KR102675477B1 - 반송 방법 및 반송 시스템 - Google Patents

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Abstract

예시적 실시형태에 관한 반송 방법은, 반송 장치에 의하여 포커스 링을 스테이지 상에 반송하는 스텝과, 반송된 포커스 링의 내측 영역 및 정전 척 상에 측정기를 반송하는 스텝과, 반송된 측정기에 의하여 측정값군을 취득하는 스텝과, 측정값군에 근거하여, 제1 어긋남량 및 제2 어긋남량을 구하는 스텝과, 제1 어긋남량 및 제2 어긋남량에 근거하여, 정전 척의 중심 위치에 대한 포커스 링의 중심 위치의 어긋남량인 제3 어긋남량을 구하는 스텝과, 제3 어긋남량에 근거하여, 정전 척의 중심 위치와 포커스 링의 중심 위치가 일치하도록 포커스 링의 반송 위치를 반송 장치에 의하여 조정하는 스텝을 포함한다.

Description

반송 방법 및 반송 시스템{TRANSFER METHOD AND TRANSFER SYSTEM}
본 개시의 예시적 실시형태는, 반송 방법 및 반송 시스템에 관한 것이다.
일본 특허공개공보 2006-196691호에는, 반도체 제조장치가 기재되어 있다. 이 장치는, 기판 처리실과, 포커스 링 대기실과, 반송 기구를 구비하고 있다. 기판 처리실의 내측에는, 전극이 배치되어 있다. 전극 상에는 기판이 재치된다. 포커스 링 대기실은, 복수의 포커스 링을 수용한다. 반송 기구는, 기판 처리실 내를 대기(大氣) 개방시키지 않고, 포커스 링 대기(待機)실에 수용된 포커스 링을 기판 처리실에 반송한다. 포커스 링은, 전극에 재치된 기판의 주위를 둘러싸도록 배치된다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서는, 반송 방법이 제공된다. 반송 방법은, 포커스 링의 반송 시스템에 있어서의 반송 방법이며, 반송 시스템은, 처리 시스템과 측정기를 포함한다. 처리 시스템은, 처리 장치와 반송 장치를 포함한다. 처리 장치는, 챔버 본체, 및 상기 챔버 본체에 의하여 제공되는 챔버 내에 마련된, 정전 척을 포함하는 스테이지를 갖는다. 반송 장치는, 스테이지 상에 배치된 포커스 링에 의하여 둘러싸인 내측 영역 및 정전 척 상에, 피가공물을 반송 위치 데이터에 근거하여 반송한다. 측정기는, 내측 영역 및 정전 척 상에 상기 측정기가 위치하고 있는 상태에서, 포커스 링의 중심 위치에 대한 측정기의 중심 위치의 어긋남량인 제1 어긋남량, 및 정전 척의 중심 위치에 대한 측정기의 중심 위치의 어긋남량인 제2 어긋남량을 구하기 위한 측정값군을 취득하는 센서를 구비한다. 상기 방법은, 반송 장치에 의하여 포커스 링을 스테이지 상에 반송하는 스텝과, 반송된 포커스 링의 내측 영역 및 정전 척 상에, 측정기를 반송 장치에 의하여 반송하는 스텝과, 반송된 측정기에 의하여 측정값군을 취득하는 스텝과, 측정값군에 근거하여, 제1 어긋남량 및 제2 어긋남량을 구하는 스텝과, 제1 어긋남량 및 제2 어긋남량에 근거하여, 정전 척의 중심 위치에 대한 포커스 링의 중심 위치의 어긋남량인 제3 어긋남량을 구하는 스텝과, 제3 어긋남량에 근거하여, 정전 척의 중심 위치와 포커스 링의 중심 위치가 일치하도록 포커스 링의 반송 위치를 반송 장치에 의하여 조정하는 스텝을 포함한다.
도 1은, 처리 시스템을 예시하는 도이다.
도 2는, 얼라이너를 예시하는 사시도이다.
도 3은, 플라즈마 처리 장치의 일례를 나타내는 도이다.
도 4는, 일례의 측정기를 상면측에서 보아 나타내는 평면도이다.
도 5는, 일례의 측정기를 바닥면측에서 보아 나타내는 평면도이다.
도 6은, 제1 센서의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 7은, 도 6의 VII-VII선을 따라 취한 단면도이다.
도 8은, 도 5의 제2 센서의 확대도이다.
도 9는, 측정기의 회로 기판의 구성을 예시하는 도이다.
도 10은, 포커스 링과 측정기와의 위치 관계의 일례를 모식적으로 나타내는 도이다.
도 11은, 정전 척을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 12는, 정전 척과 측정기와의 위치 관계의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 13은, 오버랩 길이와 측정값과의 관계의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 14는, 정전 척과 측정기와의 위치 관계의 일례를 모식적으로 나타내는 도이다.
도 15는, 정전 척, 포커스 링 및 측정기의 위치 관계의 일례를 모식적으로 나타내는 도이다.
도 16은, 포커스 링을 반송하는 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.
이하, 다양한 예시적 실시형태에 대하여 설명한다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서는, 반송 방법이 제공된다. 반송 방법은, 포커스 링의 반송 시스템에 있어서의 반송 방법이며, 반송 시스템은, 처리 시스템과 측정기를 포함한다. 처리 시스템은, 처리 장치와 반송 장치를 포함한다. 처리 장치는, 챔버 본체, 및 그 챔버 본체에 의하여 제공되는 챔버 내에 마련된, 정전 척을 포함하는 스테이지를 갖는다. 반송 장치는, 스테이지 상에 배치된 포커스 링에 의하여 둘러싸인 내측 영역 및 정전 척 상에, 피가공물을 반송 위치 데이터에 근거하여 반송한다. 측정기는, 내측 영역 및 정전 척 상에 그 측정기가 위치하고 있는 상태에서, 제1 어긋남량 및 제2 어긋남량을 구하기 위한 측정값군을 취득하는 센서를 구비한다. 제1 어긋남량은, 포커스 링의 중심 위치에 대한 측정기의 중심 위치의 어긋남량이다. 제2 어긋남량은, 정전 척의 중심 위치에 대한 측정기의 중심 위치의 어긋남량이다. 그 방법은, 반송 장치에 의하여 포커스 링을 스테이지 상에 반송하는 스텝을 포함한다. 그 방법은, 반송된 포커스 링의 내측 영역 및 정전 척 상에, 측정기를 반송 장치에 의하여 반송하는 스텝을 포함한다. 그 방법은, 반송된 측정기에 의하여 측정값군을 취득하는 스텝을 포함한다. 그 방법은, 측정값군에 근거하여, 제1 어긋남량 및 제2 어긋남량을 구하는 스텝을 포함한다. 그 방법은, 제1 어긋남량 및 제2 어긋남량에 근거하여, 정전 척의 중심 위치에 대한 포커스 링의 중심 위치의 어긋남량인 제3 어긋남량을 구하는 스텝을 포함한다. 그 방법은, 제3 어긋남량에 근거하여, 정전 척의 중심 위치와 포커스 링의 중심 위치가 일치하도록 포커스 링의 반송 위치를 반송 장치에 의하여 조정하는 스텝을 포함한다.
상기 실시형태의 반송 방법에서는, 스테이지 상에 포커스 링이 반송된 후에, 포커스 링의 내측 영역에 측정기가 반송된다. 측정기는, 제1 어긋남량 및 제2 어긋남량을 구하기 위한 측정값군을 취득한다. 그 방법에서는, 측정값군에 근거하여 구할 수 있는 제1 어긋남량 및 제2 어긋남량으로부터, 정전 척의 중심 위치에 대한 포커스 링의 중심 위치의 어긋남량인 제3 어긋남량을 구한다. 제3 어긋남량에 근거하여, 정전 척의 중심 위치와 포커스 링의 중심 위치가 일치하도록 포커스 링의 반송 위치가 조정된다. 이와 같이, 포커스 링이 스테이지 상에 반송된 후에, 제3 어긋남량에 근거하여 포커스 링의 반송 위치의 조정이 행해짐으로써, 포커스 링을 양호한 정밀도로 반송할 수 있다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 반송 장치는, 챔버 본체에 기밀하게 접속된 공간에 배치되어도 된다. 이 구성에서는, 챔버 본체에 기밀하게 접속된 공간 내에 있어서, 포커스 링(FR)의 반송을 행할 수 있다. 이 경우, 챔버 본체를 대기 개방하는 일 없이, 포커스 링의 반송 및 위치 조정을 행할 수 있다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 제3 어긋남량이 임곗값을 초과하고 있는지 여부를 판정하는 스텝을 가져도 된다. 이 경우, 포커스 링의 반송 위치를 조정하는 스텝에서는, 제3 어긋남량이 임곗값을 초과하고 있을 때 포커스 링의 위치를 조정해도 된다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 포커스 링의 반송 위치를 조정하는 스텝 후에, 반송 위치가 조정된 포커스 링에 있어서의 제3 어긋남량이 임곗값을 초과하고 있는지를 확인하는 스텝을 더 구비해도 된다.
다른 예시적 실시형태에 있어서, 포커스 링을 반송하는 시스템이 제공된다. 시스템은, 처리 시스템과 측정기를 포함한다. 처리 시스템은, 처리 장치와 반송 장치를 포함한다. 처리 장치는, 챔버 본체, 및 그 챔버 본체에 의하여 제공되는 챔버 내에 마련된, 정전 척을 포함하는 스테이지를 갖는다. 반송 장치는, 포커스 링을 스테이지 상에 반송함과 함께, 포커스 링에 의하여 둘러싸인 내측 영역 및 정전 척 상에, 측정기를 반송한다. 측정기는, 내측 영역 및 정전 척 상에 그 측정기가 위치하고 있는 상태에 있어서의 제1 어긋남량 및 제2 어긋남량에 근거하여, 제3 어긋남량을 구한다. 제1 어긋남량은, 포커스 링의 중심 위치에 대한 측정기의 중심 위치의 어긋남량이다. 제2 어긋남량은, 정전 척의 중심 위치에 대한 측정기의 중심 위치의 어긋남량이다. 제3 어긋남량은, 정전 척의 중심 위치에 대한 포커스 링의 중심 위치의 어긋남량이다. 반송 장치는, 제3 어긋남량에 근거하여, 정전 척의 중심 위치와 포커스 링의 중심 위치가 일치하도록 포커스 링의 반송 위치를 조정한다.
이하, 도면을 참조하여 다양한 실시형태에 대하여 상세히 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당한 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이는 것으로 한다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서의 포커스 링(FR)의 반송 시스템(S1)은, 예를 들면 사용에 의하여 소모된 포커스 링(FR)을 새로운 포커스 링(FR)으로 교환하기 위하여, 포커스 링(FR)의 반송을 실행한다. 반송 시스템(S1)은, 처리 시스템(1)과 측정기(100)를 포함한다. 먼저, 피가공물을 처리하기 위한 처리 장치, 및 당해 처리 장치에 피처리체를 반송하기 위한 반송 장치를 갖는 처리 시스템에 대하여 설명한다. 도 1은, 처리 시스템을 예시하는 도이다. 처리 시스템(1)은, 받침대(2a~2d), 용기(4a~4d), 로더 모듈(LM), 얼라이너(AN), 로드 록 모듈(LL1, LL2), 프로세스 모듈(PM1~PM6), 트랜스퍼 모듈(TF), 및 제어부(MC)를 구비하고 있다. 다만, 받침대(2a~2d)의 개수, 용기(4a~4d)의 개수, 로드 록 모듈(LL1, LL2)의 개수, 및 프로세스 모듈(PM1~PM6)의 개수는 한정되는 것은 아니고, 1 이상의 임의의 개수일 수 있다.
받침대(2a~2d)는, 로더 모듈(LM)의 일 가장자리를 따라 배열되어 있다. 용기(4a~4d)는 각각, 받침대(2a~2d) 상에 탑재되어 있다. 용기(4a~4d)의 각각은, 예를 들면 FOUP(Front Opening Unified Pod)라고 칭해지는 용기이다. 용기(4a~4d)의 각각은, 그 안에 피가공물(W)을 수용하도록 구성되어 있다. 피가공물(W)은, 웨이퍼와 같이 대략 원반(圓盤) 형상을 갖는다.
