JP6695264B2

JP6695264B2 - Plating apparatus, plating method and plated product manufacturing method

Info

Publication number: JP6695264B2
Application number: JP2016236085A
Authority: JP
Inventors: 晴司宮本
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2016-12-05
Filing date: 2016-12-05
Publication date: 2020-05-20
Anticipated expiration: 2036-12-05
Also published as: JP2018090865A

Description

この発明は、めっき装置、めっき方法およびめっき製品の製造方法に関する。 The present invention relates to a plating apparatus, a plating method and a plated product manufacturing method.

従来、プリント配線板やリードフレームなどにめっき処理を行うめっき装置が知られている。たとえば、特開２０１１−２３１３４４号公報では、プリント配線板へのめっき膜形成工程の効率を向上させるため、めっき液浴中においてプリント配線板と接触する第１位置と、プリント配線板と非接触となる第２位置とを移動可能な給電体を設けることが開示されている。上記特開２０１１―２３１３４４号公報では、当該給電体が第２の位置に移動したときに給電体へ正の電位を印加して、給電体の表面に形成されためっき膜を剥離することが開示されている。 Conventionally, there is known a plating apparatus that performs a plating process on a printed wiring board, a lead frame and the like. For example, in Japanese Patent Laid-Open No. 2011-231344, in order to improve the efficiency of a plating film forming process on a printed wiring board, a first position in contact with the printed wiring board in a plating solution bath and a non-contact with the printed wiring board are provided. It is disclosed that a power supply body that can move between the second position and the second power position is provided. JP-A-2011-231344 discloses that a positive potential is applied to the power feeding body when the power feeding body moves to the second position to peel off the plating film formed on the surface of the power feeding body. Has been done.

特開２０１１−２３１３４４号公報JP, 2011-231344, A

しかし、上述した特許文献においては、めっき処理対象物であるプリント配線板と接触する給電体の具体的な構成が詳細には開示されていない。 However, the above-mentioned patent documents do not disclose in detail the specific configuration of the power feeding body that comes into contact with the printed wiring board that is the plating target.

また、リードフレームなどのめっき処理対象物を保持するため治具を用いる場合、当該治具を介してめっき処理対象物へ給電することが考えられる。しかし、この場合には治具においてめっき処理対象物と給電のために接触する部分にめっき膜が形成される。このようなめっき膜が蓄積するとめっき処理に悪影響を与えるため、当該治具については定期的にめっき膜を剥離する処理やメンテナンスを行う必要があり、めっき処理により製造されるめっき製品の製造コストの増大を招いていた。 Further, when a jig is used to hold an object to be plated such as a lead frame, it is possible to supply power to the object to be plated through the jig. However, in this case, a plating film is formed on a portion of the jig that is in contact with the object to be plated for power supply. If such a plating film accumulates, it will adversely affect the plating process. Therefore, it is necessary to perform a process for removing the plating film and maintenance for the jig on a regular basis, which reduces the manufacturing cost of the plated product manufactured by the plating process. It was causing an increase.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、めっき製品の製造コストの増大を抑制することが可能なめっき装置、めっき方法およびめっき製品の製造方法を提供することである。 The present invention has been made to solve the above problems, and provides a plating apparatus, a plating method, and a method for manufacturing a plated product capable of suppressing an increase in the manufacturing cost of a plated product. is there.

本開示に従っためっき装置は、めっき浴槽と第１電極と保持部と第２電極とを備える。めっき浴槽はめっき液を保持する。第１電極はめっき浴槽に保持されるめっき液に接触する。保持部は、めっき液中においてめっき処理対象物を保持する。第２電極は、保持部に保持されためっき処理対象物に接触する。第２電極は、基部と絶縁層とを含む。基部は、不溶解性電極材からなり、めっき処理対象物と接触する接触部を有する。絶縁層は、基部の表面を被覆する。絶縁層には、接触部を露出させる開口部が形成されている。 A plating apparatus according to the present disclosure includes a plating bath, a first electrode, a holder, and a second electrode. The plating bath holds the plating solution. The first electrode contacts the plating solution held in the plating bath. The holding unit holds the object to be plated in the plating solution. The second electrode contacts the plating target object held by the holder. The second electrode includes a base and an insulating layer. The base portion is made of an insoluble electrode material and has a contact portion that comes into contact with a plating target object. The insulating layer covers the surface of the base. The insulating layer has an opening that exposes the contact portion.

本開示に従っためっき方法は、上記めっき装置を用いためっき方法であって、以下の工程を実施する。すなわち、保持部に、めっき液に浸漬した状態でめっき処理対象物を配置する。第２電極を、保持部に保持されためっき処理対象物に接触させる。第１電極と第２電極とに電流を供給することにより、めっき処理対象物の表面にめっき膜を形成する。めっき膜が形成されためっき処理対象物を保持部から取り出す。取り出す工程の後、第１電極および第２電極をめっき液に接触させた状態で、めっき膜を形成する工程とは逆の極性の電流を第１電極および第２電極に供給することにより、第２電極の接触部に形成されていためっき膜を第２電極から除去する。 A plating method according to the present disclosure is a plating method using the above plating apparatus, and the following steps are performed. That is, the object to be plated is placed in the holding portion while being immersed in the plating solution. The second electrode is brought into contact with the plating target object held by the holder. By supplying a current to the first electrode and the second electrode, a plating film is formed on the surface of the object to be plated. The object to be plated on which the plated film is formed is taken out from the holder. After the step of taking out, while the first electrode and the second electrode are in contact with the plating solution, a current having a reverse polarity to the step of forming the plating film is supplied to the first electrode and the second electrode, The plating film formed on the contact portion of the two electrodes is removed from the second electrode.

本開示に従っためっき製品の製造方法では、以下の工程を実施する。すなわち、めっき製品となるべきめっき処理対象物を準備する。めっき処理対象物に、上記めっき方法を用いてめっき膜を形成する。 The method of manufacturing a plated product according to the present disclosure includes the following steps. That is, an object to be plated to be a plated product is prepared. A plating film is formed on the object to be plated by using the above plating method.

本開示によれば、保持部にめっき処理対象物を保持して第２電極を接触させることでめっき処理対象物へのめっき処理を実施できる。さらに、第２電極の基部が不溶解性電極材により構成されているので、めっき処理の後に第２電極へめっき処理時とは逆の極性の電流を印加することで、第２電極表面に形成されていためっき膜を剥離することができる。この結果、安定してめっき処理を繰り返すことができ、従来のような治具を用いた場合のようなメンテナンスが不要となるのでめっき製品の製造コストの増大を抑制できる。 According to the present disclosure, it is possible to perform a plating process on a plating target object by holding the plating target object in the holding part and bringing the second electrode into contact with the holding part. Further, since the base portion of the second electrode is made of an insoluble electrode material, it is formed on the surface of the second electrode by applying a current having a polarity opposite to that of the plating treatment after the plating treatment to the second electrode. The plated film that has been formed can be peeled off. As a result, the plating process can be stably repeated, and the maintenance as in the case of using a conventional jig is unnecessary, so that an increase in the manufacturing cost of plated products can be suppressed.

本発明の実施の形態１に係るめっき装置の模式図である。It is a schematic diagram of the plating apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention. 図１に示しためっき装置の第２電極の断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of the 2nd electrode of the plating apparatus shown in FIG. 図１に示しためっき装置を用いためっき製品の製造方法を説明するためのフローチャートである。6 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a plated product using the plating apparatus shown in FIG. 1. 図３に示しためっき製品の製造方法を説明するための模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a method of manufacturing the plated product shown in FIG. 3. 図３のめっき工程を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the plating process of FIG. 図５における第２電極とめっき処理対象物との拡大断面模式図である。FIG. 6 is an enlarged schematic sectional view of a second electrode and an object to be plated in FIG. 5. 図３のめっき工程において、めっき処理対象物の表面および第２電極の表面にめっき膜が形成された状態を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the state in which the plating film was formed in the surface of the plating subject and the surface of the 2nd electrode in the plating process of FIG. 図３の第２電極の接触部の部分拡大模式図である。FIG. 4 is a partially enlarged schematic view of a contact portion of the second electrode of FIG. 3. 図３の電極からめっき膜を剥離する工程を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the process of peeling a plating film from the electrode of FIG. 図３の電極からめっき膜を剥離する工程を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the process of peeling a plating film from the electrode of FIG. 図３の電極からめっき膜を剥離する工程を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the process of peeling a plating film from the electrode of FIG. 図３の電極からめっき膜を剥離する工程を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the process of peeling a plating film from the electrode of FIG. 参考例としてのめっき装置における冶具にめっき処理対象物を設置する工程を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the process of installing a plating process target object in the jig in the plating apparatus as a reference example. 参考例としてのめっき装置におけるめっき処理を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the plating process in the plating apparatus as a reference example. 参考例としてのめっき装置における冶具の問題点を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the problem of the jig in the plating apparatus as a reference example. 本発明の実施の形態２に係るめっき装置の第２電極の断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of the 2nd electrode of the plating apparatus which concerns on Embodiment 2 of this invention.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。以下では、複数の実施の形態について説明するが、各実施の形態で説明された構成を適宜組合わせることは出願当初から予定されている。なお、図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Although a plurality of embodiments will be described below, it is planned from the beginning of the application to appropriately combine the configurations described in the respective embodiments. In the drawings, the same or corresponding parts will be denoted by the same reference characters and description thereof will not be repeated.

実施の形態１．
＜めっき装置の構成＞
図１は、本発明の実施の形態１に係るめっき装置１００の模式図である。図２は、図１に示しためっき装置１００の第２電極３の断面模式図である。めっき装置１００は、たとえば自動搬送式めっき装置であって、めっき浴槽１と、第１電極２と、保持部７と、第２電極３と、極性切替部４と、電源５と、電極移動部１１と、制御部１２とを主に備える。めっき浴槽１はめっき液６を保持する。１組の第１電極２はめっき浴槽１に保持されるめっき液６に接触する。１組の第１電極２は、保持部７および第２電極３を挟むように、めっき浴槽１の内部に配置されている。第１電極２は板状の形状を有しているが、他の任意の形状でもよい。保持部７は、めっき液６中においてめっき処理対象物２０（図５参照）を保持する。保持部７の構成は、めっき処理対象物２０を保持できれば任意の構造を採用できる。めっき処理対象物２０は単体で搬送され、保持部７に搭載されてもよい。 Embodiment 1.
<Structure of plating equipment>
FIG. 1 is a schematic diagram of a plating apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic sectional view of the second electrode 3 of the plating apparatus 100 shown in FIG. The plating apparatus 100 is, for example, an automatic transfer type plating apparatus, and includes a plating bath 1, a first electrode 2, a holding unit 7, a second electrode 3, a polarity switching unit 4, a power supply 5, and an electrode moving unit. 11 and a control unit 12 are mainly provided. The plating bath 1 holds a plating solution 6. The set of first electrodes 2 contacts the plating solution 6 held in the plating bath 1. The pair of first electrodes 2 is arranged inside the plating bath 1 so as to sandwich the holding portion 7 and the second electrode 3. The first electrode 2 has a plate shape, but may have any other shape. The holding unit 7 holds the plating target 20 (see FIG. 5) in the plating solution 6. The structure of the holding portion 7 may be any structure as long as it can hold the plating target object 20. The plating target object 20 may be transported as a single unit and mounted on the holding unit 7.

第２電極３は、保持部７に保持されためっき処理対象物２０に接触する。第２電極３は、基部３１と絶縁層３２とを含む。基部３１は、不溶解性電極材からなり、めっき処理対象物２０と接触する接触部３ａを有する。不溶解性電極材とは、めっき液６中において、形成されるめっき膜を構成する金属より溶解電圧の高い材料を意味する。たとえば、不溶解性電極材として、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、あるいはチタンを含む合金、白金を含む合金、もしくはこれらの金属の複合材を用いることができる。不溶解性電極材として、たとえばチタン、チタンを基材とする白金コーティング材料などを用いてもよい。絶縁層３２は、基部３１の表面を被覆する。絶縁層３２には、接触部３ａを露出させる開口部が形成されている。図２に示した接触部３ａは平面であり、その平面形状はたとえば円形状である。接触部３ａの平面形状は多角形状など任意の形状でもよい。 The second electrode 3 comes into contact with the plating target object 20 held by the holder 7. The second electrode 3 includes a base 31 and an insulating layer 32. The base portion 31 is made of an insoluble electrode material and has a contact portion 3 a that comes into contact with the plating target object 20. The insoluble electrode material means a material having a higher dissolution voltage in the plating solution 6 than the metal forming the plating film to be formed. For example, titanium (Ti), platinum (Pt), an alloy containing titanium, an alloy containing platinum, or a composite material of these metals can be used as the insoluble electrode material. As the insoluble electrode material, for example, titanium, a platinum coating material based on titanium, or the like may be used. The insulating layer 32 covers the surface of the base 31. The insulating layer 32 has an opening that exposes the contact portion 3a. The contact portion 3a shown in FIG. 2 is a flat surface, and its planar shape is, for example, a circular shape. The planar shape of the contact portion 3a may be an arbitrary shape such as a polygonal shape.

電極移動部１１は、第２電極３を、図１に示しためっき処理用の第１の位置と、めっき処理対象物２０を保持部７に搭載するときあるいは保持部７からめっき処理対象物２０を搬出するときに保持部７上から後退した第２の位置との間で移動可能になっている。電極移動部１１の構成は、任意の構成を採用できる。たとえば、電極移動部１１は第２電極３を移動させるための駆動用モータやアクチュエータを含んでいてもよい。また、電極移動部１１を用いることなく、作業者が第２電極３を第１の位置と第２の位置との間で異動させてもよい。 The electrode moving unit 11 mounts the second electrode 3 on the first position for plating treatment shown in FIG. 1 and the plating treatment target 20 on the holding unit 7 or from the holding unit 7 to the plating treatment target 20. Can be moved to and from a second position retracted from the holding portion 7 when carrying out. As the configuration of the electrode moving unit 11, any configuration can be adopted. For example, the electrode moving unit 11 may include a driving motor and an actuator for moving the second electrode 3. Further, the operator may move the second electrode 3 between the first position and the second position without using the electrode moving unit 11.

極性切替部４は、第１〜第５端子４１〜４５を有する。極性切替部４は、第１状態と第２状態とを切替え可能になっている。第１状態では、第１端子４１が第３端子４３および第５端子４５と接続され、また、第２端子４２が第４端子４４と接続されている。第２状態では、第１端子４１が第４端子４４と接続され、第２端子４２が第３端子４３および第５端子４５に接続されている。第３端子４３および第５端子４５はそれぞれ配線８、１０を介して第１電極と接続されている。第４端子４４は配線９を介して第２電極３と接続されている。 The polarity switching unit 4 has first to fifth terminals 41 to 45. The polarity switching unit 4 can switch between the first state and the second state. In the first state, the first terminal 41 is connected to the third terminal 43 and the fifth terminal 45, and the second terminal 42 is connected to the fourth terminal 44. In the second state, the first terminal 41 is connected to the fourth terminal 44, and the second terminal 42 is connected to the third terminal 43 and the fifth terminal 45. The third terminal 43 and the fifth terminal 45 are connected to the first electrode via the wirings 8 and 10, respectively. The fourth terminal 44 is connected to the second electrode 3 via the wiring 9.

電源５は正極端子５１と負極端子５２とを有する。正極端子５１は極性切替部４の第１端子４１と配線を介して接続されている。負極端子５２は極性切替部４の第２端子４２と配線を介して接続されている。電源５は、極性切替部４を介して第１電極２および第２電極３へ電力を供給する。 The power supply 5 has a positive electrode terminal 51 and a negative electrode terminal 52. The positive electrode terminal 51 is connected to the first terminal 41 of the polarity switching unit 4 via a wiring. The negative electrode terminal 52 is connected to the second terminal 42 of the polarity switching unit 4 via a wiring. The power supply 5 supplies electric power to the first electrode 2 and the second electrode 3 via the polarity switching unit 4.

制御部１２は、電源５、極性切替部４、電極移動部１１にそれぞれ接続されている。制御部１２は、電源５のＯＮ／ＯＦＦ制御、極性切替部４における第１状態と第２状態との切替制御、また第２電極３を第１の位置と第２の位置との間で移動させるように電極移動部１１の駆動制御などを行う。制御部１２は、極性切替部４を制御することにより、第１電極２に供給される電流と第２電極３に供給される電流との極性を反転させることが可能である。また、制御部１２は、第２電極３へ供給する電流の電圧の値を、基部３１を構成する不溶解性電極材の溶解電圧より低い値に制御可能である。 The control unit 12 is connected to the power supply 5, the polarity switching unit 4, and the electrode moving unit 11, respectively. The control unit 12 controls ON / OFF of the power source 5, switching control between the first state and the second state in the polarity switching unit 4, and moves the second electrode 3 between the first position and the second position. The drive control of the electrode moving unit 11 and the like are performed so as to perform the control. By controlling the polarity switching unit 4, the control unit 12 can reverse the polarity of the current supplied to the first electrode 2 and the current supplied to the second electrode 3. Further, the control unit 12 can control the voltage value of the current supplied to the second electrode 3 to a value lower than the melting voltage of the insoluble electrode material forming the base 31.

＜めっき装置の作用効果＞
図１および図２に示しためっき装置１００は、上記のような構成を備えているので、めっき処理対象物２０（図５参照）に第２電極３の接触部３ａを接触させて第１電極２と第２電極３とに所定の電流を流すことで、めっき処理対象物２０の表面にめっき膜２１（図７参照）を形成することができる。たとえば、制御部１２により極性切替部４を第１状態に設定することにより、第１電極２を正極とし、第２電極３を負極とすることができる。この結果、第２電極３が接触して給電するめっき処理対象物２０の表面に金属のめっき膜２１を形成することができる。このとき、後述するように第２電極３の接触部３ａ表面にもめっき膜２１が形成される。 <Effects of plating equipment>
Since the plating apparatus 100 shown in FIGS. 1 and 2 has the above-described configuration, the contact portion 3a of the second electrode 3 is brought into contact with the plating object 20 (see FIG. 5) to cause the first electrode A plating film 21 (see FIG. 7) can be formed on the surface of the plating object 20 by applying a predetermined current to the second electrode 3 and the second electrode 3. For example, by setting the polarity switching unit 4 to the first state by the control unit 12, the first electrode 2 can be the positive electrode and the second electrode 3 can be the negative electrode. As a result, it is possible to form the metal plating film 21 on the surface of the plating object 20 to which the second electrode 3 comes in contact and supplies power. At this time, the plating film 21 is also formed on the surface of the contact portion 3a of the second electrode 3 as described later.

ここで、第２電極３の基部３１が不溶解性電極材により構成されているので、第２電極３をめっき液６に接触させた状態で、めっき処理の後に第２電極３へめっき処理時とは逆の極性の電流を印加してもよい。このようにすれば、第２電極３表面に形成されていためっき膜２１（図７参照）を第２電極３から剥離することができる。たとえば、制御部１２により極性切替部４を制御して、第１電極２を負極とし、第２電極３を正極として、第２電極３の表面からめっき膜２１を剥離させることができる。この結果、第２電極３の表面にめっき膜２１が蓄積することを避けることができるので、安定してめっき処理を繰り返すことができる。したがって、従来の治具を用いた場合のようなメンテナンスが不要となるので、めっき製品の製造コストの増大を抑制できる。 Here, since the base portion 31 of the second electrode 3 is made of an insoluble electrode material, when the second electrode 3 is in contact with the plating solution 6, the second electrode 3 is plated after the plating process. You may apply the electric current of the reverse polarity. By doing so, the plating film 21 (see FIG. 7) formed on the surface of the second electrode 3 can be separated from the second electrode 3. For example, the control unit 12 controls the polarity switching unit 4 so that the first electrode 2 serves as a negative electrode, the second electrode 3 serves as a positive electrode, and the plating film 21 can be separated from the surface of the second electrode 3. As a result, it is possible to prevent the plating film 21 from accumulating on the surface of the second electrode 3, so that the plating process can be stably repeated. Therefore, the maintenance as in the case of using the conventional jig is not necessary, and the increase in the manufacturing cost of the plated product can be suppressed.

また、上記のように制御部１２は、極性切替部４を制御することで第１電極２に供給される電流と第２電極３に供給される電流との極性を反転させることが可能である。このため、めっき処理後に上述のように第２電極３からめっき膜２１を剥離させる処理を容易に行うことができる。 Further, as described above, the control unit 12 can reverse the polarity of the current supplied to the first electrode 2 and the current supplied to the second electrode 3 by controlling the polarity switching unit 4. .. Therefore, it is possible to easily perform the process of peeling the plating film 21 from the second electrode 3 as described above after the plating process.

また、上記のように、制御部１２が電源５を制御することで、第２電極３へ供給する電流の電圧の値を不溶解性電極材の溶解電圧より低い値に制御可能である。この場合、第２電極３からめっき膜２１を剥離するために第２電極３へ電流を印加するときに、当該電流の電圧を基部３１の材料である不溶解性電極材の溶解電圧より低くしておくことができる。このため、めっき膜２１を第２電極３から剥離するときに第２電極３の基部３１がめっき液６へ電界溶出することを抑制できる。この結果、第２電極３を長期間安定して使用することができる。 Further, as described above, by controlling the power supply 5 by the control unit 12, the value of the voltage of the current supplied to the second electrode 3 can be controlled to a value lower than the melting voltage of the insoluble electrode material. In this case, when a current is applied to the second electrode 3 to separate the plating film 21 from the second electrode 3, the voltage of the current is set to be lower than the melting voltage of the insoluble electrode material that is the material of the base 31. Can be kept. Therefore, when the plating film 21 is peeled off from the second electrode 3, the base 31 of the second electrode 3 can be prevented from eluting into the plating solution 6 by electric field. As a result, the second electrode 3 can be used stably for a long period of time.

＜めっき方法およびめっき製品の製造方法＞
図３は、図１に示しためっき装置１００を用いためっき製品の製造方法を説明するためのフローチャートである。図４は、図３に示しためっき製品の製造方法を説明するための模式図である。図５は、図３のめっき工程（Ｓ２０）を説明するための模式図である。図６は、図５における第２電極３とめっき処理対象物２０との拡大断面模式図である。図７は、図３のめっき工程（Ｓ２０）において、めっき処理対象物２０の表面および第２電極３の表面にめっき膜２１が形成された状態を説明するための模式図である。図８は、図３の第２電極３の接触部の部分拡大模式図である。図９〜図１２は、図３の電極からめっき膜を剥離する工程（Ｓ３０）を説明するための模式図である。図１０は、工程（Ｓ３０）の初期状態を説明するための模式図である。図１１は、工程（Ｓ３０）の途中段階の状態を説明するための模式図である。図１２は、工程（Ｓ３０）の終了時点での状態を説明するための模式図である。 <Plating method and method for producing plated product>
FIG. 3 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a plated product using the plating apparatus 100 shown in FIG. FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a method of manufacturing the plated product shown in FIG. FIG. 5 is a schematic diagram for explaining the plating step (S20) of FIG. FIG. 6 is an enlarged cross-sectional schematic view of the second electrode 3 and the plating object 20 in FIG. FIG. 7 is a schematic diagram for explaining a state in which the plating film 21 is formed on the surface of the plating target 20 and the surface of the second electrode 3 in the plating step (S20) of FIG. FIG. 8 is a partially enlarged schematic view of the contact portion of the second electrode 3 of FIG. 9 to 12 are schematic diagrams for explaining the step (S30) of peeling the plating film from the electrode of FIG. FIG. 10 is a schematic diagram for explaining the initial state of the step (S30). FIG. 11 is a schematic diagram for explaining a state in the middle of the step (S30). FIG. 12 is a schematic diagram for explaining the state at the end of the step (S30).

図３〜図１２を参照しながら、本実施形態に従っためっき製品の製造方法およびめっき方法を説明する。まず、図３に示すように準備工程（Ｓ１０）を実施する。この工程（Ｓ１０）では、めっき製品となるべきめっき処理対象物２０（図４参照）を準備する。そして、図４に示すように、当該めっき処理対象物２０をめっき装置１００の保持部７上に配置する。このとき、めっき処理対象物２０はめっき液６に浸漬された状態となっている。保持部７の構成としては、任意の構成を採用できるが、たとえば図４に示すように保持部７がめっき処理対象物２０を支持するガイド部材７１と、当該ガイド部材７１が接続されめっき処理対象物２０を搭載するベース部とを含んでいてもよい。ガイド部材７１は、図４に示すように少なくとも表面が絶縁層により構成された棒状の部材であってもよい。複数のガイド部材７１が互いに間隔を隔てて上方に延びるようにベース部に接続され、当該ベース部の上方に開口した空間を形成していてもよい。また、ベース部およびガイド部材７１を構成する材料は、絶縁材料であってもよく、たとえば塩化ビニルやフッ素樹脂などの樹脂材料であってもよい。このような絶縁材料を用いることで、保持部７にはめっき膜が形成されず、後述する参考例の冶具１７０（図１３参照）のようなメンテナンスの必要性が低い。 A method for manufacturing a plated product and a plating method according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 3, a preparation step (S10) is performed. In this step (S10), a plating object 20 (see FIG. 4) to be a plated product is prepared. Then, as shown in FIG. 4, the plating object 20 is placed on the holding part 7 of the plating apparatus 100. At this time, the plating object 20 is immersed in the plating solution 6. Although any configuration can be adopted as the configuration of the holding unit 7, for example, as shown in FIG. 4, the holding unit 7 supports the plating target object 20, and a guide member 71 connected to the guide member 71 to perform the plating target. It may include a base portion on which the object 20 is mounted. The guide member 71 may be a rod-shaped member having at least a surface formed of an insulating layer as shown in FIG. A plurality of guide members 71 may be connected to the base portion so as to extend upward at a distance from each other to form a space open above the base portion. The material forming the base portion and the guide member 71 may be an insulating material, for example, a resin material such as vinyl chloride or fluororesin. By using such an insulating material, a plating film is not formed on the holding portion 7, and the need for maintenance such as a jig 170 (see FIG. 13) of a reference example described later is low.

めっき処理対象物２０はたとえばリードフレームなどの電子機器部品であってもよい。めっき処理対象物２０はロボットアームなど任意の構成の搬送装置により保持部７上に搬送される。そして、保持部７上に搭載されためっき処理対象物２０に対して、図５および図６に示すように第２電極３の接触部３ａを接触させる。これは、制御部１２により電極移動部１１を制御して第２電極３の位置を変更することにより実現できる。 The plating object 20 may be an electronic device component such as a lead frame. The object 20 to be plated is transferred onto the holder 7 by a transfer device having an arbitrary structure such as a robot arm. Then, the contact portion 3a of the second electrode 3 is brought into contact with the plating target object 20 mounted on the holding portion 7, as shown in FIGS. 5 and 6. This can be realized by controlling the electrode moving unit 11 by the control unit 12 and changing the position of the second electrode 3.

次に、図３のめっき工程（Ｓ２０）を実施する。この工程（Ｓ２０）では、制御部１２により極性切替部４が第１状態となっている。そのため、図５に示すように第１電極２が正極となり、第２電極３が負極となる。この結果、図７および図８に示すように、めっき処理対象物２０の表面にめっき膜２１が形成される。このとき、図７に示すように第２電極３の接触部３ａの表面上にも、めっき膜２１が形成される。このとき、図８に示すように、接触部３ａの表面近傍では、不溶解性電極材からなる基部３１の表面に不導体膜３１ａが形成されている。そして、めっき膜２１は当該不導体膜３１ａ上に形成されている。このようにめっき処理対象物２０の表面に所定の厚さのめっき膜２１が形成された後、電源５からの電力供給を停止してめっき膜２１の形成を終了する。その後、制御部１２が電極移動部１１を制御して第２電極３を第２の位置に移動させる。この状態で、保持部７上からめっき膜２１が形成されためっき処理対象物２０を取り出す。 Next, the plating process (S20) of FIG. 3 is implemented. In this step (S20), the polarity switching unit 4 is in the first state by the control unit 12. Therefore, as shown in FIG. 5, the first electrode 2 becomes a positive electrode and the second electrode 3 becomes a negative electrode. As a result, as shown in FIGS. 7 and 8, the plating film 21 is formed on the surface of the plating target object 20. At this time, as shown in FIG. 7, the plating film 21 is also formed on the surface of the contact portion 3a of the second electrode 3. At this time, as shown in FIG. 8, in the vicinity of the surface of the contact portion 3a, the non-conductive film 31a is formed on the surface of the base portion 31 made of the insoluble electrode material. The plating film 21 is formed on the non-conductor film 31a. After the plating film 21 having a predetermined thickness is formed on the surface of the plating object 20 in this manner, the power supply from the power source 5 is stopped and the formation of the plating film 21 is completed. Then, the control unit 12 controls the electrode moving unit 11 to move the second electrode 3 to the second position. In this state, the plating object 20 having the plating film 21 formed thereon is taken out from the holding portion 7.

次に、図３の電極からめっき膜を剥離する工程（Ｓ３０）を実施する。この工程（Ｓ３０）では、制御部１２により極性切替部４が第２状態に切替えられている。また、制御部１２が電極移動部１１を制御して第２電極３を第１の位置に移動させる。この結果、図９に示すように第２電極３が正極となり、第１電極２が負極となる。この状態で電源５から第１電極２および第２電極３へ電力を供給する。なお、工程（Ｓ３０）は工程（Ｓ２０）を実施した後必ず行ってもよいし、工程（Ｓ２０）を複数回実施してから工程（Ｓ３０）を実施するようにしてもよい。 Next, a step (S30) of peeling the plating film from the electrode of FIG. 3 is carried out. In this step (S30), the polarity switching unit 4 is switched to the second state by the control unit 12. Further, the control unit 12 controls the electrode moving unit 11 to move the second electrode 3 to the first position. As a result, as shown in FIG. 9, the second electrode 3 becomes a positive electrode and the first electrode 2 becomes a negative electrode. In this state, electric power is supplied from the power source 5 to the first electrode 2 and the second electrode 3. The step (S30) may be performed after the step (S20) is performed, or the step (S30) may be performed a plurality of times before the step (S30) is performed.

この結果、第２電極３に形成されていためっき膜２１を構成する金属は、プラス電解により電解液であるめっき液６へ溶解し、金属イオンとなる。一方、第２電極３の基部３１はチタンや白金などの不溶解性電極材により構成されているので、上述したようにその表面に大気中で薄く安定した不導体膜３１ａが形成されている。この不導体膜３１ａについては、プラス電解による溶解が起こりにくく、めっき膜２１を構成する金属の溶解電圧より高い電圧でなければ電解はほとんど起こらない。また、基部３１を構成する不溶解性電極材は空気に触れると不導体膜３１ａを形成するので、基部３１の接触部３ａにおいてキズや摩耗が生じても不導体膜３１ａが再生する。 As a result, the metal forming the plating film 21 formed on the second electrode 3 is dissolved in the plating solution 6 which is the electrolytic solution by the positive electrolysis to become metal ions. On the other hand, since the base 31 of the second electrode 3 is made of an insoluble electrode material such as titanium or platinum, a thin and stable non-conductive film 31a is formed on the surface thereof in the atmosphere as described above. The non-conductive film 31a is unlikely to be dissolved by plus electrolysis, and electrolysis hardly occurs unless the voltage is higher than the dissolution voltage of the metal forming the plating film 21. Further, since the insoluble electrode material forming the base 31 forms the non-conductive film 31a when exposed to air, the non-conductive film 31a is regenerated even if scratches or wear occur in the contact portion 3a of the base 31.

ここで、この工程（Ｓ３０）では、基部３１を構成する不溶解性電極材の溶解電圧より低い一定電圧で第２電極３への通電を行うことにより、選択的にめっき膜２１を構成するめっき金属のみを電解除去する事が可能である。以下、図１０〜図１２を参照しながら具体的に説明する。なお、図１０〜図１２では、第２電極３へ供給される電流の電流値と電圧値とを模式的に示すため、それぞれ第２電極に供給される電流の電流値を示す電流計６２と電圧値を示す電圧計６１とが模式的に表示されている。 Here, in this step (S30), by energizing the second electrode 3 at a constant voltage lower than the melting voltage of the insoluble electrode material forming the base 31, the plating forming the plating film 21 is selectively performed. It is possible to electrolytically remove only the metal. Hereinafter, a specific description will be given with reference to FIGS. 10 to 12. 10 to 12, the current value and the voltage value of the current supplied to the second electrode 3 are schematically shown, and therefore, an ammeter 62 indicating the current value of the current supplied to the second electrode, respectively. A voltmeter 61 indicating the voltage value is schematically displayed.

まず、工程（Ｓ３０）のスタート時には、図１０に示すように第２電極３へ供給する電流は一定電圧となるように制御される。通電開始時には、電流値も所定の値を示す。このように第２電極３を正極となるように電流を流すことで、めっき膜２１を構成する金属がめっき液６中に電解溶解していく。このとき、設定される電圧値は、不溶解性電極材料の溶解電圧以下となるように設定される。 First, at the start of the step (S30), the current supplied to the second electrode 3 is controlled to be a constant voltage as shown in FIG. At the start of energization, the current value also shows a predetermined value. In this way, by passing a current so that the second electrode 3 becomes a positive electrode, the metal forming the plating film 21 is electrolytically dissolved in the plating solution 6. At this time, the set voltage value is set to be equal to or lower than the melting voltage of the insoluble electrode material.

次に、図１１に示すように、時間が経つにつれて、第２電極３の表面からめっき膜２１のめっき金属が除去されていく。この結果、第２電極３に供給される電流の電流値が徐々に下がっていく。なお、当該電流の電圧値は一定となるように制御されている（定電圧制御）。 Next, as shown in FIG. 11, the plating metal of the plating film 21 is removed from the surface of the second electrode 3 over time. As a result, the current value of the current supplied to the second electrode 3 gradually decreases. The voltage value of the current is controlled to be constant (constant voltage control).

次に、図１２に示すように、第２電極３の表面からめっき膜２１のめっき金属が電解溶解して消失すると、電解剥離工程は完了する。また、このとき第２電極３に流れる電流の電圧値は、上述のように基部３１を構成する不溶解性電極材の溶解電圧以下、より好ましくは不溶解性電極材の溶解電圧より低い値であるため、第２電極３へ流れる電流は０Ａとなり、めっき膜２１の電解反応は自動的に停止する。なお、このように電解反応が自動的に停止したことを条件として、電極移動部１１により第２電極３を第２の位置に移動させてもよい。 Next, as shown in FIG. 12, when the plating metal of the plating film 21 is electrolytically dissolved and disappears from the surface of the second electrode 3, the electrolytic stripping step is completed. Further, the voltage value of the current flowing through the second electrode 3 at this time is equal to or lower than the melting voltage of the insoluble electrode material forming the base 31 as described above, and more preferably lower than the melting voltage of the insoluble electrode material. Therefore, the current flowing to the second electrode 3 becomes 0 A, and the electrolytic reaction of the plating film 21 automatically stops. The second electrode 3 may be moved to the second position by the electrode moving unit 11 on condition that the electrolytic reaction is automatically stopped in this way.

上述しためっき方法を異なる観点から言えば、本実施形態に係るめっき方法は、上記めっき装置１００を用いためっき方法であって、以下の工程を実施する。すなわち、保持部７に、めっき液６に浸漬した状態でめっき処理対象物２０を配置する（Ｓ１０）。第２電極３を、保持部７に保持されためっき処理対象物２０に接触させる（Ｓ１０）。第１電極２と第２電極３とに電流を供給することにより、めっき処理対象物２０の表面にめっき膜２１を形成する（Ｓ２０）。めっき膜２１が形成されためっき処理対象物２０を保持部から取り出す（Ｓ２０）。取り出す工程の後、第１電極２および第２電極３をめっき液６に接触させた状態で、めっき膜２１を形成する工程とは逆の極性の電流を第１電極２および第２電極３に供給することにより、第２電極３の接触部３ａに形成されていためっき膜２１を第２電極３から除去する（Ｓ３０）。 From a different point of view of the plating method described above, the plating method according to the present embodiment is a plating method using the plating apparatus 100, and includes the following steps. That is, the plating object 20 is placed in the holding part 7 while being immersed in the plating solution 6 (S10). The second electrode 3 is brought into contact with the plating object 20 held by the holder 7 (S10). By supplying a current to the first electrode 2 and the second electrode 3, the plating film 21 is formed on the surface of the plating target object 20 (S20). The object 20 to be plated on which the plated film 21 is formed is taken out from the holder (S20). After the step of taking out, in the state where the first electrode 2 and the second electrode 3 are in contact with the plating solution 6, a current having a polarity opposite to that of the step of forming the plating film 21 is applied to the first electrode 2 and the second electrode 3. By supplying, the plating film 21 formed on the contact portion 3a of the second electrode 3 is removed from the second electrode 3 (S30).

また、異なる観点から言えば、図３に示した本開示に従っためっき製品の製造方法では、以下の工程を実施する。すなわち、めっき製品となるべきめっき処理対象物２０を準備する（Ｓ１０）。めっき処理対象物２０に、上記めっき方法を用いてめっき膜２１を形成する（Ｓ２０〜Ｓ３０）。 From a different point of view, in the method of manufacturing a plated product according to the present disclosure shown in FIG. 3, the following steps are performed. That is, the plating object 20 to be a plated product is prepared (S10). The plating film 21 is formed on the plating target object 20 by using the above-described plating method (S20 to S30).

＜めっき方法およびめっき製品の製造方法の作用効果＞
このようにすれば、めっき処理対象物２０の表面にめっき膜２１を形成するめっき処理後に、第２電極３からめっき膜２１を除去できるので、第２電極３表面にめっき膜２１が蓄積することを避けることができる。つまり、めっき膜２１をめっき処理対象物２０に形成する工程と、第２電極３からめっき膜２１を除去する工程とを交互に行えば、第２電極３にめっき膜２１が堆積することを防止できる。また、上記方法で用いるめっき装置１００では、めっき処理対象物２０へ電流を供給する第２電極３と、めっき処理対象物２０を保持する保持部７とが別部材とされている。この点で、以下に説明する参考例のように保持具と電流を供給するための電極とを兼ねた冶具を用いる場合とは異なる。 <Effects of Plating Method and Plating Product Manufacturing Method>
By doing so, the plating film 21 can be removed from the second electrode 3 after the plating process for forming the plating film 21 on the surface of the plating target object 20, so that the plating film 21 accumulates on the surface of the second electrode 3. Can be avoided. That is, by alternately performing the step of forming the plating film 21 on the plating target 20 and the step of removing the plating film 21 from the second electrode 3, the plating film 21 is prevented from being deposited on the second electrode 3. it can. In addition, in the plating apparatus 100 used in the above method, the second electrode 3 that supplies a current to the plating processing target 20 and the holding portion 7 that holds the plating processing target 20 are separate members. This point is different from the case of using a jig that also serves as a holder and an electrode for supplying an electric current as in the reference example described below.

以下、図１３〜図１５を用いて参考例に係るめっき装置およびめっき方法について説明する。なお、図１３は、参考例としてのめっき装置２００における冶具１７０にめっき処理対象物２０を設置する工程を説明するための模式図である。図１４は、参考例としてのめっき装置２００におけるめっき処理を説明するための模式図である。図１５は、参考例としてのめっき装置２００における冶具１７０の問題点を説明するための模式図である。 Hereinafter, the plating apparatus and the plating method according to the reference example will be described with reference to FIGS. 13 to 15. Note that FIG. 13 is a schematic diagram for explaining a step of installing the plating target object 20 on the jig 170 in the plating apparatus 200 as a reference example. FIG. 14 is a schematic diagram for explaining the plating process in the plating apparatus 200 as a reference example. FIG. 15 is a schematic diagram for explaining a problem of the jig 170 in the plating apparatus 200 as a reference example.

図１３および図１４に示すめっき装置２００は、めっき浴槽２０１と、第１電極２０２と、冶具１７０と、電源２０５とを主に備える。めっき浴槽２０１はめっき液を保持する。１組の第１電極２０２はめっき浴槽２０１に保持されるめっき液に接触する。１組の第１電極２０２は、めっき処理対象物２０を保持する冶具１７０を挟むように、めっき浴槽１の内部に配置されている。第１電極２０２は板状の形状を有している。冶具１７０は、めっき液６中においてめっき処理対象物２０を保持する。冶具１７０は、図１３に示すように四角形状のベース部１７１と、当該ベース部１７１に接続されめっき処理対象物２０を挟んで保持するための４つの保持部１７２と、当該保持部１７２の先端部においてめっき処理対象物２０と電気的に接触する通電部１７３とを含む。通電部１７３以外の冶具１７０の表面は絶縁コーティングにより覆われている。冶具１７０では、対向配置された通電部１７３の間に挟まれるようにめっき処理対象物２０が保持される。 The plating apparatus 200 shown in FIGS. 13 and 14 mainly includes a plating bath 201, a first electrode 202, a jig 170, and a power source 205. The plating bath 201 holds a plating solution. The set of first electrodes 202 contacts the plating solution held in the plating bath 201. The set of first electrodes 202 is arranged inside the plating bath 1 so as to sandwich the jig 170 that holds the plating target 20. The first electrode 202 has a plate shape. The jig 170 holds the plating target 20 in the plating solution 6. As shown in FIG. 13, the jig 170 includes a quadrangular base portion 171, four holding portions 172 connected to the base portion 171, for holding the object 20 to be plated, and a tip of the holding portion 172. And a current-carrying portion 173 that makes electrical contact with the plating object 20. The surface of the jig 170 other than the energizing portion 173 is covered with an insulating coating. In the jig 170, the plating target object 20 is held so as to be sandwiched between the energizing portions 173 arranged opposite to each other.

図１３に示すように、冶具１７０に保持されためっき処理対象物２０は、図１４に示すようにめっき装置２００のめっき浴槽２０１内部に配置される。冶具１７０は電源２０５の負極２５２に電気的に接続される。第１電極２０２は電源２０５の正極２５１に接続される。この結果、電源２０５から第１電極２０２および冶具１７０に電力を供給することにより、めっき処理対象物２０の表面にめっき膜を形成できる。 As shown in FIG. 13, the plating object 20 held by the jig 170 is arranged inside the plating bath 201 of the plating apparatus 200 as shown in FIG. The jig 170 is electrically connected to the negative electrode 252 of the power source 205. The first electrode 202 is connected to the positive electrode 251 of the power source 205. As a result, by supplying power from the power supply 205 to the first electrode 202 and the jig 170, a plating film can be formed on the surface of the plating target object 20.

その後、電源２０５からの電力供給を停止して、冶具１７０ごとめっき処理対象物２０をめっき浴槽２０１から取り出す。そして、冶具１７０からめっき処理対象物２０を取り外す。そして、冶具１７０は次の新たなめっき処理対象物２０を取り付けられ、再度めっき装置２００でのめっき処理に利用される。 After that, the power supply from the power source 205 is stopped, and the plating target object 20 is taken out from the plating bath 201 together with the jig 170. Then, the plating target object 20 is removed from the jig 170. Then, the jig 170 is attached with the next new object 20 to be plated, and is used again for the plating process in the plating apparatus 200.

ここで、上記参考例における冶具１７０では、特に通電部１７３などにめっき膜が堆積する。このようなめっき膜の堆積はめっき処理工程の品質にも影響を与える可能性がある。したがって、めっき装置２００とは別の装置を準備し、冶具１７０に付着しているめっき膜を定期的に除去することが必要である。 Here, in the jig 170 in the above reference example, a plating film is deposited particularly on the current-carrying part 173 and the like. The deposition of such a plating film may affect the quality of the plating process. Therefore, it is necessary to prepare an apparatus different from the plating apparatus 200 and periodically remove the plating film attached to the jig 170.

また、上記のように冶具１７０は繰り返し利用されるため、図１５に示すようにベース部１７１の絶縁被膜が劣化または剥離した部分１７５が発生する恐れがある。また、保持部１７２の先端部に位置する通電部１７３は、複数のめっき処理対象物２０を処理するために繰り返し応力を受けたり、上記の付着めっき膜の除去工程を繰り返し実施しるため、図１５に示すように折損するといった可能性もある。この場合、冶具１７０について定期的なメンテナンスや交換が必要である。 Further, since the jig 170 is repeatedly used as described above, there is a possibility that a portion 175 in which the insulating coating of the base portion 171 is deteriorated or peeled off as shown in FIG. In addition, since the energization part 173 located at the tip of the holding part 172 is repeatedly subjected to stress for processing a plurality of objects 20 to be plated, or repeatedly performing the above-mentioned step of removing the deposited plating film, There is also a possibility of breaking as shown in 15. In this case, the jig 170 needs to be regularly maintained and replaced.

つまり、上記参考例に係るめっき装置およびめっき方法では、めっき処理対象物２０を搬送する役割と、当該めっき処理対象物２０に通電するための電極の役割との両方を冶具１７０が有している。このため、別の装置を用いて当該冶具１７０からめっき膜を除去したり、当該冶具１７０のメンテナンスが必要となり、冶具管理のためのコストや手間がかかる。 That is, in the plating apparatus and the plating method according to the above reference example, the jig 170 has both a role of transporting the plating target 20 and a role of an electrode for energizing the plating target 20. .. For this reason, it is necessary to remove the plating film from the jig 170 using another device and to maintain the jig 170, which requires cost and labor for managing the jig.

一方、本実施の形態に係るめっき方法またはめっき製品の製造方法ではそのような別の装置などは不要である。このため、上述した参考例のような冶具１７０を用いた場合よりも、本実施の形態に係る方法ではプロセスコストを低減できる。 On the other hand, the plating method or the plated product manufacturing method according to the present embodiment does not require such another device. Therefore, the process cost can be reduced by the method according to the present embodiment as compared with the case where the jig 170 as in the above-described reference example is used.

また、上述した参考例のめっき装置２００におけるめっき方法のプロセスより、本実施形態に係るめっき方法でのプロセスは簡略化できる。たとえば、参考例のめっき方法では、１）めっき処理対象物を準備する製品投入、２）冶具への製品設置、３）前処理、４）めっき処理、５）後処理、６）乾燥、７）冶具から製品の取外し、８）製品搬出、９）冶具からのめっき膜剥離、１０）冶具の乾燥、といった１０段階のプロセスが必要である。また、参考例のめっき方法では、冶具１７０の交換やメンテナンスも必要になる。 Further, the process of the plating method according to the present embodiment can be simplified as compared with the process of the plating method in the plating apparatus 200 of the reference example described above. For example, in the plating method of the reference example, 1) product insertion for preparing an object to be plated, 2) installation of the product in a jig, 3) pretreatment, 4) plating treatment, 5) posttreatment, 6) drying, 7) A 10-step process of removing the product from the jig, 8) unloading the product, 9) peeling the plating film from the jig, and 10) drying the jig is required. Further, the plating method of the reference example also requires replacement and maintenance of the jig 170.

一方、本実施の形態に係るめっき方法では、１）製品投入、２）前処理、３）めっき処理＋第２電極３からのめっき膜剥離処理、４）後処理、５）乾燥、６）製品搬出、といった６段階のプロセスとなる。また、本実施の形態に係るめっき方法では、冶具を利用しないので参考例のような冶具のメンテナンスの必要性は無い。 On the other hand, in the plating method according to the present embodiment, 1) product introduction, 2) pretreatment, 3) plating treatment + plating film peeling treatment from the second electrode 3, 4) posttreatment, 5) drying, 6) product It is a six-step process such as carrying out. Further, in the plating method according to the present embodiment, since no jig is used, there is no need for maintenance of the jig as in the reference example.

本実施の形態に係るめっき方法において、めっき膜２１を第２電極３から除去する工程（Ｓ３０）では、第２電極３に供給される電流の電圧の値が、不溶解性電極材の溶解電圧より低い値に設定されている。このため、めっき膜２１の除去処理時に第２電極３の基部３１がめっき液６へ電解溶出することを抑制できる。この結果、第２電極３を長期間安定して使用することができる。 In the plating method according to the present embodiment, in the step (S30) of removing the plating film 21 from the second electrode 3, the value of the voltage of the current supplied to the second electrode 3 is the melting voltage of the insoluble electrode material. It is set to a lower value. Therefore, it is possible to prevent the base 31 of the second electrode 3 from being electrolytically eluted into the plating solution 6 during the removal process of the plating film 21. As a result, the second electrode 3 can be used stably for a long period of time.

また、本実施の形態に従っためっき製品の製造方法では、めっき処理対象物２０に、上記めっき方法を用いてめっき膜２１を形成している。このため、参考例に示した冶具１７０を用いた場合のように冶具１７０の管理コストなどが不要になるので、より低コストでめっき製品を製造できる。 Further, in the method for manufacturing a plated product according to the present embodiment, the plating film 21 is formed on the object 20 to be plated by the above-described plating method. Therefore, unlike the case where the jig 170 shown in the reference example is used, the management cost of the jig 170 is not required, and the plated product can be manufactured at a lower cost.

実施の形態２．
＜めっき装置の構成および作用効果＞
図１６は、本発明の実施の形態２に係るめっき装置の第２電極３の断面模式図である。図１６に示す第２電極３を備えるめっき装置は、第２電極３の構成以外の構成は図１に示しためっき装置１００と同様の構成を備える。本実施形態に係るめっき装置では、第２電極３の接触部３ａが外側に凸の曲面状の形状を有する点で、図１に示しためっき装置１００と異なっている。 Embodiment 2.
<Structure and effect of plating device>
FIG. 16 is a schematic sectional view of the second electrode 3 of the plating apparatus according to Embodiment 2 of the present invention. The plating apparatus including the second electrode 3 illustrated in FIG. 16 has the same configuration as the plating apparatus 100 illustrated in FIG. 1 except the configuration of the second electrode 3. The plating apparatus according to this embodiment is different from the plating apparatus 100 shown in FIG. 1 in that the contact portion 3a of the second electrode 3 has a curved surface shape that is convex outward.

本実施形態に係るめっき装置は、基本的に図１に示しためっき装置と同様の効果を得られるとともに、第２電極３の接触部３ａが外側に凸の曲面状となっているので、当該接触部３ａが摩耗した場合であっても、めっき処理対象物２０と確実に接触部３ａが接触することができる。 The plating apparatus according to the present embodiment basically obtains the same effect as that of the plating apparatus shown in FIG. 1, and the contact portion 3a of the second electrode 3 has a curved surface that is convex outward. Even if the contact portion 3a is worn, the contact portion 3a can surely come into contact with the plating target 20.

今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiments disclosed this time are to be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiments but by the scope of the claims, and is intended to include meanings equivalent to the scope of the claims and all modifications within the scope.

この発明は、リードフレームなどのめっき製品のめっき処理に特に有利に適用できる。 The present invention can be particularly advantageously applied to the plating treatment of plated products such as lead frames.

１，２０１めっき浴槽、２，２０２第１電極、３第２電極、３ａ接触部、４極性切替部、５，２０５電源、６めっき液、７，１７２保持部、８，９配線、１１電極移動部、１２制御部、２０めっき処理対象物、２１めっき膜、３１基部、３１ａ不導体膜、３２絶縁層、４１第１端子、４２第２端子、４３第３端子、４４第４端子、４５第５端子、５１正極端子、５２負極端子、６１電圧計、６２電流計、７１ガイド部材、１００，２００めっき装置、１７０冶具、１７１ベース部、１７３通電部、１７５部分、２５１正極、２５２負極。 1,201 plating bath, 2,202 first electrode, third electrode, 3a contact part, 4 polarity switching part, 5,205 power supply, 6 plating solution, 7,172 holding part, 8,9 wiring, 11 electrode movement Part, 12 control part, 20 plated object, 21 plated film, 31 base part, 31a non-conductive film, 32 insulating layer, 41 first terminal, 42 second terminal, 43 third terminal, 44 fourth terminal, 45th 5 terminals, 51 positive electrode terminals, 52 negative electrode terminals, 61 voltmeters, 62 ammeters, 71 guide members, 100,200 plating devices, 170 jigs, 171 base parts, 173 conducting parts, 175 parts, 251 positive electrodes, 252 negative electrodes.

Claims

めっき液を保持するめっき浴槽と、
前記めっき浴槽に保持される前記めっき液に接触する第１電極と、
前記めっき液中において前記めっき浴槽の底面側からめっき処理対象物を保持する保持部と、
前記保持部に保持された前記めっき処理対象物に前記めっき浴槽の上面側から１箇所で接触する第２電極とを備え、
前記第２電極は、
不溶解性電極材からなり、前記めっき処理対象物と接触する接触部を有する基部と、
前記基部の表面を被覆する絶縁層とを含み、
前記絶縁層には、前記接触部を露出させる開口部が形成されている、めっき装置。 A plating bath for holding the plating solution,
A first electrode in contact with the plating solution held in the plating bath;
A holding unit that holds the plating object from the bottom side of the plating bath in the plating solution,
A second electrode that comes into contact with the object to be plated held by the holding part at one location from the upper surface side of the plating bath ;
The second electrode is
A base having a contact portion which is made of an insoluble electrode material and comes into contact with the object to be plated,
An insulating layer covering the surface of the base,
The plating apparatus, wherein an opening that exposes the contact portion is formed in the insulating layer.

前記保持部は、前記めっき処理対象物を側面から支持するガイド部材を有する、請求項１に記載のめっき装置。The plating apparatus according to claim 1, wherein the holding unit includes a guide member that supports the plating target object from a side surface.

前記第２電極は、幅広部と前記幅広部に接続され前記幅広部より幅が狭くなる幅狭部を有し、前記接触部は前記幅狭部の底面にある、請求項１もしくは請求項２に記載のめっき装置。The second electrode has a wide portion and a narrow portion connected to the wide portion and having a width narrower than the wide portion, and the contact portion is on a bottom surface of the narrow portion. The plating apparatus described in.

前記第１電極に供給される電流と前記第２電極に供給される電流との極性を反転させることが可能な制御部をさらに備える、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のめっき装置。 The control part which can invert the polarity of the electric current supplied to the said 1st electrode, and the electric current supplied to the said 2nd electrode is further provided, The control part of any one of Claim 1- Claim 3 characterized by the above-mentioned. Plating equipment.

前記制御部は、前記第２電極へ供給する電流の電圧の値を前記不溶解性電極材の溶解電圧より低い値に制御可能である、請求項４に記載のめっき装置。 The plating apparatus according to claim 4, wherein the control unit can control a voltage value of a current supplied to the second electrode to a value lower than a melting voltage of the insoluble electrode material.

前記不溶解性電極材は、チタンまたは白金を含む、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のめっき装置。 The plating device according to any one of claims 1 to 5 , wherein the insoluble electrode material contains titanium or platinum.

請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のめっき装置を用いためっき方法であって、
前記保持部に、前記めっき液に浸漬した状態で前記めっき処理対象物を配置する工程と、
前記第２電極を、前記保持部に保持された前記めっき処理対象物に接触させる工程と、
前記第１電極と前記第２電極とに電流を供給することにより、前記めっき処理対象物の表面にめっき膜を形成する工程と、
前記めっき膜が形成された前記めっき処理対象物を前記保持部から取り出す工程と、
前記取り出す工程の後、前記第１電極および前記第２電極を前記めっき液に接触させた状態で、前記めっき膜を形成する工程とは逆の極性の電流を前記第１電極および前記第２電極に供給することにより、前記第２電極の前記接触部に形成されていためっき膜を前記第２電極から除去する工程とを備える、めっき方法。 A plating method using the plating apparatus according to any one of claims 1 to 3 ,
In the holding unit, a step of arranging the plating target object while being immersed in the plating solution,
A step of bringing the second electrode into contact with the plating target object held by the holding part;
Supplying a current to the first electrode and the second electrode to form a plating film on the surface of the object to be plated,
A step of taking out the object to be plated on which the plated film is formed from the holding part;
After the extracting step, a current having a polarity opposite to that of the step of forming the plating film is applied to the first electrode and the second electrode in a state where the first electrode and the second electrode are in contact with the plating solution. And removing the plating film formed on the contact portion of the second electrode from the second electrode by supplying the second electrode to the second electrode.

前記めっき膜を前記第２電極から除去する工程では、前記第２電極に供給される電流の電圧の値が、前記不溶解性電極材の溶解電圧より低い値に設定されている、請求項７に記載のめっき方法。 In the step of removing the plating layer from said second electrode, the value of the voltage of current supplied to the second electrode, wherein is set to a value lower than the dissolution voltage of the insoluble electrode material, according to claim 7 The plating method described in.

めっき製品となるべきめっき処理対象物を準備する工程と、
前記めっき処理対象物に、請求項７に記載のめっき方法を用いてめっき膜を形成する工程とを備える、めっき製品の製造方法。 A step of preparing an object to be plated to be a plated product,
A method of manufacturing a plated product, comprising: forming a plating film on the object to be plated by using the plating method according to claim 7 .