JP6556074B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
従来、基板を処理する処理容器と、基板を保持するボートと、処理容器の下端に設けられた炉口を開閉する蓋部と、ボート及び蓋部を共に上昇させてボートを処理容器に搬入すると共に炉口に蓋部を押圧する昇降機構と、を備える基板処理装置が知られている。このような基板処理装置では、蓋部にＯリング等のシール部材を取り付けることで、ボートを処理容器に搬入した際、処理容器の下端と蓋部とがシール部材を介して密封される。
ところで、このような基板処理装置においては、基板を処理した後、昇降機構により蓋部を下降させて処理容器からボートを搬出する。
処理容器内からボートを搬出する方法としては、シール部材が処理容器の下端から離間するまでのボートの下降速度が、シール部材が処理容器の下端から離間した後のボートの下降速度よりも遅くなるように制御する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。この方法によれば、処理容器からボートを下降させて搬出する初期の段階で発生する蓋部の振動を抑制している。
特開２００５−０５６９０５号公報
しかしながら、上記の方法では、基板に処理を行う際の処理容器の温度変化等によって、基板に処理を行う前よりも処理容器の下端とシール部材との密着性が高くなると、シール部材が処理容器の下端に張り付いた状態になる場合がある。シール部材が処理容器の下端に張り付いた状態になると、処理容器からボートを下降させて搬出する際、蓋部からシール部材が外れてしまうおそれがある。
そこで、一側面では、本発明は、処理容器からボートを搬出する際、シール部材が外れることを抑制することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る基板処理装置は、基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段を収容する処理容器と、前記基板保持手段が載置され、前記処理容器の一端に設けられた開口部を開閉する蓋部と、前記処理容器の一端と前記蓋部との間を密封するシール部材と、前記蓋部を移動させる駆動機構と、前記駆動機構の動作を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記処理容器の前記開口部を開放する際、前記蓋部が前記シール部材を介して前記処理容器の一端に密着する位置から前記蓋部に取り付けられた前記シール部材が前記処理容器の一端から離間する位置よりも下方の位置に到達するまでの間、前記蓋部が移動及び停止を交互に繰り返す間欠動作を行うように前記駆動機構の動作を制御する。
開示の基板処理装置によれば、処理容器からボートを搬出する際、シール部材が外れることを抑制することができる。
本実施形態の基板処理装置の一例を示す概略構成図 第１実施形態の基板処理装置の動作を説明する図 第２実施形態の基板処理装置の動作を説明する図 第３実施形態の基板処理装置の動作を説明する図
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
（基板処理装置）
本実施形態の基板処理装置の一例について、図１に基づき説明する。図１は本実施形態の基板処理装置の一例を示す概略構成図であり、図１（ａ）は処理容器にウエハボートを搬入した状態を表し、図１（ｂ）は処理容器からウエハボートを搬出した状態を表している。
図１に示されるように、基板処理装置は、長手方向が鉛直方向である略円筒形の処理容器４を有する。処理容器４は、天井を有する処理筒６を備える。処理筒６は、石英等の耐熱性材料により形成されている。処理筒６は、ステンレス鋼等により形成されるマニホールド１０によって、その下端部が保持されている。マニホールド１０は、図示しないベースプレートに固定されている。なお、マニホールド１０は、処理筒６と別部材により形成されているが、構造的には、処理筒６と一体的に形成され、処理筒６と共に略円筒の内部空間を形成しているため、処理容器４の一部を形成しているものとする。即ち、処理容器４は、石英等の耐熱性材料により形成される処理筒６と、ステンレス鋼等により形成されるマニホールド１０とを備え、マニホールド１０は、処理筒６を下方から保持するように処理容器４の側面下部に設けられている。
