JPH1131647A - 投影露光装置 - Google Patents
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- JPH1131647A JPH1131647A JP9185614A JP18561497A JPH1131647A JP H1131647 A JPH1131647 A JP H1131647A JP 9185614 A JP9185614 A JP 9185614A JP 18561497 A JP18561497 A JP 18561497A JP H1131647 A JPH1131647 A JP H1131647A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
- G03F7/70891—Temperature
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レチクルの温度を安定させることによって、
ウェーハ上のパターン位置精度の向上を図ることができ
る投影露光装置を提供する。 【解決手段】 レチクル８を載せるレチクルテーブル９
と、レチクル８に光を照射する光源７と、レチクル８を
透過した光源７からの光をウェーハ１１上に投影させる
縮小投影レンズ１０と、設定温度の±０．１℃の範囲内
に温度調節されたクリーンエアをレチクル８に当てるこ
とによってレチクル８の温度を調節する第１の温調ユニ
ット２０とを有する。
ウェーハ上のパターン位置精度の向上を図ることができ
る投影露光装置を提供する。 【解決手段】 レチクル８を載せるレチクルテーブル９
と、レチクル８に光を照射する光源７と、レチクル８を
透過した光源７からの光をウェーハ１１上に投影させる
縮小投影レンズ１０と、設定温度の±０．１℃の範囲内
に温度調節されたクリーンエアをレチクル８に当てるこ
とによってレチクル８の温度を調節する第１の温調ユニ
ット２０とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レチクル上に描画
されたパターンをウェーハ上に投影露光する投影露光装
置に関するものである。
されたパターンをウェーハ上に投影露光する投影露光装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２５は、エンバイロンメンタル・チャ
ンバ（environmental chamber）２内に収納された従来
の投影露光装置１の概略的な構成図である。エンバイロ
ンメンタル・チャンバ２は、投影露光装置１の周辺環
境、例えば、温度や塵埃等を管理する機能を持つ。
ンバ（environmental chamber）２内に収納された従来
の投影露光装置１の概略的な構成図である。エンバイロ
ンメンタル・チャンバ２は、投影露光装置１の周辺環
境、例えば、温度や塵埃等を管理する機能を持つ。
【０００３】また、図２６は、エンバイロンメンタル・
チャンバ２に備えられた空調ユニットを概略的に示す構
成図である。図２６に示されるように、投影露光装置１
の周辺環境は、クーラ３と、ヒータ４と、送風機５と、
ＵＬＰＡフィルタ（ultra low penetration air-filte
r）６とを有する空調ユニットによって、温度調節及び
塵埃の除去がなされる。尚、図２６における、白抜きの
矢印は、エンバイロンメンタル・チャンバ２内における
クリーンエアの流れを示す。
チャンバ２に備えられた空調ユニットを概略的に示す構
成図である。図２６に示されるように、投影露光装置１
の周辺環境は、クーラ３と、ヒータ４と、送風機５と、
ＵＬＰＡフィルタ（ultra low penetration air-filte
r）６とを有する空調ユニットによって、温度調節及び
塵埃の除去がなされる。尚、図２６における、白抜きの
矢印は、エンバイロンメンタル・チャンバ２内における
クリーンエアの流れを示す。
【０００４】また、図２７は、図２５及び図２６に示さ
れた投影露光装置１の一部を概略的に示す斜視図であ
る。図２７に示されるように、投影露光装置１は、光源
７と、レチクル８を載せるレチクルテーブル９と、縮小
投影レンズ１０と、ウェーハ１１を載せるウェーハテー
ブル及びＸＹステージ部１２とを有する。露光に際して
は、光源７からの光により、レチクル８上に描画された
パターンを縮小投影レンズ１０を通してウェーハ１１上
に投影する。
れた投影露光装置１の一部を概略的に示す斜視図であ
る。図２７に示されるように、投影露光装置１は、光源
７と、レチクル８を載せるレチクルテーブル９と、縮小
投影レンズ１０と、ウェーハ１１を載せるウェーハテー
ブル及びＸＹステージ部１２とを有する。露光に際して
は、光源７からの光により、レチクル８上に描画された
パターンを縮小投影レンズ１０を通してウェーハ１１上
に投影する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、投影
露光装置には、最先端デバイスに対応できるようにする
ための３つの技術的変更が要求されている。第１は、Ｕ
ＬＳＩの大規模化に伴う露光スループット低下対策とし
て現状の５倍レチクルに代えて４倍レチクルを使用する
こと、第２は、現状のレチクル（６インチ□×０．２５
インチ厚）で対応できなくなった場合にレチクルサイズ
を大型化（例えば、９インチ□×０．５インチ厚）する
こと、第３は、超微細化対応のために光源を現状のｉ線
（波長：３６５ｎｍ）に代えてエキシマレーザ（ＫｒＦ
の波長：２４８ｎｍ、ＡｒＦの波長：１９３ｎｍ）にす
ることである。
露光装置には、最先端デバイスに対応できるようにする
ための３つの技術的変更が要求されている。第１は、Ｕ
ＬＳＩの大規模化に伴う露光スループット低下対策とし
て現状の５倍レチクルに代えて４倍レチクルを使用する
こと、第２は、現状のレチクル（６インチ□×０．２５
インチ厚）で対応できなくなった場合にレチクルサイズ
を大型化（例えば、９インチ□×０．５インチ厚）する
こと、第３は、超微細化対応のために光源を現状のｉ線
（波長：３６５ｎｍ）に代えてエキシマレーザ（ＫｒＦ
の波長：２４８ｎｍ、ＡｒＦの波長：１９３ｎｍ）にす
ることである。
【０００６】しかしながら、上記第１の変更を行った場
合には、レチクルに現状よりも２０％厳しいパターン位
置精度が要求され、また、上記第２の変更を行った場合
には、レチクルに現状よりも約７０％（大サイズ化によ
り約６０％、それにレチクルの４倍化により２０％分が
上乗せされる）厳しいパターン位置精度が要求される。
このため、従来は問題とされなかったレチクルの昇温に
伴う熱膨張の影響が無視できなくなるという問題があっ
た。
合には、レチクルに現状よりも２０％厳しいパターン位
置精度が要求され、また、上記第２の変更を行った場合
には、レチクルに現状よりも約７０％（大サイズ化によ
り約６０％、それにレチクルの４倍化により２０％分が
上乗せされる）厳しいパターン位置精度が要求される。
このため、従来は問題とされなかったレチクルの昇温に
伴う熱膨張の影響が無視できなくなるという問題があっ
た。
【０００７】例えば、投影露光装置１の筐体の外側、即
ち、エンバイロンメンタル・チャンバ２内のクリーンエ
アの温度を調節するだけの従来の場合において、ｉ線等
のＵＶ光が繰り返し照射されると、レチクルの温度は
０．０１〜０．６℃程度上昇する。また、レチクルの硝
種が石英（熱膨張係数：７．５×１０-7／℃）でありレ
チクルの温度が０．３℃上昇した場合に、露光開始時に
おけるウェーハと０．３℃昇温後におけるウェーハとを
比較すると、６インチレチクルの場合（有効エリアが１
２５ｍｍ□として）、レチクル上で０．０２８１μｍ、
ウェーハ上で（４×投影露光装置の場合）０．００７μ
ｍものパターン位置ズレが生じ、また、９インチレチク
ルの場合（有効エリアが２００ｍｍ□として）、レチク
ル上で０．０４５μｍ、ウェーハ上で（４×投影露光装
置の場合）０．０１１μｍものパターン位置ズレが生ず
る。
ち、エンバイロンメンタル・チャンバ２内のクリーンエ
アの温度を調節するだけの従来の場合において、ｉ線等
のＵＶ光が繰り返し照射されると、レチクルの温度は
０．０１〜０．６℃程度上昇する。また、レチクルの硝
種が石英（熱膨張係数：７．５×１０-7／℃）でありレ
チクルの温度が０．３℃上昇した場合に、露光開始時に
おけるウェーハと０．３℃昇温後におけるウェーハとを
