JP6041087B2 - 表示パネルの製造方法、その検査装置及び検査方法 - Google Patents

表示パネルの製造方法、その検査装置及び検査方法 Download PDF

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Description

本発明は、表示パネルの製造方法、その検査装置及び検査方法に関し、特にリペア可能な有機EL素子を有する表示パネルの製造方法、その検査装置及び検査方法に関する。
近年、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と記載する)を用いた表示パネル(以下、有機EL表示パネルと記載する)は、低消費電力で明瞭な画像を得られる表示パネルとして研究及び開発が進められている。
有機EL表示パネルは、複数の有機EL素子がマトリクス状に配置されることにより表示パネルを構成している。この有機EL素子は、有機電子材料を一対の電極の間に挟持しており、具体的には、有機電子材料で構成された発光層に正孔と電子とを注入することにより起こるエレクトロルミネッセンス(electro luminescence)発光現象を利用して表示を行うものである。しかし、表示パネル内の全ての有機EL素子の発光層を、設計通りの形状(または、パターンという)で形成することは困難であると考えられている。例えば、表示パネルを大面積かつ高精細化させるほど、有機EL素子の構造が微細化、薄型化されるほど、また、発光画素数が増加するほど、微細加工を必要とする製造工程において、有機EL素子の短絡や開放といった電気的な不具合が発生してしまう。
そこで、有機EL素子を製造する工程で、基板上に発光層を形成した後、基板上の発光層パターンの欠陥検査を実施する手段が検討されている。
特許文献1では、カラー液晶ディスプレイに用いられるカラーフィルタの画素欠陥及び突起欠陥を検出する光学検査装置が開示されている。具体的には、可視光源及び短波長光源から出射された光を、プリズムを用いてそれぞれ透過光及び反射光とし、当該透過光及び反射光の照射により得られた光学像により、カラーフィルタの画素欠陥及び突起欠陥を検出する。
また、特許文献2では、カラー液晶パネルの色欠陥を判定する欠陥検査方法が開示されている。具体的には、カラー液晶パネルのバックライト光として赤、緑、青の三原色をそれぞれ照射することにより得られた黒表示画面の3つのモノクロ画像から色欠陥を判定する。
特開平10−132704号公報 特開2007−192613号公報
有機EL表示パネルは、赤色、緑色及び青色で自発光する有機EL素子が、それぞれ、赤色発光画素、緑色発光画素及び青色発光画素に配置されることにより、所望の画像を表現しているが、各発光画素の色精度を高めるため、発光画素ごとにカラーフィルタが配置される。例えば、赤色発光画素の上部には、可視光の中で赤色に対応する波長のみを通過させる特性を有する赤色カラーフィルタが配置される。
しかしながら、特許文献1に記載された光学検査装置による画素欠陥及び突起欠陥の検出方法では、カラーフィルタの可視光以外の通過特性によっては、短波長照射による反射光の強度が十分得られないことがある。
また、特許文献2に記載された欠陥検査方法では、各画素に配置されたカラーフィルタの通過特性によりバックライト光が減衰することを極力回避するため、当該通過特性において最大透過率を有する波長を中心波長として発光する発光素子をバックライト光の光源としている。そのため、各画素の色欠陥を判定するにあたり、微小異物の検出能力が不十分となる場合がある。また、特に、赤色画素では長波長による特性から分解能が低下しやすい。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、カラーフィルタを有する発光画素の欠陥部の検出精度の高い表示パネルの検査方法、その検査方法を含む表示パネルの製造方法、及びその検査方法を実現する検査装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様である表示パネルの検査方法は、異なる表示色を有する表示画素を複数含み、前記表示画素の表示色に対応して配置された表示色フィルタを含むカラーフィルタを有する表示パネルの検査方法であって、前記表示色フィルタのうちいずれかの表示色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で所定の透過率を示す波長においてピーク強度を有する第1照射光を、前記カラーフィルタを介して複数の前記表示画素に照射し、当該照射時における前記複数の表示画素の第1光学像を取得する短波長取得工程と、前記第1光学像から前記表示色フィルタが配置された表示画素の欠陥部を検出する欠陥検出工程とを含むことを特徴とする。
また、本発明の一態様である表示パネルの検査方法は、赤色表示画素、緑色表示画素及び青色表示画素を含み、各色表示画素に対応して配置された赤色フィルタ、緑色フィルタ及び青色フィルタを含むカラーフィルタを有する表示パネルの検査方法であって、前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記赤色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で所定の透過率を示す第2波長においてピーク強度を有する第2照射光を照射し、当該照射時における前記各色表示画素の第2光学像を得る赤色短波長取得工程と、前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記緑色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で前記所定の透過率を示す第3波長おいてピーク強度を有する第3照射光を照射し、当該照射時における前記各色表示画素の第3光学像を得る緑色短波長取得工程と、前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記青色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で前記所定の透過率を示す第4波長においてピーク強度を有する第4照射光を照射し、当該照射時における前記各色表示画素の第4光学像を得る青色短波長取得工程と、前記第2光学像、前記第3光学像及び前記第4光学像から前記各色表示画素の欠陥を検出する欠陥検出工程とを含むことを特徴とする。
上記構成によれば、カラーフィルタが配置された表示画素に、当該カラーフィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長より短く、所定の透過率となる波長においてピーク強度を有する照射光を照射することにより各表示画素の光学像を得るので、可視光波長域における最大透過率を示す波長をピークに持つ照射光を照射する場合に比べて、欠陥部の検出分解能が向上する。よって、微小欠陥部の高精度な検出が可能となる。
本発明の実施の形態に係る有機EL表示パネルの検査及びリペアの構成を示す機能ブロック図である。 有機EL表示パネルの有する正常な発光画素の回路構成図である。 有機EL表示パネルの有する欠陥画素の回路構成図である。 本発明の実施の形態に係る表示パネルの断面概略図である。 本発明の実施の形態に係る、異物が混入した発光画素の断面概略図である。 本発明の実施の形態に係る表示パネルの製造方法を説明する工程フローチャートである。 本発明の実施の形態に係る表示パネルの第1の検査方法を説明する動作フローチャートである。 本発明の実施の形態に係る表示パネルの第2の検査方法を説明する動作フローチャートである。 本発明の実施の形態に係る検査方法で用いられる照射光の波長とカラーフィルタの通過特性との関係を表す第1のグラフである。 本発明の実施の形態に係る検査方法で用いられる照射光の波長とカラーフィルタの通過特性との関係を表す第2のグラフである。 本発明の実施の形態に係る表示パネルの検査方法により取得された光学像を表す図である。 発光画素に可視光を照射した場合の光学像を表す図である。 発光画素に赤外光を照射した場合の光学像を表す図である。 レーザーリペア後の点灯確認を表す図である。 本発明の実施の形態の第1の変形例に係る発光画素の断面概略図である。 本発明の実施の形態の第2の変形例に係る発光画素の断面概略図である。 本発明の製造方法による発光パネルを備えたテレビシステムの外観図である。
本発明の実施の形態における表示パネルの製造方法、その検査装置及び検査方法について説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。本発明は、特許請求の範囲によって特定される。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。
本発明の一態様に係る表示パネルの検査方法は、異なる表示色を有する表示画素を複数含み、前記表示画素の表示色に対応して配置された表示色フィルタを含むカラーフィルタを有する表示パネルの検査方法であって、前記表示色フィルタのうちいずれかの表示色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で所定の透過率を示す波長においてピーク強度を有する第1照射光を、前記カラーフィルタを介して複数の前記表示画素に照射し、当該照射時における前記複数の表示画素の第1光学像を取得する短波長取得工程と、前記第1光学像から前記表示色フィルタが配置された表示画素の欠陥部を検出する欠陥検出工程とを含むことを特徴とする。
本態様によれば、表示色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって可視光波長域内で所定の透過率を示す波長においてピーク強度を有する第1照射光を、カラーフィルタを介して表示画素に照射する。これにより、可視光波長域における最大透過率を示す波長をピークに持つ照射光を照射する場合に比べて、上記表示色フィルタが配置された表示画素の有する欠陥部の検出分解能が向上する。よって、微小欠陥部の高精度な検出が可能となる。