マニホールド１０の下端（一端）の開口部１０ａには、例えばステンレス鋼等により形成される円盤状の蓋部１４が取り付けられる。蓋部１４は、マニホールド１０（処理容器４）の下端に設けられた開口部１０ａを開閉する。蓋部１４には、Ｏリング等の弾性を有するシール部材１６が取り付けられており、シール部材１６を介してマニホールド１０の下端の開口部１０ａを気密封止可能となっている。
例えば図１（ａ）に示されるように、後述する昇降機構３０により蓋部１４を上昇（上方へ移動）させることで開口部１０ａを閉止する。このとき、マニホールド１０の下端と蓋部１４との間に設けられるシール部材１６が蓋部１４の上昇する力により押圧され、縮むことで、マニホールド１０の下端に密着し、マニホールド１０の下端の開口部１０ａが気密に封止される。また、例えば図１（ｂ）に示されるように、後述する昇降機構３０により蓋部１４を下降（下方へ移動）させることで開口部１０ａを開放する。
蓋部１４上には、例えばステンレス鋼により形成されるテーブル２４が固定されている。テーブル２４上には、例えば石英により形成される保温筒２６が設置されている。また、保温筒２６上には、例えば石英により形成されるウエハボート２８が載置されている。
ウエハボート２８は、ウエハを処理容器４内で保持するための基板保持手段の一例である。ウエハボート２８には、多数枚（例えば５０〜１７５枚）のウエハ等の基板が、所定の間隔、例えば１０ｍｍ程度のピッチで収容される。なお、図１（ａ）及び図１（ｂ）では、ウエハの図示を省略している。
ウエハボート２８、保温筒２６、テーブル２４及び蓋部１４は、例えばボートエレベータとして機能する昇降機構３０により、処理容器４内に一体となってロード（搬入）又はアンロード（搬出）される。昇降機構３０は、蓋部１４を移動させる駆動機構の一例である。
処理容器４内に収容されたウエハボート２８を処理容器４から搬出する際、昇降機構３０によりウエハボート２８、保温筒２６、テーブル２４及び蓋部１４を下降させる。これにより、図１（ｂ）に示されるように、マニホールド１０の下端の開口部１０ａが開放されると共に、開口部１０ａからウエハボート２８が搬出される。このとき、本実施形態では、昇降機構３０により蓋部１４を間欠的に下降させることにより、処理容器４からウエハボート２８を搬出する。これにより、蓋部１４に取り付けられたシール部材１６が外れることを抑制することができる。なお、ウエハボート２８を搬出する動作の詳細については後述する。
また、図示は省略するが、基板処理装置には、処理容器４内へ処理ガスやパージガスを供給するガス供給部、処理容器４内の雰囲気の圧力を調整しながら排気可能な排気系、処理容器４を囲むようにしてウエハを加熱するヒータ装置等が設けられていてもよい。
基板処理装置の各構成部の制御、例えば昇降機構３０の動作の制御は、コンピュータ等の制御部９０により行われる。
制御部９０には、基板処理装置で実行される各種の処理を制御部９０の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて基板処理装置の各構成部に処理を実行させるための各種のプログラム（又はレシピ）が格納された記憶部９１が接続されている。プログラムには、後述する基板処理方法を基板処理装置に実行させるプログラムが含まれる。また、各種のプログラムは記憶媒体に記憶され、記憶部９１に格納され得る。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよく、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを記憶部９１へ適宜伝送させるようにしてもよい。
（基板処理装置の動作）
次に、処理容器４からウエハボート２８を搬出する際、蓋部１４に取り付けられたシール部材１６が外れることを抑制することが可能な、基板処理装置の動作について、第１実施形態から第３実施形態により説明する。
第１実施形態から第３実施形態では、処理容器４の開口部１０ａを開放する際、制御部９０は、蓋部１４が下降及び停止を交互に繰り返す間欠動作を行うように昇降機構３０の動作を制御する。これにより、処理容器４からウエハボート２８を搬出する際、マニホールド１０からシール部材１６が徐々に剥がれるため、蓋部１４に取り付けられたシール部材１６が外れることを抑制することができる。
［第１実施形態］
第１実施形態の基板処理装置の動作について説明する。第１実施形態では、制御部９０が、マニホールド１０の下端の開口部１０ａを開放する際、蓋部１４が間欠動作を行うように昇降機構３０の動作を制御する。以下、図２に基づき説明する。
