JPH0262542A - エキシマレーザーリソグラフィー用ペリクル - Google Patents
エキシマレーザーリソグラフィー用ペリクルInfo
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- JPH0262542A JPH0262542A JP63214294A JP21429488A JPH0262542A JP H0262542 A JPH0262542 A JP H0262542A JP 63214294 A JP63214294 A JP 63214294A JP 21429488 A JP21429488 A JP 21429488A JP H0262542 A JPH0262542 A JP H0262542A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はエキシマレーザ−リソグラフィー用ペリクル、
特にはＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置を製造すると
きに使用されるエキシマレーザ−光を用いる露光方式に
おける、このエキシマレーザ−リソグラフィー用のゴミ
よけ用ペリクルに関するものである。
特にはＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置を製造すると
きに使用されるエキシマレーザ−光を用いる露光方式に
おける、このエキシマレーザ−リソグラフィー用のゴミ
よけ用ペリクルに関するものである。
（従来の技術）
従来ＬＳ １．超ＬＳＩの半導体装置の製造においては
、半導体ウェーハに光を照射してパターニングを作成す
るのであるが、この場合に用いられている露光原板にゴ
ミが付着していると、このゴミが光を吸収したり、ある
いは光を曲げてしまうために転写したパターニングが変
形したり、エツジががさついたものとなり、さらには白
地が黒く汚れたりして、寸法１品質ならびに外観が損な
われるという不利がある。
、半導体ウェーハに光を照射してパターニングを作成す
るのであるが、この場合に用いられている露光原板にゴ
ミが付着していると、このゴミが光を吸収したり、ある
いは光を曲げてしまうために転写したパターニングが変
形したり、エツジががさついたものとなり、さらには白
地が黒く汚れたりして、寸法１品質ならびに外観が損な
われるという不利がある。
そのため、この種の作業は通常クリーンルームで行なわ
れるのであるが、このクリーンルーム内でも露光原板を
常に清浄に保つことは難しいので。
れるのであるが、このクリーンルーム内でも露光原板を
常に清浄に保つことは難しいので。
これには露光原板の表面にゴミよけのために露光用の光
をよく通過するニトロセルロースや酢酸セルロースなど
の薄膜をペリクルとして貼着するという方法が採られて
いるが、この種のペリクルは１５０〜３００ｎｍのよう
な短波長域では大きな吸収端がでてくるために半導体装
置の露光に波長が１７５〜３００止であるエキシマレー
ザ−リソグラフィーを用いる場合には使用できないとい
う不利があり、このエキシマレーザ−リソグラフィー用
のペリクルの出現が求められている。
をよく通過するニトロセルロースや酢酸セルロースなど
の薄膜をペリクルとして貼着するという方法が採られて
いるが、この種のペリクルは１５０〜３００ｎｍのよう
な短波長域では大きな吸収端がでてくるために半導体装
置の露光に波長が１７５〜３００止であるエキシマレー
ザ−リソグラフィーを用いる場合には使用できないとい
う不利があり、このエキシマレーザ−リソグラフィー用
のペリクルの出現が求められている。
（発明の構成）
本発明は従来例における不利を解決したエキシマレーザ
−リソグラフィー用のペリクルに関するものであり、こ
れはエキシマレーザ−光（波長１７５〜３００ｎｍ）を
用いる露光方式において酸化けい素膜をゴミよけ用ペリ
クルとして用いることを特徴とするものである。
−リソグラフィー用のペリクルに関するものであり、こ
れはエキシマレーザ−光（波長１７５〜３００ｎｍ）を
用いる露光方式において酸化けい素膜をゴミよけ用ペリ
クルとして用いることを特徴とするものである。
すなわち、本発明者らはエキシマレーザ−リソグラフィ
ー用のペリクルを開発すべく種々検討した結果、従来公
知のニトロセルロース、酢酸セルロースに代えて酸化け