また、前記表示色フィルタのうちいずれかの表示色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で所定の透過率を示す波長は、複数存在し、短波長取得工程では、複数の前記波長のうち最短の波長においてピーク強度を有する前記第1照射光を前記表示画素に照射してもよい。
表示色フィルタの通過特性によっては、可視光領域内の短波長側に副通過帯域を有することがある。このとき、上記所定の透過率の設定値により、可視光波長域内で所定の透過率を示す波長が複数存在する場合がある。この場合には、上記複数の波長のうち最短の波長においてピーク強度を有する照射光を第1照射光として表示画素に照射する。これにより、主通過帯域内で所定の透過率を示す波長においてピーク強度を有する照射光を照射する場合に比べて、より短波長光を照射できるので、さらに欠陥部の検出分解能が向上する。
本発明の一態様に係る表示パネルの検査方法は、赤色表示画素、緑色表示画素及び青色表示画素を含み、各色表示画素に対応して配置された赤色フィルタ、緑色フィルタ及び青色フィルタを含むカラーフィルタを有する表示パネルの検査方法であって、前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記赤色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で所定の透過率を示す第2波長においてピーク強度を有する第2照射光を照射し、当該照射時における前記各色表示画素の第2光学像を得る赤色短波長取得工程と、前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記緑色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で前記所定の透過率を示す第3波長おいてピーク強度を有する第3照射光を照射し、当該照射時における前記各色表示画素の第3光学像を得る緑色短波長取得工程と、前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記青色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で前記所定の透過率を示す第4波長においてピーク強度を有する第4照射光を照射し、当該照射時における前記各色表示画素の第4光学像を得る青色短波長取得工程と、前記第2光学像、前記第3光学像及び前記第4光学像から前記各色表示画素の欠陥を検出する欠陥検出工程とを含むことを特徴とする。
本態様によると、赤色フィルタ、緑色フィルタ、及び青色フィルタのそれぞれにおいて、可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって可視光波長域内で所定の透過率を示す波長においてピーク強度を有する照射光を、カラーフィルタを介して各色表示画素に照射することにより、全ての表示画素の欠陥部を検査することが可能となる。また、可視光波長域における最大透過率を示す波長をピークに持つ照射光を照射する場合に比べて、欠陥部の検出分解能が向上する。よって、表示パネル全体にわたり微小欠陥部の高精度な検出が可能となる。
また、前記赤色短波長取得工程では、前記第2波長が複数存在する場合には、複数の前記第2波長のうち最短の波長においてピーク強度を有する前記第2照射光を前記表示画素に照射し、前記緑色短波長取得工程では、前記第3波長が複数存在する場合には、複数の前記第3波長のうち最短の波長においてピーク強度を有する前記第3照射光を前記表示画素に照射し、前記青色短波長取得工程では、前記第4波長が複数存在する場合には、複数の前記第4波長のうち最短の波長においてピーク強度を有する前記第4照射光を前記表示画素に照射してもよい。
これにより、主通過帯域内で所定の透過率を示す波長においてピーク強度を有する照射光を照射する場合に比べて、より短波長光を照射できるので、さらに欠陥部の検出分解能が向上する。
また、前記欠陥検出工程では、前記第2光学像、前記第3光学像及び前記第4光学像の露出量をそれぞれ任意に調整して合成した像から前記各色表示画素の欠陥を検出してもよい。
設定された所定の透過率などにより、第2光学像、第3光学像及び第4光学像の明るさ及びコントラスト等に差異が生じる場合がある。この場合には、各光学像の露出量を任意に調整することにより、表示画素間で偏りのない高精度な欠陥部の検出が可能となる。
また、前記各色表示画素は、陰極及び陽極で挟まれた有機エレクトロルミネッセンス発光層を有し、前記欠陥検出工程では、前記陰極及び前記陽極が短絡された前記欠陥部を検出してもよい。
本態様によると、陽極及び陰極に挟まれた有機EL発光層に発生する短絡欠陥部を、高精度に検出することが可能となる。
また、前記欠陥検出工程では、前記第1光学像により測定された輝度値が所定値以上となっている領域を前記欠陥部と判定してもよい。
また、前記欠陥検出工程では、前記第2光学像、前記第3光学像及び前記第4光学像により測定された輝度値が所定値以上となっている領域を前記欠陥部と判定してもよい。
短絡または開放による欠陥部を有する表示画素は、上記第1〜第4照射光の照射により、その反射光または散乱光により当該欠陥部は正常部よりも高輝度となる。よって、取得された光学像により所定値以上の輝度値を有する領域を欠陥部と判定することにより、高精度な欠陥検出が可能となる。
なお、本発明は、このような表示パネルの検査方法として実現できるだけでなく、当該検査方法に含まれる特徴的なステップを実現する表示パネルの検査装置として実現することもできる。
また、本発明は、このような表示パネルの検査方法として実現できるだけでなく、当該検査方法に含まれる特徴的なステップを手段とする表示パネルの製造方法として実現することもできる。
本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、異なる表示色を有する表示画素を複数含み、前記表示画素の表示色に対応して配置された表示色フィルタを含むカラーフィルタを有する表示パネルの製造方法であって、表示パネル基板上に、前記表示画素をマトリクス状に形成し、前記表示画素の上に、前記カラーフィルタを形成する表示画素形成工程と、前記表示色フィルタのうちいずれかの表示色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で所定の透過率を示す波長においてピーク強度を有する第1照射光を、前記カラーフィルタを介して複数の前記表示画素に照射し、当該照射時における前記複数の表示画素の第1光学像を取得する短波長取得工程と、前記第1光学像から前記表示色フィルタが配置された表示画素の欠陥部を検出する欠陥検出工程と、前記欠陥検出工程で検出された前記欠陥部について、リペアを行なうリペア工程とを含むことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、赤色表示画素、緑色表示画素及び青色表示画素を含み、各色表示画素に対応して配置された赤色フィルタ、緑色フィルタ及び青色フィルタを含むカラーフィルタを有する表示パネルの製造方法であって、表示パネル基板上に、前記赤色表示画素、前記緑色表示画素及び前記青色表示画素をマトリクス状に形成し、前記各色表示画素の上に、前記カラーフィルタを形成する表示画素形成工程と、前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記赤色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で所定の透過率を示す第2波長においてピーク強度を有する第2照射光を照射し、当該照射時における前記各色表示画素の第2光学像を得る赤色短波長取得工程と、前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記緑色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で前記所定の透過率を示す第3波長おいてピーク強度を有する第3照射光を照射し、当該照射時における前記各色表示画素の第3光学像を得る緑色短波長取得工程と、前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記青色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で前記所定の透過率を示す第4波長においてピーク強度を有する第4照射光を照射し、当該照射時における前記各色表示画素の第4光学像を得る青色短波長取得工程と、前記第2光学像、前記第3光学像及び前記第4光学像から前記各色表示画素の欠陥を検出する欠陥検出工程と、前記欠陥検出工程で検出された前記欠陥部について、リペアを行なうリペア工程とを含むことを特徴とする。
これらの製造方法によると、カラーフィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長より短い波長においてピーク強度を有する照射光を照射することにより発光画素の微小欠陥部を高精度に検出することが可能となる。この高精度な欠陥部の検出により、欠陥部のリペアを確実に実行することができるので製造歩留まりが向上する。
以下、本発明の好ましい実施の形態を図に基づき説明する。なお、以下では、全ての図を通じて同一又は相当する要素には同じ符号を付して、その重複する説明を省略する。
(実施の形態)
本発明の実施の形態に係る表示パネルの検査装置、検査方法及び製造方法について説明する。
<システム構成>
