JP6580209B2 - リソグラフィ装置 - Google Patents
リソグラフィ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6580209B2 JP6580209B2 JP2018101955A JP2018101955A JP6580209B2 JP 6580209 B2 JP6580209 B2 JP 6580209B2 JP 2018101955 A JP2018101955 A JP 2018101955A JP 2018101955 A JP2018101955 A JP 2018101955A JP 6580209 B2 JP6580209 B2 JP 6580209B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- patterning device
- gas
- lithographic apparatus
- space
- outlet opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
[0001] 本願は、2012年7月6日に出願した米国仮出願第61/668,934号および2013年2月6日に出願した米国仮出願第61/761,560号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
ガス流をパターニングデバイス上に誘導する少なくとも1つの出口開口部と、
出口開口部から出たガスを抽出する少なくとも1つの入口開口部とを備え、
出口開口部および入口開口部は、パターニングデバイスの主要平面に面した対向面に設けられる、リソグラフィ装置が提供される。
[0024] 放射ビームB(例えば、紫外線またはDUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
[0025] パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
[0026] 基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構築され、かつ特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
[0027] パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に投影するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PSとを備える。
Claims (12)
- パターニングデバイスを支持するサポート構造であって、前記パターニングデバイスは、所望のパターンに従って放射ビームをパターン付けするように機能しかつ前記放射ビームが通過する主要平面を有する、サポート構造と、
前記サポート構造の位置を測定する位置測定システムと、
前記パターニングデバイスの下方の第1の空間に第1のガスバリアを形成する第1のガス流を形成する第1出口開口部と、
前記サポート構造を通り過ぎて周囲環境に漏れ出るガスを抽出し、かつ、前記放射ビームの光軸に対して前記位置測定システムよりも半径方向内側に設けられた第1入口開口部と
を備えた、リソグラフィ装置。 - 前記パターニングデバイスの上方の第2の空間に第2のガスバリアを形成する第2のガス流を形成する第2出口開口部をさらに備えた、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記サポート構造の上方において周囲環境に漏れ出るガスを抽出する第2入口開口部をさらに備えた、請求項2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第1入口開口部及び/又は前記第2入口開口部において負圧を生成する負圧源をさらに備えた、請求項3に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第2の空間は、前記照明システムの下方にある、請求項2から4のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第2出口開口部は、前記第2の空間を通って前記放射ビームの経路の両側から前記第2のガス流を誘導するように構成された、請求項2から5のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第2のガス流は、乱流または層流である、請求項2から6のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第1出口開口部は、前記放射ビームの経路に向かって前記第1の空間を通って前記放射ビームの前記経路の両側から前記第1のガス流を誘導するように構成された、請求項1から7のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記位置測定システムは、前記サポート構造に取り付けられた格子をさらに備えた、請求項1から8のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記位置測定システムは、放射出口及び/又はセンサをさらに備えた、請求項9に記載のリソグラフィ装置。
- 前記パターニングデバイスによって前記放射ビームに付けられたパターンを基板のターゲット部分上に投影する投影システムをさらに備え、
前記第1の空間は、前記投影システムの上方にある、請求項1から10のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。 - 前記センサは、前記投影システムに対して固定された、請求項10を引用する請求項11に記載のリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261668934P | 2012-07-06 | 2012-07-06 | |
US61/668,934 | 2012-07-06 | ||
US201361761560P | 2013-02-06 | 2013-02-06 | |
US61/761,560 | 2013-02-06 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016199812A Division JP6347817B2 (ja) | 2012-07-06 | 2016-10-11 | リソグラフィ装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019154221A Division JP6854327B2 (ja) | 2012-07-06 | 2019-08-27 | リソグラフィ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018156097A JP2018156097A (ja) | 2018-10-04 |
JP6580209B2 true JP6580209B2 (ja) | 2019-09-25 |
Family
ID=48652000
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015518939A Active JP6025976B2 (ja) | 2012-07-06 | 2013-06-05 | リソグラフィ装置 |
JP2016199812A Active JP6347817B2 (ja) | 2012-07-06 | 2016-10-11 | リソグラフィ装置 |
JP2018101955A Active JP6580209B2 (ja) | 2012-07-06 | 2018-05-29 | リソグラフィ装置 |
JP2019154221A Active JP6854327B2 (ja) | 2012-07-06 | 2019-08-27 | リソグラフィ装置 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015518939A Active JP6025976B2 (ja) | 2012-07-06 | 2013-06-05 | リソグラフィ装置 |
JP2016199812A Active JP6347817B2 (ja) | 2012-07-06 | 2016-10-11 | リソグラフィ装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019154221A Active JP6854327B2 (ja) | 2012-07-06 | 2019-08-27 | リソグラフィ装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9513568B2 (ja) |
JP (4) | JP6025976B2 (ja) |
NL (1) | NL2010916A (ja) |
WO (1) | WO2014005780A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2010916A (en) * | 2012-07-06 | 2014-01-07 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus. |
