JP6855423B2 - 乾燥剤、封止構造体、及び有機ｅｌ素子 - Google Patents
乾燥剤、封止構造体、及び有機ｅｌ素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6855423B2 JP6855423B2 JP2018171631A JP2018171631A JP6855423B2 JP 6855423 B2 JP6855423 B2 JP 6855423B2 JP 2018171631 A JP2018171631 A JP 2018171631A JP 2018171631 A JP2018171631 A JP 2018171631A JP 6855423 B2 JP6855423 B2 JP 6855423B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- desiccant
- organic
- sealing
- layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 title claims description 107
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 69
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 48
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 43
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 30
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 17
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 16
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 12
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 125000005373 siloxane group Chemical class [SiH2](O*)* 0.000 claims description 9
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical class 0.000 claims description 5
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 18
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 9
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- -1 siloxane unit Chemical group 0.000 description 4
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 3
- 235000011116 calcium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000013500 performance material Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- UFLSLGGVXPPUDQ-UHFFFAOYSA-N dicalcium oxygen(2-) Chemical compound [O--].[O--].[Ca++].[Ca++] UFLSLGGVXPPUDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 description 1
- 230000000640 hydroxylating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N oxostrontium Chemical compound [Sr]=O UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000006551 perfluoro alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09F—NATURAL RESINS; FRENCH POLISH; DRYING-OILS; DRIERS (SICCATIVES); TURPENTINE
- C09F9/00—Compounds to be used as driers (siccatives)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Description
本発明は、乾燥剤、封止構造体、及び有機ＥＬ素子に関する。
有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子は、一般に、有機層と、これを挟む一対の電極とを含む発光部を有している。有機層は、有機発光材料を含む薄膜である。有機ＥＬ素子は、薄膜に正孔（ホール）及び電子を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、この励起子が失活する際の光の放出（蛍光又は燐光）を利用する自発光素子である。
有機ＥＬ素子に関して、ダークスポットと呼ばれる有機層の非発光部の発生とその成長を防止することが望まれている。ダークスポットの主原因としては、水分及び酸素の影響が大きく、特に水分は極めて微量でもダークスポットの発生に大きな影響を及ぼすことが知られている。
そこで、有機ＥＬ素子への水分及び酸素の浸入を防止する方法が種々検討されている。例えば、特許文献１、及び特許文献２は、フッ素系オイルからなる不活性液体又はフッ素系ゲルに所定量の吸着材を混合したものを乾燥剤として備える有機ＥＬ素子を開示している。特許文献２は、シリコーン系オイルからなる不活性液体に所定量の吸着材を混合したものを乾燥剤として備える有機ＥＬ素子を開示している。
