JP6586394B2 - 静電容量を表すデータを取得する方法 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、処理システムの搬送装置によってチャンバ内に搬送される測定器とフォーカスリングとの間の静電容量を表すデータを取得する方法に関するものである。

半導体デバイスといった電子デバイスの製造では、被加工物（Ｗｏｒｋｐｉｅｃｅ）を処理するためのプロセスモジュールを有する処理システムが用いられる。プロセスモジュールは、一般的に、チャンバ本体及び載置台を有している。また、処理システムは、搬送装置を備えている。被加工物は、チャンバ本体によって提供されるチャンバ内に搬送装置によって搬入され、載置台上に載置される。そして、被加工物は、チャンバ内で処理される。

載置台上での被加工物の位置は、当該被加工物の処理の面内均一性といった種々の要求を満たすために、重要な要素である。したがって、搬送装置は、載置台上の適切な位置に被加工物を搬送する必要がある。被加工物が適切な位置に搬送されない場合には、搬送装置の搬送先位置を特定する座標情報が補正されなければならない。

座標情報の補正のためには、載置台上での被加工物の位置を検出する必要がある。従来、このような位置の検出には、静電容量を測定する測定器が用いられている。このような測定器を用いた位置の検出については、例えば、下記の特許文献１に記載されている。なお、特許文献１に記載された測定器は、チャンバの外部に設けられた制御部に、測定した静電容量を無線送信するようになっている。

また、特許文献２には、プロセスモジュールのチャンバ内に配置され、プロセス中に測定したデータをチャンバの外部に設けられた受信器に無線送信するワイヤレスセンサについて記載されている。

特許第４９５６３２８号明細書 特許第４２５１８１４号明細書

ところで、チャンバ本体は一般的に金属製であるので、チャンバ内に置かれた測定器とチャンバの外部に置かれた機器とは無線通信を行うことはできない。したがって、測定器は、チャンバ内にある間、自律的に測定データを取得し、当該測定データを記憶する必要がある。このような測定器における自律的な動作のために、当該測定器はバッテリーといった電源を備える必要がある。この電源の消費電力を抑えることが必要である。

一態様においては、静電容量を表すデータを取得する方法が提供される。この方法では、処理システムの搬送装置によってチャンバ内に搬送される測定器とフォーカスリングとの間の静電容量が取得される。処理システムは、プロセスモジュール、搬送装置、及び、制御部を備える。プロセスモジュールは、チャンバ本体及び載置台を備える。チャンバ本体はチャンバを提供する。載置台は、チャンバ内に設けられており、その上に測定器が載置されるようになっている。制御部は、搬送装置を制御する。

測定器は、ベース基板、複数のセンサ部、及び、回路基板を備える。ベース基板は、円盤形状を有する。複数のセンサ部は、ベース基板のエッジに沿って配列されている。回路基板は、ベース基板上に搭載さている。複数のセンサ部の各々は、ベース基板のエッジに沿って延びる前面を有する。回路基板は、高周波発振器、複数のＣ／Ｖ変換回路、Ａ／Ｄ変換器、プロセッサ、記憶装置、通信装置、及び、電源を有する。高周波発振器は、高周波信号を発生するよう構成されており、複数のセンサ部の各々のセンサ電極に電気的に接続されている。複数のＣ／Ｖ変換回路の各々は、複数のセンサ部のうち対応のセンサ部のセンサ電極における電圧振幅を、静電容量を表す電圧信号に変換するよう構成されている。Ａ／Ｄ変換器は、複数のＣ／Ｖ変換回路の各々から出力される電圧信号をデジタル値に変換するよう構成されている。プロセッサは、Ａ／Ｄ変換器に接続されている。記憶装置は、プロセッサに接続されている。通信装置は、記憶装置に記憶されたデータを無線送信するよう構成されている。電源は、プロセッサ、高周波発振器、及び、通信装置に電力を供給するよう構成されている。

一態様に係る方法は、（ｉ）プロセッサが、予め設定された時間間隔で、一以上の第１のデータセットを取得する工程であり、該一以上のデータセットの各々は、複数のセンサ部に含まれる一以上のセンサ部のうち対応のセンサ部の静電容量を表すデジタル値を第１のサンプリング周期で取得することにより得られる複数のデジタル値を含む、該工程と、（ｉｉ）載置台上でフォーカスリングによって囲まれた領域に搬送装置によって測定器を搬送する工程と、（ｉｉｉ）一以上の第１のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値のうち一以上又は一以上の第１のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値の平均値が第１の閾値以上になったことに応答して、プロセッサが、測定期間において、複数の第２のデータセットを取得する工程であり、該複数の第２のデータセットの各々は、複数のセンサ部のうち対応のセンサ部の静電容量を表すデジタル値を測定期間内において第２のサンプリング周期で取得することにより得られる複数のデジタル値を含む、該工程と、（ｉｖ）プロセッサが、測定データを記憶装置に記憶させる工程であり、該測定データは、複数の第２のデータセット、又は、複数の第２のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値の平均値を求めることにより得られる複数の平均値を含む、該工程と、（ｖ）搬送装置によって、チャンバから測定器を搬出する工程と、を含む。

一態様に係る方法では、円盤状のベース基板のエッジに沿って配列された複数のセンサ電極を備えた測定器が用いられ、フォーカスリングの内縁と測定器のエッジとの間の間隔の周方向における分布を反映する測定データが得られる。また、複数のセンサ電極の各々の静電容量を表すデジタル値は、フォーカスリングによって囲まれた領域に測定器があるときに、大きくなる。この方法では、常時、測定データを取得するのではなく、測定期間よりも前の期間においては、予め設定された時間間隔で一以上の第１のデータセットが取得される。そして、一以上の第１のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値のうち一以上又は一以上の第１のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値の平均値が第１の閾値以上になったときに、測定期間において第２のデータセットの取得が行われ、そして、測定データの記憶が行われる。このように、本方法では、測定期間よりも前の期間においては、測定器において断続的な動作が行われるので、測定器の電源の消費電力が抑えられる。

一実施形態において、方法は、（ｖｉ）測定期間の終了後に、プロセッサが、予め設定された時間間隔で、一以上の第３のデータセットを取得する工程であり、該一以上のデータセットの各々は、複数のセンサ部に含まれる一以上のセンサ部のうち対応のセンサ部の静電容量を表すデジタル値を第３のサンプリング周期で取得することにより得られる複数のデジタル値を含む、該工程と、（ｖｉｉ）一以上の第３のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値のうち一以上又は一以上の第３のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値の平均値が第２の閾値以上になったことに応答して、プロセッサが、通信装置に前記測定データを無線送信させる工程と、更に含む。

チャンバから搬出された測定器は、フープ（ＦＯＵＰ）と称される容器に収容される。この容器内にあるときに、複数のセンサ部のセンサ電極の静電容量は増加する。したがって、一以上の第３のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値のうち一以上又は一以上の第３のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値の平均値が第２の閾値以上になったことに応答して、通信装置に測定データを無線送信させることにより、測定器はチャンバの外部にあるときに自律的に測定データを無線送信することができる。また、この実施形態によれば、測定期間の後においても、測定器において断続的な動作が行われるので、測定器の電源の消費電力が更に抑えられる。

一実施形態においては、一以上の第１のデータセットが取得される期間と、次に一以上の第１のデータセットが取得される期間との間において、電源からの高周波発振器への電力供給が停止されてもよい。また、一実施形態においては、一以上の第３のデータセットが取得される期間と、次に一以上の第３のデータセットが取得される期間との間において、電源からの高周波発振器への電力供給が停止されてもよい。

一実施形態においては、測定器を搬送する工程において、制御部は、予め設定された座標情報で搬送先位置に測定器を搬送するよう、搬送装置を制御する。この実施形態の方法は、制御部が、測定データから特定される、フォーカスリングと測定器のエッジとの間の間隔の周方向における差が低減されるよう、座標情報を補正する工程を更に含む。

以上説明したように、測定器とフォーカスリングとの間の静電容量を表す測定データの取得において、測定器の電源の消費電力を抑えることが可能となる。

一実施形態に係る静電容量を測定する方法を示す流れ図である。 処理システムを例示する図である。 容器を例示する断面図である。 アライナを例示する斜視図である。 プラズマ処理装置の一例を示す図である。 測定器を例示する斜視図である。 センサ部の一例を示す斜視図である。 図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿ったとった断面図である。 図８のＩＸ−ＩＸ線に沿ってとった断面図である。 測定器の回路基板の構成を例示する図である。 図１に示す方法に関連するタイミングチャートである。 センサ部の別の例を示す縦断面図である。 センサ部の更に別の例を示す縦断面図である。 別の実施形態に係る測定器の回路基板の構成を例示する図である。

以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

図１は、一実施形態に係る静電容量を測定する方法を示す流れ図である。図１に示す方法ＭＴは、処理システムの搬送装置によってチャンバ内に搬送される測定器とフォーカスリングとの間の静電容量を表すデータを取得する方法である。一実施形態では、方法ＭＴでは、取得されたデータを用いて、搬送装置の搬送先位置の座標情報が修正される。

