JP6545053B2 - 処理装置および処理方法、ならびにガスクラスター発生装置および発生方法 - Google Patents
処理装置および処理方法、ならびにガスクラスター発生装置および発生方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6545053B2 JP6545053B2 JP2015181637A JP2015181637A JP6545053B2 JP 6545053 B2 JP6545053 B2 JP 6545053B2 JP 2015181637 A JP2015181637 A JP 2015181637A JP 2015181637 A JP2015181637 A JP 2015181637A JP 6545053 B2 JP6545053 B2 JP 6545053B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cluster
- gas
- nozzle
- plasma
- generating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
Description
を具備し、前記ガス供給部から供給される前記クラスター生成ガスを含むガスは、前記クラスター生成ガスと反応性ガスとを含み、前記クラスターノズル部分で生成されたプラズマにより前記ガスクラスターがイオン化され、前記イオン化したガスクラスターが前記クラスターノズルから噴射され、被処理体に照射されるとともに、前記反応性ガスは、前記クラスターノズル部分で前記プラズマにより励起されてモノマーイオンまたはラジカルとなって前記クラスターノズルから前記処理容器に供給され、前記被処理体に対して化学的作用を及ぼすことを特徴とするガスクラスターを用いた処理装置を提供する。
<第1の実施形態>
まず、第1の実施形態について説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る処理装置を示す断面図である。
まず、ゲートバルブを開けて搬入出口を介して被処理基板Sを搬入し、基板載置台2上に載置し、処理容器1内を真空ポンプ6により真空引きして所定圧力の真空状態とするとともに、ガス供給部12からCO2ガス等のクラスター生成ガス、または必要に応じてさらに反応性ガスを、所定流量で供給する。クラスター生成ガスは、圧力調整器14により調圧され、所定の供給圧力でクラスターノズル11に供給される。このとき、ガス供給部12に、またはガス供給部12と圧力調整器14の間に、昇圧機を設けてもよい。ガス供給部と高圧のクラスター生成ガスは、真空状態のクラスターノズル11内で断熱膨張し、その一部が凝集してガスクラスターを生成する。このとき、クラスターノズル11には直流高圧電源22から高圧の直流電圧が印加され、基板Sは基板載置台2を介して接地されているので、これらの間にDC放電が生じ、クラスターノズル11部分でプラズマPが生成される。このプラズマPにより、クラスターノズル11内で生成されたガスクラスターがイオン化されてイオン化ガスクラスターCiとなってクラスターノズル11から処理容器1(処理室)内に噴射され、クラスターノズル11と基板Sとの電位差により加速されて基板Sに照射される。
次に、第2の実施形態について説明する。
図15は、本発明の第2の実施形態に係る処理装置を示す断面図である。
次に、第3の実施形態について説明する。
図19は、本発明の第3の実施形態に係る処理装置を示す断面図である。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態ではクラスターノズル部分にプラズマを生成する方式としてDC放電方式およびICP方式を例示したが、これに限定されるものではない。
2;基板載置台
3;駆動機構
4;排気口
5;排気配管
6;真空ポンプ
7;圧力制御バルブ
10,40;ガスクラスター照射機構
11,41,51;クラスターノズル
12;ガス供給部
12a;クラスター生成ガス供給源
12b;反応ガス供給源
21;碍子
22;直流高圧電源
30;制御部
42;誘導コイル
43;高周波電源
44;直流電源
60;磁石
61;磁力線
67;ヨーク
100,101,102;処理装置
201;有機材料
202;無機材料
203;複合物
204;ハロゲン残渣
205;不揮発性成分
206;レジスト層
207;クラスト層
Ci;イオン化ガスクラスター
mi;モノマーイオン
mr;ラジカル
