JP2018064070A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
<イオン注入の条件>
・注入エネルギ:600〜900keV
・ドーズ量:2.0〜2.5×1015cm−2
・深さ:1.3〜1.5μm
100:半導体基板
102:上面
104:下面
110:ドレイン層
120:ドリフト層
130:ボディ層
140:ソース領域
150:ボディコンタクト領域
160:p型拡散領域
160J:注入領域
170:p型底部半導体領域
200:トレンチ
202:側面
204:底面
310:トレンチ絶縁領域
320:上面絶縁層
410:ソース電極
420:ドレイン電極
430:ゲート電極
800:マスク
802:開口部
810:マスク
812:開口部
820:保護酸化膜
Claims (1)
- 半導体装置の製造方法であって、
n型のドリフト層と、前記ドリフト層上に配置されたp型のボディ層と、前記ボディ層上に配置されたn型のソース領域を有するSiC基板を準備する工程と、
前記SiC基板の表面に、前記ソース領域の上に開口部を有するマスクを形成する工程と、
前記マスクの前記開口部を通じたイオン注入によって、前記ボディ層および前記ドリフト層にわたる注入領域にp型不純物を注入する工程と、
前記イオン注入を行った後に、前記マスクを除去する工程と、
アニール処理によって、前記注入領域から前記注入領域の周囲にp型不純物を拡散させたp型拡散領域を形成する工程と、
前記マスクを除去した後に、前記SiC基板の前記表面に、前記ソース領域と前記ボディ層を貫通して前記ドリフト層に達するトレンチを形成することによって、前記注入領域の全域を除去するとともに、前記トレンチの側面に前記p型拡散領域を露出させる工程と、
前記トレンチの底面に露出する範囲に、前記p型拡散領域に接続されているp型の底部半導体領域を形成する工程と、
前記トレンチ内に、ゲート電極とゲート絶縁層を形成する工程、
を有する半導体装置の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020047726A (ja) * | 2018-09-18 | 2020-03-26 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2020077824A (ja) * | 2018-11-09 | 2020-05-21 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006173523A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2007027491A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2009054765A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2010147222A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2011253929A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2013219161A (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2014107571A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Infineon Technologies Austria Ag | 半導体素子 |
WO2014103257A1 (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
WO2014122919A1 (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 三菱電機株式会社 | 絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
-
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006173523A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2007027491A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2009054765A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2010147222A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2011253929A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2013219161A (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2014107571A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Infineon Technologies Austria Ag | 半導体素子 |
WO2014103257A1 (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
WO2014122919A1 (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 三菱電機株式会社 | 絶縁ゲート型炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020047726A (ja) * | 2018-09-18 | 2020-03-26 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2020077824A (ja) * | 2018-11-09 | 2020-05-21 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP7151395B2 (ja) | 2018-11-09 | 2022-10-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
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