JP6869315B2 - 電子ヒューズ回路及びその動作方法 - Google Patents
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Description
110 制御回路
120[m] 電子ヒューズ組
120[m][n] 電子ヒューズ
210 制御器
220 センサ
230 データラッチ
240 判定回路
250 溶断回路
260 準備判定回路
310 溶断電圧ジェネレータ
320 溶断クロックジェネレータ
330 溶断セレクタ
410 第1スイッチング回路
420 センスアンプラッチ回路
430 第2スイッチング回路
440 論理回路
510 論理判定回路
520 バッファ回路
530 ラッチ
610、620、630、810、820、830 タイミング
710 制御回路
INV1〜INV9 反転ゲート
NAND1〜NAND6 NANDゲート
NOR1 NORゲート
P1〜P2、N1〜N4 トランジスタ
ADDOUT[n]_t、MIRWRDY_t 信号
BD[m] 反転判定信号
BFADD[m] 反転電子ヒューズ書き込みアドレス
BURNEN 溶断イネーブル信号
BWD[m][n] 反転書き込みデータBWD[m][n]
CM1 第1制御信号
CD 制御データ
CLKD[m] クロックデータ
CLK[m] クロック信号
CLK[m][n] パルス信号
D[m] 判定信号
DB[m] バッファ経由判定信号
DT[m] 検出信号
EFWRTACT_t 第1書き込みイネーブル信号
EN[m][n] イネーブル信号
FADD[n] 電子ヒューズアドレスデータ
FUSEREF1 第1スイッチング信号
INPUT 入力信号
LD[m][n] ラッチデータ
READY[M] 準備判定信号
READY_PAD パッド出力準備判定信号
SD[m][n] センシングデータ
SEN_c 第1イネーブル信号
SEN_t 第2イネーブル信号
SENSE3_t 第3イネーブル信号
SENSE1LOW 第2スイッチング信号
SNAND1〜SNAND3 NAND信号
T1、T2、T3 時点
VBURN 溶断電圧
VL1、VL2 ラッチ電圧
VINT、VPP 電源電圧
VP[m][n] ヒューズ電圧
VSS グランド電圧
WD[m][n] 書き込みデータ
WE 書き込みイネーブル信号
WRADD[m] 第2制御信号
S1210〜S1230 ステップ
Claims (22)
- メモリ装置に適用され、
それぞれが複数の電子ヒューズを有する複数の電子ヒューズ組と、
前記複数の電子ヒューズ組に結合され、電源がオンされる時、前記複数の電子ヒューズ組のそれぞれを検出して検出信号を生成し、前記検出信号に基づいて前記複数の電子ヒューズ組のそれぞれの前記複数の電子ヒューズが溶断されているか否かを判定し、前記複数の電子ヒューズに対して溶断動作を行うか否かを決定する制御回路と、
を含み、
前記検出信号に基づいて前記複数の電子ヒューズのうちの少なくとも1つの電子ヒューズが溶断された電子ヒューズであると判定する時、前記制御回路は、前記少なくとも1つの溶断された電子ヒューズが属する電子ヒューズ組に対する上書き動作をディスエーブルにする、電子ヒューズ回路。 - 電気ヒューズへの書き込みデータをラッチし、電源がオンの間に再度溶断要求があったときに、各電子ヒューズ組の書き込みデータに基づいて検出信号を更新し、前記検出信号に基づいて前記複数の電子ヒューズ組のそれぞれの前記複数の電子ヒューズが溶断されているか否かを判定することを含む、請求項1に記載の電子ヒューズ回路。
- 前記制御回路が、前記複数の電子ヒューズ組のそれぞれを検出して検出信号を生成し、前記検出信号に基づいて前記複数の電子ヒューズ組の各前記複数の電子ヒューズが溶断されているか否かを判定するステップは、
前記制御回路が、前記複数の電子ヒューズ組の各前記複数の電子ヒューズの第1端のヒューズ電圧を検出し、前記ヒューズ電圧と第1閾値電圧を比較して前記検出信号を生成し、制御器は、前記検出信号に基づいて前記複数の電子ヒューズが前記溶断された電子ヒューズであるか否かを判定することを含む、請求項1に記載の電子ヒューズ回路。 - 前記制御回路は、
