JP6557160B2 - 診断方法、荷電粒子ビーム描画装置、及びプログラム - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る電子線描画装置10の概略構成を示す図である。電子線描画装置10は、真空環境下において、レジスト材がコーティングされたマスクやレチクルなどの試料120に、電子線を用いてパターンを描画する装置である。
上述した電子線描画装置10では、制御装置101によって、電源装置102、レンズ駆動装置103、BAA制御ユニット104、偏向アンプ105、及びステージ駆動装置106が統括的に制御される。例えば、電子線描画装置10を用いて、試料120にパターンを描画するときには、制御装置101のCPU101aは、試料120が載置されたステージ70を駆動して、試料120を照射装置20の下方に位置決めする。
図24は、エラー診断処理を示すフローチャートである。図24に示される一連の処理は、BAA制御ユニット104によって実行される。
CS2=D2+D4+D6+D8+D18+D20+D22+D24
CS3=D9+D11+D13+D15+D25+D27+D29+D31
CS4=D10+D12+D14+D16+D26+D28+D30+D32
ACS2=D25+D27+D29+D31+D9+D11+D13+D15
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CSB2=D17+D18+D25+D26+D19+D20+…+D32…(2)
ACSB2=D26+D25+D18+D17+D28+D27+…+D23…(4)
図33は、単位データDi(i=1〜64)を模式的に示す図である。単位データDi(i=1〜)は、例えば8ビットのデータであり、1ビット目〜8ビット目のビットデータをXi(1)〜Xi(8)とする。ビットデータXi(1)〜Xi(8)は、1又は0である。ビットデータXi(1)〜Xi(8)には電子線EBmnの照射時間が割り当てられている。電子線描画装置10では、図33に示されるように、例えば、ビットデータXi(1)〜Xi(8)それぞれに、6ns,12ns,24ns,48ns,96ns,192ns,384ns,768nsの照射時間が割り当てられている。そのため、単位データDiに示される照射時間IT(ns)は、次式(5)で示される。例えば、単位データDi(Xi(1)〜Xi(8))が[10100000]である場合には、照射時間ITは30ns(=6・1+24・1)となる。
BAA制御ユニット104は、単位データDiのビットデータの入れ替え処理の前後でチェックサムを算出する。例えば、単位データDi自体の値VDiは次式(6)で表される。したがって、単位データDiの並び替え前のチェックサムCSDは、次式(7)を用いて求めることができる。
+(X1(7)+X2(7)+…X64(7))×26
+(X1(6)+X2(6)+…X64(6))×25
+(X1(5)+X2(5)+…X64(5))×24
+(X1(4)+X2(4)+…X64(4))×23
+(X1(3)+X2(3)+…X64(3))×22
+(X1(2)+X2(2)+…X64(2))×21
+(X1(1)+X2(1)+…X64(1))×20
=k8×27+k7×26+k6×25+k5×24+k4×23+k3×22+k2×21+k1×20 …(7)
Σ(2)=X1(5)+X2(5)+…+X64(5) …(9)
Σ(3)=X1(3)+X2(3)+…+X64(3) …(10)
Σ(4)=X1(6)+X2(6)+…+X64(6) …(11)
Σ(5)=X1(2)+X2(2)+…+X64(2) …(12)
Σ(6)=X1(7)+X2(7)+…+X64(7) …(14)
Σ(7)=X1(1)+X2(1)+…+X64(1) …(13)
Σ(8)=X1(8)+X2(8)+…+X64(8) …(15)
+Σ(4)×23+Σ(3)×22+Σ(2)×21+Σ(1)×20…(16)
20 照射装置
30 電子銃
41〜43 レンズ
51,52 アパーチャ
61 アパーチャアレイ
62 偏向器
70 ステージ
80 真空チャンバ
80a ライティングチャンバ
80b 鏡筒
100 制御系
101 制御装置
101a CPU
101b 主記憶部
101c 補助記憶部
101d 入力部
101e 表示部
101f インタフェース部
101g システムバス
102 電源装置
103 レンズ駆動装置
104 BAA制御ユニット
105 偏向アンプ
106 ステージ駆動装置
120 試料
610 基板
611,612 電極
621〜628 変換器
ADi 単位データ
PDT,APDT 画像データ
BF バッファ