い素膜をペリクルとして使用したところ、このものはエ
キシマレーザ−光をよく通過させるため、１５０〜３０
０ｎｍの短波長域でも大きな吸収端を生ずることがない
のでエキシマレーザ−リソグラフィー用のペリクルとし
て有用とされるということを見出し、このペリクルとし
ての酸化けい素薄膜の形状、構造、その製造方法などに
ついての研究を進めて本発明を完成させた。
ー用のペリクルを開発すべく種々検討した結果、従来公
知のニトロセルロース、酢酸セルロースに代えて酸化け
い素膜をペリクルとして使用したところ、このものはエ
キシマレーザ−光をよく通過させるため、１５０〜３０
０ｎｍの短波長域でも大きな吸収端を生ずることがない
のでエキシマレーザ−リソグラフィー用のペリクルとし
て有用とされるということを見出し、このペリクルとし
ての酸化けい素薄膜の形状、構造、その製造方法などに
ついての研究を進めて本発明を完成させた。
本発明で用いられるペルクルとしての酸化けい素は薄膜
状のものとすればよいが、これはその厚さが０．５μｍ
よりうずいとメンブレン化したときの膜強度が不足し、
１０μ騰より厚くなると光の透過率が低下するので０．
５〜１０μ■の範囲のものとする必要があるが、この好
ましい範囲は１〜５μ騰とされる。
状のものとすればよいが、これはその厚さが０．５μｍ
よりうずいとメンブレン化したときの膜強度が不足し、
１０μ騰より厚くなると光の透過率が低下するので０．
５〜１０μ■の範囲のものとする必要があるが、この好
ましい範囲は１〜５μ騰とされる。
また、この酸化けい素薄膜は公知のプラズマＣＶＤ法で
または高周波マグネトロンスパッタ法などで作ることが
できるので、したがってこれは例えばシリコン単結晶な
どの基板上にＳｉＨ４ガスとＮ２０ガスを流し、これを
プラズマＣＶＤ法で処理してＳｉ結晶の両面に酸化けい
素（Ｓ ｉＯＷ膜を形成させたのち、裏面のＳｉＯ□の
一部をＣＦ４１０２などでドライエツチングし、ついで
ＨＮＯ，、ＨＦ、ＮａＮ０．（７）混合液ニ浸漬シテＳ
ｉ基板を選択エツチングすれば１表面のＳｉＯ２の自立
膜を容易にがっ安定して得ることができる。
または高周波マグネトロンスパッタ法などで作ることが
できるので、したがってこれは例えばシリコン単結晶な
どの基板上にＳｉＨ４ガスとＮ２０ガスを流し、これを
プラズマＣＶＤ法で処理してＳｉ結晶の両面に酸化けい
素（Ｓ ｉＯＷ膜を形成させたのち、裏面のＳｉＯ□の
一部をＣＦ４１０２などでドライエツチングし、ついで
ＨＮＯ，、ＨＦ、ＮａＮ０．（７）混合液ニ浸漬シテＳ
ｉ基板を選択エツチングすれば１表面のＳｉＯ２の自立
膜を容易にがっ安定して得ることができる。
このようにして得られた酸化けい素薄膜は紫外線透過率
が高く、波長が１７５〜３．０Ｏｎ＋＊であるエキシマ
レーザ−光もよく通過させるので、エキシマレーザ−リ
ソグラフィー用のペリクルとして特に有用とされる。
が高く、波長が１７５〜３．０Ｏｎ＋＊であるエキシマ
レーザ−光もよく通過させるので、エキシマレーザ−リ
ソグラフィー用のペリクルとして特に有用とされる。
つぎに本発明の実施例をあげる。
実施例１
厚さが４００ｔｉｍの４インチのシリコン基板のく１０
０＞面に、Ｓ ｉ Ｈ４２０Ｃ，Ｃ，、Ｎ、０ ２，０
ｏｏｃ、ｃ、を流し、プラズマＣＶＤにがけて厚さ２μ
−のＳｉｎ、膜を形成させた。
０＞面に、Ｓ ｉ Ｈ４２０Ｃ，Ｃ，、Ｎ、０ ２，０
ｏｏｃ、ｃ、を流し、プラズマＣＶＤにがけて厚さ２μ
−のＳｉｎ、膜を形成させた。
ついてこのシリコン基板のフラットネス（ＢＯＷ）をＳ
ｉ Ｏ，＠形成の前後でｍ定り、ＳｉＯ，ｌｌｉの残
留応力を測定したところ、これは３．３ Ｘ １０９ダ
イン／ｄの引張応力であった。
ｉ Ｏ，＠形成の前後でｍ定り、ＳｉＯ，ｌｌｉの残
留応力を測定したところ、これは３．３ Ｘ １０９ダ
イン／ｄの引張応力であった。
また、このシリコン基板については上記と同じ方法でそ
の裏面にも厚さ２」のＳｉｎ、膜を形成させたのち、ｃ
Ｆ、１０ａでドライエツチングして裏面のＳｉＯ□膜
中心部に５０ｍｍ角の開口部を設け、これを９５ａ＋Ｑ
のＨＮＯ３（６５％）、５ｍＱのＨＦ （４０％）と１
ｇのＮａＮ０．の混合液に浸してシリコン基板を選択エ
ツチングしたところ。
の裏面にも厚さ２」のＳｉｎ、膜を形成させたのち、ｃ
Ｆ、１０ａでドライエツチングして裏面のＳｉＯ□膜
中心部に５０ｍｍ角の開口部を設け、これを９５ａ＋Ｑ
のＨＮＯ３（６５％）、５ｍＱのＨＦ （４０％）と１
