JP6784757B2 - リソグラフィ装置用のペリクルを製造する方法、リソグラフィ装置用のペリクル、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、ペリクルを処理するための装置、及びペリクルを処理する方法 - Google Patents
リソグラフィ装置用のペリクルを製造する方法、リソグラフィ装置用のペリクル、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、ペリクルを処理するための装置、及びペリクルを処理する方法 Download PDFInfo
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Description
[0001] 本出願は、2015年10月22日出願の欧州特許出願第15191052.8号、2016年2月22日出願の欧州特許出願第16156637.7号、2016年5月19日出願の欧州特許出願第16170384.8号、及び2016年9月1日出願の欧州特許出願第16186851.8号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
− 放射ビームB(例えばEUV放射)を調節するように構成された照明システム(又はイルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えば、マスク又はレチクル)MAを支持するように構成され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
− 基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば、反射投影システム)PSとを含む。
[条項1]
リソグラフィ装置用のペリクルを製造する方法であって、
第1の基板部分及び第2の基板部分から構成される基板の平面上に少なくとも1つのグラフェン層を堆積させること、及び
前記第1の基板部分を除去して、前記少なくとも1つのグラフェン層から前記第2の基板部分によって支持される自立膜を形成すること、を含む方法。
[条項2]
前記第1の基板部分は、前記基板の前記平面に直交する方向に見た場合に、前記第2の基板部分に囲まれている、条項1に記載の方法。
[条項3]
前記自立膜は、13.5nmの波長を有する放射に対して少なくとも80%の透過率を有する、条項1又は2のいずれかに記載の方法。
[条項4]
前記基板の前記平面に直交する方向に見た場合に、前記自立膜は少なくとも1mm 2 の表面積を有する、条項1から3のいずれかに記載の方法。
[条項5]
前記少なくとも1つのグラフェン層は複数のグラフェン層を含む、条項1から4のいずれかに記載の方法。
[条項6]
前記自立膜は、前記少なくとも1つのグラフェン層及び前記少なくとも1つのグラフェン層の上面又は下面の少なくとも1つの追加層の一部分を含む、条項1から5のいずれかに記載の方法。
[条項7]
前記第1の基板部分を除去する際、前記少なくとも1つのグラフェン層及び前記基板を備えるスタックを、前記スタックの少なくとも前面及び側面を覆う封入層又は犠牲層でコーティングする、条項1から6のいずれかに記載の方法。
[条項8]
前記第1の基板部分を前記基板の選択的エッチングによって除去する、条項1から7のいずれかに記載の方法。
[条項9]
前記少なくとも1つのグラフェン層を化学蒸着を用いて堆積させる、条項1から8のいずれかに記載の方法。
[条項10]
前記基板は基層及びグラフェン支持層を含み、
前記少なくとも1つのグラフェン層を前記グラフェン支持層上に堆積させる、条項1から9のいずれかに記載の方法。
[条項11]
前記グラフェン支持層は、Mo、Ni、Ru、Pt、Cu、Ti、V、Zr、Nb、Hf、Ta、W、Cr、ケイ化Mo、ケイ化Ni、ケイ化Ru、ケイ化Pt、ケイ化Cu、ケイ化Ti、ケイ化V、ケイ化Zr、ケイ化Nb、ケイ化Hf、ケイ化Ta、ケイ化W、ケイ化Cr、Moの炭化物、Niの炭化物、Ruの炭化物、Ptの炭化物、Cuの炭化物、Tiの炭化物、Vの炭化物、Zrの炭化物、Nbの炭化物、Hfの炭化物、Taの炭化物、Wの炭化物、Crの炭化物の1つ以上を含む、条項10に記載の方法。
[条項12]
前記少なくとも1つのグラフェン層及び前記基板を備えるスタックが、前記第1の基板部分の除去中に前記スタックの少なくとも前面及び側面にコーティングされた封入層又は犠牲層を備え、
前記封入層又は犠牲層を形成した後に、前記グラフェン支持層を形成する、条項10又は11に記載の方法。
[条項13]
LPCVDを用いて前記封入層又は犠牲層を形成し、前記グラフェン支持層は、Mo又はケイ化Moを含む、条項12に記載の方法。
[条項14]
前記第1の基板部分を除去して前記自立膜を形成することは、ガスエッチングプロセスを用いて前記グラフェン支持層の一部分を除去するステップを含む、条項10から13のいずれかに記載の方法。
[条項15]
前記基板は、基層及び第1のグラフェン支持層を含み、
前記第1のグラフェン支持層上に前記少なくとも1つのグラフェン層を堆積させ、
前記少なくとも1つのグラフェン層上に第2のグラフェン支持層を堆積させる、条項1から14のいずれかに記載の方法。
[条項16]
前記第1のグラフェン支持層及び前記第2のグラフェン支持層は同じ組成を有する、条項15に記載の方法。
[条項17]
前記基板の前記平面に直交する方向に見た場合の、前記自立膜の外側の前記少なくとも1つのグラフェン層の一部分の上に、前記自立膜の張力を制御するのに使用可能な制御層を設ける、条項1から16のいずれかに記載の方法。
[条項18]
前記基板は基層及びグラフェン支持層を含み、
前記少なくとも1つのグラフェン層を前記グラフェン支持層上に堆積させ、
前記方法は、順に
前記グラフェン支持層の第1の部分上に堆積させた前記少なくとも1つのグラフェン層の一部分を除去することなく、前記グラフェン支持層の前記第1の部分を除去するステップと、
前記少なくとも1つのグラフェン層の上方に制御層を堆積させるステップと、
前記グラフェン支持層の第2の部分を除去することによって、前記少なくとも1つのグラフェン層と、前記グラフェン支持層の前記第2の部分の上方に位置していた層の間の接着を弱める又は解消するステップと、
前記グラフェン支持層の前記第2の部分の上方に位置していた前記層を離昇させることによって、前記自立膜を形成するステップとを含む、条項1から17のいずれかに記載の方法。
[条項19]
サイドエッチングを用いて、前記グラフェン支持層の前記第1の部分及び前記グラフェン支持層の前記第2の部分の一方又は両方を除去する、条項18に記載の方法。
[条項20]
前記制御層を処理して、前記制御層の内部構造を変化させることによって、前記自立膜の張力を変化させることを更に含む、条項17から19のいずれかに記載の方法。
[条項21]
前記ペリクルは、リソグラフィ装置の光学要素を保護する、条項1から20のいずれかに記載の方法。
[条項22]
前記自立膜は、リソグラフィ装置のパターニングデバイスを横切って途切れなく広がる、条項1から21のいずれかに記載の方法。
[条項23]
これを介して前記自立膜に電流を駆動できるように配置した2つ以上の導電接触領域を形成することを更に含む、条項1から22のいずれかに記載の方法。
[条項24]
炭素の単層又は多層グラフェンへの変換を促進させる触媒活性金属を、前記少なくとも1つのグラフェン層の内部に又はこれと接触させて設ける、条項1から23のいずれかに記載の方法。
[条項25]
前記触媒活性金属は遷移金属を含む、条項24に記載の方法。
[条項26]
前記触媒活性金属を、前記少なくとも1つのグラフェン層を前記触媒活性金属の原子によりドーピングすること、前記少なくとも1つのグラフェン層内に前記触媒活性金属の層を形成すること、前記少なくとも1つのグラフェン層の片側又は両側に前記触媒活性金属の層を形成すること、及び前記少なくとも1つのグラフェン層内に前記触媒活性金属のナノ粒子を含ませることの1つ以上によって設ける、条項24又は25に記載の方法。
[条項27]
前記触媒活性金属を、前記触媒活性金属の蒸気の存在下で前記少なくとも1つのグラフェン層の堆積を行うことによって設ける、条項24から26のいずれかに記載の方法。
[条項28]
前記少なくとも1つのグラフェン層の堆積後に、前記基板を処理して、前記基板の前記平面を変形させることによって、前記自立膜の張力を変化させることを更に含む、条項1から27のいずれかに記載の方法。
[条項29]
前記基板の処理によって、前記基板を前記基板の前記少なくとも1つのグラフェン層を堆積させた側において内側に撓ませることによって、前記少なくとも1つのグラフェン層に圧縮力を印加する、又は前記基板を前記基板の前記少なくとも1つのグラフェン層を堆積させた側において外側に撓ませることによって、前記少なくとも1つのグラフェン層に引張力を印加する、条項28に記載の方法。
[条項30]
前記基板の処理は、前記基板を不均一に加熱又は冷却することを含む、条項28又は29に記載の方法。
[条項31]
前記自立膜を、前記少なくとも1つのグラフェン層の一方の側又は両側にキャッピング層を設けて形成する、条項1から30のいずれかに記載の方法。
[条項32]
前記キャッピング層は、ラジカル種による化学攻撃から前記少なくとも1つのグラフェン層を保護する、条項31に記載の方法。
[条項33]
前記キャッピング層は金属又は金属酸化物を含む、条項31又は32に記載の方法。
[条項34]
前記キャッピング層は、Ru、Mo、B、MoSi 2 、h−BN、HfO 2 、ZrO 2 、Y 2 O 3 、Nb 2 O 5 、La 2 O 3 、及びAl 2 O 3 からなるグループから選択される1つ以上の材料を含む、条項33に記載の方法。
[条項35]
前記キャッピング層を原子層堆積によって形成する、条項31から34のいずれかに記載の方法。
[条項36]
前記キャッピング層と前記少なくとも1つのグラフェン層の間に接着層を設ける、条項31から35のいずれかに記載の方法。
[条項37]
前記接着層は、sp 2 結合炭素及び親水基を有する材料を含む、条項36に記載の方法。
[条項38]
前記接着層は非晶質炭素を含む、条項35又は36に記載の方法。
[条項39]
前記非晶質炭素を部分的に酸化させた、条項38に記載の方法。
[条項40]
前記自立膜は、異なる化学的組成を有する、前記少なくとも1つのグラフェン層及び少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層を含む一群の層を含む、条項1から39のいずれかに記載の方法。
[条項41]
前記一群の層は、少なくとも1つのグラフェン層と少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層を交互に配置した交互シーケンスから構成される、条項40に記載の方法。
[条項42]
前記一群の層は、一方の側の少なくとも1つのグラフェン層と他方の側の少なくとも1つのグラフェン層の間に挟まれた少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層を含む、条項40又は41に記載の方法。
[条項43]
前記キャッピング層は、少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層を含む、条項31から39のいずれかに記載の方法。
[条項44]
前記少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層は、グラフィン、ボロフェン、シリセン、スタネン、フォスフォレン、モリブデナイト、グラファン、h−BN、ゲルマナン、MXene、遷移金属ジカルコゲナイド、MoS 2 、MoSe 2 、WSe 2 の1つ以上の少なくとも1つの層を含む、条項40から43のいずれかに記載の方法。
[条項45]
リソグラフィ装置用のペリクルを製造する方法であって、
少なくとも1つのグラフェン層を液体の表面から開口を備えたフレームに転写することによって、前記少なくとも1つのグラフェン層から、前記開口に広がり、かつ前記フレームによって支持された自立膜を形成することを含み、前記フレームの前記少なくとも1つのグラフェン層に接触する一部分は疎水性である方法。
[条項46]
リソグラフィ装置用のペリクルを製造する方法であって、
少なくとも1つのグラフェン層を液体の表面から開口を備えたフレームに転写することによって、前記少なくとも1つのグラフェン層から、前記開口に広がり、かつ前記フレームによって支持された自立膜を形成することを含み、前記液体は、前記少なくとも1つのグラフェン層を前記フレームに転写する間、摂氏25〜80度の範囲の温度を有する方法。
[条項47]
リソグラフィ装置用のペリクルを製造する方法であって、
少なくとも1つのグラフェン層を液体の表面から開口を備えたフレームに転写することによって、前記少なくとも1つのグラフェン層から、前記開口に広がり、かつ前記フレームによって支持された自立膜を形成することを含み、前記液体は、水、アルコール、及びアルコールではない別の溶媒を含む方法。
[条項48]
前記別の溶媒は、前記少なくとも1つのグラフェン層を前記フレームに転写した後に、前記フレームの前記開口に完全に広がる液体の液滴が形成される可能性を、前記別の溶媒が前記液体に存在しなかった場合と比較して低下させる、又はその形成を防止する類のものである、条項47に記載の方法。
[条項49]
リソグラフィ装置用のペリクルであって、グラフェン層を成長させた基板の一部分の平面によって支持される自立膜を形成する少なくとも1つのグラフェン層を含み、前記平面は、前記平面に直交する方向に見た場合に、前記自立膜の外側に位置するペリクル。
[条項50]
前記少なくとも1つのグラフェン層は、前記化学蒸着によって前記基板上に形成した層である、条項49に記載のペリクル。
[条項51]
リソグラフィ装置の光学要素を保護する、条項49又は50に記載のペリクル。
[条項52]
リソグラフィ装置のパターニングデバイスに途切れなく広がる、条項49から51のいずれかに記載のペリクル。
[条項53]
前記自立膜は、前記少なくとも1つのグラフェン層の片側又は両側にキャッピング層を備える、条項49から52のいずれかに記載のペリクル。
[条項54]
前記キャッピング層は、ラジカル種による化学攻撃から前記少なくとも1つのグラフェン層を保護する、条項53に記載のペリクル。
[条項55]
前記キャッピング層は金属又は金属酸化物を含む、条項53又は54に記載のペリクル。
[条項56]
前記キャッピング層は、Ru、Mo、B、MoSi 2 、h−BN、HfO 2 、ZrO 2 、Y 2 O 3 、Nb 2 O 5 、La 2 O 3 、及びAl 2 O 3 からなるグループから選択される1つ以上の材料を含む、条項55に記載のペリクル。
[条項57]
前記キャッピング層を原子層堆積によって形成する、条項53から56のいずれかに記載のペリクル。
[条項58]
前記キャッピング層と前記少なくとも1つのグラフェン層の間に接着層を設ける、条項53から57のいずれかに記載のペリクル。
[条項59]
前記接着層は、sp 2 結合炭素及び親水基を有する材料を含む、条項58に記載のペリクル。
[条項60]
前記接着層は非晶質炭素を含む、条項58又は59に記載のペリクル。
[条項61]
前記非晶質炭素を部分的に酸化させた、条項60に記載のペリクル。
[条項62]
前記自立膜は、異なる化学的組成を有する、前記少なくとも1つのグラフェン層及び少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層を含む一群の層を含む、条項49から61のいずれかに記載のペリクル。
[条項63]
前記一群の層は、少なくとも1つのグラフェン層と少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層を交互に配置した交互シーケンスから構成される、条項62に記載のペリクル。
[条項64]
前記一群の層は、一方の側の少なくとも1つのグラフェン層と他方の側の少なくとも1つのグラフェン層の間に挟まれた少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層を含む、条項62又は63に記載のペリクル。
[条項65]
前記キャッピング層は、少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層を含む、条項53から61のいずれかに記載のペリクル。
[条項66]
前記少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層は、グラフィン、ボロフェン、シリセン、スタネン、フォスフォレン、モリブデナイト、グラファン、h−BN、ゲルマナン、MXene、遷移金属ジカルコゲナイド、MoS 2 、MoSe 2 、WSe 2 の1つ以上の少なくとも1つの層を含む、条項62から65のいずれかに記載のペリクル。
[条項67]
放射ビームにパターンを付与するパターニングデバイスと、
条項1から48のいずれかに記載の方法によって製造され、前記パターニングデバイスを保護するペリクルと、を備えるリソグラフィ装置。
[条項68]
放射ビームにパターンを付与するパターニングデバイスと、
前記パターニングデバイスを保護する条項49から66のいずれかに記載のペリクルと、を備えるリソグラフィ装置。
[条項69]
条項67又は68に記載のリソグラフィ装置を使用して、リソグラフィを用いてデバイスを製造するデバイス製造方法。
[条項70]
条項1から48のいずれかに記載の製造方法によって得ることができる、又は得られるペリクル。
[条項71]
膜サポートに結合した膜を備えたペリクルであって、
前記膜はグラフェン層を含み、
前記膜を薄膜堆積プロセスによって前記膜サポートに結合し、前記膜サポート上に生成するペリクル。
[条項72]
前記結合は、前記膜サポート上への前記膜の前記薄膜堆積プロセスによって誘発される、前記膜と前記膜サポートの固有結合である、条項71に記載のペリクル。
[条項73]
前記固有結合は、前記膜に作用する重力下で、前記膜と前記膜サポートの結合状態を保つような結合強度を有する、条項72に記載のペリクル。
[条項74]
前記薄膜堆積プロセスは化学蒸着プロセスである、条項71から73のいずれかに記載のペリクル。
[条項75]
パターニングデバイスを使用して放射ビームにパターンを付与すること、
自立膜を形成する少なくとも1つのグラフェン層を備えたペリクルを使用して、前記パターニングデバイスを保護すること、及び
前記少なくとも1つのグラフェン層に電流を流して、前記少なくとも1つのグラフェン層を加熱すること、を含むデバイス製造方法。
[条項76]
前記少なくとも1つのグラフェン層を、炭素の単層又は多層グラフェンへの変換が熱的に活性化される温度に加熱する、条項75に記載の方法。
[条項77]
前記少なくとも1つのグラフェン層を800K超に加熱する、条項75又は76に記載の方法。
[条項78]
炭素源を含む材料流を前記ペリクル上に加えることを更に含む、条項75から77のいずれかに記載の方法。
[条項79]
自立膜を形成する少なくとも1つのグラフェン層を備えたペリクルを処理するための装置であって、前記装置は、
前記自立膜に電流を駆動して、前記自立膜を加熱する電流駆動装置を備える装置。
[条項80]
炭素源を含む材料流を前記ペリクル上に加えるための供給ポートを更に備える、条項79に記載の装置。
[条項81]
前記ペリクルの処理中に前記ペリクルを収容するための筐体を更に備え、前記供給ポートは、前記炭素源を含む前記材料流を前記筐体の外部から前記筐体の内部に搬送する、条項80に記載の装置。
[条項82]
前記ペリクルは、条項1から48のいずれかに記載の製造方法によって得ることができる、又は得られる、条項79から81のいずれかに記載の装置。
[条項83]
自立膜を形成する少なくとも1つのグラフェン層を備えたペリクルを処理する方法であって、前記方法は、前記自立膜に電流を駆動して、前記自立膜を加熱することを含む方法。
[条項84]
前記電流による前記自立膜の加熱中に、炭素源を含む材料流を前記ペリクル上に加えることを更に含む、条項83に記載の方法。
[条項85]
前記ペリクルは、条項1から48のいずれかに記載の製造方法によって得ることができる、又は得られる、条項83又は84に記載の方法。
[条項86]
自立膜を形成する少なくとも1つのグラフェン層を備えたペリクルを処理する方法であって、前記方法は、電気化学堆積を用いて前記少なくとも1つのグラフェン層に炭素を加えることを含む方法。
[条項87]
少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層を含む自立膜を備えるペリクル。
[条項88]
前記自立膜は、前記自立膜を成長させた基板の一部分の平面によって支持され、前記平面は、前記平面に直交する方向に見た場合に、前記自立膜の外側に位置する、条項87に記載のペリクル。
[条項89]
前記自立膜を膜サポートに結合し、前記自立膜を薄膜堆積プロセスによって前記膜サポートに結合し、前記膜サポート上に生成する、条項87に記載のペリクル。
[条項90]
前記少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層は、グラフィン、ボロフェン、シリセン、スタネン、フォスフォレン、モリブデナイト、グラファン、h−BN、ゲルマナン、MXene、遷移金属ジカルコゲナイド、MoS 2 、MoSe 2 、WSe 2 の1つ以上の少なくとも1つの層を含む、条項87から89に記載のペリクル。
[条項91]
リソグラフィ装置用のペリクルを製造する方法であって、
第1の基板部分及び第2の基板部分から構成される基板の平面上に少なくとも1つの二次元材料の層を堆積させること、及び
前記第1の基板部分を除去して、前記少なくとも1つの二次元材料の層から前記第2の基板部分によって支持される自立膜を形成することを含む方法。
[条項92]
リソグラフィプロセスでの使用に適したペリクルアセンブリであって、前記ペリクルアセンブリは、
条項49から66又は87から90のいずれか一項に記載のペリクルと、
前記ペリクルを支持するフレームと、を備えるペリクルアセンブリ。
[条項93]
リソグラフィプロセスでの使用に適したマスクアセンブリであって、前記マスクアセンブリは、
パターニングデバイスと、
条項49から66又は87から90のいずれか一項に記載のペリクルと、
前記ペリクルを支持するフレームと、を備えるマスクアセンブリ。
Claims (30)
- リソグラフィ装置用のペリクルを製造する方法であって、
第1の基板部分及び第2の基板部分から構成される基板の平面上に少なくとも1つのグラフェン層を堆積させること、及び
前記第1の基板部分を除去して、前記少なくとも1つのグラフェン層から前記第2の基板部分によって支持される自立膜を形成すること、を含み、
前記第1の基板部分を除去する際、前記少なくとも1つのグラフェン層及び前記基板を備えるスタックを、前記スタックの少なくとも前面及び側面を覆う封入層又は犠牲層でコーティングする、
方法。 - 前記第1の基板部分は、前記基板の前記平面に直交する方向に見た場合に、前記第2の基板部分に囲まれている、請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのグラフェン層は複数のグラフェン層を含む、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記自立膜は、前記少なくとも1つのグラフェン層及び前記少なくとも1つのグラフェン層の上面又は下面の少なくとも1つの追加層の一部分を含む、請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- 前記基板は基層及びグラフェン支持層を含み、
前記少なくとも1つのグラフェン層を前記グラフェン支持層上に堆積させる、請求項1から4のいずれかに記載の方法。 - 前記グラフェン支持層は、Mo、Ni、Ru、Pt、Cu、Ti、V、Zr、Nb、Hf、Ta、W、Cr、ケイ化Mo、ケイ化Ni、ケイ化Ru、ケイ化Pt、ケイ化Cu、ケイ化Ti、ケイ化V、ケイ化Zr、ケイ化Nb、ケイ化Hf、ケイ化Ta、ケイ化W、ケイ化Cr、Moの炭化物、Niの炭化物、Ruの炭化物、Ptの炭化物、Cuの炭化物、Tiの炭化物、Vの炭化物、Zrの炭化物、Nbの炭化物、Hfの炭化物、Taの炭化物、Wの炭化物、Crの炭化物の1つ以上を含む、請求項5に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのグラフェン層及び前記基板を備えるスタックが、前記第1の基板部分の除去中に前記スタックの少なくとも前面及び側面にコーティングされた封入層又は犠牲層を備え、
前記封入層又は犠牲層を形成した後に、前記グラフェン支持層を形成する、請求項5又は6に記載の方法。 - LPCVDを用いて前記封入層又は犠牲層を形成し、前記グラフェン支持層は、Mo又はケイ化Moを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記基板の前記平面に直交する方向に見た場合の、前記自立膜の外側の前記少なくとも1つのグラフェン層の一部分の上に、前記自立膜の張力を制御するのに使用可能な制御層を設ける、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
- 前記基板は基層及びグラフェン支持層を含み、
前記少なくとも1つのグラフェン層を前記グラフェン支持層上に堆積させ、
前記方法は、順に
前記グラフェン支持層の第1の部分上に堆積させた前記少なくとも1つのグラフェン層の一部分を除去することなく、前記グラフェン支持層の前記第1の部分を除去するステップと、
前記少なくとも1つのグラフェン層の上方に制御層を堆積させるステップと、
前記グラフェン支持層の第2の部分を除去することによって、前記少なくとも1つのグラフェン層と、前記グラフェン支持層の前記第2の部分の上方に位置していた層の間の接着を弱める又は解消するステップと、
前記グラフェン支持層の前記第2の部分の上方に位置していた前記層を離昇させることによって、前記自立膜を形成するステップとを含む、請求項1から9のいずれかに記載の方法。 - サイドエッチングを用いて、前記グラフェン支持層の前記第1の部分及び前記グラフェン支持層の前記第2の部分の一方又は両方を除去する、請求項10に記載の方法。
- 前記制御層を処理して、前記制御層の内部構造を変化させることによって、前記自立膜の張力を変化させることを更に含む、請求項9から11のいずれかに記載の方法。
- 前記少なくとも1つのグラフェン層の堆積後に、前記基板を処理して、前記基板の前記平面を変形させることによって、前記自立膜の張力を変化させることを更に含む、請求項1から12のいずれかに記載の方法。
- 前記基板の処理は、前記基板を不均一に加熱又は冷却することを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記自立膜は、異なる化学的組成を有する、前記少なくとも1つのグラフェン層及び少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層を含む一群の層を含む、請求項1から14のいずれかに記載の方法。