図２は、処理システムを例示する図である。図２に示す処理システム１は、方法ＭＴを適用し得る処理システムである。処理システム１は、台２ａ〜２ｄ、容器４ａ〜４ｄ、ローダモジュールＬＭ、アライナＡＮ、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６、トランスファーモジュールＴＦ、及び、制御部ＭＣを備えている。なお、台２ａ〜２ｄの個数、容器４ａ〜４ｄの個数、ロードロックモジュールＬＬ１，ＬＬ２の個数、及び、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６の個数は限定されるものではなく、一以上の任意の個数であり得る。

台２ａ〜２ｄは、ローダモジュールＬＭの一縁に沿って配列されている。容器４ａ〜４ｄはそれぞれ、台２ａ〜２ｄ上に搭載されている。容器４ａ〜４ｄの各々は、例えば、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）と称される容器である。容器４ａ〜４ｄのそれぞれは、被加工物Ｗを収容するように構成されている。被加工物Ｗは、略円盤形状を有する。

図３は、容器を例示する断面図である。図３には、容器４ａ〜４ｄの各々として採用され得る容器４の縦断面図が示されている。図３に示すように、容器４は、容器本体４Ｍ、及び、一対の支持部材４Ｓを有している。容器本体４Ｍは、その内部に空間を提供している。一対の支持部材４Ｓは、容器本体４Ｍによって提供された空間内において、容器本体４Ｍの一対の側壁に沿って設けられている。一対の支持部材４Ｓは、複数のスロット４Ｌを提供している。複数のスロット４Ｌは、鉛直方向に配列されており、容器本体４Ｍによって提供された空間の奥行き方向に延びている。複数のスロット４Ｌの各々には、被加工物Ｗが収容され得る。複数のスロット４Ｌの何れかに収容された被加工物Ｗは、一対の支持部材４Ｓによって支持されるようになっている。

図２に戻り、ローダモジュールＬＭは、大気圧状態の搬送空間をその内部に画成するチャンバ壁を有している。この搬送空間内には搬送装置ＴＵ１が設けられている。搬送装置ＴＵ１は、例えば、多関節ロボットであり、制御部ＭＣによって制御される。搬送装置ＴＵ１は、容器４ａ〜４ｄとアライナＡＮとの間、アライナＡＮとロードロックモジュールＬＬ１〜ＬＬ２の間、ロードロックモジュールＬＬ１〜ＬＬ２と容器４ａ〜４ｄの間で被加工物Ｗを搬送するように構成されている。

アライナＡＮは、ローダモジュールＬＭと接続されている。アライナＡＮは、被加工物Ｗの位置の調整（位置の較正）を行うように構成されている。図４は、アライナを例示する斜視図である。アライナＡＮは、支持台６Ｔ、駆動装置６Ｄ、及び、センサ６Ｓを有している。支持台６Ｔは、鉛直方向に延びる軸線中心に回転可能な台であり、その上に被加工物Ｗを支持するように構成されている。支持台６Ｔは、駆動装置６Ｄによって回転される。駆動装置６Ｄは、制御部ＭＣによって制御される。駆動装置６Ｄからの動力により支持台６Ｔが回転すると、当該支持台６Ｔ上に載置された被加工物Ｗも回転するようになっている。

センサ６Ｓは、光学センサであり、被加工物Ｗが回転されている間、被加工物Ｗのエッジを検出する。センサ６Ｓは、エッジの検出結果から、基準角度位置に対する被加工物ＷのノッチＷＮ（或いは、別のマーカー）の角度位置のずれ量、及び、基準位置に対する被加工物Ｗの中心位置のずれ量を検出する。センサ６Ｓは、ノッチＷＮの角度位置のずれ量及び被加工物Ｗの中心位置のずれ量を制御部ＭＣに出力する。制御部ＭＣは、ノッチＷＮの角度位置のずれ量に基づき、ノッチＷＮの角度位置を基準角度位置に補正するための支持台６Ｔの回転量を算出する。制御部ＭＣは、この回転量の分だけ支持台６Ｔを回転させるよう、駆動装置６Ｄを制御する。これにより、ノッチＷＮの角度位置を基準角度位置に補正することができる。また、制御部ＭＣは、搬送装置ＴＵ１のエンドエフェクタ（ｅｎｄ ｅｆｆｅｃｔｏｒ）上の所定位置に被加工物Ｗの中心位置が一致するよう、アライナＡＮから被加工物Ｗを受け取る際の搬送装置ＴＵ１のエンドエフェクタの位置を、被加工物Ｗの中心位置のずれ量に基づき、制御する。

図２に戻り、ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２の各々は、ローダモジュールＬＭとトランスファーモジュールＴＦとの間に設けられている。ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２の各々は、予備減圧室を提供している。ロードロックモジュールＬＬ１とローダモジュールＬＭとの間にはゲートバルブが設けられている。ロードロックモジュールＬＬ１の予備減圧室とローダモジュールＬＭの搬送空間とは、ゲートバルブを開くことにより連通され、ゲートバルブを閉じることにより互いに分離される。また、ロードロックモジュールＬＬ２とローダモジュールＬＭとの間には別のゲートバルブが設けられている。ロードロックモジュールＬＬ２の予備減圧室とローダモジュールＬＭの搬送空間とは、ゲートバルブを開放することにより連通され、ゲートバルブを閉じることにより互いに分離される。

トランスファーモジュールＴＦは、ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２にゲートバルブを介して接続されている。トランスファーモジュールＴＦは、減圧可能な減圧室を提供している。この減圧室には、搬送装置ＴＵ２が設けられている。搬送装置ＴＵ２は、例えば、多関節ロボットであり、制御部ＭＣによって制御される。搬送装置ＴＵ２は、ロードロックモジュールＬＬ１〜ＬＬ２とプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６との間、及び、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６のうち任意の二つのプロセスモジュール間において、被加工物Ｗを搬送するように構成されている。

プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６の各々は、トランスファーモジュールＴＦにゲートバルブを介して接続されている。プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６の各々は、被加工物Ｗに対してプラズマ処理といった専用の処理を行うよう構成された処理装置である。プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６の各々のチャンバとトランスファーモジュールＴＦの減圧室とは、ゲートバルブを開くことにより連通され、ゲートバルブを閉じることにより互いに分離される。

この処理システム１において被加工物Ｗの処理が行われる際の一連の動作は以下の通り例示される。ローダモジュールＬＭの搬送装置ＴＵ１が、容器４ａ〜４ｄの何れかから被加工物Ｗを取り出し、当該被加工物ＷをアライナＡＮに搬送する。次いで、搬送装置ＴＵ１は、その位置が調整された被加工物ＷをアライナＡＮから取り出して、当該被加工物ＷをロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２のうち一方のロードロックモジュールに搬送する。次いで、一方のロードロックモジュールが、予備減圧室の圧力を所定の圧力に減圧する。次いで、トランスファーモジュールＴＦの搬送装置ＴＵ２が、一方のロードロックモジュールから被加工物Ｗを取り出し、当該被加工物ＷをプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６のうち何れかに搬送する。そして、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６のうち一以上のプロセスモジュールが被加工物Ｗを処理する。そして、搬送装置ＴＵ２が、処理後の被加工物ＷをプロセスモジュールからロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２のうち一方のロードロックモジュールに搬送する。次いで、搬送装置ＴＵ１が被加工物Ｗを一方のロードロックモジュールから容器４ａ〜４ｄの何れかに搬送する。

この処理システム１は、上述したように制御部ＭＣを備えている。制御部ＭＣは、プロセッサ、メモリといった記憶装置、表示装置、入出力装置、通信装置等を備えるコンピュータであり得る。上述した処理システム１の一連の動作は、記憶装置に記憶されたプログラムに従った制御部ＭＣによる処理システム１の各部の制御により、実現されるようになっている。

図５は、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６の何れかとして採用され得るプラズマ処理装置の一例を示す図である。図５に示すプラズマ処理装置１０は、容量結合型プラズマエッチング装置である。プラズマ処理装置１０は、略円筒形状のチャンバ本体１２を備えている。チャンバ本体１２は、例えば、アルミニウムから形成されており、その内壁面には、陽極酸化処理が施され得る。このチャンバ本体１２は保安接地されている。

チャンバ本体１２の底部上には、略円筒形状の支持部１４が設けられている。支持部１４は、例えば、絶縁材料から構成されている。支持部１４は、チャンバ本体１２内に設けられており、チャンバ本体１２の底部から上方に延在している。また、チャンバ本体１２によって提供されるチャンバＳ内には、載置台ＰＤが設けられている。載置台ＰＤは、支持部１４によって支持されている。

載置台ＰＤは、下部電極ＬＥ及び静電チャックＥＳＣを有している。下部電極ＬＥは、第１プレート１８ａ及び第２プレート１８ｂを含んでいる。第１プレート１８ａ及び第２プレート１８ｂは、例えばアルミニウムといった金属から構成されており、略円盤形状をなしている。第２プレート１８ｂは、第１プレート１８ａ上に設けられており、第１プレート１８ａに電気的に接続されている。