乾燥剤の捕水性能を向上させるためには、捕水成分としての吸着材を増量することが有効であると考えられる。しかし、例えば捕水成分として酸化カルシウムのようなアルカリ土類金属酸化物の粒子を増量すると、粒子の凝集等によって乾燥剤が増粘し、乾燥剤を塗布することが困難になる傾向がある。
そこで、本発明の一側面の目的は、十分な捕水性能を有しながら、塗布に適した低い粘度を有することのできる乾燥剤を提供することにある。
本発明の一側面は、バインダーと、前記バインダー中に分散している、アルカリ土類金属酸化物を含む酸化物粒子と、を含有する乾燥剤を提供する。言い換えると、本発明の一側面は、バインダーと、前記バインダー中に分散している、アルカリ土類金属酸化物を含む酸化物粒子と、を含有する組成物の、乾燥剤としての応用、又は乾燥剤を製造するための応用を提供する。前記バインダーが、ヒドロシラン変性フッ素樹脂を含む。前記ヒドロシラン変性フッ素樹脂は、フッ化炭化水素基を含むフッ素含有鎖と、該フッ素含有鎖に結合した、ヒドロシリル基を含むシロキサン基と、を有する。
本発明者らの知見によれば、ヒドロシリル基及びフッ素含有鎖を有する上記ヒドロシラン変性フッ素樹脂をバインダとして用いることにより、塗布が可能な低い粘度を維持しながら、酸化物粒子の含有量を大きくして、捕水性能を十分に高めることができる。係る効果が得られる理由は必ずしも明らかではないが、ヒドロシラン変性フッ素樹脂が有するヒドロシリル基の少なくとも一部と酸化物粒子とが反応して化学結合を形成することにより、酸化物粒子のバインダーへの分散性が向上し、その結果、乾燥剤の低い粘度が維持されると考えられる。
本発明の別の一側面は、対向配置された一対の基板と、前記一対の基板の外周部を封止する封止シール剤と、前記封止シール剤の内側で前記一対の基板の間に設けられた、上記乾燥剤を含む乾燥剤層と、を備える封止構造体を提供する。
本発明の更に別の一側面は、素子基板と、前記素子基板に対して対向配置された封止基板と、前記素子基板及び前記封止基板の外周部を封止する封止シール剤と、前記封止シール剤の内側で前記素子基板上に設けられた発光部と、前記封止シール剤の内側で、前記素子基板と前記封止基板との間に設けられた、上記乾燥剤を含む乾燥剤層と、を備える有機ＥＬ素子を提供する。発光部は、対向配置された一対の電極及びそれらの間に設けられた有機層を有する積層体である。
本発明によれば、十分な捕水性能を有しながら、塗布に適した低い粘度を有することのできる乾燥剤が提供される。酸化物粒子を表面処理することによっても、酸化物粒子の分散性が高まることが期待されるが、本発明の乾燥剤はそのような表面処理を必要とすることなく製造することができるため、簡易な製造の点でも、本発明の乾燥剤は優れている。また、表面処理のための処理剤が有機層等の安定性に影響する可能性があるが、本発明の乾燥剤はそのような懸念を回避することもできる。
以下、本発明のいくつかの実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
乾燥剤
一実施形態の乾燥剤は、バインダーと、バインダー中に分散しアルカリ土類金属酸化物を含む酸化物粒子と、を含有する。バインダーが、ヒドロシラン変性フッ素樹脂を含む。ヒドロシラン変性フッ素樹脂が、フッ化炭化水素基を含むフッ素含有鎖と、該フッ素含有鎖に結合した、ヒドロシリル基を含むシロキサン基と、を有する。
一実施形態の乾燥剤は、バインダーと、バインダー中に分散しアルカリ土類金属酸化物を含む酸化物粒子と、を含有する。バインダーが、ヒドロシラン変性フッ素樹脂を含む。ヒドロシラン変性フッ素樹脂が、フッ化炭化水素基を含むフッ素含有鎖と、該フッ素含有鎖に結合した、ヒドロシリル基を含むシロキサン基と、を有する。
［ヒドロシラン変性フッ素樹脂］
ヒドロシラン変性樹脂のフッ素含有鎖は、フッ化炭化水素基を含む。このフッ化炭化水素基は、パーフルオロアルキル基又はパーフルオロアルキレン基であってもよい。これらは直鎖状、分岐状、環状又はこれらの組合せであってもよい。フッ素含有鎖は、下記式（１）で表されるオキシパーフルオロアルキレン単位から構成されるフッ素化ポリエーテル鎖であってもよい。式（１）中、ｎは１以上の整数を示す。ｎは２〜６であってもよい。
ヒドロシラン変性樹脂のフッ素含有鎖は、フッ化炭化水素基を含む。このフッ化炭化水素基は、パーフルオロアルキル基又はパーフルオロアルキレン基であってもよい。これらは直鎖状、分岐状、環状又はこれらの組合せであってもよい。フッ素含有鎖は、下記式（１）で表されるオキシパーフルオロアルキレン単位から構成されるフッ素化ポリエーテル鎖であってもよい。式（１）中、ｎは１以上の整数を示す。ｎは２〜６であってもよい。
フッ素含有鎖の片末端又は両末端に、ヒドロシリル基を含むシロキサン基が結合していてもよい。ヒドロシリル基を含むシロキサン基は、例えば下記式（２）で表されるシロキサン単位を含む。式（２）中、Ｒ１はアルキル基を示し、その炭素数は例えば１〜５又は１〜３である。フッ素化ポリエーテル鎖とシロキサン基が直接結合する場合、通常、両者は１個の酸素原子を共有しながら結合する。シロキサン基は、末端基として、シロキサン単位のケイ素原子に結合したアルキル基を有していてもよい。
ヒドロシリル基を含むシロキサン基は、下記式（３）で表されるシロキサン単位を更に含み得る。Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立にアルキル基を示し、その炭素数は例えば１〜５又は１〜３である。同一分子中のＲ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに同一でも異なっていてもよい。
ヒドロシラン変性フッ素樹脂は、ヒドロシリル基を１個有していてもよく、２個以上有していてもよい。
ヒドロシラン変性フッ素樹脂の粘度は、乾燥剤の塗布性の観点から、例えば２３℃において０．１〜１００Ｐａ・ｓであってもよい。
［酸化物粒子］