図２は、第１実施形態の基板処理装置の動作を説明する図である。図２（ａ）は蓋部の位置と動作との関係を示す図であり、図２（ａ）中、位置Ｐ１０は蓋部１４がシール部材１６を介してマニホールド１０の下端に密着する位置を表し、位置Ｐ２０はマニホールド１０の下端から第１の距離Ｚ１だけ下方の位置を表す。図２（ｂ）は、図２（ａ）において蓋部が位置Ｐ１０から位置Ｐ２０まで下降するときの経過時間と蓋部の下降速度との関係を示す図である。なお、図２（ｂ）中、時刻ｔ１０は蓋部１４が位置Ｐ１０に位置するときの時刻であり、時刻ｔ２０は蓋部１４が位置Ｐ２０に位置するときの時刻である。
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示されるように、制御部９０は、蓋部１４が位置Ｐ１０から位置Ｐ２０に到達するまでの間、蓋部１４が下降及び停止を交互に繰り返す間欠動作を行うように昇降機構３０の動作を制御する。間欠動作における蓋部１４が下降するときの下降速度Ｖｉは、例えば１０ｍｍ／ｍｉｎとすることができる。位置Ｐ２０は、蓋部１４に取り付けられたシール部材１６がマニホールド１０の下端から離間する位置よりも下方の位置とすることができ、シール部材１６の材料、線径（断面の太さ）等に応じて定めることができる。位置Ｐ１０と位置Ｐ２０との間の距離である第１の距離Ｚ１は、例えば１０ｍｍとすることができる。
蓋部１４が位置Ｐ２０に到達した後、制御部９０は、任意に設定された下降速度で蓋部１４が下降するように昇降機構３０の動作を制御する。
また、図２（ｂ）に示されるように、間欠動作における停止の時間Ｔ２は下降の時間Ｔ１よりも長いことが好ましい。間欠動作における停止の時間Ｔ２を下降の時間Ｔ１よりも長くすることで、蓋部１４が停止している時間を確保し、蓋部１４が停止している間にマニホールド１０からシール部材１６を剥がすことができる。これにより、蓋部１４が下降している間にマニホールド１０からシール部材１６が剥がれる場合よりもゆっくりとマニホールド１０からシール部材１６を剥がすことができる。このため、マニホールド１０からシール部材１６が剥がれる時に発生する振動を特に抑制することができる。
第１実施形態の基板処理装置の動作では、処理容器４の開口部１０ａを開放する際、制御部９０は、蓋部１４が下降及び停止を交互に繰り返す間欠動作を行うように昇降機構３０の動作を制御する。これにより、処理容器４からウエハボート２８を搬出する際、マニホールド１０からシール部材１６が徐々に剥がれるため、蓋部１４に取り付けられたシール部材１６が外れることを抑制することができる。また、マニホールド１０からシール部材１６が剥がれる時に発生する振動を抑制することができる。さらに、昇降機構３０に過度の負荷が加わることを抑制できるため、昇降機構３０の寿命を延ばすことができる。
［第２実施形態］
第２実施形態の基板処理装置の動作について説明する。第２実施形態では、制御部９０が、マニホールド１０の下端からシール部材１６が離間した後、蓋部１４が連続動作を行うように昇降機構３０の動作を制御する。以下、図３に基づき説明する。
図３は、第２実施形態の基板処理装置の動作を説明する図である。図３（ａ）は、蓋部の位置と動作との関係を示す図である。図３（ａ）中、位置Ｐ１０は、蓋部１４がシール部材１６を介してマニホールド１０の下端に密着する位置を表す。また、位置Ｐ１２は、位置Ｐ１０から第２の距離Ｚ２だけ下方の位置を表す。さらに、位置Ｐ２０は、マニホールド１０の下端から第１の距離Ｚ１だけ下方の位置を表す。図３（ｂ）は、図３（ａ）において蓋部が位置Ｐ１０から位置Ｐ２０まで下降するときの経過時間と蓋部の下降速度との関係を示す図である。なお、図３（ｂ）中、時刻ｔ１０、ｔ１２、ｔ２０は、それぞれ蓋部１４が位置Ｐ１０、Ｐ１２、Ｐ２０に位置するときの時刻である。
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示されるように、制御部９０は、蓋部１４が位置Ｐ１０から位置Ｐ１２に到達するまでの間、蓋部１４が下降及び停止を交互に繰り返す間欠動作を行うように昇降機構３０の動作を制御する。位置Ｐ１２は、蓋部１４に取り付けられたシール部材１６がマニホールド１０の下端から離間する位置よりも下方の位置、かつ、位置Ｐ２０よりも上方の位置とすることができ、シール部材１６の材料、線径等に応じて定めることができる。位置Ｐ１０と位置Ｐ１２との間の距離である第２の距離Ｚ２は、例え４．５ｍｍとすることができる。
蓋部１４が位置Ｐ１２に到達した後、制御部９０は、蓋部１４が位置Ｐ２０に到達するまでの間、蓋部１４が連続して下降する連続動作を行うように昇降機構３０を制御する。位置Ｐ２０としては、第１実施形態と同様の位置とすることができる。