第２プレート１８ｂ上には、静電チャックＥＳＣが設けられている。静電チャックＥＳＣは、導電膜である電極を一対の絶縁層又は絶縁シート間に配置した構造を有しており、略円盤形状を有している。静電チャックＥＳＣの電極には、直流電源２２がスイッチ２３を介して電気的に接続されている。この静電チャックＥＳＣは、直流電源２２からの直流電圧により生じたクーロン力等の静電力により被加工物Ｗを吸着する。これにより、静電チャックＥＳＣは、被加工物Ｗを保持することができる。

第２プレート１８ｂの周縁部上には、フォーカスリングＦＲが設けられている。このフォーカスリングＦＲは、フォーカスリングＦＲは、被加工物Ｗのエッジ及び静電チャックＥＳＣを囲むように設けられている。フォーカスリングＦＲは、第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２を有している（図８参照）。第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２は環状板形状を有している。第２部分Ｐ２は、第１部分Ｐ１上に設けられている。第２部分Ｐ２の内縁Ｐ２ｉは第１部分Ｐ１の内縁Ｐ１ｉの直径よりも大きい直径を有している。被加工物Ｗは、そのエッジ領域が、フォーカスリングＦＲの第１部分Ｐ１上に位置するように、静電チャックＥＳＣ上に載置される。このフォーカスリングＦＲは、シリコン、炭化ケイ素、酸化シリコンといった種々の材料のうち何れかから形成され得る。

第２プレート１８ｂの内部には、冷媒流路２４が設けられている。冷媒流路２４は、温調機構を構成している。冷媒流路２４には、チャンバ本体１２の外部に設けられたチラーユニットから配管２６ａを介して冷媒が供給される。冷媒流路２４に供給された冷媒は、配管２６ｂを介してチラーユニットに戻される。このように、冷媒流路２４とチラーユニットとの間では、冷媒が循環される。この冷媒の温度を制御することにより、静電チャックＥＳＣによって支持された被加工物Ｗの温度が制御される。

また、プラズマ処理装置１０には、ガス供給ライン２８が設けられている。ガス供給ライン２８は、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス、例えばＨｅガスを、静電チャックＥＳＣの上面と被加工物Ｗの裏面との間に供給する。

また、プラズマ処理装置１０は、上部電極３０を備えている。上部電極３０は、載置台ＰＤの上方において、当該載置台ＰＤと対向配置されている。上部電極３０は、絶縁性遮蔽部材３２を介して、チャンバ本体１２の上部に支持されている。上部電極３０は、天板３４及び支持体３６を含み得る。天板３４はチャンバＳに面しており、当該天板３４には複数のガス吐出孔３４ａが設けられている。この天板３４は、シリコン又は石英から形成され得る。或いは、天板３４は、アルミニウム製の母材の表面に酸化イットリウムといった耐プラズマ性の膜を形成することによって構成され得る。

支持体３６は、天板３４を着脱自在に支持するものであり、例えばアルミニウムといった導電性材料から構成され得る。この支持体３６は、水冷構造を有し得る。支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。このガス拡散室３６ａからは、ガス吐出孔３４ａに連通する複数のガス通流孔３６ｂが下方に延びている。また、支持体３６には、ガス拡散室３６ａに処理ガスを導くガス導入口３６ｃが形成されており、このガス導入口３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。

ガス供給管３８には、バルブ群４２及び流量制御器群４４を介して、ガスソース群４０が接続されている。ガスソース群４０は、複数種のガス用の複数のガスソースを含んでいる。バルブ群４２は複数のバルブを含んでおり、流量制御器群４４はマスフローコントローラといった複数の流量制御器を含んでいる。ガスソース群４０の複数のガスソースはそれぞれ、バルブ群４２の対応のバルブ及び流量制御器群４４の対応の流量制御器を介して、ガス供給管３８に接続されている。

また、プラズマ処理装置１０では、チャンバ本体１２の内壁に沿ってデポシールド４６が着脱自在に設けられている。デポシールド４６は、支持部１４の外周にも設けられている。デポシールド４６は、チャンバ本体１２にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止するものであり、アルミニウム材にＹ_２Ｏ_３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。

チャンバ本体１２の底部側、且つ、支持部１４とチャンバ本体１２の側壁との間には排気プレート４８が設けられている。排気プレート４８は、例えば、アルミニウム材にＹ_２Ｏ_３等のセラミックスを被覆することにより構成され得る。排気プレート４８には、その板厚方向に貫通する複数の孔が形成されている。この排気プレート４８の下方、且つ、チャンバ本体１２には、排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、圧力調整弁及びターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、チャンバ本体１２内の空間を所望の真空度まで減圧することができる。また、チャンバ本体１２の側壁には被加工物Ｗの搬入出口１２ｇが設けられており、この搬入出口１２ｇはゲートバルブ５４により開閉可能となっている。

また、プラズマ処理装置１０は、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４を更に備えている。第１の高周波電源６２は、プラズマ生成用の第１の高周波を発生する電源であり、例えば、２７〜１００ＭＨｚの周波数を有する高周波を発生する。第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して上部電極３０に接続されている。整合器６６は、第１の高周波電源６２の出力インピーダンスと負荷側（上部電極３０側）の入力インピーダンスを整合させるための回路を有している。なお、第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して下部電極ＬＥに接続されていてもよい。

第２の高周波電源６４は、被加工物Ｗにイオンを引き込むための第２の高周波を発生する電源であり、例えば、４００ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数の高周波を発生する。第２の高周波電源６４は、整合器６８を介して下部電極ＬＥに接続されている。整合器６８は、第２の高周波電源６４の出力インピーダンスと負荷側（下部電極ＬＥ側）の入力インピーダンスを整合させるための回路を有している。

このプラズマ処理装置１０では、複数のガスソースのうち選択された一以上のガスソースからのガスがチャンバＳに供給される。また、チャンバＳの圧力が排気装置５０によって所定の圧力に設定される。さらに、第１の高周波電源６２からの第１の高周波によってチャンバＳ内のガスが励起される。これにより、プラズマが生成される。そして、発生した活性種によって被加工物Ｗが処理される。なお、必要に応じて、第２の高周波電源６４の第２の高周波に基づくバイアスにより、被加工物Ｗにイオンが引き込まれてもよい。

以下、方法ＭＴにおいて用いられる測定器について説明する。図６は、測定器を例示する斜視図である。図６に示す測定器１００は、ベース基板１０２を備えている。ベース基板１０２は、例えば、シリコンから形成されており、被加工物Ｗの形状と同様の形状、即ち略円盤形状を有している。ベース基板１０２の直径は、被加工物Ｗと同様の直径であり、例えば、３００ｍｍである。測定器１００の形状及び寸法は、このベース基板１０２の形状及び寸法によって規定される。したがって、測定器１００は、被加工物Ｗの形状と同様の形状を有し、且つ、被加工物Ｗの寸法と同様の寸法を有する。また、ベース基板１０２のエッジには、ノッチ１０２Ｎ（或いは、別のマーカー）が形成されている。

ベース基板１０２は、下側部分１０２ａ及び上側部分１０２ｂを有している。下側部分１０２ａは、測定器１００が静電チャックＥＳＣの上方に配置されるときに、上側部分１０２ｂよりも静電チャックＥＳＣの近くに位置する部分である。ベース基板１０２の下側部分１０２ａには、静電容量測定用の複数のセンサ部１０４Ａ〜１０４Ｈが設けられている。なお、測定器１００に設けられるセンサ部の個数は、三個以上の任意の個数であり得る。複数のセンサ部１０４Ａ〜１０４Ｈは、ベース基板１０２のエッジに沿って、例えば当該エッジの全周において等間隔に、配列されている。具体的には、複数のセンサ部１０４Ａ〜１０４Ｈの各々の前側端面１０４ｆがベース基板１０２の下側部分１０２ａのエッジに沿うように設けられている。なお、図６では、複数のセンサ部１０４Ａ〜１０４Ｈのうちセンサ部１０４Ａ〜１０４Ｃが見えている。

ベース基板１０２の上側部分１０２ｂの上面は、凹部１０２ｒを提供している。凹部１０２ｒは、中央領域１０２ｃ及び複数の放射領域１０２ｈを含んでいる。中央領域１０２ｃは、中心軸線ＡＸ１００と交差する領域である。中心軸線ＡＸ１００は、ベース基板１０２の中心を板厚方向に通過する軸線である。中央領域１０２ｃには、回路基板１０６が設けられている。複数の放射領域１０２ｈは、中央領域１０２ｃから複数のセンサ部１０４Ａ〜１０４Ｈが配置されている領域の上方まで中心軸線ＡＸ１００に対して放射方向に延在している。複数の放射領域１０２ｈには、複数のセンサ部１０４Ａ〜１０４Ｈと回路基板１０６とをそれぞれ電気的に接続するための配線群１０８Ａ〜１０８Ｈが設けられている。なお、複数のセンサ部１０４Ａ〜１０４Ｈはベース基板１０２の上側部分１０２ｂに設けられていてもよい。

