JP6730496B2 - エレクトレット部品および発電装置 - Google Patents

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Description

この発明は、時計における機械部品を構成する時計部品および時計部品の製造方法に関する。
従来、機械式時計においては、ひげぜんまいとテン輪（テン真付）とによって構成され、駆動機構（ムーブメント）を規則正しく一定の速度を保って動作させる調速機（テンプ）が用いられている。テン輪は、規則正しく一定の速度を保つ、いわゆる等時性のあるひげぜんまいの伸縮により、規則正しく往復回転運動をおこなう。テンプには、ガンギ車とアンクルとによって構成される脱進機が連結されており、ひげぜんまいからのエネルギーが伝達されることによって、動作（振動）を持続する。
一般に、ひげぜんまいは、金属を加工することによって形成されるひげぜんまいが広く知られている。金属を加工することによって形成されるひげぜんまいは、加工精度のばらつきや、金属が有する内部応力の影響などによって、設計通りの形状が得られない場合があった。規則的にテンプを振動させる必要があるひげぜんまいが、設計通りの形状が得られない場合、テン輪も等時性のある運動ができなくなる。この場合、一日あたりの時計の進みまたは遅れの程度を示す、いわゆる時計の歩度にずれが生じてしまう。
近年、シリコン基板をエッチング加工することによって時計部品を製造する試みがなされている。シリコン基板をエッチング加工することによって形成される時計部品は、従来の金属部品を用いて形成される時計部品に比べて軽量化できる。また、シリコン基板をエッチング加工することによって形成される時計部品は、精度よく大量生産ができる。このため、シリコン基板をエッチング加工することによって形成される時計部品を用いることにより、小型で軽量の時計の製造が期待されている。
シリコン基板のエッチングに際しては、ドライエッチング技術である反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）技術を用いることができる。このＲＩＥ技術は、近年において進歩しており、ＲＩＥ技術の中でも、深掘りＲＩＥ（Ｄｅｅｐ ＲＩＥ）技術が開発され、アスペクト比が高いエッチングができる。ＲＩＥ技術を用いてシリコン基板をエッチングすることにより、エッチングがフォトレジストなどでマスクした部分の下に回り込まず、垂直深さ方向においてマスクパターンを忠実に再現でき、時計部品を設計通りの形状で精度よく製造することができる。
シリコンを用いて形成された時計部品は、金属よりも温度特性がよく、金属を用いて形成された従来のひげぜんまいよりも環境温度に対して変形しにくい。このため、時計の調速機構を構成する時計部品にＲＩＥ技術などのドライエッチング技術を応用することが考えられている。一方で、シリコンは脆性材料であるため、シリコンを用いて形成された時計部品は、時計が大きな衝撃を受けたときに破損してしまう恐れがある。
このような不具合を解消するため、従来、たとえば、ひげぜんまいを平面視したときの一平面であるぜんまい部の上面に開口部を設けてひげぜんまいの質量を減少させることにより、開口部のないひげぜんまいと同等の剛性を維持しつつ衝撃による影響を受け難くするようにした技術があった（たとえば、下記特許文献１を参照。）。
特開２０１２−２１９８４号公報
しかしながら、上述した特許文献１に記載された従来の技術は、開口部を設けることにより開口部の部分が薄くなるため、開口部周辺の強度が不足して、時計に大きな衝撃が加わった場合に、ひげぜんまいが破損してしまうことがあるという問題があった。具体的に、たとえば、ひげぜんまいの大きさは、当該ひげぜんまいが組み込まれる時計のサイズなどに応じて異なり、一般的な腕時計の場合、直径が５ｍｍ〜８ｍｍ程度のひげぜんまいが用いられる。
このような直径のひげぜんまいにおいては、ぜんまい部を構成する部分の上面の幅は数十μｍとなり、上述した特許文献１に記載された従来の技術は、このように薄い部分に開口部を設けることにより、却ってぜんまい部が破損し易くなってしまうという問題があった。このようなひげぜんまいの破損は、具体的には、たとえば、時計に大きな衝撃が加わった場合に、隣り合うコイル形状のぜんまい部が接触することによって生じる。
また、シリコンのような脆性材料を用いて形成されたひげぜんまいに対して、何らかの衝撃が加わった場合、当該ひげぜんまいの角部に応力が集中する。このため、時計に大きな衝撃が加わった場合、当該衝撃の影響によって、ひげぜんまいの角部に欠けやひび割れが生じてしまう。ひげぜんまいが破損したり、一部が欠けたりすると、テン輪が規則正しい往復回転運動をおこなうことができず、時計として機能しなくなってしまう。また、破損したひげぜんまいの破片が飛び散って駆動機構に入り込んだ場合、時計そのものに致命的な障害を起こす恐れがあるという問題があった。
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、製造にかかる精度が高く、軽量化を図ることができ、かつ、外部から衝撃が加えられた場合にも破壊し難く高い強度を発揮することができる時計部品および時計部品の製造方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するため、この発明にかかる時計部品は、時計を構成する時計部品であって、非導電性の第１の材料を主成分として形成された母材と、前記母材の表面の少なくとも一部に設けられた中間膜と、前記中間膜に積層され、前記第１の材料よりも粘靱性の高い第２の材料を主成分とする緩衝膜と、を備えたことを特徴とする。
また、この発明にかかる時計部品の製造方法は、非導電性の第１の材料を主成分として形成された基板をエッチングして時計部品の形状をなす母材を形成する工程と、前記母材の表面の少なくとも一部に中間膜を形成する工程と、前記中間膜に、前記第１の材料よりも粘靱性の高い第２の材料を主成分とする材料を積層して緩衝膜を形成する工程と、を含んだことを特徴とする。
また、この発明にかかるエレクトレット部品は、第１の材料を主成分として形成された母材の表面に、複数の帯電体が設けられたエレクトレット部品であって、前記母材の表面の帯電体が設けられた部分以外の位置に、中間膜と、前記中間膜に積層され、前記第１の材料よりも粘靱性の高い第２の材料を主成分とする緩衝膜と、を備えたことを特徴とする。
また、この発明にかかるエレクトレット部品は、上記の発明において、前記母材の、前記複数の帯電体の間に開口が設けられていることを特徴とする。
また、この発明にかかるエレクトレット部品は、上記の発明において、前記母材は円板形状であり、前記母材が、軸が嵌合される軸穴を備え、前記軸穴の内周面に、前記中間膜と、前記緩衝膜と、を備えたことを特徴とする。
また、この発明にかかるエレクトレット部品は、上記の発明において、前記第１の材料が、シリコンであることを特徴とする。
また、この発明にかかるエレクトレット部品は、上記の発明において、前記第２の材料が、樹脂であることを特徴とする。
また、この発明にかかるエレクトレット部品は、上記の発明において、前記中間膜の材料が、金属であることを特徴とする。
また、この発明にかかるエレクトレット部品は、上記の発明において、前記金属が、銅、金またはニッケルであることを特徴とする。
また、この発明にかかる発電装置は、上記の発明のエレクトレット部品を用いることを特徴とする。
この発明にかかる時計部品および時計部品の製造方法によれば、製造にかかる精度が高く、軽量化を図ることができ、かつ、外部から衝撃が加えられた場合にも破壊し難く高い強度を発揮することができるという効果を奏する。
図１は、機械式時計の駆動機構を示す説明図である。 図２は、この発明にかかる実施の形態１のひげぜんまいの構造を示す説明図である。 図３は、図２におけるＡ−Ａ’断面を示す説明図である。 図４は、この発明にかかる実施の形態１のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その１）である。 図５は、この発明にかかる実施の形態１のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その２）である。 図６は、この発明にかかる実施の形態１のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その３）である。 図７は、この発明にかかる実施の形態１のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その４）である。 図８は、この発明にかかる実施の形態１のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その５）である。 図９は、この発明にかかる実施の形態１のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その６）である。 図１０は、この発明にかかる実施の形態２のひげぜんまいの構造を示す説明図である。 図１１は、図１０におけるＢ−Ｂ’断面を示す説明図である。 図１２は、この発明にかかる実施の形態２のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その１）である。 図１３は、この発明にかかる実施の形態２のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その２）である。 図１４は、この発明にかかる実施の形態３のひげぜんまいの構造を示す説明図である。 図１５は、図１４におけるＣ−Ｃ’断面を示す説明図である。 図１６は、この発明にかかる実施の形態３のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その１）である。 図１７は、この発明にかかる実施の形態３のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その２）である。 図１８は、この発明にかかる実施の形態３のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その３）である。 図１９は、この発明にかかる実施の形態３のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その４）である。 図２０は、この発明にかかる実施の形態３のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その５）である。 図２１は、この発明にかかる実施の形態３のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その６）である。 図２２は、この発明にかかる実施の形態３のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その７）である。 図２３は、この発明にかかる実施の形態３のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その８）である。 図２４は、この発明にかかる実施の形態３のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その９）である。 図２５は、この発明にかかる実施の形態３のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その１０）である。 図２６は、この発明にかかる実施の形態３のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その１１）である。 図２７は、この発明にかかる実施の形態４のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その１）である。 図２８は、この発明にかかる実施の形態４のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その２）である。 図２９は、この発明にかかる実施の形態４のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その３）である。 図３０は、この発明にかかる実施の形態４のひげぜんまいの製造方法を示す説明図（その４）である。 図３１は、実施の形態５のアンクルの構造を示す説明図である。 図３２は、図３１におけるＤ−Ｄ’断面を示す説明図である。 図３３は、実施の形態６の歯車の構造を示す説明図である。 図３４は、この発明にかかる実施の形態６のエレクトレットを示す説明図（その１）である。 図３５は、この発明にかかる実施の形態６のエレクトレットを示す説明図（その２）である。 図３６は、機械式時計における駆動機構の一部を示す説明図（その１）である。 図３７は、機械式時計における駆動機構の一部を示す説明図（その２）である。