로더 모듈(LM)은, 대기압 상태의 반송 공간을 그 내부에 구획 형성하는 챔버벽을 갖고 있다. 이 반송 공간 내에는 반송 장치(TU1)가 마련되어 있다. 반송 장치(TU1)는, 예를 들면 다관절 로봇이며, 제어부(MC)에 의하여 제어된다. 반송 장치(TU1)는, 용기(4a~4d)와 얼라이너(AN)의 사이, 얼라이너(AN)와 로드 록 모듈(LL1~LL2)의 사이, 로드 록 모듈(LL1~LL2)과 용기(4a~4d)의 사이에서 피가공물(W)을 반송하도록 구성되어 있다.
얼라이너(AN)는, 로더 모듈(LM)과 접속되어 있다. 얼라이너(AN)는, 피가공물(W)의 위치의 조정(위치의 교정)을 행하도록 구성되어 있다. 도 2는, 얼라이너를 예시하는 사시도이다. 얼라이너(AN)는, 지지대(6T), 구동 장치(6D), 및 센서(6S)를 갖고 있다. 지지대(6T)는, 연직 방향으로 뻗은 축선을 중심으로 회전 가능한 받침대이며, 그 위에 피가공물(W)을 지지하도록 구성되어 있다. 지지대(6T)는, 구동 장치(6D)에 의하여 회전된다. 구동 장치(6D)는, 제어부(MC)에 의하여 제어된다. 구동 장치(6D)로부터의 동력에 의하여 지지대(6T)가 회전하면, 당해 지지대(6T) 상에 재치된 피가공물(W)도 회전한다.
센서(6S)는, 광학 센서이며, 피가공물(W)이 회전되고 있는 동안, 피가공물(W)의 에지를 검출한다. 센서(6S)는, 에지의 검출 결과로부터, 기준 각도 위치에 대한 피가공물(W)의 노치(WN)(혹은, 다른 마커)의 각도 위치의 어긋남량, 및 기준 위치에 대한 피가공물(W)의 중심 위치의 어긋남량을 검출한다. 센서(6S)는, 노치(WN)의 각도 위치의 어긋남량 및 피가공물(W)의 중심 위치의 어긋남량을 제어부(MC)에 출력한다. 제어부(MC)는, 노치(WN)의 각도 위치의 어긋남량에 근거하여, 노치(WN)의 각도 위치를 기준 각도 위치로 보정하기 위한 지지대(6T)의 회전량을 산출한다. 제어부(MC)는, 이 회전량 분만큼 지지대(6T)를 회전시키도록, 구동 장치(6D)를 제어한다. 이로써, 노치(WN)의 각도 위치를 기준 각도 위치로 보정할 수 있다. 제어부(MC)는, 얼라이너(AN)로부터 피가공물(W)을 수취할 때의 반송 장치(TU1)의 엔드 이펙터(end effector)의 위치를, 피가공물(W)의 중심 위치의 어긋남량에 근거하여, 제어한다. 이로써, 반송 장치(TU1)의 엔드 이펙터 상의 소정 위치에 피가공물(W)의 중심 위치가 일치한다.
도 1로 되돌아가, 로드 록 모듈(LL1) 및 로드 록 모듈(LL2)의 각각은, 로더 모듈(LM)과 트랜스퍼 모듈(TF)의 사이에 마련되어 있다. 로드 록 모듈(LL1) 및 로드 록 모듈(LL2)의 각각은, 예비 감압실을 제공하고 있다.
트랜스퍼 모듈(TF)은, 로드 록 모듈(LL1) 및 로드 록 모듈(LL2)에 게이트 밸브를 통하여 기밀하게 접속되어 있다. 트랜스퍼 모듈(TF)은, 감압 가능한 감압실을 제공하고 있다. 이 감압실에는, 반송 장치(TU2)가 마련되어 있다. 반송 장치(TU2)는, 예를 들면 반송 암(TUa)을 갖는 다관절 로봇이며, 제어부(MC)에 의하여 제어된다. 반송 장치(TU2)는, 로드 록 모듈(LL1~LL2)과 프로세스 모듈(PM1~PM6)의 사이, 및 프로세스 모듈(PM1~PM6) 중 임의의 2개의 프로세스 모듈 간에 있어서, 피가공물(W)을 반송하도록 구성되어 있다.
프로세스 모듈(PM1~PM6)은, 트랜스퍼 모듈(TF)에 게이트 밸브를 통하여 기밀하게 접속되어 있다. 프로세스 모듈(PM1~PM6)의 각각은, 피가공물(W)에 대하여 플라즈마 처리와 같은 전용의 처리를 행하도록 구성된 처리 장치이다.
이 처리 시스템(1)에 있어서 피가공물(W)의 처리가 행해질 때의 일련의 동작은 이하와 같이 예시된다. 로더 모듈(LM)의 반송 장치(TU1)가, 용기(4a~4d) 중 어느 하나로부터 피가공물(W)을 취출하여, 당해 피가공물(W)을 얼라이너(AN)에 반송한다. 이어서, 반송 장치(TU1)는, 그 위치가 조정된 피가공물(W)을 얼라이너(AN)로부터 취출하여, 당해 피가공물(W)을 로드 록 모듈(LL1) 및 로드 록 모듈(LL2) 중 한쪽의 로드 록 모듈에 반송한다. 이어서, 한쪽의 로드 록 모듈이 예비 감압실의 압력을 소정의 압력으로 감압한다. 이어서, 트랜스퍼 모듈(TF)의 반송 장치(TU2)가, 한쪽의 로드 록 모듈로부터 피가공물(W)을 취출하여, 당해 피가공물(W)을 프로세스 모듈(PM1~PM6) 중 어느 하나에 반송한다. 그리고, 프로세스 모듈(PM1~PM6) 중 1 이상의 프로세스 모듈이 피가공물(W)을 처리한다. 그리고, 반송 장치(TU2)가, 처리 후의 피가공물(W)을 프로세스 모듈로부터 로드 록 모듈(LL1) 및 로드 록 모듈(LL2) 중 한쪽의 로드 록 모듈에 반송한다. 이어서, 반송 장치(TU1)가 피가공물(W)을 한쪽의 로드 록 모듈로부터 용기(4a~4d) 중 어느 하나에 반송한다.
이 처리 시스템(1)은, 상술한 바와 같이 제어부(MC)를 구비하고 있다. 제어부(MC)는, 프로세서, 메모리와 같은 기억 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 통신 장치 등을 구비하는 컴퓨터일 수 있다. 상술한 처리 시스템(1)의 일련의 동작은, 기억 장치에 기억된 프로그램에 따른 제어부(MC)에 의한 처리 시스템(1)의 각부의 제어에 의하여, 실현되게 되어 있다.
도 3은, 프로세스 모듈(PM1~PM6) 중 어느 하나로서 채용될 수 있는 플라즈마 처리 장치의 일례를 나타내는 도이다. 도 3에 나타내는 플라즈마 처리 장치(10)는, 용량 결합형 플라즈마 에칭 장치이다. 플라즈마 처리 장치(10)는, 대략 원통 형상의 챔버 본체(12)를 구비하고 있다. 챔버 본체(12)는, 예를 들면 알루미늄으로 형성되어 있으며, 그 내벽면에는, 양극 산화 처리가 실시될 수 있다. 이 챔버 본체(12)는 보안 접지되어 있다.
챔버 본체(12)의 바닥부 상에는, 대략 원통 형상의 지지부(14)가 마련되어 있다. 지지부(14)는, 예를 들면 절연 재료로 구성되어 있다. 지지부(14)는, 챔버 본체(12) 내에 마련되어 있으며, 챔버 본체(12)의 바닥부로부터 상방으로 연장되어 있다. 또, 챔버 본체(12)에 의하여 제공되는 챔버(S) 내에는, 스테이지(ST)가 마련되어 있다. 스테이지(ST)는, 지지부(14)에 의하여 지지되어 있다.
스테이지(ST)는, 하부 전극(LE) 및 정전 척(ESC)을 갖고 있다. 하부 전극(LE)은, 제1 플레이트(18a) 및 제2 플레이트(18b)를 포함하고 있다. 제1 플레이트(18a) 및 제2 플레이트(18b)는, 예를 들면 알루미늄과 같은 금속으로 구성되어 있으며, 대략 원반 형상을 이루고 있다. 제2 플레이트(18b)는, 제1 플레이트(18a) 상에 마련되어 있고, 제1 플레이트(18a)에 전기적으로 접속되어 있다.
제2 플레이트(18b) 상에는, 정전 척(ESC)이 마련되어 있다. 정전 척(ESC)은, 도전막인 전극을 한 쌍의 절연층 또는 절연 시트 간에 배치한 구조를 갖고 있으며, 대략 원반 형상을 갖고 있다. 정전 척(ESC)의 전극에는, 직류 전원(22)이 스위치(23)를 통하여 전기적으로 접속되어 있다. 이 정전 척(ESC)은, 직류 전원(22)으로부터의 직류 전압에 의하여 발생한 쿨롱력 등의 정전력에 의하여 피가공물(W)을 흡착한다. 이로써, 정전 척(ESC)은, 피가공물(W)을 유지할 수 있다.
제2 플레이트(18b)의 둘레 가장자리(周緣)부 상에는, 포커스 링(FR)이 마련되어 있다. 이 포커스 링(FR)은, 피가공물(W)의 에지 및 정전 척(ESC)을 둘러싸도록 마련되어 있다. 포커스 링(FR)은, 제1 부분(P1) 및 제2 부분(P2)을 갖고 있다(도 7 참조). 제1 부분(P1) 및 제2 부분(P2)은 환 형상 판 형상을 갖고 있다. 제2 부분(P2)은, 제1 부분(P1)보다 외측의 부분이다. 제2 부분(P2)은, 제1 부분(P1)보다 높이 방향으로 큰 두께를 갖고 있다. 제2 부분(P2)의 내측 가장자리(P2i)는 제1 부분(P1)의 내측 가장자리(P1i)의 직경보다 큰 직경을 갖고 있다. 피가공물(W)은, 그 에지 영역이 포커스 링(FR)의 제1 부분(P1) 상에 위치하도록, 정전 척(ESC) 상에 재치된다. 이 포커스 링(FR)은, 실리콘, 탄화 규소, 산화 실리콘과 같은 다양한 재료 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
제2 플레이트(18b)의 내부에는, 냉매 유로(24)가 마련되어 있다. 냉매 유로(24)는, 온도 조절 기구를 구성하고 있다. 냉매 유로(24)에는, 챔버 본체(12)의 외부에 마련된 칠러 유닛으로부터 배관(26a)을 통하여 냉매가 공급된다. 냉매 유로(24)에 공급된 냉매는, 배관(26b)을 통하여 칠러 유닛으로 복귀된다. 이와 같이, 냉매 유로(24)와 칠러 유닛의 사이에서는 냉매가 순환된다. 이 냉매의 온도를 제어함으로써, 정전 척(ESC)에 의하여 지지된 피가공물(W)의 온도가 제어된다.
스테이지(ST)에는, 당해 스테이지(ST)를 관통하는 복수(예를 들면, 3개)의 관통 구멍(25)이 형성되어 있다. 복수의 관통 구멍(25)은, 평면시에 있어서 정전 척(ESC)의 내측에 형성되어 있다. 이들, 각각의 관통 구멍(25)에는, 리프트 핀(25a)이 삽입되어 있다. 또한, 도 3에 있어서는, 한 개의 리프트 핀(25a)이 삽입된 하나의 관통 구멍(25)이 그려져 있다. 리프트 핀(25a)은, 관통 구멍(25) 내에 있어서 상하이동 가능하게 마련되어 있다. 리프트 핀(25a)의 상승에 의하여, 정전 척(ESC) 상에 지지된 피가공물(W)이 상승한다.