図1は、本発明の実施の形態に係る有機EL表示パネルの検査及びリペアの構成を示す機能ブロック図である。同図に記載された有機EL表示パネルの検査及びリペアの構成は、検査装置1と、表示装置2と、リペア装置3とを備える。なお、本発明の検査方法及び製造方法を実施する対象となるのは表示パネル22であり、表示装置2が有する制御部21、データ線駆動回路23及び走査線駆動回路24は、構成要素としてなくてもよい。
まず、表示装置2について簡潔に説明する。表示装置2は、制御部21と、表示パネル22と、データ線駆動回路23と、走査線駆動回路24とを備える。
制御部21は、外部から入力される映像信号を発光画素の発光を決定する輝度信号に変換して走査順にデータ線駆動回路23に出力する。また、制御部21は、データ線駆動回路23から出力される輝度信号を出力するタイミング、及び、走査線駆動回路24から出力される走査信号の出力タイミングを制御する。
データ線駆動回路23は、各データ線へ、輝度信号を出力することにより、映像信号に対応した発光画素の発光を実現する。
走査線駆動回路24は、各走査線へ走査信号を出力することにより、発光画素の有する回路素子を所定の駆動タイミングで駆動する。
なお、制御部21、データ線駆動回路23及び走査線駆動回路24は、本発明の製造方法において、リペア後の点灯検査用データを表示パネル22に供給する際に使用される場合がある。
表示パネル22は、複数の発光画素がマトリクス状に配置されている。複数の発光画素のそれぞれは、赤色を表示する赤色表示画素、緑色を表示する緑色表示画素及び青色を表示する青色表示画素のいずれかであり、各色表示画素には当該各色に対応する表示色フィルタが形成されている。複数の発光画素のそれぞれは、データ線駆動回路23からの輝度信号、及び、走査線駆動回路24からの走査信号に応じて発光する。
図2Aは、有機EL表示パネルの有する正常な発光画素の回路構成図である。同図に記載された発光画素は、有機EL素子221と、駆動トランジスタ222と、選択トランジスタ223と、コンデンサ224とを備える。また、発光画素列ごとにデータ線231が配置され、発光画素行ごとに走査線241が配置され、全発光画素に共通して正電源線251及び負電源線261が配置されている。選択トランジスタ223のドレイン電極はデータ線231に、選択トランジスタ223のゲート電極は走査線241に、さらに、選択トランジスタ223のソース電極は、コンデンサ224及び駆動トランジスタ222のゲート電極に接続されている。また、駆動トランジスタ222のドレイン電極は正電源線251に接続され、ソース電極は有機EL素子221のアノードに接続されている。
有機EL素子221は、例えば、陽極、正孔注入層、有機発光層、電子注入層及び陰極がこの順で積層された構造を有し、陽極側から正孔が、また陰極側から電子が、有機発光層に注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層としては、低分子有機材料だけでなく、インクジェットやスピンコートのような湿式成膜法で成膜できる発光性の高分子有機材料も適用される。
この構成において、走査線241に走査信号が入力され、選択トランジスタ223をオン状態にすると、データ線231を介して供給された、発光階調に対応した輝度信号がコンデンサ224に書き込まれる。そして、コンデンサ224に書き込まれた保持電圧は、1フレーム期間を通じて保持され、この保持電圧により、駆動トランジスタ222のコンダクタンスがアナログ的に変化し、発光階調に対応した駆動電流が有機EL素子221のアノードに供給される。さらに、有機EL素子221のアノードに供給された駆動電流は、有機EL素子221のカソードへと流れる。これにより、有機EL素子221が発光し画像として表示される。このとき、有機EL素子221のアノードには、順バイアス電圧が印加されていることになる。
なお、上述した発光画素の回路構成は、図2Aに記載された回路構成に限定されない。選択トランジスタ223、駆動トランジスタ222は、輝度信号の電圧値に応じた駆動電流を有機EL素子221に流すために必要な回路構成要素であるが、上述した形態に限定されない。また、上述した回路構成要素に、別の回路構成要素が付加される場合も、本発明に係る表示装置の発光画素回路に含まれる。
アクティブマトリクス型の有機EL表示パネルでは、発光画素の構造が微細化、薄型化されるほど、また、発光画素数が増加するほど、微細加工を必要とする製造工程において、有機EL素子のアノード−カソード間の短絡や開放といった電気的な不具合が発生してしまう。
図2Bは、有機EL表示パネルの有する欠陥画素の回路構成図である。同図に記載された回路構成は、有機EL素子のアノード−カソード間が短絡している状態を表している。つまり、図2Aに記載された回路構成と比較して、有機EL素子421のアノードとカソードとの間に電気的導通状態を実現する短絡成分422が並列接続されている点が異なる。ここで、有機EL素子421が短絡している状態とは、短絡成分422の抵抗値が低抵抗状態である場合に、有機EL素子421は短絡状態であると定義する。有機EL素子421のアノード−カソード間が短絡状態である場合の一例としては、有機発光層の膜厚の不均一性により、有機発光層を挟む正孔注入層と電子輸送層とが有機発光層内に生じたピンホールを介して点接触している場合などが想定される。
図2Bに記載された、有機EL素子が短絡状態となっている発光画素が、表示パネル22の中に存在する場合、有機EL表示パネルの製造段階で、リペア工程により短絡成分422を除去することが可能である。短絡成分422を除去するリペア工程として、例えば、短絡成分422の存在箇所にレーザーを照射することが挙げられる。このリペア工程については、後述する有機EL表示パネルの製造方法にて説明する。
次に、本発明の実施の形態に係る検査装置1の構成及び機能について説明する。図1に記載された検査装置1は、照射部11と、輝度測定部12と、判定部13とを備える。検査装置1は、リペア装置3によるリペア作業の前段階において、表示装置2の欠陥画素を特定する機能を有する。
照射部11は、表示色フィルタのうちいずれかの表示色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって可視光波長域内で所定の透過率を示す波長においてピーク強度を有する第1照射光を、各発光画素に対して照射する機能を有する。また、照射部11は、赤色発光画素に配置された赤色カラーフィルタ、緑色発光画素に配置された緑色カラーフィルタ及び青色発光画素に配置された青色カラーフィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長より短く、所定の透過率となる波長においてピーク強度を有する第2照射光、第3照射光及び第4照射光を、それぞれ、各発光画素に対して照射する機能を有する。また、照射部11は、上記所定の透過率に応じて、各色カラーフィルタに対応した上記照射光ごとに出射光量を調整する機能を有している。照射部11は、例えば、第1〜第4照射光を出射するレーザー光源を備える。また、照射部11は、例えば、第1〜第4照射光を出射するLED(Light Emitting Diode)光源を備える。
輝度測定部12は、第1〜第4照射光の照射時における表示パネル22の第1〜第4光学像を取得し、当該光学像を基に、または、各色カラーフィルタに対応した上記照射光ごとに得られる第2〜第4光学像を合成して得られた像を基に、各発光画素が細分化された領域ごとの発光輝度を測定する機能を有する。輝度測定部12は、例えば、CCDカメラを備える。ここで、輝度測定部12は、上記所定の透過率及び上記光学像ごとの明るさやコントラストの差異に応じて、上記光学像ごとの露出量を調整する機能を有していることが好ましい。
判定部13は、輝度測定部12で測定された発光輝度の大きさに基づいて上記領域ごとに欠陥部を判定する機能を有する。
また、判定部13は、欠陥部を有すると判定した欠陥画素及び当該欠陥部の位置情報をリペア装置3に伝達する。
リペア装置3は、判定部13から入手した欠陥画素及び欠陥部の位置情報から、リペア作業を実行する。
上述した表示パネル22の検査装置1の構成及び機能によれば、照射部11から、上記照射光を照射し、輝度測定部12にて上記光学像を取得し、当該光学像により各発光画素が細分化された領域ごとの発光輝度を測定し、判定部13にて欠陥部を判定することにより、可視光波長域における最大透過率を示す波長においてピーク強度を有する照射光を照射する場合に比べて、欠陥部の検出分解能が向上する。よって、微小欠陥部の高精度な検出が可能となる。
次に、表示パネル22が有する発光画素の構造を説明する。
図3Aは、本発明の実施の形態に係る表示パネルの断面概略図である。同図に示した表示パネル22は、陽極、陰極、および当該両極で挟まれた発光層を含む有機層130を有する有機機能デバイスである。同図に記載された表示パネル22は、サブ画素である赤色発光画素22R、緑色発光画素22G、及び、青色発光画素22Bが隣接配置されて形成された1単位画素が、行列状に配置されている。各サブ画素は、基板110の上に、平坦化膜111と、陽極112と、正孔注入層113と、発光層114と、隔壁123と、電子注入層115と、陰極116と、薄膜封止層117と、封止用樹脂層118と、カラーフィルタ122と、接着層119と透明基板120とを備える。カラーフィルタ122は、図3Aでは、赤色発光画素22R、緑色発光画素22G、及び、青色発光画素22Bに対応して、それぞれ、可視光領域では赤色を優先透過する赤色カラーフィルタ122R、可視光領域では緑色を優先透過する緑色カラーフィルタ122G、及び、可視光領域では青色を優先透過する青色カラーフィルタ122Bとして表されている。また、赤色カラーフィルタ122R、緑色カラーフィルタ122G、及び、青色カラーフィルタ122Bの間には、それぞれブラックマトリクス121が配置されている。
陽極112及び陰極116は、それぞれ、本発明における下部電極層及び上部電極層に相当する。また、正孔注入層113、発光層114及び電子注入層115は、本発明における有機層に相当する。