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる時計部品および当該時計部品の製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。
＜実施の形態１＞
（機械式時計の駆動機構）
まず、この発明にかかる実施の形態１の製造方法によって製造される、この発明にかかる実施の形態１の時計部品が組み込まれる時計の駆動機構として、機械式時計の駆動機構について説明する。図１は、機械式時計の駆動機構を示す説明図である。図１においては、この発明にかかる実施の形態１の製造方法によって製造される、この発明にかかる実施の形態１の時計部品が組み込まれる機械式時計の駆動機構を示している。
図１において、この発明にかかる実施の形態１の製造方法によって製造される時計部品が組み込まれる機械式時計の駆動機構１０１は、香箱１０２、脱進機１０３、調速機構（テンプ）１０４、輪列（駆動輪列）１０５などを備えている。香箱１０２は、薄い円筒形状をなす箱の内側に、図示を省略する動力ぜんまいを収容している。香箱１０２の外周部の香箱車と呼ばれる歯車が設けてあり、輪列１０５を構成する番車と噛み合っている。
動力ぜんまいは、巻回された状態の長尺状の金属薄板であって、香箱１０２の中に収容されている。動力ぜんまいの中心の端部（巻回された状態において内周側に位置する端部）は、香箱１０２の中心軸（香箱真）に取り付けられている。動力ぜんまいの外側の端部（巻回された状態において外周側に位置する端部）は、香箱１０２の内面に取り付けられている。
脱進機１０３は、ガンギ車１０６およびアンクル１０７によって構成される。ガンギ車１０６は、カギ型の歯を備えた歯車であって、ガンギ車１０６の歯はアンクル１０７に噛み合う。アンクル１０７は、ガンギ車１０６の歯に噛み合うことによってガンギ車１０６の回転運動を往復運動に変換する。
テンプ１０４は、ひげぜんまい１０８やテン輪１０９などによって構成される。ひげぜんまい１０８とテン輪１０９とは、テン輪１０９の中心に設けられたテン芯１０９ａによって連結されている。ひげぜんまい１０８は、巻回された状態の長尺状の部材であって、渦巻き形状をなしている（図２を参照）。ひげぜんまい１０８は、機械式時計に組み込まれて駆動機構１０１を構成した状態において、優れた等時性を示すように設計されている。
テンプ１０４は、ひげぜんまい１０８のバネ力による伸縮によって、規則正しく往復運動をおこなうことができる。テン輪１０９は、リング形状をなし、アンクル１０７からの反復運動を調節・制御して、一定速度の振動を保つ。テン輪１０９は、テン輪１０９がなすリング形状の内側には、テン芯１０９ａから放射状に延設するアームが設けられている。
輪列１０５は、香箱１０２からガンギ車１０６の間に設けられて、それぞれが噛み合わされた複数の歯車によって構成される。具体的には、輪列１０５は、二番車１１０、三番車１１１、四番車１１２などによって構成される。香箱１０２の香箱車は、二番車１１０と噛み合っている。四番車１１２には秒針１１３が装着され、二番車１１０には分針１１４が装着されている。図１においては、時針や各歯車を支持する地板などは図示を省略する。
駆動機構１０１においては、動力ぜんまいの中心は逆回転できないように香箱１０２の中心（香箱真）に固定されており、動力ぜんまいの外側の端部は香箱の内周面に固定されているため、香箱１０２の中心（香箱真）に巻き付けられた動力ぜんまいが元に戻ろうとすると、巻き上げられた方向と同じ方向にほどけようとする動力ぜんまいの外側の端部に付勢されて、香箱１０２が巻き上げられたぜんまいがほどける方向と同じ方向に回転する。香箱１０２の回転は、二番車１１０、三番車１１１、四番車１１２に順次伝達され、四番車１１２からガンギ車１０６に伝達される。
ガンギ車１０６にはアンクル１０７が噛み合っているため、ガンギ車１０６が回転すると、ガンギ車１０６の歯（衝撃面）がアンクル１０７の入り爪を押し上げ、これによってアンクル１０７におけるテンプ１０４側の先端がテンプ１０４を回転させる。テンプ１０４が回転すると、アンクル１０７の出爪が即座にガンギ車１０６を停止させる。テンプ１０４がひげぜんまい１０８の力で逆回転すると、アンクル１０７の入り爪が解除され、ガンギ車１０６が再び回転する。
このように、調速機構１０４は、等時性のあるひげぜんまい１０８の伸縮によってテンプ１０４に規則正しい往復回転運動を繰り返させ、脱進機１０３は、テンプ１０４に対して往復運動するための力を与え続けるとともに、テンプ１０４からの規則正しい振動によって輪列１０５における各歯車を一定速度で回転させる。ガンギ車１０６、アンクル１０７、テンプ１０４は、テンプ１０４の往復運動を回転運動に変換する調速機構を構成する。
（ひげぜんまい１０８の構造）
図２は、この発明にかかる実施の形態１のひげぜんまい１０８の構造を示す説明図である。図２においては、実施の形態１のひげぜんまい１０８を図１における矢印Ｘ方向から見た平面図を示している。より具体的には、図２においては、ひげぜんまい１０８を、輪列１０５を構成する歯車１１０〜１１２などの回転軸体の軸方向から平面視した状態を示している。以降、実施の形態１のひげぜんまい１０８に、符号１０８ａを付して説明する。
図２において、ひげぜんまい１０８ａは、ひげ玉３と、ぜんまい部２と、ひげ持４と、から構成されている。ひげ玉３は、中心部に、回転軸体であるテン真と嵌合するための貫通孔３１を有するひげ玉３を備えている。ぜんまい部２は、ひげ玉３の貫通孔３１を中心にして、ひげ玉３に巻回されるように設計されたコイル形状をなしている。ひげ持４は、ぜんまい部２の巻き終わりと接続している。ぜんまい部２は、巻き始め部分において、接続部３２を介してひげ玉３と接続している。
図３は、図２におけるＡ−Ａ’断面を示す説明図である。図３においては、ぜんまい部２の４つの周回部分を拡大して示している。図３に示すように、ぜんまい部２は、内側の周回から、ぜんまい腕２０１ａ、２０１ｂ、２０１ｃ、２０１ｄが接続されることによって１つの構造体をなしている。
ぜんまい腕２０１のうち、ぜんまい腕２０１ａはぜんまい部２のうちのもっとも内周側に位置し、内周側から外周側に向かって順次ぜんまい腕２０１ｂ、ぜんまい腕２０１ｃが位置し、ぜんまい腕２０１ｄはぜんまい部２のうちのもっとも外周側に位置する。各ぜんまい腕２０１ａ〜２０１ｄは、たとえば、幅は５０μｍ、高さは１００μｍとすることができる。
ぜんまい腕２０１ａ〜２０１ｄは、母材１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄの表面に、中間膜５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ、および、緩衝膜２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄを順次積層して構成されている。緩衝膜２１ａ〜２１ｄは、ひげぜんまい１０８ａにおける最表面に形成されている。上述したように、ぜんまい腕２０１ａ〜２０１ｄは一体の１つの構造物をなしているため、母材１１ａ〜１１ｄも１つの構造体をなしている。同様に、中間膜５１ａ〜５１ｄも１つの構造体をなし、緩衝膜２１ａ〜２１ｄも１つの構造体をなしている。
母材１１ａ〜１１ｄは、第１の材料を用いて形成されている。第１の材料としては、たとえば、水晶、セラミックス、シリコン、シリコン酸化物などを主成分とする材料を用いることができる。第１の材料としてシリコンを用いて母材１１ａ〜１１ｄを形成することにより、ひげぜんまい１０８ａの軽量化を図ることができる。
また、第１の材料としてシリコンを用いて母材１１ａ〜１１ｄを形成することにより、ひげぜんまい１０８ａの製造に際しての良好な加工性を確保することができる。具体的に、第１の材料としてシリコンを用いて母材１１を形成することにより、深掘りＲＩＥ技術を用いてひげぜんまい１０８ａを製造することができる。
深掘りＲＩＥ技術は、半導体製造技術として一般によく用いられている。深掘りＲＩＥ技術は、ドライエッチング加工の一つである反応性イオンエッチングの一つであって、高い精度での微細加工をおこなうことができる技術として広く知られている。深掘りＲＩＥ技術を用いてシリコン基板をドライエッチングして加工することにより、ひげぜんまい１０８ａを高精度に製造することができる。また、深掘りＲＩＥ技術を用いてひげぜんまい１０８ａを製造することにより、ぜんまい部２と、ひげ玉３と、ひげ持４とを、一体に形成することができる。
中間膜５１ａ〜５１ｄは、母材１１ａ〜１１ｄを形成する第１の材料よりも粘靭性の高い材料を用いて形成されている。粘靭性は、外部からの圧力に対して壊れにくい性質、いわゆる「粘り強さ」を示す。粘靭性が高い材料は、良好な粘り強さを示す。具体的には、中間膜５１ａ〜５１ｄは、たとえば、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）、アルミナ（酸化アルミニウム：Ａｌ2Ｏ3）、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ‐Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）などを用いて形成してもよい。
シリコン酸化物によって形成される中間膜５１ａ〜５１ｄは、シリコンを大気中に暴露することによって形成されるシリコン酸化物によって形成される自然酸化膜を含む。ＤＬＣは、炭素（Ｃ）の同位体や炭化水素を主成分として構成され、アモルファス構造をなす。ＤＬＣは、硬質の膜であり、近年、プラズマイオンを注入したり、スパッタリングにより金属元素を添加するなどの各種の方法により導電性が付与されたものが存在する。
また、中間膜５１ａ〜５１ｄは、導電性を有していてもよく、たとえば、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）などの金属材料を用いて形成してもよい。また、具体的には、中間膜５１ａ〜５１ｄは、複数の材料を混合してなる合金を用いて形成してもよい。
具体的に、中間膜５１ａ〜５１ｄは、たとえば、母材１１ａ〜１１ｄの表面に、銅（Ｃｕ）を０．２μｍの厚さで成膜することによって形成することができる。また、具体的に、中間膜５１ａ〜５１ｄは、たとえば、母材１１ａ〜１１ｄを形成するシリコンを大気中に暴露することによって形成される自然酸化膜によって実現してもよい。
中間膜５１ａ〜５１ｄを形成する材料は、たとえば、ひげぜんまい１０８ａなどの時計部品に求められる硬さに応じて適宜設定することができる。ひげぜんまい１０８ａなどの時計部品に求められる硬さは、たとえば、機械式時計の仕様、使用環境、製造にかかるコストなどに応じて任意に設定することができる。また、ひげぜんまい１０８ａなどの時計部品に求められる硬さは、中間膜５１ａ〜５１ｄの材料に限らず、たとえば、中間膜５１ａ〜５１ｄの膜厚によっても調整することができる。