蓋部１４が位置Ｐ２０に到達した後、制御部９０は、任意に設定された下降速度で蓋部１４が下降するように昇降機構３０の動作を制御する。
また、図３（ｂ）に示されるように、スループットを特に向上させることができるという観点から、制御部９０は、連続動作の下降速度Ｖｃが、間欠動作の下降速度Ｖｉよりも速くなるように昇降機構３０の動作を制御することが好ましい。間欠動作の下降速度Ｖｉとしては、例えば１０ｍｍ／ｍｉｎとすることができ、連続動作の下降速度Ｖｃとしては、例えば１００ｍｍ／ｍｉｎとすることができる。
第２実施形態の基板処理装置の動作では、第１実施形態と同様、処理容器４の開口部１０ａを開放する際、制御部９０は、蓋部１４が下降及び停止を交互に繰り返す間欠動作を行うように昇降機構３０の動作を制御する。これにより、処理容器４からウエハボート２８を搬出する際、マニホールド１０からシール部材１６が徐々に剥がれるため、蓋部１４に取り付けられたシール部材１６が外れることを抑制することができる。また、ウエハボート２８が搬出される際の振動を抑制することができる。さらに、昇降機構３０に過度の負荷が加わることを抑制できるため、昇降機構３０の寿命を延ばすことができる。
特に、第２実施形態の基板処理装置の動作では、シール部材１６がマニホールド１０の下端から離間した後、間欠動作から連続動作に切り替える。このため、第１実施形態の基板処理装置の動作よりも蓋部１４が位置Ｐ１０から位置Ｐ２０に到達するまでに要する時間を短縮することができる。その結果、第１実施形態の基板処理装置の動作よりもスループットが向上する。
［第３実施形態］
第３実施形態の基板処理装置の動作について説明する。第３実施形態では、制御部９０が、蓋部１４が間欠動作を行う前に、蓋部１４が連続動作を行うように昇降機構３０の動作を制御する。以下、図４に基づき説明する。
図４は、第３実施形態の基板処理装置の動作を説明する図である。図４（ａ）は、蓋部の位置と動作との関係を示す図である。図４（ａ）中、位置Ｐ１０は、蓋部１４がシール部材１６を介してマニホールド１０の下端に密着する位置を表す。また、位置Ｐ１１は、位置Ｐ１０から第３の距離Ｚ３だけ下方の位置を表し、位置Ｐ１２は位置Ｐ１０から第２の距離Ｚ２だけ下方の位置を表す。さらに、位置Ｐ２０はマニホールド１０の下端から第１の距離Ｚ１だけ下方の位置を表す。図４（ｂ）は、図４（ａ）において蓋部が位置Ｐ１０から位置Ｐ２０まで下降するときの経過時間と蓋部の下降速度との関係を示す図である。なお、図４（ｂ）中、時刻ｔ１０、ｔ１１、ｔ１２、ｔ２０は、それぞれ蓋部１４が位置Ｐ１０、位置Ｐ１１、位置Ｐ１２、位置Ｐ２０に位置するときの時刻である。
図４（ａ）及び図４（ｂ）に示されるように、制御部９０は、蓋部１４が位置Ｐ１０から位置Ｐ１１に到達するまでの間、蓋部１４が連続して下降する連続動作を行うように昇降機構３０を制御する。位置Ｐ１１は、位置Ｐ１０において押圧され、縮んでいたシール部材１６が、弾性によりもとの状態に回復する位置、又は、弾性により元の状態に回復する位置よりも上方の位置とすることができ、シール部材１６の材料、線径等に応じて定めることができる。位置Ｐ１０と位置Ｐ１１との間の距離である第３の距離Ｚ３は、例えば位置Ｐ１０においてシール部材１６の線径が外力を受けていない状態から１．５ｍｍ縮んでいる場合、１．５ｍｍとすることができる。
蓋部１４が位置Ｐ１１に到達した後、制御部９０は、蓋部１４が位置Ｐ１２に到達するまでの間、蓋部１４が下降及び停止を交互に繰り返す間欠動作を行うように昇降機構３０の動作を制御する。位置Ｐ１２としては、第２実施形態と同様の位置とすることができる。
蓋部１４が位置Ｐ１２に到達した後、制御部９０は、蓋部１４が位置Ｐ２０に到達するまでの間、蓋部１４が連続して下降する連続動作を行うように昇降機構３０を制御する。位置Ｐ２０としては、第１実施形態と同様の位置とすることができる。
蓋部１４が位置Ｐ２０に到達した後、制御部９０は、任意に設定された下降速度で蓋部１４が下降するように昇降機構３０の動作を制御する。
また、図４（ｂ）に示されるように、スループットを特に向上させることができるという観点から、制御部９０は、連続動作の下降速度Ｖｃ１及びＶｃ２が、間欠動作の下降速度Ｖｉよりも速くなるように昇降機構３０の動作を制御することが好ましい。連続動作の下降速度Ｖｃ１としては、例えば４０ｍｍ／ｍｉｎとすることができ、連続動作の下降速度Ｖｃ２としては、例えば１００ｍｍ／ｍｉｎとすることができ、間欠動作の下降速度Ｖｉとしては、例えば１０ｍｍ／ｍｉｎとすることができる。
第３実施形態の基板処理装置の動作では、第１実施形態と同様、処理容器４の開口部１０ａを開放する際、制御部９０は、蓋部１４が下降及び停止を交互に繰り返す間欠動作を行うように昇降機構３０の動作を制御する。これにより、処理容器４からウエハボート２８を搬出する際、マニホールド１０からシール部材１６が徐々に剥がれるため、蓋部１４に取り付けられたシール部材１６が外れることを抑制することができる。また、ウエハボート２８が搬出される際の振動を抑制することができる。さらに、昇降機構３０に過度の負荷が加わることを抑制できるため、昇降機構３０の寿命を延ばすことができる。
また、第３実施形態の基板処理装置の動作では、第２実施形態と同様、シール部材１６がマニホールド１０の下端から離間した後、蓋部１４が連続動作を行う。このため、第１実施形態の基板処理装置の動作よりも蓋部１４が位置Ｐ１０から位置Ｐ２０に到達するまでに要する時間を短縮することができる。その結果、第１実施形態の基板処理装置の動作よりもスループットが向上する。
特に、第３実施形態の基板処理装置の動作では、蓋部１４が間欠動作を行う前に、蓋部１４が連続動作を行うので、第２実施形態の基板処理装置の動作よりも蓋部１４が位置Ｐ１０から位置Ｐ２０に到達するまでに要する時間を更に短縮することができる。その結果、第２実施形態の基板処理装置の動作よりもスループットが向上する。
（基板処理方法）
次に、本実施形態の基板処理装置の動作を含む基板処理方法について説明する。
まず、多数枚のウエハが載置された状態のウエハボート２８を予め所定の温度に調整された処理容器４内にその下方より上昇させて搬入し、蓋部１４でマニホールド１０の下端の開口部１０ａを閉じることにより処理容器４内を密閉する。続いて、処理容器４内を真空引きし、所定のプロセス圧力に維持すると共に、ヒータ装置へ電力を供給することにより、ウエハの温度を上昇させてプロセス温度を維持する。
続いて、ガス供給部から処理容器４内へ処理ガスやパージガスを供給することで、ウエハボート２８に保持されたウエハに熱処理等の所定の処理を行う。
ウエハに所定の処理を行った後、昇降機構３０により、シール部材１６を介して処理容器４の開口部１０ａを密封していた蓋部１４を下降させて開口部１０ａを開放すると共に、開口部１０ａからウエハボート２８を搬出する。このとき、前述の基板処理装置の動作を実行する。即ち、処理容器４の開口部１０ａを開放する際、蓋部１４が下降及び停止を交互に繰り返す間欠動作を行う。
以上により、ウエハに対して所定の処理を行うことができる。
本実施形態の基板処理方法では、処理容器４からウエハを搬出する際、蓋部１４が下降及び停止を交互に繰り返す間欠動作を行う。これにより、ウエハに所定の処理を行う際の処理容器４の温度変化等によって、処理容器４の下端とシール部材１６との密着性が高くなった場合であっても、蓋部１４に取り付けられたシール部材１６が外れることを抑制することができる。
以上、基板処理装置及び基板処理方法を上記実施形態により説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
本実施形態では、シール部材１６が蓋部１４に取り付けられている形態について説明したが、本発明はこれに限定されず、シール部材１６はマニホールド１０の下端に取り付けられていてもよい。
また、本実施形態では、処理容器４内に収容されたウエハを処理容器４から搬出する際、昇降機構３０により蓋部１４を下降させる縦型の基板処理装置について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、処理容器４内に収容されたウエハを処理容器４から搬出する際、駆動機構により蓋部１４を水平方向に移動させる横型の基板処理装置であってもよい。
４ 処理容器
１０ マニホールド
１０ａ 開口部
１４ 蓋部
１６ シール部材
２８ ウエハボート
３０ 昇降機構
９０ 制御部

Claims (18)

  1. 基板を保持する基板保持手段と、
    前記基板保持手段を収容する処理容器と、
    前記基板保持手段が載置され、前記処理容器の一端に設けられた開口部を開閉する蓋部と、
    前記処理容器の一端と前記蓋部との間を密封するシール部材と、
    前記蓋部を移動させる駆動機構と、