BKmn ブランカ
B11〜B82 ブロック
C1 領域
CPA 回路パターン
Di 単位データ
EBmn 電子線
G1〜G8 データ群
Hmn,HHmn 開口
L1〜L4 出力ライン
Mx,My ミラー
Mmn マーク
PA 単位パターン
S1〜S8,S11〜S81 シリアルデータ
SR1,SR2 シフトレジスタ
Xi ビットデータ
Claims (6)
- 複数の荷電粒子ビームに対応して設けられ、前記荷電粒子ビームを制御する複数の制御部と、前記制御部を駆動する駆動手段と、を有するアパーチャアレイのフォーマットに、前記荷電粒子ビームに対応する単位データからなる画像データを変換するための変換処理を診断する診断方法であって、
所定数の前記単位データからなるブロックそれぞれの前記単位データのうちから、前記画像データでの前記単位データの配列に基づいた第1の順位が等しい前記単位データを抽出して、前記第1の順位ごとに第1チェックサムを演算する工程と、
前記ブロックそれぞれの前記単位データのうちから、前記変換処理後の第2の順位が等しい前記単位データを抽出して、前記第2の順位ごとに第2チェックサムを演算する工程と、
前記第1チェックサムと前記第2チェックサムとを比較する工程と、
を含む診断方法。 - 前記駆動手段は、所定数の前記制御部からなるグループごとに設けられ、
前記単位データを、前記駆動手段の出力に対応する前記単位データからなる前記ブロックに区分する工程と、
を含む請求項1に記載の診断方法。 - 前記画像データの変換処理のルールに基づいて、前記ブロックそれぞれを第1のブロックと第2のブロックとに区分する工程を含み、
前記第1チェックサムを演算する工程では、前記第1のブロックを構成する前記単位データに基づく前記第1チェックサムと、前記第2のブロックを構成する前記単位データに基づく前記第1チェックサムとを演算し、
前記第2チェックサムを演算する工程では、前記第1のブロックを構成する前記単位データに基づく前記第2チェックサムと、前記第2のブロックを構成する前記単位データに基づく前記第2チェックサムとを演算し、
前記第1チェックサムと前記第2チェックサムとを比較する工程では、前記第1のブロックの第1チェックサムと第2チェックサムを比較するとともに、前記第2のブロックの第1チェックサムと第2チェックサムを比較する請求項1又は2に記載の診断方法。 - 複数の前記単位データは所定の順位で配列された複数のビットデータからなり、
複数の前記単位データの値の和を第3チェックサムとして演算する工程と、
前記単位データの前記ビットデータを、前記所定の順位ごとに積算する工程と、
前記積算した結果に基づいて第4チェックサムを演算する工程と、
前記第3チェックサムと前記第4チェックサムとを比較する工程と、
を含む請求項1乃至3のいずれか一項に記載の診断方法。 - 複数の荷電粒子ビームに対応して設けられ、前記荷電粒子ビームを制御する複数の制御部と、前記制御部を駆動する駆動手段と、を有するアパーチャアレイと、
前記アパーチャアレイのフォーマットに、前記荷電粒子ビームに対応する単位データからなる画像データを変換するための変換手段と、
所定数の前記単位データからなるブロックそれぞれの前記単位データのうちから、前記画像データでの前記単位データの配列に基づいた第1の順位が等しい前記単位データを抽出して、前記第1の順位ごとに第1チェックサムを演算する手段と、
前記ブロックそれぞれの前記単位データのうちから、前記変換手段による変換処理後の第2の順位が等しい前記単位データを抽出して、前記第2の順位ごとに第2チェックサムを演算する手段と、
前記第1チェックサムと前記第2チェックサムとを比較する手段と、
を備える荷電粒子ビーム描画装置。 - 複数の荷電粒子ビームに対応して設けられ、前記荷電粒子ビームを制御する複数の制御部と、前記制御部を駆動する駆動手段と、を有するアパーチャアレイのフォーマットに、前記荷電粒子ビームに対応する単位データからなる画像データを変換するための変換処理を診断するためのプログラムであって、
コンピュータに、
所定数の前記単位データからなるブロックそれぞれの前記単位データのうちから、前記画像データでの前記単位データの配列に基づいた第1の順位が等しい前記単位データを抽出して、前記第1の順位ごとに第1チェックサムを演算する手順、
前記ブロックそれぞれの前記単位データのうちから、前記変換処理後の第2の順位が等しい前記単位データを抽出して、前記第2の順位ごとに第2チェックサムを演算する手順、
前記第1チェックサムと前記第2チェックサムとを比較する手順、
を実行させるためのプログラム。
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