JP6722001B2

JP6722001B2 - 接着剤組成物、積層体、及び、積層体の製造方法

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Publication number: JP6722001B2
Application number: JP2016041585A
Authority: JP
Inventors: 孝広吉岡; 弘毅田村; 洋文今井; 正宏増島
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Current assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 2016-03-03
Filing date: 2016-03-03
Publication date: 2020-07-15
Anticipated expiration: 2036-03-03
Also published as: KR20170103686A; TW201800538A; TWI713684B; KR102254781B1; JP2017155170A

Description

本発明は、接着剤組成物、積層体、及び、積層体の製造方法に関する。

半導体素子（電子部品）を含む半導体パッケージ（半導体装置）としては、ＷＬＰ（Wafer Level Package）等が知られている。ＷＬＰ及びＰＬＰ等の半導体パッケージには、ベアチップの端部にある端子をチップエリア内に再配置する、ファンイン型ＷＬＰ（Fan-in Wafer Level Package）等のファンイン型技術と、チップエリア外に端子を再配置する、ファンアウト型ＷＬＰ（Fan-out Wafer Level Package）等のファンアウト型技術とが知られている。特に、ファンアウト型技術は、パネル上に半導体素子を配置してパッケージ化するファンアウト型ＰＬＰ（Fan-out Panel Level Package）に応用されており、半導体装置の集積化、薄型化及び小型化等を実現するため、これらのようなファンアウト型技術が注目を集めている。

特許文献１には、アクリル系共重合体からなるポリマー粒子を含む水系エマルジョンと、有機系微粒子と、上記アクリル系共重合体を硬化させ得る硬化剤と、４級アンモニウム化合物と、を含有する光拡散性粘着剤組成物が記載されている。

特許文献２には、スチレン−オレフィン系ブロック共重合体と、（メタ）アクリル酸エステルと、溶剤と、を必須成分として含む硬化性組成物が記載されている。

特許文献３には、連鎖的重合性モノマーと、逐次的反応で架橋する架橋剤と、当該架橋剤と反応する被架橋性基を有する被架橋性ポリマーとを含有する樹脂組成物を、連鎖的重合並びに逐次的架橋反応により架橋した架橋レリーフ形成層を支持体上に有し、上記架橋レリーフ形成層の、２５℃における周波数１００Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｅ’（ＭＰａ）が１≦Ｅ’≦３０の関係を満たし、かつ、２５℃における引っ張り破断時の最大伸び率Ｌ（％）が３０≦Ｌ≦３００の関係を満たすレーザ彫刻型フレキソ印刷版原版が記載されている。

特許文献４には、被研削基材と、上記被研削基材と接している接合層と、光吸収剤及び熱分解性樹脂を含む光熱変換層と、光透過性支持体と、を含み、但し、上記光熱変換層は、上記接合層とは反対側の上記被研削基材の表面を研削した後に、放射エネルギーが照射されたときに分解して、研削後の基材と上記光透過性支持体とを分離するものである、積層体が記載されている。

特許文献５には、シクロオレフィン構造を有するポリマーと、当該ポリマーに相溶する（メタ）アクリレートモノマーと、を含むことを特徴とする接着剤組成物が記載されている。

特開２０１０−０５３３４７号公報（２０１０年３月１１日公開）特開２０１０−０７７３８４号公報（２０１０年４月８日公開）特開２０１１−２０６９３１号公報（２０１１年１０月２０日公開）特開２００４−６４０４０号公報（２００４年２月２６日公開）特開２０１４−１０５３１６号公報（２０１４年６月９日公開）

しかしながら、特許文献１〜５には、ファンアウト型技術において、封止体を製造するときに求められるような、高い薬品耐性を備え、高温に加熱したときにおいて、高い粘弾性を維持することができる接着層を形成することができる接着剤組成物に関して、何ら開示していない。

本発明者らは、ファンアウト型技術において、ブロック共重合体と重合性モノマーとを含んだ硬化型接着剤組成物を用いることで、高い薬品耐性を備え、高温に加熱したときに高い粘弾性を維持することができる接着層を形成することができ、当該接着層が、封止体を形成するために有用であることを見出し、本願発明を完成させた。

本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ファンアウト型技術により、封止体を形成するための積層体に用いられる接着剤組成物であって、高い薬品耐性を備え、高温において高い粘弾性を維持することができる接着層を形成することができる接着剤組成物、及びその関連技術を提供することにある。

上記の課題を解決するために、本発明に係る接着剤組成物は、素子が実装される配線層と、上記素子と、上記素子を封止する封止材とを備えている封止体を、上記封止体を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体における、上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、上記接着剤組成物は、ブロック共重合体と、重合性モノマーと、重合開始剤と、を含んでいることを特徴としている。

また、本発明に係る積層体は、素子が実装される配線層と、上記素子と、上記素子を封止する封止材とを備えている封止体を、上記封止体を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体であって、上記接着層は、ブロック共重合体と、重合性モノマーの重合体と、重合開始剤と、を含んでなることを特徴としている。

本発明によれば、ファンアウト型技術により、封止体を形成するための積層体に用いられる接着剤組成物であって、高い薬品耐性を備え、高温において高い粘弾性を維持することができる接着層を形成することができる接着剤組成物、及びその関連技術を提供することができるという効果を奏する。

本発明の実施形態１に係る積層体の製造方法について説明する図である。本発明の実施形態２に係る積層体の製造方法について説明する図である。本発明の実施形態３に係る積層体の製造方法について説明する図である。本発明の実施形態４に係る積層体の製造方法について説明する図である。

＜接着剤組成物＞
本発明に係る接着剤組成物は、素子が実装される配線層と、上記素子と、上記素子を封止する封止材とを備えている封止体を、上記封止体を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体における、上記接着層を形成するための接着剤組成物である。言い換えれば、素子が実装される配線層と、上記素子と、上記素子を封止する封止材とを備えている封止体を支持体上に形成するための接着層を、当該支持体上に形成するための接着剤組成物である。

接着剤組成物は、接着層を形成するための樹脂組成として、ブロック共重合体と重合性モノマーとを含んでおり、当該重合性モノマーを重合させる重合開始剤と、当該樹脂組成の塗布作業性を調整するための希釈溶剤とを含んでいる。なお、接着剤組成物は、接着層を形成するための樹脂組成として、ブロック共重合体と重合性モノマーとからなる樹脂組成を採用することがより好ましい。

接着剤組成物は、加熱又は減圧環境等に置くことにより希釈溶剤を除去し、ブロック共重合体中において重合開始剤によって重合性モノマーを重合させることで接着層を形成する。接着層は、ブロック共重合体を含んでいることにより、高い薬品耐性を備えており、重合性モノマーを重合させることにより、高温に加熱したときにおいて、高い粘弾性、つまり、高い動的複素弾性率を維持することができる。よって、様々なレジスト溶剤を用いて配線層を形成すること、及び、高温において封止材によって素子を封止することを求められるファンアウト型技術において好適に使用することができる接着層を形成することができる。

〔ブロック共重合体〕
ブロック共重合体は、モノマー単位が連続して結合したブロック部位が２種以上結合した重合体であり、典型的には、重合体ブロックを有する熱可塑性エラストマーである。ブロック共重合体を含んでいることで、高い洗浄性、及び高い耐薬品性を備えた接着層を形成することができる。

ブロック共重合体は、ジブロック共重合体又はトリブロック共重合体であることが好ましく、トリブロック共重合体であることがより好ましい。また、ジブロック共重合体とトリブロック共重合体とを組み合わせて用いてもよい。

また、ブロック共重合体は、変性剤を用いることにより、当該ブロック共重合体の末端が官能基によって変性されていてもよい。ここで、官能基としては、例えば、アミノ基、酸無水物基（好ましくは無水マレイン酸基）、イミド基、ウレタン基、エポキシ基、イミノ基、水酸基、カルボキシル基、シラノール基、及びアルコキシシラン基（当該アルコキシ基は炭素数１〜６であることが好ましい）が挙げられる。このように、変性剤によって変性されたブロック共重合体は、エラストマーであり、かつ、極性をもたらす官能基を有している。このため、接着層の柔軟性及び接着性を向上させることができる。

また、ブロック共重合体は、スチレンブロックを含んでいることが好ましく、主鎖の両末端がスチレンブロックであるトリブロック共重合体であることがより好ましい。スチレンブロックを両末端に配置したトリブロック共重合体を用いることにより、接着層の熱安定性を高めることができる。

スチレンブロックを含んでいるブロック共重合体としては、例えば、スチレン−オレフィン系ブロック共重合体を挙げることができる。

スチレン−オレフィン系ブロック共重合体としては、例えば、ポリスチレン−ポリ（エチレン／プロピレン）ブロックコポリマー（ＳＥＰ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＩＳ）、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＳ）、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＢＳ）、及び、これらの水添物、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＢＳ）、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー）（ＳＥＰＳ）、スチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ）、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳｅｐｔｏｎＶ９４６１（株式会社クラレ製）、ＳｅｐｔｏｎＶ９４７５（株式会社クラレ製））、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、ＳｅｐｔｏｎＶ９８２７（株式会社クラレ製））、及び、ポリスチレン−ポリ（エチレン−エチレン／プロピレン）ブロック−ポリスチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ−ＯＨ：末端水酸基変性）等が挙げられることができる。

また、ブロック共重合体は、水添物であることが好ましく、より具体的には、スチレンブロック及び共役ジエンブロックのブロック共重合体の水添物であることがより好ましい。ブロック共重合体の水添物を用いることにより、熱に対する安定性を向上させることができ、分解や重合等の変質を起こり難くすることができる。さらに、炭化水素系溶剤への高い相溶性をもたらすことができ、レジスト溶剤への低い相溶性、つまり、レジスト溶剤への高い耐性をもたらすことができる。

ブロック共重合体として用いられ得る市販品としては、例えば、株式会社クラレ製「セプトン（商品名）」、株式会社クラレ製「ハイブラー（商品名）」、旭化成株式会社製「タフテック（商品名）」及びＪＳＲ株式会社製「ダイナロン（商品名）」等が挙げられる。

ブロック共重合体のスチレンブロックの含有量は、１０重量％以上、６５重量％以下であることが好ましく、１３重量％以上、４５重量％以下であることがより好ましい。ブロック共重合体は、スチレンブロックの含有量が、より多くなるほど、高い温度に加熱したときにおいて高い動的複素弾性率を維持することができる傾向を示す。また、スチレンブロックの含有量が、より少なくなるほど、炭化水素系溶剤への高い相溶性を得ることができる傾向を示す。

また、ブロック共重合体の重量平均分子量は、５０，０００以上、１５０，０００以下であることが好ましく、６０，０００以上、１２０，０００以下であることがより好ましい。ブロック共重合体は、重量平均分子量がより大きいほど、高い温度に加熱したときにおいて高い動的複素弾性率を維持することができる傾向を示す。また、重量平均分子量がより小さいほど、例えば、炭化水素系溶剤への高い相溶性を得ることができる傾向を示す。

また、ブロック共重合体は、スチレンブロックの含有量が、１０重量％以上、６５重量％以下であり、かつ、重量平均分子量が、５０，０００以上、１５０，０００以下であるように調整されていることが、最も好ましい。接着剤組成物は、スチレンブロックの含有量が上記の範囲内であり、重量平均分子量が上記の範囲内である１つのブロック共重合体を用いてもよく、複数の種類のブロック共重合体を混合することで、スチレンブロックの含有量を上記の範囲内となるように調整するとともに、重量平均分子量が上記の範囲内となるように調整されていてもよい。