入力信号を受信して第1制御信号及び制御データを生成する制御器と、
前記制御器と前記複数の電子ヒューズ組の各前記複数の電子ヒューズの第1端との間に結合され、前記第1制御信号に基づいて前記複数の電子ヒューズ組の各前記複数の電子ヒューズの前記第1端のヒューズ電圧を検出し、書き込みデータ及びセンシングデータを生成するように配置されたセンサと、
前記センサに結合され、前記センシングデータをラッチしてラッチデータを生成し、前記メモリ装置の制御論理回路にラッチデータを出力するように配置されるデータラッチと、
前記センサに結合され、前記センシングデータに基づいて前記複数の電子ヒューズ組の各前記複数の電子ヒューズのうちの少なくとも1つの電子ヒューズが前記溶断された電子ヒューズであるか否かを判定して検出信号を生成するように配置された判定回路と、
前記制御器、前記複数の電子ヒューズ、前記センサ及び前記判定回路に結合され、前記制御データ、前記書き込みデータ及び検出信号に基づいて前記ヒューズ電圧を前記複数の電子ヒューズの前記第1端に出力し、溶断電圧を前記電子ヒューズの第2端に出力するように配置された溶断回路と、
を含む、請求項1に記載の電子ヒューズ回路。 - 前記溶断回路が、
前記制御器と前記複数の電子ヒューズ組との間に結合され、前記制御データ中の書き込みイネーブル信号に基づいて溶断イネーブル信号及び前記溶断電圧を生成し、前記溶断電圧を前記複数の電子ヒューズの前記第2端に出力するように配置された溶断電圧ジェネレータと、
前記制御器及び前記判定回路に結合され、前記検出信号及び前記制御データ中のクロックデータに基づいてクロック信号を生成するように配置された溶断クロックジェネレータと、
前記制御器、前記センサ、前記溶断電圧ジェネレータ及び前記溶断クロックジェネレータに結合され、前記制御データ中のイネーブル信号、書き込みデータ、前記溶断イネーブル信号、前記溶断電圧及びクロック信号に基づいて前記ヒューズ電圧を前記複数の電子ヒューズ組の複数の電子ヒューズの前記第1端に生成し、前記ヒューズ電圧に基づいて溶断動作を行う必要がある電子ヒューズに対して前記溶断動作を行う溶断セレクタと、
を含む、請求項4に記載の電子ヒューズ回路。 - 前記センサが、
前記制御器と前記複数の電子ヒューズ組の各前記複数の電子ヒューズの前記第1端との間に結合され、第1イネーブル信号、第1スイッチング信号、第2スイッチング信号及び前記ヒューズ電圧を受信して第1電圧を生成するように配置された第1スイッチング回路と、
前記第1スイッチング回路に結合され、前記第1イネーブル信号、第2イネーブル信号、第3イネーブル信号、前記第1電圧及び第1ラッチ電圧を受信して第2ラッチ電圧を生成するセンスアンプラッチ回路と、
前記センスアンプラッチ回路に結合され、第2制御信号及び電子ヒューズアドレスデータを受信して前記第1ラッチ電圧及び前記第2ラッチ電圧を生成するように配置された第2スイッチング回路と、
前記センスアンプラッチ回路及び前記第2スイッチング回路に結合され、前記第2ラッチ電圧を受信して前記センシングデータ及び前記書き込みデータを生成することに用いられる論理回路と、
を含む、請求項4に記載の電子ヒューズ回路。 - 第1スイッチング回路が、
第1端が第1イネーブル信号を受信し、制御端が前記第1スイッチング信号を受信し、第2端の電圧が前記第1電圧である第1P型トランジスタと、
第1端が前記第1P型トランジスタの第2端に結合され、制御端が前記第2スイッチング信号を受信し、第2端が前記ヒューズ電圧を受信する第1N型トランジスタと、
を含む、請求項6に記載の電子ヒューズ回路。 - 前記第2スイッチング回路が、
第1端が前記センスアンプラッチ回路に結合され、制御端が前記第2制御信号を受信し、第2端が前記電子ヒューズアドレスデータを受信し、前記第1端の電圧が前記第1ラッチ電圧である第2N型トランジスタと、
第1端が前記センスアンプラッチ回路に結合され、制御端が前記第2制御信号を受信する第3N型トランジスタと、
