性ガス等を供給する吸気ダクトが別途設けられうる。
スカベンジャ排気ダクト７５は、工場排気ダクト９と接続され、スカベンジャ７４内の雰囲気はヒータ室排気ダクト５０から排出されるエアー６と共に工場外へと排出される。スカベンジャ７４内の雰囲気が排気されることで、ガス供給管７３とノズル７２との間からスカベンジャ７４にガスが漏れた場合であっても、基板処理装置１内にガスが拡散するのを防止することができる。尚、スカベンジャ排気ダンパ弁７６の構造は、ガスボックス排気ダンパ弁９９の構造と同様である為説明を省略する。
ガス供給管７３のノズル７２との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）７７やバルブ７８を介して図示しない化学物質供給源や不活性ガス供給源が接続されている。ＭＦＣ７７等は、プロセスモジュール制御器９６と電気的に接続される。ＭＦＣ７７及びバルブ７８は、ガスボックス７９内に収納される。
前記マニホールド６９には、処理室６８内の雰囲気を排気する排気管８１が連通されている。該排気管８１は、インナチューブ６６とアウタチューブ６７との隙間に形成される筒状空間８２の下端部に配置され、筒状空間８２と連通している。排気管８１には下流側に向って圧力検出器としての圧力センサ８３及び圧力調整装置８４を介して真空ポンプ等の真空排気装置８５が接続され、処理室６８内の圧力が所定の圧力（真空度）となるように構成されている。圧力センサ８３及び前記圧力調整装置８４には、圧力制御部（圧力コントローラ）８６が電気的に接続されており、該圧力制御部８６は圧力センサ８３により検出された圧力に基づいて圧力調整装置８４により処理室６８内の圧力が所望の圧力（真空度）となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
シールキャップ４４は、サブ筐体２８内に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ４２にアーム４３を介して水平に支持され、ボートエレベータ４２により垂直方向に昇降されるように構成されている。これにより、ボート３８を処理室６８に対して搬入搬出可能となる。上昇されたシールキャップ４４は、マニホールド６９の下端にシール部材としてのＯリング８７を介して当接される。
シールキャップ４４の処理室６８と反対側には、ボート３８を回転させる回転機構８８が設置されている。回転機構８８の回転軸８９は、シールキャップ４４を貫通してボート３８に接続されており、ボート３８を回転させることでウェーハ３１を回転させるように構成されている。回転機構８８及びボートエレベータ４２には、駆動制御部（駆動コントローラ）９１が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングで制御するように構成されている。
プロセスチューブ６５内には、温度検出器としての温度センサ９３が設置されている。ヒータ３９と温度センサ９３には、温度調整器９４が電気的に接続され、温度センサ９３により検出された温度情報に基づき、ヒータ３９への通電具合を調整し、処理室６８内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
主制御部９５は、ネットワークで接続された上位装置との間でＳＥＭＩ（Semiconductor Equipment and Materials International）規格Ｅ５“半導体製造装置通信スタンダード2 メッセージ内容（SECS-II）”を用いて通信し、ウェーハ３１の装填から取出しまでの一連のレシピを実行するジョブを管理する。また同規格のInterface A（E120,E125,E132,E134）を用いて、装置状態情報を上位装置（監視装置）に伝送する。主制御部９５は、基板処理装置１全体を制御するために、操作部５２、プロセスモジュール制御器９６、圧力制御部８６、駆動制御部９１、温度調整器９４と通信可能に接続され、適宜それらを介して基板処理装置１全体を制御する。主制御部９５或いはその配下のプロセスモジュール制御器９６を含めて、コントローラとも総称する。