JP6328126B2 (ja) | 2012-10-31 | 2018-05-23 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | パターニングデバイス支持体、リソグラフィ装置及びパターニングデバイスの温度制御方法 |
NL2012291A (en) | 2013-02-20 | 2014-08-21 | Asml Netherlands Bv | Gas flow optimization in reticle stage environment. |
NL2016399A (en) * | 2015-04-20 | 2016-10-24 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Method in a Lithographic Process. |
JP6017630B1 (ja) * | 2015-04-29 | 2016-11-02 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | リソグラフィ装置のレチクル冷却システム |
JP6572378B2 (ja) | 2015-07-14 | 2019-09-11 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置におけるパターニングデバイス冷却システム |
CN108885406B (zh) * | 2016-03-24 | 2020-09-11 | Asml荷兰有限公司 | 图案化设备冷却***以及热调节图案化设备的方法 |
WO2019115196A1 (en) * | 2017-12-14 | 2019-06-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with improved patterning performance |
EP3620858B1 (en) * | 2018-09-10 | 2023-11-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method of manufacturing article |
KR20240021180A (ko) * | 2021-06-14 | 2024-02-16 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 레티클용 냉각 후드 |
Family Cites Families (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3047461B2 (ja) | 1990-11-26 | 2000-05-29 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、投影露光方法、及び半導体集積回路製造方法 |
JPH10135120A (ja) | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH09275070A (ja) | 1996-04-05 | 1997-10-21 | Sony Corp | 露光装置 |
JPH1022196A (ja) | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH10289874A (ja) | 1997-04-16 | 1998-10-27 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH1131647A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-02-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 投影露光装置 |
JP2001093796A (ja) | 1997-11-12 | 2001-04-06 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP2001093797A (ja) | 1997-12-25 | 2001-04-06 | Nikon Corp | 露光装置 |
EP1030351A1 (en) | 1997-11-12 | 2000-08-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, apparatus for manufacturing devices, and method of manufacturing exposure apparatuses |
US6153044A (en) * | 1998-04-30 | 2000-11-28 | Euv Llc | Protection of lithographic components from particle contamination |
WO2000030163A1 (fr) | 1998-11-18 | 2000-05-25 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition |
US6406545B2 (en) | 1999-07-27 | 2002-06-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor workpiece processing apparatus and method |
JP2001118783A (ja) | 1999-10-21 | 2001-04-27 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
TW480372B (en) * | 1999-11-05 | 2002-03-21 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the apparatus, and device manufactured according to the method |
TW563002B (en) * | 1999-11-05 | 2003-11-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus, and device manufactured by the method |
US6933513B2 (en) * | 1999-11-05 | 2005-08-23 | Asml Netherlands B.V. | Gas flushing system for use in lithographic apparatus |
EP1279070B1 (en) | 2000-05-03 | 2007-10-03 | ASML Holding N.V. | Apparatus for providing a purged optical path in a projection photolithography system and a corresponding method |
JP2001358056A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2002151400A (ja) | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Canon Inc | 露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法及び半導体製造工場 |
JP2002158154A (ja) | 2000-11-16 | 2002-05-31 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2002260998A (ja) | 2000-12-28 | 2002-09-13 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
US6589354B2 (en) | 2001-01-04 | 2003-07-08 | Paul B. Reid | Method and apparatus for in-situ lithography mask cleaning |
JP2002373852A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2002373855A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2003115451A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-04-18 | Canon Inc | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