酸化物粒子は、酸化物粒子に捕水性能を付与し得るアルカリ土類金属酸化物を含む。酸化物粒子は、通常、酸化物粒子の質量を基準として８０質量％以上、又は９０質量％以上のアルカリ土類金属酸化物を含む。酸化物粒子は、１種、又は成分の異なる２種以上のアルカリ土類金属酸化物を含むことができる。
酸化物粒子は、酸化物粒子に捕水性能を付与し得るアルカリ土類金属酸化物を含む。酸化物粒子は、通常、酸化物粒子の質量を基準として８０質量％以上、又は９０質量％以上のアルカリ土類金属酸化物を含む。酸化物粒子は、１種、又は成分の異なる２種以上のアルカリ土類金属酸化物を含むことができる。
アルカリ土類金属酸化物としては、例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、及び酸化バリウム（ＢａＯ）が挙げられる。アルカリ土類金属酸化物は、酸化マグネシウム、酸化カルシウム又はこれらの組み合わせであってもよい。
酸化物粒子の平均粒径は、特に制限されないが、例えば、０．０１〜３０μｍであってもよい。酸化物粒子の平均粒径がこの範囲であると、より充分な捕水性能が得られる傾向にある。同様の観点から、酸化物粒子の平均粒径は、０．１μｍ以上、０．５μｍ以上、又は１μｍ以上であってもよく、２０μｍ以下、１０μｍ以下、又は５μｍ以下であってもよい。
本明細書において、酸化物粒子の平均粒径は、動的光散乱式粒度分布計で測定した体積分布の中央値を意味する。この平均粒径は、酸化物粒子を所定の分散媒中に分散させて調整した分散液を用いて測定される値である。
乾燥剤における酸化物粒子の含有量は、例えば、乾燥剤全量基準で５〜７０質量％であってもよく、より高い捕水性能の観点から、１０質量％以上、又は２０質量％以上であってもよい。酸化物粒子の含有量は、６０質量％以下、又は５０質量％以下であってもよい。同様の観点から、乾燥剤１ｍＬ当たりの酸化物粒子の含有量は、０．１ｇ以上、又は０．２ｇ以上であってもよく、１．５ｇ以下、又は１．１ｇ以下であってもよい。
酸化カルシウムを含む酸化物粒子は、例えば、生石灰（ＣａＯ）を水酸化処理して消石灰（Ｃａ（ＯＨ）２）を得る工程と、消石灰を焼成して生石灰を得る工程と、生石灰を粉砕する工程と、をこの順に備える方法によって得ることができる。消石灰を焼成する温度は、３００〜６００℃であってもよい。焼成時間は、１〜２０時間であってもよい。
乾燥剤は、バインダー及び酸化物粒子以外の成分として、例えば、アエロジル（登録商標）等のシリカ粒子を含有していてもよい。
乾燥剤は、２５℃でペースト状であることができる。乾燥剤がペースト状であると、有機ＥＬ素子の微小な気密空間内に塗布によって乾燥剤層をより容易に形成することができる。乾燥剤の２５℃における粘度は、１〜５００Ｐａ・ｓであってもよい。乾燥剤の２５℃における粘度がこの範囲であると、塗布によって乾燥剤層をより容易に形成することができる。同様の観点から、乾燥剤の粘度は、１０Ｐａ・ｓ以上又は３０Ｐａ・ｓ以上であってもよく、４００Ｐａ・ｓ以下又は２００Ｐａ・ｓ以下であってもよい。塗布は、ディスペンサ等によって行うことができる。乾燥剤の粘度は、フッ素変性シリコーンの粘度及び酸化物粒子の含有量によって、調整することができる。ここでの粘度は、Ｂ型粘度計、レオメーター等の回転粘度計によって測定される値である。
乾燥剤は、酸化物粒子と、フッ素変性シリコーンとを混合することを含む方法によって、製造することができる。混合は、遠心撹拌等によって行うことができる。遠心撹拌の回転速度は、例えば、１００〜３０００回転／分であってもよい。遠心撹拌の時間は、１〜６０分間であってもよい。
封止構造体
一実施形態に係る封止構造体は、対向配置された一対の基板と、一対の基板の外周部を封止する封止シール剤と、封止シール剤の内側で一対の基板の間に配置された、上記実施形態に係る乾燥剤又はその硬化物を含む乾燥剤層を備える。封止シール剤が一対の基板の外周部を封止することによって、基板の間に気密空間が形成される。乾燥剤層は、一対の基板の間で封止シール剤の内側の気密空間を充填していてもよく、気密空間の一部、例えば基板上の所定の箇所のみに形成されていてもよい。
一実施形態に係る封止構造体は、対向配置された一対の基板と、一対の基板の外周部を封止する封止シール剤と、封止シール剤の内側で一対の基板の間に配置された、上記実施形態に係る乾燥剤又はその硬化物を含む乾燥剤層を備える。封止シール剤が一対の基板の外周部を封止することによって、基板の間に気密空間が形成される。乾燥剤層は、一対の基板の間で封止シール剤の内側の気密空間を充填していてもよく、気密空間の一部、例えば基板上の所定の箇所のみに形成されていてもよい。
一実施形態に係る封止構造体は、水分の影響を受けやすいデバイスを封入する際に特に好適に利用することができる。このようなデバイスとしては、例えば、有機ＥＬ素子、有機半導体、有機太陽電池等の有機電子デバイスが挙げられる。
有機ＥＬ素子
図１は、有機ＥＬ素子の一実施形態を示す模式断面図である。図１に示す有機ＥＬ素子１Ａは、素子基板２と、素子基板２に対して対向配置された封止基板３と、素子基板２上に設けられた、対向配置された陽極５及び陰極６とこれらの間に設けられた有機層４とを有する積層体である発光部１０と、素子基板２及び封止基板３の外周部を封止する封止シール剤８と、封止シール剤８の内側で発光部１０の周囲に設けられた、上記実施形態に係る乾燥剤又はその硬化物を含む乾燥剤層７とから構成される。封止シール剤８が素子基板２及び封止基板３の外周部を封止することにより、素子基板２及び封止基板３の間で、発光部１０の周囲に気密空間が形成される。
図１は、有機ＥＬ素子の一実施形態を示す模式断面図である。図１に示す有機ＥＬ素子１Ａは、素子基板２と、素子基板２に対して対向配置された封止基板３と、素子基板２上に設けられた、対向配置された陽極５及び陰極６とこれらの間に設けられた有機層４とを有する積層体である発光部１０と、素子基板２及び封止基板３の外周部を封止する封止シール剤８と、封止シール剤８の内側で発光部１０の周囲に設けられた、上記実施形態に係る乾燥剤又はその硬化物を含む乾燥剤層７とから構成される。封止シール剤８が素子基板２及び封止基板３の外周部を封止することにより、素子基板２及び封止基板３の間で、発光部１０の周囲に気密空間が形成される。