例えば、スチレン単位の含有量が３０重量％である株式会社クラレ製のセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ４０３３と、スチレン単位の含有量が１３重量％であるセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ２０６３とを重量比１対１で混合すると、接着剤に含まれるブロック共重合体全体に対するスチレン含有量は２１〜２２重量％となり、従って１０重量％以上となる。また、例えば、スチレン単位が１０重量％のものと６０重量％のものとを重量比１対１で混合すると３５重量％となり、上記の範囲内となる。本発明はこのような形態でもよい。また、接着剤組成物に含まれる複数の種類のエラストマーは、全て上記の範囲内でスチレンブロックを含み、かつ、上記の範囲内の重量平均分子量であることが最も好ましい。

ブロック共重合体におけるスチレンブロックの含有量を上記の範囲内に調整するとともに、重量平均分子量を上記の範囲内に調整することによって、接着層を炭化水素系溶剤により、膨潤させ、部分的に溶解させることができ、容易に除去することができる。さらに、レジストリソグラフィーに用いられるレジスト溶剤（例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）等）、酸（フッ化水素酸等）並びにアルカリテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）等に対する高い耐性を得ることができる。また、ブロック共重合体におけるスチレンブロックの含有量を上記の範囲内に調整するとともに、重量平均分子量を上記の範囲内に調整することによって、ベースとなる樹脂であるブロック共重合体自体の耐熱性及び高温における粘弾性を向上させることで、後述する重合性モノマーの配合量を少なくすることができる。

接着剤組成物に含まれるブロック共重合体の量としては、例えば、ブロック共重合体と重合性モノマーとの合計量を１００重量％として、５０重量％以上、９９重量％以下の範囲内が好ましく、６０重量％以上、９５重量％以下の範囲内がより好ましく、８０重量％以上、９５重量％以下の範囲内が最も好ましい。接着剤組成物に含まれるブロック共重合体の量が、５０重量％以上、９９重量％以下の範囲内であることにより、接着層において、ブロック共重合に由来する炭化水素系溶剤に対する高い相溶性を維持することができ、接着層の洗浄による除去を容易にすることができる。

〔重合性モノマー〕
接着剤組成物には、重合性モノマーが含まれている。重合性モノマーは、ラジカル重合により高分子化するモノマーであることが好ましく、典型的には、多官能（メタ）アクリル酸エステルを挙げることができる。

多官能（メタ）アクリル酸エステルとしては、２官能以上の（メタ）アクリル酸エステルであってもよく、３官能以上である多官能の（メタ）アクリル酸エステルであってもよい。２官能又は３官能以上である（メタ）アクリル酸エステルを用いることにより、接着層のブロック共重合体中において、（メタ）アクリル酸エステルの重合体による三次元網目構造を好適に形成することができ、接着層における薬品耐性を高めることができ、高温に加熱したときにおける当該接着層の粘弾性、つまり、動的複素弾性率を高めることができる。

２官能の（メタ）アクリル酸エステルとしては、主鎖における重量平均分子量が２００以上１０００以下であるポリエチレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコール主鎖における重量平均分子量５０以上、７００以下であるポリプロピレングリコールジアクリレート、オキシエチレン構成単位の重合度が、１以上、２３以下であるポリエチレングリコールジメタクリレート等のポリエーテルジ（メタ）アクリレートを挙げることができ、オキシエチレン構成単位の重合度が、３以上、３０以下であるエトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート、オキシエチレン構成単位の重合度が、２．３以上３０以下であるエトキシ化ビスフェノールＡジメタクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＡジアクリレート、プロポキシ化エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート等のビスフェノール型ジ（メタ）アクリレートを挙げることができる。また、エトキシ化ポリプロピレングリコールジメタクリレート、２−ヒドロキシ−３−アクリロイロキシプロピルメタクリレート、２，２ビス［４−（メタクリルオキシエトキシ）フェニル］プロパン、９，９−ビス［４−（２−アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン、グリセリンジメタクリレート、ポリテトラメチレングリコールジアクリレート等のエーテル骨格を有するジ（メタ）アクリレートを挙げることができ、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、１，１０−デカンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）クリレート等の炭素骨格、又は環状炭化水素骨格を有するジ（メタ）アクリレートを挙げることができる。

なお、ブロック共重合体との相溶性の観点から、上述の多官能（メタ）アクリル酸エステルのうち、炭化水素骨格を備えているエステルが好ましく、環状炭化水素骨格を備えているエステルがより好ましい。

２官能の（メタ）アクリル酸エステルとして用いられ得る市販品としては、例えば、新中村化学株式会社製「７０１Ａ（商品名）」、「Ａ−２００（商品名）」、「Ａ−４００（商品名）」、「Ａ−６００（商品名）」、「Ａ−１０００（商品名）」、「Ａ−Ｂ１２０６ＰＥ（商品名）」、「ＡＢＥ−３００（商品名）」、「Ａ−ＢＰＥ−１０（商品名）」、「Ａ−ＢＰＥ−２０（商品名）」、「Ａ−ＢＰＥ−３０（商品名）」、「Ａ−ＢＰＥ−４（商品名）」、「Ａ−ＢＰＥＦ（商品名）」、「Ａ−ＢＰＰ−３（商品名）」、「Ａ−ＤＣＰ（商品名）」、「Ａ−ＤＯＤ−Ｎ（商品名）」、「Ａ−ＨＤ−Ｎ（商品名）」、「Ａ−ＮＯＤ−Ｎ（商品名）」、「ＡＰＧ−１００（商品名）」、「ＡＰＧ−２００（商品名）」、「ＡＰＧ−４００（商品名）」、「ＡＰＧ−７００（商品名）」、「Ａ−ＰＴＭＧ−６５（商品名）」、「１Ｇ（商品名）」、「２Ｇ（商品名）」、「３Ｇ（商品名）」、「４Ｇ（商品名）」、「９Ｇ（商品名）」、「１４Ｇ（商品名）」、「２３Ｇ（商品名）」、「ＢＰＥ−８０Ｎ（商品名）」、「ＢＰＥ−１００（商品名）」、「ＢＰＥ−２００（商品名）」、「ＢＰＥ−５００（商品名）」、「ＢＰＥ−９００（商品名）」、「ＢＰＥ−１３００Ｎ（商品名）」、「ＤＣＰ（商品名）」、「ＤＯＤ−Ｎ（商品名）」、「ＨＤ−Ｎ（商品名）」、「ＮＯＤ−Ｎ（商品名）」、「ＮＰＧ−Ｎ（商品名）」、「１２０６ＰＥ（商品名）」、「７０１（商品名）」及び「９ＰＧ（商品名）」等が挙げられる。

多官能の（メタ）アクリル酸エステルとして用いられ得る市販品としては、例えば、新中村化学株式会社製「Ａ−９３００（商品名）」、「Ａ−９３００−１ＣＬ（商品名）」、「Ａ−ＧＬＹ−９Ｅ（商品名）」、「Ａ−ＧＬＹ−２０Ｅ（商品名）」、「Ａ−ＴＭＭ−３（商品名）」、「Ａ−ＴＭＭ−３−Ｌ（商品名）」、「Ａ−ＴＭＭ−３ＬＭ−Ｎ（商品名）」、「Ａ−ＴＭＰＴ（商品名）」、「ＡＤ−ＴＭＰ（商品名）」、「ＡＴＭ−３５Ｅ（商品名）」、「Ａ−ＴＭＭＴ（商品名）」、「Ａ−９５５０（商品名）」、「Ａ−ＤＰＨ（商品名）」及び「ＴＭＰＴ（商品名）」等が挙げられる。

接着剤組成物に含まれる重合性モノマーの量としては、例えば、ブロック共重合体と重合性モノマーとの合計量を１００重量％として、１重量％以上、５０重量％以下の範囲内が好ましく、１重量％以上、２０重量％よりも少ない範囲内がより好ましい。重合性モノマーの量が多くなるほどに、接着層を高温に加熱したときにおける動的複素弾性率を高めることができる。また、接着層の薬品耐性を高めることができ、特に、ＰＧＭＥＡのみならず、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、及びＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）等のレジスト溶剤に対する耐性を高めることができる。また、重合性モノマーの量が少なくなるほどに、接着層は、ブロック共重合体に由来する、炭化水素系溶剤を用いたときの高い洗浄性を保つことができる。よって、接着剤組成物は、ブロック共重合体におけるスチレンブロックの含有量及び重量平均分子量を調整することにより、ブロック共重合体自体の動的複素弾性率を高め、比較的少量の重合性モノマーを配合することで、動的複素弾性率を高めることが好ましい。特に、ブロック共重合体と重合性モノマーとの合計量を１００重量％として、１重量％以上、２０重量％よりも少ない範囲内の重合性モノマーを配合することで、高い粘弾性を維持すること、及び、溶剤により容易に除去することという、一見、トレードオフの関係を取り得る課題の両方を解決することができる。

なお、多官能（メタ）アクリル酸エステルには、高温に加熱したときにおける粘弾性を低下させない程度において、単官能（メタ）アクリル酸エステル、並びに、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、及び、酢酸ビニル等の重合性モノマーを併用してもよい。

（接着層の複素弾性率）
接着剤組成物によって形成される接着層は、ブロック共重合体、および重合性モノマーの重合体により、高温に加熱したときにおける複素弾性率が高められている。このため、接着層上において、封止体を形成するときにおける、高温（１００℃以上、４００℃以下）、高圧（１０ｋｇｆ以上）の環境下において接着層が歪むことを防止することができる。ここで、接着剤組成物により形成される接着層の複素弾性率（Ｅ＊）は、適応される温度条件により異なるが、例えば、１０００Ｐａ以上であることが好ましく、１００００Ｐａ以上であることがより好ましい。封止体を形成するときに適応される温度において、接着層の動的複素弾性率（Ｅ＊）が、１００００Ｐａ以上であれば、その高温プロセスにおいて、圧力が加えられたときに接着層が歪むことをより好適に防止することができる。なお、動的複素弾性率（Ｅ＊）は、６インチＳｉウェハに対して接着剤組成物をスピンコートし、所定の厚さの膜（接着層）を形成する。その膜を剥離して所定の大きさにカットすることで試料を作製するとよい。また、当該試料を周波数１Ｈｚの条件にて、５℃／分の昇温速度で、封止体を形成するときに想定される温度以上の温度まで昇温させながら、動的複素弾性率（Ｅ＊）を測定すればよい。例えば、封止体を形成するときに想定される温度が１００〜２００℃程度であれば、例えば、５０℃から２５０℃まで温度を上昇させながら、動的複素弾性率（Ｅ＊）を測定するとよい。

（希釈溶剤）
接着剤組成物に含まれる希釈溶剤は、ブロック共重合体、及び重合性モノマーを溶解することができるものであればよく、例えば、非極性の炭化水素系溶剤、極性及び無極性の石油系溶剤等を用いることができる。

好ましくは、希釈溶剤は、縮合多環式炭化水素を含み得る。溶剤が縮合多環式炭化水素を含むことによって、接着剤組成物を液状形態で（特に低温にて）保存した場合に生じ得る白濁化を避けることができ、製品安定性を向上させることができる。

炭化水素系溶剤としては、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素が挙げられる。例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数３から１５の分岐状の炭化水素；ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ジフェニルメンタン、１，４−テルピン、１，８−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン等の飽和脂肪族炭化水素、α−テルピネン、β−テルピネン、γ−テルピネン、α−ピネン、β−ピネン、α−ツジョン、β−ツジョン等が挙げられる。

また、石油系溶剤としては、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレンなどが挙げられる。

また、縮合多環式炭化水素とは、２つ以上の単環がそれぞれの環の辺を互いに１つだけ共有してできる縮合環の炭化水素であり、２つの単環が縮合されてなる炭化水素を用いることが好ましい。

そのような炭化水素としては、５員環及び６員環の組み合わせ、又は２つの６員環の組み合わせが挙げられる。５員環及び６員環を組み合わせた炭化水素としては、例えば、インデン、ペンタレン、インダン、テトラヒドロインデン等が挙げられ、２つの６員環を組み合わせた炭化水素としては、例えば、ナフタレン、テトラヒドロナフタレン（テトラリン）及びデカヒドロナフタレン（デカリン）等が挙げられる。

また、希釈溶剤が上記縮合多環式炭化水素を含む場合、溶剤に含まれる成分は上記縮合多環式炭化水素のみであってもよいし、例えば、飽和脂肪族炭化水素等の他の成分を含有していてもよい。この場合、縮合多環式炭化水素の含有量は、炭化水素系溶剤の全量を１００重量部としたとき、４０重量部以上であることが好ましく、６０重量部以上であることがより好ましい。縮合多環式炭化水素の上記含有量が４０重量部以上である場合には、上記樹脂に対する高い溶解性を発揮することができる。炭化水素系溶剤が縮合多環式炭化水素と飽和脂肪族炭化水素とを含有する場合には、縮合多環式炭化水素の臭気を緩和させることができる。

なお、本発明の接着剤組成物における溶剤の含有量は、当該接着剤組成物を用いて成膜する接着層の厚さに応じて適宜調整すればよいが、例えば、接着剤組成物の全量を１００重量部としたとき、２０重量部以上、９０重量部以下の範囲であることが好ましい。希釈溶剤の含有量が上記範囲内であれば、粘度調整が容易となる。

〔重合開始剤〕
重合開始剤は、上述の重合性モノマーを重合させることができればよく、特に限定されるものではないが、熱重合開始剤又は光重合開始剤等が好ましく、熱重合開始剤であることがより好ましい。

（熱重合開始剤）
熱重合開始剤としては、例えば、過酸化物及びアゾ系重合開始剤等が挙げられる。これら熱重合開始剤は、加熱されることにより発生するラジカルによって、重合性モノマーを重合させる。

過酸化物としては、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシエステル、パーオキシカーボネート及びパーオキシケタール等が挙げられる。具体的には、過酸化アセチル、過酸化ジクミル、過酸化ｔｅｒｔ−ブチル、過酸化ｔｅｒｔ−ブチルクミル、過酸化プロピオニル、過酸化ベンゾイル（ＢＰＯ）、過酸化２−クロロベンゾイル、過酸化３−クロロベンゾイル、過酸化４−クロロベンゾイル、過酸化２，４−ジクロロベンゾイル、過酸化４−ブロモメチルベンゾイル、過酸化ラウロイル、過硫酸カリウム、ペルオキシ炭酸ジイソプロピル、テトラリンヒドロペルオキシド、１−フェニル−２−メチルプロピル−１−ヒドロペルオキシド、過トリフェニル酢酸−ｔｅｒｔ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド、過ギ酸ｔｅｒｔ−ブチル、過酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、過安息香酸ｔｅｒｔ−ブチル、過フェニル酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、過４−メトキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル及び過Ｎ−（３−トルイル）カルバミン酸ｔｅｒｔ−ブチル、ジクミル−パーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチル−パーオキシ−２−エチルヘキシル−モノカーボネート、ジ（４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン及び１，１−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン等が挙げられる。

市販されている過酸化物としては、例えば、日本油脂株式会社製の商品名「パークミル（登録商標）」、商品名「パーブチル（登録商標）」、商品名「パーオクタ（登録商標）」、「パーロイル（登録商標）」及び「パーヘキサ（登録商標）」等が挙げられる。

アゾ系重合開始剤としては、例えば、２，２’−アゾビスプロパン、２，２’−ジクロロ−２，２’−アゾビスプロパン、１，１’−アゾ（メチルエチル）ジアセテート、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）塩酸塩、２，２’−アゾビス（２−アミノプロパン）硝酸塩、２，２’−アゾビスイソブタン、２，２’−アゾビスイソブチルアミド、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルプロピオン酸メチル、２，２’−ジクロロ−２，２’−アゾビスブタン、２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル、２，２’−アゾビスイソ酪酸ジメチル、１，１’−アゾビス（１−メチルブチロニトリル−３−スルホン酸ナトリウム）、２−（４−メチルフェニルアゾ）−２−メチルマロノジニトリル４，４’−アゾビス−４−シアノ吉草酸、３，５−ジヒドロキシメチルフェニルアゾ−２−アリルマロノジニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルバレロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノ吉草酸ジメチル、２，２’−アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル、１，１’−アゾビスシクロヘキサンニトリル、２，２’−アゾビス−２−プロピルブチロニトリル、１，１’−アゾビスシクロヘキサンニトリル、２，２’−アゾビス−２−プロピルブチロニトリル、１，１’−アゾビス−１−クロロフェニルエタン、１，１’−アゾビス−１−シクロヘキサンカルボニトリル、１，１’−アゾビス−１−シクロヘプタンニトリル、１，１’−アゾビス−１−フェニルエタン、１，１’−アゾビスクメン、４−ニトロフェニルアゾベンジルシアノ酢酸エチル、フェニルアゾジフェニルメタン、フェニルアゾトリフェニルメタン、４−ニトロフェニルアゾトリフェニルメタン、１，１’−アゾビス−１，２−ジフェニルエタン、ポリ（ビスフェノールＡ−４，４’−アゾビス−４−シアノペンタノエート）及びポリ（テトラエチレングリコール−２，２’−アゾビスイソブチレート）等が挙げられる。

熱重合開始剤の配合量は、１００重量部の重合性モノマーに対して、０．１重量部以上、２０重量部以下であることが好ましく、１重量部以上、５重量部以下であることがより好ましい。これにより、接着層に含まれている重合性モノマーを好適に重合させることができる。なお、熱重合開始剤は、接着剤組成物を使用する直前において、公知の方法により、接着剤組成物に配合するとよい。また、熱重合開始剤は、後述する添加溶剤に希釈してから、接着剤組成物に配合してもよい。

熱重合開始剤の１分間半減温度は、９０℃以上、２００℃以下であることが好ましく、１２０℃以上、１８０℃以下であることがより好ましい。

また、熱重合開始剤の１時間半減温度は、５０℃以上、１４０℃以下であることが好ましく、８０℃以上、１４０℃以下であることがより好ましい。

熱重合開始剤の１分間半減温度が、９０℃以上、２００℃以下であり、１時間半減温度が、５０℃以上、１４０℃以下であることにより、熱重合開始剤を配合した後から、重合性モノマーが重合し、ゲル化するまでの時間を長くすることができる。これにより、支持体上に接着剤組成物を塗布するときの作業可能時間を長くすることができる。また、熱重合開始剤の１分間半減温度が、９０℃以上、２００℃以下であり、１時間半減温度が、５０℃以上、１４０℃以下であることにより、支持体上に接着剤組成物を塗布し、加熱することで希釈溶剤を除去するときに、同時に、ラジカルを発生させ、重合性モノマーの重合を予備的に開始させることができる。作業可能時間を長くすることができるという観点からは、熱重合開始剤の１分半減温度及び１時間半減温度はより高い方が好ましい。また、速やかにゲル化させるという観点からは、熱重合開始剤の１分半減温度及び１時間半減温度はより低い方が好ましい。

なお、熱重合開始剤の理論活性酸素量は、３．０％以上、１３．０％以下であることが好ましく、理論活性酸素量に応じて、熱重合開始剤の配合量を適宜調整するとよい。

（光重合開始剤）
接着剤組成物は、光重合開始剤によって、重合性モノマーを重合させることで、高い耐薬品性、及び、高い耐熱性を備え、さらに、高い洗浄性を備えた接着層を形成することができる。なお、重合開始剤として光重合開始剤を用いる場合には、遮光状態を維持することができるように接着剤組成物を包装すれば、光重合開始剤を配合した状態で当該接着剤組成物を製品化することができる。

光重合開始剤としては、具体的には、例えば、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−〔４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル〕−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、１−（４−ドデシルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、ビス（４−ジメチルアミノフェニル）ケトン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、エタノン１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（ｏ−アセチルオキシム）、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、４−ベンゾイル−４’−メチルジメチルスルフィド、４−ジメチルアミノ安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸メチル、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸ブチル、４−ジメチルアミノ−２−エチルヘキシル安息香酸、４−ジメチルアミノ−２−イソアミル安息香酸、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、ベンジルジメチルケタール、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、１−クロロ−４−プロポキシチオキサントン、チオキサンテン、２−クロロチオキサンテン、２，４−ジエチルチオキサンテン、２−メチルチオキサンテン、２−イソプロピルチオキサンテン、２−エチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルパーオキシド、クメンパーオキシド、２−メルカプトベンゾイミダール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、ベンゾフェノン、２−クロロベンゾフェノン、４，４’−ビスジメチルアミノベンゾフェノン（即ち、ミヒラーズケトン）、４，４’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン（即ち、エチルミヒラーズケトン）、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、３，３−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン−ｎ−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン−ｔ−ブチルエーテル、アセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、ｐ−ジメチルアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノプロピオフェノン、ジクロロアセトフェノン、トリクロロアセトフェノン、ｐ−ｔ−ブチルアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、ｐ−ｔ−ブチルトリクロロアセトフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、α，α−ジクロロ−４−フェノキシアセトフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジベンゾスベロン、ペンチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス−（９−アクリジニル）ヘプタン、１，５−ビス−（９−アクリジニル）ペンタン、１，３−ビス−（９−アクリジニル）プロパン、ｐ−メトキシトリアジン、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（フラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（３，４−ジメトキシフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−エトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−ｎ−ブトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（３−ブロモ−４−メトキシ）フェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（２−ブロモ−４−メトキシ）フェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（３−ブロモ−４−メトキシ）スチリルフェニル−ｓ−トリアジン及び２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（２−ブロモ−４−メトキシ）スチリルフェニル−ｓ−トリアジン等が挙げられる。また、光重合開始剤として、市販品である「ＩＲＧＡＣＵＲＥＯＸＥ０２」、「ＩＲＧＡＣＵＲＥＯＸＥ０１」，「ＩＲＧＡＣＵＲＥ３６９」、「ＩＲＧＡＣＵＲＥ６５１」及び「ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７」（商品名：何れもＢＡＳＦ社製）並びに「ＮＣＩ−８３１」（商品名：ＡＤＥＫＡ社製）等も用いることができる。

光重合開始剤の配合量は、１００重量部の重合性モノマーに対して、０．１重量部以上、２０重量部以下であることが好ましく、１重量部以上、５重量部以下であることがより好ましい。

（添加溶剤）
熱重合開始剤及び光重合開始剤は、添加溶剤に溶解して接着剤組成物に配合することが好ましい。添加溶剤としては、特に限定されないが、接着剤組成物に含まれる成分を溶解する有機溶剤を用いることができる。

有機溶剤としては、例えば、接着剤組成物の各成分を溶解し、均一な溶液にすることができればよく、１つの有機溶剤のみを用いてもよく、２つ以上の有機溶剤を組み合わせて用いてもよい。

有機溶剤の具体例としては、例えば、極性基として酸素原子、カルボニル基又はアセトキシ基等を有するテルペン溶剤が挙げられ、例えば、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−１−オール、テルピネン−４−オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４−シネオール、１，８−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファーが挙げられる。また、γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、上記多価アルコール類又は上記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。

添加溶剤の含有量は、熱重合開始剤及び光重合開始剤の種類等に応じて適宜調整すればよいが、例えば、樹脂成分を溶解する希釈溶剤（主溶剤）と添加溶剤との合計を１００重量部としたとき、添加溶剤の含有量は、１重量部以上、５０重量部以下であることが好ましく、１重量部以上、３０重量部以下であることがより好ましい。添加溶剤の含有量が上記範囲内であれば、熱重合開始剤及び光重合開始剤を十分に溶解することができる。