主制御部９５やプロセスモジュール制御器９６等のコントローラは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、当該ＣＰＵによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されているＲＡＭ（Random Access Memory）、基板処理装置の動作を制御する制御プログラム、後述する圧力制御の手順や条件などが記載されたプロセスレシピなどが、読み出し可能に格納されている記憶装置等を備えたコンピュータとして構成されている。プロセスレシピは、半導体装置の製造方法における各工程（各ステップ）をコントローラに実行させ、所定の結果を得ることができるように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。
プロセスモジュール制御器９６は、ＭＦＣ７７やバルブ７８を操作し、供給するガスの流量をレシピに従ったタイミングで制御する。また、圧力センサ４９、ヒータ室排気ダンパ弁４８及び温度センサ５１と電気的に接続され、圧力センサ４９の検知圧力が、好ましい負圧となるよう、ヒータ室排気ダンパ弁４８をフィードバック制御する。また、圧力センサ８０及びスカベンジャ排気ダンパ弁７６と電気的に接続され、圧力センサ８０の検知圧力が、好ましい負圧となるよう、スカベンジャ排気ダンパ弁７６をフィードバック制御する。また、圧力センサ１０１及びガスボックス排気ダンパ弁９９と電気的に接続され、圧力センサ１０１の検知圧力が、好ましい負圧となるよう、ガスボックス排気ダンパ弁９９をフィードバック制御する。また、インテイクダンパー５８、移載室３５のブロア、圧力センサ６２、移載室排気ダンパ弁６１と電気的に接続され、圧力センサ６２の検知圧力が適切な陽圧となるよう、ブロアをフィードバック制御する。
プロセスモジュール制御器９６もしくは主制御部９５は、温度センサ５１により検出された基板処理装置１内の温度や、レシピ内に書込まれたヒータ温度等のレシピ情報を利用して、例えば、レシピを実行するジョブの登録および進捗状況に応じて必要最小限の排気流量となるように制御したり、ヒータ温度を入力するフィードフォワード制御によって温度センサ５１の温度を一定以下に保つように制御することができる。従ってヒータ温度が常温に戻るスタンバイ状態では、ヒータ室排気ダンパ弁４８の開度を最小にして、排気流量を最小化できる。又、温度センサ５１によって背面扉４６等の温度が異常に高く検出された時は、所定のレベルのアラートを発することができる。
主制御部９５は、プロセスモジュール制御器９６から圧力センサ１０１，４９，８０、６２等の検知圧力を受信し、操作部５２からの操作に応じて、それらの検知圧力を操作部５２に表示させると共に、ガスボックス排気ダンパ弁９９等の開度を直接指定する入力を操作部５２から受け付けることができるように構成される。直接指定を受け付けた主制御部９５は、その値をプロセスモジュール制御器９６を介してガスボックス排気ダンパ弁９９等に設定する。例えばスタンバイ時にこのような手動設定を行うことで、ヒータ室４５、スカベンジャ７４、ガスボックス７９、移載室３５からの排気の量を最小化することができる。尚直接設定は操作部５２からに限らず、上位装置からも与えられうる。
尚、圧力センサ４９に代えて流量センサをヒータ室排気ダクト５０に設け、ヒータ室排気ダンパ弁４８を流通するエアー６の流量を直接検出できるようにしてもよい。そして、流量センサが検出したエアー６の流量に基づき、ヒータ室排気ダクト５０内のエアー６の流量が一定に保たれるように、フィードバック制御を行うようにしてもよい。
図１０を参照して、移載室３５の排気構造の変形例を説明する。この変形例では、移載室３５に設けられる局所排気ダクトからも排気を行う。移載室３５は、処理室で処理された後の高温のウェーハ３１を搬出する場所であり、ウェーハ３１への自然酸化膜の形成を防止する為、不活性ガス、例えば窒素（Ｎ2 ）ガスが充満されている。移載室３５を画成するサブ筐体２８は、周辺からのエアーやパーティクルの侵入を防ぐため、大気圧より５０Ｐａ程度の陽圧に保たれるような箱型の気密構造に構築されている。
サブ筐体２８にリーク（エアーの侵入や放出）があると、窒素ガスを導入して酸素濃度を所定値以下にするまでの時間が長くなる。図１０の例では、サブ筐体２８の壁体２９ａと壁体２９ｂとの接合部２９ｃを、断面がハット（帽子）状のハットリブ５７で覆い、ハットリブ５７の鍔部５７ａと壁体２９ａ及び壁体２９ｂとを例えば溶接により接合する。接合部２９ｃから侵入したエアーは、ハットリブ５７を局所排気することで、サブ筐体２８内に拡散しなくなる。
