JP6563311B2 - 表示パネルの製造方法および表示パネル - Google Patents
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Description
以下に、本発明の実施の形態1について、図面を参照しながら説明する。本実施の形態では、下部電極に欠陥を含む有機EL素子を備えた有機EL表示パネルを例として、本実施の形態にかかる表示パネルの製造方法および表示パネルについて説明する。
以下、本実施の形態にかかる有機EL素子の構成について説明する。図2は、本実施の形態にかかる有機EL表示パネル2の構成を示す断面概略図である。
以下、有機EL表示パネル2の製造方法について、図3〜図13を用いて説明する。図3は、本実施の形態にかかる有機EL素子の製造工程を示すフローチャートである。図4〜図13は、本実施の形態にかかる有機EL素子の製造工程を示す断面概略図である。
以上、本実施の形態にかかる有機EL素子の製造方法によると、下部電極16に欠陥がある場合に、下部電極16に凹部24を形成することにより、当該凹部24の一部には、有機層20が形成されず下部電極16が露出する部分が生じる。これにより、下部電極16の上方に形成される上部電極22と下部電極16とを短絡することができる。これにより、欠陥画素を滅点化することができる。したがって、レーザーを照射することが困難な場合であっても欠陥画素をリペアすることができる。
次に、実施の形態2について説明する。上述した実施の形態1では、有機EL表示パネル2は、下部電極16に欠陥を含んでいたのに対し、本実施の形態にかかる有機EL表示パネルは、TFT13に欠陥を含んでいる点が異なっている。
以下、本実施の形態にかかる有機EL素子の構成について説明する。図15は、本実施の形態にかかる有機EL表示パネル4の構成を示す断面概略図である。
以下、有機EL表示パネル4の製造方法について、図16〜図26を用いて説明する。図16は、本実施の形態にかかる有機EL表示パネル4の製造工程を示すフローチャートである。図17〜図26は、本実施の形態にかかる有機EL素子の製造工程を示す断面概略図である。
以上、本実施の形態にかかる有機EL素子の製造方法によると、当該凹部37の上に形成された下部電極36も凹部37の形状に沿って凹状に形成される。そして、凹状に形成された下部電極36の一部には、有機層20が形成されず下部電極36が露出する部分が生じる。これにより、下部電極36の上方に形成される上部電極22と下部電極36とを短絡することができる。したがって、欠陥画素を滅点化することができる。よって、レーザーを照射することが困難な場合であっても欠陥画素をリペアすることができる。
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形を行ってもよい。図27および図28は、他の実施の形態にかかる表示パネルの構成を示す断面概略図である。
12 半導体層
13、33、33a 半導体素子
14、34 平坦化膜
15 ビア
16、36 下部電極
16a ショート不良箇所
18 隔壁
20、20a、20b、20c 有機層
22 上部電極
24、37、44、54 凹部
26 突起物
Claims (6)
- 有機エレクトロルミネッセンス素子を有する画素を含む表示パネルの製造方法であって、
前記表示パネルは、複数の半導体素子を有し、
前記半導体素子の上方に形成された平坦化膜の上に、前記画素ごとに下部電極を形成する下部電極形成工程と、
前記下部電極形成工程の後に、欠陥を含む前記下部電極を検出する検出工程と、
前記検出工程の後に、前記下部電極の上に発光層を含む有機層を形成する有機層形成工程と、
前記有機層形成工程の後に、前記有機層の上に上部電極を形成する上部電極形成工程と、
前記検出工程の後であって前記有機層形成工程の前に、欠陥を含む前記下部電極に、前記下部電極と前記上部電極とを接触させるための凹部を形成する凹部形成工程とを含む
表示パネルの製造方法。 - 前記凹部形成工程において、突起物を前記下部電極に押圧することにより前記凹部を形成する
請求項1に記載の表示パネルの製造方法。 - 有機エレクトロルミネッセンス素子を有する画素を含む表示パネルの製造方法であって、
前記表示パネルは、複数の半導体素子を有し、
前記半導体素子の上方に形成された平坦化膜の上に、前記画素ごとに下部電極を形成する下部電極形成工程と、
前記下部電極形成工程の前に、欠陥を含む前記半導体素子を検出する検出工程と、
前記下部電極形成工程の後に、前記下部電極の上に発光層を含む有機層を形成する有機層形成工程と、
前記有機層形成工程の後に、前記有機層の上に上部電極を形成する上部電極形成工程と、
前記検出工程の後であって前記有機層形成工程の前に、欠陥を含む前記半導体素子の上方の前記平坦化膜または前記下部電極に、前記下部電極と前記上部電極とを接触させるための凹部を形成する凹部形成工程とを含む
表示パネルの製造方法。 - 前記凹部形成工程において、突起物を前記平坦化膜または前記下部電極に押圧することにより前記凹部を形成する
請求項3に記載の表示パネルの製造方法。 - 有機エレクトロルミネッセンス素子を有する画素を含む表示パネルであって、
基板上に形成された複数の半導体素子と、
前記複数の半導体素子の上方に形成された平坦化膜と、
前記平坦化膜の上に前記画素ごとに形成された下部電極と、
前記下部電極の上に形成された発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に形成された上部電極と、
前記平坦化膜または前記下部電極に形成され、前記下部電極と前記上部電極とを接触させるための凹部とを備え、
前記画素ごとに形成された前記下部電極の少なくとも1つは欠陥を含み、
前記凹部は、欠陥を含む前記下部電極に形成されている
表示パネル。 - 有機エレクトロルミネッセンス素子を有する画素を含む表示パネルであって、
基板上に形成された複数の半導体素子と、
前記複数の半導体素子の上方に形成された平坦化膜と、
前記平坦化膜の上に前記画素ごとに形成された下部電極と、
前記下部電極の上に形成された発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に形成された上部電極と、
前記平坦化膜または前記下部電極に形成され、前記下部電極と前記上部電極とを接触させるための凹部とを備え、
前記複数の半導体素子のうちの少なくとも1つは欠陥を含み、
前記凹部は、欠陥を含む前記半導体素子の上方の前記平坦化膜または前記下部電極に形成されている
表示パネル。
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