基板110及び透明基板120は、表示パネル22の裏面及び発光表面を保護する基板であり、例えば、厚みが0.5mmである透明の無アルカリガラスである。
平坦化膜111は、一例として、絶縁性の有機材料からなり、例えば駆動用の薄膜トランジスタ(TFT)などを含む基板上に形成されている。
陽極112は、正孔が供給される、つまり、外部回路から電流が流れ込むアノードであり、例えば、Al、あるいは銀合金APCなどからなる反射電極が平坦化膜111上に積層された構造となっている。反射電極の厚みは、一例として10〜40nmである。
正孔注入層113は、正孔注入性の材料を主成分とする層である。正孔注入性の材料とは、陽極112側から注入された正孔を安定的に、または正孔の生成を補助して発光層114へ注入する機能を有する材料である。
発光層114は、陽極112および陰極116間に電圧が印加されることにより発光する層であり、例えば、下層としてα−NPD(Bis[N−(1−naphthyl)−N−phenyl]benzidine)、上層としてAlq3(tris−(8−hydroxyquinoline)aluminum)が積層された構造となっている。
電子注入層115は、電子注入性の材料を主成分とする層である。電子注入性の材料とは、陰極116から注入された電子を安定的に、または電子の生成を補助して発光層114へ注入する機能を有する材料である。
陰極116は、電子が供給される、つまり、外部回路へ電流が流れ出すカソードであり、例えば、透明金属酸化物であるITOにより積層された構造となっている。電極の厚みは、一例として10〜40nmである。
隔壁123は、発光層114をサブ画素ごとに分離するための壁であり、例えば、感光性の樹脂からなる。
薄膜封止層117は、例えば、窒化珪素からなり、上記した発光層114や陰極116を水蒸気や酸素から遮断する機能を有する。発光層114そのものや陰極116が、水蒸気や酸素にさらされることにより劣化(酸化)してしまうことを防止するためである。
封止用樹脂層118は、アクリルまたはエポキシ系の樹脂であり、上記の基板上に形成された平坦化膜111から薄膜封止層117までの一体形成された層と、カラーフィルタ122とを接合する機能を有する。
カラーフィルタ122は、隔壁123で分離された各発光領域を覆うように、透明基板120及び接着層119の下面に、赤の色調整を行う赤色フィルタである赤色カラーフィルタ122R、緑の色調整を行う緑色フィルタである緑色カラーフィルタ122G、及び、青の色調整を行う青色フィルタである青色カラーフィルタ122Bで構成されている。
上述した陽極112、発光層114及び陰極116の構成は有機EL素子の基本構成であり、このような構成により、陽極112と陰極116との間に適当な電圧が印加されると、陽極112側から正孔、陰極116側から電子がそれぞれ発光層114に注入される。これらの注入された正孔および電子が発光層114で再結合して生じるエネルギーにより、発光層114の発光材料が励起され発光する。
なお、正孔注入層113および電子注入層115の材料は、本発明では限定されるものではなく、周知の有機材料または無機材料が用いられる。
また、表示パネル22の構成として、正孔注入層113と発光層114との間に正孔輸送層があってもよいし、電子注入層115と発光層114との間に電子輸送層があってもよい。また、正孔注入層113の代わりに正孔輸送層が配置されてもよいし、電子注入層115の代わりに電子輸送層が配置されてもよい。正孔輸送層とは、正孔輸送性の材料を主成分とする層である。ここで、正孔輸送性の材料とは、電子ドナー性を持ち陽イオン(正孔)になりやすい性質と、生じた正孔を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を併せ持ち、陽極112から発光層114までの電荷輸送に対して適正を有する材料のことである。また、電子輸送層は、電子輸送性の材料を主成分とする層である。ここで、電子輸送性の材料とは、電子アクセプター性を有し陰イオンになりやすい性質と、発生した電子を分子間の電荷移動反応により伝達する性質を併せ持ち、陰極116から発光層114までの電荷輸送に対して適正を有する材料のことである。
図3Bは、本発明の実施の形態に係る、異物が混入した発光画素の断面概略図である。同図に示した緑色発光画素22Gは、製造工程において、陽極112と陰極116との間に導電性の異物50が混入し、異物50を介して陽極112と陰極116とが短絡している。本発明の表示パネルの製造方法では、異物50が判定部13において欠陥部であると判定された場合には、例えば、異物50またはその周辺である陰極116の一部に対してレーザー照射して高抵抗化することにより、異物50により短絡された陽極112と陰極116との間の短絡を解消(リペア)する。短絡した部分のリペア工程については、後に説明する。
<検査方法及び製造方法>
次に、本発明の表示パネルの検査方法及び製造方法について説明する。
図4は、本発明の実施の形態に係る表示パネルの製造方法を説明する工程フローチャートである。
まず、基板上に表示パネル22を形成する(S10)。
次に、ステップS10で形成された表示パネル22の発光画素を検査する(S20)。
最後に、ステップS20で特定された欠陥画素をリペアする(S30)。
以下、ステップS10〜S30を詳細に説明する。
まず、ステップS10での表示パネルの形成工程を説明する。具体的には、図3Aに示された表示パネル22を準備する。
まず、TFTを含む基板110上に、絶縁性の有機材料からなる平坦化膜111を形成し、その後、平坦化膜111上に陽極112を形成する。陽極112は、例えば、スパッタリング法により、平坦化膜111上にAlが30nm成膜され、その後、フォトリソグラフィ及びウエットエッチングによるパターニング工程を経て形成される。
次に、陽極112上に、例えば、PEDOTをキシレンよりなる溶剤に溶かし、このPEDOT溶液をスピンコートすることにより、正孔注入層113を形成する。
次に、正孔注入層113の上に、例えば、真空蒸着法によりα−NPD、Alq3を積層し、発光層114を形成する。
次に、発光層114の上に、例えば、ポリフェニレンビニレン(PPV)を、キシレンまたはクロロホルムよりなる溶剤に溶かしてスピンコートすることにより、電子注入層115を形成する。
続いて、電子注入層115が形成された基板を大気曝露させることなく、陰極116を形成する。具体的には、電子注入層115の上に、スパッタリング法によりITO(Indium Tin Oxide)が35nm積層されることにより、陰極116が形成される。このとき、陰極116は、アモルファス状態になっている。
上記製造工程により、発光素子としての機能をもつ有機EL素子が形成される。なお、陽極112の形成工程と正孔注入層113の形成工程との間に、表面感光性樹脂からなる隔壁123が所定位置に形成される。
次に、陰極116の上に、例えば、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法により窒化珪素を500nm積層し、薄膜封止層117を形成する。薄膜封止層117は、陰極116の表面に接して形成されるので、特に、保護膜としての必要条件を厳しくすることが好ましく、上記した窒化珪素に代表されるような非酸素系無機材料が好ましい。また、例えば、酸化珪素(Si)や酸窒化珪素(Si)のような酸素系無機材料や、これらの無機材料が複数層形成された構成であってもよい。また、形成方法は、プラズマCVD法に限らず、アルゴンプラズマを用いたスパッタリング法など、その他の方法であってもよい。
次に、薄膜封止層117の表面に、封止用樹脂層118を塗布する。その後、塗布された封止用樹脂層118上に、カラーフィルタ122を形成する。
次に、カラーフィルタ122の上に、接着層119及び透明基板120を配置する。なお、薄膜封止層117、封止用樹脂層118、接着層119及び透明基板120は、本発明における保護層に相当する。
最後に、透明基板120を上面側から下方に加圧しつつ熱またはエネルギー線を付加して封止用樹脂層118を硬化し、透明基板120、接着層119及びカラーフィルタ122と薄膜封止層117とを接着する。
上記形成方法により、図3Aに示す表示パネル22が形成される。なお、陽極112、正孔注入層113、発光層114、電子注入層115及び陰極116の形成工程は、本発明により限定されるものではない。
次に、図4の工程フローチャートに戻り、本発明の要部であるステップS20での発光画素の検査工程を説明する。以下、当該工程を具体的に説明するに先立ち、当該工程を得るに至った経緯について説明する。
表示パネル22の製造工程において、図2B及び図3Bに示されたように、例えば、有機層内に異物50等が混入し、有機EL素子が短絡欠陥部を有する場合、当該有機EL素子に信号電圧に対応した電圧が印加されても、短絡欠陥部に優先的に電流が流れてしまう。そのため、上記有機EL素子には正常な電流が流れず、滅点化してしまう。従って、有機EL素子は滅点化を防ぐため、滅点化の原因になる短絡欠陥部を検出し、該当箇所をリペアすることが要求される。
そこで、有機EL素子内の欠陥部の有無を検出する方法として、表示パネル22に透明基板120側から光を照射し、カラーフィルタ122を介して得られる反射光、または散乱光を検出器で撮像することで取得される表示パネル22の光学像により、有機EL素子内に欠陥部が存在するかを判別することが挙げられる。
しかしながら、表示パネル22に照射する光源を可視光とした場合、表示パネル22に照射される光はカラーフィルタ122を透過するので、当該照射光はカラーフィルタ122の透過特性に応じて吸収される。