ハットリブ５７と壁体２９ａと壁体２９ｂにより形成された局所排気口としての隔離空間には、移載室排気ダクト（局所排気ダクト）５９が連通している。隔離空間内の雰囲気は吸引され、工場排気ダクト９へと排出される。隔離空間内に流れを生じさせるため、ハットリブ５７の先端付近には、移載室３５に開口するアパーチャーが設けられうる。
上記したように、壁体２９ａ，２９ｂの接合部２９ｃをハットリブ５７で隔離し、隔離空間の雰囲気を基板処理装置１の外部へと排気する構造としたことで、酸素がサブ筐体２８の接合部２９ｃから移載室３５内に拡散することを抑制し、移載室３５を所望の酸素濃度迄到達させる迄の時間を短縮することができる。尚移載室３５を低酸素濃度に保つ必要が無いスタンバイ時においては、インテイクダンパー５８や移載室排気ダンパ弁６１を全閉もしくは最小の開度にすることができる。
図１１は、本開示の実施例で好適に用いられる基板処理装置１の水冷系の概略構成図である。水冷系は、基板処理装置１に冷却水として供給される市水もしくは循環冷却水を、冷却を必要とする各部に分配する。
熱交換機１１１は、処理炉１２の急冷の際に、処理炉１２内を流通するエアーを冷却する。マニホールド６９は、Ｏリング７１等を冷却するために、それらの付近に冷却水の埋め込み流路を有する。回転機構８８は、熱に弱い軸シールを保護するため、冷却水を必要とする。熱交換器１１２は、移載室内を循環する雰囲気を冷却する。水冷ジャケット１１３は、その他の冷却を必要とする部材に取り付けられ、それらを冷却する。
水冷系は、取入れた冷却水を５つに分配した後、それぞれをニードル弁１１４ａ〜１１４ｅに接続する。ニードル弁１１４ａ〜１１４ｅは、自動弁であり、開度を電動制御で連続的に変更可能に構成される。ニードル弁１１４ａ〜１１４ｅの前又は後に、流量センサとしてのフローメータ１１５ａ〜１１５ｅがそれぞれ設けられる。ニードル弁１１４ａ〜１１４ｅ及びフローメータ１１５ａ〜１１５ｅは、プロセスモジュール制御器９６と電気的に接続される。
プロセスモジュール制御器９６は、フローメータ１１５ａ〜１１５ｅの検知流量を定期的に監視し、設定値からずれていないかチェックする。ずれていた場合、対応するニードル弁１１４ａ〜１１４ｅを制御して、流量を設定値に一致させる。プロセスモジュール制御器９６はレシピの実行状況もしくは処理炉１２の温度に連動して、各設定値を下げることができる。例えば、処理炉１２の温度が所定値以下の時、それぞれの最小限の流量となるように設定値を変更する。これによりスタンバイ時の冷却水の消費を最小限にすることができる。また操作部５２からの直接設定も可能であり、例えばメンテナンス時に、ニードル弁１１４ａ〜１１４ｅを完全に閉じることができる。
次に上記構成に係る処理炉１２を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ＣＶＤ法によりウェーハ３１上に薄膜を生成する方法について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置１を構成する各部の動作は主制御部９５により制御される。
主制御部９５より基板処理の為のレシピが実行されると、複数枚のウェーハ３１がボート３８に装填（ウェーハチャージ）され、図９に示されるように、複数枚のウェーハ３１を保持したボート３８は、ボートエレベータ４２によって持上げられて処理室６８に搬入（ボートローディング）される。
次に、処理室６８内が所望の圧力（真空度）となるように真空排気装置８５によって真空排気される。この際、処理室６８内の圧力は、圧力センサ８３で測定され、測定結果に基づき圧力調整装置８４がフィードバック制御される。又、処理室６８内が所望の温度となるようにヒータ３９によって加熱される。この際、処理室６８内が所望の温度分布となるように、温度センサ９３が検出した温度情報に基づきヒータ３９への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構８８により、ボート３８が回転されることで、ウェーハ３１が回転される。