乾燥剤層７は、封止シール剤８の内側で発光部１０周囲の気密空間を充填している。すなわち、有機ＥＬ素子１Ａは、いわゆる充填封止構造の有機ＥＬ素子である。ただし、乾燥剤層は発光部１０が設けられた気密空間全体を充填している必要は必ずしもなく、例えば封止基板３上に乾燥剤層７が形成され、封止シール剤の内側に中空空間が残されていてもよい。この場合、乾燥剤層７の膜厚は例えば１〜３００μｍであってもよい。
有機ＥＬ素子１Ａにおいて、乾燥剤層７以外の要素に関しては従来公知のものを適用することができるが、その一例を以下で簡単に説明する。
素子基板２は、絶縁性及び透光性を有する矩形状のガラス基板からなり、この素子基板２上には、透明導電材であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）によって陽極５（電極）が形成されている。この陽極５は、例えば真空蒸着法、スパッタ法等のＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により素子基板２上に成膜されるＩＴＯ膜をフォトレジスト法によるエッチングで所定のパターン形状にパターニングすることにより形成される。電極としての陽極５の一部は、素子基板２の端部まで引き出されて駆動回路（図示せず）に接続される。
陽極５の上面には、例えば、真空蒸着法、抵抗加熱法等のＰＶＤ法により、有機発光材料を含む薄膜である有機層４が積層されている。有機層４は、単一の層から形成されていてもよく、機能の異なる複数の層から形成されていてもよい。本実施形態における有機層４は、陽極５側から順に、ホール注入層４ａ、ホール輸送層４ｂ、発光層４ｃ及び電子輸送層４ｄが積層された４層構造である。ホール注入層４ａは、例えば数１０ｎｍの膜厚の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）から形成される。ホール輸送層４ｂは、例えば数１０ｎｍの膜厚のｂｉｓ［Ｎ−（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ］ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ（α−ＮＰＤ）から形成される。発光層４ｃは、例えば数１０ｎｍの膜厚のトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）から形成される。電子輸送層４ｄは、例えば数ｎｍの膜厚のフッ化リチウム（ＬｉＦ）から形成される。
有機層４（電子輸送層４ｄ）の上面には、真空蒸着法等のＰＶＤ法により、金属薄膜である陰極６（電極）が積層されている。金属薄膜の材料としては、例えばＡｌ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｉｎ等の仕事関数の小さい金属単体やＡｌ−Ｌｉ、Ｍｇ−Ａｇ等の仕事関数の小さい合金などが挙げられる。陰極６は、例えば数１０ｎｍ〜数１００ｎｍ（好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍ）の膜厚で形成される。陰極６の一部は、素子基板２の端部まで引き出されて駆動回路（図示せず）に接続される。
封止基板３は、有機層４を挟んで素子基板２と対向するように配置されている。素子基板２及び封止基板３の外周部は、封止シール剤８により封止されている。封止シール剤としては例えば紫外線硬化性樹脂を用いることができる。
図２は、有機ＥＬ素子の他の一実施形態を示す模式断面図である。図２に示す有機ＥＬ素子１Ｂは、素子基板２と、素子基板２に対して対向配置された封止基板３と、素子基板２上に設けられた発光部１０と、素子基板２及び封止基板３の外周部を封止する封止シール剤８と、封止シール剤８の内側の面上に設けれられた乾燥剤層７と、乾燥剤層７の内側で発光部１０の周囲を充填する充填剤層９とから構成される。素子基板２及び封止基板３の間の気密空間が、乾燥剤層７及び充填剤層９によって充填されている。図２の有機ＥＬ素子１Ｂは、充填剤層９が設けられている点以外は、図１の有機ＥＬ素子１Ａと同様の構成を有する。充填剤層９は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、及びパーフルオロカーボンオイルから選ばれる充填剤によって形成することができる。
有機ＥＬ素子の製造方法
有機ＥＬ素子は、例えば、素子基板２又は封止基板３に乾燥剤を塗布することを含む方法によって製造することができる。
有機ＥＬ素子は、例えば、素子基板２又は封止基板３に乾燥剤を塗布することを含む方法によって製造することができる。
一実施形態に係る製造方法では、素子基板２上に有機層４等を有する発光部が形成された積層体が準備される。この場合、別途準備した封止基板３上に、上記実施形態に係る乾燥剤をディスペンサ等の方法により塗布して、乾燥剤層７を形成する。その後、封止基板３上に塗布した乾燥剤を囲むように封止シール剤８をディスペンサで塗布する。これらの作業は、露点−７６℃以下の窒素で置換されたグローブボックス中で行うことが好ましい。
次に、発光部が搭載された素子基板２と、封止基板３とを、乾燥剤層７及び封止シール剤８をそれらの間に挟みながら貼り合わせる。必要により、得られた構造体に紫外線照射及び／又は加熱によって乾燥剤及び／又は封止シール剤を硬化することにより、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１Ａが得られる。有機ＥＬ素子１Ｂも、充填剤を用いて充填剤層を形成すること以外は同様の方法で。製造することができる。
実施例
以下、本発明について実施例を挙げてより具体的に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
以下、本発明について実施例を挙げてより具体的に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
１．乾燥剤の調製
（実施例１〜３）