具体的には、たとえば、ひげぜんまい１０８ａなどの時計部品に高い硬度を求める場合、銅（Ｃｕ）や金（Ａｕ）よりも固い金属であるチタン（Ｔｉ）を用いることができる。一方、たとえば、ひげぜんまい１０８ａなどの時計部品に柔軟性やしなやかさを求める場合、比較的柔らかい特性を有する銅（Ｃｕ）や金（Ａｕ）を用いることができる。銅（Ｃｕ）や金（Ａｕ）は、柔らかい特性ゆえにしなやかさを発揮することができ、これによりひげぜんまい１０８ａの変形に追従して変形することができるので、ひげぜんまい１０８ａをシリコンを用いて形成する場合にも当該ひげぜんまい１０８ａの脆弱性（もろさ）を低減することができる。
緩衝膜２１ａ〜２１ｄは、第２の材料を主成分として形成されている。第２の材料は、第１の材料よりも粘靭性の高い材料によって実現することができる。具体的には、たとえば、第１の材料がシリコンである場合、第２の材料はシリコンよりも粘靭性の高い樹脂によって実現することができる。第２の材料としては、たとえば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、高分子合成材料であるパラキシリレン系ポリマーなどを用いることができる。
アクリル樹脂は、近年、さまざまな改良がなされており、電着法によって一定の厚みで成膜ができ、かつ、パターニングができる電着レジストと称されるアクリル樹脂が開発されている。このようなアクリル樹脂からなる電着レジストを用いることにより、ひげぜんまい１０８ａなどの精密かつ複雑な形状の時計部品の表面に、一定（均一）の膜厚の緩衝膜２１ａ〜２１ｄを設けることができる。
一定の周期で伸縮運動することが求められるひげぜんまい１０８ａにおいては、ひげぜんまい１０８ａの表面に設ける緩衝膜２１ａ〜２１ｄの厚さが一様でないとバランスを崩して偏心してしまう。電着レジストと称されるアクリル樹脂を用いることにより、一定（均一）の膜厚の緩衝膜２１ａ〜２１ｄを設けることができるため、ひげぜんまい１０８ａを正しく動作させることができる。このように、アクリル樹脂からなる電着レジストは、精密かつ複雑な形状の時計部品、特に、伸縮することによって動作するひげぜんまい１０８ａなどに用いる緩衝膜２１ａ〜２１ｄの材料として適している。
また、ひげぜんまい１０８ａに限らず、他の時計部品においても、いわゆる「緩衝膜溜り」のような緩衝膜２１ａ〜２１ｄの厚さが偏った部分が表面にあったり、緩衝膜２１ａ〜２１ｄの膜厚が場所によって異なっていたりすると、たとえば、可動したときに他の構造体と擦れてしまったり、動作に偏りが生じたりするなどの不具合を生じさせる場合がある。また、緩衝膜２１ａ〜２１ｄが母材１１ａ〜１１ｄの表面から出っ張っていると、時計部品の外形形状が設計時の寸法と異なってしまう場合がある。このような場合、設計通りの形状にならないために、所定の性能を有さない時計部品（不良品）となってしまう。
これに対し、第２の材料として電着レジストと称されるアクリル樹脂を用いて、緩衝膜２１ａ〜２１ｄを電着法によって形成することにより、母材１１ａ〜１１ｄの表面に一定（均一）の膜厚の緩衝膜２１ａ〜２１ｄを設けることができるので、上記のような不具合を回避することができる。緩衝膜２１ａ〜２１ｄは、たとえば、５μｍの厚さで形成する。
緩衝膜２１ａ〜２１ｄの形成を電着法で行うときは、中間膜５１ａ〜５１ｄを電着時に電圧を印加する電極として用いることができる。電着法による物体の電着においては、下地の電極の上部（表面）に、電着される材料（たとえば、アクリル樹脂）が形成される。したがって、形成したい緩衝膜２１ａ〜２１ｄの形状に合わせた形状の中間膜５１ａ〜５１ｄを設けておくことにより、下地となる中間膜５１ａ〜５１ｄの形状を反映した緩衝膜２１ａ〜２１ｄを容易に形成することができる。
（ひげぜんまい１０８ａの製造方法）
つぎに、この発明にかかる実施の形態１の時計部品の製造方法として、ひげぜんまい１０８ａの製造方法について説明する。図４〜図９は、この発明にかかる実施の形態１のひげぜんまい１０８ａの製造方法を示す説明図である。図４〜図６においては、ひげぜんまい１０８ａにおける母材１１ａ〜１１ｄを形成する工程を示している。図７〜図９においては、母材１１ａ〜１１ｄの表面に、金属膜および緩衝膜を順次形成する工程を示している。図４〜図９においては、上述した図３に相当する位置を示している。
ひげぜんまい１０８ａの製造に際しては、まず、シリコン基板６０を準備する。シリコン基板６０は、少なくともひげぜんまい１０８ａが取り出せる大きさの面積と厚みとを有する。シリコン基板６０は、ひげぜんまいの生産性を考慮に入れれば、ひげぜんまい１０８ａが多数個取り出せる大きさであるのが好ましい。
つぎに、図４に示すように、シリコン基板６０のおもて面にマスク層９０ａを形成し、シリコン基板６０の裏面にマスク層９０ｂを成膜する。マスク層９０ａ、９０ｂは、後段の工程においておこなう深掘りＲＩＥ技術を用いた加工での保護膜として機能する。マスク層９０ａ、９０ｂは、シリコンよりもエッチング速度が遅い酸化シリコン（ＳｉＯ2）によって形成することが好ましい。酸化シリコンを用いる場合、マスク層９０ａ、９０ｂは、たとえば、公知の気相成長技術またはＣＶＤ法に代表される成膜技術を用いて形成することができる。マスク層９０ａ、９０ｂは、たとえば、シリコン基板６０のおもて面において酸化シリコンを１μｍの膜厚で成長させることによって形成することができる。
つぎに、図５に示すように、シリコン基板６０のおもて面に、マスク層９１ａを形成する。マスク層９１ａは、マスク層９０ａを、ひげぜんまい１０８ａの形状にパターン化することによって形成することができる。マスク層９１ａは、一般に広く知られているフォトリソグラフィ法を用いた加工によって、ひげぜんまい１０８ａの形状にパターン化することができる。
つぎに、図６に示すように、シリコン基板６０を、ひげぜんまい１０８ａの形状に加工する。シリコン基板６０は、たとえば、ＳＦ6とＣ4Ｆ8との混合ガス（ＳＦ6＋Ｃ4Ｆ8）３００を用いて、深掘りＲＩＥ技術によって、マスク層９１ａを介してドライエッチングをおこなうことにより加工することができる。
シリコン基板６０は、マスク層９１ａを介してドライエッチングをおこなうことにより、所定の幅のひげぜんまいの形状に加工することができる。また、シリコン基板６０は、ドライエッチングの処理時間を管理することによって所定の高さ（深さ）に加工することができる。シリコン基板６０に対するマスク層９１ａを介したドライエッチングにより、図６において符号１１ａ〜１１ｄで示すように、ぜんまい腕２０１ａ〜２０１ｄとなる母材１１ａ〜１１ｄが形成される。
つぎに、図７に示すように、加工後のシリコン基板６０からマスク層９０ｂおよびマスク層９１ａを除去して、ひげぜんまい１０８ａの母材１１ａ〜１１ｄを露出させる。マスク層９０ｂおよびマスク層９１ａは、たとえば、上記のようにドライエッチングされたシリコン基板６０を、フッ化水素酸を主成分とする公知のエッチング液に浸漬することによって除去することができる。
つぎに、図８に示すように、母材１１ａ〜１１ｄの表面に、中間膜５１ａ〜５１ｄを形成する。中間膜５１ａ〜５１ｄは、たとえば、母材１１ａ〜１１ｄの表面全体に形成する。中間膜５１ａ〜５１ｄを形成する材料は、上述したように、たとえば、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などを用いることができる。
銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などを用いた中間膜５１ａ〜５１ｄは、たとえば、真空成膜法の一種であるスパッタリング法を用い、たとえば、０．２μｍの厚さで形成する。あるいは、中間膜５１ａ〜５１ｄは、たとえば、シリコン基板６０を大気中に暴露することによってシリコン基板６０の表面に形成される自然酸化膜（シリコン酸化物）によって実現してもよい。
中間膜５１ａ〜５１ｄは、後段の工程において緩衝膜２１ａ〜２１ｄを設ける際の下地になる。また、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などを用いた中間膜５１ａ〜５１ｄは、後述する電着法を用いて緩衝膜２１ａ〜２１ｄを形成する場合には、電極として機能する。緩衝膜２１ａ〜２１ｄを電極として機能させる場合、中間膜５１ａ〜５１ｄは、電気的な抵抗が低い材料を用いて形成することが好ましい。
つぎに、図９に示すように、中間膜５１ａ〜５１ｄの表面に、緩衝膜２１ａ〜２１ｄを形成する。上述したように、緩衝膜２１ａ〜２１ｄは、ひげぜんまい１０８ａに対して外部から加えられた衝撃力を緩和し、シリコンのような脆性材料からなる母材１１ａ〜１１ｄを破壊から保護するために設けられる。このため、緩衝膜２１ａ〜２１ｄを構成する第２の材料は、母材１１ａ〜１１ｄを構成する第１の材料よりも、粘靭性の高い材料を用いる。
また、緩衝膜２１ａ〜２１ｄを形成する第２の材料は、ひげぜんまい１０８ａなどの時計部品に求める硬度や、中間膜５１ａ〜５１ｄを形成する材料に応じて選択することができる。換言すれば、中間膜５１ａ〜５１ｄを形成する材料は、緩衝膜２１ａ〜２１ｄを形成する第２の材料に応じて選択することができる。
たとえば、中間膜５１ａ〜５１ｄを銅（Ｃｕ）を用いて形成した場合、緩衝膜２１ａ〜２１ｄを構成する第２の材料は、アクリル樹脂やエポキシ樹脂によって実現することが好ましい。緩衝膜２１ａ〜２１ｄは、たとえば、スピンコート装置により回転させた状態のシリコン基板６０に、アクリル樹脂やエポキシ樹脂を吹き付ける手法（たとえば、スパッタリング）や、液状化した樹脂を滴下して形成する手法（たとえば、スピンコート）、液状化した樹脂を入れた液槽に基板を浸漬させた後に取り出して形成する手法など、公知の各種の技術を用いて容易に形成することができる。
具体的に、たとえば、液状化した樹脂を滴下して形成する手法を用いて緩衝膜２１ａ〜２１ｄを形成する場合、まず、液状化した所定の樹脂が満たされたディスペンサー（図示を省略する）を用意する。つぎに、可動台（図示を省略する）に載せたひげぜんまい１０８ａを所定の方向に可動させるなどして、このディスペンサーから緩衝膜２１ａ〜２１ｄの樹脂を滴下する。このとき、ぜんまい腕２０１ａ〜２０１ｄの表面の中間膜５１ａ〜５１ｄからはみ出ないように滴下する。
その後、所定の硬化処理をおこなって樹脂を硬化させる。樹脂を硬化させる硬化処理は、たとえば、紫外線硬化性を有する樹脂を用いた場合は所定時間の紫外線の照射によって実現することができる。また、硬化処理は、たとえば、熱硬化性を有する樹脂を用いた場合は所定時間の加熱によって実現することができる。これにより、ぜんまい腕２０１ａ〜２０１ｄの表面に形成した中間膜５１ａ〜５１ｄの表面に、緩衝膜２１ａ〜２１ｄを形成することができる。
緩衝膜２１ａ〜２１ｄは、電着法を用いて形成することもできる。樹脂を滴下して緩衝膜２１ａ〜２１ｄを形成する手法では、ごくまれに、均一に樹脂を形成できない場合がある。これに対し、電着法を用いることにより、中間膜５１ａ〜５１ｄの表面に、緩衝膜２１ａ〜２１ｄを構成する樹脂を一定の厚みで成膜することができ、かつ、容易にパターニングすることができるようになる。電着法によって緩衝膜２１ａ〜２１ｄを形成する際には、電着レジストと称されるアクリル樹脂を用いる。電着法とは、電気分解によって析出した物質を電圧が印加された中間膜５１ａ〜５１ｄ上に付着させ形成する成膜法であり、広く知られている。