次に、化学物質供給源から供給されＭＦＣ７７にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管７３を流通してノズル７２から処理室６８内に導入される。導入されたガスは、処理室６８内を上昇し、インナチューブ６６の上端開口から筒状空間８２に流出し、排気管８１から排気される。ガスは、処理室６８内を通過する過程でウェーハ３１の表面と接触し、この際に熱分解反応によってウェーハ３１の表面上に薄膜が体積（デポジション）される。
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室６８内が不活性ガスで置換されると共に、処理室６８内の圧力が常圧に復帰される。
その後、ボートエレベータ４２によりシールキャップ４４が下降され、処理済のウェーハ３１がボート３８に保持された状態でマニホールド６９の下端開口からプロセスチューブ６５の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済のウェーハ３１はボート３８から取出される（ウェーハディスチャージング）。
尚、一例まで、本実施例の処理炉１２にてウェーハ３１を処理する際の処理条件としては、例えば、Ｓｉ3 Ｎ4 膜の成膜においては、処理温度６００〜７００℃、処理圧力２０〜４０Ｐａ、成膜ガス種ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ，ＮＨ3 、成膜ガス供給量ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ：０〜９９．９９９ｓｌｍ，ＮＨ3 ：０〜９９．９９９ｓｌｍが例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することで、ウェーハ３１に処理が成される。
ここで、上記処理において、プロセスモジュール制御器９６には、ヒータ室排気ダクト５０、局所排気ダクト５９、スカベンジャ排気ダクト７５、ガスボックス排気ダクト９８にそれぞれ設けられた圧力センサ４９，６２，１０１で検出されたガス（又はエアー）の圧力（又は流量）が常時フィードバックされている。
プロセスモジュール制御器９６は、予め設定された圧力の目標値と各圧力センサの検出結果とをそれぞれ比較する。各圧力センサの検出結果が目標値と異なっていた場合には、操作部５２は各圧力センサの検出結果を目標値に近づけるよう、ヒータ室排気ダンパ弁４８、移載室排気ダンパ弁６１、スカベンジャ排気ダンパ弁７６、ガスボックス排気ダンパ弁９９をそれぞれ遠隔制御し、ヒータ室排気ダンパ弁４８、移載室排気ダンパ弁６１、スカベンジャ排気ダンパ弁７６、ガスボックス排気ダンパ弁９９の開度を調整する。尚、目標値はレシピの進行に伴って変化しうる。
又、主制御部９５は実行するレシピ等に基づき、ガスボックス７９で使用される化学物質（処理ガス）の情報、化学物質が使用されるタイミングを判断し、化学物質が使用されていない時には、ガスボックス排気ダンパ弁９９の開度が小となるよう、ガスボックス排気ダンパ弁９９を遠隔制御する。或は、操作部５２は、ガスボックス７９内を化学物質が流れていない時に、化学物質が流れている時よりも高い特定の圧力となるよう、ガスボックス排気ダンパ弁９９を制御する。更には、毒性の異なる複数の種類の化学物質が使用されうる場合、使用中の物質の許容濃度が低いほど、ガスボックス７９の圧力が低くなる（吸引が強くなる）よう、圧力の目標値を変更してもよい。
尚、化学物質が使用されるタイミングの検出は、実行されたレシピに加え、ガスボックス７９の上流に設けられた顧客設備バルブ（図示せず）の開閉状態、化学物質が流れるガス供給管７３の圧力に基づき行ってもよい。
又、ヒータ室排気ダンパ弁４８、移載室排気ダンパ弁６１、スカベンジャ排気ダンパ弁７６、ガスボックス排気ダンパ弁９９のフィードバック制御は、常時実行するのではなく、各圧力センサの検出した圧力（又は流量）が一定の値よりも所定以上ずれた時、即ち目標値を基準とした所定の閾値の範囲外となった時に起動してもよい。もしくは、フィードバック制御は、工場排気ダクト９の背圧の変化、移載室３５内のクリーンエアの流量の変化、ヒータ３９の冷却状態の変化、ガスボックス７９の扉の開放等、圧力や流量の変化を引起こす要因が発生したと判断した時に起動してもよい。又、フィードバック制御は、各圧力センサの検出結果が所定の閾値の範囲内となった時か、所定時間経過後に終了するようにしてもよい。フィードバック制御を常時実行しないようにすることで、各排気ダンパ弁の長寿命化を図ることができる。