図7Bは、発光画素に可視光を照射した場合の光学像を表す図である。同図に示された光学像は、赤色発光画素22R、緑色発光画素22G及び青色発光画素22Bに対して、カラーフィルタ122を介して可視光を照射したときに取得されたものである。図7Bに表されたように、各発光画素に可視光を照射した場合、特に青色発光画素22Bでは、欠陥部が検出されていない。ここで、青色を発光する青色発光画素22Bには、青色を透過する青色カラーフィルタ122Bが配設されている。この青色カラーフィルタ122Bは、可視光領域では、青色以外の色に応じた光は吸収し透過させない特性を有する。即ち、青色発光画素22Bに白色光(可視光)を照射すると、光学像は青色に応じた波長によって得られる。ここで、一般的に、青色カラーフィルタ122Bの青色透過率は低く、また、光学像を取得すべき検出器の青色検出強度(感度)は低いことが知られている。よって、図7Bに表されたように、各発光画素に可視光を照射した場合、特に青色発光画素22Bでは、欠陥部検出が可能な光学像を得ることは困難である。
図7Cは、発光画素に赤外光を照射した場合の光学像を表す図である。同図に示された光学像は、赤色発光画素22R、緑色発光画素22G及び青色発光画素22Bに対して、カラーフィルタ122を介して赤外光を照射したときに取得されたものである。図7Cに表されたように、各発光画素に赤外光を照射した場合、カラーフィルタ122を構成する各色フィルタが赤外領域を透過させる特性であれば、各色発光画素において欠陥部が視認できる。しかし、赤外光は可視光に比べて波長が長く、光学像の分解能が低下し散乱光が減少するため、微小欠陥部の検出率が低下する。
つまり、図7Cに示されたように、カラーフィルタ122の影響を低減させるために、表示パネル22に照射する光源を赤外光とすると、微小欠陥部の検出感度が低下する。
上述した、可視光照射における青色発光画素22B及び赤外光照射における微小欠陥部の検出精度低下は、カラーフィルタ122を配設した状態で表示パネル22の欠陥部を検出する場合に特有であり、これまでは検討されていなかった。
以上の通り、一連の検討を通じ、本発明者は、被検査基板である表示パネル22に、赤色、緑色または青色カラーフィルタのうちいずれかのカラーフィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長より短く、所定の透過率となる波長においてピーク強度を有する照射光を照射する検出方法に至った。つまり、赤外光よりも短波長であって、カラーフィルタの最大透過率ではない所定の透過率となる波長のうちの最短波長の単色光源を用いて、上記カラーフィルタが配置された発光画素の欠陥部を検出する。これにより、上記カラーフィルタが配置された発光画素に対して、可視光波長域における最大透過率を示す波長においてピーク強度を有する照射光を照射する場合に比べて、欠陥部の検出分解能が向上するので、微小欠陥部の検出能力が向上する。特に、赤色カラーフィルタでは、ピーク波長が最大透過率である照射光を照射する場合には、長波長による特性から分解能が低下しやすい。なお、上記所定の透過率を示す波長においてピーク強度を有する照射光を照射した場合、上記所定の透過率は最大透過率ではないため、カラーフィルタによる減衰が大きい。よって、光学像において十分な発光強度が得られないことが想定される。しかし、上記照射光の照射により欠陥部を検出する発光画素は、上記カラーフィルタと同色のカラーフィルタが配置された発光画素であるので、上記照射光の出射光量及び光学像の露出量を調整することが可能となり、上記光学像において十分な発光強度を得ることが可能となる。
また、特定のカラーフィルタが配置された発光画素だけでなく、表示パネル22の全ての発光画素の欠陥部を検査する方法として、赤色カラーフィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長より短く所定の透過率となる波長においてピーク強度を有する第2照射光、緑色カラーフィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長より短く所定の透過率となる波長においてピーク強度を有する第3照射光、及び、青色カラーフィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長より短く所定の透過率となる波長においてピーク強度を有する第4照射光を、それぞれ、表示パネル22に照射する。そして、第2照射光照射時に取得される第2光学像における赤色発光画素の光学像、第3照射光照射時に取得される第3光学像における緑色発光画素の光学像、及び、第4照射光照射時に取得される第4光学像における青色発光画素の光学像に対して、それぞれ、露出量を任意調整して合成することにより、全ての発光画素においても、高精度な微小欠陥部の検出が可能となる。
以下、ステップ20の検査工程について詳細に説明する。
図5Aは、本発明の実施の形態に係る表示パネルの第1の検査方法を説明する動作フローチャートである。
まず、照射部11は、赤色、緑色、青色カラーフィルタのうちいずれかのカラーフィルタの可視光領域での最大透過率を示す波長より短く、所定の透過率となる波長においてピーク強度を有する第1照射光を表示パネル22に照射する(S201)。このとき、照射部11は、上記第1照射光の焦点を表示パネル22の表面に合わせる。ここで、上記第1照射光の波長について、図6を用いて説明する。
図6Aは、本発明の実施の形態に係る検査方法で用いられる照射光の波長とカラーフィルタの通過特性との関係を表す第1のグラフである。同図には、赤色カラーフィルタ122R、緑色カラーフィルタ122G、及び青色カラーフィルタ122Bについての波長−透過率特性の第1例が表されている。赤色カラーフィルタ122R、緑色カラーフィルタ122G、及び青色カラーフィルタ122Bにおいて、可視光領域(380nm〜800nm)において最大透過率を示す波長は、それぞれ、図6AにおいてλPR、λPG、及びλPBで表されている。ここで、いずれのカラーフィルタにおいても、最大透過率は80%以上となっているが、例えば、上記所定の透過率を、最大透過率よりも小さい50%とする。この場合、赤色カラーフィルタ122Rにおいて、λPRより短く所定の透過率である50%を示す波長は、図6AにおいてλLRである。以上より、照射部11は、本ステップにおいて、赤色発光画素の欠陥部を検出する場合には、波長λLRにおいてピーク強度を有する単色光を第1照射光として選択する。同様にして、緑色発光画素の欠陥部を検出する場合には、照射部11は、波長λLGにおいてピーク強度を有する単色光を第1照射光として選択する。また、青色発光画素の欠陥部を検出する場合には、照射部11は、波長λLBにおいてピーク強度を有する単色光を第1照射光として選択する。
これにより、いずれの発光画素の欠陥部を検出する場合においても、可視光波長域における最大透過率を示す波長(λPR、λPGまたはλPB)においてピーク強度を有する照射光を照射する場合に比べて、欠陥部の検出分解能が向上するので、高精度な微小欠陥部の検出が可能となる。なお、上記例のように所定の透過率を50%と設定とした場合には、例えば、λPRとλLRとの比を基にして、上記比較対象に比べて約3/4の大きさのものまで検出が可能となる。
図6Bは、本発明の実施の形態に係る検査方法で用いられる照射光の波長とカラーフィルタの通過特性との関係を表す第2のグラフである。同図には、赤色カラーフィルタ122R、緑色カラーフィルタ122G、及び青色カラーフィルタ122Bについての波長−透過率特性の第2例が表されている。図6Bに表された波長−透過率特性が、図6Aに表された第1例の波長−透過率特性と異なる点は、赤色カラーフィルタ122Rが、400nm以下の紫色領域に属する波長λPR2においてサブピークを有している点である。ここで、例えば、上記所定の透過率を、最大透過率よりも小さい20%とする。この場合、赤色カラーフィルタ122Rにおいて、最大透過率となる波長λPR1より短く所定の透過率である20%を示す最短波長は、図6BにおいてλLR2である。この場合、照射部11は、本ステップにおいて、赤色発光画素の欠陥部を検出する場合には、波長λLR2においてピーク強度を有する単色光を第1照射光として選択する。同様にして、緑色発光画素の欠陥部を検出する場合には、照射部11は、波長λLG2においてピーク強度を有する単色光を第1照射光として選択する。また、青色発光画素の欠陥部を検出する場合には、照射部11は、波長λLB2においてピーク強度を有する単色光を第1照射光として選択する。
これにより、いずれの発光画素の欠陥部を検出する場合においても、可視光波長域における最大透過率を示す波長(λPR1、λPGまたはλPB)においてピーク強度を有する照射光を照射する場合に比べて、欠陥部の検出分解能が向上するので、高精度な微小欠陥部の検出が可能となる。なお、上記例のように所定の透過率を20%と設定とした場合には、例えば、λPR1とλLR2との比を基にして、上記比較対象に比べて約1/2の大きさのものまで検出が可能となる。
なお、上記第1照射光を照射した場合、所定の透過率20%に応じたカラーフィルタによる減衰が大きいため、次ステップで説明する第1光学像において十分な発光強度が得られないことが想定される。しかし、上記第1照射光の照射により欠陥部を検出するのは、上記カラーフィルタと同色のカラーフィルタが配置された発光画素であるので、第1照射光の出射光量を調整することにより、第1光学像において十分な発光強度を得ることが可能となる。
次に、輝度測定部12は、ステップS201で第1照射光が照射された表示パネル22の各発光画素の第1光学像を検出器により取得する(S203)。なお、上記検出器は、例えば、CCDカメラが用いられる。なお、本ステップでは、例えば、赤色カラーフィルタ122Rに依存する波長λLRをピーク波長とする単色光を第1照射光とした場合には、赤色発光画素22Rの欠陥部を検出することを目的として、第1光学像における赤色発光画素22Rの光学像における発光輝度が測定される。輝度測定部12は、上記発光輝度の測定にあたり、第1光学像の露出量を調整してもよい。また、上記所定の透過率が低く設定された場合には、第1光学像におけるS/N比が低下することが想定される。この場合には、輝度測定部12は、例えば、高感度の低温CCDカメラを備えてもよい。ステップS201及びS203は、表示色フィルタのうちいずれかの表示色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって可視光波長域内で所定の透過率を示す波長においてピーク強度を有する第1照射光を、カラーフィルタを介して複数の表示画素に照射し、当該照射時における複数の表示画素の第1光学像を取得する短波長取得工程に相当する。
