JP6017152B2 - 磁気抵抗素子 - Google Patents
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Description
(ΔR/R0)∝(μ×B) :高印加磁界時 ……(2)
化合物半導体の長辺の長さ(A)は240μm、感磁部の長辺に沿った前記金属配線の幅(B)は30μm、感磁部の短辺に沿った前記金属配線の幅(C)は30μm、感磁部の長辺の長さ(D)は、2.5mmであり、(A×B)/(C×D)の値を0.10としたことを除けば、実施例と同様にして作成した。
12 化合物半導体膜
13 短絡電極
14 金属配線
15 接続配線
16 保護膜
17 軟樹脂層
18 取り出し電極
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に、1つまたは複数の短冊状の化合物半導体によって構成された4つの抵抗体を前記短冊状の化合物半導体の短辺方向に一列に並べた前記短辺方向に長い長方形の領域である感磁部と、
前記化合物半導体で構成される4つの抵抗体をフルブリッジ構造に接続する金属配線とを備え、
前記化合物半導体の長辺の長さ(A)と前記感磁部の長辺に沿った前記金属配線の幅(B)との積を、前記感磁部の短辺に沿った前記金属配線の幅(C)と前記感磁部の長辺の長さ(D)との積で除した値(A×B/C×D)が0.46以上0.86以下となり、かつ、
前記化合物半導体の長辺の長さ(A)に対する前記感磁部の長辺の長さ(D)の比率(D/A)が2.0以上20以下となるように形成されていることを特徴とする磁気抵抗素子。 - 前記抵抗体が複数の短冊状の化合物半導体で構成され、各抵抗体を構成する複数の化合物半導体は、ミアンダ接続されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗素子。
- 前記感磁部が、各ブロックが1つまたは複数の前記化合物半導体で構成された4つのブロックを有し、該ブロックのうち互いに隣接して接続されていない第1のブロックおよび第3のブロックを接続する配線の外部接続端子と、第2のブロックおよび第4のブロックを接続する配線の外部接続端子とは、それぞれ、出力信号が出力される端子であることを特徴とする請求項1または2に記載の磁気抵抗素子。
- 前記化合物半導体は、InAsySb(1−y)(0≦y≦1)からなる薄膜であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の磁気抵抗素子。
- 前記基板は、Si基板またはGaAs基板であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の磁気抵抗素子。
- 前記感磁部の長辺の長さ(D)が0.5mm以上8mm以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の磁気抵抗素子。
- 前記金属配線の厚みが0.1μm以上1.5μm以下であることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の磁気抵抗素子。
- 前記感磁部の短辺に沿った金属配線の幅(C)が1μm以上300μm以下であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の磁気抵抗素子。
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