上述のように、本実施例では、基板処理装置１の設置面から作業者が操作可能な高さに設けられた操作部５２を介して、ヒータ室排気ダンパ弁４８、移載室排気ダンパ弁６１、スカベンジャ排気ダンパ弁７６、ガスボックス排気ダンパ弁９９の開度を遠隔制御し、雰囲気の吸引量、吸引力を調整できるようになっている。
従って、各排気ダンパ弁が高所に設けられている場合であっても、作業者が高所に上がって各排気ダンパ弁の開度を調整する必要がなく、作業者の安全性を向上させることができる。
又、本実施例では、各排気ダクト内の圧力（又は流量）が一定に保たれるよう、操作部５２が各排気ダンパの開度を遠隔制御している。従って、他の基板処理装置の稼働状況あるいは自己の装置の各ダクトの排気状況の変化により、各ダクトの背圧（工場排気ダクトの圧力）が変化したとしても、各排気ダクト内の圧力を一定に保つ為に定期的に手動で各排気ダンパ弁の開度を調整する必要がなく、作業性を向上させることができる。
又、各排気ダクト内の圧力が一定に保たれることで、圧力低下により化学物質の供給を停止する安全回路が働くのを防止できるので、処理中のウェーハ３１に対して化学物質の供給が停止することによる生産不良を防止でき、ウェーハ３１の生産性を向上させることができる。
更に、各排気ダクト内の圧力が一定に保たれることで、圧力低下防止の為、各排気ダンパ弁の開度を余裕を持たせて大きくする必要がないので、過度な用力を削減することができ、省エネルギー化及び生産コストの削減を図ることができる。
尚、本実施例では、ヒータ室排気ダクト５０、局所排気ダクト５９、スカベンジャ排気ダクト７５、ガスボックス排気ダクト９８が全て工場排気ダクト９に接続されているが、各排気ダクトの内の一部のみを工場排気ダクト９に接続してもよい。例えば、ヒータ室排気ダクト５０と局所排気ダクト５９とを合流させ、工場排気ダクト９に接続すると共に、スカベンジャ排気ダクト７５とガスボックス排気ダクト９８をそれぞれ単独で工場外へと延出させてもよい。この場合、ヒータ室排気ダンパ弁４８に移載室排気ダンパ弁６１の機能を兼用させることで、移載室排気ダンパ弁６１を省略することができる。
尚、工場排気ダクト９に接続される各排気ダクトの組合わせは上記に限るものではなく、種々の組合わせで工場排気ダクト９に接続可能であるのは言う迄もない。
（付記）
又、本開示は以下の実施の態様を含む。
（付記１）処理容器と、該処理容器の開口を塞ぐ蓋体と、該蓋体を開けた時に前記処理容器の開口と連通し、基板の搬送を行う移載室と、前記処理容器内の前記基板を加熱するヒータと、前記処理容器へ供給するガスを制御する機器を収納するガスボックスと、前記処理容器への前記ガスの導入部の周辺を囲むように設けられるスカベンジャと、前記ヒータが設けられた空間を冷却した空気を排出するヒータ室排気ダクトと、前記ガスボックス内の雰囲気を吸引して排出するガスボックス排気ダクトと、前記スカベンジャ内の雰囲気を吸引して排出するスカベンジャ排気ダクトと、前記移載室内の所定の箇所に設けられた局所排気口に連通し、雰囲気を吸引して排出する局所排気ダクトと、負圧に維持された工場排気ダクトに接続された前記ヒータ室排気ダクトと、前記ガスボックス排気ダクトと、前記スカベンジャ排気ダクトと、前記局所排気ダクトのうち少なくとも１つに設けられた開度可変機構付きの排気ダンパ弁と、設置面から操作可能な高さに設けられ、操作に応じて前記排気ダンパ弁の開度を遠隔制御可能に構成されたコントローラとを具備する基板処理装置。
（付記２）前記排気ダンパ弁の上流側の圧力もしくは該排気ダンパ弁の流量を検出するセンサを更に具備し、前記コントローラは、前記センサが検出した圧力もしくは流量を一定に維持するように前記排気ダンパ弁をフィードバック制御するよう構成された付記１の基板処理装置。
（付記３）前記ヒータ排気ダクトと、前記ガスボックス排気ダクトと、前記スカベンジャ排気ダクトと、前記局所排気ダクトとの、いずれか２つ以上は、途中で合流し、１乃至３個の前記排気ダンパ弁を介して前記工場排気ダクトに接続される付記２の基板処理装置。
