JP6861622B2 - 半導体装置及び電力変換装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 110
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 40
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 69
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 69
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 49
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 16
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000009193 crawling Effects 0.000 description 20
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 2
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009172 bursting Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の構成を示す断面図である。本実施の形態1に係る半導体装置は、容器体1と、電子部品2と、1以上の外部導出端子3と、樹脂封止剤4とを備える。
図3は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の構成を示す断面図である。以下、本実施の形態2に係る構成要素のうち、上述の構成要素と同じまたは類似する構成要素については同じ参照符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。
図4は、本発明の実施の形態3に係る半導体装置の構成を示す断面図である。以下、本実施の形態3に係る構成要素のうち、上述の構成要素と同じまたは類似する構成要素については同じ参照符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。
図5は、本発明の実施の形態4に係る半導体装置の構成を示す断面図である。以下、本実施の形態4に係る構成要素のうち、上述の構成要素と同じまたは類似する構成要素については同じ参照符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。なお、実施の形態4以降の構成では、図示しないが実施の形態1で説明した多屈曲数端子が設けられてもよいし、図示されるように実施の形態1で説明した多屈曲数端子が省略されてもよい。
図7は、本発明の実施の形態5に係る半導体装置の構成を示す断面図である。以下、本実施の形態5に係る構成要素のうち、上述の構成要素と同じまたは類似する構成要素については同じ参照符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。
図8は、本発明の実施の形態6に係る半導体装置の構成を示す断面図であり、図9は、本発明の実施の形態6に係る半導体装置の別構成を示す断面図である。以下、本実施の形態6に係る構成要素のうち、上述の構成要素と同じまたは類似する構成要素については同じ参照符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。
図10は、本発明の実施の形態7に係る半導体装置の構成を示す平面図である。以下、本実施の形態7に係る構成要素のうち、上述の構成要素と同じまたは類似する構成要素については同じ参照符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。
図11は、本発明の実施の形態8に係る半導体装置の構成を示す断面図である。以下、本実施の形態8に係る構成要素のうち、上述の構成要素と同じまたは類似する構成要素については同じ参照符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。
図13は、実施の形態8の変形例1に係る半導体装置の構成を示す上面図である。図13に示すように、本変形例1では、上面視でのケース12の内周形状は角部を含み、抑制構造6は、樹脂封止剤4が這い上がりやすい角部にのみ配設されている。このような構成によれば、ケース12を形成する金型を簡易化でき、金型加工費を削減することができる。
図14は、実施の形態8の変形例2に係る半導体装置の構成を示す上面図である。図14に示すように、本変形例2では、上面視でのケース12の内周形状は直線部を含み、抑制構造6は、効果前の樹脂封止剤4が漏れる可能性が高い直線部にのみ配設されている。このような構成によれば、ケース12を形成する金型を簡易化でき、金型加工費を削減することができる。
本発明の実施の形態9に係る電力変換装置は、実施の形態1〜8のいずれかに係る半導体装置を有する主変換回路を備えた電力変換装置である。以上で説明した半導体装置は特定の電力変換装置に限定されるものではないが、以下、本実施の形態9として、三相のインバータに、実施の形態1〜8のいずれかに係る半導体装置を適用した場合について説明する。
Claims (9)
- 底部と側壁部とを有する容器体と、
前記容器体内の前記底部上に搭載された半導体素子を含む電子部品と、
前記電子部品から上方に引き出された1以上の導電部材と、
前記容器体内に配設され、前記電子部品を封止する樹脂封止剤と
を備え、
前記導電部材は、前記樹脂封止剤の上面よりも上方に位置する2つ以上の屈曲部を有する屈曲導電部材を含み、
前記側壁部の内壁部のうち、前記樹脂封止剤の上面よりも上方に位置する部分に、前記樹脂封止剤の這い上がりを抑制する抑制構造が配設され、
前記抑制構造は突出部を含み、
前記突出部の上面、下面、及び、側面の少なくとも1つに凹部及び凸部の少なくとも一方が配設され、
前記突出部が、前記側壁部の前記内壁部及び前記導電部材の側面に跨って配設された、半導体装置。 - 底部と側壁部とを有する容器体と、
前記容器体内の前記底部上に搭載された半導体素子を含む電子部品と、
前記電子部品から上方に引き出された1以上の導電部材と、
前記容器体内に配設され、前記電子部品を封止する樹脂封止剤と
を備え、
前記導電部材は、前記樹脂封止剤の上面よりも上方に位置する2つ以上の屈曲部を有する屈曲導電部材を含み、
前記側壁部の内壁部のうち、前記樹脂封止剤の上面よりも上方に位置する部分に、前記樹脂封止剤の這い上がりを抑制する抑制構造が配設され、
上面視での前記側壁部の内周形状は角部を含み、