ｇのＮａＮ０．の混合液に浸してシリコン基板を選択エ
ツチングしたところ。
５０ｍ口の厚さ２ｔ１ＭのＳ ｉ Ｏ，膜の自立膜が得
られた。
られた。
つぎのこのものの紫外線透過率をしらべたところ、第１
図に示したとおりの結果が得られ、これに高さ５＋ｍ、
肉厚２■、６０ｍφのアルミニウムを第２図に示したよ
うに接着して補強してペリクルを作成したところ、この
ものはＫｒＦエキシマレーザ−光（２４９ｍｎ）で９２
％の透過率を示した。
図に示したとおりの結果が得られ、これに高さ５＋ｍ、
肉厚２■、６０ｍφのアルミニウムを第２図に示したよ
うに接着して補強してペリクルを作成したところ、この
ものはＫｒＦエキシマレーザ−光（２４９ｍｎ）で９２
％の透過率を示した。
実施例２
実施例１におけるＳｉＨいＮ、ＯガスをＳ ｉ Ｈ４２
０Ｃ，Ｃ，，０，２０Ｃ，Ｃ，としたほかは実施例１と
同様に処理したところ、シリコン基板の表面に厚さ０．
５１１ＭのＳｉＯ２膜が形成された。
０Ｃ，Ｃ，，０，２０Ｃ，Ｃ，としたほかは実施例１と
同様に処理したところ、シリコン基板の表面に厚さ０．
５１１ＭのＳｉＯ２膜が形成された。
ついで、このシリコン基板の裏面に上記と同様の方法で
厚さ０．５ｐのＳｉＯ□膜を形成させ、以下実施例１と
同様に処理して厚さ０．５１のＳ ｉ Ｏ，膜の自立膜
を作り、このものの紫外線透過率を測定したところ、第
１図に併記したとおりの結果が得られ、これから実施例
１と同様の方法で作成したペリクルはＡｒＦエキシマレ
ーザ−光１９３＋ａｎ）で７４％の透過率を示した。
厚さ０．５ｐのＳｉＯ□膜を形成させ、以下実施例１と
同様に処理して厚さ０．５１のＳ ｉ Ｏ，膜の自立膜
を作り、このものの紫外線透過率を測定したところ、第
１図に併記したとおりの結果が得られ、これから実施例
１と同様の方法で作成したペリクルはＡｒＦエキシマレ
ーザ−光１９３＋ａｎ）で７４％の透過率を示した。
実施例３
実施例１で使用したシリコン基板上に、Ｓ ｉ 、 Ｈ
，２ＱＣｏＣ，，０，５０Ｃ，Ｃ，のガスを流し、ニー
に１３．５６ＭＨｚの高周波を印加し、高周波マグネト
ロンスパッター法でこシに厚さ５μｍのＳ ｉ Ｏ２膜
を形成させたところ、このＳｉｎ、膜の残留反応は引張
応力で１．ｌＸ１０’ダイン／ｄであった。
，２ＱＣｏＣ，，０，５０Ｃ，Ｃ，のガスを流し、ニー
に１３．５６ＭＨｚの高周波を印加し、高周波マグネト
ロンスパッター法でこシに厚さ５μｍのＳ ｉ Ｏ２膜
を形成させたところ、このＳｉｎ、膜の残留反応は引張
応力で１．ｌＸ１０’ダイン／ｄであった。
ついで、このシリコンの裏面に上記と同様の方法で厚さ
５ｐのＳｉＯ□膜を形成させ、以下実施例１と同様に処
理して厚さ５−のＳｉＯ□膜の自立膜を作り、この紫外
線透過率を測定したところ。
５ｐのＳｉＯ□膜を形成させ、以下実施例１と同様に処
理して厚さ５−のＳｉＯ□膜の自立膜を作り、この紫外
線透過率を測定したところ。
第１図に併記したとおりの結果が得られ、これから実施
例１と同様の方法で作成したペリクルはＡｒＦエキシマ
レーザ−光（１９３ｎｍ）で４８％の透過率を示した。
例１と同様の方法で作成したペリクルはＡｒＦエキシマ
レーザ−光（１９３ｎｍ）で４８％の透過率を示した。
第１図は本発明のペリクルとしての酸化けい製薄膜の紫
外線透過率を示すグラフ、第２図は本発明の酸素けい製
薄膜ペリクルの構造を示す縦断面図、第３図は従来公知
のニトロセルロースペリクルの光線透過率を示すグラフ
である。 ７゜ 一−◆追長（ｎｍ） 第１図 第２図 Ａｌ１管 第３図
外線透過率を示すグラフ、第２図は本発明の酸素けい製
薄膜ペリクルの構造を示す縦断面図、第３図は従来公知
のニトロセルロースペリクルの光線透過率を示すグラフ
である。 ７゜ 一−◆追長（ｎｍ） 第１図 第２図 Ａｌ１管 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、エキシマレーザー光を用いる露光方式において、酸
化けい素膜をゴミよけ用ペリクルとして用いてなること
を特徴とするエキシマレーザーリソグラフィー用ペリク
ル。 ２、酸化けい素膜が厚さ０．５〜１０μｍのものである
請求項１に記載のエキシマレーザーリソグラフィー用ペ
リクル。 ３、エキシマレーザー光が波長１７５〜３００ｎｍのも
のである請求項１に記載のエキシマレーザーリソグラフ