具体的に、たとえば、電着法を用いて緩衝膜２１ａ〜２１ｄを形成する場合、あらかじめ、ひげぜんまい１０８ａの所定の部分に、中間膜５１ａ〜５１ｄを形成する。電着法を用いて緩衝膜２１ａ〜２１ｄを形成する場合は、中間膜５１ａ〜５１ｄは、たとえば、電気的な抵抗が低い銅（Ｃｕ）を用いて形成することが好ましい。中間膜５１ａ〜５１ｄの形成と同時に、この中間膜５１ａ〜５１ｄと電気的に接続された端子領域（図示を省略する）を形成しておく。この端子領域は、ひげぜんまい１０８ａの形状に影響しない部分に設ける。
つぎに、中間膜５１ａ〜５１ｄおよび端子領域が形成された状態のシリコン基板６０を、公知の把持装置などにより固定した状態で、電着レジストを含有する電着液が満たされた液槽に浸漬させる。このとき、中間膜５１ａ〜５１ｄと電気的に接続されている端子領域にプローブなどを接触させておく。このプローブ等は、所定の電源手段に接続されており、これにより、中間膜５１ａ〜５１ｄに所定の電圧を印加することができる。
端子領域にプローブなどを接触させた状態で電着液槽中に浸漬された中間膜５１ａ〜５１ｄに所定の電圧を印加すると、液槽内において、電気分解によって析出した電着レジストが中間膜５１ａ〜５１ｄの表面に付着する。電圧は、電着レジストが所定の膜厚に達するまで印加する。電着レジストは、特に限定しないが、たとえば、５μｍの厚さで成膜する。電着レジストの膜厚は、機械式時計の仕様などに鑑みて自由に設定することができる。このように、電着法を用いて緩衝膜２１ａ〜２１ｄを形成する場合は、電圧を印加する時間を管理することにより、電着レジストの膜厚を容易に調整することができる。
その後、電圧の印加を終了し、液槽からシリコン基板６０を取り出す。これにより、中間膜５１ａ〜５１ｄの形状を反映した緩衝膜２１ａ〜２１ｄを、中間膜５１ａ〜５１ｄの表面に、一定の膜厚で形成することができる。電着法を用いることにより、緩衝膜２１ａ〜２１ｄを形成する前と後とでひげぜんまい１０８ａの形状を大きく異ならせることなく、緩衝膜２１ａ〜２１ｄを形成することができる。
また、具体的には、たとえば、中間膜５１ａ〜５１ｄを自然酸化膜（シリコン酸化物）によって実現する場合、緩衝膜２１ａ〜２１ｄを構成する第２の材料は、パラキシリレン系ポリマーなどの樹脂材料によって実現することが好ましい。パラキシリレン系ポリマーは、有機化合物であるパラキシリレンのポリマーであって、ひげぜんまい１０８ａの表面において重合反応を起こさせることによって薄膜状に形成することができる。
パラキシリレン系ポリマーは、コンフォーマル被覆性に優れている。すなわち、パラキシリレン系ポリマーを用いることにより、たとえば、腕時計に用いられるひげぜんまい１０８ａなどの時計部品のように、微細で、溝・孔・エッジ部分などにより複雑な形状であっても、ピンホールがなく均一な膜厚の緩衝膜２１ａ〜２１ｄを形成することができる。パラキシリレン系ポリマーによる緩衝膜２１ａ〜２１ｄは、たとえば、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）の一つである気相蒸着重合法を用いて形成することができる。
上述のような製造方法により、緩衝膜２１ａ〜２１ｄが全面に形成されたひげぜんまい１０８ａを製造することができる。実施の形態１の時計部品であるひげぜんまい１０８ａは、当該時計部品の形状をなす主要な部材である母材１１ａ〜１１ｄが非導電性材料の第１の材料（たとえば、シリコン）で構成されており、母材１１ａ〜１１ｄの表面の少なくとも一部に中間膜５１ａ〜５１ｄを有している。そして、この中間膜５１ａ〜５１ｄの表面に、第１の材料よりも粘靭性の高い第２の材料からなる緩衝膜２１ａ〜２１ｄを設けている。
このように、実施の形態１の時計部品は、シリコンを用いて形成された母材１１ａ〜１１ｄを備えている。これにより、深掘りＲＩＥ技術を用いたエッチング加工により、高い精度での微細加工をおこなうことができ、微細で複雑な形状をなす時計部品を、高精度かつ加工精度のばらつきを抑えて製造することができる。
また、実施の形態１の時計部品は、母材１１ａ〜１１ｄの表面の少なくとも一部に、母材１１ａ〜１１ｄを形成するシリコンよりも粘靭性の高い材料を用いて形成された中間膜５１ａ〜５１ｄを備えている。これにより、実施の形態１の時計部品は、シリコンを用いて母材１１ａ〜１１ｄを形成した場合にも、シリコンのもろさを緩和し、強固な時計部品を実現することができる。
また、実施の形態１の時計部品は、中間膜５１ａ〜５１ｄの表面に、粘靱性の高い緩衝膜２１ａ〜２１ｄを備えている。これにより、実施の形態１の時計部品は、緩衝膜２１ａ〜２１ｄがクッションの役割を果たし、時計部品が他の構造体と当接したとしても、緩衝膜２１ａ〜２１ｄによって衝撃を緩和することができる。また、実施の形態１の時計部品は、緩衝膜２１ａ〜２１ｄを備えることにより、角部などへの応力集中によるひびや欠けを防止することができる。これにより、時計部品の耐久性の向上を図ることができる。
以上説明したように、実施の形態１の時計部品は、シリコン材料を用いて形成された母材１１ａ〜１１ｄの表面の少なくとも一部に設けられた中間膜５１ａ〜５１ｄによりシリコンのもろさを緩和し、さらに中間膜５１ａ〜５１ｄの表面に設けられた粘靱性の高い緩衝膜２１ａ〜２１ｄにより時計部品に対する外部からの衝撃を緩和して、角部などへの応力集中によるひびや欠けを防止することができる。
実施の形態１の時計部品によれば、中間膜５１ａ〜５１ｄと緩衝膜２１ａ〜２１ｄとの、異なる２つの膜を備えることにより、強固であって、かつ、衝撃により他の構造体との当たりや応力の集中が発生しても破壊し難い時計部品を実現することができる。
また、実施の形態１の時計部品によれば、金属材料などの導電性を有する材料を用いて中間膜５１ａ〜５１ｄを形成することにより、中間膜５１ａ〜５１ｄを電極として用いることもできる。この場合、緩衝膜２１ａ〜２１ｄを電着法を用いて形成することもでき、電着法を用いることにより、一定の膜厚であって、下地（たとえば、中間膜５１ａ〜５１ｄ）の被覆性が高い緩衝膜２１ａ〜２１ｄを形成することができる。
また、実施の形態１の時計部品によれば、金属材料を用いる場合にも、当該金属材料は母材１１ａ〜１１ｄの表面を覆う中間膜５１ａ〜５１ｄを形成する材料として用いている。すなわち、中間膜５１ａ〜５１ｄの膜厚は、シリコンの厚さに対して極めて薄い。これにより、実施の形態１の時計部品は、シリコンの有する優れた温度特性を悪化させることがない。
このため、母材１１ａ〜１１ｄを形成するシリコンと比較して、時計部品としての温度特性が劣る金属材料を用いて中間膜５１ａ〜５１ｄを形成した場合にも、所定の板材形状の金属を圧延するなどして形成した金属板などと異なり、シリコンなどの第１の材料の温度特性を悪化させることがない。これにより、実施の形態１の時計部品は、シリコンの有する優れた温度特性を発揮させるとともに、高い強度を発揮させることができる。
このように、実施の形態１の時計部品によれば、シリコンなどを主成分とする第１の材料を用いて母材１１ａ〜１１ｄを形成することにより、製造にかかる精度の高いひげぜんまい１０８ａの軽量化を図ることができ、かつ、中間膜５１ａ〜５１ｄや緩衝膜２１ａ〜２１ｄを設けることにより、外部から衝撃が加えられた場合にも破壊し難く、高い強度を発揮させることができる。
＜実施の形態２＞
つぎに、この発明にかかる実施の形態２の製造方法によって製造される、この発明にかかる実施の形態２の時計部品としてのひげぜんまいについて説明する。実施の形態２においては、上述した実施の形態１と同一部分は同一符号で示し、説明を省略する。実施の形態２においては、ひげぜんまい１０８に、符号１０８ｂを付して説明する。
図１０は、この発明にかかる実施の形態２のひげぜんまい１０８ｂの構造を示す説明図である。図１０においては、実施の形態２のひげぜんまい１０８ｂを図１における矢印Ｘ方向から見た平面図を示している。図１１は、図１０におけるＢ−Ｂ’断面を示す説明図である。図１０および図１１において、実施の形態２のひげぜんまい１０８ｂは、内側の周回から、ぜんまい腕２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄが接続されることによって１つの構造体をなすぜんまい部２を備えている。
ぜんまい腕２０２ａ〜２０２ｄは、たとえば、実施の形態１と同様に、幅は５０μｍ、高さは１００μｍとすることができる。ぜんまい部２の両端部は、実施の形態１と同様に、中間膜５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄと、緩衝膜２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄと、が重ねて形成されている。ぜんまい腕２０２ａ〜２０２ｄにおいて、母材１１ａ〜１１ｄは、たとえば、実施の形態１と同様に、シリコンを用いて形成することができる。
また、ぜんまい腕２０２ａ〜２０２ｄにおいて、中間膜５２ａ〜５２ｄは、第１の材料からなる母材１１ａ〜１１ｄの４つの角部１１００を覆うように設けられている。中間膜５２ａ〜５２ｄは、実施の形態１と同様の材料を用いて、実施の形態１の製造方法と同様にして形成することができる。中間膜５２ａ〜５２ｄの膜厚は、たとえば、実施の形態１と同様に、０．２μｍとすることができる。
また、ぜんまい腕２０２ａ〜２０２ｄにおいて、緩衝膜２２ａ〜２２ｄは、中間膜５２ａ〜５２ｄの上層に設けられている。緩衝膜２２ａ〜２２ｄは、第２の材料を主成分として用いて形成されている。緩衝膜２２ａ〜２２ｄの膜厚は、特に限定しないが、たとえば、５μｍとすることができる第２の材料は、たとえば、実施の形態１と同様に、樹脂や電着レジストによって実現することができる。第２の材料として電着レジストを用いる場合、第１の実施の形態と同様に、中間膜５２ａ〜５２ｄの表面に、一定の膜厚の緩衝膜２２ａ〜２２ｄを形成することができる。
電着レジストはフォトレジストと同様であるから、公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とを組み合わせることにより、ぜんまい腕２０２ａ〜２０２ｄにおける母材１１ａ〜１１ｄの４つの角部１１００のみに、所定の形状でパターン化された緩衝膜２２ａ〜２２ｄを形成することができる。
ひげぜんまい１０８ｂに何らかの衝撃が加わった場合、角部１１００に応力が集中する。このため、シリコンのような脆性材料を用いてひげぜんまい１０８ｂを形成する場合、衝撃の影響によって角部１１００に欠けやひび割れが生じてしまうことが懸念される。これに対し、実施の形態２のひげぜんまい１０８は、図１１に示すように、応力が集中するひげぜんまい１０８ｂの角部１１００に、中間膜５２ａ〜５２ｄと、粘靭性の高い緩衝膜２２ａ〜２２ｄと、を設けることによって、角部１１００にかかる衝撃を緩和することができる。これにより、強靱なひげぜんまい１０８ｂを実現することができる。
（ひげぜんまい１０８ｂの製造方法）
つぎに、この発明にかかる実施の形態２の時計部品の製造方法として、ひげぜんまい１０８ｂの製造方法について説明する。図１２および図１３は、この発明にかかる実施の形態２のひげぜんまい１０８ｂの製造方法を示す説明図である。ひげぜんまい１０８ｂの製造に際しては、まず、上述した実施の形態１における図４〜図９の工程と同様にして、母材１１ａ〜１１ｄの表面に、中間膜５２ａ〜５２ｄおよび緩衝膜２２ａ〜２２ｄを順次形成する。実施の形態２においては、たとえば、電着法を用いた電着レジストによって形成された緩衝膜２２ａ〜２２ｄを例にして説明する。
つぎに、緩衝膜２２ａ〜２２ｄを所定の形状にパターニングする。緩衝膜２２ａ〜２２ｄのパターニングは、図１２に示すように、電着レジストからなる緩衝膜２１ａ〜２１ｄを、露光マスク５００、５１０を介して、所定の部分だけ紫外光６００で露光することによっておこなう。
実施の形態２における緩衝膜２２ａ〜２２ｄの形成に際しては、たとえば、露光部分が現像されて溶解するタイプの感光性材料による電着レジストを用いることができる。この場合、パターンを残したい部分が露光されないようにマスクするように設計された露光マスク５００、５１０を用いる。たとえば、ひげぜんまい１０８ｂの角部１１００に緩衝膜を残したい場合、露光マスク５００、５１０は、この角部１１００に紫外光６００が照射されないような形状とする。