스테이지(ST)에는, 평면시에 있어서 정전 척(ESC)보다 외측의 위치에, 당해 스테이지(ST)(하부 전극(LE))를 관통하는 복수(예를 들면, 3개)의 관통 구멍(27)이 형성되어 있다. 이들, 각각의 관통 구멍(27)에는, 리프트 핀(27a)이 삽입되어 있다. 또한, 도 3에 있어서는, 한 개의 리프트 핀(27a)이 삽입된 하나의 관통 구멍(27)이 그려져 있다. 리프트 핀(27a)은, 관통 구멍(27) 내에 있어서 상하이동 가능하게 마련되어 있다. 리프트 핀(27a)의 상승에 의하여, 제2 플레이트(18b) 상에 지지된 포커스 링(FR)이 상승한다.
또, 플라즈마 처리 장치(10)에는, 가스 공급 라인(28)이 마련되어 있다. 가스 공급 라인(28)은, 전열 가스 공급 기구로부터의 전열 가스, 예를 들면 He 가스를, 정전 척(ESC)의 상면과 피가공물(W)의 이면의 사이에 공급한다.
또, 플라즈마 처리 장치(10)는, 상부 전극(30)을 구비하고 있다. 상부 전극(30)은, 스테이지(ST)의 상방에 있어서, 당해 스테이지(ST)와 대면하도록 배치되어 있다. 상부 전극(30)은, 절연성 차폐 부재(32)를 통하여, 챔버 본체(12)의 상부에 지지되어 있다. 상부 전극(30)은, 천장판(34) 및 지지체(36)를 포함할 수 있다. 천장판(34)은 챔버(S)에 접하고 있다. 당해 천장판(34)에는 복수의 가스 토출 구멍(34a)이 마련되어 있다. 이 천장판(34)은, 실리콘 또는 석영으로 형성될 수 있다. 혹은, 천장판(34)은, 알루미늄제의 모재의 표면에 산화 이트륨과 같은 내(耐)플라즈마성의 막을 형성함으로써 구성될 수 있다.
지지체(36)는 천장판(34)을 착탈 가능하게 지지한다. 지지체(36)는, 예를 들면 알루미늄과 같은 도전성 재료로 구성될 수 있다. 이 지지체(36)는 수냉 구조를 가질 수 있다. 지지체(36)의 내부에는, 가스 확산실(36a)이 마련되어 있다. 이 가스 확산실(36a)로부터는, 가스 토출 구멍(34a)에 연통되는 복수의 가스 통류 구멍(36b)이 하방으로 뻗어 있다. 또, 지지체(36)에는, 가스 확산실(36a)에 처리 가스를 유도하는 가스 도입구(36c)가 형성되어 있다. 이 가스 도입구(36c)에는, 가스 공급관(38)이 접속되어 있다.
가스 공급관(38)에는 밸브군(42) 및 유량 제어기군(44)을 통하여, 가스 소스군(40)이 접속되어 있다. 가스 소스군(40)은, 복수 종의 가스용의 복수의 가스 소스를 포함하고 있다. 밸브군(42)은 복수의 밸브를 포함하고 있다. 유량 제어기군(44)은 매스 플로 컨트롤러와 같은 복수의 유량 제어기를 포함하고 있다. 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스는 각각, 밸브군(42)의 대응하는 밸브 및 유량 제어기군(44)의 대응하는 유량 제어기를 통하여, 가스 공급관(38)에 접속되어 있다.
또, 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 챔버 본체(12)의 내벽을 따라 디포지션 실드(46)가 착탈 가능하게 마련되어 있다. 디포지션 실드(46)는, 지지부(14)의 바깥 둘레에도 마련되어 있다. 디포지션 실드(46)는, 챔버 본체(12)에 에칭 부생물(디포지션)이 부착하는 것을 방지한다. 디포지션 실드(46)는, 알루미늄재에 산화 이트륨 등의 세라믹스를 피복함으로써 구성될 수 있다.
챔버 본체(12)의 바닥부측, 또한 지지부(14)와 챔버 본체(12)의 측벽의 사이에는 배기 플레이트(48)가 마련되어 있다. 배기 플레이트(48)는, 예를 들면 알루미늄재에 산화 이트륨 등의 세라믹스를 피복함으로써 구성될 수 있다. 배기 플레이트(48)에는, 그 판두께 방향으로 관통하는 복수의 구멍이 형성되어 있다. 이 배기 플레이트(48)의 하방, 또한 챔버 본체(12)에는, 배기구(12e)가 마련되어 있다. 배기구(12e)에는, 배기관(52)을 통하여 배기 장치(50)가 접속되어 있다. 배기 장치(50)는, 압력 조정 밸브 및 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 갖고 있어, 챔버 본체(12) 내의 공간을 원하는 진공도까지 감압할 수 있다. 또, 챔버 본체(12)의 측벽에는 피가공물(W)의 반입 또는 반출을 위한 개구(12g)가 마련되어 있다. 개구(12g)는 게이트 밸브(54)에 의하여 개폐 가능하게 되어 있다.
또, 플라즈마 처리 장치(10)는, 제1 고주파 전원(62) 및 제2 고주파 전원(64)을 더 구비하고 있다. 제1 고주파 전원(62)은, 플라즈마 생성용의 제1 고주파를 발생시키는 전원이며, 예를 들면 27~100MHz의 주파수를 갖는 고주파를 발생시킨다. 제1 고주파 전원(62)은, 정합기(66)를 통하여 상부 전극(30)에 접속되어 있다. 정합기(66)는, 제1 고주파 전원(62)의 출력 임피던스와 부하측(상부 전극(30)측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖고 있다. 또한, 제1 고주파 전원(62)은, 정합기(66)를 통하여 하부 전극(LE)에 접속되어 있어도 된다.
제2 고주파 전원(64)은, 피가공물(W)에 이온을 인입하기 위한 제2 고주파를 발생시키는 전원이며, 예를 들면 400kHz~13.56MHz의 범위 내의 주파수의 고주파를 발생시킨다. 제2 고주파 전원(64)은, 정합기(68)를 통하여 하부 전극(LE)에 접속되어 있다. 정합기(68)는, 제2 고주파 전원(64)의 출력 임피던스와 부하측(하부 전극(LE)측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖고 있다.
이 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 복수의 가스 소스 중 선택된 1 이상의 가스 소스로부터의 가스가 챔버(S)에 공급된다. 또, 챔버(S)의 압력이 배기 장치(50)에 의하여 소정의 압력으로 설정된다. 또한, 제1 고주파 전원(62)으로부터의 제1 고주파에 의하여, 챔버(S) 내의 가스가 여기된다. 이로써 플라즈마가 생성된다. 그리고, 발생된 활성종에 의하여 피가공물(W)이 처리된다. 또한, 필요에 따라, 제2 고주파 전원(64)의 제2 고주파에 근거하는 바이어스에 의하여, 피가공물(W)에 이온이 인입되어도 된다.
이하, 측정기에 대하여 설명한다. 도 4는, 측정기를 상면측에서 보아 나타내는 평면도이다. 도 5는, 측정기를 바닥면측에서 보아 나타내는 평면도이다. 도 4 및 도 5에 나타내는 측정기(100)는, 베이스 기판(102)을 구비하고 있다. 베이스 기판(102)은, 예를 들면 실리콘으로 형성되어 있으며, 피가공물(W)의 형상과 동일한 형상, 즉 대략 원반 형상을 갖고 있다. 베이스 기판(102)의 직경은, 피가공물(W)의 직경과 동일한 직경이며, 예를 들면 300mm이다. 측정기(100)의 형상 및 치수는, 이 베이스 기판(102)의 형상 및 치수에 의하여 규정된다. 따라서, 측정기(100)는, 피가공물(W)의 형상과 동일한 형상을 갖고, 또한 피가공물(W)의 치수와 동일한 치수를 갖는다. 또, 베이스 기판(102)의 에지에는, 노치(102N)(혹은, 다른 마커)가 형성되어 있다.
베이스 기판(102)에는, 정전 용량 측정용의 복수의 제1 센서(104A~104C)가 마련되어 있다. 복수의 제1 센서(104A~104C)는, 베이스 기판(102)의 에지를 따라, 예를 들면 당해 에지의 전체 둘레에 있어서, 등간격으로 배열되어 있다. 구체적으로는, 복수의 제1 센서(104A~104C)의 각각은, 베이스 기판(102)의 상면측의 에지를 따르도록 마련되어 있다. 복수의 제1 센서(104A~104C)의 각각의 전측(前側) 단면은, 베이스 기판(102)의 측면을 따르고 있다.
또, 베이스 기판(102)에는, 정전 용량 측정용의 복수의 제2 센서(105A~105C)가 마련되어 있다. 복수의 제2 센서(105A~105C)는, 베이스 기판(102)의 에지를 따라, 예를 들면 당해 에지의 전체 둘레에 있어서, 등간격으로 배열되어 있다. 구체적으로는, 복수의 제2 센서(105A~105C)의 각각은, 베이스 기판의 바닥면측의 에지를 따르도록 마련되어 있다. 복수의 제2 센서(105A~105C)의 각각의 센서 전극(161)은, 베이스 기판(102)의 바닥면을 따르고 있다. 또, 제2 센서(105A~105C)와 제1 센서(104A~104C)는, 원주 방향에 있어서 60°간격으로 교대로 배열되어 있다.
베이스 기판(102)의 상면의 중앙에는, 회로 기판(106)이 마련되어 있다. 회로 기판(106)과 복수의 제1 센서(104A~104C)의 사이에는, 서로를 전기적으로 접속하기 위한 배선군(108A~108C)이 마련되어 있다. 또, 회로 기판(106)과 복수의 제2 센서(105A~105C)의 사이에는, 서로를 전기적으로 접속하기 위한 배선군(208A~208C)이 마련되어 있다. 회로 기판(106), 배선군(108A~108C), 및 배선군(208A~208C)은, 커버(103)에 의하여 덮여 있다.
이하, 제1 센서에 대하여 상세히 설명한다. 도 6은, 센서의 일례를 나타내는 사시도이다. 도 7은, 도 6의 VII-VII선을 따라 취한 단면도이다. 도 6, 도 7에 나타내는 제1 센서(104)는, 측정기(100)의 복수의 제1 센서(104A~104C)로서 이용되는 센서이며, 일례에서는, 칩 모양의 부품으로서 구성되어 있다. 또한, 이하의 설명에서는, XYZ 직교 좌표계를 적절히 참조한다. X방향은, 제1 센서(104)의 전(前)방향을 나타내고 있고, Y방향은, X방향에 직교하는 일 방향이며 제1 센서(104)의 폭방향을 나타내고 있고, Z방향은, X방향 및 Y방향에 직교하는 방향이며 제1 센서(104)의 상방향을 나타내고 있다. 도 7에는, 제1 센서(104)와 함께 포커스 링(FR)이 나타나 있다.
제1 센서(104)는, 전극(141), 가드 전극(142), 센서 전극(143), 기판부(144) 및 절연 영역(147)을 갖고 있다.
기판부(144)는, 예를 들면 붕규산 유리 또는 석영으로 형성되어 있다. 기판부(144)는, 상면(144a), 하면(144b), 및 전측 단면(144c)을 갖고 있다. 가드 전극(142)은, 기판부(144)의 하면(144b)의 하방에 마련되어 있고, X방향 및 Y방향으로 연장되어 있다. 또, 전극(141)은, 절연 영역(147)을 통하여 가드 전극(142)의 하방에 마련되어 있고, X방향 및 Y방향으로 연장되어 있다. 절연 영역(147)은, 예를 들면, SiO2, SiN, Al2O3, 또는, 폴리이미드로 형성되어 있다.
