JP6581215B2 - オンチップ整合および一体型チューナブルフィルタを有する無線周波数低雑音増幅器 - Google Patents
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Description
・(たとえば、図9の動作902、904、906、908、910に関して説明した)トランシーバ211内に設けられた1つまたは複数のLNAの様々な動作を制御するための増幅器制御ソフトウェアモジュール1044と、
・(たとえば、図9の動作912、914、および916に関して説明した)フィルタリングもしくは減衰される信号の1つまたは複数の周波数範囲を選択するための、および/または入力信号インピーダンス整合を提供するように共振周波数を選択するためのフィルタ制御ソフトウェアモジュール1046と
を記憶する場合がある非一時的コンピュータ可読媒体(たとえば、EPROM、EEPROM、フラッシュメモリ、ハードドライブなどの1つまたは複数の不揮発性メモリ要素)を含む場合もある。
各ソフトウェアモジュールは、プロセッサ1030によって実行されると、ワイヤレスデバイス1000に対応する機能を実行させる命令を含む。したがって、メモリ1040の非一時的コンピュータ可読媒体は、図9に示す動作の全部または一部を実行するための命令を含む。
120 ワイヤレス通信システム
130 基地局
132 基地局
134 放送局
140 システムコントローラ
150 衛星
210 1次アンテナ
212 2次アンテナ
220 1次トランシーバ
222 2次トランシーバ
224 1次アンテナインターフェース回路
226 2次アンテナインターフェース回路
230 レシーバ
240 低雑音増幅器
242 受信回路
250 トランスミッタ
252 送信回路
254 電力増幅器
280 データプロセッサ/コントローラ
282 メモリ
400 LNA
401 LNA
404 ゲイントランジスタ
406 バイアス抵抗器
407 抵抗器
408 カスコードトランジスタ
410 変圧器
412 ディジェネレーションインダクタ
414 シャントインダクタ
416 電磁結合
420 ノッチフィルタ
422 可変キャパシタ
440 出力回路
450 変圧器
452 第1のインダクタコイル
454 第2のインダクタコイル
600 LNA
612 可変キャパシタ
613 第2のフィルタ
800 LNA
801 LNA
812 可変キャパシタ
830 制御回路
832 WLANコントローラ
834 LTEコントローラ
836 周波数決定回路
838 信号発生器
1000 ワイヤレスデバイス
1010 PHYデバイス
1011 トランシーバ
1020 MAC
1021 コンテンションエンジン
1030 プロセッサ
1040 メモリ
1042 キャパシタンス値テーブル
1044 増幅器制御ソフトウェアモジュール
1046 フィルタ制御ソフトウェアモジュール
1050 アンテナ
Claims (14)
- いくつかのトランシーバチェーンを含むワイヤレスデバイスであって、前記トランシーバチェーンの各々が増幅器を含み、前記増幅器が、
第1の端子を含み、かつ入力信号を受信するための制御端子を含む、少なくとも1つのゲイントランジスタと、
前記少なくとも1つのゲイントランジスタの前記第1の端子とグランドとの間に結合されるディジェネレーションインダクタと、
前記少なくとも1つのゲイントランジスタの前記制御端子とグランドとの間に直列に結合されるシャントインダクタおよび第1のキャパシタであって、前記ディジェネレーションインダクタおよび前記シャントインダクタが前記増幅器にインピーダンス整合を提供することになる変圧器を形成する、シャントインダクタおよび第1のキャパシタと
を備える、ワイヤレスデバイス。 - 前記シャントインダクタおよび前記第1のキャパシタが、第1の周波数範囲内の前記入力信号の周波数を減衰させるために第1のフィルタを形成する、請求項1に記載のワイヤレスデバイス。
- 前記第1のキャパシタが、前記第1の周波数範囲を選択するために第1の調整信号を受信するための制御端子を有する第1の可変キャパシタを備える、請求項2に記載のワイヤレスデバイス。
- 前記ディジェネレーションインダクタに並列に結合される第2のキャパシタをさらに備え、前記第2のキャパシタおよび前記ディジェネレーションインダクタが、第2の周波数範囲内の前記入力信号の周波数を減衰させるために第2のフィルタを形成する、請求項3に記載のワイヤレスデバイス。
- 前記第2のキャパシタが、前記第2の周波数範囲を選択するために第2の調整信号を受信するための制御端子を有する第2の可変キャパシタを備える、請求項4に記載のワイヤレスデバイス。
- 前記入力信号の周波数に少なくとも部分的に基づいて前記第1の調整信号および第2の調整信号を生成するための制御回路
をさらに備え、
前記入力信号が、前記いくつかのトランシーバチェーンのうちの第1のトランシーバチェーンに関連付けられ、他の信号が、前記いくつかのトランシーバチェーンのうちの第2のトランシーバチェーンに関連付けられるか、または
前記入力信号が、5G Wi-Fi信号およびLTE-U信号からなるグループのメンバーであり、前記他の信号が、2.4G Wi-Fi信号およびLTE-L信号からなるグループのメンバーである、
請求項5に記載のワイヤレスデバイス。 - 前記少なくとも1つのゲイントランジスタが、直列入力インダクタなしで前記入力信号を受信することになる、請求項1に記載のワイヤレスデバイス。
- 各々が増幅器を含むいくつかのトランシーバチェーンを含む、ワイヤレスデバイスを動作させる方法であって、
前記増幅器の入力端子において入力信号を受信するステップと、
少なくとも1つのゲイントランジスタを用いて前記入力信号を増幅するステップと、
前記少なくとも1つのゲイントランジスタおよびディジェネレーションインダクタを介して前記増幅器の出力端子からグランドに流れる電流を生成するステップと、
前記入力端子とグランドとの間に互いに直列に結合されるシャントインダクタと第1のキャパシタとを介して前記入力信号をグランドに分流するステップであって、前記ディジェネレーションインダクタおよび前記シャントインダクタが変圧器を形成する、ステップと、
前記変圧器を使用して前記入力信号にインピーダンス整合を提供するステップと
を備える、方法。 - 前記シャントインダクタと前記第1のキャパシタとによって形成された第1のフィルタを使用して第1の周波数範囲内の前記入力信号の周波数を減衰させるステップと、
第1の調整信号を用いて前記第1のキャパシタを調整することによって前記第1の周波数範囲を選択するステップと
をさらに備える、請求項8に記載の方法。 - 前記ディジェネレーションインダクタに並列に結合される第2のキャパシタによって形成された第2のフィルタを使用して第2の周波数範囲内の前記入力信号の周波数を減衰させるステップと、
第2の調整信号を用いて前記第2のキャパシタを調整することによって前記第2の周波数範囲を選択するステップと
をさらに備える、請求項9に記載の方法。 - 前記入力信号の周波数に少なくとも部分的に基づいて前記第1の調整信号および第2の調整信号を生成するステップ
をさらに備え、
前記入力信号が、前記いくつかのトランシーバチェーンのうちの第1のトランシーバチェーンに関連付けられ、他の信号が、前記いくつかのトランシーバチェーンのうちの第2のトランシーバチェーンに関連付けられるか、または
前記入力信号が、5G Wi-Fi信号およびLTE-U信号からなるグループのメンバーであり、他の信号が、2.4G Wi-Fi信号およびLTE-L信号からなるグループのメンバーである、
請求項10に記載の方法。 - 増幅器であって、
前記増幅器の入力端子において入力信号を受信するための手段と、
前記入力信号を増幅するための手段と、
前記増幅器の出力端子からグランドに流れる電流を生成するための手段と、
前記入力信号をグランドに分流するための手段と、
前記入力信号にインピーダンス整合を提供するための手段と
を備え、
前記分流するための手段とインピーダンス整合を前記提供するための手段が、前記入力端子とグランドとの間に結合されるシャントインダクタを共有し、
インピーダンス整合を前記提供するための手段が、ディジェネレーションインダクタを含み、前記ディジェネレーションインダクタおよび前記シャントインダクタが変圧器を形成する、
増幅器。 - 前記分流するための手段が、第1の周波数範囲内の前記入力信号の周波数を減衰させることになり、
前記増幅器は、第2の周波数範囲内の前記入力信号の周波数を減衰させるための手段をさらに備え、
前記減衰させるための手段とインピーダンス整合を前記提供するための手段が前記ディジェネレーションインダクタを共有する、
請求項12に記載の増幅器。 - 請求項8〜11のいずれか一項に記載の方法を実施する命令を備える、コンピュータプログラム。
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EP3493401B1 (en) * | 2017-12-04 | 2021-06-30 | National Chung Shan Institute of Science and Technology | Radio frequency amplifier and integrated circuit using the radio frequency amplifier |
JP6713979B2 (ja) * | 2017-12-21 | 2020-06-24 | 國家中山科學研究院 | 無線周波数増幅器及び無線周波数増幅器を用いた集積回路 |
TWI656727B (zh) * | 2017-12-26 | 2019-04-11 | 國家中山科學研究院 | RF amplifier structure improvement |
TWI656726B (zh) * | 2017-12-26 | 2019-04-11 | 國家中山科學研究院 | Integrated circuit structure using RF amplifier |
US10536119B2 (en) | 2018-02-28 | 2020-01-14 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Amplifier with second-harmonic trap |
CN108768312B (zh) * | 2018-07-23 | 2024-02-20 | 上海亮牛半导体科技有限公司 | 利用可调电感和改善功率放大器线性度的电路结构及方法 |
US20200091955A1 (en) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | Qualcomm Incorporated | Second-order harmonic reduction for radio frequency transmitter |