緩衝膜２２ａ〜２２ｄのパターニングに際しては、図１２に示すように、紫外光６００をひげぜんまい１０８ｂに対して斜め方向から照射することにより、ひげぜんまい１０８ｂの側面８０にも紫外光６００を照射することができる。緩衝膜２２ａ〜２２ｄのパターニングに際しては、具体的には、たとえば、図１２に示すように、母材１１ａ〜１１ｄの表面に対して斜め方向から紫外光６００を照射する露光装置を用いて、４００ｍＪ／ｃｍ2の露光量で照射をおこなう。
つぎに、図１３に示すように、電着レジストからなる緩衝膜２１ａ〜２１ｄにおける露光された部分を除去する。露光された部分を除去することにより、ひげぜんまい１０８ｂの角部１１００のみをパターン化する緩衝膜２２ａ〜２２ｄを形成することができる。露光された部分の除去は、当該露光された部分を、公知の現像液を用いて溶解させることによって除去することができる。露光された部分の除去は、具体的には、たとえば、現像液として２５℃の電解還元イオン水を用いて、２０分間現像することによっておこなう。
その後、ひげぜんまい１０８ｂの角部１１００だけにパターン化された緩衝膜２２ａ〜２２ｄをマスクとして用いて、中間膜５１ａ〜５１ｄをエッチングする。たとえば、中間膜５１ａ〜５１ｄが銅（Ｃｕ）を用いて形成されている場合、塩化第二銅系エッチング液を用いて中間膜５１ａ〜５１ｄのエッチングをおこなうことができる。
これにより、図１１に示すように、中間膜５１ａ〜５１ｄのうち、緩衝膜２２ａ〜２２ｄに覆われていない部分が、エッチングによって除去され、緩衝膜２２ａ〜２２ｄと同じ形状でパターニングされた中間膜５２ａ〜５２ｄが形成される。中間膜５１ａ〜５１ｄのうち、緩衝膜２２ａ〜２２ｄに覆われていない部分がエッチングによって除去されると、エッチングによって除去された部分に対応する部分の母材１１ａ〜１１ｄが露出される。このようにして、図１１に示すように、母材１１ａ〜１１ｄの表面の一部に形成された緩衝膜２２ａ〜２２ｄを備えたひげぜんまい１０８ｂを製造することができる。
以上説明したように、実施の形態２の時計部品は、緩衝膜２１ａ〜２１ｄを電着レジストによってあらかじめ形成しておくことにより、通常のフォトレジストを用いた公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とを組み合わせて、緩衝膜２１ａ〜２１ｄに対して容易に加工を施すことができる。これにより、母材１１ａ〜１１ｄの４つの角部１１００のみを覆う緩衝膜２２ａ〜２２ｄを容易に形成することができる。
実施の形態２の製造方法においては、図１３に示す状態で、以降の加工を止めることもできる。この場合、中間膜５１ａ〜５１ｄは、母材１１ａ〜１１ｄの表面を覆ったままになる。このような構成とすることにより、ひげぜんまい１０８ｂの強度を高めることができる。図１１に示す構造にするか、図１３に示す構造にするかは、たとえば、ひげぜんまい１０８ｂが搭載される機械式時計の仕様や使用環境などに鑑みて選択することができる。
＜実施の形態３＞
つぎに、この発明にかかる実施の形態３の製造方法によって製造される、この発明にかかる実施の形態３の時計部品が組み込まれる時計の駆動機構としてのひげぜんまいについて説明する。実施の形態３においては、上述した実施の形態１、２と同一部分は同一符号で示し、説明を省略する。実施の形態３においては、ひげぜんまい１０８に、符号１０８ｃを付して説明する。
図１４は、この発明にかかる実施の形態３のひげぜんまい１０８ｃの構造を示す説明図である。図１４においては、実施の形態３のひげぜんまい１０８ｃを図１における矢印Ｘ方向から見た平面図を示している。図１５は、図１４におけるＣ−Ｃ’断面を示す説明図である。図１４および図１５において、実施の形態３のひげぜんまい１０８ｃは、内側の周回から、ぜんまい腕２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃ、２０３ｄが接続されることによって１つの構造体をなすぜんまい部２を備えている。ぜんまい腕２０３ａ〜２０３ｄは、たとえば、実施の形態１、２と同様に、幅は５０μｍ、高さは１００μｍとすることができる。
ぜんまい部２において、母材１１ａ〜１１ｄのおもて面側の端面（平面）８１には、幅方向の中央部分に、当該平面８１から母材１１ａ〜１１ｄの裏側の端面（平面）８２側に凹む溝部７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、７１ｄが設けられている。溝部７１ａ〜７１ｄは、所定の幅で所定の深さで凹んでいる。これにより、母材１１ａ〜１１ｄのおもて面側には、平面８１と溝部７１ａ〜７１ｄとによって段差部が形成されている。
また、ぜんまい部２において、母材１１ａ〜１１ｄの平面８２には、幅方向の中央部分に、当該平面８２から平面８１側に凹む溝部７２ａ、７２ｂ、７２ｃ、７２ｄが設けられている。溝部７２ａ〜７２ｄは、所定の幅で所定の深さで凹んでいる。これにより、母材１１ａ〜１１ｄの裏面側には、平面８２と溝部７２ａ〜７２ｄとによって段差部が形成されている。
溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄは、幅が２０μｍであって、深さが４０μｍの寸法に形成されている。溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄの寸法は、特に限定されるものではない。溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄの内側（内面）には、中間膜５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５３ｄが設けられている。
中間膜５３ａ〜５３ｄは、上述した実施の形態１、２と同様に、母材１１ａ〜１１ｄを形成する第１の材料よりも粘靭性の高い材料を用いて形成されている。中間膜５３ａ〜５３ｄは、たとえば、シリコン酸化物、アルミナ、ＤＬＣ、金属材料、金属材料とその他の材料とを混合した合金などを用いて形成することができる。中間膜５３ａ〜５３ｄは、たとえば、上述した実施の形態１、２と同様に、たとえば、０．２μｍの厚さで形成することができる。
中間膜５３ａ〜５３ｄの表面であって当該中間膜５３ａ〜５３ｄの上層には、緩衝膜２３ａ〜２３ｄが設けられている。緩衝膜２３ａ〜２３ｄは、溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄ内に充填されるようにして設けられている。緩衝膜２３ａ〜２３ｄは、たとえば、上述した実施の形態１、２と同様に、第１の材料よりも粘靱性の高い第２の材料を用いて形成されている。具体的には、緩衝膜２３は、たとえば、樹脂や電着レジストなどを第２の材料として用いることができる。電着レジストを用いることにより、中間膜５３ａ〜５３ｄの上層に、一定の膜厚（たとえば、５μｍ）の緩衝膜２３ａ〜２３ｄを形成することができる。実施の形態３において、緩衝膜２３ａ〜２３ｄは、図１５に示すように、溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄを充填するように設けられている。
一般的に、樹脂はシリコンよりも密度が小さい。このため、ひげぜんまい１０８ｃのように、シリコンによって形成された母材１１ａ〜１１ｄに溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄを設け、この溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄに樹脂によって形成された緩衝膜２３を充填することにより、溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄの体積の分だけ、さらなるひげぜんまい１０８ｃの軽量化を図ることができる。
また、溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄの内部を、金属材料を用いて形成された中間膜５３ａ〜５３ｄによって覆うことにより、溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄを設ける（母材１１ａ〜１１ｄから溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄの分の体積を除去する）ことによるひげぜんまい１０８ｃの強度低下を補い、ひげぜんまい１０８ｃの強度を向上させることができる。
さらに、中間膜５３ａ〜５３ｄの上層に、粘靭性の高い緩衝膜２３を設けることにより、ひげぜんまい１０８ｃが破壊されにくくなり、ひげぜんまい１０８ｃの耐久性の向上を図ることができる。また、溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄの角部分を覆うようにして中間膜５３ａ〜５３ｄを設けることにより、ひげぜんまい１０８ｃが強い衝撃を受けた場合にも角部に応力が集中して破損することを防止することができる。これにより、強固なひげぜんまい１０８ｃを製造することができる。
また、溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄの内部に、緩衝膜２３を設けることにより、母材１１ａ〜１１ｄの内側に樹脂を設けることができ、これにより、ぜんまい部２をしなやかにして、ぜんまい部２を折れにくくすることができる。
上述した実施の形態３においては、平面８１、８２を凹形状に凹ませることによって、溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄを形成し、段差部を構成したが、段差部は凹形状によって構成されるものに限るものではない。たとえば、平面８１、８２を、溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄとは反対方向に凸形状に突出させることによって凸部を構成し、当該凸部を覆うようにして中間膜５３ａ〜５３ｄと緩衝膜２３とを形成してもよい。これにより、強固なひげぜんまい１０８ｃを製造することができる。
実施の形態３においては、平面８１および平面８２の両方に、溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄを設けたひげぜんまい１０８ｃについて説明したが、これに限るものではない。溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄは、平面８１または平面８２のいずれか一方のみに設けてもよい。
（ひげぜんまい１０８ｃの製造方法）
つぎに、この発明にかかる実施の形態３の時計部品の製造方法として、ひげぜんまい１０８ｃの製造方法について説明する。図１６〜図２６は、この発明にかかる実施の形態３のひげぜんまい１０８ｃの製造方法を示す説明図である。ひげぜんまい１０８ｃの製造に際しては、まず、シリコン基板６１を準備する。シリコン基板６１は、少なくともひげぜんまい１０８ｃが取り出せる大きさの面積と厚みとを有する。シリコン基板６１は、ひげぜんまいの生産性を考慮に入れれば、ひげぜんまい１０８ｃが多数個取り出せる大きさであることが好ましい。
つぎに、図１６に示すように、シリコン基板６１のおもて側の端面である平面８１のおもて面側にマスク層９２ａを形成し、シリコン基板６１の裏側の端面である平面８２の裏面側にマスク層９２ｂを形成する。マスク層９２ａ、９２ｂには、ひげぜんまいの所定の部分に溝部を形成するための開口パターンが形成されている。
