JP6573451B2 - 半導体レーザユニット及び半導体レーザ装置 - Google Patents
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Description
・ヒートシンク(Cu:線膨張係数16.8×10−6/℃、ヤング率98GPa)/12mm×30mm×1.1mm
・半導体レーザバー(GaAs基板:線膨張係数5.9×10−6/℃、ヤング率98GPa)/10mm×2mm×0.14mm
・第1及び第2のサブマウント(CuW:線膨張係数6.5×10−6/℃、ヤング率330GPa)/10mm×4mm×0.15mm、表面にNiメッキ2μm〜3μm/Auメッキ0.1μm〜0.3μm
・支持部材(SiN:線膨張係数2.6×10−6/℃、ヤング率290GPa)/10mm×1.5mm×0.14mm
・補強部材(Mo:線膨張係数5.1×10−6/℃、ヤング率329GPa)/10mm×4mm×0.15mm
・接合面/金錫ハンダ、半導体レーザバー及び支持部材と第1及び第2のサブマウントとの間:厚さ5μm、第1のサブマウントとヒートシンクとの間:厚さ20μm、ヒートシンクと補強部材との間:厚さ20μm、熱圧着温度300℃
Claims (6)
- 内部に流体通路が形成された板状のヒートシンクと、
複数の発光領域を有する出射端面が設けられた半導体レーザバーと、を備え、
前記半導体レーザバーは、前記出射端面が前記ヒートシンクの一端面側を向くように、サブマウントを介して前記ヒートシンクの一面側の縁部に配置され、
前記サブマウントには、前記半導体レーザバーの基板よりも線膨張係数が小さく且つヤング率が大きい材料によって形成された支持部材が、前記出射端面と反対側の位置で前記ヒートシンクから離間して配置されており、
前記支持部材は、BN、SiC、AlN、ダイヤモンド、及びBeOを除いた材料によって形成されている、半導体レーザユニット。 - 前記支持部材は、前記半導体レーザバーから離間して配置されている請求項1に記載の半導体レーザユニット。
- 前記サブマウントは、前記半導体レーザバーと前記支持部材とを挟み込むように複数配置されている請求項1又は2に記載の半導体レーザユニット。
- 前記半導体レーザバーと前記サブマウントとは、金錫ハンダを用いて接合されている請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体レーザユニット。
- 前記ヒートシンクの他面側には、前記半導体レーザバー及び前記支持部材と対向する位置に、前記ヒートシンクよりも線膨張係数が小さい材料によって形成された補強部材が配置されている請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体レーザユニット。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体レーザユニットを前記ヒートシンクの厚さ方向に複数積層してなる半導体レーザ装置。
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