比較すると、６インチレチクルの場合（有効エリアが１
２５ｍｍ□として）、レチクル上で０．０２８１μｍ、
ウェーハ上で（４×投影露光装置の場合）０．００７μ
ｍものパターン位置ズレが生じ、また、９インチレチク
ルの場合（有効エリアが２００ｍｍ□として）、レチク
ル上で０．０４５μｍ、ウェーハ上で（４×投影露光装
置の場合）０．０１１μｍものパターン位置ズレが生ず
る。
【０００８】さらに、図２８の透過率特性図から推測で
きるように、上記第３の変更によりＡｒＦ（波長：１９
３ｎｍ）のエキシマレーザを採用した場合には、ｉ線
（波長：３６５ｎｍ）やＫｒＦのエキシマレーザ（波
長：２４８ｎｍ）の場合よりも１０％以上も透過率が落
ちる。このため、ＡｒＦのエキシマレーザを採用した場
合には、吸収された光が熱エネルギに変わり、レチクル
の昇温がより一層加速されるという問題があった。
きるように、上記第３の変更によりＡｒＦ（波長：１９
３ｎｍ）のエキシマレーザを採用した場合には、ｉ線
（波長：３６５ｎｍ）やＫｒＦのエキシマレーザ（波
長：２４８ｎｍ）の場合よりも１０％以上も透過率が落
ちる。このため、ＡｒＦのエキシマレーザを採用した場
合には、吸収された光が熱エネルギに変わり、レチクル
の昇温がより一層加速されるという問題があった。
【０００９】さらにまた、集光された光により縮小投影
レンズ１０の温度も上昇するので、レンズのディストー
ションの分布が変化し、露光位置の精度が低下し、ウェ
ーハ内のパターン位置にズレが生ずるという問題があっ
た。
レンズ１０の温度も上昇するので、レンズのディストー
ションの分布が変化し、露光位置の精度が低下し、ウェ
ーハ内のパターン位置にズレが生ずるという問題があっ
た。
【００１０】そこで、本発明は、レチクル又は縮小投影
レンズの温度を安定させることによって、ウェーハのパ
ターン位置精度の向上を図ることができる投影露光装置
を提供することにある。
レンズの温度を安定させることによって、ウェーハのパ
ターン位置精度の向上を図ることができる投影露光装置
を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の投影露光装置
は、レチクルを載せるレチクルテーブルと、上記レチク
ルに光を照射する光源と、上記レチクルを透過した上記
光源からの光をウェーハ上に投影させる縮小投影レンズ
とを有し、設定温度の±０．１℃の範囲内に温度調節さ
れた気体を上記レチクルに当てることによって上記レチ
クルの温度を調節する第１の温調手段を備えたことを特
徴としている。
は、レチクルを載せるレチクルテーブルと、上記レチク
ルに光を照射する光源と、上記レチクルを透過した上記
光源からの光をウェーハ上に投影させる縮小投影レンズ
とを有し、設定温度の±０．１℃の範囲内に温度調節さ
れた気体を上記レチクルに当てることによって上記レチ
クルの温度を調節する第１の温調手段を備えたことを特
徴としている。
【００１２】ここで、上記第１の温調手段は、レチクル
に向けて気体を送る第１の送風部と、上記レチクルの周
囲を通過した気体を排出する第１の排出部とを有するこ
とができる。
に向けて気体を送る第１の送風部と、上記レチクルの周
囲を通過した気体を排出する第１の排出部とを有するこ
とができる。
【００１３】また、上記第１の送風部は、レチクルの上
記光源側の面に向けて気体を送る第１の吹出しノズルを
有することができる。
記光源側の面に向けて気体を送る第１の吹出しノズルを
有することができる。
【００１４】また、上記第１の送風部は、レチクルテー
ブルに向けて気体を送る第２の吹出しノズルを有するこ
とができる。
ブルに向けて気体を送る第２の吹出しノズルを有するこ
とができる。
【００１５】また、レチクルと、レチクルテーブルとを
囲う第１のカバーを備え、上記第１の温調手段からの気
体を上記第１のカバー内に流すことができる。
囲う第１のカバーを備え、上記第１の温調手段からの気
体を上記第１のカバー内に流すことができる。
【００１６】また、レチクルの温度を調節する第２の温
調手段を備え、この第２の温調手段が、上記レチクルテ
ーブルの周囲に形成された第１の通路と、上記第１の通
路内に設定温度の±０．１℃の範囲内に温度調節された
液体を流す第１の循環手段と有するように構成してもよ
い。
調手段を備え、この第２の温調手段が、上記レチクルテ
ーブルの周囲に形成された第１の通路と、上記第１の通
路内に設定温度の±０．１℃の範囲内に温度調節された
液体を流す第１の循環手段と有するように構成してもよ
い。
【００１７】また、設定温度の±０．１℃の範囲内に温
度調節された気体を縮小投影レンズに当てることによっ
て縮小投影レンズの温度を調節する第３の温調手段を備
えることができる。
度調節された気体を縮小投影レンズに当てることによっ
て縮小投影レンズの温度を調節する第３の温調手段を備
えることができる。
【００１８】また、第３の温調手段は、上記縮小投影レ
ンズに向けて気体を送る第２の送風部と、上記縮小投影
レンズの周囲を通過した気体を排出する第２の排出部と
を有することができる。
ンズに向けて気体を送る第２の送風部と、上記縮小投影
レンズの周囲を通過した気体を排出する第２の排出部と
を有することができる。
【００１９】また、縮小投影レンズを囲う第２のカバー
を備え、上記第３の温調手段からの気体を上記第２のカ
バー内に流すことができる。
を備え、上記第３の温調手段からの気体を上記第２のカ
バー内に流すことができる。
【００２０】また、縮小投影レンズの温度を調節する第
４の温調手段を備え、この第４の温調手段は、上記縮小
投影レンズの周囲に形成された第２の通路と、上記第２
の通路内に設定温度の±０．１℃の範囲内に温度調節さ
れた液体を流す第２の循環手段とを有することができ
る。
４の温調手段を備え、この第４の温調手段は、上記縮小
投影レンズの周囲に形成された第２の通路と、上記第２
の通路内に設定温度の±０．１℃の範囲内に温度調節さ
れた液体を流す第２の循環手段とを有することができ
る。
【００２１】さらに、他の発明の投影露光装置は、レチ
クルに光を照射する光源と、上記レチクルを透過した上
記光源からの光をウェーハ上に投影させる縮小投影レン
ズとを有し、設定温度の±０．１℃の範囲内に温度調節
された気体を上記縮小投影レンズに当てることによって
上記縮小投影レンズの温度を調節する第１の温調手段を
備えたことを特徴としている。
クルに光を照射する光源と、上記レチクルを透過した上
記光源からの光をウェーハ上に投影させる縮小投影レン
ズとを有し、設定温度の±０．１℃の範囲内に温度調節
された気体を上記縮小投影レンズに当てることによって
上記縮小投影レンズの温度を調節する第１の温調手段を
備えたことを特徴としている。
【００２２】ここで、第１の温調手段が、上記縮小投影
レンズに向けて気体を送る送風部と、上記縮小投影レン
ズの周囲を通過した気体を排出する排出部とを有するこ
とができる。
レンズに向けて気体を送る送風部と、上記縮小投影レン
ズの周囲を通過した気体を排出する排出部とを有するこ
とができる。
【００２３】また、縮小投影レンズを囲うカバーを備
え、上記第１の温調手段からの気体を上記カバー内に流
すことができる。
え、上記第１の温調手段からの気体を上記カバー内に流
すことができる。
【００２４】また、縮小投影レンズの温度を調節する第
２の温調手段を備え、この第２の温調手段が、上記縮小
投影レンズの周囲に形成された通路と、上記通路内に設
定温度の±０．１℃の範囲内に温度調節された液体を流
す循環手段とを有するように構成することができる。
２の温調手段を備え、この第２の温調手段が、上記縮小
投影レンズの周囲に形成された通路と、上記通路内に設
定温度の±０．１℃の範囲内に温度調節された液体を流
す循環手段とを有するように構成することができる。
【００２５】さらに、他の発明の投影露光装置によれ
ば、レチクルに光を照射する光源と、上記レチクルを透
過した上記光源からの光をウェーハ上に投影させる縮小
投影レンズとを有し、上記縮小投影レンズの温度を調節
する温調手段を備え、上記温調手段が、上記縮小投影レ
ンズの周囲に形成された通路と、上記通路内に設定温度
の±０．１℃の範囲内に温度調節された液体を流す循環
手段とを有することを特徴としている。
ば、レチクルに光を照射する光源と、上記レチクルを透
過した上記光源からの光をウェーハ上に投影させる縮小
投影レンズとを有し、上記縮小投影レンズの温度を調節
する温調手段を備え、上記温調手段が、上記縮小投影レ
ンズの周囲に形成された通路と、上記通路内に設定温度
の±０．１℃の範囲内に温度調節された液体を流す循環
手段とを有することを特徴としている。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面を参照しながら詳細に説明する。
図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２７】実施の形態１ 図１は、本発明の実施の形態１による投影露光装置を概
略的に示す構成図である。
略的に示す構成図である。
【００２８】図１に示されるように、実施の形態１にお
いては、エンバイロンメンタル・チャンバ２の内部、即
ち、投影露光装置１の周辺環境が、クーラ３と、ヒータ
４と、送風機５と、ＵＬＰＡフィルタ６とを有する空調
ユニットによって、温度管理及び塵埃の除去がなされて
いる。尚、図１における、白抜きの矢印は、エンバイロ
ンメンタル・チャンバ２内におけるクリーンエアの流れ
を示す。
いては、エンバイロンメンタル・チャンバ２の内部、即
ち、投影露光装置１の周辺環境が、クーラ３と、ヒータ
４と、送風機５と、ＵＬＰＡフィルタ６とを有する空調
ユニットによって、温度管理及び塵埃の除去がなされて
いる。尚、図１における、白抜きの矢印は、エンバイロ
ンメンタル・チャンバ２内におけるクリーンエアの流れ
を示す。
【００２９】また、図１に示されるように、実施の形態
１の投影露光装置１は、例えば、ＡｒＦエキシマレーザ
等の光源７と、レチクル（例えば、４倍レチクル）８を
載せるレチクルテーブル９と、縮小投影レンズ１０と、
ウェーハ１１を載せるウェーハテーブル及びＸＹステー
ジ部１２とを有する。露光に際しては、光源７からの光
により、レチクル８上に描画されたパターンをウェーハ
１１上に投影する。
１の投影露光装置１は、例えば、ＡｒＦエキシマレーザ
等の光源７と、レチクル（例えば、４倍レチクル）８を
載せるレチクルテーブル９と、縮小投影レンズ１０と、
ウェーハ１１を載せるウェーハテーブル及びＸＹステー
ジ部１２とを有する。露光に際しては、光源７からの光
により、レチクル８上に描画されたパターンをウェーハ
１１上に投影する。
【００３０】また、実施の形態１の投影露光装置１は、
設定温度の±０．１℃の範囲内に温度調節されたクリー
ンエアをレチクル８に直接当てることによってレチクル
８の温度を調節する第１の温調ユニット（温度調節ユニ
ット）２０を備えている。第１の温調ユニット２０は、
温度調節及び塵埃除去されたクリーンエアの供給部２１
と、クリーンエアを投影露光装置１の筐体１ａの内部に
送る送風部２２と、レチクル８の周囲を通過したクリー
ンエアを投影露光装置１の筐体１ａから排出して供給部
２１に戻す排出部２３とを有する。
設定温度の±０．１℃の範囲内に温度調節されたクリー
ンエアをレチクル８に直接当てることによってレチクル
８の温度を調節する第１の温調ユニット（温度調節ユニ
ット）２０を備えている。第１の温調ユニット２０は、
温度調節及び塵埃除去されたクリーンエアの供給部２１
と、クリーンエアを投影露光装置１の筐体１ａの内部に
送る送風部２２と、レチクル８の周囲を通過したクリー
ンエアを投影露光装置１の筐体１ａから排出して供給部
２１に戻す排出部２３とを有する。
【００３１】図２は、供給部２１を示す構成図である。
図２に示されるように、供給部２１は、クーラ２４と、
ヒータ２５と、送風機２６と、ＵＬＰＡフィルタ２７と
を有する。また、供給部２１は、温度センサ２８と、ク
ーラ２４及びヒータ２５の駆動回路２９と、温度センサ
２８の検出値に基づいてクーラ２４及びヒータ２５の動
作を制御する制御回路３０とを有する。制御回路３０
は、供給部２１から排出されるクリーンエアが設定温度
の±０．１℃以内になるようクーラ２４及びヒータ２５
の動作を制御する。ここで、設定温度の±０．１℃以内
に設定する理由は、先に説明したように、６インチのレ
チクル（有効エリアが１２５ｍｍ□）が０．３℃温度上
昇した場合にはレチクル上のパターン位置が約０．０２
８１μｍずれるが、この値はＵＬＳＩの製作に要求され
るレチクル露光機精度（重ね合わせ許容精度）として採
用されている値（例えば、０．０５μｍ又は０．０６μ
ｍ）の５０％程度を占めるので、残された許容誤差が極
めて小さくなるからである。また、現在実用化されてい
る温調ユニットの設定温度の誤差範囲だからである。
尚、温度センサ２８の設置位置は、図示の位置には限定
されず、レチクル８の近傍等の他の位置であってもよ
い。
図２に示されるように、供給部２１は、クーラ２４と、
ヒータ２５と、送風機２６と、ＵＬＰＡフィルタ２７と
を有する。また、供給部２１は、温度センサ２８と、ク
ーラ２４及びヒータ２５の駆動回路２９と、温度センサ
２８の検出値に基づいてクーラ２４及びヒータ２５の動
作を制御する制御回路３０とを有する。制御回路３０
は、供給部２１から排出されるクリーンエアが設定温度
の±０．１℃以内になるようクーラ２４及びヒータ２５
の動作を制御する。ここで、設定温度の±０．１℃以内
に設定する理由は、先に説明したように、６インチのレ
チクル（有効エリアが１２５ｍｍ□）が０．３℃温度上
昇した場合にはレチクル上のパターン位置が約０．０２
８１μｍずれるが、この値はＵＬＳＩの製作に要求され
るレチクル露光機精度（重ね合わせ許容精度）として採
用されている値（例えば、０．０５μｍ又は０．０６μ
ｍ）の５０％程度を占めるので、残された許容誤差が極
めて小さくなるからである。また、現在実用化されてい
る温調ユニットの設定温度の誤差範囲だからである。
尚、温度センサ２８の設置位置は、図示の位置には限定
されず、レチクル８の近傍等の他の位置であってもよ
い。
【００３２】図３は、図１のレチクル付近を拡大して示
す概略的な側面図、図４は、図３の概略的な平面図であ
る。図３及び図４において、矢印はクリーンエアの流れ
を示す。図１、図３又は図４に示されるように、送風部
２２は、供給部２１からのクリーンエアを投影露光装置
１の筐体内部まで送る配管２２ａと、この配管２２ａに
接続されたマニホールド２２ｂと、マニホールド２２ｂ
の先端に形成されレチクル８の光源７側の面（上面）に
向けてクリーンエアを出す複数個の吹出しノズル２２ｃ
とを有する。尚、１３は、レチクル８に備えられたぺリ
クルである。
す概略的な側面図、図４は、図３の概略的な平面図であ
る。図３及び図４において、矢印はクリーンエアの流れ
を示す。図１、図３又は図４に示されるように、送風部
２２は、供給部２１からのクリーンエアを投影露光装置
１の筐体内部まで送る配管２２ａと、この配管２２ａに
接続されたマニホールド２２ｂと、マニホールド２２ｂ
の先端に形成されレチクル８の光源７側の面（上面）に
向けてクリーンエアを出す複数個の吹出しノズル２２ｃ
とを有する。尚、１３は、レチクル８に備えられたぺリ
クルである。
【００３３】また、排出部２３は、レチクル８を挟んで
吹出しノズル２２ｃの反対側に備えられた排出口２３ａ
と、クリーンエアを供給部２１に戻す配管２３ｂとを有
する。
吹出しノズル２２ｃの反対側に備えられた排出口２３ａ
と、クリーンエアを供給部２１に戻す配管２３ｂとを有
する。
【００３４】投影露光に際しては、図３及び図４に示さ
れるように、第１の温調ユニット２０により設定温度の
±０．１℃以内に調節されたクリーンエアを吹出しノズ
ル２２ｃからレチクル８の上面全体（即ち、ペリクル面
及びパターン面と反対側）に直接当てて、レチクル８の
上面に沿って排出口２３ａに向けて流す。
れるように、第１の温調ユニット２０により設定温度の
±０．１℃以内に調節されたクリーンエアを吹出しノズ
ル２２ｃからレチクル８の上面全体（即ち、ペリクル面
及びパターン面と反対側）に直接当てて、レチクル８の
上面に沿って排出口２３ａに向けて流す。
【００３５】以上説明したように、実施の形態１の投影
露光装置１によれば、投影露光装置１の筐体１ａの外側
を温度調節しているだけでなく、投影露光装置１の筐体
１ａの内部のレチクル８に向けて、第１の温調ユニット
２０により設定温度の±０．１℃以内に温度調節された
クリーンエアを直接当てているので、レチクル８の温度
を安定させることができる。このため、４倍レチクルを
使用した場合や、レチクルを大サイズ化した場合であっ
ても、レチクル８内のパターン位置精度の誤差発生が抑
制され、高精度のアライメント精度でパターニングされ