（付記４）前記フィードバック制御は、前記センサが検出した圧力もしくは流量が、前記一定の値よりも所定以上ずれた時、もしくは圧力や流量の変化を引起こす前記移載室内のクリーンエアの流量の変化、前記ヒータの冷却状態の変化、前記ガスボックス扉の開放が生じたと判断された時に起動され、前記フィードバック制御が収束するか、起動から所定時間経過すると終了される付記２の基板処理装置。
（付記５）前記コントローラは、前記ガスボックスで使用する化学物質の情報、該化学物質を使用するタイミングを検出し、該化学物質が流れていない時には、自動で前記排気ダンパ弁を遠隔操作し、該排気ダンパ弁を全閉にするか、前記ガスボックス内を前記化学物質が流れている時よりも高い特定の圧力とするように制御するように構成された付記２の基板処理装置。
（付記６）前記コントローラは、前記ガスボックスの上流に設けられたバルブの開閉状態、前記化学物質の供給管の圧力、レシピの実行状況に基づき、前記ガスボックスに流れる前記化学物質の有無を判断する付記５の基板処理装置。
１ 基板処理装置
８ 排気ダクト
９ 工場排気ダクト
１２ 処理炉
３５ 移載室
３８ ボート
４７ ヒータ室吸気口
４８ ヒータ室排気ダンパ弁
５２ 操作部
５９ 移載室排気ダクト
６１ 移載室排気ダンパ弁
６５ プロセスチューブ
７４ スカベンジャ
７５ スカベンジャ排気ダクト
７６ スカベンジャ排気ダンパ弁
７９ ガスボックス
９８ ガスボックス排気ダクト
９９ ガスボックス排気ダンパ弁

Claims (12)

  1. 処理容器と、該処理容器の開口を塞ぐ蓋体と、該蓋体を開けた時に前記処理容器の開口と連通し、基板の搬送を行う移載室と、前記処理容器内の前記基板を加熱するヒータと、前記処理容器へ供給するガスを制御する機器を収納するガスボックスと、前記処理容器への前記ガスの導入部の周辺を囲むように設けられるスカベンジャと、前記ヒータが設けられた空間を冷却した空気を排出するヒータ室排気ダクトと、前記ガスボックス内の雰囲気を吸引して排出するガスボックス排気ダクトと、前記スカベンジャ内の雰囲気を吸引して排出するスカベンジャ排気ダクトと、前記移載室内の所定の箇所に設けられた局所排気口に連通し、雰囲気を吸引して排出する局所排気ダクトと、負圧に維持された工場排気ダクトに接続された前記ヒータ室排気ダクトと、前記ガスボックス排気ダクトと、前記スカベンジャ排気ダクトと、前記局所排気ダクトのうち少なくとも１つに設けられた開度可変機構付きの排気ダンパ弁と、設置面から操作可能な高さに設けられ、操作に応じて前記排気ダンパ弁の開度を遠隔制御可能に構成されたコントローラとを具備し、
    前記コントローラは、前記排気ダンパ弁の開度の制御値を入力する為の入力部と、入力した制御値を認識可能に表示する表示部とを有する操作部を備え、入力された制御値に基づき、前記排気ダンパ弁の開度を制御するように構成された基板処理装置。
  2. 処理容器と、該処理容器の開口を塞ぐ蓋体と、該蓋体を開けた時に前記処理容器の開口と連通し、基板の搬送を行う移載室と、前記処理容器内の前記基板を加熱するヒータと、前記処理容器へ供給するガスを制御する機器を収納するガスボックスと、前記処理容器への前記ガスの導入部の周辺を囲むように設けられるスカベンジャと、前記ヒータが設けられた空間を冷却した空気を排出するヒータ室排気ダクトと、前記ガスボックス内の雰囲気を吸引して排出するガスボックス排気ダクトと、前記スカベンジャ内の雰囲気を吸引して排出するスカベンジャ排気ダクトと、前記移載室内の所定の箇所に設けられた局所排気口に連通し、雰囲気を吸引して排出する局所排気ダクトと、負圧に維持された工場排気ダクトに接続された前記ヒータ室排気ダクトと、前記ガスボックス排気ダクトと、前記スカベンジャ排気ダクトと、前記局所排気ダクトのうち少なくとも１つに設けられた開度可変機構付きの排気ダンパ弁と、設置面から操作可能な高さに設けられ、操作に応じて前記排気ダンパ弁の開度を遠隔制御可能に構成されたコントローラと、
    前記排気ダンパ弁の上流側の圧力もしくは該排気ダンパ弁の流量を検出するセンサと、を具備し、
    前記コントローラは、前記センサが検出した圧力もしくは流量を一定に維持するように前記排気ダンパ弁をフィードバック制御し、更に前記ガスボックスで使用する化学物質の情報、該化学物質を使用するタイミングを検出し、該化学物質が流れていない時には、自動で前記排気ダンパ弁を遠隔操作し、該排気ダンパ弁を全閉にするか、前記ガスボックス内を前記化学物質が流れている時よりも高い特定の圧力とするように制御するよう構成された基板処理装置。