기판부(144)의 전측 단면(144c)은, 단(段) 모양으로 형성되어 있다. 전측 단면(144c)의 하측 부분(144d)은, 당해 전측 단면(144c)의 상측 부분(144u)보다 포커스 링(FR)의 측을 향하여 돌출되어 있다. 센서 전극(143)은, 전측 단면(144c)의 상측 부분(144u)을 따라 연장되어 있다. 하나의 예시적 실시형태에서는, 전측 단면(144c)의 상측 부분(144u) 및 하측 부분(144d)은, 각각 소정의 곡률을 가진 곡면으로 되어 있다. 즉, 전측 단면(144c)의 상측 부분(144u)은, 당해 상측 부분(144u)의 임의의 위치에서 일정한 곡률을 하고 있고, 당해 상측 부분(144u)의 곡률은, 측정기(100)의 중심축선(AX100)과 전측 단면(144c)의 상측 부분(144u)의 사이의 거리의 역수이다. 또, 전측 단면(144c)의 하측 부분(144d)은, 당해 하측 부분(144d)의 임의의 위치에서 일정한 곡률을 하고 있고, 당해 하측 부분(144d)의 곡률은, 측정기(100)의 중심축선(AX100)과 전측 단면(144c)의 하측 부분(144d)의 사이의 거리의 역수이다.
센서 전극(143)은, 전측 단면(144c)의 상측 부분(144u)을 따라 마련되어 있다. 하나의 예시적 실시형태에서는, 이 센서 전극(143)의 전면(前面)(143f)도 곡면으로 되어 있다. 즉, 센서 전극(143)의 전면(143f)은, 당해 전면(143f)의 임의의 위치에서 일정한 곡률을 갖고 있고, 당해 곡률은, 측정기(100)의 중심축선(AX100)과 전면(143f)의 사이의 거리의 역수이다.
이 제1 센서(104)를 측정기(100)의 센서로서 이용하는 경우에는, 후술과 같이 전극(141)이 배선(181)에 접속되고, 가드 전극(142)이 배선(182)에 접속되며, 센서 전극(143)이 배선(183)에 접속된다.
제1 센서(104)에 있어서는, 센서 전극(143)이, 전극(141) 및 가드 전극(142)에 의하여, 제1 센서(104)의 하방에 대하여 차폐되어 있다. 따라서, 이 제1 센서(104)에 의하면, 특정 방향, 즉, 센서 전극(143)의 전면(143f)이 향하고 있는 방향(X방향)에 높은 지향성을 갖고 정전 용량을 측정하는 것이 가능해진다.
이하, 제2 센서에 대하여 상세히 설명한다. 도 8은, 도 5의 부분 확대도이며, 하나의 제2 센서를 나타낸다. 센서 전극(161)의 에지는 부분적으로 원호 형상을 이루고 있다. 즉, 센서 전극(161)은, 중심축선(AX100)을 중심으로 한 다른 반경을 갖는 2개의 원호인 내측 가장자리(제2 에지)(161a) 및 외측 가장자리(제1 에지)(161b)에 의하여 규정되는 평면 형상을 갖고 있다. 복수의 제2 센서(105A~105C) 각각의 센서 전극(161)에 있어서의 직경 방향 외측의 외측 가장자리(161b)는, 공통되는 원 상에서 연장된다. 또, 복수의 제2 센서(105A~105C) 각각의 센서 전극(161)에 있어서의 직경 방향 내측의 내측 가장자리(161a)는, 다른 공통되는 원 상에서 연장된다. 센서 전극(161)의 에지의 일부의 곡률은, 정전 척(ESC)의 에지의 곡률에 일치하고 있다. 하나의 예시적 실시형태에서는, 센서 전극(161)에 있어서의 직경 방향 외측의 에지를 형성하는 외측 가장자리(161b)의 곡률이, 정전 척(ESC)의 에지의 곡률에 일치하고 있다. 또한, 외측 가장자리(161b)의 곡률 중심, 즉, 외측 가장자리(161b)가 그 위에서 연장되는 원의 중심은 중심축선(AX100)을 공유하고 있다.
하나의 예시적 실시형태에서는, 제2 센서(105A~105C)의 각각은, 센서 전극(161)을 둘러싸는 가드 전극(162)을 더 포함하고 있다. 가드 전극(162)은, 프레임 모양을 이루고 있고, 센서 전극(161)을 그 전체 둘레에 걸쳐서 둘러싸고 있다. 가드 전극(162)과 센서 전극(161)은, 그들 사이에 절연 영역(164)이 개재하도록, 서로 이격되어 있다. 또, 하나의 예시적 실시형태에서는, 제2 센서(105A~105C)의 각각은, 가드 전극(162)의 외측에서 당해 가드 전극(162)을 둘러싸는 전극(163)을 더 포함하고 있다. 전극(163)은, 프레임 모양을 이루고 있고, 가드 전극(162)을 그 전체 둘레에 걸쳐서 둘러싸고 있다. 가드 전극(162)과 전극(163)은, 그들 사이에 절연 영역(165)이 개재하도록 서로 이격되어 있다.
이하, 회로 기판(106)의 구성에 대하여 설명한다. 도 9는, 측정기의 회로 기판의 구성을 예시하는 도이다. 회로 기판(106)은, 고주파 발진기(171), 복수의 C/V 변환 회로(172A~172C), 복수의 C/V 변환 회로(272A~272C), A/D 변환기(173), 프로세서(연산부)(174), 기억장치(175), 통신 장치(176), 및 전원(177)을 갖고 있다.
복수의 제1 센서(104A~104C)의 각각은, 복수의 배선군(108A~108C) 중 대응하는 배선군을 통하여 회로 기판(106)에 접속되어 있다. 또, 복수의 제1 센서(104A~104C)의 각각은, 대응하는 배선군에 포함되는 몇 개의 배선을 통하여, 복수의 C/V 변환 회로(172A~172C) 중 대응하는 C/V 변환 회로에 접속되어 있다. 복수의 제2 센서(105A~105C)의 각각은, 복수의 배선군(208A~208C) 중 대응하는 배선군을 통하여 회로 기판(106)에 접속되어 있다. 또, 복수의 제2 센서(105A~105C)의 각각은, 대응하는 배선군에 포함되는 몇 개의 배선을 통하여, 복수의 C/V 변환 회로(272A~272C) 중 대응하는 C/V 변환 회로에 접속되어 있다. 이하, 복수의 제1 센서(104A~104C)의 각각과 동일 구성인 하나의 제1 센서(104)에 대하여 설명한다. 마찬가지로, 복수의 배선군(108A~108C)의 각각과 동일 구성인 하나의 배선군(108)에 대하여 설명한다. 복수의 C/V 변환 회로(172A~172C)의 각각과 동일 구성인 하나의 C/V 변환 회로(172)에 대하여 설명한다. 복수의 제2 센서(105A~105C)의 각각과 동일 구성인 하나의 제2 센서(105)에 대하여 설명한다. 복수의 배선군(208A~208C)의 각각과 동일 구성인 하나의 배선군(208)에 대하여 설명한다. 복수의 C/V 변환 회로(272A~272C)의 각각과 동일 구성인 C/V 변환 회로(272)에 대하여 설명한다.
배선군(108)은, 배선(181~183)을 포함하고 있다. 배선(181)의 일단은, 전극(141)에 접속된 패드(151)에 접속되어 있다. 이 배선(181)은, 회로 기판(106)의 그라운드(G)에 접속된 그라운드 전위선(GL)에 접속되어 있다. 또한, 배선(181)은, 그라운드 전위선(GL)에 스위치(SWG)를 통하여 접속되어 있어도 된다. 또, 배선(182)의 일단은, 가드 전극(142)에 접속된 패드(152)에 접속되어 있으며, 배선(182)의 타단은 C/V 변환 회로(172)에 접속되어 있다. 또, 배선(183)의 일단은, 센서 전극(143)에 접속된 패드(153)에 접속되어 있으며, 배선(183)의 타단은 C/V 변환 회로(172)에 접속되어 있다.
배선군(208)은, 배선(281~283)을 포함하고 있다. 배선(281)의 일단은, 전극(163)에 접속되어 있다. 이 배선(281)은, 회로 기판(106)의 그라운드(G)에 접속된 그라운드 전위선(GL)에 접속되어 있다. 또한, 배선(281)은, 그라운드 전위선(GL)에 스위치(SWG)를 통하여 접속되어 있어도 된다. 또, 배선(282)의 일단은, 가드 전극(162)에 접속되어 있고, 배선(282)의 타단은 C/V 변환 회로(272)에 접속되어 있다. 또, 배선(283)의 일단은, 센서 전극(161)에 접속되어 있고, 배선(283)의 타단은 C/V 변환 회로(272)에 접속되어 있다.
고주파 발진기(171)는, 배터리와 같은 전원(177)에 접속되어 있고, 당해 전원(177)으로부터의 전력을 받아 고주파 신호를 발생하도록 구성되어 있다. 또한, 전원(177)은, 프로세서(174), 기억장치(175), 및 통신 장치(176)에도 접속되어 있다. 고주파 발진기(171)는, 복수의 출력선을 갖고 있다. 고주파 발진기(171)는, 발생한 고주파 신호를 복수의 출력선을 통하여, 배선(182) 및 배선(183)과, 배선(282) 및 배선(283)에 부여하도록 되어 있다. 따라서, 고주파 발진기(171)는, 제1 센서(104)의 가드 전극(142) 및 센서 전극(143)에 전기적으로 접속되어 있고, 당해 고주파 발진기(171)로부터의 고주파 신호는, 가드 전극(142) 및 센서 전극(143)에 부여되도록 되어 있다. 또, 고주파 발진기(171)는, 제2 센서(105)의 센서 전극(161) 및 가드 전극(162)에 전기적으로 접속되어 있고, 당해 고주파 발진기(171)로부터의 고주파 신호는, 센서 전극(161) 및 가드 전극(162)에 부여되도록 되어 있다.
C/V 변환 회로(172)의 입력에는 배선(182) 및 배선(183)이 접속되어 있다. 즉, C/V 변환 회로(172)의 입력에는, 제1 센서(104)의 가드 전극(142) 및 센서 전극(143)이 접속되어 있다. 또, C/V 변환 회로(272)의 입력에는, 센서 전극(161) 및 가드 전극(162)이 각각 접속되어 있다. C/V 변환 회로(172) 및 C/V 변환 회로(272)는, 그 입력에 있어서의 전위차에 따른 진폭을 갖는 전압 신호를 생성하고, 당해 전압 신호를 출력하도록 구성되어 있다. 또한, C/V 변환 회로(172)에 접속된 센서 전극의 정전 용량이 클수록, 당해 C/V 변환 회로(172)가 출력하는 전압 신호의 전압의 크기는 커진다. 마찬가지로, C/V 변환 회로(272)에 접속된 센서 전극의 정전 용량이 클수록, 당해 C/V 변환 회로(272)가 출력하는 전압 신호의 전압의 크기는 커진다. 고주파 발진기(171)와 배선(282) 및 배선(283)과 C/V 변환 회로(272)는, 고주파 발진기(171)와 배선(182) 및 배선(183)과 C/V 변환 회로(172)와 동일하게 접속되어 있다.
A/D 변환기(173)의 입력에는, C/V 변환 회로(172) 및 C/V 변환 회로(272)의 출력이 접속되어 있다. 또, A/D 변환기(173)는, 프로세서(174)에 접속되어 있다. A/D 변환기(173)는, 프로세서(174)로부터의 제어 신호에 의하여 제어되고, C/V 변환 회로(172)의 출력 신호(전압 신호) 및 C/V 변환 회로(272)의 출력 신호(전압 신호)를, 디지털 값으로 변환하여, 검출값으로서 프로세서(174)에 출력한다.
프로세서(174)에는 기억 장치(175)가 접속되어 있다. 기억 장치(175)는, 휘발성 메모리와 같은 기억 장치이며, 후술하는 측정 데이터를 기억하도록 구성되어 있다. 또, 프로세서(174)에는, 다른 기억 장치(178)가 접속되어 있다. 기억 장치(178)는, 불휘발성 메모리와 같은 기억 장치이며, 프로세서(174)에 의하여 읽어 들여져 실행되는 프로그램이 기억되어 있다.
통신 장치(176)는, 임의의 무선 통신 규격에 준거한 통신 장치이다. 예를 들면, 통신 장치(176)는, 블루투스(Bluetooth)(등록상표)에 준거하고 있다. 통신 장치(176)는, 기억 장치(175)에 기억되어 있는 측정 데이터를 무선 송신하도록 구성되어 있다.
