JP6801297B2 - 配線基板及び表示装置 - Google Patents
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Description
本開示の実施形態は、基板及び第１配線構造部を少なくとも備える配線基板に関する。また、本開示の実施形態は、表示パネルと、基板及び第１配線構造部を少なくとも有する前面板と、を備える表示装置に関する。
液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの表示パネルの観察者側に、表示パネルを保護するための前面板を設けることが知られている。前面板は、表示パネルから放射された光を透過させる第１領域と、第１領域の周辺に位置する第２領域とを含む。第２領域は、いわゆる額縁領域であり、遮光性を有する。
前面板の額縁領域は、遮光性を呈する領域としてだけでなく、導電性を有する配線を設ける領域としても利用され得る。例えば特許文献１において、前面板の額縁領域には、第１領域に設けられたタッチパネルセンサに接続された取出配線が設けられている。
表示パネル及び前面板を備えた表示装置の用途の１つとして、例えば特許文献２乃至５に開示されているように、ウェアラブル端末を挙げることができる。ウェアラブル端末とは、身に着けて持ち歩くことができる情報処理装置である。ウェアラブル端末における開発課題として、小型化やフレキシブル化を挙げることができる。
前面板の額縁領域における配線の密度を高めることは、表示パネルなどの電子部品の小型化に寄与する。配線の密度を高めるための方法の１つとして、配線の多層化が考えられる。例えば、絶縁層及び導電層を含む配線層を額縁領域に多数積層することが考えらえる。一方、配線層の絶縁層に含まれる有機材料の熱膨張率は、基板を構成するガラスや珪素などの無機材料の熱膨張率に比べて大きい。このため、配線の多層化により額縁領域における有機材料の体積が大きくなると、有機材料の熱膨張に起因して基板に引っ張り応力が発生し、この結果、基板に反りが生じてしまう。基板の反りは、製造工程における搬送不良などの不具合や、基板のフレキシビリティの低下を生じさせ得る。
本開示の実施形態は、このような点を考慮してなされたものであり、絶縁層及び導電層を含む配線層が形成された基板において反りが発生することを抑制することを目的とする。
本開示の一実施形態は、第１側に位置する第１面及び前記第１側とは反対の第２側に位置する第２面を含むとともに、透明性を有する第１領域と前記第１領域の周辺に位置する第２領域とに少なくとも区画される基板と、前記基板の前記第２領域において前記第１面上に位置する第１配線層、及び、前記第１配線層上に位置する第２配線層を少なくとも含む第１配線構造部と、を備え、前記第１配線層は、前記基板の第１面上に位置する絶縁層と、前記絶縁層上に位置する導電層と、を有し、前記第２配線層は、前記第１配線層の前記導電層上に位置する開口が設けられた絶縁層と、前記絶縁層の前記開口を介して前記第１配線層の前記導電層に接続された導電層と、を有し、前記第２配線層の前記絶縁層は、絶縁性を有する有機層を含み、前記第１配線層の前記絶縁層、前記第２配線層の前記絶縁層、又は前記第１配線構造部のうち前記第１配線層及び前記第２配線層以外の層の少なくともいずれか１つが、絶縁性を有する無機層を含む、配線基板である。
本開示の一実施形態による配線基板において、前記第２配線層の前記絶縁層は、前記無機層を更に含んでいてもよい。
本開示の一実施形態による配線基板において、前記第２配線層の前記絶縁層の前記無機層は、前記第１配線層の前記導電層を少なくとも部分的に覆っていてもよい。
本開示の一実施形態による配線基板において、前記第２配線層の前記絶縁層の前記有機層は、前記無機層よりも前記第１側に位置していてもよい。
本開示の一実施形態による配線基板において、前記第１配線構造部は、前記第２配線層上に位置する第３配線層を更に含み、前記第３配線層は、無機層及び前記無機層よりも前記第１側に位置する有機層を含み、前記第２配線層の前記導電層上に位置する開口が設けられた絶縁層と、前記絶縁層の開口を介して前記第２配線層の前記導電層に接続された導電層と、を有していてもよい。
本開示の一実施形態による配線基板は、前記基板の前記第２領域において前記基板の前記第２面上に位置する絶縁層を更に備えていてもよい。
本開示の一実施形態による配線基板は、前記基板の前記第２領域において前記第２面上に位置する第１配線層、及び前記第１配線層上に位置する第２配線層を少なくとも含む第２配線構造部を更に備え、前記第２配線構造部の前記第１配線層は、前記基板の第２面上に位置する絶縁層と、前記絶縁層上に位置する導電層と、を有し、前記第２配線構造部の前記第２配線層は、前記第１配線層の前記導電層上に位置する開口が設けられた絶縁層と、前記絶縁層の前記開口を介して前記第１配線層の前記導電層に接続された導電層と、を有し、前記第２配線構造部の前記第２配線層の前記絶縁層は、絶縁性を有する有機層を含んでいてもよい。
本開示の一実施形態による配線基板において、前記第２配線構造部の前記第２配線層の前記絶縁層は、前記第２配線構造部の前記第１配線層の前記導電層を少なくとも部分的に覆い、絶縁性を有する無機層を更に含んでいてもよい。
本開示の一実施形態による配線基板において、前記第１配線構造部に含まれる前記導電層の層数と、前記第２配線構造部に含まれる前記導電層の層数とが異なっていてもよい。
本開示の一実施形態による配線基板において、前記第１配線層の前記絶縁層は、有機層と、前記有機層よりも前記第１側に位置する前記無機層と、を含んでいてもよい。
本開示の一実施形態による配線基板において、前記第１配線層の前記絶縁層の前記無機層は、前記第１配線層の前記導電層に少なくとも部分的に前記第２側から接していてもよい。
本開示の一実施形態による配線基板において、前記第２配線層の前記絶縁層は、前記有機層よりも前記第１側に位置する無機層を更に含んでいてもよい。
本開示の一実施形態による配線基板において、前記第１配線構造部は、前記第２配線層上に位置する第３配線層を更に含み、前記第３配線層は、有機層及び前記有機層よりも前記第１側に位置する無機層を含み、前記第２配線層の前記導電層上に位置する開口が設けられた絶縁層と、前記絶縁層の開口を介して前記第２配線層の前記導電層に接続された導電層と、を有していてもよい。
本開示の一実施形態による配線基板は、前記基板の前記第２領域において前記基板の前記第２面上に位置する絶縁層を更に備えていてもよい。
本開示の一実施形態による配線基板は、前記基板の前記第２領域において前記第２面上に位置する第１配線層、及び前記第１配線層上に位置する第２配線層を少なくとも含む第２配線構造部を更に備え、前記第２配線構造部の前記第１配線層は、前記基板の第２面上に位置する絶縁層と、前記絶縁層上に位置する導電層と、を有し、前記第２配線構造部の前記第２配線層は、前記第１配線層の前記導電層上に位置する開口が設けられた絶縁層と、前記絶縁層の前記開口を介して前記第１配線層の前記導電層に接続された導電層と、を有し、前記第２配線構造部の前記第１配線層の前記絶縁層は、有機層と、前記有機層よりも前記第２側に位置し、絶縁性を有する無機層と、を含んでいてもよい。
本開示の一実施形態による配線基板において、前記第２配線構造部の前記第１配線層の前記絶縁層の前記無機層は、前記第２配線構造部の前記第１配線層の前記導電層に少なくとも部分的に前記第１側から接していてもよい。
本開示の一実施形態による配線基板において、前記第１配線構造部に含まれる前記導電層の層数と、前記第２配線構造部に含まれる前記導電層の層数とが異なっていてもよい。
本開示の一実施形態による配線基板において、前記有機層は、ポリイミド、エポキシ、又はアクリルを少なくとも含んでいてもよい。
本開示の一実施形態による配線基板において、前記無機層は、珪素酸化物又は珪素窒化物を少なくとも含んでいてもよい。
本開示の一実施形態による配線基板は、表示パネルに設けられる前面板であってもよい。
本開示の一実施形態は、光を放射する表示パネルと、前記表示パネルと対向する前面板と、を備え、前記前面板は、第１側に位置する第１面及び前記第１側とは反対の第２側に位置する第２面を含むとともに、前記表示パネルから放射された光を透過させる第１領域と前記第１領域の周辺に位置する第２領域とに少なくとも区画される基板と、前記基板の前記第２領域において前記基板の前記第１面上に位置する第１配線層、及び、前記第１配線層上に位置する第２配線層を少なくとも含む第１配線構造部と、を備え、前記第１配線層は、前記基板の第１面上に位置する絶縁層と、前記絶縁層上に位置する導電層と、を有し、前記第２配線層は、前記第１配線層の前記導電層上に位置する開口が設けられた絶縁層と、前記絶縁層の前記開口を介して前記第１配線層の前記導電層に接続された導電層と、を有し前記第２配線層の前記絶縁層は、絶縁性を有する有機層を含み、前記第１配線層の前記絶縁層、前記第２配線層の前記絶縁層、又は前記第１配線構造部のうち前記第１配線層及び前記第２配線層以外の層の少なくともいずれか１つが、絶縁性を有する無機層を含む、表示装置である。
本開示の実施形態によれば、絶縁層及び導電層を含む配線層が形成された基板において反りが発生することを抑制することができる。
第１の実施の形態
以下、本開示の実施形態に係る配線基板の構成及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。また、本明細書において、「基板」、「基材」、「シート」や「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「基板」や「基材」は、シートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。更に、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