ポリ（オキシパーフルオロプロピレン）鎖とヒドロシリル基を含むシロキサン基とを有するヒドロシラン変性フッ素樹脂（信越化学工業製、製品名「ＳＩＦＥＬ８３７０」）を準備した。
平均粒径を２μｍに調整した酸化カルシウム粒子を、バインダーとしてのヒドロシラン変性フッ素樹脂と混合し、１０００回転／分で５分間遠心撹拌して、表１に示す実施例のペースト状の乾燥剤を得た。乾燥剤全量を基準とする酸化カルシウム粒子の含有量として、質量％、及び乾燥剤１ｍＬあたりのグラム数を表１に示す。表１には、酸化カルシウム粒子の含有量から求められる乾燥剤の捕水容量の理論値を併せて示す。
（実施例１〜３）
ポリ（オキシパーフルオロプロピレン）鎖とヒドロシリル基を含むシロキサン基とを有するヒドロシラン変性フッ素樹脂（信越化学工業製、製品名「ＳＩＦＥＬ８３７０」）を準備した。
平均粒径を２μｍに調整した酸化カルシウム粒子を、バインダーとしてのヒドロシラン変性フッ素樹脂と混合し、１０００回転／分で５分間遠心撹拌して、表１に示す実施例のペースト状の乾燥剤を得た。乾燥剤全量を基準とする酸化カルシウム粒子の含有量として、質量％、及び乾燥剤１ｍＬあたりのグラム数を表１に示す。表１には、酸化カルシウム粒子の含有量から求められる乾燥剤の捕水容量の理論値を併せて示す。
（比較例１〜４）
バインダーとしてフッ素樹脂に代えてジメチルシリコーン（製品名：Element14PDMS10K-JC、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）を用いたこと以外は実施例と同様にして、表１に示す比較例のペースト状の乾燥剤を得た。ただし、比較例４では、混合物が粉状になり、塗布可能なペースト状の乾燥剤が得られなかった。
バインダーとしてフッ素樹脂に代えてジメチルシリコーン（製品名：Element14PDMS10K-JC、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）を用いたこと以外は実施例と同様にして、表１に示す比較例のペースト状の乾燥剤を得た。ただし、比較例４では、混合物が粉状になり、塗布可能なペースト状の乾燥剤が得られなかった。
（捕水容量）
以下の方法によって、乾燥剤の捕水容量の理論値を算出した。
（１）酸化カルシウムの捕水容量
酸化カルシウムは、下記反応によって１当量の水と反応する。
ＣａＯ＋Ｈ２Ｏ→Ｃａ(ＯＨ）２
したがって、酸化カルシウムの質量を基準とする捕水容量の理論値は、酸化カルシウムの分子量５６ｇ／モル、及び水の分子量１８ｇ／モルから、下記式により３２質量％と計算される。
酸化カルシウムの捕水容量＝１８／５６×１００＝３２［質量％］
（２）乾燥剤の捕水容量
酸化カルシウムの捕水容量及び乾燥剤中の酸化カルシウム濃度から、下記式により乾燥剤の質量を基準とする捕水容量の理論値が、下記式により計算される。
乾燥剤の捕水容量［質量％］＝酸化カルシウムの捕水容量×乾燥剤中の酸化カルシウム濃度
次いで、乾燥剤の体積を基準とする捕水容量が、乾燥剤の密度を用いて下記式により計算される。
乾燥剤の捕水容量［体積％］＝乾燥剤の捕水容量［質量％］×乾燥剤の密度［ｇ／ｃｍ３］
ここでは、ヒドロシラン変性フッ素樹脂を用いた実施例の乾燥剤の密度を２．３２ｇ／ｃｍ３、ジメチルシリコーンを用いた比較例の乾燥剤の密度を１．４７ｇ／ｃｍ３として、乾燥剤の体積を基準とする捕水量を求めた。有機ＥＬ素子等の各種デバイスに設けられる乾燥剤層は微小な体積に制限されるため、一般に、乾燥剤の体積を基準とする捕水容量が高いことが望ましい。
以下の方法によって、乾燥剤の捕水容量の理論値を算出した。
（１）酸化カルシウムの捕水容量
酸化カルシウムは、下記反応によって１当量の水と反応する。
ＣａＯ＋Ｈ２Ｏ→Ｃａ(ＯＨ）２
したがって、酸化カルシウムの質量を基準とする捕水容量の理論値は、酸化カルシウムの分子量５６ｇ／モル、及び水の分子量１８ｇ／モルから、下記式により３２質量％と計算される。
酸化カルシウムの捕水容量＝１８／５６×１００＝３２［質量％］
（２）乾燥剤の捕水容量
酸化カルシウムの捕水容量及び乾燥剤中の酸化カルシウム濃度から、下記式により乾燥剤の質量を基準とする捕水容量の理論値が、下記式により計算される。
乾燥剤の捕水容量［質量％］＝酸化カルシウムの捕水容量×乾燥剤中の酸化カルシウム濃度
次いで、乾燥剤の体積を基準とする捕水容量が、乾燥剤の密度を用いて下記式により計算される。
乾燥剤の捕水容量［体積％］＝乾燥剤の捕水容量［質量％］×乾燥剤の密度［ｇ／ｃｍ３］
ここでは、ヒドロシラン変性フッ素樹脂を用いた実施例の乾燥剤の密度を２．３２ｇ／ｃｍ３、ジメチルシリコーンを用いた比較例の乾燥剤の密度を１．４７ｇ／ｃｍ３として、乾燥剤の体積を基準とする捕水量を求めた。有機ＥＬ素子等の各種デバイスに設けられる乾燥剤層は微小な体積に制限されるため、一般に、乾燥剤の体積を基準とする捕水容量が高いことが望ましい。
２．乾燥剤の粘度
実施例２、３及び比較例１〜３の乾燥剤の２５℃における粘度を、測定装置として回転式レオメーターを用い、せん断速度５ｓ−１の条件で測定した。
図３は、各乾燥剤の粘度と、乾燥剤の体積を基準とする捕水容量との関係を示すグラフである。ヒドロシラン変性フッ素樹脂を含む実施例の乾燥剤は、低い粘度を維持しながら、より高い捕水容量を有することができることが確認された。
実施例２、３及び比較例１〜３の乾燥剤の２５℃における粘度を、測定装置として回転式レオメーターを用い、せん断速度５ｓ−１の条件で測定した。
図３は、各乾燥剤の粘度と、乾燥剤の体積を基準とする捕水容量との関係を示すグラフである。ヒドロシラン変性フッ素樹脂を含む実施例の乾燥剤は、低い粘度を維持しながら、より高い捕水容量を有することができることが確認された。
３．有機ＥＬデバイスの作製とその評価