前記第2N型トランジスタの第2端と前記第3N型トランジスタの第2端との間に結合され、前記電子ヒューズアドレスデータを受信して反転電子ヒューズアドレスデータを前記第3N型トランジスタの前記第2端に生成するように配置された第1反転ゲートと、
を含む、請求項6に記載の電子ヒューズ回路。 - 前記論理回路が、
前記第3N型トランジスタの前記第1端及びセンスアンプラッチ回路に結合され、前記第2ラッチ電圧及び第3イネーブル信号を受信して前記センシングデータを生成するように配置された第1NANDゲートと、
前記センスアンプラッチ回路及び前記第3N型トランジスタの前記第1端に結合され、前記第2ラッチ電圧及び第1書き込みイネーブル信号を受信して反転書き込みデータを生成するように配置された第2NANDゲートと、
前記第2NANDゲートに結合され、前記反転書き込みデータを受信して前記書き込みデータを生成するように配置された第2反転ゲートと、
を含む、請求項8に記載の電子ヒューズ回路。 - 前記判定回路が、
前記センサに結合され、前記センシングデータを受信し、前記センシングデータに基づいて前記複数の電子ヒューズのうちの少なくとも1つの電子ヒューズが溶断された電子ヒューズであるか否かを判定し、判定信号を生成するように配置された論理判定回路と、
前記論理判定回路に結合され、前記判定信号を受信し、バッファ経由判定信号を生成するように配置されたバッファ回路と、
前記バッファ回路に結合され、前記バッファ経由判定信号を受信して前記検出信号を生成するように配置されたラッチと、
を含む、請求項4に記載の電子ヒューズ回路。 - 前記論理判定回路が、
前記センシングデータの第1サブセンシングデータ群を受信して第1NAND信号を生成するように配置された第1NANDゲートと、
前記センシングデータの第2サブセンシングデータ群を受信して第2NAND信号を生成するように配置された第2NANDゲートと、
前記センシングデータの第3サブセンシングデータ群を受信して第3NAND信号を生成するように配置された第3NANDゲートと、
前記第1NANDゲート、前記第2NANDゲート及び前記第3NANDゲートの出力端に結合され、前記第1NAND信号、前記第2NAND信号及び前記第3NAND信号を受信して判定信号を生成するように配置された第1NORゲートと、
を含む、請求項10に記載の電子ヒューズ回路。 - 前記バッファ回路が、
前記論理判定回路に結合され、前記判定信号を受信して反転判定信号を生成するように配置された第3NANDゲートと、
前記第3NANDゲートに結合され、前記反転判定信号を受信してバッファ経由判定信号を生成するように配置された第4NANDゲートと、
前記第4NANDゲートに結合され、第1端が電源電圧を受信し、制御端が第1書き込みイネーブル信号を受信し、第2端が前記第4NANDゲートの電力端に結合される第2P型トランジスタと、
前記第4NANDゲートに結合され、第1端が前記第4NANDゲートの接地端に結合され、制御端が第2書き込みイネーブル信号を受信し、第2端がグランド電圧に結合される第4N型トランジスタと、
を含む、請求項10に記載の電子ヒューズ回路。 - 前記制御回路が、
前記判定回路と前記制御器との間に結合され、前記検出信号を受信し、前記検出信号に基づいて準備判定信号を生成し、前記準備判定信号を前記制御器に出力するように配置された準備判定回路を更に含む、請求項4に記載の電子ヒューズ回路。 - 前記準備判定回路が、
前記検出信号に基づいて待ち時間を動的に調整するように配置され、前記待ち時間は、前記準備判定信号中の現在の電子ヒューズに対応するパルス信号と次の電子ヒューズに対応するパルス信号との間の間隔時間であるタイミング回路を含む、請求項13に記載の電子ヒューズ回路。 - 前記準備判定回路が、前記検出信号に基づいて前記複数の電子ヒューズのうちの少なくとも1つの電子ヒューズが前記溶断された電子ヒューズであると判定する時、前記少なくとも1つの電子ヒューズが属する電子ヒューズ組中の各電子ヒューズの待ち時間を第1待ち時間に調整し、