たＵＬＳＩが得られるので、ＵＬＳＩの製造歩留を大幅
に向上させることができる。また、レチクル８の上面に
は、ペリクルがないので、レチクル８の上面にクリーン
エアを当てた本実施の形態の場合には、冷却効果が大き
い。
露光装置１によれば、投影露光装置１の筐体１ａの外側
を温度調節しているだけでなく、投影露光装置１の筐体
１ａの内部のレチクル８に向けて、第１の温調ユニット
２０により設定温度の±０．１℃以内に温度調節された
クリーンエアを直接当てているので、レチクル８の温度
を安定させることができる。このため、４倍レチクルを
使用した場合や、レチクルを大サイズ化した場合であっ
ても、レチクル８内のパターン位置精度の誤差発生が抑
制され、高精度のアライメント精度でパターニングされ
たＵＬＳＩが得られるので、ＵＬＳＩの製造歩留を大幅
に向上させることができる。また、レチクル８の上面に
は、ペリクルがないので、レチクル８の上面にクリーン
エアを当てた本実施の形態の場合には、冷却効果が大き
い。
【００３６】実施の形態２ 図５は、本発明の実施の形態２による投影露光装置を概
略的に示す構成図である。また、図６は、図５のレチク
ル付近を拡大して示す概略的な側面図、図７は、図６の
概略的な平面図である。
略的に示す構成図である。また、図６は、図５のレチク
ル付近を拡大して示す概略的な側面図、図７は、図６の
概略的な平面図である。
【００３７】図５乃至図７において、上記図１乃至図４
の構成と同一又は対応する構成には同一の符号を付す。
実施の形態２の投影露光装置３０は、レチクル８及びレ
チクルテーブル９の外側を囲うカバー（ボックス）３１
を備えた点、及び、吹出しノズル２２ｃに加えて、レチ
クルテーブル９の側面及び下面にクリーンエアを流す吹
出しノズル２２ｄを備えた点のみが、上記実施の形態１
の投影露光装置１と相違する。
の構成と同一又は対応する構成には同一の符号を付す。
実施の形態２の投影露光装置３０は、レチクル８及びレ
チクルテーブル９の外側を囲うカバー（ボックス）３１
を備えた点、及び、吹出しノズル２２ｃに加えて、レチ
クルテーブル９の側面及び下面にクリーンエアを流す吹
出しノズル２２ｄを備えた点のみが、上記実施の形態１
の投影露光装置１と相違する。
【００３８】投影露光に際しては、図６及び図７に示さ
れるように、第１の温調ユニット２０により設定温度の
±０．１℃以内に調節されたクリーンエアを吹出しノズ
ル２２ｃ及び吹出しノズル２２ｄからカバー３１内に送
り込み、レチクル８の上面及びレチクルテーブル９の側
面及び下面に沿って排出口２３ａに向けて流す。
れるように、第１の温調ユニット２０により設定温度の
±０．１℃以内に調節されたクリーンエアを吹出しノズ
ル２２ｃ及び吹出しノズル２２ｄからカバー３１内に送
り込み、レチクル８の上面及びレチクルテーブル９の側
面及び下面に沿って排出口２３ａに向けて流す。
【００３９】以上説明したように、実施の形態２の投影
露光装置３０によれば、カバー３１を備えると共に、レ
チクル８の上面に向けた吹出しノズル２２ｃに加えて、
真下に向けた吹出しノズル２２ｄをも備えたので、レチ
クル８の両面のみならずレチクルテーブル９の温度をも
安定させることができる。このため、４倍レチクルを使
用した場合や、レチクルを大サイズ化した場合であって
も、レチクル８内のパターン位置精度の誤差発生が抑制
され、高精度のアライメント精度でパターニングされた
ＵＬＳＩが得られるので、ＵＬＳＩの製造歩留を大幅に
向上させることができる。
露光装置３０によれば、カバー３１を備えると共に、レ
チクル８の上面に向けた吹出しノズル２２ｃに加えて、
真下に向けた吹出しノズル２２ｄをも備えたので、レチ
クル８の両面のみならずレチクルテーブル９の温度をも
安定させることができる。このため、４倍レチクルを使
用した場合や、レチクルを大サイズ化した場合であって
も、レチクル８内のパターン位置精度の誤差発生が抑制
され、高精度のアライメント精度でパターニングされた
ＵＬＳＩが得られるので、ＵＬＳＩの製造歩留を大幅に
向上させることができる。
【００４０】尚、実施の形態２において、上記以外の点
は、上記実施の形態１と同一である。
は、上記実施の形態１と同一である。
【００４１】実施の形態３ 図８は、本発明の実施の形態３による投影露光装置を概
略的に示す構成図である。また、図９は、図８のレチク
ル付近を拡大して示す概略的な側面図、図１０は、図９
の概略的な平面図である。
略的に示す構成図である。また、図９は、図８のレチク
ル付近を拡大して示す概略的な側面図、図１０は、図９
の概略的な平面図である。
【００４２】図８乃至図１０において、上記図１乃至図
４の構成と同一又は対応する構成には同一の符号を付
す。実施の形態３の投影露光装置４０は、レチクル８の
温度を調節する第２の温調ユニット４１を備えた点のみ
が上記実施の形態１の投影露光装置１と相違する。第２
の温調ユニット４１は、冷却水の供給部４２と、冷却水
を流す配管４３とを有する。
４の構成と同一又は対応する構成には同一の符号を付
す。実施の形態３の投影露光装置４０は、レチクル８の
温度を調節する第２の温調ユニット４１を備えた点のみ
が上記実施の形態１の投影露光装置１と相違する。第２
の温調ユニット４１は、冷却水の供給部４２と、冷却水
を流す配管４３とを有する。
【００４３】図１１は、供給部４１を示す構成図であ
る。図１１に示されるように、供給部４１は、クーラ４
４と、ヒータ４５と、ポンプ４６とを有する。また、供
給部４１は、温度センサ４７と、クーラ４４及びヒータ
４５の駆動回路４８と、温度センサ４７の検出値に基づ
いてクーラ４４及びヒータ４５の動作を制御する制御回
路４９とを有する。制御回路４９は、供給部４１から排
出される冷却水が設定温度の±０．１℃以内になるよう
クーラ４４及びヒータ４５の動作を制御する。尚、温度
センサ４７の設置位置は、図示の位置には限定されず、
レチクルテーブル９の近傍等の他の位置であってもよ
い。
る。図１１に示されるように、供給部４１は、クーラ４
４と、ヒータ４５と、ポンプ４６とを有する。また、供
給部４１は、温度センサ４７と、クーラ４４及びヒータ
４５の駆動回路４８と、温度センサ４７の検出値に基づ
いてクーラ４４及びヒータ４５の動作を制御する制御回
路４９とを有する。制御回路４９は、供給部４１から排
出される冷却水が設定温度の±０．１℃以内になるよう
クーラ４４及びヒータ４５の動作を制御する。尚、温度
センサ４７の設置位置は、図示の位置には限定されず、
レチクルテーブル９の近傍等の他の位置であってもよ
い。
【００４４】投影露光に際しては、図９及び図１０に示
されるように、第１の温調ユニット２０により設定温度
の±０．１℃以内に調節されたクリーンエアを吹出しノ
ズル２２ｃからレチクル８の上面に向けて送り込み、排
出口２３ａから排出する。これと同時に、第２の温調ユ
ニット４１により設定温度の±０．１℃以内に調節され
た冷却水を配管４３に流し、レチクルテーブル９を冷却
する。
されるように、第１の温調ユニット２０により設定温度
の±０．１℃以内に調節されたクリーンエアを吹出しノ
ズル２２ｃからレチクル８の上面に向けて送り込み、排
出口２３ａから排出する。これと同時に、第２の温調ユ
ニット４１により設定温度の±０．１℃以内に調節され
た冷却水を配管４３に流し、レチクルテーブル９を冷却
する。
【００４５】以上説明したように、実施の形態３の投影
露光装置４０によれば、レチクル８上面を設定温度の±
０．１℃以内に調節されたクリーンエアで冷却すると共
に、レチクルテーブル９を設定温度の±０．１℃以内に
調節された冷却水で冷却しているので、レチクル８の下
部（例えば、レチクルの４隅であって、レチクルテーブ
ル９に接触しているエリア）もレチクルテーブル９によ
って冷却される。従って、投影露光装置４０で繰り返し
ＵＶ光やディープＵＶ光（エキシマレーザ光）でレチク
ル８が照射されてもレチクル８の温度上昇がより効果的
に阻止される。このため、レチクル８内のパターン位置
精度の誤差発生が抑制され、高精度のアライメント精度
でパターニングされたＵＬＳＩが得られるので、ＵＬＳ
Ｉの製造歩留を大幅に向上させることができる。
露光装置４０によれば、レチクル８上面を設定温度の±
０．１℃以内に調節されたクリーンエアで冷却すると共
に、レチクルテーブル９を設定温度の±０．１℃以内に
調節された冷却水で冷却しているので、レチクル８の下
部（例えば、レチクルの４隅であって、レチクルテーブ
ル９に接触しているエリア）もレチクルテーブル９によ
って冷却される。従って、投影露光装置４０で繰り返し
ＵＶ光やディープＵＶ光（エキシマレーザ光）でレチク
ル８が照射されてもレチクル８の温度上昇がより効果的
に阻止される。このため、レチクル８内のパターン位置
精度の誤差発生が抑制され、高精度のアライメント精度
でパターニングされたＵＬＳＩが得られるので、ＵＬＳ
Ｉの製造歩留を大幅に向上させることができる。
【００４６】尚、レチクル８（ペリクル付き）は自動で
レチクルテーブル９にロード及びアンロードされるが、
配管４２はレチクルテーブル９の側面に巻かれているた
め、レチクルのロード及びアンロードの妨げにはならな
い。
レチクルテーブル９にロード及びアンロードされるが、
配管４２はレチクルテーブル９の側面に巻かれているた
め、レチクルのロード及びアンロードの妨げにはならな
い。
【００４７】また、実施の形態３において、上記以外の
点は、上記実施の形態１と同一である。
点は、上記実施の形態１と同一である。
【００４８】実施の形態４ 図１２は、本発明の実施の形態４による投影露光装置を
概略的に示す構成図である。また、図１３は、図１２の
レチクル付近を拡大して示す概略的な側面図、図１４
は、図１３の概略的な平面図である。
概略的に示す構成図である。また、図１３は、図１２の
レチクル付近を拡大して示す概略的な側面図、図１４
は、図１３の概略的な平面図である。
【００４９】図１２乃至図１４において、上記図８乃至
図１１の構成と同一又は対応する構成には同一の符号を
付す。実施の形態４の投影露光装置５０は、レチクル８
及びレチクルテーブル９の外側を囲うカバー（ボック
ス）３１を備えた点、及び吹出しノズル２２ｃに加え
て、レチクルテーブル９の下面及び側面にクリーンエア
を流すための吹出しノズル２２ｄを備えた点のみが、上
記実施の形態３の投影露光装置４０と相違する。
図１１の構成と同一又は対応する構成には同一の符号を
付す。実施の形態４の投影露光装置５０は、レチクル８
及びレチクルテーブル９の外側を囲うカバー（ボック
ス）３１を備えた点、及び吹出しノズル２２ｃに加え
て、レチクルテーブル９の下面及び側面にクリーンエア
を流すための吹出しノズル２２ｄを備えた点のみが、上
記実施の形態３の投影露光装置４０と相違する。
【００５０】投影露光に際しては、図１３及び図１４に
示されるように、第１の温調ユニット２０により設定温
度の±０．１℃以内に調節されたクリーンエアを吹出し
ノズル２２ｃ及び吹出しノズル２２ｄからカバー３１内
に送り込み、レチクル８の上面及びレチクルテーブル９
の下面に沿って排出口２３ａに向けて流す。これと同時
に、第２の温調ユニット４１により設定温度の±０．１
℃以内に調節された冷却水を配管４２に流し、レチクル
テーブル９を冷却する。
示されるように、第１の温調ユニット２０により設定温
度の±０．１℃以内に調節されたクリーンエアを吹出し
ノズル２２ｃ及び吹出しノズル２２ｄからカバー３１内
に送り込み、レチクル８の上面及びレチクルテーブル９
の下面に沿って排出口２３ａに向けて流す。これと同時
に、第２の温調ユニット４１により設定温度の±０．１
℃以内に調節された冷却水を配管４２に流し、レチクル
テーブル９を冷却する。
【００５１】以上説明したように、実施の形態４の投影
露光装置５０によれば、レチクル８の上面及び下面を設
定温度の±０．１℃以内に調節されたクリーンエアで冷
却すると共に、レチクルテーブル９を設定温度の±０．
１℃以内に調節された冷却水で冷却しているので、繰り
返しＵＶ光やディープＵＶ光でレチクル８が照射されて
もレチクル８の温度上昇がより効果的に阻止される。こ
のため、レチクル８内のパターン位置精度の誤差発生が
抑制され、高精度のアライメント精度でパターニングさ
れたＵＬＳＩが得られるので、ＵＬＳＩの製造歩留を大
幅に向上させることができる。
露光装置５０によれば、レチクル８の上面及び下面を設
定温度の±０．１℃以内に調節されたクリーンエアで冷
却すると共に、レチクルテーブル９を設定温度の±０．
１℃以内に調節された冷却水で冷却しているので、繰り
返しＵＶ光やディープＵＶ光でレチクル８が照射されて
もレチクル８の温度上昇がより効果的に阻止される。こ
のため、レチクル８内のパターン位置精度の誤差発生が
抑制され、高精度のアライメント精度でパターニングさ
れたＵＬＳＩが得られるので、ＵＬＳＩの製造歩留を大
幅に向上させることができる。
【００５２】尚、実施の形態４において、上記以外の点
は、上記実施の形態３と同一である。
は、上記実施の形態３と同一である。
【００５３】実施の形態５ 図１５は、本発明の実施の形態５による投影露光装置を
概略的に示す構成図である。また、図１６は、図１５の
レチクル付近を拡大して示す概略的な側面図、図１７
は、図１６の概略的な平面図である。
概略的に示す構成図である。また、図１６は、図１５の
レチクル付近を拡大して示す概略的な側面図、図１７
は、図１６の概略的な平面図である。
【００５４】図１５乃至図１７において、上記図１乃至
図４の構成と同一又は対応する構成には同一の符号を付
す。実施の形態５の投影露光装置６０は、第１の温調ユ
ニット２０に代えて、設定温度の±０．１℃の範囲内に
温度調節された気体を縮小投影レンズ１０に当てること
によって縮小投影レンズ１０の温度を調節する第３の温
調ユニット６１を備えた点のみが上記実施の形態１の投
影露光装置１と相違する。
図４の構成と同一又は対応する構成には同一の符号を付
す。実施の形態５の投影露光装置６０は、第１の温調ユ
ニット２０に代えて、設定温度の±０．１℃の範囲内に
温度調節された気体を縮小投影レンズ１０に当てること
によって縮小投影レンズ１０の温度を調節する第３の温
調ユニット６１を備えた点のみが上記実施の形態１の投
影露光装置１と相違する。
【００５５】第３の温調ユニット６１は、温度調節及び
塵埃除去されたクリーンエアの供給部６２と、縮小投影
レンズ１０を囲うハウジング６３と、供給部６２とハウ
ジング６３とを繋ぐ配管６４とを有する。供給部６２
は、図２に示される第１の温調ユニット２０と同様に、
クーラ６５と、ヒータ６６と、送風機６７と、ＵＬＰＡ
フィルタ６８と、温度センサ（図示せず）と、クーラ６
５及びヒータ６６の駆動回路（図示せず）と、温度セン
サの出力に応じて駆動回路を制御する制御回路（図示せ
ず）とを有する。尚、図１６において、６９はレチクル
テーブルである。
塵埃除去されたクリーンエアの供給部６２と、縮小投影
レンズ１０を囲うハウジング６３と、供給部６２とハウ
ジング６３とを繋ぐ配管６４とを有する。供給部６２
は、図２に示される第１の温調ユニット２０と同様に、
クーラ６５と、ヒータ６６と、送風機６７と、ＵＬＰＡ
フィルタ６８と、温度センサ（図示せず）と、クーラ６
５及びヒータ６６の駆動回路（図示せず）と、温度セン
サの出力に応じて駆動回路を制御する制御回路（図示せ
ず）とを有する。尚、図１６において、６９はレチクル
テーブルである。
【００５６】投影露光に際しては、図１６及び図１７に
示されるように、第３の温調ユニット６１により設定温
度の±０．１℃以内に調節されたクリーンエアをハウジ
ング６３内に送り込み、縮小投影レンズ１０の外周に沿
って流す。
示されるように、第３の温調ユニット６１により設定温
度の±０．１℃以内に調節されたクリーンエアをハウジ
ング６３内に送り込み、縮小投影レンズ１０の外周に沿
って流す。
【００５７】以上説明したように、実施の形態５の投影
露光装置６０によれば、縮小投影レンズを設定温度の±
０．１℃以内に調節されたクリーンエアで冷却できるの
で、投影露光装置で繰り返しＵＶ光又はディープＵＶ光
を照射しても縮小投影レンズが温度上昇せず、このレン
ズのディストーションの分布が変化しない。このため、
高精度のアライメント精度でパターニングされたＵＬＳ
Ｉを得ることができ、ＵＬＳＩの製造歩留を大幅に向上
させることができる。
露光装置６０によれば、縮小投影レンズを設定温度の±
０．１℃以内に調節されたクリーンエアで冷却できるの
で、投影露光装置で繰り返しＵＶ光又はディープＵＶ光
を照射しても縮小投影レンズが温度上昇せず、このレン
ズのディストーションの分布が変化しない。このため、
高精度のアライメント精度でパターニングされたＵＬＳ
Ｉを得ることができ、ＵＬＳＩの製造歩留を大幅に向上
させることができる。
【００５８】尚、実施の形態５において、上記以外の点
は、上記実施の形態１と同一である。
は、上記実施の形態１と同一である。
【００５９】実施の形態６ 図１８は、本発明の実施の形態６による投影露光装置を
概略的に示す構成図である。また、図１９は、図１８の
レチクル付近を拡大して示す概略的な側面図、図２０
は、図１９の概略的な平面図である。
概略的に示す構成図である。また、図１９は、図１８の
レチクル付近を拡大して示す概略的な側面図、図２０
は、図１９の概略的な平面図である。
【００６０】図１８乃至図２０において、上記図１乃至
図４の構成と同一又は対応する構成には同一の符号を付
す。実施の形態６の投影露光装置７０は、第１の温調ユ
ニット２０に代えて、設定温度の±０．１℃の範囲内に
温度調節された冷却水を縮小投影レンズ１０の周囲に流
すことによって縮小投影レンズ１０の温度を調節する第
４の温調ユニット７１を備えた点のみが上記実施の形態
１の投影露光装置１と相違する。
図４の構成と同一又は対応する構成には同一の符号を付
す。実施の形態６の投影露光装置７０は、第１の温調ユ
ニット２０に代えて、設定温度の±０．１℃の範囲内に
温度調節された冷却水を縮小投影レンズ１０の周囲に流
すことによって縮小投影レンズ１０の温度を調節する第
４の温調ユニット７１を備えた点のみが上記実施の形態
１の投影露光装置１と相違する。
【００６１】第４の温調ユニット７１は、冷却水の供給
部７２と、縮小投影レンズ１０を囲う冷却板７３と、こ
の冷却板７３の周りを螺旋状に囲う配管７４とを有す
る。供給部７２は、図１１に示される第２の温調ユニッ
ト４０と同様に、クーラ７５と、ヒータ７６と、ポンプ
７７と、温度センサ（図示せず）と、クーラ７５及びヒ
ータ７６の駆動回路（図示せず）と、温度センサの出力
に応じて駆動回路を制御する制御回路（図示せず）とを
有する。
部７２と、縮小投影レンズ１０を囲う冷却板７３と、こ
の冷却板７３の周りを螺旋状に囲う配管７４とを有す
る。供給部７２は、図１１に示される第２の温調ユニッ
ト４０と同様に、クーラ７５と、ヒータ７６と、ポンプ
７７と、温度センサ（図示せず）と、クーラ７５及びヒ
ータ７６の駆動回路（図示せず）と、温度センサの出力
に応じて駆動回路を制御する制御回路（図示せず）とを
有する。
【００６２】投影露光に際しては、図１９及び図２０に
示されるように、第４の温調ユニット７１により設定温
度の±０．１℃以内に調節された冷却水を配管７４内に
流し、縮小投影レンズ１０の温度を調節する。
示されるように、第４の温調ユニット７１により設定温
度の±０．１℃以内に調節された冷却水を配管７４内に
流し、縮小投影レンズ１０の温度を調節する。
【００６３】以上説明したように、実施の形態５の投影
露光装置７０によれば、縮小投影レンズ１０を設定温度
の±０．１℃以内に調節された冷却水で冷却するので、
投影露光装置で繰り返しＵＶ光又はディープＵＶ光を照
射しても縮小投影レンズが温度上昇せず、このレンズの
ディストーションの分布が変化しない。このため、高精
度のアライメント精度でパターニングされたＵＬＳＩを
得ることができ、ＵＬＳＩの製造歩留を大幅に向上させ
ることができる。特に、冷却水による冷却の場合にはク
リーンエアによる冷却の場合に比べ冷却能力が高いの
で、より一層製造歩留を向上させることができる。
露光装置７０によれば、縮小投影レンズ１０を設定温度
の±０．１℃以内に調節された冷却水で冷却するので、
投影露光装置で繰り返しＵＶ光又はディープＵＶ光を照
射しても縮小投影レンズが温度上昇せず、このレンズの
ディストーションの分布が変化しない。このため、高精
度のアライメント精度でパターニングされたＵＬＳＩを
得ることができ、ＵＬＳＩの製造歩留を大幅に向上させ
ることができる。特に、冷却水による冷却の場合にはク
リーンエアによる冷却の場合に比べ冷却能力が高いの
で、より一層製造歩留を向上させることができる。
【００６４】尚、実施の形態６において、上記以外の点
は、上記実施の形態１と同一である。
は、上記実施の形態１と同一である。
【００６５】実施の形態７ 図２１は、本発明の実施の形態７による投影露光装置を
概略的に示す構成図である。また、図２２は、図２１の
縮小投影レンズ付近を拡大して示す概略的な側面図、図
２２は、図２１の概略的な平面図である。
概略的に示す構成図である。また、図２２は、図２１の
縮小投影レンズ付近を拡大して示す概略的な側面図、図
２２は、図２１の概略的な平面図である。
【００６６】図２１乃至図２３において、上記図１８乃
至図２０の構成と同一又は対応する構成には同一の符号
を付す。実施の形態７の投影露光装置８０は、第４の温
調ユニット７１において縮小投影レンズ１０の周囲をハ
ウジング８１で囲った点のみが上記実施の形態７と相違
する。投影露光に際しては、図２２及び図２３に示され
るように、第４の温調ユニット７１により設定温度の±
０．１℃以内に調節された冷却水をハウジング８１内に
流し、縮小投影レンズ１０の温度を調節する。
至図２０の構成と同一又は対応する構成には同一の符号
を付す。実施の形態７の投影露光装置８０は、第４の温
調ユニット７１において縮小投影レンズ１０の周囲をハ
ウジング８１で囲った点のみが上記実施の形態７と相違
する。投影露光に際しては、図２２及び図２３に示され
るように、第４の温調ユニット７１により設定温度の±
０．１℃以内に調節された冷却水をハウジング８１内に
流し、縮小投影レンズ１０の温度を調節する。
【００６７】以上説明したように、実施の形態７の投影
露光装置８０によれば、縮小投影レンズ１０を設定温度
の±０．１℃以内に調節された冷却水で冷却するので、
投影露光装置で繰り返しＵＶ光又はディープＵＶ光を照
射しても縮小投影レンズが温度上昇せず、このレンズの
ディストーションの分布が変化しない。このため、高精
度のアライメント精度でパターニングされたＵＬＳＩを
得ることができ、ＵＬＳＩの製造歩留を大幅に向上させ
ることができる。特に、冷却水による冷却の場合にはク
リーンエアによる冷却の場合に比べ冷却能力が高いの
で、より一層製造歩留を向上させることができる。
露光装置８０によれば、縮小投影レンズ１０を設定温度
の±０．１℃以内に調節された冷却水で冷却するので、
投影露光装置で繰り返しＵＶ光又はディープＵＶ光を照
射しても縮小投影レンズが温度上昇せず、このレンズの
ディストーションの分布が変化しない。このため、高精
度のアライメント精度でパターニングされたＵＬＳＩを
得ることができ、ＵＬＳＩの製造歩留を大幅に向上させ
ることができる。特に、冷却水による冷却の場合にはク
リーンエアによる冷却の場合に比べ冷却能力が高いの
で、より一層製造歩留を向上させることができる。
【００６８】尚、実施の形態７において、上記以外の点
は、上記実施の形態６と同一である。
は、上記実施の形態６と同一である。
【００６９】実施の形態８ 図２４は、本発明の実施の形態８による投影露光装置を
概略的に示す構成図である。
概略的に示す構成図である。
【００７０】実施の形態８の投影露光装置９０は、図１
の第１の温調ユニット２０と図１５の第３の温調ユニッ
ト６１との両方を併せ持つ点のみが、上記実施の態図１
の投影露光装置１と相違する。
の第１の温調ユニット２０と図１５の第３の温調ユニッ
ト６１との両方を併せ持つ点のみが、上記実施の態図１
の投影露光装置１と相違する。
【００７１】実施の形態８の投影露光装置９０において
は、レチクル８及び縮小投影レンズ１０の両方を設定温
度の±０．１℃以内に温度調節（通常は、冷却）するの
で、レチクルのみを温度調節した場合や、縮小投影レン
ズのみを温度調節した場合に比べ、より一層高精度のア
ライメント精度でパターニングされたＵＬＳＩが得られ
る、このためＵＬＳＩの製造歩留をより大幅に向上させ
ることができる。
は、レチクル８及び縮小投影レンズ１０の両方を設定温
度の±０．１℃以内に温度調節（通常は、冷却）するの
で、レチクルのみを温度調節した場合や、縮小投影レン
ズのみを温度調節した場合に比べ、より一層高精度のア
ライメント精度でパターニングされたＵＬＳＩが得られ
る、このためＵＬＳＩの製造歩留をより大幅に向上させ
ることができる。
【００７２】尚、実施の形態８において、上記以外の点
は、上記実施の形態１と同一である。
は、上記実施の形態１と同一である。
【００７３】また、レチクル８の温調ユニットと縮小投
影レンズ１０の温調ユニットの組み合わせは上記のもの
に限定されない。例えば、図１、図５、図８、図１２の
いずれかのレチクル用温調ユニットと、図１５、図１
８、図２１のいずれかのレンズ用温調ユニットとのいか
なる組み合わせも可能である。
影レンズ１０の温調ユニットの組み合わせは上記のもの
に限定されない。例えば、図１、図５、図８、図１２の
いずれかのレチクル用温調ユニットと、図１５、図１
８、図２１のいずれかのレンズ用温調ユニットとのいか
なる組み合わせも可能である。
【００７４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
投影露光装置の内部のレチクルに第１の温調手段により
設定温度の±０．１℃以内に温度調節された気体を直接
当てているので、レチクルの温度を安定させることがで
きる。このため、４倍レチクルを使用した場合や、レチ
クルを大サイズ化した場合であっても、レチクル内のパ
ターン位置精度の誤差発生が抑制され、高精度のアライ
メント精度でパターニングされたＵＬＳＩが得られるの
で、ＵＬＳＩの製造歩留を大幅に向上させることができ
るという効果がある。
投影露光装置の内部のレチクルに第１の温調手段により
設定温度の±０．１℃以内に温度調節された気体を直接
当てているので、レチクルの温度を安定させることがで
きる。このため、４倍レチクルを使用した場合や、レチ
クルを大サイズ化した場合であっても、レチクル内のパ
ターン位置精度の誤差発生が抑制され、高精度のアライ
メント精度でパターニングされたＵＬＳＩが得られるの
で、ＵＬＳＩの製造歩留を大幅に向上させることができ
るという効果がある。
【００７５】また、液体によりレチクルテーブルを冷却
した場合には気体による冷却の場合に比べ冷却能力が高
いので、一層製造歩留を向上させることができる。
した場合には気体による冷却の場合に比べ冷却能力が高
いので、一層製造歩留を向上させることができる。
【００７６】また、縮小投影レンズを設定温度の±０．
１℃以内に調節された気体で冷却させた場合には、投影
露光装置で繰り返しＵＶ光又はディープＵＶ光を照射し
ても縮小投影レンズが温度上昇せず、このレンズのディ
ストーションの分布が変化しない。このため、高精度の
アライメント精度でパターニングされたＵＬＳＩを得る
ことができ、ＵＬＳＩの製造歩留を大幅に向上させるこ
とができるという効果がある。
１℃以内に調節された気体で冷却させた場合には、投影
露光装置で繰り返しＵＶ光又はディープＵＶ光を照射し
ても縮小投影レンズが温度上昇せず、このレンズのディ
ストーションの分布が変化しない。このため、高精度の
アライメント精度でパターニングされたＵＬＳＩを得る
ことができ、ＵＬＳＩの製造歩留を大幅に向上させるこ
とができるという効果がある。
【００７７】また、縮小投影レンズを設定温度の±０．
１℃以内に調節された液体で冷却できるので、投影露光
装置で繰り返しＵＶ光又はディープＵＶ光を照射しても
縮小投影レンズが温度上昇せず、このレンズのディスト
ーションの分布が変化しない。このため、高精度のアラ
イメント精度でパターニングされたＵＬＳＩを得ること
ができ、ＵＬＳＩの製造歩留を大幅に向上できる。ま
た、液体によりレチクルテーブルを冷却した場合には気
体による冷却の場合に比べ冷却能力が高いので、より一
層製造歩留を向上させることができるという効果があ
る。
１℃以内に調節された液体で冷却できるので、投影露光
装置で繰り返しＵＶ光又はディープＵＶ光を照射しても
縮小投影レンズが温度上昇せず、このレンズのディスト
ーションの分布が変化しない。このため、高精度のアラ
イメント精度でパターニングされたＵＬＳＩを得ること
ができ、ＵＬＳＩの製造歩留を大幅に向上できる。ま
た、液体によりレチクルテーブルを冷却した場合には気
体による冷却の場合に比べ冷却能力が高いので、より一
層製造歩留を向上させることができるという効果があ
る。
【図１】 本発明の実施の形態１による投影露光装置を
概略的に示す構成図である。
概略的に示す構成図である。
【図２】 図１の温調ユニットを示す構成図である。
【図３】 図１のレチクルに当てられる空気の流れを示
す概略的な側面図である。
す概略的な側面図である。
【図４】 図３の概略的な平面図である。
【図５】 本発明の実施の形態２による投影露光装置を
概略的に示す構成図である。
概略的に示す構成図である。
【図６】 図５のレチクルに当てられる空気の流れを示
す概略的な側面図である。
す概略的な側面図である。
【図７】 図６の概略的な平面図である。
【図８】 本発明の実施の形態３による投影露光装置を
概略的に示す構成図である。
概略的に示す構成図である。
【図９】 図８のレチクルに当てられる空気の流れ及び
水冷機構を示す概略的な側面図である。
水冷機構を示す概略的な側面図である。
【図１０】 図９の概略的な平面図である。
【図１１】 図８の温調ユニットを示す構成図である。
【図１２】 本発明の実施の形態４による投影露光装置
を概略的に示す構成図である。
を概略的に示す構成図である。
【図１３】 図１２のレチクルに当てられる空気の流れ
及び水冷機構を示す概略的な側面図である。
及び水冷機構を示す概略的な側面図である。
【図１４】 図１３の概略的な平面図である。
【図１５】 本発明の実施の形態５による投影露光装置
を概略的に示す構成図である。
を概略的に示す構成図である。
【図１６】 図１５の縮小投影レンズに当てられる空気
の流れを示す概略的な側面図である。
の流れを示す概略的な側面図である。
【図１７】 図１６の概略的な平面図である。
【図１８】 本発明の実施の形態６による投影露光装置
を概略的に示す構成図である。
を概略的に示す構成図である。
【図１９】 図１８の縮小投影レンズの水冷機構を示す
概略的な側面図である。
概略的な側面図である。
【図２０】 図１８の概略的な平面図である。
【図２１】 本発明の実施の形態７による投影露光装置
を概略的に示す構成図である。
を概略的に示す構成図である。
【図２２】 図２１の縮小投影レンズの水冷機構を示す
概略的な側面図である。
概略的な側面図である。
【図２３】 図２２の概略的な平面図である。
【図２４】 本発明の実施の形態８による投影露光装置
を概略的に示す構成図である。
を概略的に示す構成図である。
【図２５】 従来の投影露光装置の概略的な側面図であ
る。
る。
【図２６】 図２５の投影露光装置を概略的に示す構成
図である。
図である。
【図２７】 図２６の露光機の一例を示す概念図であ
る。
る。
【図２８】 各波長の光の透過率特性図である。
１，３０，４０，５０，６０，７０，８０，９０ 投影
露光装置、 １ａ 筐体、 ７ 光源、 ８ レチク
ル、 ９ レチクルテーブル、 １０ 縮小投影レン
ズ、 １１ ウェーハ、 １２ ウェーハテーブル及び
ＸＹステージ部、２０ 第１の温調ユニット、 ２２
ｃ，２２ｄ 吹出しノズル、 ２３ａ 排出口、 ３１
カバー、 ４１ 第２の温調ユニット、 ４３ 配
管、 ６１ 第３の温調ユニット、 ６３ ハウジン
グ、 ７１ 第４の温調ユニット、 ８１ハウジング。
露光装置、 １ａ 筐体、 ７ 光源、 ８ レチク
ル、 ９ レチクルテーブル、 １０ 縮小投影レン
ズ、 １１ ウェーハ、 １２ ウェーハテーブル及び
ＸＹステージ部、２０ 第１の温調ユニット、 ２２
ｃ，２２ｄ 吹出しノズル、 ２３ａ 排出口、 ３１
カバー、 ４１ 第２の温調ユニット、 ４３ 配
管、 ６１ 第３の温調ユニット、 ６３ ハウジン
グ、 ７１ 第４の温調ユニット、 ８１ハウジング。
Claims (15)
- 【請求項１】 レチクルを載せるレチクルテーブルと、
上記レチクルに光を照射する光源と、上記レチクルを透
過した上記光源からの光をウェーハ上に投影させる縮小
投影レンズとを有する投影露光装置において、 設定温度の±０．１℃の範囲内に温度調節された気体を
上記レチクルに当てることによって上記レチクルの温度
を調節する第１の温調手段を備えたことを特徴とする投
影露光装置。 - 【請求項２】 上記第１の温調手段が、上記レチクルに
向けて気体を送る第１の送風部と、上記レチクルの周囲
を通過した気体を排出する第１の排出部とを有すること
を特徴とする請求項１記載の投影露光装置。 - 【請求項３】 上記第１の送風部が、上記レチクルの上
記光源側の面に向けて気体を送る第１の吹出しノズルを
有することを特徴とする請求項２記載の投影露光装置。 - 【請求項４】 上記第１の送風部が、上記レチクルテー
ブルに向けて気体を送る第２の吹出しノズルを有するこ
とを特徴とする請求項３記載の投影露光装置。 - 【請求項５】 上記レチクルと、上記レチクルテーブル
とを囲う第１のカバーを備え、上記第１の温調手段から
の気体を上記第１のカバー内に流すことを特徴とする請
求項１乃至４のいずれかに記載の投影露光装置。 - 【請求項６】 上記レチクルの温度を調節する第２の温
調手段を備え、 上記第２の温調手段が、上記レチクルテーブルの周囲に
形成された第１の通路と、上記第１の通路内に設定温度
の±０．１℃の範囲内に温度調節された液体を流す第１
の循環手段と有することを特徴とする請求項１乃至５の
いずれかに記載の投影露光装置。 - 【請求項７】 設定温度の±０．１℃の範囲内に温度調
節された気体を上記縮小投影レンズに当てることによっ
て上記縮小投影レンズの温度を調節する第３の温調手段
を備えたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに
記載の投影露光装置。 - 【請求項８】 上記第３の温調手段が、上記縮小投影レ
ンズに向けて気体を送る第２の送風部と、上記縮小投影
レンズの周囲を通過した気体を排出する第２の排出部と
を有することを特徴とする請求項７記載の投影露光装
置。 - 【請求項９】 上記縮小投影レンズを囲う第２のカバー
を備え、上記第３の温調手段からの気体を上記第２のカ
バー内に流すことを特徴とする請求項７又は８のいずれ
かに記載の投影露光装置。 - 【請求項１０】 上記縮小投影レンズの温度を調節する
第４の温調手段を備え、 上記第４の温調手段が、上記縮小投影レンズの周囲に形
成された第２の通路と、上記第２の通路内に設定温度の
±０．１℃の範囲内に温度調節された液体を流す第２の
循環手段とを有することを特徴とする請求項１乃至９の
いずれかに記載の投影露光装置。 - 【請求項１１】 レチクルに光を照射する光源と、上記
レチクルを透過した上記光源からの光をウェーハ上に投
影させる縮小投影レンズとを有する投影露光装置におい
て、 設定温度の±０．１℃の範囲内に温度調節された気体を
上記縮小投影レンズに当てることによって上記縮小投影
レンズの温度を調節する第１の温調手段を備えたことを
特徴とする投影露光装置。 - 【請求項１２】 上記第１の温調手段が、上記縮小投影
レンズに向けて気体を送る送風部と、上記縮小投影レン
ズの周囲を通過した気体を排出する排出部とを有するこ
とを特徴とする請求項１１記載の投影露光装置。 - 【請求項１３】 上記縮小投影レンズを囲うカバーを備
え、上記第１の温調手段からの気体を上記カバー内に流
すことを特徴とする請求項１１又は１２のいずれかに記
載の投影露光装置。 - 【請求項１４】 上記縮小投影レンズの温度を調節する
第２の温調手段を備え、 上記第２の温調手段が、上記縮小投影レンズの周囲に形
成された通路と、上記通路内に設定温度の±０．１℃の
範囲内に温度調節された液体を流す循環手段とを有する
ことを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれかに記載
の投影露光装置。 - 【請求項１５】 レチクルに光を照射する光源と、上記
レチクルを透過した上記光源からの光をウェーハ上に投
影させる縮小投影レンズとを有する投影露光装置におい
て、 上記縮小投影レンズの温度を調節する温調手段を備え、 上記温調手段が、上記縮小投影レンズの周囲に形成され
た通路と、上記通路内に設定温度の±０．１℃の範囲内
に温度調節された液体を流す循環手段とを有することを
特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9185614A JPH1131647A (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | 投影露光装置 |
| KR1019980027277A KR19990013653A (ko) | 1997-07-11 | 1998-07-07 | 투영노광장치 |
| US09/112,015 US6153877A (en) | 1997-07-11 | 1998-07-08 | Projection exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9185614A JPH1131647A (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | 投影露光装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003395473A Division JP2004080059A (ja) | 2003-11-26 | 2003-11-26 | 投影露光装置及び投影露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1131647A true JPH1131647A (ja) | 1999-02-02 |
Family
ID=16173892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9185614A Pending JPH1131647A (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | 投影露光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6153877A (ja) |
| JP (1) | JPH1131647A (ja) |
| KR (1) | KR19990013653A (ja) |
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| NL2012291A (en) | 2013-02-20 | 2014-08-21 | Asml Netherlands Bv | Gas flow optimization in reticle stage environment. |
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| US11287751B2 (en) * | 2020-07-29 | 2022-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for lens heating control |
| CN112925175A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-06-08 | 深圳市大族数控科技股份有限公司 | 一种曝光机 |
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-
1997
- 1997-07-11 JP JP9185614A patent/JPH1131647A/ja active Pending
-
1998
- 1998-07-07 KR KR1019980027277A patent/KR19990013653A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-07-08 US US09/112,015 patent/US6153877A/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2015536476A (ja) * | 2012-10-31 | 2015-12-21 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | パターニングデバイス支持体、リソグラフィ装置及びパターニングデバイスの温度制御方法 |
| JP2018067022A (ja) * | 2012-10-31 | 2018-04-26 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | パターニングデバイス支持体、リソグラフィ装置及びパターニングデバイスの温度制御方法 |
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| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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