JP6717442B2 - 磁気センサおよび電流センサ - Google Patents
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Description
図1は、実施の形態1に係る磁気センサを示す概略断面図である。図1を参照して、実施の形態1に係る磁気センサ100について説明する。
中点電位Vout2=Vdd×R4/(R3+R4)・・・(式2)
磁気センサ素子1が感磁方向に引張された場合においては、第1磁気抵抗素子E1、第2磁気抵抗素子E2、第3磁気抵抗素子E3および第4磁気抵抗素子E4の各磁気抵抗素子には、図5に示すように、バイアス磁場の方向と平行な方向に応力Bstressが作用する。これにより、磁性体の磁化Mの向きは、バイアス磁場Bbiasと平行な方向からバイアス磁場Bbiasおよび応力Bstressを合成した方向に移動する。この結果、第1磁気抵抗素子E1、第2磁気抵抗素子E2、第3磁気抵抗素子E3および第4磁気抵抗素子E4の各磁気抵抗素子の抵抗も変化することとなる。
図9は、実施の形態2に係る磁気抵抗素子を構成する複数の磁気抵抗素子のパターン、ならびに、磁気センサ素子が引張された場合における各磁気抵抗素子に作用する力および各磁気抵抗素子の磁化方向等を示す概略図である。図9を参照して、実施の形態2に係る磁気センサについて説明する。
図13は、実施の形態3に係る磁気抵抗素子部を構成する複数の磁気抵抗素子のパターン、ならびに、磁気抵抗素子が引張された場合における各磁気抵抗素子に作用する力および各磁気抵抗素子の磁化方向等を示す概略図である。図13を参照して、実施の形態3に係る磁気抵抗素子について説明する。
図17は、比較例に係る磁気抵抗素子部を構成する複数の磁気抵抗素子のパターン、ならびに、磁気センサ素子が引張された場合における各磁気抵抗素子に作用する力および各磁気抵抗素子の磁化方向等を示す概略図である。
図21は、変形例に係る磁気センサ素子が感磁方向に圧縮された場合に作用する力を示す図である。図21を参照して変形例に係る磁気センサについて説明する。
実施の形態1から3および変形例においては、第1磁気抵抗素子E1から第4磁気抵抗素子E4が直線状の形状を有する場合を例示して説明したが、これに限定されず、長い短冊状パターンと、短い短冊状パターンとを交互に直交させて接続することで形成されるミアンダ形状を有していてもよい。
(電流センサ)
図22は、実施の形態4に係る電流センサの斜視図である。図23は、実施の形態4に係る電流センサの平面図である。図24は、実施の形態4に係る電流センサの正面図である。
Claims (7)
- 基板と、
所定の感磁方向を有するように前記基板上に設けられ、前記感磁方向と直交する方向にバイアス磁場が印加される磁気抵抗素子部と、を備え、
前記磁気抵抗素子部は、負の磁歪定数を有する磁性膜を含み、
前記基板に対して前記感磁方向と平行な方向に引張応力を作用させた場合に、前記バイアス磁場の方向と平行な方向に前記磁性膜の応力誘起異方性が発現する、磁気センサ。 - 基板と、
所定の感磁方向を有するように前記基板上に設けられ、前記感磁方向と直交する方向にバイアス磁場が印加される磁気抵抗素子部と、を備え、
前記磁気抵抗素子部は、正の磁歪定数を有する磁性膜を含み、
前記基板に対して前記感磁方向と平行な方向に圧縮応力を作用させた場合に、前記バイアス磁場の方向と平行な方向に前記磁性膜の応力誘起異方性が発現する、磁気センサ。 - 前記基板は、長手方向を有する長手形状を有し、
前記感磁方向は、前記長手方向と平行である、請求項1または2に記載の磁気センサ。 - 前記磁気抵抗素子部は、第1磁気抵抗素子、第2磁気抵抗素子、第3磁気抵抗素子、および第4磁気抵抗素子を含み、
前記第1磁気抵抗素子、前記第2磁気抵抗素子、前記第3磁気抵抗素子、および前記第4磁気抵抗素子は、前記バイアス磁場の方向と平行な方向に沿って、前記第3磁気抵抗素子、前記第4磁気抵抗素子、前記第2磁気抵抗素子および前記第1磁気抵抗素子の順に列状に並んで配置されるとともに、直列に電気的に接続され、
前記第1磁気抵抗素子および前記第2磁気抵抗素子間を接続する接続部から前記第1磁気抵抗素子と前記第2磁気抵抗素子との中点電位を検出し、
前記第3磁気抵抗素子および前記第4磁気抵抗素子間を接続する接続部から前記第3磁気抵抗素子と前記第4磁気抵抗素子との中点電位を検出する、請求項1から3のいずれか1項に記載の磁気センサ。 - 前記磁気抵抗素子部は、行列状に配置された第1磁気抵抗素子、第2磁気抵抗素子、第3磁気抵抗素子、および第4磁気抵抗素子を含み、
前記第1磁気抵抗素子、前記第2磁気抵抗素子、前記第3磁気抵抗素子、および前記第4磁気抵抗素子によってフルブリッジ回路が構成されている、請求項1から3のいずれか1項に記載の磁気センサ。 - 前記第1磁気抵抗素子および前記第2磁気抵抗素子は、前記バイアス磁場の方向と平行な方向に沿って列状に並んで配置されるとともに、第1ハーフブリッジ回路を構成し、
前記第3磁気抵抗素子および前記第4磁気抵抗素子は、前記バイアス磁場の方向と平行な方向に沿って列状に並んで配置されるとともに、第2ハーフブリッジ回路を構成し、
前記第1ハーフブリッジ回路および前記第2ハーフブリッジ回路によって前記フルブリッジ回路が構成され、
前記第1磁気抵抗素子および前記第2磁気抵抗素子間を接続する接続部から前記第1磁気抵抗素子と前記第2磁気抵抗素子との中点電位を検出し、
前記第3磁気抵抗素子および前記第4磁気抵抗素子間を接続する接続部から前記第3磁気抵抗素子と前記第4磁気抵抗素子との中点電位を検出する、請求項5に記載の磁気センサ。 - 測定対象の電流が流れるバスバーと、
請求項1から6のいずれか1項に記載の磁気センサと、を備える電流センサ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018010645 | 2018-01-25 | ||
JP2018010645 | 2018-01-25 | ||
PCT/JP2018/047564 WO2019146347A1 (ja) | 2018-01-25 | 2018-12-25 | 磁気センサおよび電流センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019146347A1 JPWO2019146347A1 (ja) | 2020-05-28 |
JP6717442B2 true JP6717442B2 (ja) | 2020-07-01 |
Family
ID=67394910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019567930A Active JP6717442B2 (ja) | 2018-01-25 | 2018-12-25 | 磁気センサおよび電流センサ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11249116B2 (ja) |
JP (1) | JP6717442B2 (ja) |
CN (1) | CN111433621B (ja) |
DE (1) | DE112018005674T5 (ja) |
WO (1) | WO2019146347A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10890630B2 (en) * | 2016-05-24 | 2021-01-12 | Tdk Corporation | Magnetic sensor |
CN112881781A (zh) * | 2021-01-20 | 2021-06-01 | 西南交通大学 | 一种无源雷电流传感器 |
CN112995871B (zh) * | 2021-03-01 | 2022-11-22 | 歌尔微电子股份有限公司 | Mems传感器及电子设备 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59133476A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-31 | Hitachi Ltd | 一軸磁気異方性膜の磁歪定数検査法 |
DE3644388A1 (de) * | 1985-12-27 | 1987-07-02 | Sharp Kk | Duennfilm-joch-magnetkopf |
JPH02195284A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-01 | Hitachi Metals Ltd | 磁気センサ |
US5307226A (en) * | 1992-06-05 | 1994-04-26 | Hewlett-Packard Company | Improved magnetoresistive transducer with substantially perpendicular easy axis |
JPH07244142A (ja) | 1994-03-08 | 1995-09-19 | Fujitsu Ltd | 磁気センサ |
JP3877958B2 (ja) | 2000-12-20 | 2007-02-07 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 磁界センサのバイアス印加方法及び磁界センサ |
JP2004186659A (ja) * | 2002-10-07 | 2004-07-02 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子 |
US20040166368A1 (en) * | 2003-02-24 | 2004-08-26 | International Business Machines Corporation | AP-tab spin valve with controlled magnetostriction of the biasing layer |
JP2004282054A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-10-07 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子 |
US20040228044A1 (en) | 2003-02-26 | 2004-11-18 | Alps Electric Co., Ltd. | Spin-valve magnetoresistive element having fixed magnetic layer of epitaxial laminate including magnetic layer and non-magnetic layer |
DE102004032484B3 (de) * | 2004-07-05 | 2005-11-24 | Infineon Technologies Ag | Sensor und Verfahren zum Herstellen eines Sensors |
KR100698413B1 (ko) * | 2004-09-28 | 2007-03-23 | 야마하 가부시키가이샤 | 거대 자기저항 소자를 이용한 자기 센서 및 그 제조 방법 |
CN100374855C (zh) * | 2005-11-28 | 2008-03-12 | 兰州大学 | 磁性薄膜材料面内单轴各向异性测试方法 |
US8133439B2 (en) * | 2006-08-01 | 2012-03-13 | Magic Technologies, Inc. | GMR biosensor with enhanced sensitivity |
US7940042B2 (en) * | 2009-01-07 | 2011-05-10 | Tdk Corporation | Method and apparatus for testing magnetoresistive effect element |
JP5338711B2 (ja) * | 2010-02-23 | 2013-11-13 | Tdk株式会社 | 磁気センサー、磁気検出装置、及び磁気ヘッド |
KR20120102413A (ko) * | 2011-03-08 | 2012-09-18 | 삼성전기주식회사 | 적층형 자계 검출 센서 |
JP5979214B2 (ja) * | 2012-02-13 | 2016-08-24 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ装置 |
WO2013153986A1 (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-17 | 三菱電機株式会社 | 磁気センサ装置 |
US10989769B2 (en) * | 2013-12-27 | 2021-04-27 | Infineon Technologies Ag | Magneto-resistive structured device having spontaneously generated in-plane closed flux magnetization pattern |
CN106463612A (zh) * | 2014-05-30 | 2017-02-22 | 株式会社村田制作所 | 磁阻元件、磁传感器以及电流传感器 |
CN103995240B (zh) * | 2014-05-30 | 2017-11-10 | 江苏多维科技有限公司 | 一种磁电阻z轴梯度传感器芯片 |
JP6711086B2 (ja) * | 2016-04-01 | 2020-06-17 | 日立金属株式会社 | 電流センサ |
-
2018
- 2018-12-25 JP JP2019567930A patent/JP6717442B2/ja active Active
- 2018-12-25 DE DE112018005674.0T patent/DE112018005674T5/de active Pending
- 2018-12-25 WO PCT/JP2018/047564 patent/WO2019146347A1/ja active Application Filing
- 2018-12-25 CN CN201880078122.9A patent/CN111433621B/zh active Active
-
2020
- 2020-04-14 US US16/847,708 patent/US11249116B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200241052A1 (en) | 2020-07-30 |
CN111433621A (zh) | 2020-07-17 |
DE112018005674T5 (de) | 2020-09-24 |
CN111433621B (zh) | 2022-03-04 |
JPWO2019146347A1 (ja) | 2020-05-28 |
WO2019146347A1 (ja) | 2019-08-01 |
US11249116B2 (en) | 2022-02-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200213 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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|
A975 | Report on accelerated examination |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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