  3. 前記コントローラは、前記排気ダンパ弁の開度の制御値を入力する為の入力部と、入力した制御値を認識可能に表示する表示部とを有する操作部を備え、入力された制御値に基づき、前記排気ダンパ弁の開度を制御するように構成された請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記排気ダンパ弁は、前記ガスボックス排気ダクトに設けられたガスボックス排気ダンパ弁を含み、
    前記コントローラは、前記ガスボックスで使用する化学物質の情報、該化学物質を使用するタイミングを検出し、該化学物質が流れていない時には、自動で前記ガスボックス排気ダンパ弁を遠隔操作し、該ガスボックス排気ダンパ弁を全閉にするか、前記ガスボックス内を前記化学物質が流れている時よりも高い特定の圧力とするように制御するように構成された請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 前記コントローラは、前記ガスボックスの上流に設けられたバルブの開閉状態、前記化学物質の供給管の圧力、レシピの実行状況に基づき、前記ガスボックスに流れる前記化学物質の有無を判断する請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記ヒータ室排気ダクトと、前記ガスボックス排気ダクトと、前記スカベンジャ排気ダクトと、前記局所排気ダクトとの、いずれか２つ以上は、途中で合流し、１乃至３個の前記排気ダンパ弁を介して前記工場排気ダクトに接続される請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  7. 前記フィードバック制御は、前記センサが検出した圧力もしくは流量が、前記一定の値よりも所定以上ずれた時、もしくは圧力や流量の変化を引起こす前記移載室内のクリーンエアの流量の変化、前記ヒータの冷却状態の変化、ガスボックス扉の開放が生じたと判断された時に起動され、前記フィードバック制御が収束するか、起動から所定時間経過すると終了される請求項２に記載の基板処理装置。
  8. 前記排気ダンパ弁は、前記ガスボックス排気ダクトに設けられたガスボックス排気ダンパ弁を含み、
    前記センサは、前記ガスボックス排気ダンパ弁の上流側の圧力もしくは該ガスボックス排気ダンパ弁の流量を検出する請求項２に記載の基板処理装置。
  9. 移載室内の所定の箇所に設けられた局所排気口に連通し、雰囲気を吸引して排出する局所排気ダクトからの排気を、開度可変機構付きの少なくとも１つの排気ダンパ弁を介して、負圧に維持された工場排気ダクトに排気しつつ、蓋を空けた際に処理容器の開口と連通する移載室に基板を搬送する工程と、前記処理容器へのガスの導入部の周囲を囲むように設けられるスカベンジャ内の空気を吸引して排出するスカベンジャ排気ダクトからの排気と、前記処理容器へ供給するガスを制御する機器を収納するガスボックス内の空気を吸引して排出するガスボックス排気ダクトからの排気とを、前記排気ダンパ弁を介して前記工場排気ダクトに排気しつつ、ヒータにより前記処理容器内の基板を前記処理容器外から加熱し、前記基板を処理する工程と、前記ヒータが設けられた空間を冷却した空気を排出するヒータ室排気ダクトからの排気を、前記排気ダンパ弁を介して前記工場排気ダクトに排気しつつ前記ヒータを冷却する工程と、
    設置面から操作可能な高さに設けられ、前記排気ダンパ弁の開度の制御値を入力する為の入力部と入力した制御値を認識可能に表示する表示部とを備える操作部への操作に応じて、入力された制御値に基づき前記排気ダンパ弁の開度を遠隔制御する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
  10. 移載室内の所定の箇所に設けられた局所排気口に連通し、雰囲気を吸引して排出する局所排気ダクトからの排気を、開度可変機構付きの少なくとも１つの排気ダンパ弁を介して、負圧に維持された工場排気ダクトに排気しつつ、蓋を空けた際に処理容器の開口と連通する移載室に基板を搬送する手順と、前記処理容器へのガスの導入部の周囲を囲むように設けられるスカベンジャ内の空気を吸引して排出するスカベンジャ排気ダクトからの排気と、前記処理容器へ供給するガスを制御する機器を収納するガスボックス内の空気を吸引して排出するガスボックス排気ダクトからの排気とを、前記排気ダンパ弁を介して前記工場排気ダクトに排気しつつ、ヒータにより前記処理容器内の基板を前記処理容器外から加熱し、前記基板を処理する手順と、前記ヒータが設けられた空間を冷却した空気を排出するヒータ室排気ダクトからの排気を、前記排気ダンパ弁を介して前記工場排気ダクトに排気しつつ前記ヒータを冷却する手順と、