以下、センサ部について詳細に説明する。図７は、センサ部の一例を示す斜視図である。図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿ったとった断面図であり、センサ部と共に測定器のベース基板及びフォーカスリングを示している。図９は、図８のＩＸ−ＩＸ線に沿ってとった断面図である。図７〜図９に示すセンサ部１０４は、測定器１００の複数のセンサ部１０４Ａ〜１０４Ｈとして利用されるセンサ部であり、一例では、チップ状の部品として構成されている。なお、以下の説明では、ＸＹＺ直交座標系を適宜参照する。Ｘ方向は、センサ部１０４の前方向を示しており、Ｙ方向は、Ｘ方向に直交する一方向であってセンサ部１０４の幅方向を示しており、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向に直交する方向であってセンサ部１０４の上方向を示している。

図７〜図９に示すように、センサ部１０４は、前側端面１０４ｆ、上面１０４ｔ、下面１０４ｂ、一対の側面１０４ｓ、及び後側端面１０４ｒを有している。前側端面１０４ｆは、Ｘ方向においてセンサ部１０４の前側表面を構成している。センサ部１０４は、前側端面１０４ｆが中心軸線ＡＸ１００に対して放射方向に向くように、測定器１００のベース基板１０２に搭載される（図６参照）。また、センサ部１０４がベース基板１０２に搭載されている状態では、前側端面１０４ｆは、ベース基板１０２のエッジに沿って延在する。したがって、測定器１００が静電チャックＥＳＣ上に配置されるときに、前側端面１０４ｆは、フォーカスリングＦＲの内縁に対面する。

後側端面１０４ｒは、Ｘ方向においてセンサ部１０４の後側表面を構成している。センサ部１０４がベース基板１０２に搭載されている状態では、後側端面１０４ｒは、前側端面１０４ｆよりも中心軸線ＡＸ１００の近くに位置する。上面１０４ｔはＺ方向においてセンサ部１０４の上側表面を構成しており、下面１０４ｂはＺ方向においてセンサ部１０４の下側表面を構成している。また、一対の側面１０４ｓは、Ｙ方向においてセンサ部１０４の表面を構成している。

センサ部１０４は、電極１４３を有している。センサ部１０４は、電極１４１及び電極１４２を更に有していてもよい。電極１４１は、導体から形成されている。電極１４１は、第１部分１４１ａを有している。図７及び図８に示すように、第１部分１４１ａは、Ｘ方向及びＹ方向に延在している。

電極１４２は、導体から形成されている。電極１４２は、第２部分１４２ａを有している。第２部分１４２ａは、第１部分１４１ａの上で延在している。センサ部１０４内において、電極１４２は、電極１４１から絶縁されている。図７及び図８に示すように、第２部分１４２ａは、第１部分１４１ａの上で、Ｘ方向及びＹ方向に延在している。

電極１４３は、導体から形成されたセンサ電極である。電極１４３は、電極１４１の第１部分１４１ａ及び電極１４２の第２部分１４２ａの上に設けられている。電極１４３は、センサ部１０４内において電極１４１及び電極１４２から絶縁されている。電極１４３は、前面１４３ｆを有している。この前面１４３ｆは、第１部分１４１ａ及び第２部分１４２ａに交差する方向に延びている。また、前面１４３ｆは、センサ部１０４の前側端面１０４ｆに沿って延在している。一実施形態では、前面１４３ｆは、センサ部１０４の前側端面１０４ｆの一部を構成している。或いは、センサ部１０４は、電極１４３の前面１４３ｆの前側に当該前面１４３ｆを覆う絶縁膜を有していてもよい。

図７〜図９に示すように、電極１４１及び電極１４２は、電極１４３の前面１４３ｆが配置されている領域の側（Ｘ方向）で開口し、且つ、電極１４３の周囲を囲むように延在していてもよい。即ち、電極１４１及び電極１４２は、電極１４３の上方、後方、及び、側方において、当該電極１４３を囲むように延在していてもよい。

また、センサ部１０４の前側端面１０４ｆは、所定の曲率を有する曲面であり得る。この場合に、前側端面１０４ｆは、当該前側端面の任意の位置で一定の曲率を有しており、当該前側端面１０４ｆの曲率は、測定器１００の中心軸線ＡＸ１００と当該前側端面１０４ｆとの間の距離の逆数であり得る。このセンサ部１０４は、前側端面１０４ｆの曲率中心が中心軸線ＡＸ１００に一致するように、ベース基板１０２に搭載される。

また、センサ部１０４は、基板部１４４、絶縁領域１４６〜１４８、パッド１５１〜１５３、及び、ヴィア配線１５４を更に有し得る。基板部１４４は、本体部１４４ｍ及び表層部１４４ｆを有している。本体部１４４ｍは、例えばシリコンから形成されている。表層部１４４ｆは、本体部１４４ｍの表面を覆っている。表層部１４４ｆは、絶縁材料から形成されている。表層部１４４ｆは、例えば、シリコンの熱酸化膜である。

電極１４２の第２部分１４２ａは、基板部１４４の下方において延在しており、基板部１４４と電極１４２との間には、絶縁領域１４６が設けられている。絶縁領域１４６は、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、又は、ポリイミドから形成されている。

電極１４１の第１部分１４１ａは、基板部１４４及び電極１４２の第２部分１４２ａの下方において延在している。電極１４１と電極１４２との間には絶縁領域１４７が設けられている。絶縁領域１４７は、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、又は、ポリイミドから形成されている。

絶縁領域１４８は、センサ部１０４の上面１０４ｔを構成している。絶縁領域１４８は、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、又は、ポリイミドから形成されている。この絶縁領域１４８には、パッド１５１〜１５３が形成されている。パッド１５３は、導体から形成されており、電極１４３に接続されている。具体的には、絶縁領域１４６、電極１４２、絶縁領域１４７、及び、電極１４１を貫通するヴィア配線１５４によって、電極１４３とパッド１５３が互いに接続されている。ヴィア配線１５４の周囲には絶縁体が設けられており、当該ヴィア配線１５４は電極１４１及び電極１４２から絶縁されている。パッド１５３は、ベース基板１０２内に設けられたヴィア配線１２３、及び、凹部１０２ｒの放射領域１０２ｈに設けられた配線１８３を介して回路基板１０６に接続されている。パッド１５１及びパッド１５２も同様に導体から形成されている。パッド１５１及びパッド１５２はそれぞれ、対応のヴィア配線を介して、電極１４１、電極１４２に接続されている。また、パッド１５１及びパッド１５２は、ベース基板１０２に設けられた対応のヴィア配線及び凹部１０２ｒの放射領域１０２ｈに設けられた対応の配線を介して回路基板１０６に接続される。

以下、回路基板１０６の構成について説明する。図１０は、測定器の回路基板の構成を例示する図である。図１０に示すように、回路基板１０６は、高周波発振器１６１、複数のＣ／Ｖ変換回路１６２Ａ〜１６２Ｈ、Ａ／Ｄ変換器１６３、プロセッサ１６４、記憶装置１６５、通信装置１６６、及び、電源１６７を有している。

複数のセンサ部１０４Ａ〜１０４Ｈの各々は、複数の配線群１０８Ａ〜１０８Ｈのうち対応の配線群を介して回路基板１０６に接続されている。また、複数のセンサ部１０４Ａ〜１０４Ｈの各々は、対応の配線群に含まれる幾つかの配線を介して、複数のＣ／Ｖ変換回路１６２Ａ〜１６２Ｈのうち対応のＣ／Ｖ変換回路に接続されている。以下、複数のセンサ部１０４Ａ〜１０４Ｈの各々と同構成の一つのセンサ部１０４、複数の配線群１０８Ａ〜１０８Ｈの各々と同構成の一つの配線群１０８、及び複数のＣ／Ｖ変換回路１６２Ａ〜１６２Ｈの各々と同構成の一つのＣ／Ｖ変換回路１６２について説明する。

配線群１０８は、配線１８１〜１８３を含んでいる。配線１８１の一端は、電極１４１に接続されたパッド１５１に接続されている。この配線１８１は、回路基板１０６のグランドＧＣに接続されたグランド電位線ＧＬに接続されている。なお、配線１８１は、グランド電位線ＧＬにスイッチＳＷＧを介して接続されていてもよい。また、配線１８２の一端は、電極１４２に接続されたパッド１５２に接続されており、配線１８２の他端はＣ／Ｖ変換回路１６２に接続されている。また、配線１８３の一端は、電極１４３に接続されたパッド１５３に接続されており、配線１８３の他端はＣ／Ｖ変換回路１６２に接続されている。

高周波発振器１６１は、バッテリーといった電源１６７に接続されており、当該電源１６７からの電力を受けて高周波信号を発生するよう構成されている。なお、電源１６７は、プロセッサ１６４、記憶装置１６５、及び、通信装置１６６にも接続されている。高周波発振器１６１は、複数の出力線を有している。高周波発振器１６１は、発生した高周波信号を複数の出力線を介して、配線１８２及び配線１８３に与えるようになっている。したがって、高周波発振器１６１は、センサ部１０４の電極１４２及び電極１４３に電気的に接続されており、当該高周波発振器１６１からの高周波信号は、電極１４２及び電極１４３に与えられるようになっている。

Ｃ／Ｖ変換回路１６２の入力には配線１８２及び配線１８３が接続されている。即ち、Ｃ／Ｖ変換回路１６２の入力には、センサ部１０４の電極１４２及び電極１４３が接続されている。Ｃ／Ｖ変換回路１６２は、その入力における電圧振幅から、当該入力に接続された電極（電極１４３）の静電容量を表す電圧信号を生成し、当該電圧信号を出力するよう構成されている。なお、Ｃ／Ｖ変換回路１６２に接続された電極の静電容量が大きいほど、当該Ｃ／Ｖ変換回路１６２が出力する電圧信号の電圧の大きさは大きくなる。

Ａ／Ｄ変換器１６３の入力には、複数のＣ／Ｖ変換回路１６２Ａ〜１６２Ｈの出力が接続している。また、Ａ／Ｄ変換器１６３は、プロセッサ１６４に接続している。Ａ／Ｄ変換器１６３は、プロセッサ１６４からの制御信号によって制御され、複数のＣ／Ｖ変換回路１６２Ａ〜１６２Ｈの出力信号（電圧信号）をデジタル値に変換する。即ち、Ａ／Ｄ変換器１６３は、電極１４３の静電容量を表すデジタル値を生成し、当該デジタル値をプロセッサ１６４に出力する。

プロセッサ１６４には記憶装置１６５が接続されている。記憶装置１６５は、揮発性メモリといった記憶装置であり、後述する測定データを記憶するよう構成されている。また、プロセッサ１６４には、別の記憶装置１６８が接続されている。記憶装置１６８は、不揮発性メモリといった記憶装置であり、プロセッサ１６４によって読み込まれて実行されるプログラムが記憶されている。また、記憶装置１６８には、後述するパラメータも記憶され得る。

通信装置１６６は、任意の無線通信規格に準拠した通信装置である。例えば、通信装置１６６は、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）に準拠している。通信装置１６６は、記憶装置１６５に記憶されている測定データを無線送信するように構成されている。

プロセッサ１６４は、上述したプログラムを実行することにより、方法ＭＴにおいて測定器１００の各部を制御するように構成されている。例えば、プロセッサ１６４は、電極１４２及び電極１４３に対する電源１６７からの高周波信号の供給、記憶装置１６５に対する電源１６７からの電力供給、通信装置１６６に対する電源１６７からの電力供給等を制御するようになっている。さらに、プロセッサ１６４は、上述したプログラムを実行することにより、方法ＭＴにおけるデジタル値の取得、測定データの記憶装置１６５への記憶、及び、測定データの送信等を実行するようになっている。

この測定器１００では、センサ部１０４Ａ〜１０４Ｈがベース基板１０２のエッジに沿って配列されている。したがって、この測定器１００を静電チャックＥＳＣ上に配置すると、フォーカスリングＦＲとセンサ部１０４Ａ〜１０４Ｈのそれぞれとの間の静電容量を表すデジタル値を取得することができる。なお、静電容量Ｃは、Ｃ＝εＳ／ｄで表される。εは電極１４３の前面１４３ｆとフォーカスリングＦＲの内縁との間の媒質の誘電率であり、Ｓは電極１４３の前面１４３ｆの面積であり、ｄは電極１４３の前面１４３ｆとフォーカスリングＦＲの内縁との間の距離と見なすことができる。したがって、測定器１００によって取得される複数のデジタル値は、電極１４３の前面１４３ｆとフォーカスリングＦＲの内縁との間の距離が大きくなるほど、小さくなる。

また、上述したように、測定器１００に搭載されるセンサ部１０４では、電極１４３（センサ電極）が、電極１４１の上に設けられており、電極１４１と電極１４３との間には電極１４２の第２部分が介在している。このセンサ部１０４の利用時には、スイッチＳＷＧが閉じられて電極１４１の電位がグランド電位に設定され、電極１４２と電極１４３には高周波信号が供給される。このとき、電極１４３の電圧振幅は、当該電極１４３に対して電極１４１が設けられている方向、即ちセンサ部１０４の下方からの静電容量の影響を受けず、特定方向、即ち、電極１４３の前面１４３ｆが向いている方向（Ｘ方向）における静電容量を反映した電圧振幅となる。したがって、センサ部１０４によれば、特定方向に高い指向性をもって静電容量を測定することが可能となる。なお、センサ部１０４の利用時にスイッチＳＷＧが開かれると、Ｃ／Ｖ変換回路１６２は、電極１４３の静電容量と電極１４２の静電容量との合成容量の大きさに応じた大きさの電圧を有する電圧信号を出力するようになる。

また、電極１４１及び電極１４２は、電極１４３の前面が配置されている領域の側（Ｘ方向）で開口し、且つ、電極１４３の周囲を囲むように延在している。したがって、電極１４１及び電極１４２によって、電極１４３が特定方向以外の方向に対して遮蔽される。故に、静電容量の測定において、特定方向に対するセンサ部１０４の指向性が更に向上される。

また、センサ部１０４の前側端面１０４ｆは所定の曲率を有する曲面として構成されており、電極１４３の前面１４３ｆは、前側端面１０４ｆに沿って延在している。したがって、電極１４３の前面１４３ｆの各位置とフォーカスリングＦＲの内縁との間の径方向の距離を略等距離に設定することができる。故に、静電容量の測定の精度が更に向上される。

以下、再び図１を参照し、方法ＭＴについて詳細に説明する。また、以下の説明では、図１と共に図１１を参照する。図１１は、図１に示す方法に関連するタイミングチャートである。図１に示すように、方法ＭＴでは、まず、工程ＳＴ１が実行される。工程ＳＴ１では、測定器１００の電源１６７がＯＮに設定される。そして、プロセッサ１６４が記憶装置１６８に記憶されたプログラムの実行を開始する。続く工程ＳＴ２では、測定器１００が容器４ａ〜４ｄのうち何れかのスロットに収容される。

続く工程ＳＴ３では、測定器１００にパラメータが入力される。パラメータは、制御部ＭＣから測定器１００に無線送信され得る。測定器１００は、受信したパラメータを記憶装置１６８に記憶する。パラメータは、第１のモニタリング期間の時間長ＴＡ、時間間隔ＩＡ、第１のサンプリング周期、測定期間の時間長ＴＭ、第２のサンプリング周期、第２のモニタリング期間の時間長ＴＢ、時間間隔ＩＢ、第３のサンプリング周期、第１の閾値Ｔｈ１、及び、第２の閾値Ｔｈ２を含む。なお、時間長ＴＡ、時間間隔ＩＡ、第１のサンプリング周期はそれぞれ、時間長ＴＢ、時間間隔ＩＢ、第３のサンプリング周期と共通であってもよい。この場合には、パラメータは、時間長ＴＢ、時間間隔ＩＢ、及び、第３のサンプリング周期を含まない。以後、方法ＭＴでは、並列的に処理が進行する。なお、図１において二つの二重線の間に描かれた二つの処理の流れは、並列的に実行される処理の流れである。

工程ＳＴ３に続く工程ＳＴ４では、制御部ＭＣによる制御の下で、測定器１００が、搬送装置ＴＵ１によってアライナＡＮに搬送される。そして、アライナＡＮでは、制御部ＭＣによる制御の下で、上述した被加工物Ｗの位置の調整と同様に、測定器１００の位置の調整、即ち、位置の較正が行われる。

続く工程ＳＴ５では、測定器１００が、載置台ＰＤ上でフォーカスリングＦＲによって囲まれた領域内に搬送される。具体的には、制御部ＭＣによる制御の下で、測定器１００が、搬送装置ＴＵ１によって、アライナＡＮからロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２のうちの一方のロードロックモジュールに搬送される。次いで、搬送装置ＴＵ２によって、一方のロードロックモジュールから、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６のうちの一つのプロセスモジュールのチャンバ内に搬送される。チャンバ内においては、測定器１００は、載置台ＰＤ上でフォーカスリングＦＲによって囲まれた領域内に配置される。なお、搬送装置ＴＵ２による測定器１００の搬送先位置（載置台ＰＤ上の位置）は、予め設定された座標情報によって特定される。その後、当該一つのプロセスモジュールとトランスファーモジュールＴＦとの間のゲートバルブが閉じられる。

工程ＳＴ５に続く工程ＳＴ６では、測定器１００がチャンバから搬出される。具体的には、制御部ＭＣによる制御の下で、その後、上記一つのプロセスモジュールとトランスファーモジュールＴＦとの間のゲートバルブが開かれ、次いで、測定器１００は、搬送装置ＴＵ２によって、チャンバから取り出されて、ロードロックモジュールＬＬ１及びロードロックモジュールＬＬ２のうち一方のロードロックモジュールに搬送される。続く工程ＳＴ７では、測定器１００が、容器４ａ〜４ｄのうちの一つの容器のスロットに収容される。具体的には、制御部ＭＣによる制御の下で、測定器１００は、搬送装置ＴＵ１によって、一方のロードロックモジュールから一つの容器のスロットに搬送される。