素子基板上に、ＩＴＯ膜（膜厚１４０ｎｍ）をスパッタ法により形成し、これをフォトレジスト法によるエッチングで所定パターン形状にパターニングし、陽極を形成した。陽極の上面に、抵抗加熱法により、ホール注入層としての銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）膜（膜厚７０ｎｍ）、ホール輸送層としてのBis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl]benzidine（α−ＮＰＤ）の膜（膜厚３０ｎｍ）、発光層としてのトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）の膜（膜厚５０ｎｍ）を順に形成した。さらに、発光層の上面に７ｎｍの膜厚で電子輸送層としてのフッ化リチウム（ＬｉＦ）膜（膜厚７ｎｍ）、及び陰極としてのアルミニウム膜（膜厚１５０ｎｍ）を物理蒸着により形成した。
次に、露点−７６℃以下の窒素で置換されたグローブボックス中で、封止基板上に、実施例１又は比較例３の乾燥剤をディスペンスによって塗布した。続いて、塗布された乾燥剤を囲むように紫外線硬化型樹脂からなる封止シール剤をディスペンサによって塗布した。
陽極、有機層及び陰極を積層した素子基板と封止基板とを貼り合わせた後、紫外線照射及び８０℃の加熱により封止シール剤を硬化させて、気密容器内に乾燥剤が充填された充填封止構造の有機ＥＬ素子を得た。
素子基板上に、ＩＴＯ膜（膜厚１４０ｎｍ）をスパッタ法により形成し、これをフォトレジスト法によるエッチングで所定パターン形状にパターニングし、陽極を形成した。陽極の上面に、抵抗加熱法により、ホール注入層としての銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）膜（膜厚７０ｎｍ）、ホール輸送層としてのBis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl]benzidine（α−ＮＰＤ）の膜（膜厚３０ｎｍ）、発光層としてのトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）の膜（膜厚５０ｎｍ）を順に形成した。さらに、発光層の上面に７ｎｍの膜厚で電子輸送層としてのフッ化リチウム（ＬｉＦ）膜（膜厚７ｎｍ）、及び陰極としてのアルミニウム膜（膜厚１５０ｎｍ）を物理蒸着により形成した。
次に、露点−７６℃以下の窒素で置換されたグローブボックス中で、封止基板上に、実施例１又は比較例３の乾燥剤をディスペンスによって塗布した。続いて、塗布された乾燥剤を囲むように紫外線硬化型樹脂からなる封止シール剤をディスペンサによって塗布した。
陽極、有機層及び陰極を積層した素子基板と封止基板とを貼り合わせた後、紫外線照射及び８０℃の加熱により封止シール剤を硬化させて、気密容器内に乾燥剤が充填された充填封止構造の有機ＥＬ素子を得た。
得られた有機ＥＬ素子を８５℃、８５％ＲＨの高温高湿環境に放置し、発光面積率の変化を追跡した。図４は、高温高湿環境における有機ＥＬ素子の発光面積率と経過時間との関係を示すグラフである。実施例の乾燥剤を含む有機ＥＬ素子は、１０００時間経過後まで９６％を超える高い発光面積率を維持した。
４．実施例４及び比較例５
（実施例４）
酸化カルシウム粒子の含有量を５０質量％（３５体積％）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ペースト状の乾燥剤を得た。乾燥剤の２５℃における粘度は１６０Ｐａ・ｓであった。得られた乾燥剤を用いて、「３．有機ＥＬデバイスの作製とその評価」と同様の手順で有機ＥＬデバイスを作製した。ただし、乾燥剤を封止シール剤の内側に塗布し、更にその内側を充填剤（エポキシ樹脂）で充填して、図２の有機ＥＬ素子１Ｂと同様の構成を有する有機ＥＬデバイスを作製した。
（実施例４）
酸化カルシウム粒子の含有量を５０質量％（３５体積％）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ペースト状の乾燥剤を得た。乾燥剤の２５℃における粘度は１６０Ｐａ・ｓであった。得られた乾燥剤を用いて、「３．有機ＥＬデバイスの作製とその評価」と同様の手順で有機ＥＬデバイスを作製した。ただし、乾燥剤を封止シール剤の内側に塗布し、更にその内側を充填剤（エポキシ樹脂）で充填して、図２の有機ＥＬ素子１Ｂと同様の構成を有する有機ＥＬデバイスを作製した。
（比較例５）
バインダーとしてフッ素樹脂に代えてジメチルシリコーン（製品名：Element14PDMS10K-JC、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）を用いたこと以外は実施例４同様にして、乾燥剤を得た。酸化カルシウム粒子の含有量は５０質量％（２２体積％）であった。乾燥剤の２５℃における粘度は１８０Ｐａ・ｓであった。得られた乾燥剤を用いて、実施例４と同様の有機ＥＬデバイスを作製した。
バインダーとしてフッ素樹脂に代えてジメチルシリコーン（製品名：Element14PDMS10K-JC、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）を用いたこと以外は実施例４同様にして、乾燥剤を得た。酸化カルシウム粒子の含有量は５０質量％（２２体積％）であった。乾燥剤の２５℃における粘度は１８０Ｐａ・ｓであった。得られた乾燥剤を用いて、実施例４と同様の有機ＥＬデバイスを作製した。
（評価）
実施例４及び比較例５の有機ＥＬ素子を８５℃、８５％ＲＨの高温高湿環境に放置し、一定の経過時間毎に、有機ＥＬデバイスへの水分侵入距離をＣａ法で測定した。図５は、水分侵入距離と経過時間との関係を示すグラフである。図５に示される結果から、ヒドロシラン変性フッ素樹脂を含む乾燥剤が、水分の侵入抑制に関して、より優れた効果を発揮することが確認された。
実施例４及び比較例５の有機ＥＬ素子を８５℃、８５％ＲＨの高温高湿環境に放置し、一定の経過時間毎に、有機ＥＬデバイスへの水分侵入距離をＣａ法で測定した。図５は、水分侵入距離と経過時間との関係を示すグラフである。図５に示される結果から、ヒドロシラン変性フッ素樹脂を含む乾燥剤が、水分の侵入抑制に関して、より優れた効果を発揮することが確認された。
１Ａ，１Ｂ…有機ＥＬ素子、２…素子基板、３…封止基板、４…有機層、４ａ…ホール注入層、４ｂ…ホール輸送層、４ｃ…発光層、４ｄ…電子輸送層、５…陽極、６…陰極、７…乾燥剤層、８…封止シール剤、９…充填剤層。