    前記駆動機構の動作を制御する制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、前記処理容器の前記開口部を開放する際、前記蓋部が前記シール部材を介して前記処理容器の一端に密着する位置から前記蓋部に取り付けられた前記シール部材が前記処理容器の一端から離間する位置よりも下方の位置に到達するまでの間、前記蓋部が移動及び停止を交互に繰り返す間欠動作を行うように前記駆動機構の動作を制御する、
    基板処理装置。
  2. 前記シール部材は、前記蓋部に取り付けられている、
    請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記制御部は、前記処理容器の一端から前記シール部材が離間した後、前記蓋部が連続して移動する連続動作を行うように前記駆動機構の動作を制御する、
    請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記制御部は、前記連続動作の移動速度が、前記間欠動作の移動速度よりも速くなるように前記駆動機構の動作を制御する、
    請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記制御部は、前記蓋部が前記間欠動作を行う前に、前記蓋部が連続して移動する連続動作を行うように前記駆動機構の動作を制御する、
    請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 前記間欠動作における前記停止の時間が前記移動の時間よりも長い、
    請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  7. 前記シール部材は、Ｏリングである、
    請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  8. 前記間欠動作は、予め定められた周期で行われる、
    請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  9. 前記間欠動作における前記蓋部の移動は、定速である、
    請求項１乃至８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  10. 処理容器内に収容された基板保持手段に保持された基板に所定の処理を行った後、シール部材を介して前記処理容器の一端に設けられた開口部を密封していた蓋部を移動させて前記開口部を開放すると共に、前記開口部から前記基板保持手段を搬出する基板処理方法であって、
    前記処理容器の前記開口部を開放する際、前記蓋部が前記シール部材を介して前記処理容器の一端に密着する位置から前記蓋部に取り付けられた前記シール部材が前記処理容器の一端から離間する位置よりも下方の位置に到達するまでの間、前記蓋部が移動及び停止を交互に繰り返す間欠動作を行う、
    基板処理方法。
  11. 前記シール部材は、前記蓋部に取り付けられている、
    請求項１０に記載の基板処理方法。
  12. 前記処理容器の一端から前記シール部材が離間した後、前記蓋部が連続して移動する連続動作を行う、
    請求項１１に記載の基板処理方法。
  13. 前記連続動作の移動速度が、前記間欠動作の移動速度よりも速い、
    請求項１２に記載の基板処理方法。
  14. 前記蓋部が前記間欠動作を行う前に、前記蓋部が連続して移動する連続動作を行う、
    請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  15. 前記間欠動作における前記停止の時間が前記移動の時間よりも長い、
    請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  16. 前記所定の処理は、前記基板を加熱する処理を含む、
    請求項１０乃至１５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  17. 前記間欠動作は、予め定められた周期で行われる、
    請求項１０乃至１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  18. 前記間欠動作における前記蓋部の移動は、定速である、
    請求項１０乃至１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
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