最後に、判定部13は、第1光学像から、上記第1照射光に対応するカラーフィルタが配置された発光画素の欠陥部を特定する(S205)。なお、本ステップにおける欠陥部の特定方法としては、得られた第1光学像において、所定値以上の輝度値を示す部分を欠陥部と特定してもよい。この欠陥部特定方法は、有機EL表示素子の陽極と陰極との間に、短絡欠陥部または発光層の膜厚が局部的に厚い欠陥部などが存在し表示パネル22に第1照射光を照射した場合、当該欠陥部からの反射光または散乱光の輝度が異常に高くなることを利用するものである。ステップS205は、第1光学像から各色表示画素の欠陥部を検出する欠陥検出工程に相当する。
図7Aは、本発明の実施の形態に係る表示パネルの検査方法により取得された光学像を表す図である。図7Aの(a)、(b)及び(c)は、それぞれ、波長λLR、λLG、及びλLBにおいてピーク強度を有する単色光を表示パネル22に照射した時に、ステップS203で取得された第1光学像である。図7Aの(a)〜(c)で観察されるように、各色発光画素において、各色カラーフィルタの通過帯域内における単色光の反射光または散乱光の光学像が得られるので、図7Bに示された可視光照射による光学像に比べて、赤色発光画素、緑色発光画素及び青色発光画素ごとの高精度な欠陥部の検査が可能となる。また、図7Cに示された赤外光照射、及び、ピーク波長λPR、λPG、及びλPBにおいてピーク強度を有する単色光の照射と比べて、短波長光の照射による微小欠陥部の検出精度が向上している。
なお、上記第1の検査方法では、ステップS201〜S205での第1照射光の照射による欠陥部検出の前に、各発光画素の自発光による点灯検査を実行してもよい。これにより、正常点灯する発光画素と異常発光画素とを判別しておき、異常発光画素のみについて、ステップS201〜S205を実行すればよいので、検査効率が向上する。つまり、ステップS201〜S205では、異常発光画素に配置されたカラーフィルタに対応した第1照射光のみを照射し、取得された第1光学像における異常発光画素の領域のみを輝度測定すればよい。上記第1の検査方法は、特定の発光画素について欠陥部検出をする場合に適している。
上述した第1の検査方法は、赤色発光画素、緑色発光画素及び青色発光画素のうちいずれかの発光画素の欠陥部を検査する検査方法として適用可能であるが、波長λLR、λLG、及びλLBにおいてピーク強度を有する単色光をそれぞれ表示パネル22に照射して得られた3種類の光学像を合成することにより、全ての発光画素の欠陥部を検査してもよい。以下、第2の検査方法について、第1の検査方法と異なる部分を中心に説明する。
図5Bは、本発明の実施の形態に係る表示パネルの第2の検査方法を説明する動作フローチャートである。
まず、照射部11は、赤色カラーフィルタ122Rの可視光領域での最大透過率を示す波長より短く、所定の透過率となる波長においてピーク強度を有する第2照射光を表示パネル22に照射する(S202)。このとき、照射部11は、上記第2照射光の焦点を表示パネル22の表面に合わせる。本ステップにおいて、例えば、所定の透過率を50%と設定した場合には、第2照射光は、図6に示されたλLRである。
なお、上記第2照射光を照射した場合、所定の透過率に応じたカラーフィルタによる減衰が大きいため、次ステップで説明する第2光学像において十分な発光強度が得られないことが想定される。しかし、上記第2照射光の出射光量を任意に調整することにより、第2光学像において十分な発光強度を得ることが可能となる。
次に、輝度測定部12は、ステップS202で第2照射光が照射された表示パネル22の各発光画素の第2光学像を検出器により取得する(S204)。なお、上記検出器は、例えば、CCDカメラが用いられる。上記ステップS202及びS204は、カラーフィルタを介して各色表示画素に、赤色カラーフィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって可視光波長域内で所定の透過率を示す第2波長においてピーク強度を有する第2照射光を照射し、当該照射時における各色表示画素の第2光学像を得る赤色短波長取得工程に相当する。
次に、照射部11は、緑色カラーフィルタ122Gの可視光領域での最大透過率を示す波長より短く、所定の透過率となる波長においてピーク強度を有する第3照射光を表示パネル22に照射する(S206)。このとき、照射部11は、上記第3照射光の焦点を表示パネル22の表面に合わせる。本ステップにおいて、例えば、所定の透過率を50%と設定した場合には、第3照射光は、図6に示されたλLGである。
なお、上記第3照射光を照射した場合、所定の透過率に応じたカラーフィルタによる減衰が大きいため、次ステップで説明する第3光学像において十分な発光強度が得られないことが想定される。しかし、上記第3照射光の出射光量を任意に調整することにより、第3光学像において十分な発光強度を得ることが可能となる。
次に、輝度測定部12は、ステップS206で第3照射光が照射された表示パネル22の各発光画素の第3光学像を検出器により取得する(S208)。なお、上記検出器は、例えば、CCDカメラが用いられる。上記ステップS206及びS208は、カラーフィルタを介して各色表示画素に、緑色カラーフィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって可視光波長域内で所定の透過率を示す第3波長においてピーク強度を有する第3照射光を照射し、当該照射時における各色表示画素の第3光学像を得る緑色短波長取得工程に相当する。
次に、照射部11は、青色カラーフィルタ122Bの可視光領域での最大透過率を示す波長より短く、所定の透過率となる波長においてピーク強度を有する第4照射光を表示パネル22に照射する(S210)。このとき、照射部11は、上記第4照射光の焦点を表示パネル22の表面に合わせる。本ステップにおいて、例えば、所定の透過率を50%と設定した場合には、第4照射光は、図6に示されたλLBである。
なお、上記第4照射光を照射した場合、所定の透過率に応じたカラーフィルタによる減衰が大きいため、次ステップで説明する第4光学像において十分な発光強度が得られないことが想定される。しかし、上記第4照射光の出射光量を任意に調整することにより、第4光学像において十分な発光強度を得ることが可能となる。
次に、輝度測定部12は、ステップS210で第4照射光が照射された表示パネル22の各発光画素の第4光学像を検出器により取得する(S212)。なお、上記検出器は、例えば、CCDカメラが用いられる。上記ステップS210及びS212は、カラーフィルタを介して各色表示画素に、青色カラーフィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって可視光波長域内で所定の透過率を示す第4波長においてピーク強度を有する第4照射光を照射し、当該照射時における各色表示画素の第4光学像を得る青色短波長取得工程に相当する。
最後に、判定部13は、ステップS204で取得された第2光学像、ステップS208で取得された第3光学像、及び、ステップS212で取得された第4光学像から、全ての発光画素を検査し、欠陥部を特定する(S214)。具体的には、判定部13は、第2光学像、第3光学像及び第4光学像を合成した像から、全ての発光画素についての欠陥部を特定する。このとき、輝度測定部12または判定部13は、赤色発光画素、緑色発光画素及び青色発光画素の間における欠陥部の検出精度の差を補正するため、設定された所定の透過率、各光学像の明るさ及びコントラスト等に応じて各光学像の露出量を任意に調整してもよい。
本ステップにおける欠陥部の特定方法としては、上記第2〜第4光学像において、所定値以上の輝度値を示す部分を欠陥部と特定してもよい。この欠陥部特定方法は、有機EL表示素子の陽極と陰極との間に、短絡欠陥部または発光層の膜厚が局部的に厚い欠陥部などが存在し表示パネル22に第2〜第4照射光を照射した場合、当該欠陥部からの反射光または散乱光の輝度が異常に高くなることを利用するものである。ステップS214は、第1光学像から各色表示画素の欠陥部を検出する欠陥検出工程に相当する。
図7Aの(d)は、波長λLR、λLG、及びλLBにおいてピーク強度を有する単色光を表示パネル22にそれぞれ照射して得られた第2〜第4光学像を合成した像である。図7Aの(d)で観察されるように、各色発光画素において、各色カラーフィルタの通過帯域内における単色光の反射光または散乱光の光学像が得られるので、図7Bに示された可視光照射による光学像に比べて、赤色発光画素、緑色発光画素及び青色発光画素ごとの高精度な欠陥部の検査が可能となる。また、図7Cに示された赤外光照射、及び、ピーク波長λPR、λPG、及びλPBにおいてピーク強度を有する単色光の照射と比べて、短波長光の照射による微小欠陥部の検出精度が向上している。
以上、本発明の実施の形態に係る表示パネルの第1の検査方法及び第2の検査方法によれば、カラーフィルタを有する発光画素に、可視光波長域における最大透過率を示す波長より短く所定の透過率となる波長においてピーク強度を有する照射光を照射することにより得られた光学像により発光画素の欠陥部を特定する。これにより、可視光波長域における最大透過率を示す波長においてピーク強度を有する照射光を照射する場合に比べて、欠陥部の検出分解能が向上する。よって、微小欠陥部の高精度な検出が可能となる。
なお、上述した第2の検査方法では、赤色発光画素の欠陥部検出のための第2照射光照射及び第2光学像取得、緑色発光画素の欠陥部検出のための第3照射光照射及び第3光学像取得、青色発光画素の欠陥部検出のための第4照射光照射及び第4光学像取得の順に実行する例を説明したが、3原色間で実行する順は任意である。
以下、ステップS30のリペア工程について説明する。
ステップS30では、ステップS20で特定された欠陥画素を、リペア装置3によりリペアする。リペア装置3は、例えば、レーザー発振器と、検出器と、CCDカメラと、照明と、ステージとを備える。表示パネル22は、ステージの上に固定配置される。そして、例えば、表示パネル22の欠陥部付近の陰極116にレーザー焦点を合わせて、陰極116の一部を高抵抗化させる。CCDカメラは、ステージの高さ及び平面方向を高精度に調整するため、ステージ上の表示パネル22の表面を観察するモニタである。これにより、例えば、異物と電気的に短絡している陰極領域、つまり、陰極の一部で囲まれた陰極領域は、他の陰極領域と絶縁され、異物を介して陽極112と短絡接続されている。これにより、陽極112と陰極116との間に流れる電流パスは、陰極の一部で囲まれた陰極領域には発生しないが、当該陰極領域以外の陰極領域には正常に発生するようになる。ステップS30は、ステップS206またはS209で検出された欠陥部について、リペアを行なうリペア工程に相当する。
最後に、上述したレーザーリペアにより、欠陥部を有している発光画素が回復したかを、点灯確認する。
図8は、レーザーリペア後の点灯確認を表す図である。例えば、異物による短絡欠陥部が存在する発光画素は、所定の信号電圧を供給した場合、当該短絡欠陥部のみが輝点となる。これに対して、レーザーリペアを実施した後では、例えば、上記レーザーリペアにより短絡欠陥部は高抵抗化され黒点となり、当該短絡欠陥部以外の発光領域が発光する。このような発光モードにおける点灯確認により、発光画素の回復の可否を確認することが可能となる。
以上、本発明の表示パネルの製造方法によれば、カラーフィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長より短い波長においてピーク強度を有する照射光を照射することにより発光画素の微小欠陥部を高精度に検出することが可能となる。この高精度な欠陥部の検出により、欠陥部のリペアを確実に実行することができるので製造歩留まりが向上する。
以上、上記実施の形態に基づいて本発明に係る表示パネルの製造方法、その検査装置及び検査方法を説明してきたが、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではない。実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る表示パネルを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
上記実施の形態では、検出すべき発光画素の欠陥部として、異物50が有機層に跨って存在する場合を例示したが、本発明の検査装置及び検査方法により検出される欠陥部はこれに限られない。欠陥部としては、異物50による短絡欠陥の他、例えば、異物50が存在しないが陽極112と陰極116とが有機層を介さずに短絡している態様、または、発光層114が局部的に厚い態様、などが挙げられる。以下、上記2態様について図面を用いて説明する。
図9Aは、本発明の実施の形態の第1の変形例に係る発光画素の断面概略図である。本変形例に係る緑色発光画素22Gが、図3Bに記載された緑色発光画素22Gと異なる点は、陽極112と陰極116とが導電性の異物50を介さずに直接接触して短絡している点である。これは、例えば、有機層の形成工程において短絡部分の位置にピンホールが形成され、その後、陰極116の形成工程において当該ピンホールに陰極116を構成する材料が流入して陰極116が形成されたために、このように直接接触したものである。このような態様においても、カラーフィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長より短い波長においてピーク強度を有する照射光を照射することにより、欠陥部51は異常輝点として検出される。そして、欠陥部51を高抵抗化することにより、短絡された陽極112と陰極116との短絡を解消することが可能である。
図8Bは、本発明の実施の形態の第2の変形例に係る発光画素の断面概略図である。本変形例に係る緑色発光画素22Gが、図3Bに記載された緑色発光画素22Gと異なる点は、発光層114が局部的に厚くなっている点である。このような態様においても、カラーフィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長より短い波長においてピーク強度を有する照射光を照射することにより、欠陥部52は異常輝点として検出される。そして、欠陥部52を高抵抗化することにより、当該欠陥を解消することが可能である。
また、上述した実施の形態では、下部電極を陽極、上部電極を陰極とする構成について示したが、下部電極を陰極、上部電極を陽極とする構成であってもよい。また、発光画素の構成である平坦化膜、陽極、正孔注入層、発光層、隔壁、電子注入層、陰極、薄膜封止層、封止用樹脂層、カラーフィルタ、接着層及び透明基板は、上記した実施の形態に示した構成に限らず、材料や構成、形成方法を変更してもよい。例えば、正孔注入層と発光層との間に正孔輸送層があってもよいし、電子注入層と発光層との間に電子輸送層があってもよい。
また、レーザーリペアにおけるレーザーの照射位置は、上述した実施の形態に限定されず、異物や短絡部分を含む所定の範囲に設定されてもよいし、異物や短絡部分のみに設定されてもよい。また、異物や短絡部分の周囲を囲むように設定されてもよい。また、レーザーの照射は、陰極に限らず陽極に対して行われてもよい。
また、本発明は、例えば、図10に示すような、本発明の製造方法による発光パネルを備えた薄型フラットテレビシステムの製造に好適である。
また、図1に記載された検査装置1は、表示装置2に組み込まれていてもよい。この場合、表示装置2の制御部21が、照射部11、輝度測定部12及び判定部13を有し、制御部21が実施の形態で説明した検査方法を実行する。この態様によっても、上述した最大透過率を示す波長より短い波長においてピーク強度を有する照射光を照射し、これにより微小欠陥部を高精度に検出することが可能となり、欠陥部のリペアを確実に実行することができるので製造歩留まりが向上する。
また、上記実施の形態において、可視光領域とは、波長が380nm〜800nmである領域である。また、赤色カラーフィルタ122Rは、赤色領域を主通過帯域とするフィルタである。また、緑色カラーフィルタ122Gは、緑色領域を主通過帯域とするフィルタである。また、青色カラーフィルタ122Bは、青色領域を主通過帯域とするフィルタである。ここで、赤色領域とは、波長が600〜800nmである領域である。また、緑色領域とは、波長が500〜600nmである領域である。また、青色領域とは、波長が380〜500nmである領域である。また赤外光の波長としては、800nm〜1μmである。
本発明の表示パネルの製造方法、その検査装置及び検査方法は、大画面及び高解像度が要望される薄型テレビ及びパーソナルコンピュータのディスプレイなどの技術分野に有用である。
1 検査装置
2 表示装置
3 リペア装置
11 照射部
12 輝度測定部
13 判定部
21 制御部
22 表示パネル
22B 青色発光画素
22G 緑色発光画素
22R 赤色発光画素
23 データ線駆動回路
24 走査線駆動回路
50 異物
51、52 欠陥部
110 基板
111 平坦化膜
112 陽極
113 正孔注入層
114 発光層
115 電子注入層
116 陰極
117 薄膜封止層
118 封止用樹脂層
119 接着層
120 透明基板
121 ブラックマトリクス
122 カラーフィルタ
122B 青色カラーフィルタ
122G 緑色カラーフィルタ
122R 赤色カラーフィルタ
123 隔壁
130 有機層
221、421 有機EL素子
222 駆動トランジスタ
223 選択トランジスタ
224 コンデンサ
231 データ線
241 走査線
251 正電源線
261 負電源線
422 短絡成分

Claims (9)

  1. 異なる表示色を有する表示画素を複数含み、前記表示画素の表示色に対応して配置された表示色フィルタを含むカラーフィルタを有する表示パネルの検査方法であって、
    前記表示色フィルタのうちいずれかの表示色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で所定の透過率を示す波長においてピーク強度を有する第1照射光を、前記カラーフィルタを介して複数の前記表示画素に照射し、当該照射時における前記複数の表示画素の第1光学像を取得する短波長取得工程と、
    前記第1光学像から前記表示色フィルタが配置された表示画素の欠陥部を検出する欠陥検出工程とを含み、
    前記欠陥検出工程では、前記第1光学像により測定された輝度値が所定値以上となっている領域を前記欠陥部と判定し、
    前記表示色フィルタのうちいずれかの表示色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で所定の透過率を示す波長は、複数存在し、
    前記短波長取得工程では、複数の前記波長のうち最短の波長においてピーク強度を有する前記第1照射光を前記表示画素に照射する
    表示パネルの検査方法。
  2. 赤色表示画素、緑色表示画素及び青色表示画素を含み、各色表示画素に対応して配置された赤色フィルタ、緑色フィルタ及び青色フィルタを含むカラーフィルタを有する表示パネルの検査方法であって、
    前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記赤色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で所定の透過率を示す第2波長においてピーク強度を有する第2照射光を照射し、当該照射時における前記各色表示画素の第2光学像を得る赤色短波長取得工程と、
    前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記緑色フィルタの可視光波長域に
    おける最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で前記所定の透過率を示す第3波長おいてピーク強度を有する第3照射光を照射し、当該照射時における前記各色表示画素の第3光学像を得る緑色短波長取得工程と、
    前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記青色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で前記所定の透過率を示す第4波長においてピーク強度を有する第4照射光を照射し、当該照射時における前記各色表示画素の第4光学像を得る青色短波長取得工程と、
    前記第2光学像、前記第3光学像及び前記第4光学像から前記各色表示画素の欠陥を検出する欠陥検出工程とを含み、
    前記欠陥検出工程では、前記第2光学像、前記第3光学像及び前記第4光学像により測定された輝度値が所定値以上となっている領域を前記欠陥部と判定する
    表示パネルの検査方法。
  3. 前記赤色短波長取得工程では、前記第2波長が複数存在する場合には、複数の前記第2波長のうち最短の波長においてピーク強度を有する前記第2照射光を前記表示画素に照射し、
    前記緑色短波長取得工程では、前記第3波長が複数存在する場合には、複数の前記第3波長のうち最短の波長においてピーク強度を有する前記第3照射光を前記表示画素に照射し、
    前記青色短波長取得工程では、前記第4波長が複数存在する場合には、複数の前記第4波長のうち最短の波長においてピーク強度を有する前記第4照射光を前記表示画素に照射する
    請求項に記載の表示パネルの検査方法。
  4. 前記欠陥検出工程では、前記第2光学像、前記第3光学像及び前記第4光学像の露出量をそれぞれ任意に調整して合成した像から前記各色表示画素の欠陥を検出する
    請求項に記載の表示パネルの検査方法。
  5. 前記各色表示画素は、陰極及び陽極で挟まれた有機エレクトロルミネッセンス発光層を有し、
    前記欠陥検出工程では、前記陰極及び前記陽極が短絡された前記欠陥部を検出する
    請求項1〜のうちいずれか1項に記載の表示パネルの検査方法。
  6. 赤色表示画素、緑色表示画素及び青色表示画素を含み、各色表示画素に対応して配置された赤色フィルタ、緑色フィルタ及び青色フィルタを含むカラーフィルタを有する表示パネルに対し、前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記赤色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で所定の透過率を示す第2波長においてピーク強度を有する第2照射光を照射し、前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記緑色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で所定の透過率を示す第3波長においてピーク強度を有する第3照射光を照射し、前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記青色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で所定の透過率を示す第4波長においてピーク強度を有する第4照射光を照射する照射部と、
    前記照射部から前記第2照射光が照射されている間に、前記各色表示画素の第2光学像を取得し、前記照射部から前記第3照射光が照射されている間に、前記各色表示画素の第3光学像を取得し、前記照射部から前記第4照射光が照射されている間に、前記各色表示画素の第4光学像を取得する輝度測定部と、
    前記第2光学像、前記第3光学像及び前記第4光学像により測定された輝度値が所定値以上となっている領域を欠陥部と判定する判定部とを備える
    表示パネルの検査装置。
  7. 赤色表示画素、緑色表示画素及び青色表示画素を含み、各色表示画素に対応して配置された赤色フィルタ、緑色フィルタ及び青色フィルタを含むカラーフィルタを有する表示パネルの製造方法であって、
    表示パネル基板上に、前記赤色表示画素、前記緑色表示画素及び前記青色表示画素をマトリクス状に形成し、前記各色表示画素の上に、前記カラーフィルタを形成する表示画素形成工程と、
    前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記赤色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で所定の透過率を示す第2波長においてピーク強度を有する第2照射光を照射し、当該照射時における前記各色表示画素の第2光学像を得る赤色短波長取得工程と、
    前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記緑色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で前記所定の透過率を示す第3波長おいてピーク強度を有する第3照射光を照射し、当該照射時における前記各色表示画素の第3光学像を得る緑色短波長取得工程と、
    前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記青色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で前記所定の透過率を示す第4波長においてピーク強度を有する第4照射光を照射し、当該照射時における前記各色表示画素の第4光学像を得る青色短波長取得工程と、
    前記第2光学像、前記第3光学像及び前記第4光学像により測定された輝度値が所定値以上となっている領域を欠陥部として検出する欠陥検出工程と、
    前記欠陥検出工程で検出された前記欠陥部について、リペアを行なうリペア工程とを含む
    表示パネルの製造方法。
  8. 異なる表示色を有する表示画素を複数含み、前記表示画素の表示色に対応して配置された表示色フィルタを含むカラーフィルタを有する表示パネルの検査方法であって、
    前記表示色フィルタのうちいずれかの表示色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で所定の透過率を示す波長においてピーク強度を有する第1照射光を、前記カラーフィルタを介して複数の前記表示画素に照射し、当該照射時における前記複数の表示画素の第1光学像を取得する短波長取得工程と、
    前記第1光学像から前記表示色フィルタが配置された表示画素の欠陥部を検出する欠陥検出工程とを含み、
    前記表示色フィルタのうちいずれかの表示色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で所定の透過率を示す波長は、複数存在し、
    短波長取得工程では、複数の前記波長のうち最短の波長においてピーク強度を有する前記第1照射光を前記表示画素に照射する
    表示パネルの検査方法。
  9. 赤色表示画素、緑色表示画素及び青色表示画素を含み、各色表示画素に対応して配置された赤色フィルタ、緑色フィルタ及び青色フィルタを含むカラーフィルタを有する表示パネルの検査方法であって、
    前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記赤色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で所定の透過率を示す第2波長においてピーク強度を有する第2照射光を照射し、当該照射時における前記各色表示画素の第2光学像を得る赤色短波長取得工程と、
    前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記緑色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で前記所定の透過率を示す第3波長おいてピーク強度を有する第3照射光を照射し、当該照射時における前記各色表示画素の第3光学像を得る緑色短波長取得工程と、
    前記カラーフィルタを介して前記各色表示画素に、前記青色フィルタの可視光波長域における最大透過率を示す波長よりも短い波長であって前記可視光波長域内で前記所定の透過率を示す第4波長においてピーク強度を有する第4照射光を照射し、当該照射時における前記各色表示画素の第4光学像を得る青色短波長取得工程と、
    前記第2光学像、前記第3光学像及び前記第4光学像から前記各色表示画素の欠陥を検出する欠陥検出工程とを含み、
    前記赤色短波長取得工程では、前記第2波長が複数存在する場合には、複数の前記第2波長のうち最短の波長においてピーク強度を有する前記第2照射光を前記表示画素に照射し、
    前記緑色短波長取得工程では、前記第3波長が複数存在する場合には、複数の前記第3波長のうち最短の波長においてピーク強度を有する前記第3照射光を前記表示画素に照射し、
    前記青色短波長取得工程では、前記第4波長が複数存在する場合には、複数の前記第4波長のうち最短の波長においてピーク強度を有する前記第4照射光を前記表示画素に照射する
    表示パネルの検査方法。
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