TWI656727B - RF amplifier structure improvement - Google Patents
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Abstract
本發明係提供一種射頻放大器結構改良，該結構係包括一電晶體、一變壓器及一可變電容器，該電晶體具有一輸入端、一輸出端及一控制端，該變壓器具有一第一線圈導體及一第二線圈導體，該第一線圈導體與該第二線圈導體磁力耦合，該第二線圈導體電性連接該控制端，該第一線圈導體電性連接該輸入端，該可變容器與該第二線圈導體並聯，利用該可變容器與該變壓器進行匹配，藉以達到降低雜訊及提高輸出阻抗之目的。
Description
本發明係有關於一種射頻放大器結構，更詳而言之，尤指一種多頻放大器結構改良。
積體電路常會利用一射頻疊層放大器(radio frequency cascode)作為該積體電路輸出或輸入，在使用射頻疊層放大器的情況下，會造成該積體電路所產生之雜訊增加的情況，但若是積體電路不使用射頻疊層放大器的情況，雖可以獲得低雜訊的輸出值，但該積體電路則無法得到所要增益效果，因此常見到為降低雜訊的產生，增加一常規的射頻放大器，該種設置方式雖可以抑制雜訊的產生，但在積體電路所可運用的工作頻率受到限制，因此如何提供一可以降低雜訊，且又不影響所使用之工作頻率的射頻放大器，亦為目前較為重要之研究目標。
鑒於上述習知技術之缺點，本發明主要之目的在於提供一種降低寬頻放大器雜訊，及提高輸出增益之射頻放大器結構改良。
本發明另一目的在於提供一種可運用於不同頻
率之射頻放大器結構改良。
為達上述目的，本發明係提供一種射頻放大器結構改良，該結構係包括一電晶體、一變壓器及一可變電容器，該電晶體具有一輸入端、一輸出端及一控制端，該變壓器具有一第一線圈導體及一第二線圈導體，該第一線圈導體與該第二線圈導體磁力耦合，該第二線圈導體電性連接該控制端，該第一線圈導體電性連接該輸入端，該可變電容器與該第二線圈導體並聯，調整該可變電容器與該變壓器之匹配值，藉以達到降低雜訊及提高輸出阻抗之目的。
100‧‧‧射頻放大器
M‧‧‧電晶體
Ctune‧‧‧可變電容器
Cpad‧‧‧焊盤電容器
Cbypass‧‧‧旁路電容器
Vin‧‧‧信號輸入端
Vout‧‧‧信號輸出端
Rout‧‧‧輸出電阻
N1‧‧‧第一線圈導體
N2‧‧‧第二線圈導體
L‧‧‧電感
第1圖係為本發明射頻放大器結構示意圖。
以下係藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容瞭解本發明之其他優點與功效。
請參閱第1圖，係為射頻放大器結構示意圖，如圖所示，該射頻放大器結構係由一訊號輸入端、一訊號輸出端及一射頻放大器組成，該射頻放大器100包括一電晶體M、一變壓器及一可變電容器Ctune，該變壓器包括第一線圈導體N1和第二線圈導體N2，該第一線圈導體N1和第二線圈導體N2磁性連
接，且第一線圈導體N1與第二線圈導體N2磁力耦合，第二線圈導體N2之一端電性連接射頻放大器100的電晶體M的控制端，第一線圈導體N1之一端電性連接電晶體M的輸入端，第一線圈導體N1之另一端電性連接接地端，該射頻放大器100複包括一電晶體M、一電感L及一旁路電容器Cbypass，該電晶體M有一輸入端、一輸出端及一控制端。
電晶體M有一輸入端、輸出端及一控制端，在具體實施上該電晶體M，是為一MOS電晶體，該信號輸入端Vin經由一焊盤電容器(Cpad)電性連接該接地端，該電晶體的該輸入端與電感器電性連接，而該電感器與該信號輸入端Vin電性連接，以及該可變電容器(Ctune)，係與該第二線圈導體並聯，其中，於使用該射頻放大器之積體電路上，常會因為該洩漏端(輸出)所輸出的增益變異造成輸出電阻Rout混亂，故增加可變電容器Ctune進行增益值的調整，透過第一線圈導體N1改變積體電路的磁通量，因為阻抗及磁通量的改變，會造成第二線圈導體N2變化，進而達到調整工作頻率及減少雜訊的目的；射頻放大器結構改良，其中，複包括一信號輸出端和一信號輸入端，且該信號輸入端電性連接該電晶體M的輸入端，該信號輸出端電性連接該電晶體M的輸出端；一電性連接該信號輸入端和該電晶體輸入端的電感器；一電性連接該信號輸入端的基板電容器；第二線圈導體之另一端經由旁路電容器(Cbypass)電性連接該接地端。
上述之實施例僅為例示性說明本發明之特點及其功效，而非用於限制本發明之實質技術內容的範圍。任何熟習此技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修飾與變化。因此，本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。
Claims (3)
- 一種射頻放大器結構改良，該射頻放大器結構係由一訊號輸入端、一訊號輸出端及一射頻放大器組成，該射頻放大器包括一電晶體、一變壓器與一可變電容器(Ctune)組成，其中該變壓器的一第一線圈導體與一第二線圈導體磁力耦合，該第二線圈導體之一端電性連接該電晶體的一控制端，該第一線圈導體之一端電性連接該電晶體的一輸入端，該第一線圈導體之另一端電性連接一接地端，以及該電晶體的一輸出端電性連接該信號輸出端，該輸入端電性連接該該信號輸入端，其中，該電晶體的該輸入端與一電感器電性連接，而該電感器與該信號輸入端電性連接，以及該可變電容器(Ctune)，係與該第二線圈導體並聯，並透過該可變電容器(Ctune)進行調整該變壓器之匹配值。
- 如申請專利範圍第1項所述之射頻放大器結構改良，其中，該信號輸入端經由一焊盤電容器(Cpad)電性連接該接地端。
- 如申請專利範圍第1項所述之射頻放大器結構改良，其中，該第二線圈導體之另一端經由一旁路電容器(Cbypass)電性連接該接地端。
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| TW106145777A TWI656727B (zh) | 2017-12-26 | 2017-12-26 | RF amplifier structure improvement |
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| TW106145777A TWI656727B (zh) | 2017-12-26 | 2017-12-26 | RF amplifier structure improvement |
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| TWI656727B true TWI656727B (zh) | 2019-04-11 |
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Family Applications (1)
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| TW (1) | TWI656727B (zh) |
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-
2017
- 2017-12-26 TW TW106145777A patent/TWI656727B/zh active
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|---|---|
| TW201929424A (zh) | 2019-07-16 |
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