Claims (6)
- バインダーと、前記バインダー中に分散している、アルカリ土類金属酸化物を含む酸化物粒子と、を含有し、
前記バインダーが、ヒドロシラン変性フッ素樹脂を含み、前記ヒドロシラン変性フッ素樹脂が、フッ化炭化水素基を含むフッ素含有鎖と、該フッ素含有鎖に結合した、ヒドロシリル基を含むシロキサン基と、を有する、
乾燥剤であって、
前記酸化物粒子の含有量が、当該乾燥剤全量基準で１０質量％以上７０質量％以下である、乾燥剤。 - 前記酸化物粒子の含有量が、乾燥剤１ｍＬ当たり、０．１〜１．５ｇである、請求項１に記載の乾燥剤。
- 当該乾燥剤の２５℃における粘度が１〜５００Ｐａ・ｓである、請求項１又は２に記載の乾燥剤。
- 対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板の外周部を封止する封止シール剤と、
前記封止シール剤の内側で前記一対の基板の間に設けられた、請求項１〜３のいずれか一項に記載の乾燥剤を含む乾燥剤層と、
を備える封止構造体。 - 素子基板と、
前記素子基板に対して対向配置された封止基板と、
前記素子基板及び前記封止基板の外周部を封止する封止シール剤と、
前記封止シール剤の内側で前記素子基板上に設けられた、対向配置された一対の電極及びそれらの間に設けられた有機層を有する発光部と、
前記封止シール剤の内側で、前記素子基板と前記封止基板との間に設けられた、請求項１〜３のいずれか一項に記載の乾燥剤を含む乾燥剤層と、
を備える有機ＥＬ素子。 - 前記乾燥剤層が、前記封止シール剤の内側で前記発光部周囲の気密空間を充填している、請求項５に記載の有機ＥＬ素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017214561 | 2017-11-07 | ||
| JP2017214561 | 2017-11-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019084528A JP2019084528A (ja) | 2019-06-06 |
| JP6855423B2 true JP6855423B2 (ja) | 2021-04-07 |
Family
ID=66401839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018171631A Active JP6855423B2 (ja) | 2017-11-07 | 2018-09-13 | 乾燥剤、封止構造体、及び有機ｅｌ素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6855423B2 (ja) |
| KR (1) | KR102107312B1 (ja) |
| CN (1) | CN109745839A (ja) |
| TW (1) | TWI762711B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110098346A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-08-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的封装结构及其封装方法 |
| JP2021170450A (ja) * | 2020-04-15 | 2021-10-28 | 双葉電子工業株式会社 | 乾燥剤、封止構造体、及び有機ｅｌ素子 |
| JP7312153B2 (ja) * | 2020-10-09 | 2023-07-20 | 双葉電子工業株式会社 | 乾燥剤組成物、封止構造体、及び有機ｅｌ素子 |
| JP2022160191A (ja) * | 2021-04-06 | 2022-10-19 | 双葉電子工業株式会社 | 乾燥剤組成物、封止構造体、有機ｅｌデバイス、及び、有機ｅｌデバイスを製造する方法 |
| KR20220160484A (ko) * | 2021-05-27 | 2022-12-06 | 후타바 덴시 고교 가부시키 가이샤 | 건조제 조성물, 유기 el 디바이스, 및 알콕시저마늄 화합물 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19959957A1 (de) * | 1999-12-13 | 2001-06-21 | Sued Chemie Ag | Plättchenförmige Preßkörper |
| JP2007012372A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Optrex Corp | 光学装置の製造方法 |
| US8563112B2 (en) * | 2008-05-12 | 2013-10-22 | Yamagata Promotional Organization For Industrial Technology | Organic EL light-emitting device and method for manufacturing the organic EL light-emitting device |
| KR20110064670A (ko) * | 2009-12-08 | 2011-06-15 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 게터 조성물 및 상기 게터 조성물을 포함하는 유기 발광 장치 |
| KR20120021437A (ko) * | 2010-07-30 | 2012-03-09 | 제일모직주식회사 | 유기 ｅｌ 게터용 흡습충전재, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기 ｅｌ 소자 |
| JP5773255B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2015-09-02 | 三菱化学株式会社 | 太陽電池モジュール |