US6801301B2 (en) | 2001-10-12 | 2004-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
US6610123B2 (en) | 2001-12-17 | 2003-08-26 | Intel Corporation | Filtered mask enclosure |
US6934003B2 (en) * | 2002-01-07 | 2005-08-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP2003234281A (ja) | 2002-02-08 | 2003-08-22 | Canon Inc | 露光装置、デバイス製造方法 |
JP2003257845A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-09-12 | Canon Inc | 露光装置 |
US6866970B2 (en) | 2002-10-07 | 2005-03-15 | Lsi Logic Corporation | Apparatus and method to improve the resolution of photolithography systems by improving the temperature stability of the reticle |
JP2004179570A (ja) | 2002-11-29 | 2004-06-24 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004214552A (ja) | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP4289906B2 (ja) | 2003-02-28 | 2009-07-01 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US7619718B2 (en) | 2003-10-07 | 2009-11-17 | Asml Holding N.V. | Method and system for active purging of pellicle volumes |
JP2005136263A (ja) | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Nikon Corp | 露光装置とそのガス供給方法 |
JP2005322725A (ja) | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Toshiba Corp | 露光装置及び温度調節機構 |
US7057702B2 (en) * | 2004-06-23 | 2006-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI235410B (en) | 2004-07-16 | 2005-07-01 | Toppan Chunghwa Electronic Co | Method for cleaning semiconductor device |
US7030959B2 (en) | 2004-07-23 | 2006-04-18 | Nikon Corporation | Extreme ultraviolet reticle protection using gas flow thermophoresis |
KR20070035582A (ko) | 2004-07-23 | 2007-03-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 입자 오염을 감소시키는 기구 및 방법과 리소그래피 툴 |
US7532310B2 (en) | 2004-10-22 | 2009-05-12 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus, method for supporting and/or thermally conditioning a substrate, a support table, and a chuck |
US7202934B2 (en) | 2004-12-20 | 2007-04-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006269942A (ja) | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4519037B2 (ja) | 2005-08-31 | 2010-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置及び塗布、現像装置 |
US7367138B2 (en) | 2005-10-11 | 2008-05-06 | Nikon Corporation | Devices and methods for thermophoretic and electrophoretic reduction of particulate contamination of lithographic reticles |
US7554648B2 (en) * | 2005-11-04 | 2009-06-30 | Nikon Corporation | Blind devices and methods for providing continuous thermophoretic protection of lithographic reticle |
JP4527670B2 (ja) | 2006-01-25 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
US7745079B2 (en) * | 2006-03-09 | 2010-06-29 | Nikon Corporation | Apparatus for and method of thermophoretic protection of an object in a high-vacuum environment |
US20070285632A1 (en) * | 2006-06-08 | 2007-12-13 | Nikon Corporation | EUVL reticle stage and reticle protection system and method |
US7877895B2 (en) | 2006-06-26 | 2011-02-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
EP2102711A1 (en) | 2006-12-08 | 2009-09-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure appararus |
JP2008166614A (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Nikon Corp | 移動体装置、露光装置、計測方法及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP5109376B2 (ja) | 2007-01-22 | 2012-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 |
JP2008270441A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8964166B2 (en) * | 2007-12-17 | 2015-02-24 | Nikon Corporation | Stage device, exposure apparatus and method of producing device |
US8358401B2 (en) | 2008-04-11 | 2013-01-22 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
NL2003084A1 (nl) | 2008-06-27 | 2009-12-29 | Asml Netherlands Bv | Correction method for non-uniform reticle heating in a lithographic apparatus. |
DE102009045008A1 (de) | 2008-10-15 | 2010-04-29 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV-Lithographievorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten einer Maske |
