JP7033915B2

JP7033915B2 - 接着剤組成物、積層体及びその製造方法、並びに電子部品の製造方法

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Publication number: JP7033915B2
Application number: JP2017253543A
Authority: JP
Inventors: 有希中村; 孝広吉岡; 洋文今井
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Current assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 2017-12-28
Filing date: 2017-12-28
Publication date: 2022-03-11
Anticipated expiration: 2037-12-28
Also published as: TW201936850A; JP2019119762A; KR20190080730A

Description

本発明は、接着剤組成物、積層体及びその製造方法、並びに電子部品の製造方法に関する。

半導体素子を含む半導体パッケージ（電子部品）には、対応サイズに応じて様々な形態が存在し、例えばＷＬＰ（Wafer Level Package）、ＰＬＰ（Panel Level Package）等がある。
半導体パッケージの技術としては、ファンイン型技術、ファンアウト型技術が挙げられる。ファンイン型技術による半導体パッケージとしては、ベアチップ端部にある端子をチップエリア内に再配置する、ファンイン型ＷＬＰ（Fan-in Wafer Level Package）等が知られている。ファンアウト型技術による半導体パッケージとしては、該端子をチップエリア外に再配置する、ファンアウト型ＷＬＰ（Fan-out Wafer Level Package）等が知られている。

近年、特にファンアウト型技術は、パネル上に半導体素子を配置してパッケージ化するファンアウト型ＰＬＰ（Fan-out Panel Level Package）に応用される等、半導体パッケージにおける、よりいっそうの高集積化、薄型化及び小型化等を実現し得る方法として注目を集めている。

半導体パッケージの小型化を図るためには、組み込まれる素子における基板の厚さを薄くすることが重要となる。しかしながら、基板の厚さを薄くすると、その強度が低下し、半導体パッケージ製造の際に基板の破損を生じやすくなる。これに対し、基板に支持体を貼り合わせた積層体が採用されている。

ここで基板と支持体とを貼り合わせる際には、従来、光の透過率に優れる点から、シクロオレフィン構造を有するポリマー、を含有する接着剤が汎用されている。
特許文献１には、シクロオレフィン構造を有するポリマーと、当該ポリマーに相溶する（メタ）アクリレートモノマーと、を含有する接着剤組成物が開示されている。

特開２０１４－１０５３１６号公報

ところで、半導体パッケージ製造の際には、基板と支持体とを接着剤により貼り合わせた後、封止、薄膜形成、焼成などの高温処理が施されたり、再配線層を形成する際のリソグラフィ操作等で薬液処理が施されたりする。
特許文献１に記載の接着剤により基板と支持体とが貼り合わされている場合、前記の高温処理の影響によって、例えば封止操作の前後で基板の位置ずれを生じる等の問題があった。また、前記の高温処理の際に、封止材が含有する樹脂中の水分等が気化してガスを発生し、封止材層と支持体との間にボイドが生じて、支持体が剥がれやすくなる等の問題の発生が懸念される。また、前記の薬液処理の影響によって、基板と支持体との接着性が低下する等の問題も懸念される。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、耐熱性及び耐薬品性がより高められて、高温処理及び薬液処理の影響を受けにくい接着層を形成できる接着剤組成物、積層体及びその製造方法、並びに電子部品の製造方法を提供することを課題とする。

上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第１の態様は、下記一般式（ｕ１－１）で表される構成単位（ｕ１）を有するエラストマーを含有することを特徴とする、接着剤組成物である。

［一般式（ｕ１－１）中、Ｒ^α１は、炭素数１～５のアルキル基又は水素原子を表す。Ｒ^０１は、脂環式基を含む基を表す。Ｒ^０２は、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～８のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数６～１２のアリール基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、カルボキシ基、－ＯＲで表される基及び－ＣＯＯＲで表される基（但し、Ｒは、炭素数１～８のハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基である。）からなる群より選ばれる、Ｒ^０１に該当しない基である。ｍは１～５の自然数であり、ｎ１は０以上の整数である。但し、ｍとｎ１との和は５を超えることはない。］

本発明の第２の態様は、支持体、接着層及びデバイス層がこの順に積層した積層体であって、前記接着層は、前記第１の態様に係る接着剤組成物の乾燥体であることを特徴とする、積層体である。

本発明の第３の態様は、支持体、接着層及びデバイス層がこの順に積層した積層体の製造方法であって、前記支持体上に、前記第１の態様に係る接着剤組成物を用いて前記接着層を形成する接着層形成工程と、金属又は半導体により構成される部材と、前記部材を封止又は絶縁する樹脂と、の複合体であるデバイス層を、前記接着層上に形成するデバイス層形成工程と、を有することを特徴とする、積層体の製造方法である。

本発明の第４の態様は、前記第３の態様に係る積層体の製造方法により積層体を得た後、前記支持基体を介して前記分離層に光を照射して、前記分離層を変質させることにより、前記デバイス層から前記支持基体を分離する分離工程と、前記分離工程の後、前記デバイス層に付着する前記接着層及び前記分離層を除去する除去工程と、を有することを特徴とする、電子部品の製造方法である。

発明によれば、耐熱性及び耐薬品性がより高められて、高温処理及び薬液処理の影響を受けにくい接着層を形成できる接着剤組成物、積層体及びその製造方法、並びに電子部品の製造方法を提供することができる。

本発明を適用した積層体の一実施形態を示す断面図である。本発明を適用した積層体の他の実施形態を示す断面図である。本発明を適用した積層体の他の実施形態を示す断面図である。本発明を適用した積層体の他の実施形態を示す断面図である。積層体の製造方法の一実施形態の一部を説明する概略工程図である。図５（ａ）は、支持基体及び分離層からなる支持基体を示す図であり、図５（ｂ）は、接着層形成工程を説明する図である。接着層付き支持体１２３から積層体１００を製造する方法の一実施形態を説明する概略工程図である。図６（ａ）は、接着層付き支持体１２３を示す図であり、図６（ｂ）は、基板固定工程を示す図であり、図６（ｃ）は、封止工程を説明する図である。積層体１００から積層体２００を製造する方法の一実施形態を説明する概略工程図である。図７（ａ）は、積層体１００を示す図であり、図７（ｂ）は、研削工程を説明する図であり、図７（ｃ）は再配線形成工程を説明する図である。積層体２００から半導体パッケージ（電子部品）を製造する方法の一実施形態を説明する概略工程図である。図８（ａ）は、積層体２００を示す図であり、図８（ｂ）は、分離工程を説明する図であり、図８（ｃ）は、除去工程を説明する図である。実施例及び比較例の接着剤組成物を用いて形成した接着層についての、温度に対する複素弾性率の挙動を示すグラフである。

本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「構成単位」とは、高分子化合物（樹脂、重合体、共重合体）を構成するモノマー単位（単量体単位）を意味する。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。

本明細書及び本特許請求の範囲において、化学式で表される構造によっては不斉炭素が存在し、エナンチオ異性体（ｅｎａｎｔｉｏｍｅｒ）やジアステレオ異性体（ｄｉａｓｔｅｒｅｏｍｅｒ）が存在し得るものがあるが、その場合は一つの式でそれら異性体を代表して表す。それらの異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。

（接着剤組成物）
本発明の第１の態様に係る接着剤組成物は、一般式（ｕ１－１）で表される構成単位（ｕ１）を有するエラストマーを含有する。

＜樹脂成分（Ｐ）＞
本実施形態の接着剤組成物は、樹脂成分（Ｐ）（以下「（Ｐ）成分」ともいう。）を含有する。この（Ｐ）成分は、少なくとも、前記構成単位（ｕ１）を有するエラストマー（以下「（ＥＰ１）成分」ともいう。）を含む。
（Ｐ）成分は、前記（ＥＰ１）成分に加えて、これ以外の樹脂を含んでもよい。尚、本実施形態における（Ｐ）成分は、樹脂の他、接着層を構成するマトリックスとなり得るモノマー、例えば後述する硬化性モノマーを包含するものとする。

≪エラストマー：（ＥＰ１）成分≫
本実施形態において、（ＥＰ１）成分は、下記一般式（ｕ１－１）で表される構成単位（ｕ１）を有する。

・構成単位（ｕ１）について
一般式（ｕ１－１）で表される構成単位（ｕ１）は、ベンゼン環に、少なくとも１つのＲ^０１（脂環式基を含む基）が結合している。
構成単位（ｕ１）を有するエラストマーを含有することで、形成する接着層の複素弾性率Ｅ＊及びガラス転移温度（Ｔｇ）が高くなり、耐熱性及び耐薬品性がより高められる。

前記式（ｕ１－１）中、Ｒ^α１は、炭素数１～５のアルキル基又は水素原子を表す。
Ｒ^α１における炭素数１～５のアルキル基は、炭素数１～５の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙げられ、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。中でも、Ｒ^α１は、メチル基又は水素原子が好ましく、水素原子がより好ましい。

前記式（ｕ１－１）中、Ｒ^０１は、脂環式基を含む基を表す。
Ｒ^０１における脂環式基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。
単環式の脂環式基としては、モノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
多環式の脂環式基としては、ポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該ポリシクロアルカンとしては、炭素数７～３０のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等の架橋炭素環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカン；ステロイド骨格を有する環式基等の縮合環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカンが挙げられる。すなわち、多環式の脂環式基としては、架橋炭素環式基、縮合環式基が挙げられる。

Ｒ^０１における、脂環式基を含む基は、例えば、前記のモノシクロアルカン又はポリシクロアルカンにおける水素原子の１つがアルキレン基で置換された基などが挙げられる。このアルキレン基の炭素数は、１～４であることが好ましく、炭素数１又は２であることがより好ましい。

Ｒ^０１としては、形成する接着層の複素弾性率Ｅ＊及びガラス転移温度（Ｔｇ）をより高められやすいことから、架橋炭素環式基を含む基であることが好ましい。この中でも、Ｒ^０１は、前記架橋炭素環式基における架橋炭素部位が、前記一般式（ｕ１－１）中のベンゼン環を構成する炭素原子と直接に結合する基が特に好ましい。

以下に、Ｒ^０１（脂環式基を含む基）の具体例を示す。化学式中、＊は、一般式（ｕ１－１）中のベンゼン環を構成する炭素原子に結合する結合手であることを示す。

前記式（ｕ１－１）中、Ｒ^０２は、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～８のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数６～１２のアリール基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、カルボキシ基、－ＯＲで表される基及び－ＣＯＯＲで表される基（但し、Ｒは、炭素数１～８のハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基である。）からなる群より選ばれる、Ｒ^０１に該当しない基である。
Ｒ^０２におけるハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
Ｒ^０２におけるアルキル基は、炭素数１～８であり、炭素数１～５が好ましく、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。
Ｒ^０２におけるアリール基は、炭素数６～１２であり、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
Ｒにおけるハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
Ｒにおけるアルキル基は、炭素数１～８であり、炭素数１～５が好ましく、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。

