JP5760009B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents
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Description
以下に、本発明の実施の形態1について、図面を参照しながら説明する。
次に、実施の形態2について説明する。本実施の形態では、有機EL素子50に照射されるレーザーの照射領域が実施の形態1と異なる。
次に、本発明の実施の形態3について説明する。本実施の形態が上記した実施の形態1と異なる点は、陽極と陰極が導電性異物を介さずに直接接触して短絡した有機EL素子において、短絡した部分のリペアを行う点である。
次に、本発明の実施の形態4について説明する。本実施の形態が上記した実施の形態1〜3と異なる点は、陽極11と陰極16が完全に導通しているのではなく、陽極11と陰極16間の抵抗が他の部分と比べて小さい点である。
2、102 画素
11、111 陽極(下部電極)
12、112 正孔注入層(有機層)
13、113 発光層(有機層)
15、115 電子注入層(有機層)
16、116 陰極(上部電極)
16a、116a 陰極の一部(粒状の組織構造)
20 異物
25、125、325 レーザー
30、130 有機層
120、220、320 短絡部分
Claims (11)
- 下部電極、発光層を含む有機層、上部電極および保護層を備え、前記下部電極および前記上部電極の少なくとも一方は透明導電性材料からなり、前記保護層は前記上部電極に接して形成されて前記上部電極を酸素から遮断する機能を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記下部電極と前記上部電極とが短絡している部分を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を準備する第1の工程と、
前記下部電極と前記上部電極とが短絡している部分および当該部分の周囲のうち少なくとも一方の前記透明導電性材料にフェムト秒レーザーを照射し、前記透明導電性材料の組織構造を変化させて高抵抗化する第2の工程と、
を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記第2の工程において、
前記透明導電性材料の組織構造を粒状の組織構造に変化させる、
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記粒状の組織構造を構成する各粒子の粒径は、10〜500nmである、
請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記フェムト秒レーザーの波長は、900〜2500nmである、
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記透明導電性材料は、透明金属酸化物である、
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記フェムト秒レーザー照射を開始する前の前記透明導電性材料は、アモルファス状態である、
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記透明導電性材料からなる前記下部電極または前記上部電極の厚みは、10〜40nmである、
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記第2の工程では、前記保護層を介して、前記短絡している部分および当該部分の周囲のうち少なくとも一方の前記透明導電性材料にフェムト秒レーザーを照射する、
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記短絡している部分は、前記有機層に導電性の異物を含んでいる、
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記導電性の異物を検出する工程をさらに含み、
前記導電性の異物の周囲の前記透明導電性材料に前記レーザーを照射する、
請求項9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記短絡している部分の前記有機層の膜厚は、前記短絡している部分以外の前記有機層の膜厚より薄い、
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
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