前記抑制構造は、前記角部にのみ配設されている、半導体装置。 - 底部と側壁部とを有する容器体と、
前記容器体内の前記底部上に搭載された半導体素子を含む電子部品と、
前記電子部品から上方に引き出された1以上の導電部材と、
前記容器体内に配設され、前記電子部品を封止する樹脂封止剤と
を備え、
前記導電部材は、前記樹脂封止剤の上面よりも上方に位置する2つ以上の屈曲部を有する屈曲導電部材を含み、
前記導電部材の側面であって、前記樹脂封止剤の上面よりも上方に位置する側面に突出部が配設され、
前記突出部の上面、下面、及び、側面の少なくとも1つに凹部及び凸部の少なくとも一方が配設された、半導体装置。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体装置であって、
前記側壁部は、
内側に低く外側に高い段差部を有し、
前記抑制構造は、
前記段差部の内側の上面に配設され、上方に開口し、上部が下部よりも広い凹部を含む、半導体装置。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体装置であって、
前記抑制構造は、
前記内壁部の平面視において直線状または曲線状に配設された、鏡面、粗面、及び、凹凸面の少なくとも1つを含む、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記抑制構造は、上面視での前記側壁部の内周全てに配設されている、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
上面視での前記側壁部の内周形状は直線部を含み、
前記抑制構造は、前記直線部にのみ配設されている、半導体装置。 - 請求項1から請求項3のうちのいずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記屈曲導電部材の前記屈曲部は、L字型の屈曲部、コ字型に含まれるL字型の屈曲部、または、S字型に含まれるL字型の屈曲部である、半導体装置。 - 請求項1から請求項3のうちのいずれか1項に記載の半導体装置を有し、入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記主変換回路を制御する制御信号を前記主変換回路に出力する制御回路と
を備える、電力変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017242362A JP6861622B2 (ja) | 2017-12-19 | 2017-12-19 | 半導体装置及び電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017242362A JP6861622B2 (ja) | 2017-12-19 | 2017-12-19 | 半導体装置及び電力変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019110217A JP2019110217A (ja) | 2019-07-04 |
JP6861622B2 true JP6861622B2 (ja) | 2021-04-21 |
Family
ID=67180131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017242362A Active JP6861622B2 (ja) | 2017-12-19 | 2017-12-19 | 半導体装置及び電力変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6861622B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6854989B1 (ja) * | 2020-03-03 | 2021-04-07 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置 |
EP4270469A1 (en) * | 2022-04-29 | 2023-11-01 | Infineon Technologies AG | Power semiconductor module |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5824464Y2 (ja) * | 1977-03-08 | 1983-05-25 | 株式会社デンソー | 混成集積回路装置 |
JPS5858352U (ja) * | 1981-10-16 | 1983-04-20 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
JPS60216570A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Toshiba Corp | 半導体装置用外囲器のケ−ス |
JPS61148845A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2502577Y2 (ja) * | 1991-12-12 | 1996-06-26 | 株式会社三社電機製作所 | 電力用半導体モジュ―ル |
JP5229271B2 (ja) * | 2010-05-19 | 2013-07-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US9136399B2 (en) * | 2013-11-21 | 2015-09-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor package with gel filled cavity |
WO2017169086A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、電力変換装置 |
JP2017212344A (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体装置 |
-
2017
- 2017-12-19 JP JP2017242362A patent/JP6861622B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019110217A (ja) | 2019-07-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191112 |
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