JP4659565B2 - 半導体レーザモジュール及び半導体レーザスタック - Google Patents
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Description
まず図5(a)に示す工程を説明する。サブマウント9を用意する。このサブマウント9の表面M3のうち、面領域E2上に半田部H1を設け、面領域E3上に半田部H3を設ける。次に、図5(b)に示す工程を説明する。図5(a)に示す工程の後に半導体レーザ素子5及び絶縁部材7を用意し、半導体レーザ素子5をジャンクションダウン方式に基づいてサブマウント9の表面M3(面領域E2)上に載置する。すなわち、半導体レーザ素子5の表面(活性層11aに近い側の表面)を半田部H1を挟んでサブマウント9の面領域E2に重ねる。そして、絶縁部材7の表面を半田部H3を挟んで面領域E3に重ねる。
図5に戻って半導体レーザスタック100の製造方法について説明する。まず図5(d)に示す工程を説明する。半導体レーザモジュール1及びヒートシンク21を用意する。ヒートシンク21の表面M5のうち面領域E6上に半田部H5を設ける。そして、半導体レーザモジュール1の表面M4をヒートシンク21の面領域E6に半田部H5を挟んで重ね、この半導体レーザモジュール1をヒートシンク21に接合する。
Claims (5)
- 第1の面と該第1の面の反対側に設けられた第2の面とを有しており、前記第1の面に段差が設けられた第1のサブマウントと、
前記第2の面上に設けられた半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子上に設けられた第2のサブマウントと
を備え、
前記半導体レーザ素子は、前記第2の面のうち、前記段差における底部の一部または全部に対応する面領域上に設けられている半導体レーザモジュール。 - 前記第1のサブマウントと前記第2のサブマウントとは互いに異なる熱膨張係数を有する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記半導体レーザ素子は、側面に複数の光出射部が配列された半導体レーザアレイである、ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記半導体レーザ素子は前記光出射部と光学的に連絡可能な活性層を有しており、前記半導体レーザ素子の二つの表面のうち前記活性層により近い側の表面上に前記第2のサブマウントが設けられている、ことを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザモジュール。
- 請求項1〜4のうち何れか一項に記載の複数の半導体レーザモジュールと、
発熱体を冷却する複数のヒートシンクと
を備え、
前記半導体レーザモジュールと前記ヒートシンクとは交互に積層されており、前記第1のサブマウントに対しては、前記第1の面のうち前記段差底部を除く面領域に前記ヒートシンクが接合されている、ことを特徴とする半導体レーザスタック。
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