JP6988493B2 - 光モジュール及びその製造方法 - Google Patents
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Description
最初に、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。一実施形態に係る光モジュールは、平坦な搭載面を有するキャリアと、搭載面上に配置され、第1主面を有するエピタキシャル基板、及び第1主面上に設けられて変調信号を受ける電極パッドを有する半導体レーザチップと、半導体レーザチップとキャリアとの間に設けられた第1下地基板と、搭載面上に配置され、第1主面と並んで配置される第2主面を有する第1絶縁体基板、及び第2主面上に設けられて変調信号を伝送する第1信号線路を有する第1伝送部材と、第1伝送部材とキャリアとの間に設けられた第2下地基板と、第1主面及び第2主面と対向して配置される第3主面を有する第2絶縁体基板、及び第3主面上に設けられて変調信号を伝送する第2信号線路を有する第2伝送部材と、を備える。第2信号線路の一端部は、電極パッドと導電接着されている。第2信号線路の他端部は、第1信号線路と導電接着されている。第1下地基板は第1絶縁体基板と同じ材料からなり、第1下地基板の厚さは第1絶縁体基板の厚さと等しい。第2下地基板はエピタキシャル基板と同じ材料からなり、第2下地基板の厚さはエピタキシャル基板の厚さと等しい。
本発明の実施形態に係る光モジュール及びその製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図12は、上記実施形態の一変形例に係る発光部11eの構成を概略的に示す側面図である。上記実施形態の発光部11a〜11dは、それぞれ本変形例の発光部11eに置き換えられてもよい。本変形例の発光部11eは、部品81〜83及び伝送部材84(第2伝送部材)を備える。部品81〜83の少なくとも一つは半導体レーザチップであり、該半導体レーザチップはレーザダイオード及び光変調器がモノリシックに形成されたEMLチップである。また、部品81〜83の少なくとも一つは伝送部材(第1伝送部材)であり、該伝送部材は例えばコプレーナ線路といった伝送線路を有する。部品81〜83は、平坦な搭載面30aを有するキャリア30の搭載面30a上に並んで配置されており、それぞれ基板81A〜83Aを有する。半導体レーザチップである場合、該基板はエピタキシャル基板である。伝送部材である場合、該基板は絶縁体基板である。伝送部材84は、絶縁体基板と、絶縁体基板上に設けられた例えばコプレーナ線路といった伝送線路を有する。伝送部材84の伝送線路と部品81とはパッド91,92を介して導電接着されており、伝送部材84の伝送線路と部品82とはパッド93,94を介して導電接着されており、伝送部材84の伝送線路と部品83とはパッド95,96を介して導電接着されている。
Claims (3)
- 平坦な搭載面を有するキャリアと、
前記搭載面上に配置され、第1主面を有するエピタキシャル基板、及び前記第1主面上に設けられて変調信号を受ける電極パッドを有する半導体レーザチップと、
前記半導体レーザチップと前記キャリアとの間に設けられた第1下地基板と、
前記搭載面上に配置され、前記第1主面と並んで配置される第2主面を有する第1絶縁体基板、及び前記第2主面上に設けられて前記変調信号を伝送する第1信号線路を有する第1伝送部材と、
前記第1伝送部材と前記キャリアとの間に設けられた第2下地基板と、
前記第1主面及び前記第2主面と対向して配置される第3主面を有する第2絶縁体基板、及び前記第3主面上に設けられて前記変調信号を伝送する第2信号線路を有する第2伝送部材と、を備え、
前記第2信号線路の一端部は、前記電極パッドと導電接着されており、
前記第2信号線路の他端部は、前記第1信号線路と導電接着されており、
前記第1下地基板は前記第1絶縁体基板と同じ材料からなり、前記第1下地基板の厚さは前記第1絶縁体基板の厚さと等しく、
前記第2下地基板は前記エピタキシャル基板と同じ材料からなり、前記第2下地基板の厚さは前記エピタキシャル基板の厚さと等しく、
前記キャリアの前記搭載面を基準とする、前記半導体レーザチップの前記第1主面の高さと前記第1伝送部材の前記第2主面の高さとが互いに一致する、光モジュール。 - 前記エピタキシャル基板の裏面と前記第1下地基板とを接着する第1接着材層と、
前記第1絶縁体基板の裏面と前記第2下地基板とを接着する第2接着材層と、を更に備え、
前記第1接着材層の厚さと前記第2接着材層の厚さとが互いに等しい、請求項1に記載の光モジュール。 - 請求項1または2に記載の光モジュールを製造する方法であって、
前記第1下地基板と前記第1絶縁体基板とを同一の第1ウェハから切り出し、
前記第2下地基板と前記エピタキシャル基板とを同一の第2ウェハから切り出す、光モジュールの製造方法。
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