一方、工程ＳＴ３の後に、工程ＳＴ１１において、測定器１００のプロセッサ１６４が、一以上の第１のデータセットを取得する。この工程ＳＴ１１は、時間長ＴＡの第１のモニタリング期間において実行される。時間長ＴＡは、限定されるものではないが、例えば、１秒である。工程ＳＴ１１において取得される一以上の第１のデータセットの各々は、プロセッサ１６４が、複数のセンサ部１０４Ａ〜１０４Ｈに含まれる一以上のセンサ部のうち対応のセンサ部の電極１４３の静電容量を表すデジタル値を第１のサンプリング周期で取得することにより得られる。第１のサンプリング周期は限定されるものではないが、例えば、０．１秒である。なお、工程ＳＴ１１において用いられるセンサ部は、複数のセンサ部１０４Ａ〜１０４Ｈの全てであってもよく、或いは、上述したパラメータにおいて指定される一以上のセンサ部であってもよい。

続く工程ＳＴ１２では、プロセッサ１６４は、工程ＳＴ１１で取得された一以上の第１のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値の平均値が第１の閾値Ｔｈ１以上であるか否かを判定する。なお、測定器１００がフォーカスリングＦＲに囲まれた領域に配置されると、上述の一以上のセンサ部の電極１４３の静電容量が大きくなる。したがって、第１の閾値Ｔｈ１と一以上のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値の平均値とを比較することにより、測定器１００がフォーカスリングＦＲに囲まれた領域に配置されているか否かを判定することができる。プロセッサ１６４は、工程ＳＴ１２において平均値が第１の閾値Ｔｈ１以上ではないと判定した場合には、続く工程ＳＴ１３において、工程ＳＴ１１の終了時から時間間隔ＩＡが経過したか否かを判定する。時間間隔ＩＡは、限定されるものではないが、例えば、２９秒である。工程ＳＴ１１の終了時から時間間隔ＩＡが経過していない場合には、プロセッサ１６４は、再び工程ＳＴ１３の判定を行う。一方、工程ＳＴ１１の終了時から時間間隔ＩＡが経過している場合には、プロセッサ１６４は、再び工程ＳＴ１１において、一以上の第１のデータセットの取得を行う。なお、時間間隔ＩＡにおいて、プロセッサ１６４は、電源１６７から高周波発振器１６１への電力の供給を停止してもよい。

工程ＳＴ１２において、プロセッサ１６４は、平均値が第１の閾値Ｔｈ１以上になったと判定すると、工程ＳＴ１４の処理に移行する。なお、工程ＳＴ１２では、平均値ではなく、一以上の第１のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値のうち一以上が第１の閾値Ｔｈ１と比較されてもよい。

工程ＳＴ１４では、プロセッサ１６４は、複数の第２のデータセットの取得を行う。この工程ＳＴ１４は、時間長ＴＭの測定期間において実行される。時間長ＴＭは、限定されるものではないが、例えば、１秒である。工程ＳＴ１４において取得される複数の第２のデータセットの各々は、複数のセンサ部１０４Ａ〜１０４Ｈのうち対応のセンサ部の電極１４３の静電容量を表すデジタル値を測定期間内において第２のサンプリング周期で取得することにより得られる複数のデジタル値を含む。第２のサンプリング周期は、限定されるものではない、例えば、０．１秒である。

続く工程ＳＴ１５では、プロセッサが、測定データを記憶装置１６５に記憶させる。測定データは、複数の第２のデータセットであってもよい。或いは、測定データは、複数の第２のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値の平均値を求めることにより得られる複数の平均値であってもよい。

続く工程ＳＴ１６では、プロセッサ１６４が、一以上の第３のデータセットの取得を行う。この工程ＳＴ１６は、時間長ＴＢの第２のモニタリング期間において実行される。第２のモニタリング期間の時間長ＴＢは、上述したように時間長ＴＡと共通であってもよい。工程ＳＴ１６において取得される一以上の第３のデータセットの各々は、プロセッサ１６４が、複数のセンサ部１０４Ａ〜１０４Ｈに含まれる一以上のセンサ部のうち対応のセンサ部の電極１４３の静電容量を表すデジタル値を第３のサンプリング周期で取得することにより得られる。なお、工程ＳＴ１６において用いられるセンサ部は、複数のセンサ部１０４Ａ〜１０４Ｈの全てであってもよく、或いは、上述したパラメータにおいて指定される一以上のセンサ部であってもよい。また、第３のサンプリング周期は、第１のサンプリング周期と共通であってもよい。

続く工程ＳＴ１７では、プロセッサ１６４は、工程ＳＴ１６で取得された一以上の第３のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値の平均値が第２の閾値Ｔｈ２以上であるか否かを判定する。なお、測定器１００が容器４ａ〜４ｄのうち任意の一つの容器のスロットに収容されると、上述の一以上のセンサ部の電極１４３の静電容量が大きくなる。したがって、第２の閾値Ｔｈ２と一以上のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値の平均値とを比較することにより、測定器１００が容器４ａ〜４ｄのうち何れかのスロットに収容されているか否かを判定することができる。なお、容器のスロットに測定器１００が収容されているときの電極１４３の静電容量は、フォーカスリングＦＲに囲まれた領域に測定器１００が配置されるときの電極１４３の静電容量よりも小さい。したがって、第２の閾値Ｔｈ２は第１の閾値Ｔｈ１よりも小さい値である。

プロセッサ１６４は、工程ＳＴ１７において平均値が第２の閾値Ｔｈ２以上ではないと判定した場合には、続く工程ＳＴ１８において、工程ＳＴ１６の終了時から時間間隔ＩＢが経過したか否かを判定する。工程ＳＴ１１の終了時から時間間隔ＩＢが経過していない場合には、プロセッサ１６４は、再び工程ＳＴ１８の判定を行う。一方、工程ＳＴ１６の終了時から時間間隔ＩＢが経過している場合には、プロセッサ１６４は、再び工程ＳＴ１６において、一以上の第３のデータセットの取得を行う。なお、時間間隔ＩＢにおいて、プロセッサ１６４は、電源１６７から高周波発振器１６１への電力の供給を停止してもよい。また、第２のモニタリング期間と次の第２のモニタリング期間との間の時間間隔は、時間間隔ＩＢではなく、時間間隔ＩＡであってもよい。

工程ＳＴ１７において、プロセッサ１６４は、平均値が第２の閾値Ｔｈ２以上になったと判定すると、工程ＳＴ１９の処理に移行する。なお、工程ＳＴ１７では、平均値ではなく、一以上の第３のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値のうち一以上が第２の閾値Ｔｈ２と比較されてもよい。

工程ＳＴ１９では、プロセッサ１６４は、記憶装置１６５によって記憶されている測定データを制御部ＭＣに接続された受信部に無線送信する。制御部ＭＣは、測定データを受信すると、工程ＳＴ８において、制御部ＭＣは、搬送装置ＴＵ２の搬送先位置の座標情報を補正する。具体的には、測定データから特定されるフォーカスリングＦＲと測定器１００のエッジとの間の間隔の周方向における差が低減されるよう、座標情報を補正する。この工程ＳＴ１９の実行が完了すると、方法ＭＴは終了する。

以上説明したように、方法ＭＴでは、円盤状のベース基板１０２のエッジに沿って配列された複数の電極１４３（センサ電極）を備えた測定器１００が用いられ、フォーカスリングＦＲの内縁と測定器１００のエッジとの間の間隔の周方向における分布を反映する測定データが得られる。また、複数の電極１４３の各々の静電容量を表すデジタル値は、フォーカスリングＦＲによって囲まれた領域に測定器１００があるときに、大きくなる。方法ＭＴでは、常時、測定データを取得するのではなく、測定期間よりも前の期間においては、時間間隔ＩＡで一以上の第１のデータセットが取得される。そして、一以上の第１のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値のうち一以上又は一以上の第１のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値の平均値が第１の閾値Ｔｈ１以上になったときに、測定期間において第２のデータセットの取得が行われ、そして、測定データの記憶が行われる。このように、方法ＭＴでは、測定期間よりも前の期間においては、測定器１００において断続的な動作が行われるので、測定器１００の電源１６７の消費電力が抑えられる。

また、一以上の第３のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値のうち一以上又は一以上の第３のデータセットの各々に含まれる複数のデジタル値の平均値が第２の閾値Ｔｈ２以上になったことに応答して、通信装置１６６に測定データを無線送信させることにより、測定器１００はプロセスモジュールのチャンバの外部にあるときに自律的に測定データを無線送信することができる。したがって、測定期間の後においても、測定器１００において断続的な動作が行われるので、測定器１００の電源１６７の消費電力が更に抑えられる。

以下、測定器１００に搭載することができるセンサ部の別の例について説明する。図１２は、センサ部の別の例を示す縦断面図である。図１２に示すセンサ部１０４Ａは、センサ部１０４の変形態様であり、基板部１４４に代えて基板部１４４Ａを有している点において、センサ部１０４と異なっている。基板部１４４Ａは、絶縁材料から形成されている。例えば、基板部１４４Ａは、ホウケイ酸ガラスから形成されている。なお、基板部１４４Ａは、窒化シリコンから形成されていてもよい。