以下、本開示の実施形態に係る配線基板の構成及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。また、本明細書において、「基板」、「基材」、「シート」や「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「基板」や「基材」は、シートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。更に、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
以下、本開示の実施の形態について説明する。まず、図１を参照して、本実施の形態に係る配線基板１１を備えた表示装置１０について説明する。図１は、表示装置１０を示す展開図である。
表示装置及び配線基板
図１に示すように、表示装置１０は、表示パネル２０及び配線基板１１を備える。表示パネル２０は、表示部２１及び回路部２２を有する。表示部２１は、映像光などの光を放射する。回路部２２は、表示部２１を駆動するための電子部品、配線などを含む。
図１に示すように、表示装置１０は、表示パネル２０及び配線基板１１を備える。表示パネル２０は、表示部２１及び回路部２２を有する。表示部２１は、映像光などの光を放射する。回路部２２は、表示部２１を駆動するための電子部品、配線などを含む。
配線基板１１は、表示パネル２０と対向するよう配置され、表示パネル２０を保護する前面板として機能する。配線基板１１は、基板１２を備える。基板１２は、表示パネル２０に対向する第１面１３、及び、第１面１３の反対側に位置する第２面１４を含む。また、基板１２は、第１領域１５及び第２領域１６に少なくとも区画される。第１領域１５は、表示パネル２０の表示部２１から放射された光を透過させる。第１領域１５は、例えば、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って表示装置１０を見た場合に、表示パネル２０の表示部２１に重なっている。第２領域１６は、第１領域１５の周辺に位置している。例えば、第２領域１６は、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って基板１２を見た場合に、第１領域１５を囲んでいる。なお、図示はしないが、第２領域１６は、第１領域１５を囲うことなく第１領域１５に隣接していてもよい。
図２は、図１の表示装置１０の配線基板１１を第１面１３側から見た場合を示す平面図である。配線基板１１は、基板１２の第２領域１６において第１面１３上に位置する第１配線構造部３０を更に備える。第１配線構造部３０は、絶縁層３５及び導電層３８を含む。図示はしないが、第１配線構造部３０は、フレキシブル基板やフラットケーブルなどの接続用部材が取り付けられる端子部を更に含んでいてもよい。接続用部材及び端子部を介して、外部から導電層３８へ信号又は電力を供給したり、導電層３８から外部へ信号を取り出したりすることができる。
図３は、表示パネル２０及び配線基板１１が組み合わされた表示装置１０を示す断面図である。図３に示すように、表示パネル２０の表示部２１から放射された光Ｌは、配線基板１１の基板１２の第１領域１５を透過して表示装置１０の外部に至る。
基板１２は、一定の絶縁性を有する無機材料から構成されている。また、基板１２のうち少なくとも第１領域１５は、光を透過させる透明性を有する。なお「透明性」とは、基板１２の第１領域１５の全光線透過率が７０％以上であることを意味している。全光線透過率は、ＪＩＳ Ｋ７３７５の全光線透過率測定法に準拠して求められ得る。基板１２の第２領域１６は、透明性を有していてもよく、透明性を有していなくてもよい。
基板１２は、例えば、ガラス基板、石英基板、樹脂基板など、又は、これらの基板が積層されたものである。基板１２の厚さは特に制限はないが、例えば、１００μｍ以上且つ８００μｍ以下の厚さの基板１２を使用することが好ましい。より好ましくは、基板１２は、２５０μｍ以上且つ６００μｍ以下の厚さを有する。基板１２の厚さを１００μｍ以上とすることにより、基板１２のたわみが大きくなることを抑制できる。このため、製造工程における基板１２のハンドリングが困難になったり、基板１２上に形成する薄膜等の内部応力に起因して基板１２が反ってしまったりすることを抑制できる。また、基板１２の厚さを８００μｍ以下とすることにより、基板１２に可撓性を持たせることができる。これにより、配線基板１１を、例えばウェアラブル端末など使用時に変形が生じ得る用途において利用することが可能になる。
基板１２の第２領域１６に設けられる第１配線構造部３０は、絶縁層３５及び導電層３８を含む複数の配線層を有する。配線層を複数積層させることにより、単位面積あたりの配線の密度を高くすることができる。絶縁層３５は、例えば表示パネル２０の回路部２２に電気的に接続される。
（第１配線構造部）
次に、図４及び図５を参照して、第１配線構造部３０について詳細に説明する。図４は、基板１２の第２領域１６において配線基板１１を切断した場合を示す断面図である。また、図５は、図４の配線基板１１を拡大して示す断面図である。
次に、図４及び図５を参照して、第１配線構造部３０について詳細に説明する。図４は、基板１２の第２領域１６において配線基板１１を切断した場合を示す断面図である。また、図５は、図４の配線基板１１を拡大して示す断面図である。
図４に示すように、第１配線構造部３０は、基板１２の第１面１３上に位置する第１配線層３１、及び第１配線層３１上に位置する第２配線層３２を含む。以下、第１配線層３１及び第２配線層３２の構成について説明する。なお、以下の説明において、符号Ｄ１が付された矢印で表される、基板１２の第１面１３の法線方向において基板１２から遠ざかる側のことを「第１側」と称することがある。また、符号Ｄ２が付された矢印で表される、基板１２の第２面１４の法線方向において基板１２から遠ざかる側のことを「第２側」と称することがある。
〔第１配線層〕
図４に示すように、第１配線層３１は、基板１２の第２領域１６において第１面１３上に位置する絶縁層３５と、絶縁層３５上に位置する導電層３８と、を有する。絶縁層３５は、例えば、絶縁性を有する有機材料から構成された有機層３６を含む。有機層３６が基板１２の第１面１３に接していてもよく、若しくは、基板１２の第１面１３と有機層３６との間にその他の層が位置していてもよい。有機層３６の有機材料としては、例えばポリイミド、エポキシ、アクリルなどを用いることができる。有機層３６は、着色剤や染料などを含んでいてもよい。これにより、第１配線構造部３０の遮光性を高めることができる。絶縁層３５の厚みは、例えば０．５μｍ以上且つ１０μｍ以下である。
図４に示すように、第１配線層３１は、基板１２の第２領域１６において第１面１３上に位置する絶縁層３５と、絶縁層３５上に位置する導電層３８と、を有する。絶縁層３５は、例えば、絶縁性を有する有機材料から構成された有機層３６を含む。有機層３６が基板１２の第１面１３に接していてもよく、若しくは、基板１２の第１面１３と有機層３６との間にその他の層が位置していてもよい。有機層３６の有機材料としては、例えばポリイミド、エポキシ、アクリルなどを用いることができる。有機層３６は、着色剤や染料などを含んでいてもよい。これにより、第１配線構造部３０の遮光性を高めることができる。絶縁層３５の厚みは、例えば０．５μｍ以上且つ１０μｍ以下である。
第１配線層３１の絶縁層３５は、有機層３６に加えて、若しくは有機層３６に代えて、絶縁性を有する無機材料から構成された無機層を含んでいてもよい。第１配線層３１の無機層の無機材料としては、ＳｉＯ２などの珪素酸化物、ＳｉＮなどの珪素窒化物を用いることができる。その他にも、無機層の無機材料の例として、ＳｉＯＣ、ＳｉＣ、ＳｉＯＦ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮなどを挙げることができる。
図５に示すように、導電層３８は、基板１２側から第１側Ｄ１へ並ぶバリア層３８１、シード層３８２、及びめっき層３８３を含んでいてもよい。
バリア層３８１は、シード層３８２やめっき層３８３などのその他の導電層３８の構成要素と絶縁層３５との間に位置する層である。バリア層３８１は、シード層３８２やめっき層３８３などのその他の導電層３８の構成要素中の金属元素が絶縁層３５の内部に拡散することを抑制するために、必要に応じて設けられる。シード層３８２又はめっき層３８３が銅を含む場合、バリア層３８１の材料として、例えば、チタン、チタン窒化物、モリブデン、モリブデン窒化物、タンタル、タンタル窒化物等、又はこれらを積層したものを用いることができる。また、バリア層３８１の材料として、絶縁層３５に対する高い密着性を有する導電性材料を用いてもよい。例えば、バリア層３８１の材料として、チタン、モリブデン、タングステン、タンタル、ニッケル、クロム、アルミニウム、これらの化合物、これらの合金など、又はこれらを積層したものを使用することができる。バリア層３８１の厚みは、例えば１０ｎｍ以上且つ１μｍ以下である。バリア層３８１は、例えば、蒸着法やスパッタリング法などの物理成膜法で形成される。
シード層３８２は、めっき処理によってめっき層３８３を形成する電解めっき工程の際に、めっき液中の金属イオンを析出させてめっき層３８３を成長させるための土台となる、導電性を有する層である。シード層３８２の材料としては、例えば、銅などの、めっき層３８３と同一の金属材料を用いることができる。シード層３８２の厚みは、例えば１００ｎｍ以上且つ３μｍ以下である。シード層３８２は、例えば、蒸着法やスパッタリング法などの物理成膜法で形成される。
なお、図示はしないが、絶縁層３５とめっき層３８３との間に、バリア層としての役割及びシード層としての役割の両方を果たすことができる１つの層を設けてもよい。
めっき層３８３は、めっき処理によって形成される、導電性を有する層である。めっき層３８３を構成する材料としては、銅、金、銀、白金、ロジウム、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロムなどの金属又はこれらを用いた合金など、あるいはこれらを積層したものを使用することができる。めっき層３８３の厚さは、例えば、１μｍ以上且つ１０μｍ以下の範囲内である。
〔第２配線層〕
次に、第２配線層３２について説明する。なお、第２配線層３２の構成要素のうち第１配線層３１と共通する構成要素には同一の符号を付し、説明を省略することがある。
次に、第２配線層３２について説明する。なお、第２配線層３２の構成要素のうち第１配線層３１と共通する構成要素には同一の符号を付し、説明を省略することがある。
第１配線層３１と同様に、第２配線層３２も、絶縁層３５及び導電層３８を有する。絶縁層３５には、第１配線層３１の導電層３８上に位置する開口が設けられている。すなわち、絶縁層３５の開口は、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って見た場合に少なくとも部分的に第１配線層３１の導電層３８に重なっている。第２配線層３２の導電層３８は、絶縁層３５の開口を介して第１配線層３１の導電層３８に接続されている。例えば、導電層３８は、絶縁層３５の開口の内部に位置し、第１配線層３１の導電層３８に接続されている第１部分３８ａ、及び絶縁層３５よりも第１側Ｄ１に位置する第２部分３８ｂを含む。そして、第２部分３８ｂの一部が第１部分３８ａに接続されている。
第２配線層３２の絶縁層３５は、第１配線層３１の絶縁層３５及び導電層３８の上に位置する無機層３７と、無機層３７よりも第１側Ｄ１に位置する有機層３６と、を有する。無機層３７は、第１配線層３１の導電層３８の第２部分３８ｂを少なくとも部分的に覆っている。なお「覆う」とは、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って配線基板１１を見た場合に、第２配線層３２の無機層３７と第１配線層３１の導電層３８の第２部分３８ｂとが少なくとも部分的に重なっていることを意味する。
無機層３７は、絶縁性を有する無機材料から構成された層である。無機層３７の無機材料としては、ＳｉＯ２などの珪素酸化物、ＳｉＮなどの珪素窒化物を用いることができる。その他にも、無機層３７の無機材料の例として、ＳｉＯＣ、ＳｉＣ、ＳｉＯＦ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮなどを挙げることができる。
図５に示すように、無機層３７は、複数の無機層を含んでいてもよい。例えば、無機層３７は、第１無機層３７１と、第１無機層３７１の第１側Ｄ１に位置する第２無機層３７２と、を含む。好ましくは、第１無機層３７１は、第２無機層３７２に比べて、導電層３８のめっき層３８３に対する高い密着性を有する。また、好ましくは、第２無機層３７２は、第１無機層３７１よりも低い比誘電率を有する。例えば、第１無機層３７１は、ＳｉＮなどの珪素窒化物を含み、第２無機層３７２は、ＳｉＯ２などの珪素酸化物を含む。第１無機層３７１の厚みは、例えば０．０５μｍ以上且つ５μｍ以下であり、第２無機層３７２の厚みは、例えば０．１μｍ以上且つ１０μｍ以下である。好ましくは、第１無機層３７１の厚みは、第２無機層３７２の厚みよりも小さい。
第２配線層３２の有機層３６は、絶縁性を有する有機材料から構成される。第２配線層３２の有機層３６の有機材料としては、上述の第１配線層３１の有機層３６の場合と同様に、ポリイミド、エポキシ、アクリルなどを用いることができる。
配線基板の製造方法
以下、配線基板１１の製造方法の一例について、とりわけ配線基板１１の第１配線構造部３０の製造方法の一例について、図６乃至図１６を参照して説明する。
以下、配線基板１１の製造方法の一例について、とりわけ配線基板１１の第１配線構造部３０の製造方法の一例について、図６乃至図１６を参照して説明する。
（第１配線層の絶縁層の形成工程）
まず、基板１２を準備する。次に、図６に示すように、第２領域１６における基板１２の第１面１３上に絶縁層３５の有機層３６を形成する。例えば、まず、感光性ポリイミドなどの有機材料を、スピンコート法などによって基板１２上に成膜して、有機層３６を形成する。続いて、有機層３６のうち基板１２の第１領域１５上に位置する部分が除去されるよう、有機層３６を露光及び現像する。続いて、有機層３６を焼成して有機層３６を硬化させる。有機層３６の焼成温度は、例えば２００℃以上である。
まず、基板１２を準備する。次に、図６に示すように、第２領域１６における基板１２の第１面１３上に絶縁層３５の有機層３６を形成する。例えば、まず、感光性ポリイミドなどの有機材料を、スピンコート法などによって基板１２上に成膜して、有機層３６を形成する。続いて、有機層３６のうち基板１２の第１領域１５上に位置する部分が除去されるよう、有機層３６を露光及び現像する。続いて、有機層３６を焼成して有機層３６を硬化させる。有機層３６の焼成温度は、例えば２００℃以上である。
上述のとおり、絶縁層３５は、有機層３６に加えて、若しくは有機層３６に代えて、絶縁性を有する無機材料から構成された無機層を含んでいてもよい。第１配線層３１の無機層は、例えば、プラズマＣＶＤによって形成されるＳｉＯ２の膜又はＳｉＮの膜を含む。無機層の厚みは、例えば０．１μｍ以上且つ１０μｍ以下である。
（第１配線層の導電層の形成工程）
次に、図７に示すように、有機層３６の表面に、物理成膜法によってバリア層３８１を形成する。また、バリア層３８１上に、物理成膜法によってシード層３８２を形成する。
次に、図７に示すように、有機層３６の表面に、物理成膜法によってバリア層３８１を形成する。また、バリア層３８１上に、物理成膜法によってシード層３８２を形成する。
続いて、図８に示すように、シード層３８２上に、開口３９１が設けられたレジスト層３９を形成する。続いて、図９に示すように、レジスト層３９の開口３９１にめっき液を供給して、電解めっきにより、シード層３８２上にめっき層３８３を形成する。その後、図１０に示すように、レジスト層３９を除去する。続いて、図１１に示すように、バリア層３８１及びシード層３８２のうちレジスト層３９によって覆われていた部分を、例えばウェットエッチングにより除去する。このようにして、バリア層３８１、シード層３８２及びめっき層３８３を含む導電層３８を形成することができる。その後、めっき層３８３をアニールする工程を実施してもよい。めっき層３８３のアニール温度は、例えば２００℃以上である。
このようにして、有機層３６及び導電層３８を含む第１配線層３１を形成することができる。
（第２配線層の無機層の形成工程）
次に、図１２に示すように、第１配線層３１の有機層３６及び導電層３８上に、プラズマＣＶＤにより、第１無機層３７１を形成する。続いて、図１３に示すように、第１無機層３７１上に、プラズマＣＶＤにより、第２無機層３７２を形成する。
次に、図１２に示すように、第１配線層３１の有機層３６及び導電層３８上に、プラズマＣＶＤにより、第１無機層３７１を形成する。続いて、図１３に示すように、第１無機層３７１上に、プラズマＣＶＤにより、第２無機層３７２を形成する。
（第２配線層の有機層の形成工程）
次に、図１４に示すように、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って見た場合に第１配線層３１の導電層３８と重なる位置に開口３６１が設けられた有機層３６を形成する。例えば、まず、感光性ポリイミドなどの有機材料を、スピンコート法などによって第２無機層３７２上に成膜して、有機層３６を形成する。続いて、有機層３６のうち開口３６１に対応する部分が除去されるよう、有機層３６を露光及び現像する。続いて、有機層３６を焼成して有機層３６を硬化させる。有機層３６の焼成温度は、例えば２００℃以上である。
次に、図１４に示すように、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って見た場合に第１配線層３１の導電層３８と重なる位置に開口３６１が設けられた有機層３６を形成する。例えば、まず、感光性ポリイミドなどの有機材料を、スピンコート法などによって第２無機層３７２上に成膜して、有機層３６を形成する。続いて、有機層３６のうち開口３６１に対応する部分が除去されるよう、有機層３６を露光及び現像する。続いて、有機層３６を焼成して有機層３６を硬化させる。有機層３６の焼成温度は、例えば２００℃以上である。
（第２配線層の無機層の加工工程）
次に、有機層３６をマスクとして、プラズマエッチングにより、有機層３６の開口３６１に露出している無機層３７の第１無機層３７１及び第２無機層３７２をエッチングする。これによって、図１５に示すように、有機層３６の開口３６１に連通する開口３７３を無機層３７に形成する。エッチングガスとしては、例えば、ＣＦ4とＨ2との混合ガスを用いることができる。なお、プラズマエッチングにより有機層３６の表面に損傷が生じる場合、有機層３６に熱処理を施すことにより、損傷が生じた有機層３６の表面を除去してもよい。有機層３６の熱処理温度は、例えば２００℃以上である。
次に、有機層３６をマスクとして、プラズマエッチングにより、有機層３６の開口３６１に露出している無機層３７の第１無機層３７１及び第２無機層３７２をエッチングする。これによって、図１５に示すように、有機層３６の開口３６１に連通する開口３７３を無機層３７に形成する。エッチングガスとしては、例えば、ＣＦ4とＨ2との混合ガスを用いることができる。なお、プラズマエッチングにより有機層３６の表面に損傷が生じる場合、有機層３６に熱処理を施すことにより、損傷が生じた有機層３６の表面を除去してもよい。有機層３６の熱処理温度は、例えば２００℃以上である。
（第２配線層の導電層の形成工程）
次に、図１６に示すように、第１配線層３１の導電層３８に接続されるとともに有機層３６の第１側Ｄ１にまで至る導電層３８を形成する。このようにして、有機層３６、無機層３７及び導電層３８を含む第２配線層３２を、第１配線層３１の第１側Ｄ１に形成することができる。
次に、図１６に示すように、第１配線層３１の導電層３８に接続されるとともに有機層３６の第１側Ｄ１にまで至る導電層３８を形成する。このようにして、有機層３６、無機層３７及び導電層３８を含む第２配線層３２を、第１配線層３１の第１側Ｄ１に形成することができる。
（配線基板の作用）
以下、本実施の形態による配線基板１１の作用について説明する。
以下、本実施の形態による配線基板１１の作用について説明する。
〔伝播遅延及びクロストークの抑制作用〕
第１配線層３１や第２配線層３２などの配線層の絶縁層３５は、ポリイミドなどの有機材料から構成され、且つ導電層３８に接する有機層３６を含む。有機層３６の有機材料は、無機層３７を構成する無機材料よりも小さい誘電率を有する。例えば、有機層３６の有機材料の比誘電率は、２．０以上且つ３．３以下であり、一方、無機層３７の無機材料の一例であるＰ−ＳｉＯ2の比誘電率は４．１である。このような有機材料から構成される有機層３６が、配線層において隣り合う２つの導電層３８の間に位置することにより、導電層３８の間の配線容量を小さくし、導電層３８を伝播する信号の遅延量を小さくすることができる。また、隣り合う２つの導電層３８の間におけるクロストークを抑制することができる。伝播遅延及びクロストークの抑制という観点からは、第１配線層３１や第２配線層３２などの配線層において、絶縁層３５全体の厚みに対する有機層３６の厚みの比率が、４０％以上且つ９０％以下であることが好ましい。
第１配線層３１や第２配線層３２などの配線層の絶縁層３５は、ポリイミドなどの有機材料から構成され、且つ導電層３８に接する有機層３６を含む。有機層３６の有機材料は、無機層３７を構成する無機材料よりも小さい誘電率を有する。例えば、有機層３６の有機材料の比誘電率は、２．０以上且つ３．３以下であり、一方、無機層３７の無機材料の一例であるＰ−ＳｉＯ2の比誘電率は４．１である。このような有機材料から構成される有機層３６が、配線層において隣り合う２つの導電層３８の間に位置することにより、導電層３８の間の配線容量を小さくし、導電層３８を伝播する信号の遅延量を小さくすることができる。また、隣り合う２つの導電層３８の間におけるクロストークを抑制することができる。伝播遅延及びクロストークの抑制という観点からは、第１配線層３１や第２配線層３２などの配線層において、絶縁層３５全体の厚みに対する有機層３６の厚みの比率が、４０％以上且つ９０％以下であることが好ましい。
〔反りの抑制作用〕
有機層３６を構成するポリイミドなどの有機材料の熱膨張率は、基板１２を構成する無機材料の熱膨張率に比べて大きい。例えば、有機層３６を構成する有機材料の熱膨張率が５０〜１００Ｅ−６／Ｋであるのに対し、基板１２の材料の一例であるガラスの熱膨張率は、約３Ｅ−６／Ｋであり、基板１２の材料のその他の例である珪素の熱膨張率は、約２．４Ｅ−６／Ｋである。このため、有機層３６の焼成工程や導電層３８のアニール工程などにおいて、雰囲気温度が２００℃以上になると、有機層３６の熱膨張に起因して基板１２に引っ張り応力が発生する。この結果、基板１２に反りが生じてしまうことが考えられる。
有機層３６を構成するポリイミドなどの有機材料の熱膨張率は、基板１２を構成する無機材料の熱膨張率に比べて大きい。例えば、有機層３６を構成する有機材料の熱膨張率が５０〜１００Ｅ−６／Ｋであるのに対し、基板１２の材料の一例であるガラスの熱膨張率は、約３Ｅ−６／Ｋであり、基板１２の材料のその他の例である珪素の熱膨張率は、約２．４Ｅ−６／Ｋである。このため、有機層３６の焼成工程や導電層３８のアニール工程などにおいて、雰囲気温度が２００℃以上になると、有機層３６の熱膨張に起因して基板１２に引っ張り応力が発生する。この結果、基板１２に反りが生じてしまうことが考えられる。
ここで本実施の形態においては、第１配線構造部３０が有機層３６に加えて無機層３７を更に含む。例えば、第１配線構造部３０の第２配線層３２が、第１配線層３１の有機層３６及び導電層３８の上に位置する無機層３７を含む。無機層３７を構成する無機材料の熱膨張率は、有機層３６を構成する有機材料の熱膨張率よりも小さく、例えば０．３Ｅ−６／Ｋ以上且つ１０．０Ｅ−６／Ｋ以下である。このため、有機層３６の熱膨張に起因して基板１２に引っ張り応力が発生することを抑制することができる。これによって、基板１２に反りが生じてしまうことを抑制することができ、製造工程において基板１２の搬送不良などの不具合が生じることを抑制することができる。反りの抑制という観点からは、第１配線層３１や第２配線層３２などの配線層において、絶縁層３５全体の厚みに対する無機層３７の厚みの比率が、１０％以上且つ６０％以下であることが好ましい。
〔有機層への銅の拡散抑制作用〕
また、本実施の形態においては、無機層３７が、めっき層３８３と有機層３６との間に位置し、ＳｉＮなどの珪素窒化物から構成された第１無機層３７１を含む。このため、雰囲気温度が高温の場合に、めっき層３８３を構成する銅などの金属材料の原子、分子、イオンなどが有機層３６内に拡散することを抑制することができる。これによって、隣り合う２つの導電層３８が導通してしまうことや、有機層３６の絶縁破壊が生じてしまうことを抑制することができる。
また、本実施の形態においては、無機層３７が、めっき層３８３と有機層３６との間に位置し、ＳｉＮなどの珪素窒化物から構成された第１無機層３７１を含む。このため、雰囲気温度が高温の場合に、めっき層３８３を構成する銅などの金属材料の原子、分子、イオンなどが有機層３６内に拡散することを抑制することができる。これによって、隣り合う２つの導電層３８が導通してしまうことや、有機層３６の絶縁破壊が生じてしまうことを抑制することができる。
〔有機層の緩衝作用〕
ところで、導電層３８を構成する銅などの金属材料の熱膨張率は、基板１２を構成するガラスや珪素などの絶縁性無機材料や、無機層３７を構成する無機材料の熱膨張率に比べて大きい。例えば、銅の熱膨張率は約１６Ｅ−６／Ｋである。このため、有機層３６の焼成工程や導電層３８のアニール工程などにおいて、雰囲気温度が２００℃以上になると、導電層３８が膨張することが考えられる。雰囲気温度が２００℃以上になる工程が繰り返し実施されると、導電層３８の膨張及び収縮が繰り返し発生する。この結果、無機層３７と導電層３８との間の界面や、第１配線層３１の導電層３８と第２配線層３２の導電層３８との間の界面で剥離や割れなどが生じてしまうことが考えられる。ここで、本実施の形態においては、導電層３８に有機層３６が接している。有機層３６を構成する有機材料のヤング率は低く、例えば３ＧＰａ以上且つ７ＧＰａ以下である。このため、雰囲気温度が上昇するとき、導電層３８は、ヤング率が低く柔軟な有機層３６側へ膨張することができる。従って、導電層３８の熱膨張に起因する応力が、無機層３７と導電層３８との間の界面や、第１配線層３１の導電層３８と第２配線層３２の導電層３８との間の界面に加わることを抑制することができる。これによって、例えば、無機層３７にクラックなどの欠陥が生じてしまうことを抑制することができる。このため、無機層３７のクラックを介して導電層３８のめっき層３８３を構成する銅などの金属材料が有機層３６内へ拡散してしまうことを抑制することができる。また、第１配線層３１の導電層３８と第２配線層３２の導電層３８との間で電気的な接続不良が生じてしまうことを抑制することができる。
ところで、導電層３８を構成する銅などの金属材料の熱膨張率は、基板１２を構成するガラスや珪素などの絶縁性無機材料や、無機層３７を構成する無機材料の熱膨張率に比べて大きい。例えば、銅の熱膨張率は約１６Ｅ−６／Ｋである。このため、有機層３６の焼成工程や導電層３８のアニール工程などにおいて、雰囲気温度が２００℃以上になると、導電層３８が膨張することが考えられる。雰囲気温度が２００℃以上になる工程が繰り返し実施されると、導電層３８の膨張及び収縮が繰り返し発生する。この結果、無機層３７と導電層３８との間の界面や、第１配線層３１の導電層３８と第２配線層３２の導電層３８との間の界面で剥離や割れなどが生じてしまうことが考えられる。ここで、本実施の形態においては、導電層３８に有機層３６が接している。有機層３６を構成する有機材料のヤング率は低く、例えば３ＧＰａ以上且つ７ＧＰａ以下である。このため、雰囲気温度が上昇するとき、導電層３８は、ヤング率が低く柔軟な有機層３６側へ膨張することができる。従って、導電層３８の熱膨張に起因する応力が、無機層３７と導電層３８との間の界面や、第１配線層３１の導電層３８と第２配線層３２の導電層３８との間の界面に加わることを抑制することができる。これによって、例えば、無機層３７にクラックなどの欠陥が生じてしまうことを抑制することができる。このため、無機層３７のクラックを介して導電層３８のめっき層３８３を構成する銅などの金属材料が有機層３６内へ拡散してしまうことを抑制することができる。また、第１配線層３１の導電層３８と第２配線層３２の導電層３８との間で電気的な接続不良が生じてしまうことを抑制することができる。
なお、上述した第１の実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、第１の実施の形態と同様に構成され得る部分について、第１の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、第１の実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
（第１配線構造部の第１変形例）
図１７は、第１変形例に係る第１配線構造部３０を示す断面図である。図１７に示すように、第１配線構造部３０は、第２配線層３２上に位置する第３配線層３３を更に含んでいてもよい。第３配線層３３は、第２配線層３２の導電層３８上に位置する開口が設けられた絶縁層３５と、絶縁層３５の開口を介して第２配線層３２の導電層３８に接続された導電層３８と、を有する。第３配線層３３の絶縁層３５は、無機層３７及び無機層３７よりも第１側Ｄ１側に位置する有機層３６を含む。第３配線層３３の無機層３７は、第２配線層３２の導電層３８を少なくとも部分的に覆っている。
図１７は、第１変形例に係る第１配線構造部３０を示す断面図である。図１７に示すように、第１配線構造部３０は、第２配線層３２上に位置する第３配線層３３を更に含んでいてもよい。第３配線層３３は、第２配線層３２の導電層３８上に位置する開口が設けられた絶縁層３５と、絶縁層３５の開口を介して第２配線層３２の導電層３８に接続された導電層３８と、を有する。第３配線層３３の絶縁層３５は、無機層３７及び無機層３７よりも第１側Ｄ１側に位置する有機層３６を含む。第３配線層３３の無機層３７は、第２配線層３２の導電層３８を少なくとも部分的に覆っている。
（第１配線構造部の第２変形例）
図１７に示す第１の変形例においては、第２配線層３２及び第３配線層３３のいずれもが、無機層３７を含む例を示したが、これに限られることはなく、第１配線構造部３０の複数の配線層の少なくとも１つが無機層３７を含んでいればよい。例えば、図１８に示すように、第３配線層３３の絶縁層３５は無機層３７を含むが、第２配線層３２の絶縁層３５は無機層３７を含んでいなくてもよい。若しくは、図示はしないが、第２配線層３２の絶縁層３５は無機層３７を含むが、第３配線層３３の絶縁層３５は無機層３７を含んでいなくてもよい。第１配線構造部３０の複数の配線層の少なくとも１つが無機層３７を含むことにより、基板１２に反りが生じてしまうことを抑制することができる。
図１７に示す第１の変形例においては、第２配線層３２及び第３配線層３３のいずれもが、無機層３７を含む例を示したが、これに限られることはなく、第１配線構造部３０の複数の配線層の少なくとも１つが無機層３７を含んでいればよい。例えば、図１８に示すように、第３配線層３３の絶縁層３５は無機層３７を含むが、第２配線層３２の絶縁層３５は無機層３７を含んでいなくてもよい。若しくは、図示はしないが、第２配線層３２の絶縁層３５は無機層３７を含むが、第３配線層３３の絶縁層３５は無機層３７を含んでいなくてもよい。第１配線構造部３０の複数の配線層の少なくとも１つが無機層３７を含むことにより、基板１２に反りが生じてしまうことを抑制することができる。
（第１配線構造部の第３変形例）
図１９に示すように、第１配線層３１の絶縁層３５は、有機層３６よりも第２側Ｄ２に位置する無機層３７を更に含んでいてもよい。第１配線層３１の無機層３７は、基板１２の第１面１３に接していてもよく、接していなくてもよい。
図１９に示すように、第１配線層３１の絶縁層３５は、有機層３６よりも第２側Ｄ２に位置する無機層３７を更に含んでいてもよい。第１配線層３１の無機層３７は、基板１２の第１面１３に接していてもよく、接していなくてもよい。
（配線基板の第１変形例）
図２０に示すように、配線基板１１は、基板１２の第２領域１６において第２面１４上に位置する絶縁層４５を更に備えていてもよい。絶縁層４５は、配線基板１１の反りを抑制するために第２面１４側に設けられる層である。絶縁層４５は、有機材料を含む有機層であってもよく、無機材料を含む無機層であってもよく、有機層及び無機層の両方を含んでいてもよい。絶縁層４５の層構成は、配線基板１１に生じ得る反りの方向及び程度に応じて適切に定められる。
図２０に示すように、配線基板１１は、基板１２の第２領域１６において第２面１４上に位置する絶縁層４５を更に備えていてもよい。絶縁層４５は、配線基板１１の反りを抑制するために第２面１４側に設けられる層である。絶縁層４５は、有機材料を含む有機層であってもよく、無機材料を含む無機層であってもよく、有機層及び無機層の両方を含んでいてもよい。絶縁層４５の層構成は、配線基板１１に生じ得る反りの方向及び程度に応じて適切に定められる。
絶縁層４５の有機層を構成する有機材料としては、第１配線構造部３０の有機層３６の場合と同様に、ポリイミド、エポキシ、アクリルなどを用いることができる。絶縁層４５の無機層を構成する有機材料としては、第１配線構造部３０の無機層３７の場合と同様に、ＳｉＯ２などの珪素酸化物、ＳｉＮなどの珪素窒化物を用いることができる。その他にも、ＳｉＯＣ、ＳｉＣ、ＳｉＯＦ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮなどを用いることができる。
第２面１４上に位置する絶縁層４５は、基板１２の第２領域１６だけでなく第１領域１５にも設けられていてもよい。例えば、絶縁層４５は、第２面１４において第１領域１５及び第２領域１６の両方に跨るよう、広がっている。例えば、絶縁層４５は、第２面１４の全域に広がっている。この場合、第１領域１５に位置する絶縁層４５の材料及び厚みは、絶縁層４５が光を透過させる透明性を有するよう設定されている。
（配線基板の第２変形例）
配線基板１１の上述の第１変形例においては、基板１２の第２領域１６において第２面１４上に絶縁層４５を設ける例を示した。本変形例においては、絶縁層４５に加えて導電層４８を更に設ける例について説明する。すなわち、基板１２の第２領域１６において第２面１４上に、絶縁層４５及び導電層４８を含む配線層を設ける例について説明する。
配線基板１１の上述の第１変形例においては、基板１２の第２領域１６において第２面１４上に絶縁層４５を設ける例を示した。本変形例においては、絶縁層４５に加えて導電層４８を更に設ける例について説明する。すなわち、基板１２の第２領域１６において第２面１４上に、絶縁層４５及び導電層４８を含む配線層を設ける例について説明する。
図２１は、本変形例に係る配線基板１１を示す断面図である。配線基板１１は、基板１２の第２領域１６において第２面１４上に位置する第２配線構造部４０を更に備える。第２配線構造部４０は、基板１２の第２領域１６において第２面１４上に位置する第１配線層４１、及び第１配線層４１上に位置する第２配線層４２を少なくとも含む。
図２２は、図２１に示す配線基板１１の第１配線構造部３０及び第２配線構造部４０を拡大して示す断面図である。第１配線構造部３０の第１配線層３１の場合と同様に、第１配線層４１は、絶縁層４５及び導電層４８を有する。絶縁層４５は、第１配線層３１の絶縁層３５と同様に、絶縁性を有する有機材料から構成された有機層４６を含む。有機層４６が基板１２の第２面１４に接していてもよく、若しくは、基板１２の第２面１４と有機層４６との間にその他の層が位置していてもよい。有機層４６の有機材料としては、例えばポリイミド、エポキシ、アクリルなどを用いることができる。絶縁層４５の厚みは、例えば０．５μｍ以上且つ１０μｍ以下である。
第１配線層４１の絶縁層４５は、有機層４６に加えて、若しくは有機層４６に代えて、絶縁性を有する無機材料から構成された無機層を含んでいてもよい。第１配線層４１の無機層の無機材料としては、ＳｉＯ２などの珪素酸化物、ＳｉＮなどの珪素窒化物を用いることができる。その他にも、無機層の無機材料の例として、ＳｉＯＣ、ＳｉＣ、ＳｉＯＦ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮなどを挙げることができる。
導電層４８は、第１配線層３１や第２配線層３２の導電層３８と同様に、導電性を有する金属材料を含む。導電層４８は、導電層３８と同様に、基板１２側から第２側Ｄ２側へ並ぶバリア層、シード層、及びめっき層などの複数の層を含んでいてもよい。
第１配線層４１と同様に、第２配線層４２も、絶縁層４５及び導電層４８を有する。絶縁層４５には、第１配線層４１の導電層４８上に位置する開口が設けられている。導電層４８は、絶縁層４５の開口を介して第１配線層４１の導電層４８に接続されている。
第２配線層４２の絶縁層４５は、第１配線層４１の絶縁層４５及び導電層４８の上に位置する無機層４７と、無機層４７よりも第２側Ｄ２に位置する有機層４６と、を有する。無機層４７は、第１配線層４１の導電層４８を少なくとも部分的に覆っている。なお「覆う」とは、基板１２の第２面１４の法線方向に沿って配線基板１１を見た場合に、第２配線層４２の無機層４７と第１配線層４１の導電層４８とが少なくとも部分的に重なっていることを意味する。無機層４７は、第１配線構造部３０の無機層３７と同様に、絶縁性を有する無機材料から構成された層である。無機層４７を構成する無機材料や、無機層４７の層構成は、無機層３７の場合と同様であるので、説明を省略する。
第２配線層４２の有機層４６は、絶縁性を有する有機材料から構成される。第２配線層４２の有機層４６の有機材料としては、上述の第１配線層４１の有機層４６の場合と同様に、ポリイミド、エポキシ、アクリルなどを用いることができる。
（配線基板の第３変形例）
配線基板１１の上述の第２変形例においては、基板１２の第１側Ｄ１に位置する第１配線構造部３０に含まれる導電層３８の層数と、基板１２の第２側Ｄ２に位置する第２配線構造部４０に含まれる導電層４８の層数とが同一である例を示した。しかしながら、第１配線構造部３０に含まれる導電層３８の層数と、第２配線構造部４０に含まれる導電層４８の層数とが異なっていてもよい。
配線基板１１の上述の第２変形例においては、基板１２の第１側Ｄ１に位置する第１配線構造部３０に含まれる導電層３８の層数と、基板１２の第２側Ｄ２に位置する第２配線構造部４０に含まれる導電層４８の層数とが同一である例を示した。しかしながら、第１配線構造部３０に含まれる導電層３８の層数と、第２配線構造部４０に含まれる導電層４８の層数とが異なっていてもよい。
図２３は、本変形例に係る配線基板１１を示す断面図である。配線基板１１の第１配線構造部３０は、第１配線層３１、第２配線層３２及び第３配線層３３を含んでおり、このため、第１配線構造部３０に含まれる導電層３８の層数は３である。一方、配線基板１１の第２配線構造部４０は、第１配線層４１及び第２配線層４２を含んでおり、このため、第２配線構造部４０に含まれる導電層４８の層数は２である。
図２３に示すように、第１配線構造部３０の第２配線層３２及び第３配線層３３はそれぞれ、有機層３６及び無機層３７を含んでいる。このため、第１配線構造部３０に起因して基板１２に反りが生じることを抑制することができる。また、第２配線構造部４０の第２配線層４２も、有機層４６及び無機層４７を含んでいる。このため、第２配線構造部４０に起因して基板１２に反りが生じることを抑制することができる。このように、第１配線構造部３０及び第２配線構造部４０のそれぞれにおいて、無機層３７及び無機層４７によって反りの発生が抑制されている。このため、第１配線構造部３０に含まれる配線層の層数すなわち導電層３８の層数と、第２配線構造部４０に含まれる配線層の層数すなわち導電層４８の層数とが異なる場合であっても、基板１２に反りが生じることを抑制することができる。
第２の実施の形態
次に、第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態は、第１配線構造部３０の無機層３７が、第１側Ｄ１からではなく第２側Ｄ２から導電層３８に面するように位置している点が異なるのみであり、他の構成は、上述の第１の実施の形態と略同一である。第２の実施の形態において、第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、第１の実施の形態において得られる作用効果が本実施の形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
次に、第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態は、第１配線構造部３０の無機層３７が、第１側Ｄ１からではなく第２側Ｄ２から導電層３８に面するように位置している点が異なるのみであり、他の構成は、上述の第１の実施の形態と略同一である。第２の実施の形態において、第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、第１の実施の形態において得られる作用効果が本実施の形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
図２４は、第３の実施の形態に係る配線基板１１を示す断面図である。図２５は、図２４の配線基板１１を拡大して示す断面図である。第１配線構造部３０の第１配線層３１の絶縁層３５は、有機層３６と、有機層３６よりも第１側Ｄ１に位置する無機層３７を含む。無機層３７は、第１配線層３１の導電層３８に少なくとも部分的に第２側Ｄ２から接していてもよい。このような無機層３７を設けることにより、雰囲気温度の変化に起因して配線基板１１の構成要素が熱膨張したし熱収縮したりする時に、第２配線層３２の導電層３８が配線基板１１の第１面１３の法線方向において変位することを抑制することができる。
第１配線層３１と同様に、第２配線層３２の絶縁層３５も、有機層３６及び無機層３７を含んでいてもよい。第２配線層３２の無機層３７は、第１配線層３１の無機層３７と同様に、第２配線層３２の有機層３６よりも第１側Ｄ１に位置していてもよい。この場合、第２配線層３２の無機層３７は、第２配線層３２の導電層３８の第２部分３８ｂに少なくとも部分的に第２側Ｄ２から接していてもよい。
第２配線層３２の絶縁層３５の有機層３６及び無機層３７には、第１配線層３１の導電層３８上に位置する開口が設けられている。第２配線層３２の導電層３８は、絶縁層３５の開口を介して第１配線層３１の導電層３８に接続されている。
図２５に示すように、導電層３８は、基板１２側から第１側Ｄ１へ順に並ぶバリア層３８１、シード層３８２、及びめっき層３８３を含んでいてもよい。この場合、無機層３７は、導電層３８のバリア層３８１には接するが、めっき層３８３には接しない。従って、導電層３８のバリア層３８１が銅以外の金属材料で構成されている場合、例えばチタンやチタン化合物で構成されている場合、無機層３７は、銅には接しない。このため、無機層３７を構成する材料が銅に対する高い密着性を有する必要はない。従って、導電層３８に対する密着性という観点からは、本実施の形態による無機層３７は、ＳｉＮなどの珪素窒化物から構成された層を含んでいる必要はない。例えば、無機層３７は、ＳｉＯ２などの珪素酸化物から構成された単一の層であってもよい。なお、図示はしないが、第１の実施の形態の無機層３７の場合と同様に、無機層３７が、ＳｉＮなどの珪素窒化物を含む第１無機層と、ＳｉＯ２などの珪素酸化物を含む第２無機層と、を含んでいてもよい。
配線基板の製造方法
以下、配線基板１１の製造方法の一例について、図２６乃至図３２を参照して説明する。
以下、配線基板１１の製造方法の一例について、図２６乃至図３２を参照して説明する。
（第１配線層の絶縁層の形成工程）
まず、基板１２を準備する。次に、図２６に示すように、感光性ポリイミドなどの有機材料を、スピンコート法などによって基板１２の第１面１３上に成膜して、有機層３６を形成する。続いて、有機層３６を焼成して有機層３６を硬化させる。次に、図２６に示すように、有機層３６上に、プラズマＣＶＤにより、無機層３７を形成する。
まず、基板１２を準備する。次に、図２６に示すように、感光性ポリイミドなどの有機材料を、スピンコート法などによって基板１２の第１面１３上に成膜して、有機層３６を形成する。続いて、有機層３６を焼成して有機層３６を硬化させる。次に、図２６に示すように、有機層３６上に、プラズマＣＶＤにより、無機層３７を形成する。
（第１配線層の導電層の形成工程）
続いて、図２７に示すように、絶縁層３５上に導電層３８を形成する。絶縁層３５上に導電層３８を形成する工程は、第１の実施の形態の場合と同一である。
続いて、図２７に示すように、絶縁層３５上に導電層３８を形成する。絶縁層３５上に導電層３８を形成する工程は、第１の実施の形態の場合と同一である。
（第２配線層の絶縁層の形成工程）
次に、第１配線層３１の絶縁層３５の場合と同様にして、図２８に示すように、第１配線層３１の絶縁層３５上及び導電層３８上に、有機層３６及び無機層３７を形成する。
次に、第１配線層３１の絶縁層３５の場合と同様にして、図２８に示すように、第１配線層３１の絶縁層３５上及び導電層３８上に、有機層３６及び無機層３７を形成する。
続いて、図２９に示すように、無機層３７上に、開口５５１が設けられたレジスト層５５を形成する。続いて、図３０に示すように、レジスト層５５をマスクとして、プラズマエッチングにより、レジスト層５５の開口５５１に露出している無機層３７をエッチングする。続いて、図３１に示すように、無機層３７をマスクとして、有機層３６のうち無機層３７の開口に露出している部分を除去する。続いて、レジスト層５５を削除する。
（第２配線層の導電層の形成工程）
続いて、図３２に示すように、絶縁層３５の開口及び絶縁層３５上に導電層３８を形成する。これによって、有機層３６及び無機層３７を含む絶縁層３５と、絶縁層３５の開口を介して第１配線層３１の導電層３８に接続された導電層３８と、を有する第２配線層３２を得ることができる。
続いて、図３２に示すように、絶縁層３５の開口及び絶縁層３５上に導電層３８を形成する。これによって、有機層３６及び無機層３７を含む絶縁層３５と、絶縁層３５の開口を介して第１配線層３１の導電層３８に接続された導電層３８と、を有する第２配線層３２を得ることができる。
上述の第１の実施の形態の場合と同様に、第２の実施の形態に係る配線基板１１においても、第１配線構造部３０の配線層が、有機層３６に加えて無機層３７を更に含む。無機層３７は、例えば第１配線層３１において、有機層３６よりも第１側Ｄ１に位置している。無機層３７を構成する無機材料の熱膨張率は、導電層３８を構成する金属材料の熱膨張率や、有機層３６を構成する有機材料の熱膨張率よりも小さい。このため、有機層３６の熱膨張に起因して基板１２に引っ張り応力が発生することを抑制することができる。これによって、基板１２に反りが生じてしまうことを抑制することができる。好ましくは、絶縁層３５全体の厚みに対する無機層３７の厚みの比率が、１０％以上且つ６０％以下である。
また、本実施の形態においても、導電層３８に有機層３６が接している。このため、雰囲気温度が上昇するとき、導電層３８は、有機層３６側へ膨張することができる。従って、導電層３８の熱膨張に起因する応力が、無機層３７と導電層３８との間の界面に加わることを抑制することができる。これによって、例えば、無機層３７にクラックなどの欠陥が生じてしまうことを抑制することができる。このため、無機層３７のクラックを介して導電層３８のめっき層３８３を構成する銅などの金属材料が有機層３６内へ拡散してしまうことを抑制することができる。
なお、上述した第２の実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、第２の実施の形態と同様に構成され得る部分について、第２の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、第２の実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
（第１配線構造部の第１変形例）
図３３は、第１変形例に係る第１配線構造部３０を示す断面図である。図３３に示すように、第１配線構造部３０は、第２配線層３２上に位置する第３配線層３３を更に含んでいてもよい。第３配線層３３は、第２配線層３２の導電層３８上に位置する開口が設けられた絶縁層３５と、絶縁層３５の開口を介して第２配線層３２の導電層３８に接続された導電層３８と、を有する。第３配線層３３の絶縁層３５は、有機層３６及び有機層３６よりも第１側Ｄ１側に位置する無機層３７を含む。
図３３は、第１変形例に係る第１配線構造部３０を示す断面図である。図３３に示すように、第１配線構造部３０は、第２配線層３２上に位置する第３配線層３３を更に含んでいてもよい。第３配線層３３は、第２配線層３２の導電層３８上に位置する開口が設けられた絶縁層３５と、絶縁層３５の開口を介して第２配線層３２の導電層３８に接続された導電層３８と、を有する。第３配線層３３の絶縁層３５は、有機層３６及び有機層３６よりも第１側Ｄ１側に位置する無機層３７を含む。
（第１配線構造部の第２変形例）
図３３に示す第１の変形例においては、第１配線層３１、第２配線層３２及び第３配線層３３のいずれもが無機層３７を含む例を示したが、これに限られることはなく、第１配線構造部３０の複数の配線層の少なくとも１つが無機層３７を含んでいればよい。例えば、図３４に示すように、第１配線層３１の絶縁層３５は無機層３７を含むが、第２配線層３２の絶縁層３５及び第３配線層３３の絶縁層３５は無機層３７を含んでいなくてもよい。第１配線構造部３０の複数の配線層の少なくとも１つが無機層３７を含むことにより、基板１２に反りが生じてしまうことを抑制することができる。また、無機層３７よりも第１側Ｄ１側に位置する導電層３８に生じる残留応力を軽減することができ、このことにより、導電層３８にボイドなどの欠陥が形成されることを抑制することができる。
図３３に示す第１の変形例においては、第１配線層３１、第２配線層３２及び第３配線層３３のいずれもが無機層３７を含む例を示したが、これに限られることはなく、第１配線構造部３０の複数の配線層の少なくとも１つが無機層３７を含んでいればよい。例えば、図３４に示すように、第１配線層３１の絶縁層３５は無機層３７を含むが、第２配線層３２の絶縁層３５及び第３配線層３３の絶縁層３５は無機層３７を含んでいなくてもよい。第１配線構造部３０の複数の配線層の少なくとも１つが無機層３７を含むことにより、基板１２に反りが生じてしまうことを抑制することができる。また、無機層３７よりも第１側Ｄ１側に位置する導電層３８に生じる残留応力を軽減することができ、このことにより、導電層３８にボイドなどの欠陥が形成されることを抑制することができる。
（配線基板の第１変形例）
図３５に示すように、配線基板１１は、基板１２の第２領域１６において第２面１４上に位置する第１配線層４１、及び第１配線層４１上に位置する第２配線層４２を少なくとも含む第２配線構造部４０を更に備えていてもよい。
図３５に示すように、配線基板１１は、基板１２の第２領域１６において第２面１４上に位置する第１配線層４１、及び第１配線層４１上に位置する第２配線層４２を少なくとも含む第２配線構造部４０を更に備えていてもよい。
第１配線構造部３０の第１配線層３１の場合と同様に、第２配線構造部４０の第１配線層４１は、絶縁層４５及び導電層４８を有する。絶縁層４５は、有機層４６と、有機層４６よりも第２側Ｄ２に位置する無機層４７と、を含む。
第１配線層４１と同様に、第２配線層４２も、絶縁層４５及び導電層４８を有する。絶縁層４５には、第１配線層４１の導電層４８上に位置する開口が設けられている。導電層４８は、絶縁層４５の開口を介して第１配線層４１の導電層４８に接続されている。絶縁層４５は、有機層４６と、有機層４６よりも第２側Ｄ２に位置する無機層４７と、を含む。導電層４８は、第１配線層３１や第２配線層３２の導電層３８と同様に、導電性を有する金属材料を含む。導電層４８は、導電層３８と同様に、基板１２側から第２側Ｄ２側へ並ぶバリア層、シード層、及びめっき層などの複数の層を含んでいてもよい。
（配線基板の第２変形例）
上述の第１変形例においては、基板１２の第１側Ｄ１に位置する第１配線構造部３０に含まれる導電層３８の層数と、基板１２の第２側Ｄ２に位置する第２配線構造部４０に含まれる導電層４８の層数とが同一である例を示した。しかしながら、図３６に示すように、第１配線構造部３０に含まれる導電層３８の層数と、第２配線構造部４０に含まれる導電層４８の層数とが異なっていてもよい。
上述の第１変形例においては、基板１２の第１側Ｄ１に位置する第１配線構造部３０に含まれる導電層３８の層数と、基板１２の第２側Ｄ２に位置する第２配線構造部４０に含まれる導電層４８の層数とが同一である例を示した。しかしながら、図３６に示すように、第１配線構造部３０に含まれる導電層３８の層数と、第２配線構造部４０に含まれる導電層４８の層数とが異なっていてもよい。
図３６に示すように、第１配線構造部３０の第１配線層３１、第２配線層３２及び第３配線層３３はそれぞれ、有機層３６及び無機層３７を含んでいる。このため、第１配線構造部３０に起因して基板１２に反りが生じることを抑制することができる。また、第２配線構造部４０の第１配線層４１及び第２配線層４２も、有機層４６及び無機層４７を含んでいる。このため、第２配線構造部４０に起因して基板１２に反りが生じることを抑制することができる。このように、第１配線構造部３０及び第２配線構造部４０のそれぞれにおいて、無機層３７及び無機層４７によって反りの発生が抑制されている。このため、第１配線構造部３０に含まれる配線層の層数すなわち導電層３８の層数と、第２配線構造部４０に含まれる配線層の層数すなわち導電層４８の層数とが異なる場合であっても、基板１２に反りが生じることを抑制することができる。
基板の第１領域及び第２領域の配置の変形例
上述の各実施の形態においては、例えば図２に示すように、基板１２の第１領域１５が第２領域１６よりも広い例を示した。また、平面視において第１領域１５が基板１２の中央に位置する、例えば第１領域１５が基板１２の中心点を含む例を示した。また、第１領域１５の形状が矩形状である例を示した。しかしながら、第２領域１６が第１領域１５の周辺に位置する限りにおいて、第１領域１５と第２領域１６の具体的な形状や位置などが特に限られることはない。
上述の各実施の形態においては、例えば図２に示すように、基板１２の第１領域１５が第２領域１６よりも広い例を示した。また、平面視において第１領域１５が基板１２の中央に位置する、例えば第１領域１５が基板１２の中心点を含む例を示した。また、第１領域１５の形状が矩形状である例を示した。しかしながら、第２領域１６が第１領域１５の周辺に位置する限りにおいて、第１領域１５と第２領域１６の具体的な形状や位置などが特に限られることはない。
例えば、図３７に示すように、第２領域１６が第１領域１５を囲っており、且つ、第２領域１６が第１領域１５よりも広くてもよい。また、図３８に示すように、平面視において第１領域１５が基板１２の中心点を含んでいなくてもよい。例えば、平面視において第１領域１５が基板１２の中心点よりも基板１２の１つの辺寄りに位置していてもよい。また、図３９に示すように、平面視における第１領域１５の形状が円形状であってもよい。
配線基板の用途の変形例
また、上述の各実施の形態においては、例えば図３に示すように、配線基板１１が、光Ｌを放射する表示パネル２０と組み合わされる例を示した。しかしながら、配線基板１１の用途が特に限られることはない。例えば、図４０に示すように、配線基板１１を、光Ｌを受光する受光パネル２６と組み合わせて、受光装置２５を構成してもよい。
また、上述の各実施の形態においては、例えば図３に示すように、配線基板１１が、光Ｌを放射する表示パネル２０と組み合わされる例を示した。しかしながら、配線基板１１の用途が特に限られることはない。例えば、図４０に示すように、配線基板１１を、光Ｌを受光する受光パネル２６と組み合わせて、受光装置２５を構成してもよい。
受光装置２５は、受光パネル２６及び配線基板１１を備える。受光パネル２６は、受光部２７及び回路部２８を有する。受光部２７は、例えばＣＣＤイメージセンサなどの固体撮像素子を含んでおり、光を検出して電気信号を生成する。回路部２８は、受光部２７を制御したり受光部２７から電気信号を取り出したりするための電子部品、配線などを含む。
配線基板１１は、受光パネル２６と対向するよう配置される。配線基板１１の第１領域１５は、外部から入射した光Ｌを透過させて受光パネル２６の受光部２７に到達させる。第１領域１５は、例えば、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って受光装置２５を見た場合に、受光パネル２６の受光部２７に重なっている。
通電極基板が搭載される製品の例
図４１は、本開示の実施形態に係る配線基板１１が搭載されることができる製品の例を示す図である。本開示の実施形態に係る配線基板１１は、例えば、表示装置１０を備える様々なウェアラブル端末において利用され得る。例えば、メガネ型ウェアラブル端末１１０、バンド１２１を備えたバンド型ウェアラブル端末１２０、クリップ１３１を備えたクリップ型ウェアラブル端末１３０、取付部１４１を備えたウェアラブル端末１４０等に搭載される。バンド型ウェアラブル端末１２０は、例えば、人の手首、指、腕、足首などに取り付けられる。クリップ型ウェアラブル端末１３０は、例えば、人が着用している服などに取り付けられる。ウェアラブル端末１４０の取付部１４１は、例えば粘着性を有しており、このためウェアラブル端末１４０を人の皮膚などに取り付けることができる。