US10054754B2 (en) | 2009-02-04 | 2018-08-21 | Nikon Corporation | Thermal regulation of vibration-sensitive objects with conduit circuit having liquid metal, pump, and heat exchanger |
JP2010182942A (ja) | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Nikon Corp | マスク、ステージ装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US20110032495A1 (en) | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5667568B2 (ja) | 2009-08-07 | 2015-02-12 | 株式会社ニコン | 移動体装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US20110128523A1 (en) | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110123913A1 (en) | 2009-11-19 | 2011-05-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
JP2011219902A (ja) | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Nippon Felt Co Ltd | 製紙用フェルトおよびその製造方法 |
JP2011249620A (ja) | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2012028531A (ja) | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
NL2006674A (en) | 2010-08-02 | 2012-02-06 | Asml Holding Nv | Reticle cooling in a lithographic apparatus. |
NL2007439A (en) | 2010-10-19 | 2012-04-23 | Asml Netherlands Bv | Gas manifold, module for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP5778093B2 (ja) | 2011-08-10 | 2015-09-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板テーブルアセンブリ、液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
NL2010916A (en) * | 2012-07-06 | 2014-01-07 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus. |
-
2013
- 2013-06-05 NL NL2010916A patent/NL2010916A/en not_active Application Discontinuation
- 2013-06-05 US US14/411,870 patent/US9513568B2/en active Active
- 2013-06-05 JP JP2015518939A patent/JP6025976B2/ja active Active
- 2013-06-05 WO PCT/EP2013/061560 patent/WO2014005780A1/en active Application Filing
-
2016
- 2016-10-11 JP JP2016199812A patent/JP6347817B2/ja active Active
- 2016-11-17 US US15/354,821 patent/US10788763B2/en active Active
-
2018
- 2018-05-29 JP JP2018101955A patent/JP6580209B2/ja active Active
-
2019
- 2019-08-27 JP JP2019154221A patent/JP6854327B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150168854A1 (en) | 2015-06-18 |
NL2010916A (en) | 2014-01-07 |
WO2014005780A1 (en) | 2014-01-09 |
JP6854327B2 (ja) | 2021-04-07 |
JP2015522843A (ja) | 2015-08-06 |
US10788763B2 (en) | 2020-09-29 |
JP2017016157A (ja) | 2017-01-19 |
JP6025976B2 (ja) | 2016-11-16 |
JP6347817B2 (ja) | 2018-06-27 |
US20170068175A1 (en) | 2017-03-09 |
US9513568B2 (en) | 2016-12-06 |
JP2020013140A (ja) | 2020-01-23 |
JP2018156097A (ja) | 2018-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6580209B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
JP4621700B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US10203612B2 (en) | Substrate table, a lithographic apparatus and a method for manufacturing a device using a lithographic apparatus | |
TWI512408B (zh) | 微影設備,用於微影設備之支撐平台及元件製造方法 | |
KR101317740B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
US9811007B2 (en) | Lithographic apparatus and method of cooling a component in a lithographic apparatus | |
US8441610B2 (en) | Assembly comprising a conditioning system and at least one object, a conditioning system, a lithographic apparatus and methods | |
KR101620930B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
WO2006006565A1 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2010267961A (ja) | 液浸リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP6694518B2 (ja) | パターニングデバイス冷却装置 | |
JP5456848B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP6083975B2 (ja) | 流体ハンドリング構造、液浸リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を操作する方法 | |
US10222713B2 (en) | Patterning device cooling apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180530 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190318 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190618 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190628 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190722 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190827 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6580209 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |