JP5522124B2 - 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 - Google Patents
基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5522124B2 JP5522124B2 JP2011143336A JP2011143336A JP5522124B2 JP 5522124 B2 JP5522124 B2 JP 5522124B2 JP 2011143336 A JP2011143336 A JP 2011143336A JP 2011143336 A JP2011143336 A JP 2011143336A JP 5522124 B2 JP5522124 B2 JP 5522124B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- fluid
- liquid
- fluid supply
- processing container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 313
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 60
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 7
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 270
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 123
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 35
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 23
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 14
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 4
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 4
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 153
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 144
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 47
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 46
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 14
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N oxygen difluoride Chemical compound FOF UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- -1 methanol and ethanol Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
前記高圧流体またはこの高圧流体の原料流体を、大気圧よりも高圧の状態で供給するための流体供給源と、
この流体供給源と処理容器とを接続する流体供給路と、
この流体供給路に上流側からこの順に設けられた流量調整部及び開閉弁と、
前記流体供給路における流量調整部の上流側に設けられ、または流量調整部を兼用する遮断部と、
前記処理容器内の圧力を減圧するための減圧弁が設けられ、当該処理容器内の流体の排出が行われる排出路と、
前記遮断部を開き、流量調整部により流量を調整した状態で前記開閉弁を開いて処理容器に高圧流体を導入し、または前記原料流体を導入して高圧流体に変化させ、基板の表面から乾燥防止用の液体を除去するステップと、次いで、前記遮断部を遮断状態とする一方、前記開閉弁と減圧弁とを開いた状態とすることにより、前記流体供給路と処理容器との内部を減圧するステップと、その後、前記基板を当該処理容器から搬出し、前記開閉弁を閉じるステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
前記高圧流体またはこの高圧流体の原料流体を、大気圧よりも高圧の状態で供給するための流体供給源と、
この流体供給源と処理容器とを接続する流体供給路と、
この流体供給路に上流側からこの順に設けられた流量調整部及び開閉弁と、
前記流体供給路における流調調整部の上流側に設けられ、または流量調整部を兼用する遮断部と、
前記遮断部と開閉弁との間の流体供給路から分岐し、当該流体供給路内の流体を排出して減圧するための第1の減圧弁が設けられた分岐路と、
前記処理容器内の圧力を減圧するための第2の減圧弁が設けられ、当該処理容器内の流体の排出が行われる排出路と、
前記第1の減圧弁を閉じる一方、前記遮断部を開き、流量調整部により流量を調整した状態で前記開閉弁を開いて処理容器に高圧流体を導入し、または前記原料流体を導入して高圧流体に変化させ、基板の表面から乾燥防止用の液体を除去するステップと、次いで、前記遮断部を遮断状態とすると共に開閉弁を閉じる一方、第2の減圧弁を開いた状態とすることにより、前記処理容器の内部を減圧するステップと、前記遮断部が遮断状態となり、開閉弁が閉じられた後、前記第1の減圧弁を開いて、前記流体供給路に残存する流体を分岐路から排出するステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
(a)前記高圧流体は、超臨界状態または亜臨界状態の流体であり、前記処理容器には、前記流体供給源から高圧流体が供給されるか、または当該処理容器内で前記原料流体が加熱されて高圧流体となることにより、前記乾燥防止用の液体が当該高圧流体に抽出されて基板の表面から除去されること。
(b)前記処理容器は、基板の表面の乾燥防止用の液体を加熱するための加熱部を備え、前記高圧流体は、前記乾燥防止用の液体を加熱して超臨界状態または亜臨界状態にしたときに液体にならず、当該乾燥防止用の液体の気化を防止するための加圧用の流体であり、前記乾燥防止用の液体は、前記高圧流体と接触して加圧された雰囲気下で前記加熱部により加熱され、液体から超臨界状態また亜臨界状態に直接変化することにより基板の表面から除去されること。
(c)線幅が20nm以下のパターンが形成された基板から乾燥防止用の液体を除去する処理が行われること。
(d)基板から乾燥防止用の液体を除去する処理を行う際の前記処理容器内の圧力が5MPa以上であり、当該処理容器内の圧力が大気圧まで減圧されること。
はじめに、本実施の形態の超臨界処理装置3を備えた基板処理システムの一例として、被処理基板であるウエハWに洗浄液を供給して洗浄処理を行う洗浄装置2と、洗浄処理後のウエハWに付着している乾燥防止用の液体(IPA)を超臨界CO2と接触させて除去する超臨界処理装置3とを備えた洗浄処理システム1について説明する。
そして、大気圧まで減圧された処理容器31の内部には、パターン内から液体IPAが除去され、乾燥した状態となったウエハWを得ることができる。ここで、容器本体311にテープヒーターなどの加熱部を設け、処理容器31内の温度をIPAの露点よりも高い温度に維持し、CO2の断熱膨張による温度低下に伴うウエハW表面へのIPAの結露を防止してもよい。
図4に示した超臨界処理装置3にて、超臨界CO2を用いてウエハWの表面のIPAを除去する処理を行った後、処理容器31を大気解放し、処理容器31を介して流体供給ライン351の大気開放を行った場合と、大気開放を行わなかった場合とで、処理容器31に搬入されたウエハWへのパーティクルの付着状況を比較した。
(参考例1)
クリーニングされた処理容器31に、洗浄処理後、IPAが液盛りされたウエハWを搬入し、図8に示すように超臨界CO2を60分間供給してIPAと置換する処理を行った。この処理の期間中における処理容器31内の温度は40℃、圧力は10MPa(絶対圧)とした。処理後、処理容器31を大気開放して、ウエハWを取り出した。次に、図19に示すように流体供給ライン351の配管内に残存している超臨界CO2を、処理容器31を介して排出し、大気開放を行った。しかる後、液体の付着していない2枚目のウエハWを処理容器31内に搬入し、600秒間放置後、当該ウエハWを取り出し、当該ウエハWの表面に付着している直径40nm以上の大きさのパーティクル数をカウントした。パーティクルのカウントは、KLAテンコール社製のパーティクル検査装置により行った。
(参考例2)
1枚目のウエハWを取り出した後、流体供給ライン351の大気開放を行わなかった点以外は(参考例1)と同様の条件で処理容器31に2枚目のウエハWを搬入し、取り出したウエハW表面に付着している直径40nm以上の大きさのパーティクル数をカウントした。
(参考例1)の実験において、ウエハW表面に付着したパーティクル数は2712個、(参考例2)の実験においては627個であった。これらの実験の結果から、処理容器31と流体供給ライン351との大気開放を別々に行い、処理容器31を介して、流体供給ライン351の配管内に残存している超臨界CO2を外部へ排出すると、処理容器31内に存在するパーティクル数が多くなって、2枚目以降に搬入されたウエハWの汚染原因となることが確認できる。
本発明に係わる手法と、従来法とで3枚のウエハWを連続処理し、処理後のウエハWに付着しているパーティクル数を比較した。
(実施例1)
クリーニングされた処理容器31を用い、液体IPAが液盛りされたウエハWから当該IPAを除去する処理を行った後、処理容器31と流体供給ライン351とを併せて減圧し、大気開放を行う処理(図6〜図10)を3枚のウエハWに対して連続して行った。処理容器31内の温度、圧力等、ウエハWの処理条件は(参考例1)と同様である。処理後の各ウエハWの表面に付着している直径40nm以上の大きさのパーティクル数をカウントした。
(比較例1)
超臨界CO2を用いてウエハW表面の液体IPAを除去する処理(図6〜図8)を行った後、図18、図19に示すように、処理容器31及び流体供給ライン351の大気開放を別々に行った点以外は、(実施例1)と同様の条件で3枚のウエハWを連続して処理した。処理後、各ウエハWに付着している直径40nm以上の大きさのパーティクル数をカウントした。
(実施例1)の結果を図16に示し、(比較例1)の結果を図17に示す。図16に示した(実施例1)の結果によれば、ウエハWに付着している直径40nm以上のパーティクルの数は600〜700個程度であり、ウエハWの処理順に係わらず、パーティクルの付着数の大きな変動はなかった。
1 洗浄システム
2 洗浄装置
3 超臨界処理装置
31 処理容器
341 排出ライン
342 減圧弁
351 流体供給ライン
352 開閉弁
354 流量調整弁
361 分岐ライン
362 減圧弁
37 流体供給源
4 制御部
Claims (11)
- 基板の表面の乾燥防止用の液体に高圧流体を接触させて、前記乾燥防止用の液体を除去する処理が行われる処理容器と、
前記高圧流体またはこの高圧流体の原料流体を、大気圧よりも高圧の状態で供給するための流体供給源と、
この流体供給源と処理容器とを接続する流体供給路と、
この流体供給路に上流側からこの順に設けられた流量調整部及び開閉弁と、
前記流体供給路における流量調整部の上流側に設けられ、または流量調整部を兼用する遮断部と、
前記処理容器内の圧力を減圧するための減圧弁が設けられ、当該処理容器内の流体の排出が行われる排出路と、
前記遮断部を開き、流量調整部により流量を調整した状態で前記開閉弁を開いて処理容器に高圧流体を導入し、または前記原料流体を導入して高圧流体に変化させ、基板の表面から乾燥防止用の液体を除去するステップと、次いで、前記遮断部を遮断状態とする一方、前記開閉弁と減圧弁とを開いた状態とすることにより、前記流体供給路と処理容器との内部を減圧するステップと、その後、前記基板を当該処理容器から搬出し、前記開閉弁を閉じるステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 基板の表面の乾燥防止用の液体に高圧流体を接触させて、前記乾燥防止用の液体を除去する処理が行われる処理容器と、
前記高圧流体またはこの高圧流体の原料流体を、大気圧よりも高圧の状態で供給するための流体供給源と、
この流体供給源と処理容器とを接続する流体供給路と、
この流体供給路に上流側からこの順に設けられた流量調整部及び開閉弁と、
前記流体供給路における流調調整部の上流側に設けられ、または流量調整部を兼用する遮断部と、
前記遮断部と開閉弁との間の流体供給路から分岐し、当該流体供給路内の流体を排出して減圧するための第1の減圧弁が設けられた分岐路と、
前記処理容器内の圧力を減圧するための第2の減圧弁が設けられ、当該処理容器内の流体の排出が行われる排出路と、
前記第1の減圧弁を閉じる一方、前記遮断部を開き、流量調整部により流量を調整した状態で前記開閉弁を開いて処理容器に高圧流体を導入し、または前記原料流体を導入して高圧流体に変化させ、基板の表面から乾燥防止用の液体を除去するステップと、次いで、前記遮断部を遮断状態とすると共に開閉弁を閉じる一方、第2の減圧弁を開いた状態とすることにより、前記処理容器の内部を減圧するステップと、前記遮断部が遮断状態となり、開閉弁が閉じられた後、前記第1の減圧弁を開いて、前記流体供給路に残存する流体を分岐路から排出するステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記高圧流体は、超臨界状態または亜臨界状態の流体であり、前記処理容器には、前記流体供給源から高圧流体が供給されるか、または当該処理容器内で前記原料流体が加熱されて高圧流体となることにより、前記乾燥防止用の液体が当該高圧流体に抽出されて基板の表面から除去されることを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記処理容器は、基板の表面の乾燥防止用の液体を加熱するための加熱部を備え、
前記高圧流体は、前記乾燥防止用の液体を加熱して超臨界状態または亜臨界状態にしたときに液体にならず、当該乾燥防止用の液体の気化を防止するための加圧用の流体であり、
前記乾燥防止用の液体は、前記高圧流体と接触して加圧された雰囲気下で前記加熱部により加熱され、液体から超臨界状態また亜臨界状態に直接変化することにより基板の表面から除去されることを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 線幅が20nm以下のパターンが形成された基板から乾燥防止用の液体を除去する処理が行われることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載された基板処理装置。
- 基板から乾燥防止用の液体を除去する処理を行う際の前記処理容器内の圧力が5MPa以上であり、当該処理容器内の圧力が大気圧まで減圧されることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の基板処理装置。
- 基板の表面の乾燥防止用の液体に高圧流体を接触させて、前記乾燥防止用の液体を除去する処理が行われる処理容器と、前記高圧流体またはこの高圧流体の原料流体を、大気圧よりも高圧の状態で供給するための流体供給源と、この流体供給源と処理容器とを接続する流体供給路と、この流体供給路に上流側からこの順に設けられた流量調整部及び開閉弁と、前記流体供給路における当該流量調整部の上流側に設けられ、または流量調整部を兼用する遮断部と、前記処理容器内の圧力を減圧するための減圧弁が設けられ、当該処理容器内の流体の排出が行われる排出路と、を用いた基板処理方法であって、
前記遮断部を開き、流量調整部により流量を調整した状態で前記開閉弁を開いて処理容器に高圧流体を導入し、または前記原料流体を導入して高圧流体に変化させ、基板の表面から乾燥防止用の液体を除去する工程と、
次いで、前記遮断部を遮断状態とする一方、前記開閉弁と減圧弁とを開いた状態とすることにより、前記流体供給路と処理容器との内部を減圧する工程と、
その後、前記基板を前記処理容器から搬出し、前記開閉弁を閉じる工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 基板の表面の乾燥防止用の液体に高圧流体を接触させて、前記乾燥防止用の液体を除去する処理が行われる処理容器と、前記高圧流体またはこの高圧流体の原料流体を、大気圧よりも高圧の状態で供給するための流体供給源と、この流体供給源と処理容器とを接続する流体供給路と、この流体供給路に上流側からこの順に設けられた流量調整部及び開閉弁と、前記流体供給路における流量調整部の上流側に設けられ、または流量調整部を兼用する遮断部と、前記遮断部と開閉弁との間の流体供給路から分岐し、当該流体供給路内の流体を排出して減圧するための第1の減圧弁が設けられた分岐路と、前記処理容器内の圧力を減圧するための第2の減圧弁が設けられ、当該処理容器内の流体の排出が行われる排出路と、を用いた基板処理方法であって、
前記第1の減圧弁を閉じる一方、前記遮断部を開き、流量調整部により流量を調整した状態で前記開閉弁を開いて処理容器に高圧流体を導入し、または前記原料流体を導入して高圧流体に変化させ、基板の表面から乾燥防止用の液体を除去する工程と、
次いで、前記遮断部を遮断状態とすると共に開閉弁を閉じる一方、第2の減圧弁を開いた状態とすることにより、前記処理容器の内部を減圧する工程と、
遮断部が遮断状態となり、開閉弁が閉じられた後、前記第1の減圧弁を開いて、前記流体供給路に残存する流体を分岐路から排出する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 線幅が20nm以下のパターンが形成された基板から乾燥防止用の液体を除去する処理が行われることを特徴とする請求項7または8に記載された基板処理方法。
- 基板から乾燥防止用の液体を除去する処理を行う際の前記処理容器内の圧力が5MPa以上であり、当該処理容器内の圧力が大気圧まで減圧されることを特徴とする請求項7ないし9のいずれか一つに記載の基板処理方法。
- 基板の表面の乾燥防止用の液体に高圧流体を接触させて、前記乾燥防止用の液体を除去する処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは請求項7ないし10のいずれか一つに記載された基板処理方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011143336A JP5522124B2 (ja) | 2011-06-28 | 2011-06-28 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
KR1020120056619A KR20130007418A (ko) | 2011-06-28 | 2012-05-29 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
KR1020160098118A KR101824809B1 (ko) | 2011-06-28 | 2016-08-01 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011143336A JP5522124B2 (ja) | 2011-06-28 | 2011-06-28 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013012538A JP2013012538A (ja) | 2013-01-17 |
JP5522124B2 true JP5522124B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=47686201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011143336A Active JP5522124B2 (ja) | 2011-06-28 | 2011-06-28 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5522124B2 (ja) |
KR (2) | KR20130007418A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11515178B2 (en) | 2020-03-16 | 2022-11-29 | Tokyo Electron Limited | System and methods for wafer drying |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5835195B2 (ja) * | 2012-11-29 | 2015-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥処理用の高圧容器の製造方法及び基板処理装置の製造方法 |
JP6556074B2 (ja) | 2016-03-02 | 2019-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2017157746A (ja) | 2016-03-03 | 2017-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
JP6563351B2 (ja) | 2016-03-03 | 2019-08-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
WO2017150038A1 (ja) * | 2016-03-03 | 2017-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
JP6670674B2 (ja) * | 2016-05-18 | 2020-03-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6759042B2 (ja) | 2016-10-04 | 2020-09-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体 |
JP6755776B2 (ja) | 2016-11-04 | 2020-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 |
JP2018081966A (ja) | 2016-11-14 | 2018-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP2018082043A (ja) | 2016-11-16 | 2018-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP6740098B2 (ja) | 2016-11-17 | 2020-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP6876417B2 (ja) | 2016-12-02 | 2021-05-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の洗浄方法および基板処理装置の洗浄システム |
JP6804278B2 (ja) | 2016-12-06 | 2020-12-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 超臨界流体製造装置および基板処理装置 |
JP6824069B2 (ja) * | 2017-03-02 | 2021-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP6914062B2 (ja) | 2017-03-03 | 2021-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US10576493B2 (en) | 2017-03-14 | 2020-03-03 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR102489837B1 (ko) | 2017-03-21 | 2023-01-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP7004707B2 (ja) | 2017-05-24 | 2022-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US11133176B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-09-28 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, recording medium and substrate processing system |
JP7109989B2 (ja) * | 2017-08-09 | 2022-08-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、記憶媒体及び基板処理システム |
US11322372B2 (en) | 2017-08-13 | 2022-05-03 | Fujikin Incorporated | Fluid supply device and liquid discharge method of this device |
JP6953286B2 (ja) * | 2017-11-09 | 2021-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP7038524B2 (ja) | 2017-11-14 | 2022-03-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の洗浄装置および洗浄方法 |
TWI831656B (zh) | 2018-01-04 | 2024-02-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
JP7142494B2 (ja) | 2018-06-25 | 2022-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7080134B2 (ja) * | 2018-08-07 | 2022-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置のパーティクル除去方法および基板処理装置 |
JP7362300B2 (ja) | 2019-06-04 | 2023-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及びその制御方法 |
KR102262250B1 (ko) | 2019-10-02 | 2021-06-09 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법 |
KR102289260B1 (ko) * | 2019-10-18 | 2021-08-12 | 세메스 주식회사 | 유체 배출 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템, 유체 배출 방법 |
TWI837441B (zh) * | 2019-12-06 | 2024-04-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
KR102341173B1 (ko) | 2019-12-31 | 2021-12-21 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
JP2023177766A (ja) | 2022-06-03 | 2023-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2024060806A (ja) | 2022-10-20 | 2024-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び流体加熱装置 |
KR20240090111A (ko) | 2022-12-13 | 2024-06-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3553904B2 (ja) * | 2001-04-11 | 2004-08-11 | 日本電信電話株式会社 | 超臨界乾燥方法 |
JP3939178B2 (ja) | 2002-03-25 | 2007-07-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 高圧乾燥装置、高圧乾燥方法および基板処理装置 |
JP3914134B2 (ja) | 2002-11-06 | 2007-05-16 | 日本電信電話株式会社 | 超臨界乾燥方法及び装置 |
JP3965693B2 (ja) * | 2003-05-07 | 2007-08-29 | 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ | 微細構造乾燥処理法とその装置及びその高圧容器 |
JP4230830B2 (ja) | 2003-06-13 | 2009-02-25 | 日本電信電話株式会社 | 超臨界処理装置 |
JP2007234862A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 高圧処理装置および高圧処理方法 |
JP2008066495A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 高圧処理装置および高圧処理方法 |
JP2009194092A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Japan Organo Co Ltd | 高圧二酸化炭素による被処理体の処理方法及び処理装置 |
JP5293459B2 (ja) * | 2009-07-01 | 2013-09-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
2011
- 2011-06-28 JP JP2011143336A patent/JP5522124B2/ja active Active
-
2012
- 2012-05-29 KR KR1020120056619A patent/KR20130007418A/ko active Application Filing
-
2016
- 2016-08-01 KR KR1020160098118A patent/KR101824809B1/ko active IP Right Review Request
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11515178B2 (en) | 2020-03-16 | 2022-11-29 | Tokyo Electron Limited | System and methods for wafer drying |
US12002687B2 (en) | 2020-03-16 | 2024-06-04 | Tokyo Electron Limited | System and methods for wafer drying |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130007418A (ko) | 2013-01-18 |
JP2013012538A (ja) | 2013-01-17 |
KR101824809B1 (ko) | 2018-02-01 |
KR20160095657A (ko) | 2016-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5522124B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 | |
JP6085423B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 | |
CN108022861B (zh) | 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 | |
CN108074840B (zh) | 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 | |
WO2012165377A1 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 | |
JP6068029B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 | |
JP5716710B2 (ja) | 基板処理装置、流体の供給方法及び記憶媒体 | |
KR102581314B1 (ko) | 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 시스템 | |
JP2018082099A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
KR102609934B1 (ko) | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 | |
US11133176B2 (en) | Substrate processing method, recording medium and substrate processing system | |
JP5471886B2 (ja) | 高温、高圧処理方法及び高温、高圧処理装置並びに記憶媒体 | |
US20110289793A1 (en) | Supercritical drying method | |
KR20110112195A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
JP2020025013A (ja) | 基板処理装置のパーティクル除去方法および基板処理装置 | |
JP2021086857A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR102251259B1 (ko) | 분리 재생 장치 및 기판 처리 장치 | |
JP6580776B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 | |
JP6563351B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 | |
JP6085424B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 | |
JP6922048B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130610 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130924 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140311 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140324 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5522124 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |