JP5727590B2 - スペクトル純度フィルタ - Google Patents
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Description
[0001] 本願は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする、2010年4月27日出願の米国仮出願第US61/328,426号の利益を主張する。
1.ステップモードにおいては、支持構造(例えばマスクテーブル)MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームBに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。
2.スキャンモードにおいては、支持構造(例えばマスクテーブル)MT及び基板テーブルWTは(例えば、X又はY方向に)同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。支持構造(例えばマスクテーブル)MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。
3.別のモードでは、支持構造(例えばマスクテーブル)MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
1.スペクトル純度フィルタアセンブリであって、
内部を通して複数のアパーチャが延在し、前記アパーチャは第1の波長を有する放射を阻止し、第2の波長を有する放射の少なくとも一部を前記アパーチャを通して透過させ、放射の前記第2の波長は放射の前記第1の波長よりも短い物質の塊を含むスペクトル純度フィルタと、
使用時に、前記スペクトル純度フィルタの少なくとも一部の温度を上昇させる、前記第1及び第2の波長の放射源とは独立した装置と、
を備える、スペクトル純度フィルタアセンブリ。
2.前記装置は、温度を上昇させるために、前記スペクトル純度フィルタの少なくとも一部に熱を提供し、及び/又は、前記装置は、使用時に、前記温度を上昇させるために、前記スペクトル純度フィルタを少なくとも部分的に断熱する、条項1に記載のスペクトル純度フィルタ。
3.前記装置は、前記スペクトル純度フィルタを搭載し、前記スペクトル純度フィルタを少なくとも部分的に断熱する1つ以上のマウントを備える、条項1又は条項2に記載のスペクトル純度フィルタ。
4.前記装置は、熱源を備える、条項1から3のいずれかに記載のスペクトル純度フィルタ。
5.前記熱源は、
前記スペクトル純度フィルタの一部に接触する、又はそれを形成する1つ以上の電気ヒータ又は導体、及び/又は
前記スペクトル純度フィルタによって実質的に吸収される波長を有する放射を前記スペクトル純度フィルタへ誘導する放射源、
の1つ以上である、条項4に記載のスペクトル純度フィルタ。
6.前記スペクトル純度フィルタは、
使用時に、前記第1の波長及び/又は前記第2の波長を有する入射放射に対向する前面と、
前記スペクトル純度フィルタの前面の反対側にある背面と、
を有し、
前記熱源は、前記スペクトル純度フィルタの前記背面に熱を提供する、条項4又は条項5に記載のスペクトル純度フィルタ。
7.前記スペクトル純度フィルタの前記前面は前記第1の波長の放射を実質的に反射し、前記背面は前記第1の波長の放射を実質的に吸収する、条項6に記載のスペクトル純度フィルタ。
8.使用時に、スペクトル純度フィルタの温度を上昇させる方法であって、
前記スペクトル純度フィルタは、フィルタリングするように設計された放射源から独立した熱源を用いて前記スペクトル純度フィルタの少なくとも一部を加熱するステップ、及び/又は
前記スペクトル純度フィルタを少なくとも部分的に断熱するステップ、
を含む、方法。
9.放射の前記第1の波長は電磁スペクトルの赤外線領域の波長を有し、及び/又は前記第1の波長は9〜12μmの範囲内である、条項1から8のいずれかに記載の方法又はスペクトル純度フィルタ。
10.前記第1の波長は、約9.4μmである、条項9に記載の方法又はスペクトル純度フィルタ。
11.前記第1の波長は、約10.6μmである、条項9に記載の方法又はスペクトル純度フィルタ。
12.放射の前記第2の波長は電磁スペクトルの前記EUV部の波長を有する放射に実質的に等しいか又はそれより短い波長を有し、及び/又は前記第2の波長は5〜20nmの範囲内である、条項1から11のいずれかに記載の方法又はスペクトル純度フィルタ。
13.前記第2の波長は、13〜14nmの範囲内である、条項12に記載の方法又はスペクトル純度フィルタ。
14.前記第2の波長は、6〜7nmの範囲内である、条項12に記載の方法又はスペクトル純度フィルタ。
15.前記第2の波長は、6.6〜6.9nmの範囲内である、条項14に記載の方法又はスペクトル純度フィルタ。
16.条項1から7のいずれかに記載の前記スペクトル純度フィルタ、又はスペクトル純度フィルタアセンブリを有するリソグラフィ装置又は放射源。
Claims (18)
- スペクトル純度フィルタであって、
内部を通して複数のアパーチャが延在する物質の塊を備え、
前記アパーチャは第1の波長を有する放射を阻止し、第2の波長を有する放射の少なくとも一部を前記アパーチャを通して透過させ、放射の前記第2の波長は放射の前記第1の波長よりも短く、
前記物質の塊は、物質の再結晶化温度を上昇させる複数のナノ粒子を含む、スペクトル純度フィルタ。 - スペクトル純度フィルタであって、
内部を通して複数のアパーチャが延在する物質の塊を備え、
前記アパーチャは第1の波長を有する放射を阻止し、第2の波長を有する放射の少なくとも一部を前記アパーチャを通して透過させ、放射の前記第2の波長は放射の前記第1の波長よりも短く、
前記物質の塊は、放射の前記第1の波長で実質的に70%以上のバルク反射率を有し、1000℃を超える融点を有する物質を含み、
前記物質は、全体的に見て物質の再結晶化温度を上昇させる複数のナノ粒子を含む、スペクトル純度フィルタ。 - スペクトル純度フィルタであって、
内部を通して複数のアパーチャが延在する物質の塊を備え、
前記アパーチャは第1の波長を有する放射を阻止し、第2の波長を有する放射の少なくとも一部を前記アパーチャを通して透過させ、放射の前記第2の波長は放射の前記第1の波長よりも短く、
前記物質の塊は、前記物質の塊の表面のエッチングを周期的に中断することにより形成される、スペクトル純度フィルタ。 - 前記物質は、Cr、Fe、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pt、Re、Rh,Ru、Ta、及びW、又はそのケイ化物の1つ以上を含む、請求項1乃至請求項3のうち何れか1項に記載のスペクトル純度フィルタ。
- 前記物質は、Cr、Fe、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pt、Re、Rh,Ru、Ta、及びW、又はそのケイ化物の1つ以上の合金を含む、請求項1乃至請求項4のうち何れか1項に記載のスペクトル純度フィルタ。
- 前記合金は、Cr、Fe、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pt、Re、Rh,Ru、Ta、及びW、又はそのケイ化物の1つ以上、或いは1つ以上の組合せの原子重量の大半の量を含む、請求項5に記載のスペクトル純度フィルタ。
- 前記ナノ粒子は、Al2O3、HfO2、ZrO2、Y2O3、MgO、La2O3、Ce2O3、SrO、及びHfCの1つ以上を含む、請求項1又は請求項2に記載のスペクトル純度フィルタ。
- 前記ナノ粒子は、物質の塊内の層に分散している、請求項1又は請求項2に記載のスペクトル純度フィルタ。
- 前記アパーチャが内部を通して延在する物質の塊の前面は、実質的に純粋なCr、Fe、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pt、Re、Rh,Ru、Ta、W、又はそのケイ化物から形成された領域又は層を含むか又は有する、請求項1乃至請求項8のうち何れか1項に記載のスペクトル純度フィルタ。
- 前記前面は、使用時に、前記第1の波長及び/又は前記第2の波長を有する入射放射に対向する、請求項9に記載のスペクトル純度フィルタ。
- 物質の塊は、
実質的に等軸であり、及び/又は、
平均粒子サイズは、アパーチャを画定する壁の幅よりも小さいか、又は2つの隣接するアパーチャの間の最短距離よりも小さく、及び/又は、
平均粒子サイズ又は粒径は500nm未満、又は200nm未満である
粒子構造を有する、請求項1乃至請求項10のうち何れか1項に記載のスペクトル純度フィルタ。 - 前記物質の塊は、複数の第2の物質の比較的薄い層によって、複数の比較的厚い層に分割されている、請求項1乃至請求項11のうち何れか1項に記載のスペクトル純度フィルタ。
- 前記第2の物質の前記層は、
B、C、Si、又は前記物質の塊の成分の酸化物、窒化物又は炭化物、及び/又は、Al 2 O 3 、HfO 2 、ZrO 2 、Y 2 O 3 、MgO、La2O3、Ce 2 O 3 、SrO、及びHfCを含むナノ粒子を含む、請求項12に記載のスペクトル純度フィルタ。 - スペクトル純度フィルタの製造方法であって、
基板上に提供された物質の塊についてのリソグラフィ及びエッチングプロセスを用いて前記物質の塊に複数のアパーチャを提供するステップであって、前記アパーチャは、使用時に、第1の波長を有する放射を阻止し、使用時に、第2の波長を有する放射の少なくとも一部を前記アパーチャを通して透過させ、放射の前記第2の波長は放射の前記第1の波長よりも短い、ステップと、
前記スペクトル純度フィルタを形成する前記物質の塊を前記基板から引き離すステップと、を含み、
前記物質の塊は、物質の再結晶化温度を上昇させる複数のナノ粒子を含む、スペクトル純度フィルタ製造方法。 - スペクトル純度フィルタの製造方法であって、
物質の塊を収容する型を形成するステップであって、前記型は前記物質の塊に複数のアパーチャを提供するような形状であり、前記アパーチャは、使用時に、第1の波長を有する放射を阻止し、使用時に、第2の波長を有する放射の少なくとも一部を前記アパーチャを通して透過させ、放射の前記第2の波長は放射の前記第1の波長よりも短い、ステップと、
前記型に前記物質の塊を供給するステップと、
前記型を取り外して前記物質の塊を残すことで前記スペクトル純度フィルタを形成するステップと、を含み、
前記物質の塊は、物質の再結晶化温度を上昇させる複数のナノ粒子を含む、スペクトル純度フィルタ製造方法。 - 前記物質の塊は、複数の第2の物質の比較的薄い層によって複数の比較的厚い層に分割される、請求項14又は請求項15に記載のスペクトル純度フィルタ製造方法。
- 前記第2の物質の前記層は、
B、C、Si、又は前記物質の塊の成分の酸化物、窒化物又は炭化物、及び/又は、Al2O3、HfO2、ZrO2、Y2O3、MgO、La2O3、Ce2O3、SrO、及びHfCを含むナノ粒子を含む、請求項16に記載のスペクトル純度フィルタ製造方法。 - 前記物質の塊は、前記物質の塊の表面のエッチングを周期的に中断することにより形成される、請求項14乃至請求項17のうち何れか1項に記載のスペクトル純度フィルタ製造方法。
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