＜積層体＞
本発明の一実施形態に係る積層体は、素子が実装される配線層と、上記素子と、上記素子を封止する封止材とを備えている封止体を、上記封止体を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体であって、上記接着層は、ブロック共重合体と、重合性モノマーの重合体と、重合開始剤と、を含んでなる。また、支持体と接着層との間に分離層を備えている。

本発明の一実施形態に係る積層体は、本発明の一実施形態に係る接着剤組成物を用いて接着層が形成されている。このため、支持体に形成された接着層上において、好適に配線層を形成し、好適に素子を封止することがきる。よって、本発明の一実施形態に係る接着剤組成物を用いて接着層が形成されている積層体も本発明の範疇である。

〔封止体〕
封止体は、素子が実装される配線層と、素子と、素子を封止する封止材とを備えている。封止体は複数の素子を備えていることが好ましく、このような封止体をダイシングすることにより、複数の電子部品を得ることができる。

（配線層）
配線層は、ＲＤＬ（Redistribution Layer：再配線層）とも呼ばれ、素子に接続する配線を構成する薄膜の配線体であり、単層又は複数層の構造を有し得る。一実施形態において、配線層は、誘電体（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、感光性エポキシ等の感光性樹脂等）に、導電体（例えば、アルミニウム、銅、チタン、ニッケル、金及び銀等の金属並びに銀−錫合金等の合金）によって配線が形成されたものであり得るが、これに限定されない。

（素子）
素子は、半導体素子又はその他の素子であり、単層又は複数層の構造を有し得る。なお、素子が半導体素子である場合、封止体をダイシングすることにより得られる電子部品は、半導体装置となる。

（封止材）
封止材としては、例えば、エポキシ樹脂を含有する封止材等を用いることができる。封止材は、素子毎に設けられているものではなく、配線層に実装された複数の素子の全てを一体的に封止しているものであることが好ましい。

〔支持体〕
支持体は、封止体の形成時に、封止体の各構成要素の破損又は変形を防ぐために必要な強度を有していればよい。また、支持体は、当該支持体上に形成された分離層を変質させることができる波長の光を透過させる材料によって形成されている。

支持体の材料としては、例えば、ガラス、シリコン及びアクリル系樹脂等を用いることができるが、これらに限定されない。支持体の形状としては、例えば、板状の円形の支持体を用いることができるが、これに限定されない。

〔接着層〕
接着層は、ブロック共重合体と、重合性モノマーの重合体と、重合開始剤と、を含んでなり、封止体を支持体上に固定するため、並びに、分離層を保護するために用いられる。

ここで、接着層を形成するための接着剤組成物は、上述した通りであり、ブロック重合体、重合性モノマー及び重合開始剤は、上述したものと同様であるため、その説明を省略する。

なお、重合性モノマーの重合体としては、多官能（メタ）アクリル酸エステルの重合体であることが好ましい。多官能（メタ）アクリル酸エステルは、上述したものと同様であるため、説明を省略する。

接着層の厚さは、支持体及び封止体の種類、並びに封止体を形成するときに実施する処理等に応じて適宜設定すればよいが、０．１μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上、１０μｍ以下であることがより好ましい。１μｍ以上であることにより、封止体を、支持体上に好適に固定することができる。１０μｍ以下であることにより、後の工程において接着層の除去を容易にすることができる。

〔分離層〕
分離層は、光を照射することで変質する層である。支持体を介して分離層に光を照射して分離層を変質させることによって、支持体を封止体から分離させることができる。

なお、本明細書において、分離層が「変質する」とは、分離層がわずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層と接する層との接着力が低下した状態になる現象を意味する。光を吸収することによって生じる分離層の変質の結果として、分離層は、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。つまり、光を吸収することによって、分離層は脆くなる。分離層の変質とは、分離層が、吸収した光のエネルギーによる分解、立体配置の変化又は官能基の解離等を生じることであり得る。分離層の変質は、光を吸収することの結果として生じる。

よって、例えば、サポートプレートを持ち上げるだけで分離層が破壊されるように変質させて、サポートプレートと基板とを容易に分離することができる。より具体的には、例えば、支持体分離装置等により、積層体における基板及びサポートプレートの一方を載置台に固定し、吸着手段を備えた吸着パッド（吸着部）等によって他方を保持して持ち上げることで、サポートプレートと基板とを分離するか、又はサポートプレートの周縁部分端部の面取り部位を、クランプ（ツメ部）等を備えた分離プレートによって把持することにより力を加え、基板とサポートプレートとを分離するとよい。また、例えば、接着剤を剥離するための剥離液を供給する剥離手段を備えた支持体分離装置によって、積層体における基板からサポートプレートを剥離してもよい。当該剥離手段によって積層体における接着層の周端部の少なくとも一部に剥離液を供給し、積層体における接着層を膨潤させることにより、当該接着層が膨潤したところから分離層に力が集中するようにして、基板とサポートプレートとに力を加えることができる。このため、基板とサポートプレートとを好適に分離することができる。

積層体に加える力は、積層体の大きさ等により適宜調整すればよく、限定されるものではないが、例えば、直径が３００ｍｍ程度の積層体であれば、０．１〜５ｋｇｆ程度の力を加えることによって、基板とサポートプレートとを好適に分離することができる。

分離層の厚さは、例えば、０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であることがより好ましく、０．３μｍ以上、１μｍ以下の範囲内であることがさらに好ましい。分離層の厚さが０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲に収まっていれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射によって、分離層に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層の厚さは、生産性の観点から１μｍ以下の範囲に収まっていることが特に好ましい。

なお、分離層と支持体との間に他の層がさらに形成されていてもよい。この場合、他の層は光を透過する材料から構成されていればよい。これによって、分離層への光の入射を妨げることなく、好ましい性質等を有する層を、適宜追加することができる。分離層を構成している材料の種類によって、用い得る光の波長が異なる。よって、他の層を構成する材料は、すべての光を透過させる必要はなく、分離層を構成する材料を変質させ得る波長の光を透過させることができる材料から適宜選択し得る。

また、分離層は、光を吸収する構造を有する材料のみから形成されていることが好ましいが、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、光を吸収する構造を有していない材料を添加して、分離層を形成してもよい。また、分離層における接着層に対向する側の面が平坦である（凹凸が形成されていない）ことが好ましく、これにより、分離層の形成が容易に行え、かつ貼り付けにおいても均一に貼り付けることが可能となる。

（フルオロカーボン）
分離層は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体を持ち上げる等）ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止体とを分離し易くすることができる。分離層を構成するフルオロカーボンは、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法によって好適に成膜することができる。

フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。なお、分離層における光の吸収率は８０％以上であることが好ましい。

分離層に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、６００ｎｍ以下の範囲の波長を用いることができる。

（光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体）
分離層は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。分離層は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体を持ち上げる等）ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止体とを分離し易くすることができる。

光吸収性を有している上記構造は、光を吸収して、繰り返し単位として該構造を含んでいる重合体を変質させる化学構造である。該構造は、例えば、置換若しくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含んでいる原子団である。より詳細には、該構造は、カルド構造、又は上記重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造（ビスフェニルスルホン構造）、ジフェニル構造若しくはジフェニルアミン構造であり得る。

上記構造が上記重合体の側鎖に存在する場合、該構造は以下の式によって表され得る。

（式中、Ｒはそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、ハロゲン、水酸基、ケトン基、スルホキシド基、スルホン基又はＮ（Ｒ^４）（Ｒ^５）であり（ここで、Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基である）、Ｚは、存在しないか、又は−ＣＯ−、−ＳＯ_２−、−ＳＯ−若しくは−ＮＨ−であり、ｎは０又は１〜５の整数である。）
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、（ａ）〜（ｄ）の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、（ｅ）によって表されるか、又は（ｆ）の構造をその主鎖に含んでいる。

（式中、ｌは１以上の整数であり、ｍは０又は１〜２の整数であり、Ｘは、（ａ）〜（ｅ）において上記の“化１”に示した式の何れかであり、（ｆ）において上記の“化１”に示した式の何れかであるか、又は存在せず、Ｙ_１及びＹ_２はそれぞれ独立して、−ＣＯ−又はＳＯ_２−である。ｌは好ましくは１０以下の整数である。）
上記の“化１”に示されるベンゼン環、縮合環及び複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオリム、置換フルオリム、フルオリモン、置換フルオリモン、カルバゾール、置換カルバゾール、Ｎ−アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナントレン、置換フェナントレン、ピレン及び置換ピレンが挙げられる。例示した置換基がさらに置換基を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノ及びアリールアミノから選択される。

上記の“化１”に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−ＳＯ_２−である場合の例としては、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，４−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，６−ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）スルホン、及びビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン等が挙げられる。

上記の“化１”に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−ＳＯ−である場合の例としては、ビス（２，３−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，３−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４−ジヒドロキシ−６−メチルフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，４−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，５−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，４−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（３，５−ジヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，３，４−トリヒドロキシ−６−メチルフェニル）−スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，３，４−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（２，４，６−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（５−クロロ−２，４，６−トリヒドロキシフェニル）スルホキシド等が挙げられる。

上記の“化１”に示される置換基のうち、フェニル基を２つ有している５番目の置換基であって、Ｚが−Ｃ（＝Ｏ）−である場合の例としては、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，５，６’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，６−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、４−アミノ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジエチルアミノ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−４’−メトキシ−２’−ヒドロキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノ−２’，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、及び４−ジメチルアミノ−３’，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。

上記構造が上記重合体の側鎖に存在している場合、上記構造を含んでいる繰り返し単位の、上記重合体に占める割合は、分離層の光の透過率が０．００１％以上、１０％以下になる範囲内にある。該割合がこのような範囲に収まるように重合体が調製されていれば、分離層が十分に光を吸収して、確実かつ迅速に変質し得る。すなわち、封止体からの支持体の除去が容易であり、該除去に必要な光の照射時間を短縮させることができる。

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記構造が吸収可能な光の波長は、１００ｎｍ以上、２，０００ｎｍ以下の範囲内であることがより好ましい。この範囲内のうち、上記構造が吸収可能な光の波長は、より短波長側であり、例えば、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲内である。例えば、上記構造は、好ましくはおよそ３００ｎｍ以上、３７０ｎｍ以下の範囲内の波長を有している紫外光を吸収することによって、該構造を含んでいる重合体を変質させ得る。

上記構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ（波長：２５４ｎｍ以上、４３６ｎｍ以下）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザ（波長：１５７ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザ（波長：３０８ｎｍ）、ＸｅＦレーザ（波長：３５１ｎｍ）若しくは固体ＵＶレーザ（波長：３５５ｎｍ）から発せられる光、又はｇ線（波長：４３６ｎｍ）、ｈ線（波長：４０５ｎｍ）若しくはｉ線（波長：３６５ｎｍ）等である。

上述した分離層は、繰り返し単位として上記構造を含んでいる重合体を含有しているが、分離層はさらに、上記重合体以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及び支持体の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による光の吸収、及び重合体の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。

（無機物）
分離層は、無機物からなっていてもよい。分離層は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体１を持ち上げる等）ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止体とを分離し易くすることができる。

上記無機物は、光を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、金属、金属化合物及びカーボンからなる群より選択される１種類以上の無機物を好適に用いることができる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物を指し、例えば、金属酸化物、金属窒化物であり得る。このような無機物の例示としては、これに限定されるものではないが、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴｉＮ、及びカーボンからなる群より選ばれる１種類以上の無機物が挙げられる。なお、カーボンとは炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えば、ダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等であり得る。

上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層に用いた無機物が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、上記無機物を好適に変質させ得る。

無機物からなる分離層に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。

無機物からなる分離層は、例えばスパッタ、化学蒸着（ＣＶＤ）、メッキ、プラズマＣＶＤ、スピンコート等の公知の技術により、支持体上に形成され得る。無機物からなる分離層の厚さは特に限定されず、使用する光を十分に吸収し得る膜厚であればよいが、例えば、０．０５μｍ以上、１０μｍ以下の範囲内の膜厚とすることがより好ましい。また、分離層を構成する無機物からなる無機膜（例えば、金属膜）の両面又は片面に予め接着剤を塗布し、支持体に貼り付けてもよい。

なお、分離層として金属膜を使用する場合には、分離層の膜質、レーザ光源の種類、レーザ出力等の条件によっては、レーザの反射や膜への帯電等が起こり得る。そのため、反射防止膜や帯電防止膜を分離層の上下又はどちらか一方に設けることで、それらの対策を図ることが好ましい。

（赤外線吸収性の構造を有する化合物）
分離層は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。分離層は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体を持ち上げる等）ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止体とを分離し易くすることができる。

赤外線吸収性を有している構造、又は赤外線吸収性を有している構造を含む化合物としては、例えば、アルカン、アルケン（ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式）、アルキン（一置換、二置換）、単環式芳香族（ベンゼン、一置換、二置換、三置換）、アルコール及びフェノール類（自由ＯＨ、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級）、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、１，３−ジケトンのエノール、ｏ−ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸（二量体、カルボン酸アニオン）、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン（β−、γ−、δ−）、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物（共役、非共役、環式、非環式）、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン（脂肪族、芳香族）、第二級アミン（脂肪族、芳香族）、第三級アミン（脂肪族、芳香族）、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合（脂肪族、芳香族、単量体、二量体）、メルカプタン及びチオフェノール及びチオール酸等の硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素−ハロゲン結合、Ｓｉ−Ａ^１結合（Ａ^１は、Ｈ、Ｃ、Ｏ又はハロゲン）、Ｐ−Ａ^２結合（Ａ^２は、Ｈ、Ｃ又はＯ）、又はＴｉ−Ｏ結合であり得る。

上記炭素−ハロゲン結合を含む構造としては、例えば、−ＣＨ_２Ｃｌ、−ＣＨ_２Ｂｒ、−ＣＨ_２Ｉ、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＦ_２、フッ化アリール、及び塩化アリール等が挙げられる。

上記Ｓｉ−Ａ^１結合を含む構造としては、ＳｉＨ、ＳｉＨ_２、ＳｉＨ_３、Ｓｉ−ＣＨ_３、Ｓｉ−ＣＨ_２−、Ｓｉ−Ｃ_６Ｈ_５、ＳｉＯ−脂肪族、Ｓｉ−ＯＣＨ_３、Ｓｉ−ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｓｉ−ＯＣ_６Ｈ_５、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＯＨ、ＳｉＦ、ＳｉＦ_２、及びＳｉＦ_３等が挙げられる。Ｓｉ−Ａ^１結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格及びシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。

上記Ｐ−Ａ^２結合を含む構造としては、ＰＨ、ＰＨ_２、Ｐ−ＣＨ_３、Ｐ−ＣＨ_２−、Ｐ−Ｃ_６Ｈ_５、Ａ^３ _３−Ｐ−Ｏ（Ａ^３は脂肪族又は芳香族）、（Ａ^４Ｏ）_３−Ｐ−Ｏ（Ａ^４はアルキル）、Ｐ−ＯＣＨ_３、Ｐ−ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｐ−ＯＣ_６Ｈ_５、Ｐ−Ｏ−Ｐ、Ｐ−ＯＨ、及びＯ＝Ｐ−ＯＨ等が挙げられる。

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば１μｍ以上、２０μｍ以下の範囲内であり、２μｍ以上、１５μｍ以下の範囲内をより好適に吸収することができる。さらに、上記構造がＳｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−Ｃ結合及びＴｉ−Ｏ結合である場合には、９μｍ以上、１１μｍ以下の範囲内であり得る。なお、各構造が吸収できる赤外線の波長は当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献：ＳＩＬＶＥＲＳＴＥＩＮ・ＢＡＳＳＬＥＲ・ＭＯＲＲＩＬＬ著「有機化合物のスペクトルによる同定法（第５版）−ＭＳ、ＩＲ、ＮＭＲ、ＵＶの併用−」（１９９２年発行）第１４６頁〜第１５１頁の記載を参照することができる。

分離層の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解することができ、固化されて固層を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層における化合物を効果的に変質させ、支持体と封止体との分離を容易にするには、分離層における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層における赤外線の透過率が９０％より低いことが好ましく、赤外線の透過率が８０％より低いことがより好ましい。

一例を挙げて説明すれば、シロキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式（１）で表される繰り返し単位及び下記化学式（２）で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂、あるいは下記化学式（１）で表される繰り返し単位及びアクリル系化合物由来の繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。

（化学式（２）中、Ｒ^６は、水素、炭素数１０以下のアルキル基、又は炭素数１０以下のアルコキシ基である。）
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記化学式（１）で表される繰り返し単位及び下記化学式（３）で表される繰り返し単位の共重合体であるｔ−ブチルスチレン（ＴＢＳＴ）−ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記化学式（２）で表される繰り返し単位及び下記化学式（３）で表される繰り返し単位を１：１で含む、ＴＢＳＴ−ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。

また、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式（４）で表される繰り返し単位及び下記化学式（５）で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。

（化学式（４）中、Ｒ^７は、水素又は炭素数１以上、１０以下のアルキル基であり、化学式（５）中、Ｒ^８は、炭素数１以上、１０以下のアルキル基、又はフェニル基である。）
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特開２００７−２５８６６３号公報（２００７年１０月４日公開）、特開２０１０−１２０９０１号公報（２０１０年６月３日公開）、特開２００９−２６３３１６号公報（２００９年１１月１２日公開）、及び特開２００９−２６３５９６号公報（２００９年１１月１２日公開）において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。

中でも、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、下記化学式（６）で表される繰り返し単位及び下記化学式（７）で表される繰り返し単位の共重合体がより好ましく、下記化学式（６）で表される繰り返し単位及び下記化学式（７）で表される繰り返し単位を７：３で含む共重合体がさらに好ましい。

シルセスキオキサン骨格を有する重合体としては、ランダム構造、ラダー構造、及び籠型構造があり得るが、何れの構造であってもよい。

また、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、例えば、（ｉ）テトラ−ｉ−プロポキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラキス（２−エチルヘキシルオキシ）チタン、及びチタニウム−ｉ−プロポキシオクチレングリコレート等のアルコキシチタン；（ｉｉ）ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタン、及びプロパンジオキシチタンビス（エチルアセトアセテート）等のキレートチタン；（ｉｉｉ）ｉ−Ｃ_３Ｈ_７Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ_３Ｈ_７）_２−Ｏ−］_ｎ−ｉ−Ｃ_３Ｈ_７、及びｎ−Ｃ_４Ｈ_９Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｎ−Ｃ_４Ｈ_９）_２−Ｏ−］_ｎ−ｎ−Ｃ_４Ｈ_９等のチタンポリマー；（ｉｖ）トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ−ｉ−プロポキシチタンジイソステアレート、及び（２−ｎ−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ）トリブトキシチタン等のアシレートチタン；（ｖ）ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン等の水溶性チタン化合物等が挙げられる。

中でも、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン（Ｔｉ（ＯＣ_４Ｈ_９）_２［ＯＣ_２Ｈ_４Ｎ（Ｃ_２Ｈ_４ＯＨ）_２］_２）が好ましい。

上述した分離層は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有しているが、分離層はさらに、上記化合物以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及び支持体の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による赤外線の吸収、及び化合物の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。

（赤外線吸収物質）
分離層は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。分離層は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体を持ち上げる等）ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止体とを分離し易くすることができる。

赤外線吸収物質は、赤外線を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、又はアルミニウム粒子を好適に用いることができる。赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。

（反応性ポリシルセスキオキサン）
分離層は、反応性ポリシルセスキオキサンを重合させることにより形成することができる。これにより、分離層は、高い耐薬品性と高い耐熱性とを備えている。

本明細書中において、反応性ポリシルセスキオキサンとは、ポリシルセスキオキサン骨格の末端にシラノール基、又は、加水分解することによってシラノール基を形成することができる官能基を有するポリシルセスキオキサンであり、当該シラノール基又はシラノール基を形成することができる官能基を縮合することによって、互いに重合することができるものである。また、反応性ポリシルセスキオキサンは、シラノール基、又は、シラノール基を形成することができる官能基を備えていれば、ランダム構造、籠型構造、ラダー構造等のシルセスキオキサン骨格を備えている反応性ポリシルセスキオキサンを採用することができる。

また、反応性ポリシルセスキオキサンは、下記化学式（８）に示す構造を有していることがより好ましい。

化学式（８）中、Ｒ”は、それぞれ独立して、水素及び炭素数１以上、１０以下のアルキル基からなる群より選択され、水素及び炭素数１以上、５以下のアルキル基からなる群より選択されることがより好ましい。Ｒ”が、水素又は炭素数１以上、１０以下のアルキル基であれば、分離層形成工程における加熱によって、化学式（８）によって表される反応性ポリシルセスキオキサンを好適に縮合させることができる。

化学式（８）中、ｐは、１以上、１００以下の整数であることが好ましく、１以上、５０以下の整数であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンは、化学式（８）で表される繰り返し単位を備えることによって、他の材料を用いて形成するよりもＳｉ−Ｏ結合の含有量が高く、赤外線（０．７８μｍ以上、１，０００μｍ以下）、好ましくは遠赤外線（３μｍ以上、１，０００μｍ以下）、さらに好ましくは波長９μｍ以上、１１μｍ以下における吸光度の高い分離層を形成することができる。

また、化学式（８）中、Ｒ’は、それぞれ独立して、互いに同じか、又は異なる有機基である。ここで、Ｒは、例えば、アリール基、アルキル基、及び、アルケニル基等であり、これらの有機基は置換基を有していてもよい。

Ｒ’がアリール基である場合、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等を挙げることができ、フェニル基であることがより好ましい。また、アリール基は、炭素数１〜５のアルキレン基を介してポリシルセスキオキサン骨格に結合していてもよい。

Ｒ’がアルキル基である場合、アルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルキル基を挙げることができる。また、Ｒがアルキル基である場合、炭素数は１〜１５であることが好ましく、１〜６であることがより好ましい。また、Ｒが、環状のアルキル基である場合、単環状又は２〜４環状の構造をしたアルキル基であってもよい。

Ｒ’がアルケニル基である場合、アルキル基の場合と同様に、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルケニル基を挙げることができ、アルケニル基は、炭素数が２〜１５であることが好ましく、２〜６であることがより好ましい。また、Ｒが、環状のアルケニル基である場合、単環状又は２〜４環状の構造をしたアルケニル基であってもよい。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、及びアリル基等を挙げることができる。

また、Ｒ’が有し得る置換基としては、水酸基及びアルコキシ基等を挙げることができる。置換基がアルコキシ基である場合、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルキルアルコキシ基を挙げることができ、アルコキシ基における炭素数は１〜１５であることが好ましく、１〜１０であることがより好ましい。

また、一つの観点において、反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量は、７０モル％以上、９９モル％以下であることが好ましく、８０モル％以上、９９モル％以下であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量が７０モル％以上、９９モル％以下であれば、赤外線（好ましくは遠赤外線、さらに好ましくは波長９μｍ以上、１１μｍ以下の光）を照射することによって好適に変質させることができる分離層を形成することができる。

また、一つの観点において、反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５００以上、５０，０００以下であることが好ましく、１，０００以上、１０，０００以下であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量（Ｍｗ）が５００以上、５０，０００以下であれば、溶剤に好適に溶解させることができ、サポートプレート上に好適に塗布することができる。

反応性ポリシルセスキオキサンとして用いることができる市販品としては、例えば、小西化学工業株式会社製のＳＲ−１３、ＳＲ−２１、ＳＲ−２３及びＳＲ−３３等を挙げることができる。

＜積層体の製造方法、及び封止体の製造方法＞
本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法は、素子が実装される配線層と、上記素子と、上記素子を封止する封止材とを備えている封止体を、上記封止体を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体の製造方法であって、上記支持体上に、上述の接着剤組成物を塗布することにより上記接着層を形成する接着層形成工程を包含している。ここで、上記支持体は、光を透過する材料からなる支持体であり、上記接着層形成工程前に、上記支持体上に光を照射することにより変質する分離層が形成されている。

また、本発明の一実施形態に係る封止体の製造方法は、本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法によって、上記積層体を製造する積層体製造工程と、上記積層体形成工程後、上記支持体を介して光を照射することで、上記分離層を変質させることにより、上記積層体から上記支持体を分離する分離工程と、分離工程後、上記封止体側に残る上記接着層の残渣を炭化水素系溶剤によって除去する接着層除去工程とを包含している。

〔実施形態１〕
図１は、本発明の実施形態１の封止体の製造方法の各工程を説明する図である。本実施形態に係る封止体の製造方法は、分離層形成工程、接着層形成工程、封止体形成工程、及び接着層除去工程をこの順に実施する。

［分離層形成工程］
図１の（ａ）に示すように、分離層形成工程では、光を透過する支持体１の一方の平面部１ａに、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）法等により、光を照射することで変質する分離層２を形成する。なお、「一方の平面部」とは、支持体１が有する平面部のうちの一つを指す。また、「平面部」は、実質的に平面と見なせる程度の微細な凹凸を有していてもよい。

［接着層形成工程］
図１の（ｂ）に示すように、接着層形成工程では、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により上述の接着剤組成物を塗布し、加熱するか、又は、減圧環境下に置くことにより、接着剤組成物に含まれている希釈溶剤を除去する。その後、接着層が熱重合開始剤を含んでいる場合、加熱することにより、当該接着層が含んでいる重合性モノマーを重合させるとよい。なお、接着層３を加熱する条件は、熱重合開始剤における１分間半減温度、及び、１時間半減温度に基づき、適宜設定すればよいが、例えば、５０℃以上、３００℃以下の範囲内の温度において、真空下又は窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下にて行うことがより好ましい。

また、接着層が光重合開始剤を含んでいる場合、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下にて露光することにより、当該接着層が含んでいる重合性モノマーを重合させるとよい。なお、露光する条件は、光重合開始剤の種類に応じて適宜設定すればよい。

［封止体形成工程］
図１の（ｃ）〜（ｆ）に示すように、封止体形成工程では、配線層４上に、封止体７を形成する。本実施形態における封止体形成工程では、配線層形成工程、実装工程、封止工程、薄化工程、及び接着層除去工程をこの順に行う。

［配線層形成工程］
図１の（ｃ）に示すように、配線層形成工程では、接着層３上に配線層４を形成する。

一実施形態において、配線層４の形成手順としては、まず、接着層３上に、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、感光性樹脂等の誘電体層を形成する。酸化シリコンからなる誘電体層は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法等により形成することができる。感光性樹脂からなる誘電体層は、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布及びスリット塗布等の方法により感光性樹脂を塗布することによって形成することができる。

続いて、誘電体層に、金属等の導電体によって配線を形成する。配線の形成手法としては、例えば、フォトリソグラフィー（レジストリソグラフィー）等のリソグラフィー処理、エッチング処理等の公知の半導体プロセス手法を用いることができる。

このように、フォトリソグラフィー処理、及びエッチング処理等を行うときにおいて、接着層３は、フッ化水素酸等の酸、ＴＭＡＨ等のアルカリ、及び、レジスト溶剤に曝される。特に、ファンアウト型技術においては、レジスト溶剤として、ＰＧＭＥＡ以外に、シクロペンタノン、及びシクロヘキサノン等が用いられる。しかしながら、接着層３は、ブロック共重合体中において重合性モノマーを重合させることにより耐薬品性が高められている。このため、酸、アルカリのみならず、レジスト溶剤に曝されることによって接着層３が、溶解、又は剥離することを防止することができる。よって、接着層３上に配線層４を好適に形成することができる。

図１の（ｄ）に示すように、実装工程では、配線層４上に素子５を実装する。配線層４上への素子５の実装は、例えば、チップマウンター等を用いて行うことができる。

図１の（ｅ）に示すように、封止工程では、素子５を封止材６によって封止する。特に限定されるものではなく、参考として、封止材６は、例えば、１００℃以上に加熱された状態で、高粘度の状態を維持しつつ、成形型を用いて射出成形される。このため、素子５を封止材６によって封止するときに、接着層３は、１００℃以上の温度にて加圧される。しかしながら、接着層３は、ブロック共重合体中において重合性モノマーを重合させることにより、高温に加熱されたときにおける動的複素弾性率が高められている。このため、１００℃以上の温度にて加圧されることで、素子５を封止材６によって封止することにより形成される封止体７に歪みが生じることを防止することができる。よって、接着層３上において、封止体７を好適に形成することができる。

図１の（ｆ）に示すように、薄化工程では、封止材６を薄化する。封止材６は、例えば、素子５と同等の厚さにまで薄化してもよい。

また、薄化工程後に封止材上へのバンプの形成、及び、絶縁層の形成等の処理をさらに行ってもよい。

以上の工程によって得られた図１の（ｇ）に示す積層体８は、光を透過する支持体１と、光を照射することで変質する分離層２と、接着層３と、封止体７と、がこの順に積層されてなり、封止体７は、素子５を実装する配線層４と、素子５と、素子５を封止する封止材６とを備えており、分離層２は、支持体１に接している部分以外が接着層３によって被覆されている。このような積層体８は、本発明に係る積層体の製造方法の過程においてのみ製造されるものであり、単離された封止体７を製造するために好適に利用することができる。

［分離工程］
図１の（ｈ）に示すように、分離工程では、支持体１を介して、分離層２に光Ｌを照射することで、分離層２を変質させる。照射する光Ｌの種類及び波長は、支持体１の透過性及び分離層２の材質に応じて適宜選択すればよく、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を用いることができる。これにより、分離層２を変質させて、支持体１と封止体７とを容易に分離可能な状態とすることができる。

また、レーザ光を照射する場合のレーザ光照射条件の一例としては、以下の条件を挙げることができるが、これに限定されない：レーザ光の平均出力値は、１．０Ｗ以上、５．０Ｗ以下であることが好ましく、３．０Ｗ以上、４．０Ｗ以下であることがより好ましい；レーザ光の繰り返し周波数は、２０ｋＨｚ以上、６０ｋＨｚ以下であることが好ましく、３０ｋＨｚ以上、５０ｋＨｚ以下であることがより好ましい；レーザ光の走査速度は、１００ｍｍ／ｓ以上、１０，０００ｍｍ／ｓ以下であることが好ましい。

その後、図１の（ｉ）に示すように、分離工程では、支持体１と封止体７とを分離する。例えば、支持体１と封止体７とが互いに離れる方向に力を加えることにより、支持体１と、封止体７とを分離する。例えば、支持体１及び封止体７の一方をステージに固定した状態で、他方をベローズパッド等の吸着パッドを備えた分離プレートにより吸着保持しつつ持ち上げることにより、支持体１と封止体７とを分離することができる。

（洗浄工程）
図１の（ｈ）に示すように、洗浄工程では、支持体１が分離された封止体７に残留している接着層３と分離層２とを除去する。例えば、有機溶剤を含んでいる洗浄液等によって接着層３及び分離層２の残渣を除去する洗浄工程を行う。接着層３は、洗浄液として、接着剤組成物に用いられる希釈溶剤、つまり、炭化水素系溶剤を好ましく用いることができ、特に、ｐ−メンタン等のテルペン系溶剤、及び、テトラヒドロナフタレン等の縮合環炭化水素を用いることがより好ましい。

以上により、単離された封止体７を得ることができる。

また、さらに、封止体７に対して、ソルダーボール形成、ダイシング処理、及び、酸化膜形成等の処理を行ってもよい。

〔実施形態２〕
本発明の別の実施形態（実施形態２）について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。実施形態２に係る積層体の製造方法、及び封止体の製造方法は、分離層形成工程、接着層形成工程、封止体形成工程、及び分離工程洗浄工程をこの順に実施し、封止体形成工程では、接着層３上に素子を配置する。

［分離層形成工程〜接着層形成工程］
図２の（ａ）及び（ｂ）に示すように、分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程及び接着層形成工程は、実施形態１と同様であるため、その説明を省略する。

［封止体形成工程］
図２の（ｃ）〜（ｆ）に示すように、封止体形成工程では、接着層３上に、封止体７を形成する。本実施形態における封止体形成工程では、素子配置工程、封止工程、薄化工程、及び配線層形成工程をこの順に行う。

図２の（ｃ）に示すように、素子配置工程では、接着層３上に素子５を配置する。接着層３上への素子５の配置は、接着層３を加熱した状態で、例えば、チップマウンター等を用いて行うことができる。

図２の（ｄ）に示すように、封止工程では、素子５を封止材６によって封止する。封止材６は、例えば、成形型を用いて射出成形する。なお、実施形態１の場合と同様に、封止工程において素子５を封止するときに、接着層３に歪みが生じることを防止することができることは言うまでもない。

図２の（ｅ）に示すように、薄化工程では、封止材６を薄化する。封止材６は、例えば、素子５の端子部が封止材６から露出するまで薄化すればよい。

図２の（ｆ）に示すように、配線層形成工程では、封止材６によって封止された素子５上に配線層４を形成する。

一実施形態において、配線層４の形成手順としては、実施形態１と同様に行うことができるため、その説明を省略する。

以上の工程により、実施形態１と同様に、積層体９を得ることができる。

その後、図２の（ｇ）及び（ｈ）に示すように、分離工程において、支持体１から分離層２に向かって光を照射することにより、分離層２を変質させることにより支持体１を積層体９から分離する。また、その後、洗浄工程において、実施形態１同様に、炭化水素系溶剤を用いて接着層３を除去することにより、封止体７を得ることができる（図２の（ｉ））。

〔実施形態３〕
本発明の実施形態３について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上述の実施形態１及び２にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。実施形態３に係る積層体の製造方法、及び封止体の製造方法は、分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、接着層形成工程、封止体形成工程、及び接着層除去工程をこの順に実施する。

［分離層形成工程］
図３の（ａ）に示すように、分離層形成工程は、実施形態１及び２と同様であるため、その説明を省略する。

［分離層周縁部分除去工程］
図３の（ｂ）に示すように、分離層周縁部分除去工程では、例えば、ＥＢＲ（Edge Bead Removal）処理により、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された分離層２を除去する。周縁部分１ｂは、平面部１ａの周縁部分である。これにより、図３の（ｂ）に示すように、平面部１ａ上には、分離層２が除去された周縁部分１ｂに囲まれた部分に、分離層２が形成されている状態となる。ＥＢＲ処理の詳細については後述する。

［接着層形成工程］
図３の（ｃ）に示すように、接着層形成工程では、支持体１における周縁部分１ｂ全周の分離層２を除去した側の面に、接着層３を形成する。これにより、支持体１上に形成された分離層２の全面を接着層３によって被覆する。なお、接着層３を形成する方法は、実施形態１〜２と同じであるため、その説明を省略する。

［封止体形成工程］
図３の（ｄ）〜（ｇ）に示すように、封止体形成工程では、接着層３上に、封止体７’を形成する。本実施形態における封止体形成工程では、配線層形成工程、素子配置工程、封止工程、及び薄化工程をこの順に行う。

図３の（ｄ）に示すように、実施形態３では、配線層形成工程において、接着層３上に形成された配線層４の外周端部をトリミング処理により除去する。なお、配線層４のトリミングには、グラインダ等の公知の手段によって研削することにより除去すればよい。これにより、後の工程において、積層体８’（図３）においてＥＢＲ処理を好適に行うことができる。

なお、配線層４を形成する方法は、実施形態１及び２と同じであるため、その説明を省略する。

図３の（ｅ）〜（ｇ）に示すように、実施形態３においても、素子配置工程、封止工程、及び薄化工程を行う。なお、実施形態３における、素子配置工程、封止工程、及び薄化工程は、実施形態１と同様に行うことができるため、その説明を省略する。

［接着層除去工程］
図３の（ｈ）に示すように、接着層除去工程では、例えば、ＥＢＲ処理により、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された接着層３を除去する。接着層３のうち、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された部分は、分離層２を介さずに、支持体１と封止体７’とを接着しているため、当該部分を除去しておくことにより、分離層２を変質させたときに、支持体１と封止体７’とを円滑に分離することができる。

特に、支持体１上に形成されている分離層２の外周端部２ａよりも外側に形成された接着層３を除去しておくことにより、支持体１と封止体７’とが、必ず分離層２を介して接着されている状態にすることができるため、分離層２を変質させたときに、支持体１と封止体７’とをより円滑に分離することができる。

［分離工程〜洗浄工程］
図３の（ｉ）〜（ｋ）に示すように、実施形態１と同様に、分離工程、及び洗浄工程を行うことにより、封止体７’を製造することができる。

（ＥＢＲ処理）
上述の（Ａ）分離層周縁部分除去工程において、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された分離層２を除去するためのＥＢＲ処理、及び、（Ｂ）接着層除去工程において、支持体１の周縁部分１ｂ全周に形成された接着層３を除去するためのＥＢＲ処理は、例えば、（ｉ）溶剤によって溶解して除去する方法、（ｉｉ）カッター又はブレードなどを用いて物理的に切断して除去する方法、（ｉｉｉ）大気圧下でのアッシングにより除去する方法などが挙げられる。この中でも、強度及び実用性の観点から、溶剤によって除去する方法が好ましい。

溶剤によって除去する方法において用いられる溶剤としては、除去対象となる分離層２又は接着層３を溶解し得るものであればよく、特に限定されないので、当業者は、除去対象の組成に応じて、適宜選択することができる。例えば、接着層３に対して、特に、ｐ−メンタン等のテルペン系溶剤、及び、テトラヒドロナフタレン等の縮合環炭化水素を用いることができる。また、分離層２に対しては、例えば、モノイソプロパノールアミン（ＭＩＰＡ）等の第一級脂肪族アミン、２−（メチルアミノ）エタノール（ＭＭＡ）等の第二級脂肪族アミン、トリエタノールアミン等の第三級の脂肪族アミン、シクロヘキシルアミン等の脂環式アミン、ベンジルアミン等の芳香族アミン及びＮ‐ヒドロキシエチルピペリジン等の複素環式アミンからなる群より選択される少なくとも１種のアミン類、又は、それらを含む溶剤等を用いることができる。なお、溶剤には、上述の（添加溶剤）の欄に列挙されたもののうち、テルペン溶剤以外の有機溶剤を好適に用いることができる。

溶剤を供給する方法としては、例えば、溶剤の噴出によって、除去対象に溶剤を供給する方法、除去対象を溶剤中に浸漬させる方法が挙げられる。

溶剤の噴出によって、除去対象に溶剤を供給する方法としては、均一に溶剤を供給するために、支持体１を回転させながら、除去対象に溶剤を供給する方法が好ましい。支持体１を回転させながら、溶剤を供給する方法としては、例えば、溶剤を噴出するノズルを支持体１の周縁部分１ｂの直ぐ外側の直上に配置し、溶剤を支持体１の周縁部分１ｂの直ぐ外側に滴下しながら、支持体１を、スピンナーを用いて回転させる方法が挙げられる。これにより、溶剤を支持体１の周縁部分１ｂの全周の直ぐ外側に供給することができる。なお、配置するノズルの数に制限はなく、１つ以上であればよい。

支持体１の回転及び溶剤の噴出を伴う上記方法において、支持体１の回転速度、溶剤をノズルから供給するときの溶剤の流量、及び溶剤の供給時間は、除去対象の組成、除去対象の厚さ、使用する溶剤の種類、及び除去の程度に応じて異なり得るものであるが、当業者であれば、その最適条件を困難なく検討及び決定することができる。

また、溶剤による除去対象の溶解後は、支持体１等を乾燥することが好ましい。乾燥工程を経ることによって、不要な溶剤、除去対象部分ではない分離層２又は接着層３に浸入した溶剤を除去することができる。

乾燥方法としては、スピンナー等を用いて支持体１を回転させることによる振り切り乾燥、Ｎ_２ガスなどの噴霧によるエアブローでの乾燥、ベークによる乾燥、及び減圧による乾燥等が挙げられる。なお、これらの乾燥方法としては、いずれかの方法を単独で用いる方法、あるいは任意の２つ以上の方法を組み合わせて用いる方法のいずれも可能である。

〔実施形態４〕
本発明の実施形態４について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上述の実施形態１〜３にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。実施形態４に係る積層体の製造方法、及び封止体の製造方法は、分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、接着層形成工程、封止体形成工程、及び接着層除去工程をこの順に実施する。

［分離層形成工程〜接着層形成工程］
分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、及び、接着層形成工程は、実施形態３と同じであるため、その説明を省略する。

［封止体形成工程］
封止体形成工程では、接着層３上に、素子５を配置して封止する。つまり、実施形態２と同じ工程によって、封止体７’を形成する。その後、図４の（ａ）に示すように、封止体７’の外周端部をトリミング処理により除去する。なお、封止体４のトリミングには、グラインダ等の公知の手段によって研削することにより除去すればよい。これにより、後の工程において、積層体９’（図４）においアミンＲ処理を好適に行うことができる。

［接着層除去工程］
図４の（ｂ）に示すように、実施形態３と同じく、実施形態４においても、封止体７’の外周端部をトリミング処理することにより、分離層２の外周端部２ａよりも外側に形成された接着層３を除去することができる。このため、分離層２を変質させたときに、支持体１と封止体７’とをより円滑に分離することができる。

その後、実施形態１〜３と同様に、接着層３を炭化水素系溶剤により除去することにより、封止体７’を製造することができる。

〔別の実施形態〕
本発明の一実施形態に係る、接着剤組成物、積層体、積層体の製造方法、及び封止体の製造方法は、上述の実施形態に限定されない。上述の実施形態１〜４において、ＷＬＰ技術では、支持体１として、上面視における形状が円形である支持体１が好適に使用され得る。しかしながら、半導体装置の技術分野では、さらなる高密度集積化や生産効率の向上のために、円形である支持体１のサイズの大型化の他に、上面視における形状が四角形である大型パネルを支持体として使用することが検討されている。このような四角形の大型パネルを用いて半導体装置を製造する方法は、ＰＬＰ（Panel level Package）技術として知られ、ファンアウト型技術により実施され得る。ここで、本願の一実施形態に係る接着剤組成物は、ブロック共重合体と重合性モノマーとを含んだ硬化型接着剤組成物を用いることで、高温に加熱したときに高い粘弾性を維持することができる。このため、パネル上において素子を配置して封止するＰＬＰ（Panel level Package）技術においても、封止体に歪みが生じることを防止することができる。従って、ファンアウト型のＰＬＰ技術において使用する実施形態も、一実施形態に係る接着剤組成物、積層体、積層体の製造方法、及び封止体の製造方法本発明の範疇である。なお、ＰＬＰ技術において、パネルには、ガラス又はシリコン等の材料によって形成されたパネルを好適に使用することができる。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

＜実施例＞
以下に示すベースポリマー（ブロック共重合体）、硬化モノマー（重合性モノマー）、及び重合開始剤を用いて接着剤組成物を調製し、当該接着剤組成物を用いて形成した接着層の薬品耐性及び洗浄性の評価、及び、動的複素弾性率の測定を行った。

〔接着剤組成物の調製、及び接着層の形成〕
〔実施例１〕
まず、実施例１の接着剤組成物として、８０重量部のＳｅｐｔｏｎ２００２（ベースポリマー：株式会社クラレ製、ＳＥＰＳ：スチレン−イソプレン−スチレンのトリブロック共重合体、スチレン含有量３０％、分子量５３，０００）と、２０重量部のトリシクロデカンジメタノールジアクリレート（硬化モノマー：新中村化学株式会社製、「Ａ−ＤＣＰ（商品名）」）とをデカヒドロナフタレン２８０重量部に溶解することにより、接着剤組成物の主剤を調製した。次いで、硬化剤として、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート２０重量部に対する配合量が、０．４重量部となるように、ジアルキルパーオキサイド（熱重合開始剤：日本油脂株式会社製、「パークミルＤ（商品名）」）を酢酸ブチル２０重量部に溶解した。その後、上記主剤に上記硬化剤を配合することで接着剤組成物を調製した。

次いで、実施例１の接着剤組成物を、スピンコート法により、ガラス支持体（ガラス支持体、８インチ、厚さ７００μｍ）に塗布し、９０℃及び１４０℃のそれぞれにおいて５分間ずつベークすることにより接着層に含まれている溶剤を除去した。次いで、窒素ガス雰囲気下において、２００℃、１時間の条件で、接着層を加熱することにより、硬化モノマーを重合させた。これにより、実施例１の接着層を形成した（膜厚５μｍ）。なお、同様の条件において、４枚のガラス支持体上に接着層を形成し、夫々を耐薬品性の評価及び洗浄性の評価に用いた。

（薬品耐性の評価）
薬品耐性の評価は、２３℃、５分間の条件において、シクロペンタノン、シクロヘキサノン及びＰＧＭＥＡの夫々に１枚ずつ接着層を形成したガラス支持体を浸漬し、その後、各薬品に対する積層体の重量変化及び外観変化に基づいて評価した。耐薬品性の評価は、重量及び外観に変化が見られない場合は「○」とし、重量変化又は外観変化（クラックの有無）が見られた場合は「×」と判定した。結果を表１に示す。

（洗浄性の評価）
実施例１の接着層を形成したガラス支持体を、１，０００ｒｐｍの条件で回転させ、剥離液としてｐ−メンタンを供給することにより、当該ガラス支持体をスピン洗浄した。洗浄後のガラス支持体における残渣の有無を顕微鏡により確認した。なお、残渣があると、目視により、顕微鏡から出る高輝度の光により残渣部分が乱反射して白く見える。残渣が多く見られた場合には、洗浄性を「×」と評価し、残渣がほとんど見られなかった場合に、洗浄性を「△」と評価し、残渣が全く見られなかった場合に、洗浄性を「○」と評価した。結果を表１に示す。

〔実施例２〜３２〕
実施例２〜３２として、実施例１と異なる組成において、ベース樹脂、硬化モノマー、及び重合開始剤を配合し、これら接着剤組成物を用いて、接着層を形成した。その後、実施例１と同じ条件にて、薬品耐性、及び、洗浄性の評価を行った。実施例２〜３２の組成の詳細、及び、各評価結果を表１〜４に示す。

〔比較例１、２〕
比較例１、２として、硬化モノマー及び、重合開始剤を含んでいない接着剤組成物を調製し、実施例１における２００℃、１時間の条件で、接着層を加熱しないこと以外は、実施例１と同じ手順でガラス支持体上に接着層を形成した。また、実施例１と同じ条件にて、薬品耐性、及び、洗浄性の評価を行った。比較例１及び比較例２の組成の詳細、及び、各評価結果を、表５に示す。

なお、実施例２〜３２、並びに、比較例１、２において使用したベースポリマー、硬化モノマー、及び開始剤は以下に示す通りである。

〔ベースポリマー〕
・以下の化学式（９）で示されるスチレン−イソプレン−スチレンのトリブロック共重合体：ＳＥＰＳ（クラレ社製、「Ｓｅｐｔｏｎ２００２（商品名）」、スチレン含有量３０％、分子量５３０００）
・以下の化学式（９）で示されるスチレン−イソプレン−スチレンのトリブロック共重合体：ＳＥＰＳ（クラレ社製、「Ｓｅｐｔｏｎ２００４（商品名）」、スチレン含有量１８％、分子量９００００）

〔硬化モノマー〕
・以下の化学式（１０）で示されるトリシクロデカンジメタノールジアクリレート（新中村化学株式会社製、「Ａ−ＤＣＰ（商品名）」）
・以下の化学式（１１）で示されるトリシクロデカンジメタノールジメタクリレート（新中村化学株式会社製、「ＤＣＰ（商品名）」）

〔開始剤〕
・ジアルキルパーオキサイド（１分間半減温度／１７５．２℃、１時間半減温度／１３５．７℃、理論活性酸素量／５．９２％：日本油脂株式会社製、「パークミルＤ（商品名）」）
・パーオキシエステル（１分間半減温度／１２４．３℃、１時間半減温度／８４．４℃、理論活性酸素量／５．８７％：日本油脂株式会社製、「パーオクタＯ（商品名）」）

（各評価結果）
表１〜５に示すように、実施例１〜３２の接着層はいずれも、レジスト溶剤であるシクロペンタノン、シクロヘキサノン、及び、ＰＧＭＥＡに対する薬品耐性が良好であった（○）。これに対して、硬化モノマーを含まない比較例１及び２の接着層は、ＰＧＭＥＡに対する薬品耐性は良好であったものの、シクロペンタノン及びシクロヘキサノンへの薬品耐性は低かった（×）。これらの結果から、実施例１〜３２の接着層を形成したガラス支持体上において、フォトリソグラフィー処理を行い、配線層を形成することができることを確認することができた。

また、硬化モノマーの含有量が、１５重量％以下である実施例２〜４、６〜８、１０〜１２、１４〜１６、１８〜２０、２２〜２４、２６〜２８及び３０〜３２は、薬品耐性のみならず、ｐ−メンタンによる洗浄性にも優れていた（○）。よって、ベースポリマーの含有量を８０重量％よりも多くし、硬化モノマーの含有量を２０重量％よりも少なくすることによって、高い薬品耐性のみならず、高い洗浄性を備えた接着層を形成することができることを確認することができた。

＜接着層の動的複素弾性率測定試験＞
上述の実施例２、６の接着層剤組成物と、比較例１、２の接着剤組成物とについて、夫々によって形成される接着層における動的複素弾性率（Ｅ＊）を測定した。

実施例２の接着剤組成物を、固形分濃度２５％以上になるように調整し、６インチのＳｉウェハに対してスピンコートし、９０℃及び１４０℃で各５分間ベークし、窒素雰囲気下、２００℃で１時間処理して５０μｍの接着層（膜）を形成した。その膜を２０ｍｍ（測定幅は１０ｍｍに合わせる）×５ｍｍの大きさに切りとり試験片とした。動的複素弾性率（Ｅ＊）は、動的粘弾性測定装置Ｒｈｅｏｌｏｇｅｌ−Ｅ４０００（ＵＢＭ株式会社製）を用いて、周波数１Ｈｚの条件にて、５℃／分の昇温速度で、５０℃から２５０℃まで温度を上昇させながら、測定した。結果を表９に示す。なお、実施例６、比較例１、及び比較例２の接着剤組成物を用いた接着層についても、実施例２の接着剤組成物と同じ条件にて、動的複素弾性率を測定した。測定結果を以下の表６に示す。

表６に示すように、実施例２、６については、２５０℃という高温において高い動的複素弾性率を維持することができることを確認することができた。一方、比較例１、２の接着剤組成物を用いて形成した接着層は、２００℃以上の高温において、サンプルの軟化が著しく、動的複素弾性率を正確に測定することができなかった。これにより、硬化モノマーを硬化させた接着層は、硬化モノマーを加えていない接着層と比較して、特に、２００℃以上の高温環境において圧力を加えられても、歪みが生じることを防止することができることを確認することができた。

＜接着層に含まれるベースポリマーの評価＞
比較例２におけるベースポリマーであるＳ２００４をシクロオレフィンポリマーに置き換えた比較例３の接着剤組成物、及び、実施例２２におけるベースポリマーであるＳ２００４を、シクロオレフィンポリマーに置き換えた比較例４の接着剤組成物を調製した。また、実施例２２と同じ手順にて比較例４の接着層を形成し、比較例２と同じ手順にて比較例３の接着層を形成した。その後、実施例２２及び比較例２〜４の接着層における動的複素弾性率（Ｅ＊）の測定を行った。また、比較例２の接着剤組成物と、比較例３の接着剤組成物とについて、夫々によって形成される接着層における溶解速度を測定した。

比較例３及び４の接着剤組成物の組成を表７に示す。なお、比較例３及び４のベースポリマーとしては、以下の化学式（１２）で示されるシクロオレフィンポリマー：三井化学株式会社製、「ＡＰＬ８００８Ｔ（商品名）」（下記化学式（１２）、Ｍｗ＝１００，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１、ｍ：ｎ＝８０：２０（モル比））を使用した。

（接着層の動的複素弾性率測定試験）
実施例２２、比較例３及び比較例４の接着剤組成物を用いた接着層について、上述の比較例２の接着剤組成物と同じ条件にて、動的複素弾性率を測定した。測定結果を以下の表８に示す。

表８に示すように、実施例２２及び比較例４の接着層における動的複素弾性率を比較すると、５０℃の条件では、比較例４の接着層の方がより高い動的複素弾性率を示しているが、より高い温度である１５０℃の条件では、実施例２２の接着層の方が、より高い動的複素弾性率を示している。このことから、実施例２２の接着層の方が、より高い温度条件においても、高い動的複素弾性率を維持できることを確認できた。なお、比較例２と比較例３とにおける接着層の動的複素弾性率を比較しても、ブロック共重合体を用いた比較例２の接着層の方が、より高い温度において、より高い動的複素弾性率を維持している。このため、接着剤組成物は、ベースポリマーとして、ブロック共重合体を用いる方が、高い温度領域において高い動的複素弾性率を維持することができることを確認することができた。

（溶解速度の測定）
比較例２及び３の接着剤組成物を実施例１と同様の条件でガラス支持体に塗布し、同様の条件でベークことにより、接着層を形成した（膜厚５μｍ）。接着剤層が形成された支持体を、２５℃に保持したｐ−メンタンに浸漬させ、接着剤層が完全に溶解するまでの時間を測定した。この溶解時間（Ｔ（ｓｅｃ））と、予め測定しておいた接着剤層の厚さ（Ｌ（ｎｍ））とから溶解速度（Ｌ／Ｔ（ｎｍ／ｓｅｃ））を算出した。溶解速度の測定結果を表９に示す。

表９に示すように、ブロック共重合体をベースポリマーとして使用した比較例２のほうが、シクロオレフィン系樹脂をベースポリマーとして使用した比較例３よりも溶解速度が速い結果となった。この結果から、シクロオレフィンポリマーよりもブロック共重合体をベースポリマーとして用いた接着層のほうがより迅速に洗浄により除去することができることは明らかである。

本発明は、特にファンアウト型技術による半導体装置の製造において好適に利用することができる。

１支持体
３接着層
４配線層
５素子
６封止材
７、７' 封止体
８、８'、９、９' 積層体

Claims

素子が実装される配線層と、上記素子と、上記素子を封止する封止材とを備えている封止体を、上記封止体を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体における、上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、
上記積層体において、上記支持体は光を透過する支持体であり、当該支持体と上記接着層との間に、光を吸収することにより変質する分離層を備えており、
上記接着剤組成物は、
ブロック共重合体と、
重合性モノマーと、
重合開始剤と、を含んでおり、
上記ブロック共重合体は、両末端にスチレンブロックを有しているトリブロック共重合体の水添物であり、
上記重合性モノマーは、炭化水素骨格を備えている（メタ）アクリル酸エステルであることを特徴とする接着剤組成物。
上記ブロック共重合体と上記重合性モノマーとの合計量に対する上記重合性モノマーの量が、１重量％以上、５０重量％以下の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の接着剤組成物。
上記ブロック共重合体のスチレンブロックの含有量は、１０重量％以上、６５重量％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の接着剤組成物。
上記ブロック共重合体の重量平均分子量は、５０，０００以上、１５０，０００以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の接着剤組成物。
上記（メタ）アクリル酸エステルは、多官能の（メタ）アクリル酸エステルであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の接着剤組成物。
上記重合開始剤は、熱重合開始剤又は光重合開始剤であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の接着剤組成物。
素子が実装される配線層と、上記素子と、上記素子を封止する封止材とを備えている封止体を、上記封止体を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体であって、
上記積層体において、上記支持体は光を透過する支持体であり、当該支持体と上記接着層との間に、光を吸収することにより変質する分離層を備えており、
上記接着層は、
ブロック共重合体と、
重合性モノマーの重合体と、
重合開始剤と、を含んでおり、
上記ブロック共重合体は、両末端にスチレンブロックを有しているトリブロック共重合体の水添物であり、
上記重合性モノマーは、炭化水素骨格を備えている（メタ）アクリル酸エステルであることを特徴とする積層体。
上記ブロック共重合体と上記重合性モノマーの重合体との合計量に対する上記重合性モノマーの重合体の量が、１重量％以上、５０重量％以下の範囲内であることを特徴とする請求項７に記載の積層体。
上記ブロック共重合体のスチレンブロックの含有量は、１０重量％以上、６５重量％以下であることを特徴とする請求項７または８に記載の積層体。
上記ブロック共重合体の重量平均分子量は、５０，０００以上、１５０，０００以下であることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の積層体。
上記（メタ）アクリル酸エステルの重合体は、多官能の（メタ）アクリル酸エステルの重合体であることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の積層体。
素子が実装される配線層と、上記素子と、上記素子を封止する封止材とを備えている封止体を、上記封止体を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体の製造方法であって、
上記積層体において、上記支持体は光を透過する支持体であり、当該支持体と上記接着層との間に、光を吸収することにより変質する分離層が形成されており、
上記分離層上に、請求項１〜６のいずれか１項に記載の接着剤組成物を塗布することにより上記接着層を形成する接着層形成工程と、を包含していることを特徴とする積層体の製造方法。
素子が実装される配線層と、上記素子と、上記素子を封止する封止材とを備えている封止体を、上記封止体を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体の製造方法であって、
上記積層体において、上記支持体は光を透過する支持体であり、当該支持体と上記接着層との間には、光を吸収することにより変質する分離層が形成されており、
上記分離層上に、請求項６に記載の接着剤組成物を塗布し、加熱又は露光することにより上記接着層を形成する接着層形成工程を包含していることを特徴とする積層体の製造方法。
請求項１２又は１３に記載の積層体の製造方法により、積層体を製造する積層体製造工程を包含しており、
積層体製造工程後、上記支持体を介して上記分離層に光を照射することにより、上記分離層を変質させ、積層体から上記支持体を分離する分離工程と、
上記封止体側に残留する接着層を、炭化水素系溶剤により除去する洗浄工程と、を包含していることを特徴とする封止体の製造方法。