基板部１４４Ａは、多面体であり、前面１４４ａ及び下面１４４ｂを含む表面を有する。一例では、基板部１４４Ａの表面は、上面１４４ｃ、後面１４４ｄ、及び、一対の側面を更に含んでいる。下面１４４ｂ及び上面１４４ｃは、Ｘ方向及びＹ方向に延在しており、互いに対向している。前面１４４ａは、基板部１４４ＡのＸ方向における前側端面を構成しており、下面１４４ｂに交差する方向に延びている。前面１４４ａは、所定の曲率を有し得る。この曲率は、センサ部１０４Ａがベース基板１０２に搭載されているときに、中心軸線ＡＸ１００と前面１４４ａとの間の距離の逆数である。後面１４４ｄは、Ｘ方向において基板部１４４Ａの後側端面を構成しており、前面１４４ａと対向している。また、一対の側面は、前面１４４ａのＹ方向における一方の縁部と後面１４４ｄのＹ方向における一方の縁部との間、及び、前面１４４ａのＹ方向における他方の縁部と後面１４４ｄのＹ方向における他方の縁部との間で延在している。

電極１４３は、基板部１４４Ａの前面１４４ａ及び上面１４４ｃに沿って延在している。絶縁領域１４６は、基板部１４４Ａの下面１４４ｂ、上面１４４ｃ、後面１４４ｄ、及び、一対の側面、並びに、上面１４４ｃ上で延在する電極１４３を覆うように、延在している。電極１４２は、絶縁領域１４６を覆うように設けられている。また、電極１４２の第２部分１４２ａは、絶縁領域１４６を介して、基板部１４４Ａの下面１４４ｂに沿って延在している。また、絶縁領域１４７は、電極１４２を覆うように、延在している。また、電極１４１は、絶縁領域１４７を覆うように設けられている。また、電極１４１の第１部分１４１ａは、絶縁領域１４７を介して、電極１４２の第２部分１４２ａの下方で延在している。

上述したセンサ部１０４の基板部１４４の本体部１４４ｍがシリコンから形成されている場合には、センサ部１０４は、内部静電容量を有する。この内部静電容量のために、高周波発振器１６１の出力を大きな出力に設定する必要が生じる。一方、センサ部１０４Ａでは、基板部１４４Ａが、絶縁材料によって形成されているので、内部静電容量が極めて小さい。したがって、センサ部１０４Ａを有する測定器１００では、高周波発振器１６１の出力を小さくすることができる。

また、測定器１００は、高い温度を含む温度帯域（例えば２０℃〜８０℃）、及び、減圧環境（例えば、１Ｔｏｒｒ（１３３．３Ｐａ）以下）において使用され得るので、基板部１４４Ａからのガスの発生を抑制する必要がある。このため、基板部１４４Ａをホウケイ酸ガラス、窒化シリコン、石英、又は、酸化アルミニウムから形成することができる。このような基板部１４４Ａによれば、ガスの発生が抑制され得る。

また、測定器１００は、高い温度を含む温度帯域（例えば２０℃〜８０℃）において使用され得るので、基板部１４４Ａは、ベース基板１０２の構成材料の線膨張係数に近い線膨張係数を有することが望ましい。このため、ベース基板１０２がシリコンから形成されている場合には、基板部１４４Ａを、例えばホウケイ酸ガラス又は窒化シリコンから形成することができる。このような基板部１４４Ａの線膨張係数は、ベース基板１０２の線膨張係数に近い。したがって、基板部１４４Ａの線膨張係数とベース基板１０２の線膨張係数の差に起因する、センサ部１０４Ａの損傷、及び、ベース基板１０２からのセンサ部１０４Ａの剥がれを抑制することができる。

また、測定器１００の重量は小さいことが望ましい。したがって、基板部１４４Ａの密度（単位体積あたりの質量）は、ベース基板１０２の密度に近いか、又は、ベース基板１０２の密度よりも小さいことが望まれる。このため、ベース基板１０２がシリコンから形成されている場合には、基板部１４４Ａを、例えばホウケイ酸ガラスから形成することができる。

以下、測定器１００に搭載することができるセンサ部の更に別の例について説明する。図１３は、センサ部の更に別の例を示す縦断面図である。図１３には、センサ部２０４の縦断面図が示されており、また、センサ部２０４と共にフォーカスリングＦＲが示されている。

センサ部２０４は、電極２４１、電極２４２、及び、電極２４３を有している。センサ部２０４は、基板部２４４及び絶縁領域２４７を更に有し得る。基板部２４４は、本体部２４４ｍ及び表層部２４４ｆを有している。本体部２４４ｍは、例えばシリコンから形成されている。表層部２４４ｆは本体部２４４ｍの表面を覆っている。表層部２４４ｆは絶縁材料から形成されている。表層部２４４ｆは、例えば、シリコンの熱酸化膜である。

基板部２４４は、上面２４４ａ、下面２４４ｂ、及び、前側端面２４４ｃを有している。電極２４２は、基板部２４４の下面２４４ｂの下方に設けられており、Ｘ方向及びＹ方向に延在している。また、電極２４１は、絶縁領域２４７を介して電極２４２の下方に設けられており、Ｘ方向及びＹ方向に延在している。

基板部２４４の前側端面２４４ｃは、段状に形成されている。前側端面２４４ｃの下側部分２４４ｄは、当該前側端面２４４ｃの上側部分２４４ｕよりもフォーカスリングＦＲの側に向けて突出している。電極２４３は、前側端面２４４ｃの上側部分２４４ｕに沿って延在している。

このセンサ部２０４を測定器１００のセンサ部として用いる場合には、電極２４１が配線１８１に接続され、電極２４２が配線１８２に接続され、電極２４３が配線１８３に接続される。

センサ部２０４においては、センサ電極である電極２４３が、電極２４１及び電極２４２によって、センサ部２０４の下方に対して遮蔽されている。したがって、このセンサ部２０４によれば、特定方向、即ち、電極２４３の前面２４３ｆが向いている方向（Ｘ方向）に高い指向性をもって静電容量を測定することが可能となる。

以下、別の実施形態に係る測定器について説明する。図１４は、別の実施形態に係る測定器の回路基板の構成を例示する図である。図１４に示す測定器１００Ａは、測定器１００の構成要素と同一の構成要素に加えて、加速度センサ１７１、温度センサ１７２、湿度センサ１７３、及び、圧力センサ１７４を更に有している。加速度センサ１７１、温度センサ１７２、湿度センサ１７３、及び、圧力センサ１７４は、プロセッサ１６４に接続されている。加速度センサ１７１は、測定した測定器１００Ａの加速度を表す加速度データをプロセッサ１６４に出力する。温度センサ１７２は、測定した測定器１００Ａの周囲の温度を表す温度データをプロセッサ１６４に出力する。湿度センサ１７３は、測定した測定器１００Ａの周囲の湿度を表す湿度データをプロセッサ１６４に出力する。圧力センサ１７４は、測定した測定器１００Ａの周囲の圧力を表す圧力データをプロセッサ１６４に出力する。

プロセッサ１６４は、加速度データ、温度データ、湿度データ、及び、圧力データに基づいて、異常検出処理を行う。プロセッサ１６４は、加速度データから特定される測定器１００Ａの加速度と加速度の閾値とを比較し、測定器１００Ａの加速度が当該加速度の閾値よりも大きい場合には、測定器１００Ａの搬送途中に異常が発生したものと判断し、第１の信号を制御部ＭＣに無線送信する。また、プロセッサ１６４は、測定器１００Ａの加速度から測定器１００Ａに異常な振動が生じているものと判断される場合に、第２の信号を制御部ＭＣに無線送信する。制御部ＭＣは、第１の信号又は第２の信号を受信すると、測定器１００Ａの搬送を停止する。なお、第１の信号に関連する異常は、搬送装置ＴＵ１又は搬送装置ＴＵ２が、他のツールと接触した場合に発生し得る。また、第２の信号に関連する異常は、搬送装置ＴＵ１又は搬送装置ＴＵ２の動作不良が生じている場合に、発生し得る。

また、プロセッサ１６４は、加速度データから特定される測定器１００Ａの角度が角度の閾値よりも大きい場合に、第３の信号を制御部ＭＣに無線送信する。測定器１００Ａの角度は、測定器１００Ａの水平度を示す尺度であり、例えば、加速度データから特定される測定器１００Ａの加速度に基づき算出される。制御部ＭＣは、第３の信号を受信すると、測定器１００Ａの容器４ａ〜４ｄの何れかへの回収のための制御を行う。なお、第３の信号に関連する異常は、測定器１００Ａの一部がフォーカスリングＦＲ上に乗り上げた場合に発生し得る。

また、プロセッサ１６４は、温度データから特定される測定器１００Ａの周囲の温度が温度の閾値よりも高い場合には、第４の信号を制御部ＭＣに無線送信する。制御部ＭＣは、第４の信号を受信すると、測定器１００Ａの回収のための制御を行う。なお、第４の信号に関連する異常は、測定器１００Ａが搬入されたチャンバを提供するプロセスモジュールの異常により発生し得る。

また、プロセッサ１６４は、湿度データから特定される測定器１００Ａの周囲の湿度が湿度の閾値よりも高い場合には、第５の信号を制御部ＭＣに無線送信する。制御部ＭＣは、第５の信号を受信すると、脱水シーケンスを実行する。脱水シーケンスは、例えば、排気により実現され得る。なお、第５の信号に関連する異常は、容器４ａ〜４ｄ、ローダモジュールＬＭ、ロードロックモジュールＬＬ１、又は、ロードロックモジュールＬＬ１における吸湿により発生し得る。