프로세서(174)는, 상술한 프로그램을 실행함으로써, 측정기(100)의 각부를 제어하도록 구성되어 있다. 예를 들면, 프로세서(174)는, 가드 전극(142), 센서 전극(143), 센서 전극(161), 및 가드 전극(162)에 대한 고주파 발진기(171)로부터의 고주파 신호의 공급을 제어하도록 되어 있다. 또, 프로세서(174)는, 기억장치(175)에 대한 전원(177)으로부터의 전력 공급, 통신 장치(176)에 대한 전원(177)으로부터의 전력 공급 등을 제어하도록 되어 있다. 또한, 프로세서(174)는, 상술한 프로그램을 실행함으로써, A/D 변환기(173)로부터 입력된 검출값에 근거하여, 제1 센서(104)의 측정값 및 제2 센서(105)의 측정값을 취득한다.
이상 설명한 측정기(100)에서는, 측정기(100)가 포커스 링(FR)에 의하여 둘러싸인 영역에 배치되어 있는 상태에 있어서, 복수의 센서 전극(143) 및 가드 전극(142)은 포커스 링(FR)의 내측 가장자리와 대면한다. 이들 센서 전극(143)의 신호와 가드 전극(142)의 신호의 전위차에 근거하여 생성되는 측정값은, 복수의 센서 전극(143) 각각과 포커스 링의 사이의 거리를 반영하는 정전 용량을 나타내고 있다. 또한, 정전 용량(C)은, C=εS/d로 나타난다. ε는 센서 전극(143)의 전면(143f)과 포커스 링(FR)의 내측 가장자리의 사이의 매질의 유전율이고, S는 센서 전극(143)의 전면(143f)의 면적이며, d는 센서 전극(143)의 전면(143f)과 포커스 링(FR)의 내측 가장자리의 사이의 거리라고 볼 수 있다. 따라서, 측정기(100)에 의하면, 피가공물(W)을 본뜬 당해 측정기(100)와 포커스 링(FR)과의 상대적인 위치 관계를 반영하는 측정 데이터가 얻어진다. 예를 들면, 측정기(100)에 의하여 취득되는 복수의 측정값은, 센서 전극(143)의 전면(143f)과 포커스 링(FR)의 내측 가장자리의 사이의 거리가 커질수록, 작아진다.
또, 측정기(100)가 정전 척(ESC)에 재치되어 있는 상태에서는, 복수의 센서 전극(161)은 정전 척(ESC)과 대면한다. 하나의 센서 전극(161)에 대하여 생각하면, 센서 전극(161)이 정전 척(ESC)에 대하여 직경 방향의 외측으로 어긋난 경우, 센서 전극(161)에 의하여 측정되는 정전 용량은, 소정의 반송 위치에 측정기(100)가 반송된 경우의 정전 용량에 비하여 작아진다. 또, 센서 전극(161)이 정전 척(ESC)에 대하여 직경 방향의 내측으로 어긋난 경우, 센서 전극(161)에 의하여 측정되는 정전 용량은, 소정의 반송 위치에 측정기(100)가 반송된 경우의 정전 용량에 비해 커진다.
이하, 포커스 링(FR)에 의하여 둘러싸인 영역의 중심 위치(중심축선(AXF))에 대한, 그 영역 내에 배치된 측정기(100)의 중심 위치(중심축선(AX100))의 어긋남량인 제1 어긋남량을 구하는 방법에 대하여 설명한다.
도 10은, 포커스 링(FR)과 포커스 링(FR)의 내측에 배치된 측정기(100)와의 위치 관계를 모식적으로 나타낸다. 도 10에서는, 포커스 링(FR)의 내주와 측정기(100)의 에지가 나타나 있다. 또, 도 10에서는, 포커스 링(FR)의 중심축선(AXF)을 원점으로 하는 X축 및 Y축에 의한 직교 좌표계와, 측정기(100)의 중심축선(AX100)을 원점으로 하는 X'축 및 Y'축에 의한 직교 좌표계가 나타나 있다. 도시예에서는, Y'축이 제1 센서(104A)를 통과하도록 설정되어 있다.
도시되는 바와 같이, 포커스 링(FR)의 중심축선(AXF)과 측정기(100)의 중심축선(AX100)과의 어긋남량은, ΔXa 및 ΔYa에 의하여 나타나 있다. 이하, ΔXa 및 ΔYa의 도출 방법에 대하여 설명한다. 하나의 예시적 실시형태에서는, 3개의 제1 센서(104A, 104B, 104C)가 베이스 기판(102)의 둘레 가장자리에 원주 방향으로 120°간격으로 균등하게 마련되어 있다. 이로써, 복수의 센서 전극(143)으로부터 포커스 링(FR)의 내측 가장자리면까지의 각각의 최단 거리의 합(A)은 일정한 값이 되어 있다. 도시예에서는, 포커스 링(FR)의 내경(Df)은 302mm이며, 측정기(100)의 외경(Dw)은 300mm이다. 제1 센서(104A)로부터 포커스 링(FR)의 내측 가장자리면까지의 최단 거리를 GA라고 한다. 제1 센서(104B)로부터 포커스 링(FR)의 내측 가장자리면까지의 최단 거리를 GB라고 한다. 제1 센서(104C)로부터 포커스 링(FR)의 내측 가장자리면까지의 최단 거리를 GC라고 한다. 이 경우, 이하의 식 (3)이 성립한다.
((Df-Dw)/2)×3=GA+GB+GC=3.00mm …식 (3)
여기에서, 상술한 바와 같이, 정전 용량(C)은 C=εS/d에 의하여 나타나므로, 거리 d는 d=εS/C로 나타난다. "εS"를 상수 a로 두면, 거리 d는 d=a/C가 된다. 거리 d는, 상기 식에 있어서의 GA, GB 및 GC에 대응한다. 제1 센서(104A)에 의한 측정값(정전 용량)을 CA, 제1 센서(104B)에 의한 측정값을 CB, 제1 센서(104C)에 의한 측정값을 CC라고 하면, GA=a/CA, GB=a/CB, GC=a/CC가 성립한다. 즉, 식 (3)은 이하의 식 (4)와 같이 변환된다.
(a/CA)+(a/CB)+(a/CC)=3.00mm … (4)
또한, 식 (4)는 이하의 식 (5)와 같이 일반화할 수 있다. 즉, N개의 제1 센서(104)에 의한 측정값을 Ci(i=1, 2, 3, …, N)라고 하면, 식 (5)가 성립한다. N개의 제1 센서(104)로부터 포커스 링(FR)의 내측 가장자리면까지의 최단 거리의 합(A)이 일정한 값이 되는 경우, 합(A)은, ((Df-Dw)/2)×N에 의하여 산출될 수 있다.
ΔXa 및 ΔYa를 도출하는 경우, 먼저, 제1 센서(104A, 104B, 104C)의 각각의 측정값 CA, CB, CC를 취득한다. 이들 측정값 CA, CB, CC를 상기 식(4)에 대입함으로써, 상수 a를 구할 수 있다. 그리고, 상수 a와 각각의 측정값 CA, CB, CC에 근거하여, 거리 GA, GB, GC가 도출된다.
본 실시형태와 같이, 포커스 링(FR)의 내경(Df)과 측정기(100)의 외경(Dw)과의 차가, 포커스 링(FR)의 내경(Df)에 대하여 충분히 작은 경우, 이하의 식 (6)이 성립한다. 즉, GA의 크기는, Y축 상에 있어서의 포커스 링(FR)의 내주로부터 측정기(100)의 에지까지의 거리(Y1)로서 근사할 수 있다.
GA≒Y1 … (6)
원점(중심축선(AX100))을 중심으로 하여 제1 센서(104A)에 대칭인 위치로부터 포커스 링(FR)의 내주까지의 거리를 GA'라고 하면, 마찬가지로, 이하의 식 (7)이 성립한다. 즉, GA'의 크기는, Y축 상에 있어서의 포커스 링(FR)의 내주로부터 측정기(100)의 에지까지의 거리(Y2)에 근사할 수 있다.
GA'≒Y2 … (7)
여기에서, Y1 및 Y2는, 모두 Y축 상에 있어서의 거리이다. 그 때문에, Y1과 Y2와의 합은, 포커스 링(FR)의 내경(Df)과 측정기(100)의 외경(Dw)과의 차로서 근사할 수 있다. 즉, 식 (6), (7)에 근거하여 이하의 식 (8)이 성립한다.
Y1+Y2≒GA+GA'≒2 … (8)
ΔYa는, Y2와 Y1과의 차의 1/2로서 규정할 수 있으므로, 이하의 식 (9)와 같이 거리 GA로부터 ΔYa가 구해진다.
ΔYa=(Y2-Y1)/2=1-GA … (9)
마찬가지로, X축 상에 있어서, 측정기(100)의 에지로부터 포커스 링(FR)의 내주까지의 거리를 각각 X1, X2라고 하면, 이하의 식 (10)이 성립한다.
X1+X2≒2 … (10)
또, 제1 센서(104B)로부터 포커스 링(FR)까지의 최단 거리(GB)와 제1 센서(104C)로부터 포커스 링(FR)까지의 최단 거리(GC)와의 비는, 이하의 식 (11)과 같이 나타난다.
X1:X2=GB:GC … (11)
여기에서, GC+GB=Z로 두면, 식 (10), (11)로부터 X1, X2는 각각 이하의 식 (12), (13)으로 나타난다.
X1=2GB/Z=2GB/(GC+GB) … (12)
X2=2GC/Z=2GC/(GC+GB) … (13)
따라서, ΔXa는, 이하의 식 (14)로서 규정할 수 있으므로, 거리(GC, GB)로부터 ΔXa가 구해진다.
ΔXa=(X2-X1)/2=(GC-GB)/(GC+GB) … (14)
이상과 같이 하여, 하나의 예시적 실시형태에서는, 포커스 링(FR)의 중심축선(AXF)과 포커스 링(FR)의 내측에 배치된 측정기(100)의 중심축선(AX100)과의 어긋남량인 제1 어긋남량이 구해진다. 제1 어긋남량은, X축을 따른 방향의 어긋남량 ΔXa와, Y축을 따른 방향의 어긋남량 ΔYa로서 산출할 수 있다.
계속하여, 정전 척(ESC)의 중심 위치(중심축선(AXE))와 정전 척(ESC) 상에 배치된 측정기(100)의 중심축선(AX100)과의 어긋남량인 제2 어긋남량을 구하는 방법에 대하여 설명한다.
도 11은, 정전 척의 단면도이며, 정전 척에 피가공물이 재치된 상태를 나타낸다. 하나의 예시적 실시형태에서는, 정전 척(ESC)은, 세라믹제의 본체와, 본체 내에 마련된 전극(E)을 갖는다. 본체는, 원판 형상을 갖고 있고, 정전 척(ESC)의 중심에 대하여 원주 방향으로 연장되는 둘레 가장자리를 갖는다. 전극(E)의 에지는, 원판 형상을 갖고 있고, 본체의 둘레 가장자리보다 내측에서, 정전 척(ESC)의 중심에 대하여 원주 방향으로 연장되어 있다. 정전 척(ESC)은, 피가공물(W) 및 측정기(100)가 그 위에 재치되는 재치 영역(R)을 갖고 있다. 재치 영역(R)은, 원형의 에지를 갖고 있다. 피가공물(W) 및 측정기(100)는, 재치 영역(R)의 외경보다 큰 외경을 갖고 있다.
도 12는, 정전 척의 재치 영역에 대한 측정기의 반송 위치를 나타내는 도이다. 도 12의 (a)는, 측정기(100)의 중심 위치와 정전 척의 중심 위치가 일치하고 있는 경우의 배치를 나타낸다. 도 12의 (b) 및 도 12의 (c)는, 측정기(100)의 중심 위치와 정전 척의 중심 위치가 서로 어긋나 있는 경우의 배치를 나타낸다. 또한, 도 12의 (c)에서는, 포커스 링(FR)과 측정기(100)가 서로 간섭하고 있다. 즉, 실제로는, 도 12의 (c)에 나타내는 배치가 되는 경우는 없다.