    設置面から操作可能な高さに設けられ、前記排気ダンパ弁の開度の制御値を入力する為の入力部と入力した制御値を認識可能に表示する表示部とを備える操作部への操作に応じて、入力された制御値に基づき前記排気ダンパ弁の開度を遠隔制御する手順とを、コンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。
  11. 移載室内の所定の箇所に設けられた局所排気口に連通し、雰囲気を吸引して排出する局所排気ダクトからの排気を、開度可変機構付きの少なくとも１つの排気ダンパ弁を介して、負圧に維持された工場排気ダクトに排気しつつ、蓋を空けた際に処理容器の開口と連通する移載室に基板を搬送する工程と、前記処理容器へのガスの導入部の周囲を囲むように設けられるスカベンジャ内の空気を吸引して排出するスカベンジャ排気ダクトからの排気と、前記処理容器へ供給するガスを制御する機器を収納するガスボックス内の空気を吸引して排出するガスボックス排気ダクトからの排気とを、前記排気ダンパ弁を介して前記工場排気ダクトに排気しつつ、ヒータにより前記処理容器内の基板を前記処理容器外から加熱し、前記基板を処理する工程と、前記ヒータが設けられた空間を冷却した空気を排出するヒータ室排気ダクトからの排気を、前記排気ダンパ弁を介して前記工場排気ダクトに排気しつつ前記ヒータを冷却する工程と、
    設置面から操作可能な高さに設けられ、操作に応じて前記排気ダンパ弁の開度を遠隔操作可能な操作部が、センサが検出した前記排気ダンパ弁の上流側の圧力もしくは該排気ダンパ弁の流量を一定に維持するように前記排気ダンパ弁をフィードバック制御する工程と、
    前記ガスボックスで使用する化学物質の情報、該化学物質を使用するタイミングに基づき、該化学物質が流れていない時には、自動で前記排気ダンパ弁を遠隔操作し、該排気ダンパ弁を全閉にするか、前記ガスボックス内を前記化学物質が流れている時よりも高い特定の圧力とするように制御する工程とを有する半導体装置の製造方法。
  12. 移載室内の所定の箇所に設けられた局所排気口に連通し、雰囲気を吸引して排出する局所排気ダクトからの排気を、開度可変機構付きの少なくとも１つの排気ダンパ弁を介して、負圧に維持された工場排気ダクトに排気しつつ、蓋を空けた際に処理容器の開口と連通する移載室に基板を搬送する手順と、前記処理容器へのガスの導入部の周囲を囲むように設けられるスカベンジャ内の空気を吸引して排出するスカベンジャ排気ダクトからの排気と、前記処理容器へ供給するガスを制御する機器を収納するガスボックス内の空気を吸引して排出するガスボックス排気ダクトからの排気とを、前記排気ダンパ弁を介して前記工場排気ダクトに排気しつつ、ヒータにより前記処理容器内の基板を前記処理容器外から加熱し、前記基板を処理する手順と、前記ヒータが設けられた空間を冷却した空気を排出するヒータ室排気ダクトからの排気を、前記排気ダンパ弁を介して前記工場排気ダクトに排気しつつ前記ヒータを冷却する手順と、
    設置面から操作可能な高さに設けられ、操作に応じて前記排気ダンパ弁の開度を遠隔操作可能な操作部が、センサが検出した前記排気ダンパ弁の上流側の圧力もしくは該排気ダンパ弁の流量を一定に維持するように前記排気ダンパ弁をフィードバック制御する手順と、
    前記ガスボックスで使用する化学物質の情報、該化学物質を使用するタイミングに基づき、該化学物質が流れていない時には、自動で前記排気ダンパ弁を遠隔操作し、該排気ダンパ弁を全閉にするか、前記ガスボックス内を前記化学物質が流れている時よりも高い特定の圧力とするように制御する手順とを、コンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。
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