CN109245786B (zh) * | 2018-11-13 | 2023-12-01 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 一种应用在射频前端接收机的模组电路 |
KR102657358B1 (ko) | 2019-02-15 | 2024-04-15 | 한국전자통신연구원 | 변압기를 이용하여 전류를 재사용하기 위한 증폭기 및 그의 동작 방법 |
US11245372B2 (en) * | 2019-08-30 | 2022-02-08 | Skyworks Solutions, Inc. | Variable-gain amplifier with degeneration circuit |
US11942912B2 (en) * | 2019-09-18 | 2024-03-26 | Skyworks Solutions, Inc. | Amplifier with tunable impedance circuit |
TWI692782B (zh) * | 2019-12-18 | 2020-05-01 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 積體變壓器 |
GB2599986A (en) | 2020-06-30 | 2022-04-20 | Skyworks Solutions Inc | Tunable filter with mutually coupled inductors |
CN112003571B (zh) * | 2020-08-26 | 2021-06-25 | 东南大学 | 一种抗干扰网络及其应用 |
US11824569B2 (en) * | 2020-08-31 | 2023-11-21 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio frequency system with tunable filters including tunable filter with mutually coupled inductors |
US11159191B1 (en) * | 2020-09-11 | 2021-10-26 | Apple Inc. | Wireless amplifier circuitry for carrier aggregation |
EP4218133A1 (en) | 2020-09-28 | 2023-08-02 | QuantalRF AG | Amplifier linearization using magnetically coupled feedback provided by a transformer coupled to a balun-based load |
WO2022145183A1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | 株式会社村田製作所 | 増幅器 |
CN112671357B (zh) * | 2020-12-31 | 2021-09-17 | 锐石创芯(深圳)科技有限公司 | 低噪声放大电路 |
JPWO2022176067A1 (ja) * | 2021-02-17 | 2022-08-25 | ||
CN114079428B (zh) * | 2022-01-19 | 2022-04-22 | 成都明夷电子科技有限公司 | 一种基于cmos的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器 |
CN114531171B (zh) * | 2022-04-24 | 2022-07-05 | 安徽矽磊电子科技有限公司 | 一种内嵌滤波器的射频前端电路 |
US20240045986A1 (en) * | 2022-08-03 | 2024-02-08 | Sony Interactive Entertainment Inc. | Tunable filtering of voice-related components from motion sensor |
US20240072766A1 (en) * | 2022-08-31 | 2024-02-29 | QuantalRF AG | System and method for coupled resonator filtering |
KR20240107212A (ko) * | 2022-12-29 | 2024-07-09 | 충남대학교산학협력단 | 증폭기 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1058969B1 (en) * | 1998-02-26 | 2002-08-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Receiver input circuit |
JP3771415B2 (ja) * | 2000-03-08 | 2006-04-26 | アルプス電気株式会社 | 増幅回路 |
CN1129266C (zh) * | 2000-09-02 | 2003-11-26 | 华为技术有限公司 | 宽带数据接入电路及其信道自适应调整方法 |