도 12의 (a)에 나타내는 바와 같이, 측정기(100)의 중심축선(AX100)과 정전 척(ESC)의 중심축선(AXE)이 일치하고 있는 경우, 센서 전극(161)의 외측 가장자리(161b)(도 8 참조)와 정전 척(ESC)의 외측 가장자리와는 일치하고 있다. 또, 이 경우, 센서 전극(161)의 내측 가장자리(161a)(도 8 참조)와 전극(E)의 외측 가장자리가 일치해도 된다. 즉, 센서 전극(161)의 외측 가장자리(161b)는 중심축선(AX100)을 중심으로 하는 제1 원 상에서 연장되어 있고, 제1 원은 정전 척(ESC)의 본체의 둘레 가장자리의 반경과 동일한 반경을 갖고 있다. 또, 센서 전극(161)의 내측 가장자리(161a)는 중심축선(AX100)을 중심으로 하는 제2 원 상에서 연장되어 있고, 제2 원은 정전 척(ESC)의 전극(E)의 둘레 가장자리의 반경과 동일한 반경을 갖는다.
상술한 바와 같이, 정전 용량(C)은 C=εS/d에 의하여 나타난다. 여기에서, 거리 d는, 센서 전극(161)으로부터 정전 척(ESC)의 표면까지의 거리이며, 일정하다. 한편, S는, 센서 전극(161)과 정전 척(ESC)이 서로 대면하고 있는 부분의 면적이다. 그 때문에, 이 S는, 측정기(100)와 정전 척(ESC)과의 위치 관계에 따라 변동된다. 예를 들면, 도 12의 (b)에 나타내는 바와 같이, 센서 전극(161)과 정전 척(ESC)과의 오버랩 길이(WX)가 작아지는 배치에서는, S는 작게 되어 있다. 여기에서, 오버랩 길이는, 정전 척(ESC)의 둘레 가장자리로부터 센서 전극(161)에 있어서의 내측 가장자리(161a)까지의 최단의 거리로서 정의될 수 있다.
센서 전극(161)의 형상은, 중심축선(AX100)을 중심으로 하는 원의 직경 방향과, 직경 방향에 직교하는 방향에 변을 갖는 직사각형에 근사될 수 있다. 이 경우, S는, 직경 방향에 직교하는 방향의 변의 길이와 오버랩 길이(WX)와의 곱에 의하여 나타난다. 직경 방향에 직교하는 방향의 변의 길이를 Sa라고 하면, S는, Sa와 WX와의 곱에 의하여 나타난다. 이 경우, C=εS/d는, C=ε·Sa·WX/d와 같이 변형될 수 있다. 따라서, 오버랩 길이(WX)는, 이하의 식 (15)로 나타난다.
WX=(d/(ε·Sa))C … (15)
여기에서, d/(ε·Sa)를 상수 b로 둠으로써, 이하의 식 (16)이 도출된다.
WX=b·C … (16)
도 12의 (c)에 나타내는 바와 같이, 센서 전극(161)의 내측 가장자리(161a)와 정전 척(ESC)의 외측 가장자리가 일치한 상태에서는, 오버랩 길이(WX)가 제로가 된다. 이 경우, 이론 상, 센서 전극(161)에 의하여 계측되는 정전 용량(C)은 제로가 된다. 따라서, 본 실시형태에서는, 오버랩 길이(WX)가 제로일 때에 정전 용량(C)이 제로가 되도록, 제2 센서(105)가 교정된다. 한편, 도 12의 (a)에 나타내는 상태보다 센서 전극(161)이 정전 척(ESC)의 중심축선(AXE)측으로 이동한 경우, 오버랩 길이(WX)는 센서 전극(161)의 직경 방향의 길이보다 커진다. 이 경우, 오버랩 길이(WX)가 커졌다고 해도, "S"의 값은 변화하지 않는다. 그러나, 정전 척(ESC)에 전극(E)이 배치되어 있으므로, 오버랩 길이(WX)의 증가에 따라, 정전 용량(C)은 증가될 수 있다.
도 13은, 오버랩 길이와 정전 용량(C)을 나타내는 측정값과의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 13의 그래프에서는, 예를 들면, 오버랩 길이(WX) 마다 제2 센서(105A~105C)에 의하여 계측된 측정값이 플롯되어 있다. 제2 센서(105A~105C)의 측정값은, ch.01~ch.03에 각각 대응하고 있다. 또, 도 13에서는, 오버랩 길이와 정전 용량과의 관계를 나타내는 이상선(理想線)이 나타나 있다. 3개의 제2 센서에 의하여 계측된 측정값(정전 용량)은, 오버랩 길이(WX)가 센서 전극(161)의 직경 방향의 길이보다 커져도, 이상선과 대략 동일하게 상승하고 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 포커스 링(FR)의 내경과 측정기(100)의 외경과의 차가 2mm이다. 그 때문에, 실제의 운용 영역은, 오버랩 길이(WX)가 1.00mm~3.00mm의 사이로 되어 있다.
도 14는, 정전 척(ESC)과 정전 척(ESC) 상의 위치에 배치된 측정기(100)와의 위치 관계를 모식적으로 나타낸다. 도 14에서는, 정전 척(ESC)의 외측 가장자리와 측정기(100)에 있어서의 센서 전극(161)의 내측 가장자리에 따른 원(제2 원(100N))이 나타나 있다. 또, 도 14에서는, 정전 척(ESC)의 중심 위치를 원점으로 하는 X축 및 Y축에 의한 직교 좌표계와, 측정기(100)의 중심축선(AX100)을 원점으로 하는 X'축 및 Y'축에 의한 직교 좌표계가 나타나 있다. 도시예에서는, Y'축이 제2 센서(105A)와 중심 위치를 통과하도록 설정되어 있다.
도시되는 바와 같이, 정전 척(ESC)의 중심 위치와 측정기(100)의 중심축선(AX100)과의 어긋남량은, ΔXb 및 ΔYb에 의하여 나타나 있다. 이하, ΔXb 및 ΔYb의 도출 방법에 대하여 설명한다. 하나의 예시적 실시형태에서는, 정전 척(ESC)의 외측 가장자리로부터 복수의 센서 전극(161)의 내측 가장자리까지의 최단 거리의 합(B)이 일정한 값이 되도록, 3개의 제2 센서(105A, 105B, 105C)가 베이스 기판(102)의 둘레 가장자리에 원주 방향으로 120°간격으로 균등하게 배치되어 있다. 도시예에서는, 정전 척(ESC)의 외경(De)은 297mm이고, 센서 전극(161)의 내측 가장자리를 따른 원의 외경(Dw)은 297mm이며, 센서 전극(161)의 직경 방향의 길이(Ws)는 2.00mm이다. 제2 센서(105A)의 센서 전극(161)의 오버랩 길이를 WA, 제2 센서(105B)의 센서 전극(161)의 오버랩 길이를 WB, 제2 센서(105C)의 센서 전극(161)의 오버랩 길이를 WC라고 하면, 이하의 식 (17)이 성립한다.
(Ws-(Wd-De)/2)×3=WA+WB+WC=6.00mm …식 (17)
여기에서, 상술한 바와 같이, 식 (16)이 성립하므로, 제2 센서(105A)에 의한 측정값(정전 용량)을 DA, 제2 센서(105B)에 의한 측정값을 DB, 제2 센서(105C)에 의한 측정값을 DC라고 하면, WA=b·DA, WB=b·DB, WC=b·DC가 성립한다. 즉, 식 (17)은 식 (18)과 같이 변환된다.
(b·DA)+(b·DB)+(b·DC)=6.00mm … (18)
또한, 이 식 (18)은, 각 센서 전극(161)에 있어서의 오버랩 길이의 합(B)이 일정한 값이 되는 경우에는, M개의 측정값 Di(i=1, 2, 3, …, M)를 이용하여 이하의 식 (19)와 같이 일반화할 수 있다.
또한, 식 (18)은 이하의 식 (19)와 같이 일반화할 수 있다. 즉, M개의 제2 센서(105)에 의한 측정값을 Di(i=1, 2, 3, …, M)라고 하면, 식 (19)가 성립한다. 각 센서 전극(161)에 있어서의 오버랩 길이의 합(B)이 일정한 값이 되는 경우, 합(B)은, (Ws-(Wd-De)/2)×M에 의하여 산출될 수 있다.
ΔXb 및 ΔYb를 도출하는 경우, 먼저, 제2 센서(105A, 105B, 105C)의 각각의 측정값 DA, DB, DC를 취득한다. 이들 측정값 DA, DB, DC를 상기 식 (18)에 대입함으로써, 상수 b를 구할 수 있다. 그리고, 상수 b와 각각의 측정값 DA, DB, DC와에 의하여, WA, WB, WC가 도출된다.
WA의 크기는, Y축 상에 있어서의 정전 척(ESC)의 외측 가장자리로부터 제2 원(100N)까지의 거리(Y1)에 근사할 수 있다. 즉, 이하의 식 (20)이 성립한다.
WA≒Y1 … (20)
제2 원(100N)의 원점(중심축선(AX100))을 중심으로 하여 제2 센서(105A)에 대칭인 위치로부터 정전 척(ESC)의 외측 가장자리까지의 거리를 WA'이라고 하면, 마찬가지로, 이하의 식 (21)이 성립한다. 즉, WA'의 크기는, Y축 상에 있어서의 정전 척(ESC)의 외측 가장자리로부터 제2 원(100N)까지의 거리(Y2)에 근사할 수 있다.
WA'≒Y2 … (21)
여기에서, Y1 및 Y2는, 모두 Y축 상에 있어서의 거리이다. 그 때문에, Y1와 Y2와의 합은, 정전 척(ESC)의 외경과 제2 원(100N)의 지름과의 차에 근사할 수 있다. 즉, 이하의 식 (22)가 성립한다.
Y1+Y2≒WA+WA'≒4 … (22)
ΔYb는, Y2와 Y1과의 차의 1/2로서 규정할 수 있으므로, 이하의 식 (23)과 같이 거리 WA로부터 ΔYb가 구해진다.
ΔYb=(Y1-Y2)/2=WA-2 … (23)
마찬가지로, X축 상에 있어서, 제2 원(100N)으로부터 정전 척(ESC)의 외측 가장자리까지의 거리를 각각 X1, X2라고 하면, 이하의 식 (24)가 성립한다.
X1+X2≒4 … (24)
또, 제2 센서(105B)에 있어서의 오버랩 길이(WB)와 제2 센서(105C)에 있어서의 오버랩 길이(WC)와의 비는, 이하의 식 (25)와 같이 나타난다.
X1:X2=WB:WC …식 (25)
여기에서, WC+WB=Z로 두면, X1, X2는 각각 이하의 식 (26), (27)로 나타난다.
X1=4WB/Z=4WB/(WC+WB) … (26)
X2=4WC/Z=4WC/(WC+WB) … (27)
따라서, ΔXb는, 이하의 식 (28)로서 규정할 수 있으므로, 오버랩 길이(WC, WB)로부터ΔXb가 구해진다.
ΔXb=(X1-X2)/2=2(WB-WC)/(WB+WC) … (28)
이상과 같이, 하나의 예시적 실시형태에서는, 정전 척(ESC)의 중심축선(AXE)과 정전 척(ESC) 상에 배치된 측정기(100)의 중심축선(AX100)과의 어긋남량인 제2 어긋남량이 구해진다. 제2 어긋남량은, X축을 따른 방향의 어긋남량 ΔXb와, Y축을 따른 방향의 어긋남량 ΔYb로서 산출된다.