前記式（ｕ１－１）中、ｍは１～５の自然数であり、ｎ１は０以上の整数である。但し、ｍとｎ１との和は５を超えることはない。
ｍは、１～５の自然数であり、１又は２が好ましく、１がより好ましい。
ｎ１は、０以上の整数であり、０又は１が好ましく、０がより好ましい。

以下に、構成単位（ｕ１）の具体例を示す。以下の各式中、Ｒ^α１０は、水素原子又はメチル基を示す。

（ＥＰ１）成分が有する構成単位（ｕ１）は、１種でもよく、２種以上でもよい。
（ＥＰ１）成分中の構成単位（ｕ１）の割合は、（ＥＰ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１～４０モル％が好ましく、５～３５モル％がより好ましく、１０～３０モル％がさらに好ましい。
構成単位（ｕ１）の割合が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、耐熱性及び耐薬品性がより高められやすくなり、一方、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。

・その他構成単位について
（ＥＰ１）成分は、前記構成単位（ｕ１）以外の構成単位を有してもよい。
（ＥＰ１）成分としては、例えば接着層への柔軟性の付与の点から、前記構成単位（ｕ１）に加えて、さらに、一般式（ｕ２－１）で表される構成単位（ｕ２）を有するエラストマーが好適に挙げられる。

・・構成単位（ｕ２）について
構成単位（ｕ２）は、下記一般式（ｕ２－１）で表される構成単位である。

［一般式（ｕ２－１）中、Ｒ^α２は、炭素数１～５のアルキル基又は水素原子を表す。Ｒ^０３は、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～８のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数６～１２のアリール基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、カルボキシ基、－ＯＲで表される基及び－ＣＯＯＲで表される基（但し、Ｒは、炭素数１～８のハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基である。）からなる群より選ばれる基であり、前述したＲ^０１に該当しない基である。ｎ２は０以上５以下の整数である。］

前記式（ｕ２－１）中、Ｒ^α２は、炭素数１～５のアルキル基又は水素原子を表す。Ｒ^α２については、前記式（ｕ１－１）中のＲ^α１と同様のものが挙げられる。

前記式（ｕ２－１）中、Ｒ^０３は、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～８のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数６～１２のアリール基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、カルボキシ基、－ＯＲで表される基及び－ＣＯＯＲで表される基（但し、Ｒは、炭素数１～８のハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基である。）からなる群より選ばれる基であり、前述したＲ^０１に該当しない基である。Ｒ^０３については、前記式（ｕ１－１）中のＲ^０２と同様のものが挙げられる。

前記式（ｕ２－１）中、ｎ２は０以上５以下の整数であり、０又は１が好ましく、０がより好ましい。

以下に、構成単位（ｕ２）の具体例を示す。以下の各式中、Ｒ^α２０は、水素原子又はメチル基を示す。

（ＥＰ１）成分が有する構成単位（ｕ２）は、１種でもよく、２種以上でもよい。
（ＥＰ１）成分中の構成単位（ｕ２）の割合は、（ＥＰ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１～５０モル％が好ましく、５～４０モル％がより好ましく、１０～４０モル％がさらに好ましい。
構成単位（ｕ２）の割合が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、接着層への柔軟性が高められやすくなり、一方、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。

本実施形態における（ＥＰ１）成分が有する前記構成単位（ｕ１）と前記構成単位（ｕ２）とのモル比は、構成単位（ｕ１）／構成単位（ｕ２）＝０．２～５であることが好ましく、０．３～５であることがより好ましく、０．４～５であることがさらに好ましい。
かかるモル比が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、耐熱性及び耐薬品性がより高められやすくなり、一方、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、接着層への柔軟性が高められやすくなる。

前記構成単位（ｕ１）以外の構成単位としては、前記構成単位（ｕ２）の他、例えば、オレフィン系モノマーから誘導される構成単位などが挙げられる。
「オレフィン系モノマー」とは、分子内に炭素原子間（Ｃ－Ｃ間）の二重結合を１つ以上もつ脂肪族炭化水素をいう。
「オレフィン系モノマーから誘導される構成単位」とは、オレフィン系モノマーのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
オレフィン系モノマーとしては、例えば、エチレン、プロピレン、１－ブテン、１，３－ブタジエン等が好ましい。
（ＥＰ１）成分が有する、オレフィン系モノマーから誘導される構成単位は、１種でもよく、２種以上でもよい。
前記（ＥＰ１）成分中の、オレフィン系モノマーから誘導される構成単位の割合は、（ＥＰ１）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～９０モル％が好ましく、２０～９０モル％がより好ましく、３０～９０モル％がさらに好ましい。

本実施形態において、（ＥＰ１）成分は、構成単位（ｕ１）を有するエラストマーであり、耐熱性及び耐薬品性、並びに接着層としての柔軟性の点から、構成単位（ｕ１）と構成単位（ｕ２）とを有する共重合体が好ましい。この中でも、好ましい（ＥＰ１）成分としては、構成単位（ｕ１）と、構成単位（ｕ２）と、オレフィン系モノマーから誘導される構成単位と、を有する共重合体が挙げられる。
かかる（ＥＰ１）成分として具体的には、構成単位（ｕ１）と、構成単位（ｕ２）と、エチレンから誘導される構成単位と、プロピレンから誘導される構成単位と、を有する共重合体；構成単位（ｕ１）と、構成単位（ｕ２）と、１，３－ブタジエンから誘導される構成単位と、１－ブテンから誘導される構成単位と、を有する共重合体などが好適に挙げられる。

（ＥＰ１）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、１００００～５０００００が好ましく、３００００～３０００００がより好ましく、５００００～２５００００がさらに好ましい。
（ＥＰ１）成分のＭｗが、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、溶剤への溶解性がより向上し、一方、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、接着層としての強度が保たれ維持されやすくなる。
（ＥＰ１）成分の分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されず、１．０～３．０が好ましく、１．０～２．５がより好ましく、１．０～２．０が特に好ましい。尚、Ｍｎは数平均分子量を示す。

（ＥＰ１）成分は、公知の合成方法により合成でき、例えば、豊田昭徳氏文献『高分子反応法による嵩高い炭化水素基含有ポリマーの合成とその性質』に記載の方法と同様にして製造される。

（Ｐ）成分が含む（ＥＰ１）成分は、１種でもよく、２種以上でもよい。
（Ｐ）成分に占める、（ＥＰ１）成分の含有割合は、（Ｐ）成分の総量（１００質量％）に対して、２０質量％以上が好ましく、２０～１００質量％がより好ましく、２５～１００質量％がさらに好ましく、５０～１００質量％が特に好ましい。（ＥＰ１）成分の含有割合が、前記の好ましい範囲内であれば、耐熱性及び耐薬品性がより高められやすくなる。

≪（ＥＰ１）成分以外の樹脂≫
本実施形態における（Ｐ）成分が含んでもよい、前記（ＥＰ１）成分以外の樹脂としては、例えば、構成単位（ｕ１）を有しないエラストマー（以下これを「（ＥＰ２）成分」ともいう。）、シクロオレフィンポリマー、アクリル樹脂、接着層を構成するマトリックスとなり得る硬化性モノマー等が挙げられる。

・構成単位（ｕ１）を有しないエラストマー（（ＥＰ２）成分）について
構成単位（ｕ１）を有しないエラストマー（（ＥＰ２）成分）は、例えば、主鎖の構成単位として、スチレンから誘導される構成単位、又はスチレン誘導体から誘導される構成単位（これらをまとめて「スチレン単位」という。）を有する重合体が好適に挙げられる。

ここで「スチレン誘導体」とは、スチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいスチレンのベンゼン環に置換基が結合したもの等が挙げられる。
上記α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、炭素数１～５のアルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基）等が挙げられる。
また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、「上記α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部又は全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
スチレンのベンゼン環に結合してもよい置換基としては、例えば、炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のアルコキシ基、炭素数１～５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシ基等が挙げられる。
尚、α位（α位の炭素原子）とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
「スチレンから誘導される構成単位」、「スチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、スチレン又はスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。

前記（ＥＰ２）成分としては、例えば、ポリスチレン－ポリ（エチレン／プロピレン）ブロックコポリマー（ＳＥＰ）、スチレン－イソプレン－スチレンブロックコポリマー（ＳＩＳ）、スチレン－ブタジエン－スチレンブロックコポリマー（ＳＢＳ）、スチレン－ブタジエン－ブチレン－スチレンブロックコポリマー（ＳＢＢＳ）又はこれらの水添物；スチレン－エチレン－ブチレン－スチレンブロックコポリマー（ＳＥＢＳ）、スチレン－エチレン－プロピレン－スチレンブロックコポリマー（スチレン－イソプレン－スチレンブロックコポリマー）（ＳＥＰＳ）、スチレン－エチレン－エチレン－プロピレン－スチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ）、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン－エチレン－エチレン－プロピレン－スチレンブロックコポリマー（ＳｅｐｔｏｎＶ９４６１（株式会社クラレ製）、ＳｅｐｔｏｎＶ９４７５（株式会社クラレ製））、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン－エチレン－ブチレン－スチレンブロックコポリマー（反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、ＳｅｐｔｏｎＶ９８２７（株式会社クラレ製）等が挙げられる。

前記（ＥＰ２）成分中のスチレン単位の割合は、（ＥＰ２）成分を構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～７０モル％が好ましく、２０～６０モル％がより好ましく、２５～５０モル％がさらに好ましく、３０～４５モル％が特に好ましい。
スチレン単位の割合が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、支持体と基板との貼合性又は研削性を低下させることなく、薄化、実装等のプロセスに供することが容易となる。前記の好ましい範囲の上限値以下であると、接着剤組成物が形成する接着層の耐薬品性を好適に維持することができる。

前記（ＥＰ２）成分の重量平均分子量は、２００００～２０００００の範囲が好ましく、５００００～１５００００の範囲がより好ましい。
（ＥＰ２）成分の重量平均分子量が、前記の好ましい範囲内であれば、炭化水素系の溶剤に容易に溶解して除去される接着層を形成できる接着剤組成物が得られやすくなる。また、（ＥＰ２）成分の重量平均分子量が、前記の好ましい範囲内であることにより、接着剤組成物が形成する接着層の耐薬品性が高められる。

（Ｐ）成分が含んでもよい（ＥＰ２）成分は、１種でもよく、２種以上でもよい。
前記（ＥＰ２）成分として用いることが可能なエラストマーの市販品としては、例えば、株式会社クラレ製の「セプトン（商品名）」、株式会社クラレ製の「ハイブラー（商品名）」、旭化成株式会社製の「タフテック（商品名）」、ＪＳＲ株式会社製の「ダイナロン（商品名）」等が挙げられる。

前記（Ｐ）成分に占める、（ＥＰ２）成分の含有割合は、（Ｐ）成分の総量（１００質量％）に対して、８０質量％以下が好ましく、０～８０質量％がより好ましく、０～７５質量％がさらに好ましく、０～５０質量％が特に好ましい。

（Ｐ）成分が（ＥＰ１）成分と（ＥＰ２）成分とを含む場合、（ＥＰ１）成分と（ＥＰ２）成分との質量比は、（ＥＰ１）成分／（ＥＰ２）成分＝１／４～３／１が好ましく、１／３～２／１がより好ましく、１／３～１／１がさらに好ましい。
かかる質量比が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、耐熱性及び耐薬品性がより高められやすくなり、一方、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、接着層の柔軟性が高められて接着性がより向上する。

前記（Ｐ）成分におけるエラストマーは、エラストマーの中でも水添物がより好ましい。水添物であれば、熱に対する安定性が一層向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。加えて、炭化水素系の溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。
また、エラストマーの中でも、主鎖の両端がスチレンとされたブロック重合体であるものがより好ましい。熱安定性の高いスチレンで両末端がブロックされていることで、より高い耐熱性を得られやすい。
より具体的には、エラストマーは、スチレンと共役ジエンとのブロックコポリマーの水添物であることがより好ましい。これにより、熱に対する安定性が一層向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、熱安定性の高いスチレンで両末端がブロックされていることでより高い耐熱性を示す。さらに、炭化水素系の溶剤への溶解性及び溶剤への耐性の観点からもより好ましい。

・シクロオレフィンポリマーについて
シクロオレフィンポリマーとしては、例えば、シクロオレフィンモノマーを含む単量体成分の開環重合体、シクロオレフィンモノマーを含む単量体成分を付加重合させた付加重合体が好適に挙げられる。

前記シクロオレフィンモノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエンなどの二環体、ジシクロペンタジエン、ヒドロキシジシクロペンタジエンなどの三環体、テトラシクロドデセンなどの四環体、シクロペンタジエン三量体などの五環体、テトラシクロペンタジエンなどの七環体、又はこれら多環体のアルキル（メチル、エチル、プロピル、ブチルなど）置換体、アルケニル（ビニルなど）置換体、アルキリデン（エチリデンなど）置換体もしくはアリール（フェニル、トリル、ナフチルなど）置換体等のモノマーが挙げられる。

上記の中でも、特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン及びこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれる、ノルボルネン構造を有するモノマー由来の構成単位を有するポリマーが好ましい。このような、ノルボルネン構造をもつシクロオレフィンポリマーを用いることにより、例えば、レジスト溶剤に対する高い耐薬品性を備えつつ、炭化水素系の溶剤に容易に溶解して除去される接着層を形成できる接着剤組成物が得られやすくなる。

シクロオレフィンポリマーは、前記シクロオレフィンモノマーと共重合可能なモノマーを単量体単位として有していてもよい。
かかる共重合可能なモノマーとしては、例えば、アルケンモノマーが好適に挙げられる。このアルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよいし、炭素数２～１０のアルケンモノマーが挙げられ、例えば、エチレン、プロピレン、１－ブテン、イソブテン、１－ヘキセン等のα－オレフィンが好ましく、これらの中でも、エチレンを単量体単位とすることがより好ましい。

シクロオレフィンポリマー中のシクロオレフィンモノマー単位の割合は、シクロオレフィンポリマーを構成する全構成単位の合計（１００モル％）に対して、１０～１００モル％が好ましく、２０～１００モル％がより好ましい。

尚、シクロオレフィンポリマーは、例えば、シクロオレフィンモノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する点から好ましい。
単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従って適宜設定すればよい。

前記シクロオレフィンポリマーは、重量平均分子量が１００００～２００００００の範囲が好ましく、３００００～１５０００００の範囲がより好ましい。
シクロオレフィンポリマーの重量平均分子量が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、当該ポリマーの軟化温度を、支持体と基板との貼り合わせに適した温度に制御しやすくなる。前記の好ましい範囲の上限値以下であると、炭化水素系の溶剤に容易に溶解して除去される接着層を形成できる接着剤組成物が得られやすくなる。

（Ｐ）成分が含んでもよいシクロオレフィンポリマーは、１種でもよく、２種以上でもよい。
前記シクロオレフィンポリマーとして用いることが可能な市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「ＴＯＰＡＳ（商品名）」、三井化学株式会社製の「ＡＰＥＬ（商品名）」、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＯＲ（商品名）」、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＥＸ（商品名）」、ＪＳＲ株式会社製の「ＡＲＴＯＮ（商品名）」等が挙げられる。

・アクリル樹脂について
本実施形態において、（Ｐ）成分は、前記（ＥＰ１）成分に加えて、アクリル樹脂を含んでもよい。（Ｐ）成分がアクリル樹脂を含むことにより、支持体と基板との接着性をより向上させることができる。
アクリル樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステルを単量体として用いて重合した樹脂（単独重合体、共重合体）が挙げられる。
「（メタ）アクリル」とは、アクリル又はメタクリルの少なくとも一方を意味する。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。これらの中でも、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルを用いることが好ましい。

鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、炭素数１～２０のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルが挙げられる。
ここでいう炭素数１～２０のアルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２－エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基（ステアリル基）、ｎ－ノナデシル基、ｎ－エイコシル基等であり、炭素数１５～２０のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルが好ましい。

脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、１－アダマンチル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、テトラシクロドデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの中でも、１－アダマンチル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートが好ましい。

芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルにおいて、当該芳香族環としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。当該芳香族環は、置換基を有していてもよく、炭素数１～５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を有していてもよい。

アクリル樹脂中、上述した（メタ）アクリル酸エステルは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

アクリル樹脂は、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、及び芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルからなる群より選択される１種以上を重合した樹脂が好ましい。
この中でも、（メタ）アクリル酸アルキルエステルと、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルと、を重合した樹脂がより好ましい。

アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステル単量体と、これと重合可能な他の単量体と、を重合した樹脂でもよい。
かかる重合可能な単量体としては、例えばスチレン、スチレン誘導体、マレイミド基を含有するモノマー等が挙げられる。ここでのスチレン誘導体は、上記「スチレン誘導体」と同様である。ここでのマレイミド基を含有するモノマーは、上記構成単位（ｕ２１）を誘導する単量体と同様のものが挙げられる。

また、アクリル樹脂の中でも、（メタ）アクリル酸エステル単量体と、スチレンと、を重合した樹脂が好ましい。アクリル樹脂がスチレン単位を有していることによって、アクリル樹脂の耐熱性が向上する。加えて、他の樹脂との相溶性、炭化水素系の溶剤への溶解性が高められる。
この中でも、アクリル樹脂としては、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルと、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルと、スチレンと、を重合した樹脂が特に好ましい。

アクリル樹脂の溶解度パラメーター（ＳＰ値）は、６以上１０以下であることが好ましく、６．５以上、９．５以下であることがより好ましい。ＳＰ値が前記の好ましい範囲内であることによって、アクリル樹脂と他の樹脂との相溶性が高められ、より安定した接着剤組成物が得られやすくなる。

アクリル樹脂の重量平均分子量は、２０００～１０００００であることが好ましく、５０００～５００００であることがより好ましい。
アクリル樹脂の重量平均分子量が前記の好ましい範囲内であることによって、例えば基板と支持体との貼り合わせに適した熱流動性を有する接着剤組成物を容易に提供することができる。
（Ｐ）成分が含んでもよいアクリル樹脂は、１種でもよく、２種以上でもよい。

・硬化性モノマー
本実施形態において、（Ｐ）成分は、前記の（Ｐ１）成分に加えて、硬化性モノマーを含んでもよい。（Ｐ）成分が硬化性モノマーを含むことにより、接着層の耐熱性をより向上させることができる。
硬化性モノマーは、ラジカル重合により高分子化するモノマーであることが好ましく、典型的には、多官能型の硬化性モノマーが挙げられ、多官能型の（メタ）アクリレートモノマーが特に好ましい。

多官能型の（メタ）アクリレートモノマーとしては、例えば、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４－シクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、９，９－ビス［４－（２－（メタ）アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン、プロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、１，３－アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、５－ヒドロキシ－１，３－アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３，５－アダマンタントリオールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（メタ）アクリロイルオキシプロピル（メタ）アクリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、フタル酸ジグリシジルエステルジ（メタ）アクリレート、グリセリントリ（メタ）アクリレート、グリセリンポリグリシジルエーテルポリ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート（即ち、トリレンジイソシアネート）、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネートとヘキサメチレンジイソシアネートと２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応物等が挙げられる。

これら多官能の（メタ）アクリレートは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
硬化性モノマーは、環状構造を含むものが好ましく、多環式脂肪族構造を含むものがより好ましい。硬化性モノマーが、好ましくは環状構造、より好ましくは多環式脂肪族構造を含んでいることで、シクロオレフィンポリマーとの相溶性をより高めることができる。また、シクロオレフィンポリマーと併用した硬化性モノマーを重合させることによって、接着層の耐熱性をさらに高めることができる。

硬化性モノマーの中でも、特に環式基を有する（メタ）アクリレートモノマーが好ましく、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、１，３－アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、５－ヒドロキシ－１，３－アダマンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３，５－アダマンタントリオールトリ（メタ）アクリレート、１，４－シクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、９，９－ビス［４－（２－（メタ）アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン及びプロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレートからなる群より選択される少なくとも１種がより好ましく、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレートが特に好ましい。

本実施形態の接着剤組成物中、（Ｐ）成分の含有量は、形成しようとする接着層の厚さ、各樹脂の種類等に応じて調整すればよい。

＜任意成分＞
本実施形態の接着剤組成物は、上述した（Ｐ）成分以外の成分（任意成分）をさらに含有してもよい。
かかる任意成分としては、例えば、以下に示す溶剤成分、重合禁止剤、重合開始剤、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、界面活性剤等が挙げられる。

≪溶剤成分≫
本実施形態の接着剤組成物は、溶剤成分に、（Ｐ）成分と必要に応じて任意成分とを溶解して調製することができる。
溶剤成分には、例えば、接着剤組成物用の各成分を溶解し、均一な溶液にすることができるものを用いることができ、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

溶剤成分としては、例えば炭化水素溶剤、石油系溶剤が挙げられる。
尚、炭化水素溶剤及び石油系溶剤を、以下まとめて「（Ｓ１）成分」ともいう。（Ｓ１）成分以外の溶剤成分を「（Ｓ２）成分」ということがある。

炭化水素溶剤としては、直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭化水素が挙げられ、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素；イソオクタン、イソノナン、イソドデカン等の分岐鎖状の炭化水素；ｐ－メンタン、ｏ－メンタン、ｍ－メンタン、ジフェニルメンタン、１，４－テルピン、１，８－テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、α－テルピネン、β－テルピネン、γ－テルピネン、α－ピネン、β－ピネン、α－ツジョン、β－ツジョン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、インデン、ペンタレン、インダン、テトラヒドロインデン、ナフタレン、テトラヒドロナフタレン（テトラリン）、デカヒドロナフタレン（デカリン）等の環状の炭化水素が挙げられる。

石油系溶剤とは、重油から精製される溶剤であり、例えば白灯油、パラフィン系溶剤、イソパラフィン系溶剤が挙げられる。

また、（Ｓ２）成分としては、極性基として酸素原子、カルボニル基又はアセトキシ基等を有するテルペン溶剤が挙げられ、例えば、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α－テルピネオール、β－テルピネオール、γ－テルピネオール、テルピネン－１－オール、テルピネン－４－オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４－シネオール、１，８－シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー等が挙げられる。

また、（Ｓ２）成分としては、γ－ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル－ｎ－ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２－ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、上記多価アルコール類又は上記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類；乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤も挙げることができる。

本実施形態の接着剤組成物における溶剤成分の含有量は、成膜する接着層の厚さに応じて適宜調整すればよく、例えば、接着剤組成物の総量（１００質量％）に対して、２０～９０質量％の範囲内であることが好ましい。
すなわち、本実施形態の接着剤組成物は、固形分（溶剤成分を除いた配合成分の合計量）濃度が１０～８０質量％の範囲内であることが好ましい。
溶剤成分の含有量が前記の好ましい範囲内であれば、粘度調整が容易となる。

≪重合禁止剤≫
本実施形態の接着剤組成物は、さらに、重合禁止剤を含有してもよい。
重合禁止剤は、熱や光によるラジカル重合反応を防止する機能を有する成分をいう。
重合禁止剤としては、フェノール骨格を有するものが好ましい。例えば、かかる重合禁止剤には、ヒンダードフェノール系の酸化防止剤を用いることが可能である。

≪重合開始剤≫
本実施形態の接着剤組成物は、さらに、重合開始剤を含有していてもよい。
重合開始剤は、上述した硬化性モノマーの重合反応を促進させる機能を有する成分をいう。重合開始剤としては、公知の熱重合開始剤、光重合開始剤等が挙げられる。
重合開始剤は、硬化性モノマーと組み合わせて用いることが好適である。この重合開始剤の使用量は、硬化性モノマーの使用量に応じて調整するとよい。

本実施形態の接着剤組成物においては、前記接着剤組成物を塗布し、乾燥させることで試験片（接着層）を得たときに、当該試験片のガラス転移温度（Ｔｇ）が、１００℃以上となることが好ましく、１１０～２５０℃がより好ましく、１２０～２４０℃がさらに好ましく、１５０～２２０℃が特に好ましい。
当該試験片のＴｇが、前記の好ましい範囲の下限値以上であれば、より耐熱性が高められた接着層を容易に形成でき、一方、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、接着層の柔軟性が維持されやすくなる。

試験片（接着層）についてのガラス転移温度（Ｔｇ／℃）は、動的粘弾性測定により求められる。例えば、動的粘弾性測定装置Ｒｈｅｏｇｅｌ－Ｅ４０００（ＵＢＭ株式会社製）を用い、周波数１Ｈｚの条件にて、５℃／分の昇温速度で、２５℃から３００℃まで温度を上昇させることにより測定した粘弾性の変化に基づき、ガラス転移温度を求めることができる。

本実施形態の接着剤組成物においては、前記接着剤組成物を塗布し、乾燥させることで、厚み５００μｍの試験片（接着層）を作製し、開始温度：２５℃、昇温速度：５℃／ｍｉｎ、周波数：１Ｈｚの条件での動的粘弾性測定に付したときに、当該試験片の１５０℃における複素弾性率Ｅ＊_１５０が、０．１ＭＰａ以上となることが好ましく、１～１５０ＭＰａがより好ましく、１０～１４０ＭＰａがさらに好ましく、２０～１２０ＭＰａが特に好ましい。
当該試験片の複素弾性率Ｅ＊_１５０が、前記の好ましい範囲の下限値以上であれば、より耐熱性が高められた接着層を容易に形成でき、一方、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、接着層の柔軟性が維持されやすくなる。

本実施形態の接着剤組成物においては、前記接着剤組成物を塗布し、乾燥させることで、厚み５００μｍの試験片（接着層）を作製し、開始温度：２５℃、昇温速度：５℃／ｍｉｎ、周波数：１Ｈｚの条件での動的粘弾性測定に付したときに、当該試験片の５０℃における複素弾性率Ｅ＊_５０が、３０ＭＰａ以上となることが好ましく、５０～３００ＭＰａがより好ましく、７０～２５０ＭＰａがさらに好ましく、８０～２４０ＭＰａが特に好ましい。
当該試験片の複素弾性率Ｅ＊_５０が、前記の好ましい範囲の下限値以上であれば、より耐熱性が高められた接着層を容易に形成でき、一方、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、接着層の柔軟性が維持されやすくなる。

本実施形態の接着剤組成物において、前記条件で動的粘弾性測定を行った際の、５０℃における複素弾性率Ｅ＊_５０と、１５０℃における複素弾性率Ｅ＊_１５０との比（Ｅ＊_５０／Ｅ＊_１５０）が、５０００以下となることが好ましく、３０００以下がより好ましく、その中でも１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、２～２００がさらに好ましく、２～１００が特に好ましく、２～１０が最も好ましい。
当該比（Ｅ＊_５０／Ｅ＊_１５０）が、前記の好ましい範囲の下限値以上であれば、より耐熱性が高められた接着層を容易に形成でき、一方、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、接着層の柔軟性が維持されやすくなる。

試験片（接着層）についての複素弾性率Ｅ＊_５０、複素弾性率Ｅ＊_１５０は、例えば、動的粘弾性測定装置Ｒｈｅｏｇｅｌ－Ｅ４０００（ＵＢＭ株式会社製）を用い、周波数１Ｈｚの条件にて、５℃／分の昇温速度で、５０℃から３００℃まで温度を上昇させることにより粘弾性の変化を測定し、５０℃、１５０℃における各複素弾性率をそれぞれ読み取る。

かかる本実施形態の接着剤組成物は、例えば、半導体パッケージ製造用の接着剤として有用である。具体的には、支持体、接着層及びデバイス層がこの順に積層した積層体における前記接着層を形成するために用いられる接着剤として好適に利用できる。前記デバイス層は、一例として、金属又は半導体により構成される部材と、前記部材を封止又は絶縁する樹脂と、の複合体であるものが挙げられる。

以上説明した本実施形態の接着剤組成物においては、スチレン単位におけるベンゼン環にＲ^０１（脂環式基を含む基）が結合した構成単位（ｕ１）を有するエラストマー、を含有するため、耐熱性及び耐薬品性がより高められた接着層を形成できる。これにより、本実施形態の接着剤組成物により形成された接着層は、例えば、半導体パッケージ製造の際、高温処理の影響によって、封止操作の前後で基板の位置ずれを生じにくい。また、前記の高温処理の際に、封止材が含有する樹脂中の水分等が気化してガスを発生するが、封止材層と支持体との間にボイドが生じにくく、支持体の剥がれが防止される。また、再配線層を形成する際のリソグラフィ操作等での薬液処理の影響によって、基板と支持体との接着性の低下も抑制される。

加えて、本実施形態の接着剤組成物によれば、形成される接着層の、炭化水素系の溶剤に対する溶解性が高い。これにより、半導体パッケージ製造の際、接着層を、基板から容易に洗浄除去できる。
さらに、本実施形態の接着剤組成物によって形成される接着層は、前記の高温処理の際に、封止材が含有する樹脂から発生するガスを通しにくく、デバイス層からのガス放出が抑制される。

（積層体）
本発明の第２の態様に係る積層体は、支持体、接着層及びデバイス層がこの順に積層したものである。

図１は、第２の態様に係る積層体の一実施形態を示している。
図１に示す積層体１００は、支持基体１と分離層２とが積層した支持体１２と、接着層３と、基板４及び封止材層５からなるデバイス層４５と、を備えている。積層体１００において、支持体１２、接着層３及びデバイス層４５が、この順に積層している。
尚、図１の例では、支持体１２は、支持基体１および分離層２からなるが、これに限定されず、支持基体のみから支持体を構成してもよい。

図２は、第２の態様に係る積層体の他の実施形態を示している。
図２に示す積層体２００は、デバイス層が、基板４、封止材層５及び配線層６からなるデバイス層４５６である以外は、積層体１００と同様の構成である。

図３は、第２の態様に係る積層体のさらなる他の実施形態を示している。
図３に示す積層体３００は、デバイス層が配線層６からなる以外は、積層体１００と同様の構成である。

図４は、第２の態様に係る積層体のさらなる他の実施形態を示している。
図４に示す積層体４００は、デバイス層が、配線層６、基板４及び封止材層５からなるデバイス層６４５である以外は、積層体１００と同様の構成である。

＜接着層＞
積層体１００、積層体２００、積層体３００及び積層体４００における各接着層３は、上述した第１の態様に係る接着剤組成物の乾燥体である。
接着層３の厚さは、例えば１μｍ以上、２００μｍ以下の範囲内であることが好ましく、５μｍ以上、１５０μｍ以下の範囲内であることがより好ましい。

＜支持体＞
支持体は、基板を支持する部材であり、接着層を介して支持体上に基板が固定される。図１及び図２の例では、支持体１２は、支持基体１と、支持基体１上に設けられた分離層２と、を備えている。なお、分離層２を設けない場合には、支持基体１が支持体となる。

≪支持基体≫
支持基体は、光を透過する特性を有し、基板を支持する部材である。図１及び図２のように分離層を設ける場合、支持基体は、分離層及び接着層を介して基板に貼り合わされる。分離層を設けない場合には、支持基体は、接着層を介して基板に貼り合される。そのため、支持基体としては、デバイスの薄化、基板の搬送、基板への実装等の際に、基板の破損又は変形を防ぐために必要な強度を有していることが好ましい。また、支持基体は、分離層を変質させることができる波長の光を透過するものが好ましい。
支持基体の材料としては、例えば、ガラス、シリコン、アクリル系樹脂等が用いられる。支持基体の形状としては、例えば矩形、円形等が挙げられるが、これに限定されない。
また、支持基体としては、さらなる高密度集積化や生産効率の向上のために、円形である支持基体のサイズを大型化したもの、平面視における形状が四角形である大型パネルを用いることもできる。

≪分離層≫
分離層は、接着層に隣接し、光の照射により変質して、支持体に貼り合わされる基板から支持基体を分離可能とする層である。
この分離層は、後述の分離層形成用組成物を用いて形成することができ、例えば、分離層形成用組成物が含有する成分を焼成することにより、又は化学気相堆積（ＣＶＤ）法により形成される。この分離層は、支持基体を透過して照射される光を吸収することによって好適に変質する。
分離層が「変質する」とは、分離層が外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層と接する層との接着力が低下した状態になる現象をいう。分離層は、光を吸収することによって脆くなり、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。かかる分離層の変質は、吸収した光のエネルギーによる分解、立体配置の変化又は官能基の解離等を生じることで起こる。
分離層は、光を吸収する材料のみから形成されていることが好ましいが、本発明における本質的な特性を損なわない範囲で、光を吸収する構造を有していない材料が配合された層であってもよい。

分離層の厚さは、例えば０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であることが好ましく、０．３μｍ以上、１μｍ以下の範囲内であることがより好ましい。分離層の厚さが０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射によって、分離層に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層の厚さは、生産性の観点から１μｍ以下の範囲内であることが特に好ましい。

分離層は、接着層に接する側の面が平坦である（凹凸が形成されていない）ことが好ましく、これにより、接着層の形成が容易に行え、かつ、基板又は配線層と、支持基体とを均一に貼り付けることが容易となる。

〔分離層形成用組成物〕
分離層を形成するための材料である分離層形成用組成物は、例えば、フルオロカーボン、光吸収性を有している構造を含む繰り返し単位を有する重合体、無機物、赤外線吸収性の構造を有する化合物、赤外線吸収物質、反応性ポリシルセスキオキサン、又はフェノール骨格を有する樹脂成分を含有するものが挙げられる。
また、分離層形成用組成物は、任意成分としてフィラー、可塑剤、熱酸発生剤成分、光酸発生剤成分、有機溶剤成分、界面活性剤、増感剤、又は支持基体の分離性を向上し得る成分等を含有してもよい。

・フルオロカーボン
分離層は、フルオロカーボンを含有していてもよい。フルオロカーボンによって構成される分離層は、光を吸収することで変質するようになっており、その結果、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体を持ち上げる等）ことによって、分離層が破壊されて、支持体と、基板又は配線層とを分離し易くすることができる。分離層を構成するフルオロカーボンは、プラズマＣＶＤ法によって好適に成膜することができる。
フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。分離層における光の吸収率は、８０％以上であることが好ましい。

分離層に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ－Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、例えば６００ｎｍ以下の範囲の波長を用いることができる。

・光吸収性を有している構造を含む繰り返し単位を有する重合体
分離層は、光吸収性を有している構造を含む繰り返し単位を有する重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。
光吸収性を有している構造は、例えば、置換若しくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含む原子団が挙げられる。光吸収性を有している構造は、より具体的には、カルド構造、又は該重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造（ビスフェニルスルホン構造）、ジフェニル構造若しくはジフェニルアミン構造が挙げられる。
上記の光吸収性を有している構造は、その種類に応じて、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記の光吸収性を有している構造が吸収可能な光の波長は、１００～２０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１００～５００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

上記の光吸収性を有している構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ（波長２５４ｎｍ以上、４３６ｎｍ以下）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ_２エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザ（波長３０８ｎｍ）、ＸｅＦレーザ（波長３５１ｎｍ）若しくは固体ＵＶレーザ（波長３５５ｎｍ）から発せられる光、又はｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）若しくはｉ線（波長３６５ｎｍ）等である。

・無機物
分離層は、無機物からなるものであってもよい。この無機物は、光を吸収することによって変質するものであればよく、例えば、金属、金属化合物及びカーボンからなる群より選択される１種類以上が好適に挙げられる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物であり、例えば金属酸化物、金属窒化物が挙げられる。
このような無機物としては、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴｉＮ、及びカーボンからなる群より選ばれる１種類以上が挙げられる。
尚、カーボンとは、炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えばダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等を包含する。
上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。

無機物からなる分離層に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ－Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は非レーザ光を適宜用いればよい。
無機物からなる分離層は、例えばスパッタ、化学蒸着（ＣＶＤ）、メッキ、プラズマＣＶＤ、スピンコート等の公知の技術により、支持基体上に形成され得る。

・赤外線吸収性の構造を有する化合物
分離層は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有していてもよい。この、赤外線吸収性の構造を有する化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。
赤外線吸収性を有している構造、又はこの構造を有する化合物としては、例えば、アルカン、アルケン（ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式）、アルキン（一置換、二置換）、単環式芳香族（ベンゼン、一置換、二置換、三置換）、アルコールもしくはフェノール類（自由ＯＨ、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級）、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、１，３－ジケトンのエノール、ｏ－ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸（二量体、カルボン酸アニオン）、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン（β－、γ－、δ－）、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物（共役、非共役、環式、非環式）、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン（脂肪族、芳香族）、第二級アミン（脂肪族、芳香族）、第三級アミン（脂肪族、芳香族）、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合（脂肪族、芳香族、単量体、二量体）、メルカプタンもしくはチオフェノールもしくはチオール酸等の硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素－ハロゲン結合、Ｓｉ－Ａ^１結合（Ａ^１は、Ｈ、Ｃ、Ｏ又はハロゲン）、Ｐ－Ａ^２結合（Ａ^２は、Ｈ、Ｃ又はＯ）又はＴｉ－Ｏ結合が挙げられる。

上記の炭素－ハロゲン結合を含む構造としては、例えば－ＣＨ_２Ｃｌ、－ＣＨ_２Ｂｒ、－ＣＨ_２Ｉ、－ＣＦ_２－、－ＣＦ_３、－ＣＨ＝ＣＦ_２、－ＣＦ＝ＣＦ_２、フッ化アリール又は塩化アリール等が挙げられる。

上記のＳｉ－Ａ^１結合を含む構造としては、例えば、ＳｉＨ、ＳｉＨ_２、ＳｉＨ_３、Ｓｉ－ＣＨ_３、Ｓｉ－ＣＨ_２－、Ｓｉ－Ｃ_６Ｈ_５、ＳｉＯ－脂肪族、Ｓｉ－ＯＣＨ_３、Ｓｉ－ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｓｉ－ＯＣ_６Ｈ_５、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ、Ｓｉ－ＯＨ、ＳｉＦ、ＳｉＦ_２又はＳｉＦ_３等が挙げられる。Ｓｉ－Ａ^１結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格又はシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。

上記のＰ－Ａ^２結合を含む構造としては、例えば、ＰＨ、ＰＨ_２、Ｐ－ＣＨ_３、Ｐ－ＣＨ_２－、Ｐ－Ｃ_６Ｈ_５、Ａ^３ _３－Ｐ－Ｏ（Ａ^３は脂肪族基又は芳香族基）、（Ａ^４Ｏ）_３－Ｐ－Ｏ（Ａ^４はアルキル基）、Ｐ－ＯＣＨ_３、Ｐ－ＯＣＨ_２ＣＨ_３、Ｐ－ＯＣ_６Ｈ_５、Ｐ－Ｏ－Ｐ、Ｐ－ＯＨ又はＯ＝Ｐ－ＯＨ等が挙げられる。

上記のＴｉ－Ｏ結合を含む化合物としては、例えば、（ｉ）テトラ－ｉ－プロポキシチタン、テトラ－ｎ－ブトキシチタン、テトラキス（２－エチルヘキシルオキシ）チタン又はチタニウム－ｉ－プロポキシオクチレングリコレート等のアルコキシチタン；（ｉｉ）ジ－ｉ－プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタン又はプロパンジオキシチタンビス（エチルアセトアセテート）等のキレートチタン；（ｉｉｉ）ｉ－Ｃ_３Ｈ_７Ｏ－［－Ｔｉ（Ｏ－ｉ－Ｃ_３Ｈ_７）_２－Ｏ－］_ｎ－ｉ－Ｃ_３Ｈ_７又はｎ－Ｃ_４Ｈ_９Ｏ－［－Ｔｉ（Ｏ－ｎ－Ｃ_４Ｈ_９）_２－Ｏ－］_ｎ－ｎ－Ｃ_４Ｈ_９等のチタンポリマー；（ｉｖ）トリ－ｎ－ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ－ｉ－プロポキシチタンジイソステアレート又は（２－ｎ－ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ）トリブトキシチタン等のアシレートチタン；（ｖ）ジ－ｎ－ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン等の水溶性チタン化合物等が挙げられる。
これらの中でも、Ｔｉ－Ｏ結合を含む化合物としては、ジ－ｎ－ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン（Ｔｉ（ＯＣ_４Ｈ_９）_２［ＯＣ_２Ｈ_４Ｎ（Ｃ_２Ｈ_４ＯＨ）_２］_２）が好ましい。

上記の赤外線吸収性の構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記の赤外線吸収性の構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば１～２０μｍの範囲内であり、２～１５μｍの範囲内をより好適に吸収することができる。
さらに、上記構造がＳｉ－Ｏ結合、Ｓｉ－Ｃ結合又はＴｉ－Ｏ結合である場合には、９～１１μｍの範囲内が好ましい。

尚、上記の各構造が吸収できる赤外線の波長は、当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献：ＳＩＬＶＥＲＳＴＥＩＮ・ＢＡＳＳＬＥＲ・ＭＯＲＲＩＬＬ著「有機化合物のスペクトルによる同定法（第５版）－ＭＳ、ＩＲ、ＮＭＲ、ＵＶの併用－」（１９９２年発行）第１４６頁から第１５１頁の記載を参照することができる。

分離層の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解することができ、固化して固層を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層における化合物を効果的に変質させ、支持基体と基板との分離を容易にするには、分離層における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層における赤外線の透過率が９０％より低いことが好ましく、赤外線の透過率が８０％より低いことがより好ましい。

・赤外線吸収物質
分離層は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。この赤外線吸収物質は、光を吸収することによって変質するものであればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、又はアルミニウム粒子を好適に用いることができる。
赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。

・反応性ポリシルセスキオキサン
分離層は、反応性ポリシルセスキオキサンを重合させることにより形成することができる。これにより形成される分離層は、高い耐薬品性と高い耐熱性とを備えている。

「反応性ポリシルセスキオキサン」とは、ポリシルセスキオキサン骨格の末端にシラノール基、又は、加水分解することによってシラノール基を形成することができる官能基を有するポリシルセスキオキサンをいう。当該シラノール基、又はシラノール基を形成することができる官能基を縮合することによって、互いに重合することができる。また、反応性ポリシルセスキオキサンは、シラノール基、又は、シラノール基を形成することができる官能基を有していれば、ランダム構造、籠型構造、ラダー構造等のシルセスキオキサン骨格を備えている反応性ポリシルセスキオキサンを採用することができる。

反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量は、７０～９９モル％であることが好ましく、８０～９９モル％であることがより好ましい。
反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量が、前記の好ましい範囲内であれば、赤外線（好ましくは遠赤外線、より好ましくは波長９～１１μｍの光）を照射することによって好適に変質させることができる分離層を形成することができる。

反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５００～５００００であることが好ましく、１０００～１００００であることがより好ましい。
反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量（Ｍｗ）が、前記の好ましい範囲内であれば、溶剤に好適に溶解させることができ、サポートプレート上に好適に塗布することができる。

反応性ポリシルセスキオキサンとして用いることができる市販品としては、例えば、小西化学工業株式会社製のＳＲ－１３、ＳＲ－２１、ＳＲ－２３又はＳＲ－３３（商品名）等を挙げられる。

・フェノール骨格を有する樹脂成分
分離層は、フェノール骨格を有する樹脂成分を含有していてもよい。フェノール骨格を有することで、加熱等により容易に変質（酸化等）して光反応性が高まる。
ここでいう「フェノール骨格を有する」とは、ヒドロキシベンゼン構造を含んでいることを意味する。
フェノール骨格を有する樹脂成分は、膜形成能を有し、好ましくは分子量が１０００以上である。当該樹脂成分の分子量が１０００以上であることにより、膜形成能が向上する。当該樹脂成分の分子量は、１０００～３００００がより好ましく、１５００～２００００がさらに好ましく、２０００～１５０００が特に好ましい。当該樹脂成分の分子量が、前記の好ましい範囲の上限値以下であることにより、分離層形成用組成物の溶媒に対する溶解性が高められる。
尚、樹脂成分の分子量としては、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）を用いるものとする。

フェノール骨格を有する樹脂成分としては、例えばノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ヒドロキシフェニルシルセスキオキサン樹脂、ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン樹脂、フェノール骨格含有アクリル樹脂、後述の一般式（Ｐ２）で表される繰り返し単位を有する樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂がより好ましい。

＜デバイス層＞
デバイス層は、金属又は半導体により構成される部材と、前記部材を封止又は絶縁する樹脂と、の複合体である。具体的には、デバイス層は、封止材層及び配線層の少なくとも一方を含み、さらに基板を含むことができる。
図１に示す積層体１００では、デバイス層４５は、基板４及び封止剤層５により構成されている。図２に示す積層体２００では、デバイス層４５６は、基板４と封止材層５、及び配線層６により構成されている。図３に示す積層体３００では、デバイス層は配線層６により構成されている。図４に示す積層体４００では、デバイス層６４５は、配線層６、基板４及び封止材層５により構成されている。

≪基板≫
基板（ベアチップ）は、支持体に支持された状態で、薄化、実装等のプロセスに供される。基板には、例えば集積回路や金属バンプ等の構造物が実装される。
基板としては、典型的には、シリコンウェーハ基板が用いられるが、これに限定されず、セラミックス基板、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等を用いてもよい。

基板は、半導体素子又はその他素子であってもよく、単層又は複数層の構造を有し得る。尚、基板が半導体素子である場合、デバイス層をダイシングすることにより得られる電子部品は半導体装置となる。好ましくは、基板は半導体素子である。

≪封止材層≫
封止材層は、基板を封止するために設けられるものであり、封止材を用いて形成される。封止材には、金属又は半導体により構成される部材を、絶縁又は封止の可能な部材が用いられる。
本実施形態において、封止材としては、樹脂を含む樹脂組成物が用いられる。封止材に用いられる樹脂は、金属又は半導体を、封止及び／又は絶縁の可能なものであれば、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等が挙げられる。
封止材は、樹脂のほか、フィラー等の他の成分を含んでいてもよい。フィラーとしては、例えば、球状シリカ粒子等が挙げられる。

封止材に用いられる樹脂は、吸湿性を有し、昇温に伴いガスを発生する場合がある。この場合、封止材から発生するガスのほとんどは、水蒸気である。
電子部品製造プロセス中の熱処理工程で、このように水蒸気が発生すると、接着層中のボイドの原因となる。本実施形態の積層体では、接着層の材料として、構成単位（ｕ１）を有するエラストマーを含有する接着剤組成物が用いられている。これにより、接着層の弾性率が高められ、より硬い膜が形成される。そのため、デバイス層と支持体との間におけるボイドの発生が抑制される。

≪配線層≫
配線層は、ＲＤＬ（ＲｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎＬａｙｅｒ：再配線層）とも呼ばれ、基板に接続する配線を構成する薄膜の配線体であり、単層又は複数層の構造を有し得る。配線層は、パターン化された樹脂材料（感光性を有するポリイミドや、感光性を有するアクリル樹脂等）の間に導電体（例えば、アルミニウム、銅、チタン、ニッケル、金及び銀等の金属並びに銀－錫合金等の合金）によって配線が形成されたものであり得るが、これに限定されない。

デバイス層において、接着層に隣接して樹脂材料を含む層が設けられる場合、熱処理工程により、当該樹脂材料からガスが放出されて、ボイドの原因となる。本実施形態の積層体では、接着層の材料として、構成単位（ｕ１）を有するエラストマーを含有する接着剤組成物が用いられているため、ボイドの発生を低減することができる。

なお、図１～図４の積層体では、支持基体１と分離層２とが隣接しているが、これに限定されず、支持基体１と分離層２との間に他の層がさらに形成されていてもよい。この場合、他の層は、光を透過する材料から構成されていればよい。これによれば、分離層２への光の入射を妨げることなく、積層体に好ましい性質等を付与する層を適宜追加できる。分離層２を構成している材料の種類によって、用い得る光の波長が異なる。よって、他の層を構成する材料は、全ての波長の光を透過させる必要はなく、分離層２を構成する材料を変質させ得る波長の光を透過する材料から適宜選択し得る。

（積層体の製造方法）
本発明の第３の態様は、支持体、接着層及びデバイス層がこの順に積層した積層体の製造方法であり、接着層形成工程と、デバイス層形成工程と、を有する。前記積層体の製造方法は、さらに、分離層形成工程を含んでいてもよい。デバイス層形成工程は、基板固定工程、封止工程、研削工程及び配線層形成工程のいずれかを含むことができる。

＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る積層体の製造方法は、支持体を作製する工程と、接着層形成工程と、デバイス層形成工程と、を有する。
図５は、積層体の製造方法の一実施形態の一部を説明する概略工程図である。図５（ａ）は、支持体を作製する工程を説明する図であり、図２（ｂ）は、接着層形成工程を説明する図である。
図６は、接着層付き支持体１２３から積層体１００を製造する方法の一実施形態を説明する概略工程図である。図６（ａ）は、接着層付き支持体１２３を示す図であり、図６（ｂ）は、基板固定工程を示す図であり、図６（ｃ）は、封止工程を説明する図である。
図７は、積層体１００から積層体２００を製造する方法の一実施形態を説明する概略工程図である。図７（ａ）は、積層体１００を示す図であり、図７（ｂ）は、研削工程を説明する図であり、図７（ｃ）は再配線形成工程を説明する図である。

本実施形態の積層体の製造方法においては、分離層形成用組成物として、フルオロカーボンを含有するものが用いられている。また、接着層形成用組成物として、上述した実施形態に係る（ＥＰ１）成分を含有するものが用いられている。

［支持体を作製する工程］
実施形態における支持体を作製する工程は、支持基体上の一方に、分離層形成用組成物を用いて分離層を形成して、支持体を得る工程である。
図５（ａ）では、支持基体１上に、分離層形成用組成物（フルオロカーボンを含有するもの）を用いることにより分離層２が形成されている（すなわち、分離層付き支持基体が作製されている）。

支持基体１上への分離層２の形成方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布、化学気相成長（ＣＶＤ）等の方法が挙げられる。
例えば、支持体を作製する工程では、加熱環境下もしくは減圧環境下、支持基体１上に塗布された分離層形成用組成物の塗工層から溶剤成分を除去して成膜する（分離層２を形成する）、又は、支持基体１上に、蒸着法により成膜する（分離層２を形成する）ことで、支持体１２を得る。

［接着層形成工程］
実施形態における接着層形成工程は、支持体上の一方に、上述した実施形態の接着層形成用組成物を用いて接着層を形成する工程である。
図５（ｂ）では、支持体１２の分離層２側の面に、上述した実施形態の接着層形成用組成物を用いて接着層３が形成されている（すなわち、接着層付き支持体１２３が作製されている）。

支持体１２上への接着層３の形成方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法が挙げられる。そして、支持体１２上に、接着剤組成物を塗布して加熱するか、又は、減圧環境下で接着剤組成物に含まれている溶剤成分を除去する。

その後、接着層３が硬化性モノマー及び熱重合開始剤を含有する場合、加熱により、当該硬化性モノマーを重合させるとよい。接着層３を加熱する条件は、熱重合開始剤における１分間半減温度、及び１時間半減温度に基づいて適宜設定すればよく、例えば５０～３００℃の範囲内の温度において、真空下、又は窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、不活性ガス雰囲気下で行うことがより好ましい。

また、接着層３が硬化性モノマー及び光重合開始剤を含んでいる場合、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下にて露光することにより、硬化性モノマーを重合させるとよい。露光する条件は、光重合開始剤の種類等に応じて適宜設定すればよい。

［デバイス層形成工程］
本実施形態におけるデバイス層形成工程では、金属又は半導体により構成される部材と、前記部材を封止又は絶縁する樹脂との複合体であるデバイス層を形成する。デバイス層形成工程は、基板固定工程、封止工程、研削工程、および配線層形成工程のいずれかを含むことができる。
その一実施態様において、デバイス層形成工程は、基板固定工程および封止工程を含む。この場合、デバイス層形成工程は、さらに、研削工程および配線層形成工程を含んでいてもよい。
他の実施態様において、デバイス層形成工程は、配線層形成工程を含む。この場合、デバイス層形成工程は、さらに、基板固定工程、封止工程および研削工程を含んでいてもよい。

・基板固定工程について
基板固定工程は、接着層を介して、支持体上に基板（ベアチップ）を固定する工程である。
図６（ｂ）では、分離層２が形成された支持基体１（支持体１２）と、基板４とが、接着層３を介して積層され、支持体１２、接着層３、基板４の順に積み重なった構造体３０が得られている。

接着層３を介して支持体１２上に基板４を固定する方法は、接着層３上の所定位置に基板４を配置し、真空下で加熱（例えば１００℃程度）しつつ、ダイボンダー等によって支持体１２と基板４とを圧着することにより行うことができる。

・封止工程について
封止工程は、支持体上に固定された基板を、封止材を用いて封止する工程である。
図６（ｃ）では、接着剤層３を介して支持体１２に固定された基板４の全体が、封止材層５により封止された積層体１００が得られている。積層体１００において、基板４および封止材層５は、デバイス層４５を構成する。

封止工程においては、例えば１３０～１７０℃に加熱された封止材が、高粘度の状態を維持しつつ、基板４を覆うように、接着剤層３上に供給され、圧縮成形されることによって、接着剤層３上に封止材層５が設けられた積層体１００が作製される。
その際、温度条件は、例えば１３０～１７０℃である。
基板４に加えられる圧力は、例えば５０～５００Ｎ／ｃｍ^２である。

封止材層５は、個々の基板４毎に設けられているものではなく、接着剤層３上の基板４全部を覆うように設けられていることが好ましい。

・研削工程について
研削工程は、前記封止工程の後、封止体における封止材部分（封止材層５）を、基板の一部が露出するように研削する工程である。
封止材部分の研削は、例えば図７（ｂ）に示すように、封止材層５を、基板４とほぼ同等の厚さになるまで削ることにより行う。

・配線層形成工程について
配線層形成工程は、前記研削工程の後、前記の露出した基板上に配線層を形成する工程である。
図７（ｃ）では、基板４及び封止材層５上に、配線層６が形成されている。これにより、積層体２００を得ることができる。積層体２００において、基板４、封止材層５および配線層６は、デバイス層４５６を構成する。

配線層６を形成する方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。
まず、封止材層５上に、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）、感光性樹脂等の誘電体層を形成する。酸化シリコンからなる誘電体層は、例えばスパッタ法、真空蒸着法等により形成することができる。感光性樹脂からなる誘電体層は、例えばスピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により、封止材層５上に、感光性樹脂を塗布することで形成することができる。

続いて、誘電体層に、金属等の導電体によって配線を形成する。配線を形成する方法としては、例えば、フォトリソグラフィー（レジストリソグラフィー）等のリソグラフィー処理、エッチング処理等の公知の半導体プロセス手法を用いることができる。このような、リソグラフィー処理としては、例えば、ポジ型レジスト材料を用いたリソグラフィー処理、ネガ型レジスト材料を用いたリソグラフィー処理が挙げられる。

このように、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理等を行う際、封止体（積層体１００）は、フッ化水素酸等の酸、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）等のアルカリ、又はレジスト材料を溶解するためのレジスト溶剤に曝されるとともに、高温で処理される。
しかしながら、上述した、構成単位（ｕ１）を有するエラストマーを含有する接着剤組成物が用いて接着層３を形成することにより、封止材層５からのガスの放出が抑制される。このため、封止材層５と支持体１２との間でのボイド発生を防止することができ、配線層６を好適に形成することができる。

本実施形態に係る積層体の製造方法によれば、支持体１２と、接着層３と、デバイス層４５（基板４および封止材層５）またはデバイス層４５６（基板４、封止材層５および配線層６）と、がこの順に積層されてなる積層体１００または積層体２００を安定的に製造することができる。
かかる積層体１００または積層体２００は、基板４に設けられた端子がチップエリア外に広がる配線層６に実装される、ファンアウト型技術に基づく過程において作製される積層体である。

本実施形態に係る積層体の製造方法においては、さらに、配線層６上にバンプの形成、又は素子の実装を行うことができる。配線層６上への素子の実装は、例えば、チップマウンター等を用いて行うことができる。

（電子部品の製造方法）
本発明の第４の態様に係る電子部品の製造方法は、前記第３の態様に係る積層体の製造方法により積層体を得た後、分離工程と、除去工程と、を有する。

図８は、半導体パッケージ（電子部品）の製造方法の一実施形態を説明する概略工程図である。図８（ａ）は、積層体２００を示す図であり、図８（ｂ）は、分離工程を説明する図であり、図８（ｃ）は、除去工程を説明する図である。

［分離工程］
実施形態における分離工程は、支持基体１を介して分離層２に光（矢印）を照射して、分離層２を変質させることにより、デバイス層４５６から支持基体１を分離する工程である。
図８（ａ）に示すように、分離工程では、支持基体１を介して、分離層２に光（矢印）を照射することで、分離層２を変質させる。

分離層２を変質させ得る波長としては、例えば６００ｎｍ以下の範囲が挙げられる。
照射する光の種類及び波長は、支持基体１の透過性、及び分離層２の材質に応じて適宜選択すればよく、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ_２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ－Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、非レーザ光を用いることができる。これにより、分離層２を変質させて、支持基体１とデバイス層４５６とを容易に分離可能な状態とすることができる。

レーザ光を照射する場合、レーザ光照射条件の一例として、以下の条件を挙げることができる。
レーザ光の平均出力値は、１．０Ｗ以上、５．０Ｗ以下が好ましく、３．０Ｗ以上、４．０Ｗ以下がより好ましい。レーザ光の繰り返し周波数は、２０ｋＨｚ以上、６０ｋＨｚ以下が好ましく、３０ｋＨｚ以上、５０ｋＨｚ以下がより好ましい。レーザ光の走査速度は、１００ｍｍ／ｓ以上、１００００ｍｍ／ｓ以下が好ましい。

分離層２に光（矢印）を照射して分離層２を変質させた後、図８（ｂ）に示すように、デバイス層４５６から支持基体１を分離する。
例えば、支持基体１とデバイス層４５６とが互いに離れる方向に力を加えることにより、支持基体１とデバイス層４５６とを分離する。具体的には、支持基体１又はデバイス層４５６側（配線層６）の一方をステージに固定した状態で、他方をベローズパッド等の吸着パッドを備えた分離プレートにより吸着保持しつつ持ち上げることにより、支持基体１とデバイス層４５６とを分離することができる。
積層体２００に加える力は、積層体２００の大きさ等により適宜調整すればよく、限定されるものではないが、例えば、直径が３００ｍｍ程度の積層体であれば、０．１～５ｋｇｆ（０．９８～４９Ｎ）程度の力を加えることによって、支持基体１とデバイス層４５６とを好適に分離することができる。

［除去工程］
実施形態における除去工程は、前記分離工程の後、デバイス層に付着する接着層及び分離層を除去する工程である。
図８（ｂ）では、分離工程の後、デバイス層４５６に接着層３及び分離層２が付着している。本実施形態では、除去工程において、デバイス層４５６に付着する接着層３及び分離層２を除去することにより、電子部品５０が得られている。

デバイス層４５６に付着する接着層３等を除去する方法としては、例えば、洗浄液を用いて接着層３及び分離層２の残渣を除去する方法が挙げられる。
洗浄液には、有機溶剤を含有する洗浄液が好適に用いられる。この洗浄液における有機溶剤としては、分離層形成用組成物に配合の有機溶剤、接着層形成用組成物に配合の溶剤成分を用いることが好ましい。
上述した実施形態の接着層形成用組成物を用いて形成される接着層は、炭化水素系の溶剤に対する溶解性が高められている。このため、実施形態において、接着層の洗浄除去性は良好である。

本実施形態の電子部品の製造方法は、上記の除去工程の後、さらに、電子部品５０に対してソルダーボール形成、ダイシング、又は酸化膜形成等の処理を行ってもよい。

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

＜接着剤組成物の調製＞
（実施例１～５、比較例１～２）
表１に示す樹脂成分を、溶媒（デカヒドロナフタレン）に溶解して、各例の接着剤組成物（樹脂成分濃度３０質量％）をそれぞれ調製した。

表１中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。［］内の数値は配合量（質量部）である。
尚、以下に示す樹脂成分についての重量平均分子量及び分散度は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によるポリスチレン換算の値を用いて求めた。
また、以下に示す樹脂成分についての１％重量減少温度（℃）は、窒素雰囲気下において、２５℃で加熱を開始し、１分間隔で１０℃ずつ加熱温度を上げた場合に、初期重量の１重量％分の重量が減少したときの温度である。尚、本実施例においては、この１％重量減少温度を、熱重量測定装置で測定した。

（ＥＰ）－１：Ｓｅｐｔｏｎ２００２（商品名）、株式会社クラレ製。スチレン含有量１３モル％、重量平均分子量５４０００；下記化学式（ＥＰ）－１で表される複数の構成単位を有するエラストマー（１）。

（ＥＰ）－２：Ｓｅｐｔｏｎ８００４（商品名）、株式会社クラレ製。スチレン含有量１２モル％、重量平均分子量９８０００；下記化学式（ＥＰ）－２で表される複数の構成単位を有するエラストマー（２）。

（ＥＰ）－３：前記化学式（ＥＰ）－１で表されるエラストマー（１）を、豊田昭徳氏文献『高分子反応法による嵩高い炭化水素基含有ポリマーの合成とその性質』に記載の手順に従い、アダマンタノールと反応させて変性し、アダマンタン変性エラストマー（１）を得た。エラストマー（１）におけるスチレンユニット全体のうち、５３％（モル比）のスチレンユニットにアダマンチル基が付加された。重量平均分子量７０６００、分散度１．３７；１％重量減少温度３６５℃。

（ＥＰ）－４：前記化学式（ＥＰ）－２で表されるエラストマー（２）を、豊田昭徳氏文献『高分子反応法による嵩高い炭化水素基含有ポリマーの合成とその性質』に記載の手順に従い、アダマンタノールと反応させて変性し、アダマンタン変性エラストマー（２）を得た。エラストマー（２）におけるスチレンユニット全体のうち、６０％（モル比）のスチレンユニットにアダマンチル基が付加された。重量平均分子量２１９２００、分散度１．７８；１％重量減少温度３６５℃。

＜評価＞
各例の接着剤組成物について、以下に示す方法により、複素弾性率（Ｅ＊_１５０、Ｅ＊_５０）、ガラス転移温度（Ｔｇ）をそれぞれ求めた。また、各例の接着剤組成物を用いて形成される接着層について、以下に示す方法により、耐薬品性、洗浄除去性をそれぞれ評価した。これらの結果を表２に示した。

≪弾性率の測定≫
各例の接着剤組成物について、動的粘弾性測定装置Ｒｈｅｏｇｅｌ－Ｅ４０００（ＵＢＭ株式会社製）を用い、１５０℃及び５０℃における複素弾性率（Ｅ＊_１５０、Ｅ＊_５０）をそれぞれ測定し、また、複素弾性率の比（Ｅ＊_５０／Ｅ＊_１５０）を求めた。
まず、接着剤組成物を、離型剤付のＰＥＴフィルム上に塗布し、大気圧下のオーブンによって、５０℃で６０分間、次いで１５０℃で６０分間、加熱して試験片を形成した（厚さ５００μｍ）。その後、ＰＥＴフィルムから剥がした試験片（サイズ２ｃｍ×０．５ｃｍ、厚さ５００μｍ）の複素弾性率率を、前記の動的粘弾性測定装置を用いて測定した。
測定条件を、周波数１Ｈｚの引張条件において、開始温度２５℃から３００℃まで、昇温速度５℃／分で昇温する条件とした。

図９は、各例の接着剤組成物を用いて形成した試験片（接着層）についての、温度に対する複素弾性率の挙動を示すグラフである。
比較例１、２の接着剤組成物について、１５０℃での引張の条件では試験片が切れたため、測定不可であった。実施例１～５の接着剤組成物を用いた場合では、同じ温度において、比較例１、２の接着剤組成物を用いた場合に比べて、高い複素弾性率を示し、加えて、より高温側まで測定可能であった。

≪ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定≫
上記と同様にして各例の接着剤組成物を用いて形成した試験片（接着層）について、動的粘弾性測定装置Ｒｈｅｏｇｅｌ－Ｅ４０００（ＵＢＭ株式会社製）を用い、周波数１Ｈｚの条件にて、５℃／分の昇温速度で、２５℃から３００℃まで温度を上昇させることにより測定した粘弾性の変化に基づき、ガラス転移温度を求めた。

≪耐薬品性≫
各例の接着剤組成物を、ガラス基板に塗布し、乾燥して、厚さ５０μｍの接着層を形成した。次いで、この接着層が形成されたガラス基板を、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）に７０℃、１０分間浸漬した。この後、浸漬前後の膜厚変化の割合（膨潤度）を求め、下記の評価基準に従い、耐薬品性を評価した。
評価基準
○：かかる膜厚変化の割合が２０％未満であった。
×：かかる膜厚変化の割合が２０％以上であった。

各例の接着剤組成物を用い、以下のようにして積層体、電子部品を製造した。

［接着層形成工程］
ガラス支持基体（サイズ１０ｃｍ×１０ｃｍ、厚さ７００μｍ）上に、流量４００ｓｃｃｍ、圧力７００ｍＴｏｒｒ、高周波電力２５００Ｗ及び成膜温度２４０℃の条件下、反応ガスとしてＣ_４Ｆ_８を使用したＣＶＤ法により、分離層であるフルオロカーボン膜（厚さ１μｍ）を形成して支持体を作製した。

次いで、各例の接着剤組成物をそれぞれ、ガラス支持基体に形成された分離層上に、スピンコート法により１５００ｒｐｍで回転させながら塗布した。
次いで、各例の接着剤組成物を塗布した支持体をそれぞれ、１６０℃で４分間、予備加熱することにより、厚さ５μｍの接着層を形成した。

［デバイス層形成工程］
上述のように形成した接着層上に、封止基板（デバイス層）を配置し、次いで、１０Ｐａよりも低圧の減圧条件下、貼付装置を用い、２１５℃に加熱した押圧用プレート（３００ｍｍφ）にて押圧して、４トンの力を加えつつ、３分間圧縮して積層体を得た。

［分離工程］
上記デバイス層形成工程で得られた積層体に対し、ガラス支持基体側から分離層（フルオロカーボン膜）に向かって、波長５３２ｎｍのレーザ光を照射した。これにより、当該分離層を変質させて、前記積層体が備える前記基板（ベアチップ）から前記ガラス支持基体を分離し、接着層が露出した封止基板を得た。
［除去工程］
次いで、得られた封止基板に対し、洗浄液としてｐ－メンタンを用いてスプレー洗浄を５分間行い、封止基板に付着する接着層を除去して電子部品を得た。

≪洗浄除去性≫
前記の除去工程において、以下に示す評価基準に従い、洗浄除去性を評価した。
評価基準
○：スプレー洗浄後、封止基板に接着層の残渣が全く見られなかった場合
×：スプレー洗浄後、封止基板に接着層の残渣が見られた場合

表２に示す結果から、実施例１～５の接着剤組成物は、比較例１～２の接着剤組成物に比べて、弾性率及びガラス転移温度がいずれも高い結果であった。これより、本発明を適用した実施例１～５の接着剤組成物は、耐熱性及び耐薬品性がより高められて、高温処理及び薬液処理の影響を受けにくい接着層を形成できること、が確認された。

１支持基体、２分離層、３接着層、４基板、５封止材層、６配線層、５０電子部品、１００積層体、２００積層体、３００積層体、４００積層体。

Claims

樹脂成分（Ｐ）を含有する接着剤組成物であって、
前記樹脂成分（Ｐ）は、下記一般式（ｕ１－１）で表される構成単位（ｕ１）、及び、下記一般式（ｕ２－１）で表される構成単位（ｕ２）を有する共重合体からなるエラストマーを含有し、
前記エラストマーが有する前記構成単位（ｕ１）と前記構成単位（ｕ２）とのモル比は、構成単位（ｕ１）／構成単位（ｕ２）＝５３／４７～５である、接着剤組成物。

［一般式（ｕ１－１）中、Ｒ^α１は、炭素数１～５のアルキル基又は水素原子を表す。Ｒ^０１は、脂環式基を含む基を表す。Ｒ^０２は、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～８のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数６～１２のアリール基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、カルボキシ基、－ＯＲで表される基及び－ＣＯＯＲで表される基（但し、Ｒは、炭素数１～８のハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基である。）からなる群より選ばれる、Ｒ^０１に該当しない基である。ｍは１～５の自然数であり、ｎ１は０以上の整数である。但し、ｍとｎ１との和は５を超えることはない。］

［一般式（ｕ２－１）中、Ｒ ^α２は、炭素数１～５のアルキル基又は水素原子を表す。Ｒ ^０３は、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１～８のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数６～１２のアリール基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、カルボキシ基、－ＯＲで表される基及び－ＣＯＯＲで表される基（但し、Ｒは、炭素数１～８のハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基である。）からなる群より選ばれる基であり、前記Ｒ ^０１に該当しない基である。ｎ２は０以上５以下の整数である。］
前記エラストマーが有する構成単位（ｕ１）の割合は、前記エラストマーを構成する全構成単位（１００モル％）に対して１～４０モル％である、請求項１に記載の接着剤組成物。
前記一般式（ｕ１－１）中のＲ^０１は、架橋炭素環式基を含む基である、請求項１又は２に記載の接着剤組成物。
前記架橋炭素環式基における架橋炭素部位が、前記一般式（ｕ１－１）中のベンゼン環を構成する炭素と直接に結合する、請求項３に記載の接着剤組成物。
前記エラストマーの含有量は、前記樹脂成分（Ｐ）総量１００質量％に対して、２０質量％以上である、請求項１～４のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
支持体、接着層及びデバイス層がこの順に積層した積層体における前記接着層を形成するために用いられる、請求項１～５のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
前記デバイス層は、金属又は半導体により構成される部材と、前記部材を封止又は絶縁する樹脂と、の複合体である、請求項６に記載の接着剤組成物。
前記接着剤組成物を塗布し、乾燥させることで試験片を得たときに、当該試験片のガラス転移温度（Ｔｇ）が、１００℃以上となる、請求項１～７のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
前記接着剤組成物を塗布し、乾燥させることで、厚み５００μｍの試験片を作製し、開始温度：２５℃、昇温速度：５℃／ｍｉｎ、周波数：１Ｈｚの条件での動的粘弾性測定に付したときに、当該試験片の１５０℃における複素弾性率Ｅ＊_１５０が、０．１ＭＰａ以上となる、請求項１～８のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
前記接着剤組成物を塗布し、乾燥させることで、厚み５００μｍの試験片を作製し、開始温度：２５℃、昇温速度：５℃／ｍｉｎ、周波数：１Ｈｚの条件での動的粘弾性測定に付したときに、当該試験片の５０℃における複素弾性率Ｅ＊_５０が、３０ＭＰａ以上となる、請求項１～９のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
前記条件で動的粘弾性測定を行った際の、５０℃における複素弾性率Ｅ＊_５０と、１５０℃における複素弾性率Ｅ＊_１５０との比（Ｅ＊_５０／Ｅ＊_１５０）が、５０００以下となる、請求項９又は１０に記載の接着剤組成物。
支持体、接着層及びデバイス層がこの順に積層した積層体であって、
前記接着層は、請求項１～１１のいずれか一項に記載の接着剤組成物の乾燥体である、積層体。
支持体、接着層及びデバイス層がこの順に積層した積層体の製造方法であって、
前記支持体上に、請求項１～１１のいずれか一項に記載の接着剤組成物を用いて前記接着層を形成する接着層形成工程と、
金属又は半導体により構成される部材と、前記部材を封止又は絶縁する樹脂と、の複合体であるデバイス層を、前記接着層上に形成するデバイス層形成工程と、
を有する、積層体の製造方法。
前記支持体が、支持基体及び光の照射により変質する分離層から構成されており、
前記接着層形成工程が、前記分離層上に接着層を形成する工程である、請求項１３に記載の積層体の製造方法。
請求項１４に記載の積層体の製造方法により積層体を得た後、
前記支持基体を介して前記分離層に光を照射して、前記分離層を変質させることにより、前記デバイス層から前記支持基体を分離する分離工程と、
前記分離工程の後、前記デバイス層に付着する前記接着層及び前記分離層を除去する除去工程と、
を有する、電子部品の製造方法。