ィー用ペリクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63214294A JPH0262542A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | エキシマレーザーリソグラフィー用ペリクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63214294A JPH0262542A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | エキシマレーザーリソグラフィー用ペリクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0262542A true JPH0262542A (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=16653345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63214294A Pending JPH0262542A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | エキシマレーザーリソグラフィー用ペリクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0262542A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6368683B1 (en) | 1999-04-02 | 2002-04-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle for photolithography |
| JP2009116284A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
| JP2009271262A (ja) * | 2008-05-02 | 2009-11-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
| JP2009282298A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
| JP2018531426A (ja) * | 2015-10-22 | 2018-10-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置用のペリクルを製造する方法、リソグラフィ装置用のペリクル、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、ペリクルを処理するための装置、及びペリクルを処理する方法 |
| US10488751B2 (en) * | 2014-09-19 | 2019-11-26 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle, production method thereof, exposure method |
| US10585348B2 (en) | 2014-09-19 | 2020-03-10 | Mitsui Chemicals, Inc. | Pellicle, pellicle production method and exposure method using pellicle |
Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6235359A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Daicel Chem Ind Ltd | コ−テツド薄膜の製造法 |
| JPS63262651A (ja) * | 1987-04-21 | 1988-10-28 | Seiko Epson Corp | フオトマスク保護膜 |
-
1988
- 1988-08-29 JP JP63214294A patent/JPH0262542A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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