계속하여, 정전 척(ESC)의 중심 위치에 대한 포커스 링의 중심 위치의 어긋남량인 제3 어긋남량을 구하는 방법에 대하여 설명한다. 또한, 하나의 예시적 실시형태에서는, 제3 어긋남량을 이용하여, 반송 장치에 의한 포커스 링(FR)의 반송 위치 데이터를 교정한다. 도 15는, 정전 척(ESC), 포커스 링(FR) 및 측정기(100)의 서로의 위치 관계의 일례를 모식적으로 나타낸다. 도 15에서는, 정전 척(ESC)의 둘레 가장자리와, 포커스 링(FR)의 내측 가장자리와, 측정기(100)의 둘레 가장자리가 나타나 있다. 도 15에 나타내는 바와 같이, 정전 척(ESC) 및 측정기(100)는 포커스 링(FR)의 내측 영역(FRI)에 배치되어 있다. 측정기(100)는, 정전 척(ESC) 상의 위치에 배치되어 있다.
상술의 제1 어긋남량은, 포커스 링(FR)의 중심축선(AXF)으로부터 측정기(100)의 중심축선(AX100)으로 향하는 벡터(VA)로서 표현될 수 있다. 벡터(VA)는, VA=(ΔXa, ΔYa)로 나타난다. 마찬가지로, 제2 어긋남량은, 정전 척(ESC)의 중심축선(AXE)으로부터 측정기(100)의 중심축선(AX100)으로 향하는 벡터(VB)로서 표현될 수 있다. 벡터(VB)는, VB=(ΔXb, ΔYb)로 나타난다. 이 경우, 포커스 링(FR)의 중심축선(AXF)으로부터 정전 척(ESC)의 중심축선(AXE)으로 향하는 벡터(VC)는, VA-VB이며, VC=(ΔXa-ΔXb, ΔYa-ΔYb)로 나타난다. 즉, X축을 따른 방향의 어긋남량 ΔXc와, Y축을 따른 방향의 어긋남량 ΔYc에 의하여, 제3 어긋남량을 구하는 경우, ΔXc는 ΔXa-ΔXb가 되고, ΔYc는 ΔYa-ΔYb가 된다. 이상과 같이, 하나의 예시적 실시형태에서는, 제1 어긋남량 및 제2 어긋남량에 근거하여, 정전 척(ESC)의 중심축선(AXE)에 대한 포커스 링(FR)의 중심축선(AXF)의 어긋남량인 제3 어긋남량이 구해진다.
이하, 반송 시스템(S1)에 있어서의 포커스 링(FR)의 반송 방법에 대하여 설명한다. 도 16은, 하나의 예시적 실시형태에 관한 포커스 링(FR)의 반송 방법을 나타내는 흐름도이다. 도 16에 나타내는 방법(MT)에서는, 일례로서 사용에 의하여 소모된 포커스 링(FR)을 새로운 포커스 링(FR)으로 교환하는 경우의 흐름이 나타난다. 처리 시스템(1)과 같은 반도체 제조장치에서는, 포커스 링은 사용에 의하여 소모되므로, 정기적인 교환이 필요하다. 포커스 링의 교환 시에는, 생산성을 안정시키기 위하여, 피가공물(W)과 포커스 링(FR)을 최적인 위치 관계로 배치하는 것이 중요하다. 교환된 포커스 링의 설치 위치를 확인하는 경우, 일반적으로 챔버를 개방할 필요가 발생한다. 그 때문에, 교환 작업이 번잡하게 될 수 있다. 따라서, 간이한 방법에 따라 포커스 링을 양호한 정밀도로 반송하는 것이 바람직한다.
상술한 바와 같이, 처리 시스템(1)에 있어서의 반송 장치(TU2)는, 제어부(MC)에 의하여 제어된다. 하나의 예시적 실시형태에서는, 반송 장치(TU2)는, 제어부(MC)로부터 송신되는 반송 위치 데이터에 근거하여 제2 플레이트(18b) 상에 포커스 링(FR)을 반송할 수 있다. 또, 반송 장치(TU2)는, 제어부(MC)로부터 송신되는 반송 위치 데이터에 근거하여 정전 척(ESC)의 재치 영역(R) 상에 피가공물(W) 및 측정기(100)를 반송할 수 있다.
일례에서는, 프로세스 모듈(PM1~PM6) 중 어느 하나가 포커스 링(FR)의 보관 장소로서 이용되어도 된다. 상술한 바와 같이, 프로세스 모듈(PM1~PM6)은, 트랜스퍼 모듈(TF)에 게이트 밸브를 통하여 기밀하게 접속되어 있다. 이 경우, 프로세스 모듈을 대기 개방하는 일 없이, 반송 장치(TU2)에 의하여 포커스 링(FR)을 교환할 수 있다.
도 16에 나타내는 방법(MT)에서는, 먼저, 스텝 ST1이 실행된다. 스텝 ST1에서는, 사용에 의하여 소모된 포커스 링(FR)이 프로세스 모듈로부터 반출된다. 포커스 링(FR)은, 제2 플레이트(18b) 상에 지지되어 있다. 리프트 핀(27a)의 상승에 의하여 포커스 링(FR)이 상승된다. 상승된 포커스 링(FR)과 제2 플레이트(18b)와의 간극에 반송 장치(TU2)의 반송 암(TUa)이 삽입됨으로써, 반송 암(TUa) 상에 포커스 링(FR)이 재치된다. 반송 암(TUa) 상에 재치된 포커스 링(FR)은, 반송 장치(TU2)의 동작에 의하여 보관 장소로서 이용되고 있는 프로세스 모듈 내의 소정 위치로 이동 재치될 수 있다.
계속되는 스텝 ST2에서는, 새로운 포커스 링(FR)이 프로세스 모듈에 반입된다. 예를 들면, 반송 장치(TU2)는, 포커스 링(FR)에 의하여 둘러싸이는 영역의 내측에 정전 척(ESC)이 위치하도록, 새로운 포커스 링(FR)을 제2 플레이트(18b) 상에 반송한다. 새로운 포커스 링(FR)은, 반송 암(TUa)에 재치된 상태에서 반송 위치 데이터에 근거하여 반송 장치(TU2)에 의하여 반송된다. 반송 위치 데이터는, 예를 들면 정전 척(ESC)의 중심 위치에 포커스 링(FR)의 중심 위치가 일치하도록 미리 정해진 좌표 데이터여도 된다. 반송된 포커스 링(FR)은, 리프트 핀(27a)에 지지되고, 리프트 핀(27a)의 하강에 따라 정전 척(ESC)을 둘러싸는 위치에 재치된다.
계속되는 스텝 ST3에서는, 반송된 포커스 링(FR)의 내측 영역(FRI)에 측정기(100)를 반송한다. 구체적으로는, 반송 장치(TU1)가, 로드록 모듈(LL1) 및 로드록 모듈(LL2) 중 한쪽의 로드록 모듈에 측정기(100)를 반송한다. 그리고, 반송 장치(TU2)가, 반송 위치 데이터에 근거하여, 한쪽의 로드록 모듈로부터, 프로세스 모듈에 측정기(100)를 반송하고, 당해 측정기(100)를 정전 척(ESC)의 재치 영역(R) 상에 재치한다. 반송 위치 데이터는, 예를 들면 재치 영역(R)의 중심 위치에 측정기(100)의 중심축선(AX100)의 위치가 일치하도록 미리 정해진 좌표 데이터이다. 또한, 포커스 링(FR)과 동일하게, 프로세스 모듈(PM1~PM6) 중 어느 하나가 측정기(100)의 보관 장소로서 이용되어도 된다.
계속되는 스텝 ST4에서는, 측정기(100)에 의하여 측정값을 취득한다. 구체적으로는, 측정기(100)는, 포커스 링(FR)과 제1 센서(104A~104C)의 각각의 센서 전극(161)의 사이의 정전 용량의 크기에 따른 복수의 디지털 값(측정값)을 취득하고, 당해 복수의 디지털 값을 기억장치(175)에 기억한다. 또, 측정기(100)는, 정전 척(ESC)의 재치 영역(R)과 제2 센서(105A~105C)의 각각의 센서 전극(161)의 사이의 정전 용량의 크기에 따른 복수의 디지털 값(측정값)을 취득하고, 당해 복수의 디지털 값을 기억장치(175)에 기억한다. 또한, 복수의 디지털 값은, 프로세서(174)에 의한 제어하에서 미리 정해진 타이밍에서 취득될 수 있다.
계속되는 스텝 ST5에서는, 측정기(100)가 프로세스 모듈로부터 반출되고, 트랜스퍼 모듈(TF), 로드록 모듈(LL1, LL2), 로더 모듈(LM) 및 용기(4a~4d) 중 어느 하나로 복귀된다.
계속되는 스텝 ST6에서는, 복수의 측정값(측정값군)에 근거하여, 상술한 어긋남량을 구하는 방법을 이용하여, 제1 어긋남량 및 제2 어긋남량을 구한다. 그리고, 계속되는 스텝 ST7에서는, 스텝 ST6에서 구해진 제1 어긋남량 및 제2 어긋남량에 근거하여, 정전 척(ESC)의 중심축선(AXE)에 대한 포커스 링(FR)의 중심축선(AXF)의 어긋남량인 제3 어긋남량을 구한다. 하나의 예시적 실시형태의 스텝 ST6 및 스텝 ST7에서는, 먼저, 기억장치(175)에 기억되고 있는 복수의 디지털 값이 제어부(MC)에 송신된다. 복수의 디지털 값은, 제어부(MC)로부터의 지령에 의하여 통신 장치(176)로부터 제어부(MC)에 송신되어도 되고, 혹은, 회로 기판(106)에 마련된 타이머의 카운트에 근거하는 프로세서(174)의 제어에 의하여, 소정의 타이밍에서 제어부(MC)에 송신되어도 된다. 계속하여, 수신한 복수의 디지털 값에 근거하여, 제어부(MC)가 제1 어긋남량, 제2 어긋남량 및 제3 어긋남량을 구한다. 또한, 제1 어긋남량, 제2 어긋남량 및 제3 어긋남량은, 측정기(100)의 프로세서(174)로 구해져도 된다. 그 경우, 구해진 제1 어긋남량, 제2 어긋남량 및 제3 어긋남량이 제어부(MC)에 송신된다.
계속되는 스텝 ST8에서는, 제3 어긋남량이 소정의 임곗값을 초과하고 있는지 여부를 판정한다. 제3 어긋남량이 소정의 임곗값 이하이라고 판정된 경우, 포커스 링(FR)이 정확하게 반송된 것이 확인된다. 이 경우, 방법(MT)이 종료된다. 한편, 어긋남량이 임곗값보다 크다고 판정된 경우에는, 스텝 ST9로 진행된다. 스텝 ST9에서는, 제3 어긋남량에 근거하여, 정전 척(ESC)의 중심 위치와 포커스 링(FR)의 중심 위치가 일치하도록 포커스 링(FR)의 반송 위치가 조정된다. 예를 들면, 제3 어긋남량을 제거하도록, 반송 위치 데이터가 제어부(MC)에 의하여 수정된다. 그리고, 수정된 반송 위치 데이터에 근거하여, 정전 척(ESC)의 중심 위치에 포커스 링(FR)의 중심 위치가 일치하도록, 반송 장치(TU2)에 의하여 포커스 링(FR)이 다시 반송된다. 이 경우, 예를 들면 포커스 링(FR)은, 제2 플레이트(18b) 상으로부터 보관 장소로서 이용되고 있는 프로세스 모듈에 일단 반출된다. 그리고, 반송 암(TUa)에 의하여 다시 포커스 링(FR)이 지지되고, 포커스 링(FR)이 제2 플레이트(18b) 상에 반송된다. 이 때, 제3 어긋남량에 근거하여 반송 암(TUa)의 반송 위치 데이터가 조정됨으로써, 포커스 링(FR)의 반송 위치가 조정된다. 또한, 포커스 링(FR)의 위치 조정에 있어서, 포커스 링(FR)은 보관 장소로 복귀되지 않아도 된다. 예를 들면, 반송 암(TUa)에 의하여 포커스 링을 지지하고, 제3 어긋남량의 분만큼 반송 암(TUa)을 이동시킴으로써, 포커스 링(FR)의 반송 위치를 조정해도 된다.