US6407640B1 (en) | 2000-09-22 | 2002-06-18 | Qualcomm, Incorporated | Two-stage LNA with good linearity |
US7091788B2 (en) * | 2003-12-03 | 2006-08-15 | Intel Corporation | Biased Darlington transistor pair, method, and system |
CN1906850A (zh) * | 2004-01-20 | 2007-01-31 | 瑞科信公司 | 用于宽带调谐器的集成可调谐滤波器 |
KR100689743B1 (ko) * | 2004-10-01 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 저잡음 증폭기의 정전기 보호 및 입력 임피던스 정합 회로및 저잡음 증폭기 |
US20090075597A1 (en) * | 2007-09-18 | 2009-03-19 | Ofir Degani | Device, system, and method of low-noise amplifier |
US8229367B2 (en) * | 2009-04-14 | 2012-07-24 | Qualcomm, Incorporated | Low noise amplifier with combined input matching, balun, and transmit/receive switch |
US8301101B2 (en) | 2009-04-17 | 2012-10-30 | Broadcom Corporation | Frequency translated filter |
US8374557B2 (en) * | 2009-07-06 | 2013-02-12 | Rfaxis, Inc. | Radio frequency front end circuit with antenna diversity for multipath mitigation |
US8102213B2 (en) | 2009-07-23 | 2012-01-24 | Qualcomm, Incorporated | Multi-mode low noise amplifier with transformer source degeneration |
EP2466746B1 (en) | 2010-12-16 | 2013-09-18 | TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (publ) | Low noise amplifier |
US9002309B2 (en) * | 2011-05-27 | 2015-04-07 | Qualcomm Incorporated | Tunable multi-band receiver |
US8975981B2 (en) | 2011-09-13 | 2015-03-10 | Qualcomm Incorporated | Impedance matching circuits with multiple configurations |
KR101326442B1 (ko) * | 2011-10-06 | 2013-11-08 | 중앙대학교 산학협력단 | 저잡음 증폭기 |
US8803615B2 (en) | 2012-01-23 | 2014-08-12 | Qualcomm Incorporated | Impedance matching circuit with tunable notch filters for power amplifier |
US20130203369A1 (en) | 2012-02-07 | 2013-08-08 | Qualcomm Atheros, Inc. | Notch filter integrated in lna of a coexisting radio |
US9154356B2 (en) | 2012-05-25 | 2015-10-06 | Qualcomm Incorporated | Low noise amplifiers for carrier aggregation |
US9603187B2 (en) | 2012-11-14 | 2017-03-21 | Qualcomm Incorporated | Omni-band amplifiers |
US9106185B2 (en) | 2013-03-11 | 2015-08-11 | Qualcomm Incorporated | Amplifiers with inductive degeneration and configurable gain and input matching |
US9154087B2 (en) * | 2013-08-01 | 2015-10-06 | Qualcomm Incorporated | Amplifiers with configurable mutually-coupled source degeneration inductors |
-
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