| JP5252327B2 (ja) * | 2011-07-14 | 2013-07-31 | 宇部マテリアルズ株式会社 | 有機ｅｌ素子用水分吸着剤及びその製造方法 |
| KR101469267B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2014-12-08 | 제일모직주식회사 | 게터 조성물 및 이를 포함하는 유기 ｅｌ 디스플레이 장치 |
| JP5889174B2 (ja) * | 2012-01-31 | 2016-03-22 | 双葉電子工業株式会社 | 乾燥剤及びこれを用いた有機ｅｌ素子 |
| JP6002075B2 (ja) * | 2013-04-09 | 2016-10-05 | 双葉電子工業株式会社 | 錯化合物、乾燥剤、封止構造及び有機ｅｌ素子 |
| JP6317624B2 (ja) * | 2014-05-22 | 2018-04-25 | 双葉電子工業株式会社 | 乾燥剤、封止構造及び有機ｅｌ素子 |
| JP2017124383A (ja) * | 2016-01-15 | 2017-07-20 | 双葉電子工業株式会社 | 乾燥剤、封止構造、及び有機ｅｌ素子 |
| JP6022725B1 (ja) * | 2016-03-31 | 2016-11-09 | Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 |
-
2018
- 2018-09-04 TW TW107130916A patent/TWI762711B/zh active
- 2018-09-12 KR KR1020180108755A patent/KR102107312B1/ko active IP Right Grant
- 2018-09-13 JP JP2018171631A patent/JP6855423B2/ja active Active
- 2018-09-21 CN CN201811105335.4A patent/CN109745839A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109745839A (zh) | 2019-05-14 |
| KR20190051777A (ko) | 2019-05-15 |
| TW201918518A (zh) | 2019-05-16 |
| JP2019084528A (ja) | 2019-06-06 |
| TWI762711B (zh) | 2022-05-01 |
| KR102107312B1 (ko) | 2020-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6855423B2 (ja) | 乾燥剤、封止構造体、及び有機ｅｌ素子 | |
| JP6317624B2 (ja) | 乾燥剤、封止構造及び有機ｅｌ素子 | |
| TWI534151B (zh) | 捕水劑及使用該捕水劑之有機電子裝置 | |
| JP6649243B2 (ja) | 乾燥剤組成物、封止構造、及び有機ｅｌ素子 | |
| Kim et al. | Solution-processed nickel oxide nanoparticles with NiOOH for hole injection layers of high-efficiency organic light-emitting diodes | |
| JP6002075B2 (ja) | 錯化合物、乾燥剤、封止構造及び有機ｅｌ素子 | |
| CN105830534A (zh) | 有机电致发光元件用填充材料和有机电致发光元件的密封方法 | |
| TWI671113B (zh) | 乾燥劑、密封結構及有機電致發光元件 | |
| JP2021170450A (ja) | 乾燥剤、封止構造体、及び有機ｅｌ素子 | |
| KR102073457B1 (ko) | 포수제 및 그의 제조 방법, 건조제 조성물, 밀봉 구조 및 유기 el 소자 | |
| TWI795016B (zh) | 乾燥劑組成物、密封結構體、有機el器件、及製造有機el器件之方法 | |
| JP6654505B2 (ja) | 乾燥剤、封止構造、及び有機ｅｌ素子 | |
| TWI680166B (zh) | 乾燥劑組成物、密封結構體及有機el元件 | |
| KR102184668B1 (ko) | 알콕시드 화합물, 건조제, 건조제층, 밀봉 구조체 및 유기 el 소자 | |
| JP2024002041A (ja) | 乾燥剤組成物、アルコキシシラン化合物、及び有機ｅｌ素子 | |
| JP2017208236A (ja) | 乾燥剤組成物、封止構造、及び有機ｅｌ素子 | |
| JP2022160191A (ja) | 乾燥剤組成物、封止構造体、有機ｅｌデバイス、及び、有機ｅｌデバイスを製造する方法 | |
| JP2022062864A (ja) | 乾燥剤組成物、封止構造体、及び有機ｅｌ素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191205 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200907 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200923 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201117 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210309 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210317 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6855423 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |