JP6654543B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 129
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 37
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 25
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 20
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 19
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 112
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
<イオン注入の条件>
・注入エネルギ:600〜900keV
・ドーズ量:2.0〜2.5×1015cm−2
・深さ:1.3〜1.5μm
100:半導体基板
102:上面
104:下面
110:ドレイン層
120:ドリフト層
130:ボディ層
140:ソース領域
150:ボディコンタクト領域
160:p型拡散領域
160J:注入領域
170:p型底部半導体領域
200:トレンチ
202:側面
204:底面
310:トレンチ絶縁領域
320:上面絶縁層
410:ソース電極
420:ドレイン電極
430:ゲート電極
800:マスク
802:開口部
810:マスク
812:開口部
820:保護酸化膜
Claims (1)
- 半導体装置の製造方法であって、
n型のドリフト層と、前記ドリフト層上に配置されたp型のボディ層と、前記ボディ層上に配置されたn型のソース領域を有するSiC基板を準備する工程と、
前記SiC基板の表面に、前記ソース領域の上に開口部を有するマスクを形成する工程と、
前記マスクの前記開口部を通じたイオン注入によって、前記ボディ層および前記ドリフト層にわたる注入領域にp型不純物を注入する工程と、
前記イオン注入を行った後に、前記マスクを除去する工程と、
アニール処理によって、前記注入領域から前記注入領域の周囲にp型不純物を拡散させたp型拡散領域を形成する工程と、
前記マスクを除去した後に、前記SiC基板の前記表面に、前記ソース領域と前記ボディ層を貫通して前記ドリフト層に達するトレンチを形成することによって、前記注入領域の全域を除去するとともに、前記トレンチの側面に前記p型拡散領域を露出させる工程と、
前記トレンチの底面に露出する範囲に、前記p型拡散領域に接続されているp型の底部半導体領域を形成する工程と、
前記トレンチ内に、ゲート電極とゲート絶縁層を形成する工程、
を有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016202991A JP6654543B2 (ja) | 2016-10-14 | 2016-10-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016202991A JP6654543B2 (ja) | 2016-10-14 | 2016-10-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018064070A JP2018064070A (ja) | 2018-04-19 |
JP6654543B2 true JP6654543B2 (ja) | 2020-02-26 |
Family
ID=61966864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016202991A Active JP6654543B2 (ja) | 2016-10-14 | 2016-10-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6654543B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020047726A (ja) * | 2018-09-18 | 2020-03-26 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP7151395B2 (ja) * | 2018-11-09 | 2022-10-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4899310B2 (ja) * | 2004-12-20 | 2012-03-21 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4982979B2 (ja) * | 2005-07-19 | 2012-07-25 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5119806B2 (ja) * | 2007-08-27 | 2013-01-16 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2010147222A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP5676923B2 (ja) * | 2010-06-02 | 2015-02-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2013219161A (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US9293558B2 (en) * | 2012-11-26 | 2016-03-22 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor device |
JP5893172B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2016-03-23 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
WO2014122919A1 (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 三菱電機株式会社 | 絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
-
2016
- 2016-10-14 JP JP2016202991A patent/JP6654543B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018064070A (ja) | 2018-04-19 |
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A621 | Written request for application examination |
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