상기와 같이, 스텝 ST9에 의하여 포커스 링(FR)의 위치 조정이 행해지면, 계속하여, 반송 위치의 확인이 이루어진다. 즉, 상기의 스텝 ST3~스텝 ST8이 다시 실행됨으로써, 반송 위치가 조정된 포커스 링(FR)에 있어서의 제3 어긋남량이 소정의 임곗값을 초과했는지 여부가 확인된다. 포커스 링(FR)이 정확하게 반송된 것이 확인된 경우, 방법(MT)이 종료된다. 한편, 어긋남량이 임곗값보다 크다고 판정된 경우에는, 다시 스텝 ST9로 진행되어도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 하나의 예시적 실시형태의 반송 방법에서는, 제2 플레이트(18b) 상에 포커스 링(FR)이 반송된 후에, 포커스 링(FR)의 내측 영역(FRI)에 측정기(100)가 반송된다. 측정기(100)는, 제1 어긋남량 및 제2 어긋남량을 구하기 위한 복수의 측정값(측정값군)을 취득한다. 그 방법에서는, 측정값군에 근거하여 구해지는 제1 어긋남량 및 제2 어긋남량으로부터, 정전 척(ESC)의 중심 위치에 대한 포커스 링(FR)의 중심 위치의 어긋남량인 제3 어긋남량이 구해진다. 그리고, 제3 어긋남량에 근거하여, 정전 척(ESC)의 중심 위치와 포커스 링(FR)의 중심 위치가 일치하도록, 포커스 링(FR)의 반송 위치가 조정된다. 이와 같이, 포커스 링(FR)이 제2 플레이트(18b) 상에 반송된 후에, 제3 어긋남량에 근거하여 포커스 링(FR)의 반송 위치의 조정이 행해짐으로써, 포커스 링(FR)을 양호한 정밀도로 반송할 수 있다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서, 반송 장치(TU2)는, 챔버 본체(12)에 기밀하게 접속된 공간인 트랜스퍼 모듈(TF)에 배치되어 있다. 이 구성에서는, 챔버 본체(12)에 기밀하게 접속된 공간 내에 있어서, 포커스 링(FR)의 반송을 행할 수 있다. 이 경우, 챔버 본체(12)를 대기 개방하는 일 없이, 포커스 링(FR)의 반송 및 위치 조정을 행할 수 있다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서는, 제3 어긋남량이 임곗값을 초과하고 있는지 여부를 판정하는 스텝 ST8을 갖고 있다. 이 경우, 제3 어긋남량이 임곗값을 초과하고 있을 때, 포커스 링(FR)의 반송 위치를 조정하는 스텝 ST9에 있어서, 포커스 링(FR)의 위치가 조정된다. 제3 어긋남량에 임곗값을 마련함으로써, 불필요한 위치 조정을 생략할 수 있다.
하나의 예시적 실시형태에 있어서는, 포커스 링(FR)의 반송 위치를 조정하는 스텝 ST9 후에, 반송 위치가 조정된 포커스 링(FR)에 있어서의 제3 어긋남량이 임곗값을 초과하고 있는지가 확인된다. 이로써, 포커스 링(FR)의 반송의 정밀도를 보다 높일 수 있다.
이상, 다양한 예시적 실시형태에 대하여 설명해 왔지만, 상술한 예시적 실시형태로 한정되는 일 없이, 다양한 생략, 치환, 및 변경이 이루어져도 된다. 또, 다른 실시형태에 있어서의 요소를 조합하여 다른 실시형태를 형성하는 것이 가능하다.
예를 들면, 측정기에 탑재되는 제1 센서 및 제2 센서의 수는, 상기의 실시형태로 한정되지 않는다. 제1 센서 및 제2 센서의 수는, 모두 3개 이상의 임의의 수여도 된다. 또, 일 축방향에 있어서의 어긋남량만을 취득하고자 하는 경우에는, 센서의 수는 2개여도 된다.
또, 프로세스 모듈 중 하나를 포커스 링(FR)의 보관 장소로서 이용하는 예에 대하여 설명했지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 피가공물(W)을 수용하는 용기(FOUP) 중 하나를 포커스 링(FR)의 보관 장소로서 이용해도 된다.
또, 프로세스 모듈 내에 있어서 포커스 링의 위치 조정을 행하는 형태를 나타냈지만, 위치 조정의 방법은, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 트랜스퍼 모듈에 인접한 장소에, 위치 조정용의 모듈을 마련해도 된다. 위치 조정용의 모듈은, 포커스 링 및 측정기를 재치하기 위한 재치대를 갖는다. 일례에서는, 모듈의 재치 대상에 포커스 링을 반입한 후, 동일 재치대 상에 재치된 포커스 링의 내측 영역에 측정기를 반입한다. 또한, 측정기의 반송 위치 데이터는, 프로세스 모듈의 정전 척의 중심에 측정기를 반송할 수 있도록 사전에 조정되어 있다. 계속하여, 포커스 링과 측정기와의 서로의 위치 관계를 취득하고, 측정기 및 포커스 링을 위치 조정용의 모듈로부터 반출한다. 계속하여, 취득된 위치 관계에 근거하여, 목적으로 하는 프로세스 모듈에 대한 포커스 링의 반입 위치를 조정하고, 포커스 링을 그 프로세스 모듈에 반송한다. 또한, 포커스 링을 위치 조정용의 모듈로부터 반출할 때에, 취득된 위치 관계에 근거하여, 반송 암에 의한 포커스 링의 수취 위치를 조정해도 된다. 이 경우, 반송 암 상에 있어서의 포커스 링의 중심 위치가 조정되어 있으므로, 그 상태인 채, 목적으로 하는 프로세스 모듈에 포커스 링을 반송하면 된다. 이와 같이, 프로세스 모듈 이외의 장소에서 포커스 링과 측정기와의 서로의 위치 관계를 파악함으로써, 프로세스 모듈 내에 있어서의 포커스 링의 반송 위치를 조정해도 된다. 이로써, 목적으로 하는 프로세스 모듈 내의 원하는 위치에 포커스 링을 반송할 수 있다.
또, 포커스 링의 중심축선으로부터의 측정기의 중심축선의 어긋남량인 제1 어긋남량, 및 정전 척의 중심축선으로부터의 측정기의 중심축선의 어긋남량인 제2 어긋남량을 구하는 예를 나타냈지만, 이에 한정되지 않는다. 제1 어긋남량은, 측정기(100)의 중심축선으로부터의 포커스 링의 중심축선의 어긋남량이어도 된다. 또, 제2 어긋남량은, 측정기의 중심축선으로부터의 정전 척의 중심축선의 어긋남량이어도 된다.
이상의 설명으로부터, 본 개시의 다양한 실시형태는, 설명의 목적으로 본 명세서에서 설명되어 있고, 본 개시의 범위 및 주지로부터 벗어나는 일 없이 다양한 변경을 할 수 있는 것이, 이해될 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시한 다양한 실시형태는 한정하는 것을 의도하지 않고, 진정한 범위와 주지는, 첨부의 특허 청구범위에 의하여 나타난다.

Claims (5)

  1. 포커스 링의 반송 시스템에 있어서의 반송 방법으로서,
    상기 반송 시스템은, 처리 시스템과 측정기를 포함하고,
    상기 처리 시스템은,
    챔버 본체, 및 상기 챔버 본체에 의하여 제공되는 챔버 내에 마련된, 정전 척을 포함하는 스테이지를 갖는 처리 장치와,
    상기 스테이지 상에 배치된 상기 포커스 링에 의하여 둘러싸인 내측 영역 및 상기 정전 척 상에, 피가공물을 반송 위치 데이터에 근거하여 반송하는 반송 장치를 구비하며,
    상기 측정기는,
    상기 내측 영역 및 상기 정전 척 상에 상기 측정기가 위치하고 있는 상태에서, 상기 포커스 링의 중심 위치에 대한 상기 측정기의 중심 위치의 어긋남량인 제1 어긋남량, 및 상기 정전 척의 중심 위치에 대한 상기 측정기의 중심 위치의 어긋남량인 제2 어긋남량을 구하기 위한 측정값군을 취득하는 센서를 구비하고,
    상기 방법은,
    상기 반송 장치에 의하여 상기 포커스 링을 상기 스테이지 상에 반송하는 스텝과,
    반송된 상기 포커스 링의 상기 내측 영역 및 상기 정전 척 상에 상기 측정기를 상기 반송 장치에 의하여 반송하는 스텝과,
    반송된 상기 측정기에 의하여 상기 측정값군을 취득하는 스텝과,
    상기 측정값군에 근거하여, 상기 제1 어긋남량 및 상기 제2 어긋남량을 구하는 스텝과,
    상기 제1 어긋남량 및 상기 제2 어긋남량에 근거하여, 상기 정전 척의 중심 위치에 대한 상기 포커스 링의 중심 위치의 어긋남량인 제3 어긋남량을 구하는 스텝과,
    상기 제3 어긋남량에 근거하여, 상기 정전 척의 중심 위치와 상기 포커스 링의 중심 위치가 일치하도록 상기 포커스 링의 반송 위치를 상기 반송 장치에 의하여 조정하는 스텝을 포함하는, 반송 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 반송 장치는, 상기 챔버 본체에 기밀하게 접속된 공간에 배치되어 있는, 반송 방법.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 제3 어긋남량이 임곗값을 초과하고 있는지 여부를 판정하는 스텝을 갖고,
    상기 포커스 링의 반송 위치를 조정하는 스텝에서는, 상기 제3 어긋남량이 임곗값을 초과하고 있다고 판정된 경우에 상기 포커스 링의 위치를 조정하는, 반송 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 포커스 링의 반송 위치를 조정하는 스텝 후에, 상기 반송 위치가 조정된 상기 포커스 링에 있어서의 상기 제3 어긋남량이 상기 임곗값을 초과하고 있는지 여부를 확인하는 스텝을 더 구비하는, 반송 방법.
  5. 포커스 링의 반송 시스템으로서,
    상기 반송 시스템은, 처리 시스템과 측정기를 포함하고,
    상기 처리 시스템은,
    챔버 본체, 및 상기 챔버 본체에 의하여 제공되는 챔버 내에 마련된, 정전 척을 포함하는 스테이지를 갖는 처리 장치와,
    상기 포커스 링을 상기 스테이지 상에 반송함과 함께, 상기 포커스 링에 의하여 둘러싸인 내측 영역 및 상기 정전 척 상에, 상기 측정기를 반송하는 반송 장치를 구비하며,
    상기 측정기는, 상기 내측 영역 및 상기 정전 척 상에 상기 측정기가 위치하고 있는 상태에 있어서의, 상기 포커스 링의 중심 위치에 대한 상기 측정기의 중심 위치의 어긋남량인 제1 어긋남량, 및 상기 정전 척의 중심 위치에 대한 상기 측정기의 중심 위치의 어긋남량인 제2 어긋남량에 근거하여, 상기 정전 척의 중심 위치에 대한 상기 포커스 링의 중심 위치의 어긋남량인 제3 어긋남량을 구하고,
    상기 반송 장치는, 상기 제3 어긋남량에 근거하여, 상기 정전 척의 중심 위치와 상기 포커스 링의 중심 위치가 일치하도록 상기 포커스 링의 반송 위치를 조정하는, 반송 시스템.
KR1020190162736A 2018-12-14 2019-12-09 반송 방법 및 반송 시스템 KR102675477B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006196691A (ja) 2005-01-13 2006-07-27 Toshiba Corp 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
JP2009061585A (ja) 2007-08-30 2009-03-26 Applied Materials Inc キャリブレーションデバイスによるロボットキャリブレーションのための方法及び装置
JP2017228754A (ja) 2016-06-20 2017-12-28 東京エレクトロン株式会社 静電容量測定用の測定器、及び、測定器を用いて処理システムにおける搬送位置データを較正する方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006196691A (ja) 2005-01-13 2006-07-27 Toshiba Corp 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
JP2009061585A (ja) 2007-08-30 2009-03-26 Applied Materials Inc キャリブレーションデバイスによるロボットキャリブレーションのための方法及び装置
JP2017228754A (ja) 2016-06-20 2017-12-28 東京エレクトロン株式会社 静電容量測定用の測定器、及び、測定器を用いて処理システムにおける搬送位置データを較正する方法

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