前記準備判定回路が前記検出信号に基づいて前記複数の電子ヒューズが溶断されていない電子ヒューズであると判定する時、前記複数の電子ヒューズが属する電子ヒューズ組中の各電子ヒューズの待ち時間を第2待ち時間に調整し、
前記第1待ち時間は、前記第2待ち時間よりも長い、請求項14に記載の電子ヒューズ回路。 - 前記準備判定回路が前記検出信号に基づいて前記複数の電子ヒューズのうちの第1電子ヒューズが前記溶断された電子ヒューズであると判定する時、前記第1電子ヒューズに対応する待ち時間を第1待ち時間に調整し、
前記準備判定回路が前記検出信号に基づいて前記複数の電子ヒューズのうちの第2電子ヒューズが溶断されていない電子ヒューズであると判定する時、前記第2電子ヒューズに対応する待ち時間を第2待ち時間に調整し、
前記第1待ち時間は、前記第2待ち時間よりも長い、請求項14に記載の電子ヒューズ回路。 - 前記複数の電子ヒューズ組が同時に前記溶断動作を行う時、前記溶断された電子ヒューズを有する電子ヒューズ組に対して前記溶断動作をディスエーブルにし、前記溶断された電子ヒューズを有さない電子ヒューズ組に対して前記溶断動作をディスエーブルにしない、請求項1に記載の電子ヒューズ回路。
- 電子ヒューズ回路の動作方法であって、前記電子ヒューズ回路は、メモリ装置に適用され、前記電子ヒューズ回路は、複数の電子ヒューズ組及び制御回路を含み、前記複数の電子ヒューズ組のそれぞれは、複数の電子ヒューズを含み、前記動作方法は、
電源がオンにされる時、前記複数の電子ヒューズ組のそれぞれを検出して検出信号を生成するステップと、
前記検出信号に基づいて前記複数の電子ヒューズ組のうちの各前記複数の電子ヒューズが溶断されているか否かを判定するステップと、
前記複数の電子ヒューズに対して溶断動作を行うか否かを決定し、前記検出信号に基づいて前記複数の電子ヒューズのうちの少なくとも1つの電子ヒューズが溶断された電子ヒューズであると判定する時、前記少なくとも1つの溶断された電子ヒューズが属する電子ヒューズ組に対する上書き動作をディスエーブルにするステップと、
を含む、動作方法。 - 前記複数の電子ヒューズ組のそれぞれを検出して検出信号を生成し、前記検出信号に基づいて前記複数の電子ヒューズ組のうちの各前記複数の電子ヒューズが溶断されているか否かを判定するステップは、
前記複数の電子ヒューズ組の各前記複数の電子ヒューズの第1端のヒューズ電圧を検出し、前記ヒューズ電圧と第1閾値電圧を比較して前記検出信号を生成し、制御器は、前記検出信号に基づいて前記各電子ヒューズ組の前記複数の電子ヒューズが前記溶断された電子ヒューズであるか否かを判定することを含む、請求項18に記載の動作方法。 - 前記検出信号に基づいて前記複数の電子ヒューズのうちの少なくとも1つの電子ヒューズが前記溶断された電子ヒューズであると判定する時、前記少なくとも1つの電子ヒューズが属する電子ヒューズ組中の各電子ヒューズの待ち時間を第1待ち時間に調整し、
前記検出信号に基づいて前記複数の電子ヒューズが溶断されていない電子ヒューズであると判定する時、前記複数の電子ヒューズが属する電子ヒューズ組中の各電子ヒューズの待ち時間を第2待ち時間に調整し、
前記第1待ち時間は、前記第2待ち時間よりも長い、請求項18に記載の動作方法。 - 前記検出信号に基づいて前記複数の電子ヒューズのうちの第1電子ヒューズが前記溶断された電子ヒューズであると判定する時、前記第1電子ヒューズに対応する待ち時間を第1待ち時間に調整し、
前記検出信号に基づいて前記複数の電子ヒューズのうちの第2電子ヒューズが溶断されていない電子ヒューズであると判定する時、前記第2電子ヒューズに対応する待ち時間を第2待ち時間に調整し、
前記第1待ち時間は、前記第2待ち時間よりも長い、請求項18に記載の動作方法。 - 前記複数の電子ヒューズ組が同時に前記溶断動作を行う時、前記溶断された電子ヒューズを有する電子ヒューズ組に対して前記溶断動作をディスエーブルにし、前記溶断された電子ヒューズを有さない電子ヒューズ組に対して前記溶断動作をディスエーブルにしない、請求項18に記載の動作方法。
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