マスク層９２ａ、９２ｂは、後段の工程においておこなう深掘りＲＩＥ技術を用いた加工での保護膜として機能する。マスク層９２ａ、９２ｂは、シリコンよりもエッチング速度が遅い酸化シリコン（ＳｉＯ2）によって形成することが好ましい。マスク層９２ａ、９２ｂは、たとえば、酸化シリコンを１μｍの膜厚で成長させることによって形成することができる。
つぎに、図１７に示すように、処理時間を管理しながら、ＳＦ6とＣ4Ｆ8との混合ガス（ＳＦ6＋Ｃ4Ｆ8）３００を用いて、深掘りＲＩＥ技術によって、マスク層９２ａ、９２ｂを介してドライエッチングをおこなう。これにより、マスク層９２ａ、９２ｂによって覆われていない部分、すなわち所定の形状で空けられた開口パターン部分がエッチング加工される。
すなわち、平面８１側に溝部７１ａ〜７１ｄが形成され、平面８２側に溝部７２ａ〜７２ｄが形成されたシリコン基板６２が形成される。溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄは、特に限定しないが、たとえば、幅が２０μｍ、深さが４０μｍとなるように形成する。シリコン基板６１を深掘りＲＩＥ技術でドライエッチングする際は、平面８１側においておこなうドライエッチングと、平面８２側においておこなうドライエッチングとのように、面ごとに２回に分けてエッチングしてもよい。
つぎに、図１８に示すように、シリコン基板６２から、マスク層９２ａ、９２ｂを除去する。マスク層９２ａ、９２ｂは、たとえば、シリコン基板６２を、フッ化水素酸を主成分とする公知のエッチング液に浸漬することによって除去することができる。これにより、平面８２側に設けられたマスク層９２ａと、平面８１側に設けられたマスク層９２ｂと、を一度に除去することができる。
つぎに、図１９に示すように、シリコン基板６２のおもて面側の平面８１、および、溝部７１ａ〜７１ｄの内壁に、マスク層９３ａを成膜する。また、図１９に示すように、シリコン基板６２の裏面側の平面８２、および、溝部７２ａ〜７２ｄの内壁に、マスク層９３ｂを成膜する。
マスク層９３ａ、９３ｂは、後段の工程においておこなう深掘りＲＩＥ技術を用いた加工での保護膜として機能する。マスク層９３ａ、９３ｂは、シリコンよりもエッチング速度が遅い酸化シリコン（ＳｉＯ2）によって形成することが好ましい。マスク層９３ａ、９３ｂは、たとえば、酸化シリコンを１μｍの膜厚で成長させることによって形成することができる。
つぎに、図２０に示すように、マスク層９３ａを加工して、ひげぜんまい１０８ｃの形状にパターン化されたマスク層９４ａを形成する。マスク層９３ａの加工に際しては、一般に広く知られているフォトリソグラフィ法により加工をおこなう。これにより、ひげぜんまい１０８ｃの形状にパターン化されたマスク層９４ａを形成することができる。
つぎに、図２１に示すように、処理時間を管理しながら、ＳＦ6とＣ4Ｆ8との混合ガス（ＳＦ6＋Ｃ4Ｆ8）３００を用いて、深掘りＲＩＥ技術によって、マスク層９４ａ、９３ｂを介してドライエッチングをおこなう。これにより、マスク層９４ａによって覆われていない部分、すなわち所定の形状で空けられた開口パターン部分がエッチング加工され、シリコン基板６２が、所定の幅と所定の高さの母材１３ａ〜１３ｄの形状に加工される。
つぎに、図２２に示すように、マスク層９３ｂ、９４ａを除去する。マスク層９３ｂ、９４ａは、たとえば、シリコン基板６２を、フッ化水素酸を主成分とする公知のエッチング液に浸漬することによって除去することができる。これにより、図２２に示すようなひげぜんまい１０８ｃの母材１３ａ〜１３ｄが露出される。露出された状態の母材１３ａ〜１３ｄには、溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄがそれぞれ形成されている。
つぎに、図２３に示すように、母材１３ａ〜１３ｄの表面を覆うように中間膜５５ａ〜５３ｄを形成する。中間膜５５ａ〜５５ｄは、溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄの内側にも設ける。中間膜５５ａ〜５５ｄは、上述した各種の材料を用いて形成することができ、たとえば、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などを用いて形成することができる。具体的に、中間膜５５ａ〜５５ｄは、たとえば、銅（Ｃｕ）を用いて中間膜５３ａ〜５３ｄを形成する場合、真空成膜法の一種であるスパッタリング法を用いて形成することができる。また、中間膜５５ａ〜５５ｄは、たとえば、０．２μｍの厚さに形成する。
つぎに、図２４に示すように、中間膜５５ａ〜５５ｄの上層に緩衝膜２５ａ〜２５ｄを形成する。緩衝膜２５ａ〜２５ｄは、上述したように、ひげぜんまい１０８ｃに外部から加わる衝撃を緩和する。このため、緩衝膜２５ａ〜２５ｄは、衝撃の緩和に適するように、母材１３ａ〜１３ｄを構成する第１の材料よりも、粘靭性の高い材料を用いて形成する。実施の形態３においては、緩衝膜２５ａ〜２５ｄを所定の形状に加工する必要があるため、衝撃の緩和に適しているとともに、加工がしやすい材料を選択する。
粘靭性が高く、かつ、パターニングできる（加工がしやすい）材料としては、たとえば、電着法に用いられる、アクリル樹脂からなる電着レジストが好ましい。アクリル樹脂からなる電着レジストを用いることによって、一定の厚みの緩衝膜２５ａ〜２５ｄを形成することができ、かつ、当該緩衝膜２５ａ〜２５ｄのパターニングも良好におこなうことができる。
このようなアクリル樹脂からなる電着レジストを緩衝膜２５ａ〜２５ｄとして用いることにより、図２４に示すように、シリコンからなる母材１３ａ〜１３ｄ上に形成された銅（Ｃｕ）からなる中間膜５５ａ〜５５ｄの上層に、電着レジストからなる緩衝膜２５ａ〜２５ｄを容易に形成することができる。緩衝膜２５ａ〜２５ｄの膜厚は、特に限定しないが、たとえば、５μｍの厚さで形成することができる。
つぎに、図２５に示すように、電着レジストからなる緩衝膜２５ａ〜２５ｄを、露光マスク５２０、５３０を介して、所定の部分だけ紫外光６００で露光する。実施の形態３において用いる電着レジストは、実施の形態２において説明したように、たとえば、露光部分が現像されて溶解するタイプの感光性材料による電着レジストを用いることができる。露光マスク５２０、５３０は、溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄの部分の緩衝膜２５ａ〜２５ｄが、紫外光６００により露光しないように設計されている。
緩衝膜２５ａ〜２５ｄのパターニングに際しては、図２５に示すように、紫外光６００をひげぜんまい１０８ｃに対して斜め方向から照射することにより、ひげぜんまい１０８ｃの側面８０にも紫外光６００を照射することができる。緩衝膜２５ａ〜２５ｄのパターニングに際しては、具体的には、たとえば、図２５に示すように、母材１３ａ〜１３ｄの表面に対して斜め方向から紫外光６００を照射する露光装置を用いて、４００ｍＪ／ｃｍ2の露光量で照射をおこなう。
つぎに、図２６に示すように、電着レジストからなる緩衝膜２５ａ〜２５ｄにおける露光された部分を除去する。露光された部分を除去することにより、溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄの近傍のみに緩衝膜２３ａ〜２３ｄが残存するひげぜんまい１０８ｃを形成することができる。露光された部分の除去は、当該露光された部分を、公知の現像液を用いて溶解させることによって除去することができる。露光された部分の除去は、具体的には、たとえば、上述した実施の形態２と同様に、現像液として２５℃の電解還元イオン水を用いて、２０分間現像することによっておこなう。
その後、ひげぜんまい１０８ｃの溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄに形成された緩衝膜２３ａ〜２３ｄをマスクとして用いて、中間膜５５ａ〜５５ｄをエッチングする。たとえば、中間膜５５ａ〜５５ｄが銅（Ｃｕ）を用いて形成されている場合、塩化第二銅系エッチング液を用いて中間膜５５ａ〜５５ｄのエッチングをおこなうことができる。
これにより、図１５に示すように、中間膜５３ａ〜５３ｄのうち、緩衝膜２３ａ〜２３ｄに覆われていない部分が、エッチングによって除去され、緩衝膜２３ａ〜２３ｄによって覆われた部分に中間膜５３ａ〜５３ｄが形成された状態で残る。中間膜５３ａ〜５３ｄのうち、緩衝膜２３ａ〜２３ｄに覆われていない部分がエッチングによって除去されると、エッチングによって除去された部分に対応する部分の母材１３ａ〜１３ｄが露出される。このようにして、図１５に示すように、母材１３ａ〜１３ｄの表面の一部に形成された緩衝膜２３ａ〜２３ｄを備えたひげぜんまい１０８ｃを製造することができる。
実施の形態３の製造方法においては、図２６に示す状態で、以降の加工を止めることもできる。この場合、中間膜５３ａ〜５３ｄは、母材１３ａ〜１３ｄの表面を覆ったままになる。このような構成とすることにより、ひげぜんまい１０８ｃの強度を高めることができる。図１５に示す構造にするか、図２６に示す構造にするかは、たとえば、ひげぜんまい１０８ｃが搭載される機械式時計の仕様や使用環境などに鑑みて選択することができる。
図１４および図１５に示すように、溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄを有するひげぜんまいは、上述のような第３の製造方法によって容易に製造できる。実施の形態３においては、溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄの内側に緩衝膜２３ａ〜２３ｄが充填される場合を例にして説明したが、これに限定されるものではない。電着法による緩衝膜２３ａ〜２３ｄの形成において、形成時間等を管理することにより、中間膜５３ａ〜５３ｄの上部に一定の膜厚で緩衝膜２３ａ〜２３ｄを形成できる。
また、上述の第３の製造方法では、段差部として凹部形状の溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄに緩衝膜２３ａ〜２３ｄを形成する製造方法を示したが、凸部形状の段差部（図示を省略する）であっても同様の製造方法で製造することができる。すなわち、段差部を形成する際に、平面８１、８２に凸部を形成するようにマスクをパターニングすればよい。このように、どの部分をマスクし、どの部分をエッチングするかは、半導体装置の加工でも広く用いられているため、詳細な説明は省略する。
＜実施の形態４＞
（ひげぜんまいの製造方法）
つぎに、この発明にかかる実施の形態４の時計部品の製造方法として、この発明にかかる実施の形態４のひげぜんまいの製造方法について説明する。実施の形態４においては、上述した実施の形態１〜３と同一部分は同一符号で示し、説明を省略する。実施の形態４においては、図３０に示すひげぜんまい１０８（１０８ｄ）の製造方法について説明する。
図２７〜図３０は、この発明にかかる実施の形態４のひげぜんまい１０８ｄの製造方法を示す説明図である。ひげぜんまい１０８ｄの製造に際しては、まず、シリコン基板６１を準備する。シリコン基板６１は、少なくともひげぜんまい１０８ｄが取り出せる大きさの面積と厚みとを有する。シリコン基板６１は、ひげぜんまい１０８ｄの生産性を考慮に入れれば、ひげぜんまい１０８ｄが多数個取り出せる大きさであることが好ましい。
つぎに、図２７に示すように、シリコン基板６１の平面８１のおもて面側に第１マスク層９５ａを形成し、シリコン基板６１の平面８２の裏面側にマスク層９５ｂを形成する。マスク層９５ａ、９５ｂには、シリコン基板６１がそれぞれ母材１３ａ〜１３ｄを形成するように、ひげぜんまい１０８ｄの形状に応じた所定の部分に開口パターンが形成されている。
また、図２７に示すように、第１マスク層９５ａの上層に、ひげぜんまい１０８ｄの所定の部分に溝部７１ａ〜７１ｄを形成するための開口パターンが形成された第２マスク層９７ａを形成し、第１マスク層９５ｂの上層に、ひげぜんまい１０８ｄの所定の部分に溝部７２ａ〜７２ｄを形成するための開口パターンが形成された第２マスク層９７ｂを形成する。また、第２マスク層９７ａ、９７ｂには、マスク層９５ａ、９５ｂにおける開口パターンに応じた位置に、ひげぜんまい１０８ｄの形状に応じた開口パターンが形成されている。
第１マスク層９５ａ、９５ｂは、後段の工程においておこなう深掘りＲＩＥ技術を用いた加工での保護膜として機能する。たとえば、第１マスク層９５ａ、９５ｂは、シリコンよりもエッチング速度が遅い酸化シリコン（ＳｉＯ2）によって形成することが好ましい。第１マスク層９５ａ、９５ｂは、たとえば、酸化シリコンを１μｍの膜厚で成長させることによって形成することができる。
第２マスク層９７ａ、９７ｂは、後段の工程においておこなう第１マスク層９５ａ、９５ｂに溝形状をパターニングする際の保護膜として機能する。第２マスク層９７ａ、９７ｂは、第１マスク層９５ａ、９５ｂのエッチングに対して耐食性のある材料によって形成することが好ましい。たとえば、第１マスク層９５ａ、９５ｂが酸化シリコンを用いて形成されている場合、第２マスク層９７ａ、９７ｂは、感光性レジストを１μｍの膜厚で成長させることによって形成することができる。
つぎに、図２８に示すように、処理時間を管理しながら、ＳＦ6とＣ4Ｆ8との混合ガス（ＳＦ6＋Ｃ4Ｆ8）３００を用いて、深掘りＲＩＥ技術によって、第１マスク層９５ａ、９５ｂを介してドライエッチングをおこなう。これにより、第１マスク層９５ａ、９５ｂによって覆われていない部分、すなわち、ひげぜんまい１０８ｄの形状に応じた所定の部分が加工され、所定の幅と所定の高さの母材１４ａ〜１４ｄが形成される。
つぎに、図２９に示すように、第２マスク層９７ａ、９７ｂをマスクとして用いて、第１マスク層９５ａ、９５ｂをパターニングする。第１マスク層９５ａ、９５ｂは、上述したように、酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなるので、このパターニングは、第２マスク層９７ａ、９７ｂが形成されたシリコン基板６１を、フッ化水素酸を主成分とする公知のエッチング液に浸漬することによって除去することができる。
これにより、図２９に示すように、溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｂとなる部分の第１マスク層９５ａ、９５ｂが除去され、第２マスク層９７ａ、９７ｂと平面的に重なった加工後の第１のマスク層９６ａ、９６ｂが形成される。平面８１側においては、溝部７１ａ〜７１ｄとなる部分のマスクが開口してシリコンの母材１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄが露出した状態になる。また、平面８２側の第１のマスク層９５ｂのうち、ひげぜんまい１０８ｃの形状に応じた所定の部分も除去される。このとき、第２マスク層９７ａ、９７ｂが感光性レジストであれば、フッ化水素酸を主成分とする公知のエッチング液に浸漬しても、第２マスク層９７ａ、９７ｂが侵されてしまうことはない。
つぎに、図３０に示すように、処理時間を管理しながら、ＳＦ6とＣ4Ｆ8との混合ガス（ＳＦ6＋Ｃ4Ｆ8）３００を用いて、深掘りＲＩＥ技術によって、第２マスク層９７ａ、９７ｂおよび加工後の第１のマスク層９６ａ、９６ｂを介して、ドライエッチングをおこなう。これにより、第２マスク層９７ａ、９７ｂおよび加工後の第１のマスク層９６ａ、９６ｂによって覆われていない部分、すなわち溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｂに相当する部分がエッチング加工され、シリコン基板６２が、所定の幅と所定の高さの母材１３ａ〜１３ｄの形状に加工される。
つぎに、第２マスク層９７ａ、９７ｂおよび加工後の第１のマスク層９６ａ、９６ｂを除去する。これにより、上述した図２２に示すような、ひげぜんまい１０８ｄの母材１３ａ〜１３ｄが形成される。母材１３ａ〜１３ｄのおもて面（平面８１）および裏面（平面８２）には、それぞれ、溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄが形成されている。
加工後のマスク層９６ａ、９６ｂは、たとえば、シリコン基板６２を、フッ化水素酸を主成分とする公知のエッチング液に浸漬することによって除去することができる。また、第２マスク層９７ａ、９７ｂは、たとえば、シリコン基板６２を、アセトンのような有機溶媒の液に浸漬することによって除去することができる。以降は、図２３〜２６と同様にして、図１４および図１５に示したひげぜんまい１０８ｄを形成することができる。
このように、実施の形態４の製造方法は、上述した実施の形態３と同様に、ぜんまい腕２０３ａ〜２０３ｄに段差部である溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄを設け、この溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄに中間膜５３ａ〜５３ｄと緩衝膜２３ａ〜２３ｄとを設けるひげぜんまい１０８ｄの製造方法であって、外形形状を形成する工程の後に、段差部である溝部を形成することができる。実施の形態４の製造方法においては、凹部形状である溝部７１ａ〜７１ｄおよび溝部７２ａ〜７２ｄに中間膜５３ａ〜５３ｄと緩衝膜２３ａ〜２３ｄを形成する製造方法を示したが、上述した実施の形態３と同様に、凸部形状の段差であっても同様の製造方法で製造することができる。
＜実施の形態５＞
つぎに、この発明にかかる実施の形態５の製造方法によって製造される、この発明にかかる実施の形態５の時計部品が組み込まれる時計の駆動機構としてのアンクル１０７について説明する。実施の形態５においては、上述した実施の形態１〜４と同一部分は同一符号で示し、説明を省略する。
図３１は、実施の形態５のアンクル１０７の構造を示す説明図である。図３１においては、実施の形態５のアンクル１０７を図１における矢印Ｘ方向から見た平面図を示している。図３２は、図３１におけるＤ−Ｄ’断面を示す説明図である。図３１および図３２において、アンクル１０７は、機械式時計のテンプ（調速機構）１０４の一部品を実現する。
アンクル１０７は、輪列１０５によって伝達される動力によって回転しようとするガンギ車１０６を、規則正しく進めたり止めたりする。アンクル１０７は、アンクル１０７の回転中心である軸孔１０から、それぞれ異なる３方向に向かって延出する１本のサオ部６と２本のウデ部７ａ、７ｂとを備えている。
サオ部６の先端には、コの字状に開口したハコ部８が設けられている。ひげぜんまい１０８（１０８ａ〜１０８ｃ）によって規則正しい周期で回転往復運動する振り石がハコ部８に当接することに応じて、アンクル１０７は軸孔１０を中心に、規則正しい周期で往復運動する。
ウデ部７ａ、７ｂの先端には、爪割り溝９ａ、９ｂが設けられている。爪割り溝９ａ、９ｂには、爪石と称する部品が押し込まれて固定されている。ひげぜんまい１０８（１０８ａ〜１０８ｃ）から、振り石を介して、アンクル１０７に伝わった規則正しい動きは、爪石によってガンギ車１０６を弾くことによりガンギ車１０６に伝えられ、ガンギ車１０６を進めたり止めたりする。
このようなテンプ１０４においては、各部品の軽量化を図ることにより、ひげぜんまい１０８（１０８ａ〜１０８ｃ）が発生させた動力の伝達効率を上げることができる。このため、実施の形態５のアンクル１０７においては、当該アンクル１０７の母材１５を形成する第１の材料として、軽量であってかつ良好な加工性を有するシリコンが用いられている。
以上説明したように、実施の形態５のアンクル１０７は、シリコンを用いて母材１５を形成することにより、当該母材１５を形成するシリコンを、深掘りＲＩＥ技術を用いて加工することができる。具体的には、図３１に示すように、アンクル１０７の一部に穴１２を空けて、肉抜き形状にしたアンクル１０７を容易に実現することができる。穴１２は、アンクル１０７を厚さ方向に沿って貫通している。アンクル１０７を肉抜き形状にすることにより、母材１５をシリコンによって形成することによる軽量化に加えて、さらなる軽量化を図ることができる。
また、実施の形態５のアンクル１０７は、母材１５の表面に中間膜５３を形成し、中間膜５３の上層にさらに緩衝膜２４を形成することによって、肉抜きすることによる強度の低下に起因する破損を防止することができる。すなわち、母材１５の表面に上述した各種の材料などを用いて形成される中間膜５３を設けることによりシリコンのもろさを緩和し、さらに中間膜５３の表面に第１の材料であるシリコンよりも粘靭性の高い第２の材料を用いて形成される緩衝膜２４を設けることによりアンクル１０７に対する外部からの衝撃を緩和して、角部などへの応力集中によるひびや欠けをなどの破損を防止することができる。
ハコ部８は、振り石と直接接触する部分であり、ハコ部８の表面に緩衝膜２４を設けると、振り石からの力の伝達効率が低下する。このため、アンクル１０７においては、図３２に示すように、アンクル１０７のうちのハコ部８などのように、目的や機能に応じて、同一の部品において部分的に緩衝膜２４を設けていない。
また、アンクル１０７などの時計部品においては、当該時計部品を用いる機械式時計の仕様などに応じて、ハコ部８の緩衝膜２４に加えてハコ部８の中間膜５３も除去し、母材１５である第１の材料（この例では、シリコン）を露出させてもよい。これにより、振り石からの力を効率よくガンギ車１０６に伝達することができる。
実施の形態５においては、アンクル１０７を厚さ方向に沿って貫通する複数の穴１２を設けて肉抜き形状としたが、アンクル１０７の形状はこれに限るものではない。たとえば、上述した実施の形態３で説明したように、アンクル１０７の表面に段差部となる溝部を設ける構成としてもよい。これにより、母材１５をシリコンによって形成することによる軽量化に加えて、さらなる軽量化を図ることができる。
また、このように溝部を設けることによって軽量化を図る場合、当該溝部の形状に沿って緩衝膜５３や緩衝膜２４を設けたり、溝部を緩衝膜２４で充填するようにしてもよい。これによって、肉抜きすることによる強度の低下に起因する破損を防止することができる。
実施の形態５においては、肉抜きによる軽量化、および、肉抜きによる強度の低下に起因する破損の防止を図った時計部品として、アンクル１０７を例に挙げて説明したが、これに限るものではない。このような時計部品は、アンクル１０７に代えて、あるいは、アンクル１０７に加えて、歯車（番車、ガンギ車）、テン輪などの他の時計部品によって実現することができる。
＜実施の形態６＞
つぎに、この発明にかかる実施の形態６の製造方法によって製造される、この発明にかかる実施の形態６の時計部品が組み込まれる時計の駆動機構としての歯車について説明する。実施の形態６においては、上述した実施の形態１〜５と同一部分は同一符号で示し、説明を省略する。
図３３は、実施の形態６の歯車の構造を示す説明図である。図３３において、実施の形態６の歯車３３１は、軸３３２が嵌合される軸孔３３１ａを備えている。歯車３３１は、シリコンを用いて形成された母材１６を備えている。軸孔３３１ａの内周面に位置する母材１６の表面には、中間膜５４が設けられている。中間膜５４は、上述した各種の材料を用いて形成することができる。中間膜５４の上層には、第２の材料を用いて形成された緩衝膜２５が設けられている。
以上説明したように、実施の形態６の歯車３３１は、シリコンを用いて母材１６を形成することにより、歯車３３１の軽量化を図り、かつ、軸孔３３１ａの内周面に中間膜５４および緩衝膜２５を設けることにより、歯車３３１に対する外部からの衝撃を緩和して、角部などへの応力集中によるひびや欠けをなどの破損を防止することができる。
＜実施の形態７＞
つぎに、この発明にかかる実施の形態７の製造方法によって製造される、この発明にかかる実施の形態７の時計部品としてのエレクトレットについて説明する。実施の形態７においては、上述した実施の形態１〜６と同一部分は同一符号で示し、説明を省略する。
図３４および図３５は、この発明にかかる実施の形態６のエレクトレットを示す説明図である。図３４においては、エレクトレットを斜め方向から見た状態を示し、図３５においては、エレクトレットを正面から見た状態を示している。図３４および図３５において、エレクトレット（ｅｌｅｃｔｒｅｔ：電石）３４０は、電場をかけることにより誘電分極する誘電体において電場をなくしても誘電分極が残留する（電場を形成し続ける）物質により形成された荷電体であって、図示を省略する発電装置などに用いられる。
エレクトレット３４０は、軸３４１が嵌合される軸穴３５１を備えている。エレクトレット３４０は、軸３４１を中心として、当該軸３４１から放射状に配置された帯電体３４２を備えている。帯電体３４２の正面には、帯電膜が設けられている。帯電膜は、たとえば、コロナ放電などの処理がおこなわれることによって、プラスあるいはマイナスの電荷に帯電している。
帯電体３４２と帯電体３４２との間には、軸３４１を中心とする円の円周方向に沿って、開口３４３が設けられている。これにより、エレクトレット３４０の軽量化を図ることができる。帯電体３４２は、図示を省略する弾性部材を介して軸３４１に接続される。エレクトレット３４０は、外部から振動が加えられた場合に、軸３４１の周りにおいて揺動運動するように構成されている。
実施の形態６のエレクトレット３４０は、シリコン製の基板を深掘りＲＩＥ技術を用いて加工することによって形成された母材を備えている。エレクトレット３４０の形状は、母材によって構成されている。エレクトレット３４０において、帯電膜が設けられた部分すなわち帯電体３４２の正面以外の位置には、中間膜および緩衝膜（いずれも図示を省略する）が設けられている。中間膜および緩衝膜は、帯電膜が設けられた部分以外のすべての部分に設けられ、軸穴３５１の内周面にも設けられている。
中間膜は、エレクトレット３４０の母材の表面のうち、帯電体３４２の正面以外を覆うように設けられている。緩衝膜は、中間膜の上層に積層され、帯電体３４２の正面以外を覆うように設けられている。中間膜および緩衝膜は、それぞれ、上述した実施の形態と同様の材料を用いて形成されている。
このようなエレクトレット３４０は、軽量化が求められる一方で、非常に微細な部品であるため、シリコンなどを用いて形成すると、外部からの衝撃に対する耐性が低くなることが懸念される。実施の形態６のエレクトレット３４０は、母材の表面のうち、帯電体３４２の正面以外の位置に中間膜および緩衝膜が設けられているため、母材１５をシリコンによって形成することによる軽量化を図るとともに、中間膜および緩衝膜によって外部からの衝撃を緩和することができる。
また、エレクトレット３４０においては、軸穴３５１の内周面に中間膜および緩衝膜を設けることにより、軸穴３５１の内周面と軸３４１の外周面とが、緩衝膜を介して接触する。これにより、軸穴３５１に軸３４１を嵌め込む場合にエレクトレット３４０に対して衝撃が加えられた場合にも、当該衝撃を緩和することができる。これにより、軸穴３５１に軸３４１を嵌め込む際にエレクトレット３４０が割れたりひびが入ったりすることを防止できる。
＜実施の形態８＞
つぎに、この発明にかかる実施の形態８の製造方法によって製造される、この発明にかかる実施の形態８の時計部品としての軸石について説明する。実施の形態８においては、上述した実施の形態１〜７と同一部分は同一符号で示し、説明を省略する。
図３６および図３７は、機械式時計における駆動機構の一部を示す説明図である。図３６において、機械式時計における駆動機構は、ルビーなどの石によって形成される軸受けである軸石３６１を備えている。図３６に示す軸石３６１は、円板形状をなし、中央部に軸穴３６１ａが形成されている。
機械式時計において、軸石３６１は、たとえば、図３６に示すように、地板３６２に切り欠き３６３を形成し、当該切り欠き３６３内に軸石３６１を嵌め込むことによって保持する。切り欠き３６３は、軸石３６１に対して複数箇所で当接するように突出する突出部３６２ａを備え、軸石３６１の外表面の形状とは異型形状をなす。
切り欠き３６３は、軸石３６１がちょうど切り欠き３６３内に嵌り込むような同型形状ではなく、切り欠き３６３の内側に向かって突出する複数の突出部３６２ａを軸石３６１の外周面に当接させることによって軸石３６１を支持する。切り欠き３６３は、軸石３６１に対して、突出部３６２ａを介して矢印で示す方向に当接力を作用させることによって軸石３６１を支持する。
このように、突出部３６２ａを軸石３６１に当接させることによって軸石３６１を保持する場合、確実に保持するためには、軸石３６１に対して突出部３６２ａを強く当接させる必要があるが、強く当接させることにより軸石３６１における突出部３６２ａが当接する位置に負担がかかる。一方で、軸石３６１に対する突出部３６２ａの当接力が弱いと、軸石３６１を十分に保持することが難しい。特に、地板３６２の外側の端部（外際）に軸石３６１を配置する場合、軸石３６１を保持することが難しい。
これに対し、実施の形態８の軸石３６１は、ルビーやシリコンなどを第１の材料として形成されている母材の表面に、中間膜を設け、当該中間膜の上層に緩衝膜を設けることによって形成されている（いずれも詳細な図示および符号を省略する）。すなわち、軸石３６１の母材は、中間膜および緩衝膜によって覆われている。
このように、母材の表面に中間膜および緩衝膜を設けた軸石３６１とすることにより、当該軸石３６１を強く保持するために軸石３６１に対して突出部３６２ａを強く当接させた場合にも、軸石３６１を損傷することなく、当該軸石３６１を確実に保持することができる。
軸石３６１は、図３６に示した形状に限らない。たとえば、図３６に示した形状の軸石３６１は、に代えて、図３７に示すような形状の軸石３７１としてもよい。軸石３７１は、地板３６２の端部（外際）から内側に入り込み、地板３６２の内側において横方向に広がるように切り欠かれた切り欠き３７３に嵌め込まれることによって支持されている。軸石３７１は、切り欠き３７３と同様の形状を有し、地板３６２の端部よりも内側が横方向に広がる、略Ｔ字形状をなしている。また、軸石３７１は、中央部から端にずれて、軸穴３７１ａが形成されている。シリコン素材をフォトリソグラフィで加工した軸石３７１を用いれば、このように異型形状の作製も容易である。
このような形状の軸石３７１および切り欠き３７３とすることにより、軸石３７１を安定して保持することができる。これにより、軸穴３７１ａを地板３６２の端部（外際）に近い位置に配置することができる。軸石の形状は、図３６や図３７に示した形状に限るものではなく、たとえば、地板３６２の端部（外際）に頂角が配置されるように地板３６２によって支持された三角形状の軸石としてもよい。このような三角形状の軸石においては、地板３６２の端部（外際）に配置された頂角に軸穴を設けることができる。
＜実施の形態９＞
つぎに、この発明にかかる実施の形態９の製造方法によって製造される、この発明にかかる実施の形態８の時計部品としてのバックラッシュ補正部材について説明する。バックラッシュ補正部材は、機械式時計における輪列１０５あるいはネジなどのように、歯車（あるいはネジ）と互いに嵌合して運動を伝達する機構において、当該機構における歯車（あるいはネジ）の運動方向に意図的に設けられた隙間（いわゆる、バックラッシュ）を補正するために設けられる。バックラッシュ補正部材については、従来技術として、たとえば、特許第４８５１９４５号に記載されている。
具体的には、バックラッシュ補正部材は、たとえば、歯車（あるいはネジ）が嵌合相手と嵌合する歯（あるいはネジ山）の位置に設けられる。あるいは、バックラッシュ補正部材は、歯車（あるいはネジ）と嵌合相手との間に設けられる。バックラッシュ補正部材は、歯車（あるいはネジ）と嵌合する歯部を備え、当該歯部を介して歯車（あるいはネジ）の回転が伝達された場合、歯車（あるいはネジ）と連動して回転する。歯部は、回転方向に対して弾性変形するように構成されている。これにより、バックラッシュ補正部材は、歯車（あるいはネジ）と嵌合相手との間のバックラッシュを補正する。
このバックラッシュ補正部材における、少なくとも歯部を母材とし、当該母材である歯部に、上述した中間膜および緩衝膜を設ける。これにより、歯車（あるいはネジ）などの動力が伝達されることによる衝撃を緩和して、当該歯車（あるいはネジ）がバックラッシュ補正部材の歯部へ衝突することによって当該歯部に応力が集中することに起因する、バックラッシュ補正部材のひびや欠けを防止することができる。また、緩衝膜を設けることにより、衝撃を緩和することができるので、バックラッシュ補正部材および当該バックラッシュ補正部材に衝突する歯車やネジなどの損傷を防止することができる。
以上のように、この発明にかかる時計部品および時計部品の製造方法は、時計における機械部品を構成する時計部品および時計部品の製造方法に有用であり、特に、機械式時計の調速機構に用いられる時計部品および時計部品の製造方法に適している。
１０８、１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ ひげぜんまい
２ ぜんまい部
３ ひげ玉
４ ひげ持
５ アンクル
６ サオ部
７ａ、７ｂ ウデ部
８ ハコ部
９ａ、９ｂ 爪割り溝
１０ 軸孔
１１ａ〜１１ｄ、１３ａ〜１３ｄ 母材
２１ａ〜２１ｄ、２２ａ〜２２ｄ、２３ａ〜２３ｄ、２４ａ〜２４ｄ、２５ａ〜２５ｄ 緩衝膜
３１ 貫通孔
３２ 接続部
５１ａ〜５１ｄ、５２ａ〜５２ｄ、５３ａ〜５３ｄ、５４、５５ａ〜５５ｄ 中間膜
６０、６１、６２ シリコン基板
８０ 側面
８１、８２ 平面
３３１ 歯車
３３１ａ 軸孔
３４０ エレクトレット
３４１ 軸
３４２ 帯電体
３５１、３６１ａ、３７１ａ 軸穴
３６１、３７１ 軸石
３６２ 地板
３６３、３７３ 切り欠き
５００、５１０、５２０、５３０ 露光マスク

Claims (8)

  1. 第１の材料を主成分として形成された母材の表面に、複数の帯電体が設けられたエレクトレット部品であって、
    前記母材の表面の帯電体が設けられた部分以外の位置に、
    中間膜と、
    前記中間膜に積層され、前記第１の材料よりも粘靱性の高い第２の材料を主成分とする緩衝膜と、
    を備えたことを特徴とするエレクトレット部品。
  2. 前記母材の、前記複数の帯電体の間に開口が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のエレクトレット部品。
  3. 前記母材は円板形状であり、前記母材は、軸が嵌合される軸穴を備え、
    前記軸穴の内周面に、前記中間膜と、前記緩衝膜と、を備えたことを特徴とする請求項１または２に記載のエレクトレット部品。
  4. 前記第１の材料は、シリコンであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のエレクトレット部品。
  5. 前記第２の材料は、樹脂であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のエレクトレット部品。
  6. 前記中間膜の材料は、金属であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載のエレクトレット部品。
  7. 前記金属は、銅、金またはニッケルであることを特徴とする請求項６に記載のエレクトレット部品。
  8. 請求項１〜７のいずれか一つに記載のエレクトレット部品を用いることを特徴とする発電装置。
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