図４１は、本開示の実施形態に係る配線基板１１が搭載されることができる製品の例を示す図である。本開示の実施形態に係る配線基板１１は、例えば、表示装置１０を備える様々なウェアラブル端末において利用され得る。例えば、メガネ型ウェアラブル端末１１０、バンド１２１を備えたバンド型ウェアラブル端末１２０、クリップ１３１を備えたクリップ型ウェアラブル端末１３０、取付部１４１を備えたウェアラブル端末１４０等に搭載される。バンド型ウェアラブル端末１２０は、例えば、人の手首、指、腕、足首などに取り付けられる。クリップ型ウェアラブル端末１３０は、例えば、人が着用している服などに取り付けられる。ウェアラブル端末１４０の取付部１４１は、例えば粘着性を有しており、このためウェアラブル端末１４０を人の皮膚などに取り付けることができる。
１０ 表示装置
１１ 配線基板
１２ 基板
１３ 第１面
１４ 第２面
１５ 第１領域
１６ 第２領域
２０ 表示パネル
２１ 表示部
２２ 回路部
２５ 受光装置
２６ 受光パネル
２７ 受光部
２８ 回路部
３０ 第１配線構造部
３１ 第１配線層
３２ 第２配線層
３５ 絶縁層
３６ 有機層
３６１ 開口
３７ 無機層
３７１ 第１無機層
３７２ 第２無機層
３７３ 開口
３８ 導電層
３８１ バリア層
３８２ シード層
３８３ めっき層
３９ レジスト層
３９１ 開口
４０ 第２配線構造部
４１ 第１配線層
４２ 第２配線層
４５ 絶縁層
４６ 有機層
４７ 無機層
４８ 導電層
Ｄ１ 第１側
Ｄ２ 第２側
１１ 配線基板
１２ 基板
１３ 第１面
１４ 第２面
１５ 第１領域
１６ 第２領域
２０ 表示パネル
２１ 表示部
２２ 回路部
２５ 受光装置
２６ 受光パネル
２７ 受光部
２８ 回路部
３０ 第１配線構造部
３１ 第１配線層
３２ 第２配線層
３５ 絶縁層
３６ 有機層
３６１ 開口
３７ 無機層
３７１ 第１無機層
３７２ 第２無機層
３７３ 開口
３８ 導電層
３８１ バリア層
３８２ シード層
３８３ めっき層
３９ レジスト層
３９１ 開口
４０ 第２配線構造部
４１ 第１配線層
４２ 第２配線層
４５ 絶縁層
４６ 有機層
４７ 無機層
４８ 導電層
Ｄ１ 第１側
Ｄ２ 第２側
Claims (20)
- 配線基板であって、
第１側に位置する第１面及び前記第１側とは反対の第２側に位置する第２面を含むとともに、透明性を有する第１領域と前記第１領域の周辺に位置する第２領域とに少なくとも区画される基板と、
前記基板の前記第２領域において前記第１面上に位置する第１配線層、及び、前記第１配線層上に位置する第２配線層を少なくとも含む第１配線構造部と、を備え、
前記第１配線層は、前記基板の第１面上に位置する絶縁層と、前記絶縁層上に位置する導電層と、を有し、
前記第２配線層は、前記第１配線層の前記導電層上に位置する開口が設けられた絶縁層と、前記絶縁層の前記開口を介して前記第１配線層の前記導電層に接続された導電層と、を有し、
前記第２配線層の前記絶縁層は、絶縁性を有する有機層を含み、
前記第１配線層の前記絶縁層、前記第２配線層の前記絶縁層、又は前記第１配線構造部のうち前記第１配線層及び前記第２配線層以外の層の少なくともいずれか１つが、絶縁性を有する無機層を含み、
前記配線基板は、前記基板の前記第２領域において前記第２面上に位置する第１配線層、及び前記第１配線層上に位置する第２配線層を少なくとも含む第２配線構造部を更に備え、
前記第２配線構造部の前記第１配線層は、前記基板の第２面上に位置する絶縁層と、前記絶縁層上に位置する導電層と、を有し、
前記第２配線構造部の前記第２配線層は、前記第２配線構造部の前記第１配線層の前記導電層上に位置する開口が設けられた絶縁層と、前記絶縁層の前記開口を介して前記第１配線層の前記導電層に接続された導電層と、を有する、配線基板。 - 前記第１配線構造部の前記第２配線層の前記絶縁層は、前記無機層を更に含む、請求項１に記載の配線基板。
- 前記第１配線構造部の前記第２配線層の前記絶縁層の前記無機層は、前記第１配線構造部の前記第１配線層の前記導電層を少なくとも部分的に覆っている、請求項２に記載の配線基板。
- 前記第１配線構造部の前記第２配線層の前記絶縁層の前記有機層は、前記無機層よりも前記第１側に位置する、請求項２又は３に記載の配線基板。
- 前記第１配線構造部は、前記第２配線層上に位置する第３配線層を更に含み、
前記第３配線層は、無機層及び前記無機層よりも前記第１側に位置する有機層を含み、前記第２配線層の前記導電層上に位置する開口が設けられた絶縁層と、前記絶縁層の開口を介して前記第２配線層の前記導電層に接続された導電層と、を有する、請求項２乃至４のいずれか一項に記載の配線基板。 - 前記第２配線構造部の前記第２配線層の前記絶縁層は、絶縁性を有する有機層を含む、請求項２乃至５のいずれか一項に記載の配線基板。
- 前記第２配線構造部の前記第２配線層の前記絶縁層は、前記第２配線構造部の前記第１配線層の前記導電層を少なくとも部分的に覆い、絶縁性を有する無機層を更に含む、請求項６に記載の配線基板。
- 前記第１配線構造部に含まれる前記導電層の層数と、前記第２配線構造部に含まれる前記導電層の層数とが異なる、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の配線基板。
- 前記第１配線構造部の前記第１配線層の前記絶縁層は、有機層と、前記有機層よりも前記第１側に位置する前記無機層と、を含む、請求項１に記載の配線基板。
- 前記第１配線構造部の前記第１配線層の前記絶縁層の前記無機層は、前記第１配線構造部の前記第１配線層の前記導電層に少なくとも部分的に前記第２側から接している、請求項９に記載の配線基板。
- 前記第１配線構造部の前記第２配線層の前記絶縁層は、前記有機層よりも前記第１側に位置する無機層を更に含む、請求項９又は１０に記載の配線基板。
- 前記第１配線構造部は、前記第２配線層上に位置する第３配線層を更に含み、
前記第３配線層は、有機層及び前記有機層よりも前記第１側に位置する無機層を含み、前記第２配線層の前記導電層上に位置する開口が設けられた絶縁層と、前記絶縁層の開口を介して前記第２配線層の前記導電層に接続された導電層と、を有する、請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の配線基板。 - 前記第２配線構造部の前記第１配線層の前記絶縁層は、有機層と、前記有機層よりも前記第２側に位置し、絶縁性を有する無機層と、を含む、請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の配線基板。
- 前記第２配線構造部の前記第１配線層の前記絶縁層の前記無機層は、前記第２配線構造部の前記第１配線層の前記導電層に少なくとも部分的に前記第１側から接している、請求項１３に記載の配線基板。
- 前記第１配線構造部に含まれる前記導電層の層数と、前記第２配線構造部に含まれる前記導電層の層数とが異なる、請求項１３又は１４に記載の配線基板。
- 前記有機層は、ポリイミド、エポキシ、又はアクリルを少なくとも含む、請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の配線基板。
- 前記無機層は、珪素酸化物又は珪素窒化物を少なくとも含む、請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の配線基板。
- 前記配線基板は、表示パネルに設けられる前面板である、請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の配線基板。
- 前記第２領域は、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って前記基板を見た場合に、前記第１領域を囲んでおり、
前記配線基板と組み合わされる表示パネルから放射される光が、前記第１領域を透過する、若しくは、前記配線基板の外部から前記配線基板に入射し、前記第１領域を透過する光が、前記配線基板と組み合わされる受光パネルに到達する、請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の配線基板。 - 光を放射する表示パネルと、
前記表示パネルと対向する前面板と、を備え、
前記前面板は、
第１側に位置する第１面及び前記第１側とは反対の第２側に位置する第２面を含むとともに、前記表示パネルから放射された光を透過させる第１領域と前記第１領域の周辺に位置する第２領域とに少なくとも区画される基板と、
前記基板の前記第２領域において前記基板の前記第１面上に位置する第１配線層、及び、前記第１配線層上に位置する第２配線層を少なくとも含む第１配線構造部と、を備え、
前記第１配線層は、前記基板の第１面上に位置する絶縁層と、前記絶縁層上に位置する導電層と、を有し、
前記第２配線層は、前記第１配線層の前記導電層上に位置する開口が設けられた絶縁層と、前記絶縁層の前記開口を介して前記第１配線層の前記導電層に接続された導電層と、を有し、
前記第２配線層の前記絶縁層は、絶縁性を有する有機層を含み、
前記第１配線層の前記絶縁層、前記第２配線層の前記絶縁層、又は前記第１配線構造部のうち前記第１配線層及び前記第２配線層以外の層の少なくともいずれか１つが、絶縁性を有する無機層を含み、
前記前面板は、前記基板の前記第２領域において前記第２面上に位置する第１配線層、及び前記第１配線層上に位置する第２配線層を少なくとも含む第２配線構造部を更に備え、
前記第２配線構造部の前記第１配線層は、前記基板の第２面上に位置する絶縁層と、前記絶縁層上に位置する導電層と、を有し、
前記第２配線構造部の前記第２配線層は、前記第２配線構造部の前記第１配線層の前記導電層上に位置する開口が設けられた絶縁層と、前記絶縁層の前記開口を介して前記第１配線層の前記導電層に接続された導電層と、を有する、表示装置。
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