また、プロセッサ１６４は、圧力データから特定される測定器１００Ａの周囲の圧力が圧力の閾値よりも高い場合には、第６の信号を制御部ＭＣに無線送信する。制御部ＭＣは、第６の信号を受信すると、排気処理、パージ処理、又は、測定器１００Ａの回収のための制御を実行する。なお、第６の信号に関連する異常は、ロードロックモジュールＬＬ１の予備減圧室、ロードロックモジュールＬＬ２の予備減圧室、トランスファーモジュールの減圧室、又は、プロセスモジュールのチャンバの減圧の不足により発生し得る。また、第６の信号に関連する異常は、プロセスモジュールのチャンバ内にガスが残留している場合に発生し得る。

一実施形態において、方法ＭＴは、上述した異常検出処理を更に含み得る。異常検出処理は、工程ＳＴ３の実行後に図１に示す二重線間の二つの処理の流れと並列的に実行され得る。この異常検出処理では上述した第１〜第６の信号の送信のために、測定器１００Ａと制御部ＭＣとが無線通信可能な状態であることが必要である。このために、容器４ａ〜４ｄ、ローダモジュールＬＭ、ロードロックモジュールＬＬ１、ロードロックモジュールＬＬ２、及び、トランスファーモジュールＴＦの各々は、電波を透過可能な窓領域を有し得る。或いは、容器４ａ〜４ｄそれぞれの内部空間、ローダモジュールＬＭの搬送空間、ロードロックモジュールＬＬ１の予備減圧室、ロードロックモジュールＬＬ２の予備減圧室、及び、トランスファーモジュールＴＦの減圧室の各々は、電波を透過可能な窓領域に連通している。測定器１００Ａは、容器４ａ〜４ｄそれぞれの内部空間、ローダモジュールＬＭの搬送空間、ロードロックモジュールＬＬ１の予備減圧室、ロードロックモジュールＬＬ２の予備減圧室、及び、トランスファーモジュールＴＦの減圧室の何れに配置されていても、上記窓領域を介して、制御部ＭＣと無線通信することが可能である。また、プロセスモジュールとトランスファーモジュールＴＦとの間のゲートバルブが開かれていれば、測定器１００Ａは、当該プロセスモジュールのチャンバ内に配置されていても、上記窓領域を介して、制御部ＭＣと無線通信することが可能である。

なお、異常検出処理では、上述した全ての異常のうち少なくとも一つの異常が検出されればよい。したがって、測定器１００Ａは、加速度センサ１７１、温度センサ１７２、湿度センサ１７３、及び、圧力センサ１７４のうち、異常の検出に必要なセンサのみを有していてもよい。

以上、種々の実施形態について説明してきたが、上述した実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。例えば、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６の例として、プラズマ処理装置を例示したが、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６は、静電チャック及びフォーカスリングを利用するものであれば、任意の処理装置であることができる。また、上述したプラズマ処理装置１０は、容量結合型のプラズマ処理装置であったが、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６として利用可能なプラズマ処理装置は、誘導結合型のプラズマ処理装置、マイクロ波といった表面波を利用するプラズマ処理装置のように、任意のプラズマ処理装置であり得る。

１…処理システム、ＬＭ…ローダモジュール、ＡＮ…アライナ、ＬＬ１，ＬＬ２…ロードロックモジュール、ＴＦ…トランスファーモジュール、ＴＵ１，ＴＵ２…搬送装置、ＰＭ１〜ＰＭ６…プロセスモジュール、ＭＣ…制御部、１０…プラズマ処理装置、１２…チャンバ本体、３０…上部電極、４０…ガスソース群、５０…排気装置、６２…第１の高周波電源、６４…第２の高周波電源、ＰＤ…載置台、ＬＥ…下部電極、ＥＳＣ…静電チャック、ＦＲ…フォーカスリング、Ｐ１…第１部分、Ｐ２…第２部分、１００…測定器、１０２…ベース基板、１０４…センサ部、１０４Ａ〜１０４Ｈ…センサ部、１０４ｆ…前側端面、１４１…電極、１４１ａ…第１部分、１４２…電極、１４２ａ…第２部分、１４３…電極、１４３ｆ…前面、１０６…回路基板、１０８，１０８Ａ〜１０８Ｈ…配線群、１６１…高周波発振器、１６２…Ｃ／Ｖ変換回路、１６２Ａ〜１６２Ｈ…Ｃ／Ｖ変換回路、１６３…Ａ／Ｄ変換器、１６４…プロセッサ、１６５…記憶装置、１６７…電源、ＧＬ…グランド電位線。

Claims (5)

1. 処理システムの搬送装置によってチャンバ内に搬送される測定器とフォーカスリングとの間の静電容量を表すデータを取得する方法であって、
   前記処理システムは、
   前記チャンバを提供するチャンバ本体、及び、前記チャンバ内に設けられており、その上に前記測定器が載置される載置台を有するプロセスモジュールと、
   前記搬送装置と、
   前記搬送装置を制御する制御部と、
   を備え、
   前記測定器は、
   円盤形状を有するベース基板と、
   前記ベース基板のエッジに沿って配列された複数のセンサ部と、
   前記ベース基板上に搭載された回路基板と、
   を備え、
   前記複数のセンサ部の各々は、前記ベース基板のエッジに沿って延びる前面を有するセンサ電極を有し、
   前記回路基板は、
   高周波信号を発生する高周波発振器であり、前記複数のセンサ部の各々の前記センサ電極に電気的に接続された該高周波発振器と、
   各々が前記複数のセンサ部のうち対応のセンサ部の前記センサ電極における電圧振幅を、静電容量を表す電圧信号に変換する複数のＣ／Ｖ変換回路と、
   前記複数のＣ／Ｖ変換回路の各々から出力される前記電圧信号をデジタル値に変換するＡ／Ｄ変換器と、
   前記Ａ／Ｄ変換器に接続されたプロセッサと、
   前記プロセッサに接続された記憶装置と、
   前記記憶装置に記憶されたデータを無線送信するための通信装置と、
   前記プロセッサ、前記高周波発振器、及び、前記通信装置に電力を供給する電源と、
   を有し、
   該方法は、
   前記プロセッサが、予め設定された時間間隔で、一以上の第１のデータセットを取得する工程であり、該一以上のデータセットの各々は、前記複数のセンサ部に含まれる一以上のセンサ部のうち対応のセンサ部の静電容量を表すデジタル値を第１のサンプリング周期で取得することにより得られる複数のデジタル値を含む、該工程と、
   前記載置台上でフォーカスリングによって囲まれた領域に前記搬送装置によって前記測定器を搬送する工程と、
   前記一以上の第１のデータセットの各々に含まれる前記複数のデジタル値のうち一以上又は前記一以上の第１のデータセットの各々に含まれる前記複数のデジタル値の平均値が第１の閾値以上になったことに応答して、前記プロセッサが、測定期間において、複数の第２のデータセットを取得する工程であり、該複数の第２のデータセットの各々は、前記複数のセンサ部のうち対応のセンサ部の静電容量を表すデジタル値を前記測定期間内において第２のサンプリング周期で取得することにより得られる複数のデジタル値を含む、該工程と、
   前記プロセッサが、測定データを前記記憶装置に記憶させる工程であり、該測定データは、前記複数の第２のデータセット、又は、前記複数の第２のデータセットの各々に含まれる前記複数のデジタル値の平均値を求めることにより得られる複数の平均値を含む、該工程と、
   前記搬送装置によって、前記チャンバから前記測定器を搬出する工程と、
   を含む方法。
2. 前記測定期間の終了後に、前記プロセッサが、予め設定された時間間隔で、一以上の第３のデータセットを取得する工程であり、該一以上のデータセットの各々は、前記複数のセンサ部に含まれる一以上のセンサ部のうち対応のセンサ部の静電容量を表すデジタル値を第３のサンプリング周期で取得することにより得られる複数のデジタル値を含む、該工程と、
   前記一以上の第３のデータセットの各々に含まれる前記複数のデジタル値のうち一以上又は前記一以上の第３のデータセットの各々に含まれる前記複数のデジタル値の平均値が第２の閾値以上になったことに応答して、前記プロセッサが、前記通信装置に前記測定データを無線送信させる工程と、
   を更に含む請求項１に記載の方法。
3. 前記一以上の第１のデータセットが取得される期間と、次に前記一以上の第１のデータセットが取得される期間との間において、前記電源からの前記高周波発振器への電力供給が停止される、請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記一以上の第３のデータセットが取得される期間と、次に前記一以上の第３のデータセットが取得される期間との間において、前記電源からの前記高周波発振器への電力供給が停止される、請求項１〜３の何れか一項に記載の方法。
5. 前記測定器を搬送する前記工程において、前記制御部は、予め設定された座標情報で特定される搬送先位置に前記測定器を搬送するよう、前記搬送装置を制御し、
   前記制御部が、前記測定データから特定される、前記フォーカスリングと前記測定器のエッジとの間の間隔の周方向における差が低減されるよう、前記座標情報を補正する工程を更に含む、
   請求項１〜４の何れか一項に記載の方法。

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