- 前記一群の層は、少なくとも1つのグラフェン層と少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層を交互に配置した交互シーケンスから構成される、請求項15に記載の方法。
- 前記一群の層は、一方の側の少なくとも1つのグラフェン層と他方の側の少なくとも1つのグラフェン層の間に挟まれた少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層を含む、請求項15又は16に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層は、グラフィン、ボロフェン、シリセン、スタネン、フォスフォレン、モリブデナイト、グラファン、h−BN、ゲルマナン、MXene、遷移金属ジカルコゲナイド、MoS2、MoSe2、WSe2の1つ以上の少なくとも1つの層を含む、請求項15から17のいずれかに記載の方法。
- リソグラフィ装置用のペリクルであって、グラフェン層を成長させた基板の一部分の平面によって支持される自立膜を形成する少なくとも1つのグラフェン層を含み、前記平面は、前記平面に直交する方向に見た場合に、前記自立膜の外側に位置し、
前記自立膜は、前記少なくとも1つのグラフェン層の片側又は両側にキャッピング層を備え、前記キャッピング層は金属、金属酸化物、B、又はMoSi 2 を含む、
ペリクル。 - 前記キャッピング層は、ラジカル種による化学攻撃から前記少なくとも1つのグラフェン層を保護する、請求項19に記載のペリクル。
- 前記キャッピング層は、Ru、Mo、B、MoSi2 、HfO2、ZrO2、Y2O3、Nb2O5、La2O3、及びAl2O3からなるグループから選択される1つ以上の材料を含む、請求項19又は20に記載のペリクル。
- 前記キャッピング層と前記少なくとも1つのグラフェン層の間に接着層を設ける、請求項19から21のいずれかに記載のペリクル。
- 前記接着層は、sp2結合炭素及び親水基を有する材料を含む、請求項22に記載のペリクル。
- 前記接着層は非晶質炭素を含む、請求項22又は23に記載のペリクル。
- 前記自立膜は、異なる化学的組成を有する、前記少なくとも1つのグラフェン層及び少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層を含む一群の層を含む、請求項19から24のいずれかに記載のペリクル。
- 前記少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層は、グラフィン、ボロフェン、シリセン、スタネン、フォスフォレン、モリブデナイト、グラファン、h−BN、ゲルマナン、MXene、遷移金属ジカルコゲナイド、MoS2、MoSe2、WSe2の1つ以上の少なくとも1つの層を含む、請求項25に記載のペリクル。
- 少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層を含む自立膜を備え、
前記少なくとも1つのグラフェン以外の二次元材料の層は、グラフィン、ボロフェン、スタネン、フォスフォレン、モリブデナイト、グラファン、ゲルマナン、MXene、遷移金属ジカルコゲナイド、WSe 2 の1つ以上の少なくとも1つの層を含む、
ペリクル。 - リソグラフィ装置用のペリクルを製造する方法であって、
第1の基板部分及び第2の基板部分から構成される基板の平面上に少なくとも1つの二次元材料の層を堆積させること、及び
前記第1の基板部分を除去して、前記少なくとも1つの二次元材料の層から前記第2の基板部分によって支持される自立膜を形成することを含み、
前記少なくとも1つの二次元材料の層は、グラフィン、ボロフェン、スタネン、フォスフォレン、モリブデナイト、グラファン、ゲルマナン、MXene、遷移金属ジカルコゲナイド、WSe 2 の1つ以上の少なくとも1つの層を含む、
方法。 - リソグラフィプロセスでの使用に適したペリクルアセンブリであって、前記ペリクルアセンブリは、
請求項19から27のいずれか一項に記載のペリクルと、
前記ペリクルを支持するフレームと、を備えるペリクルアセンブリ。 - リソグラフィプロセスでの使用に適したマスクアセンブリであって、前記マスクアセンブリは、
パターニングデバイスと、
請求項19から27のいずれか一項に記載のペリクルと、
前記ペリクルを支持するフレームと、を備えるマスクアセンブリ。
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