S;基板
Claims (19)
- ガスクラスターを用いて被処理体に対して処理を行う処理装置であって、
被処理体が配置され、真空に保持される処理容器と、
前記処理容器内を排気する排気機構と、
ガスクラスターを生成するためのクラスター生成ガスを含むガスを供給するためのガス供給部と、
前記処理容器内に設けられ、前記ガス供給部から供給されたクラスター生成ガスをその内部で断熱膨張させてガスクラスターを生成させ、生成されたガスクラスターを含むガス成分を前記処理容器内に噴射するクラスターノズルと、
前記クラスターノズル部分にプラズマを生成するプラズマ生成機構と
を具備し、
前記ガス供給部から供給される前記クラスター生成ガスを含むガスは、前記クラスター生成ガスと反応性ガスとを含み、
前記クラスターノズル部分で生成されたプラズマにより前記ガスクラスターがイオン化され、前記イオン化したガスクラスターが前記クラスターノズルから噴射され、被処理体に照射されるとともに、前記反応性ガスは、前記クラスターノズル部分で前記プラズマにより励起されてモノマーイオンまたはラジカルとなって前記クラスターノズルから前記処理容器に供給され、前記被処理体に対して化学的作用を及ぼすことを特徴とするガスクラスターを用いた処理装置。 - 前記クラスターノズルから噴射された前記イオン化したガスクラスターを前記被処理体に向けて加速させる加速手段をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
- 前記クラスターノズルは金属製であり、前記プラズマ生成機構は、前記クラスターノズルに直流電圧を印加する直流電源を有し、前記直流電源により前記クラスターノズルと前記被処理体との間に電位差を生じさせ、DC放電により前記クラスターノズル部分にプラズマを生成させることを特徴とする請求項2に記載のガスクラスターを用いた処理装置。
- 前記直流電源は、前記クラスターノズルと前記被処理体との間に電位差を生じさせる機能により前記加速手段としても機能することを特徴とする請求項3に記載のガスクラスターを用いた処理装置。
- 前記プラズマ生成機構は、前記クラスターノズル部分に誘導結合プラズマを生成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のガスクラスターを用いた処理装置。
- 前記クラスターノズルは誘電体で構成されており、前記プラズマ生成機構は、前記クラスターノズルの周囲に設けられた誘導コイルと、前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源とを有することを特徴とする請求項5に記載のガスクラスターを用いた処理装置。
- 前記クラスターノズルのガス噴射領域に磁界を発生させる磁石をさらに具備し、前記磁界に電子やイオンのような荷電成分がトラップされ、前記荷電成分がトラップされた部分にプラズマ生成領域が規定されることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のガスクラスターを用いた処理装置。
- 前記磁石の磁場強度が最大となる位置と、前記クラスターノズルの出口の位置が同位置、または磁場強度が最大となる位置よりも前記クラスターノズルの出口が被処理体側になるように、前記磁石が設置されることを特徴とする請求項7に記載のガスクラスターを用いた処理装置。
- ガスクラスターを用いて被処理体に対して処理を行う処理方法であって、
処理容器内に被処理体を配置し、その中を真空に保持することと、
前記処理容器内にクラスターノズルを設け、クラスター生成ガスと反応性ガスとを前記クラスターノズルに供給することと、
前記クラスターノズルの内部で前記クラスター生成ガスを断熱膨張させてガスクラスターを生成させることと、
前記クラスターノズル部分にプラズマを生成させることと、
前記プラズマにより前記ガスクラスターをイオン化させ、前記イオン化したガスクラスターを前記クラスターノズルから噴射させ、前記被処理体に照射することと、
前記プラズマにより前記反応性ガスを励起してモノマーイオンまたはラジカルを生成させて前記処理容器に供給し、前記モノマーイオンまたは前記ラジカルにより前記被処理体に対して化学的作用を及ぼさせることと、
を有することを特徴とするガスクラスターを用いた処理方法。 - 前記クラスターノズルから噴射された前記イオン化したガスクラスターを前記被処理体に向けて加速させることを特徴とする請求項9に記載のガスクラスターを用いた処理方法。
- 前記クラスターノズルに直流電圧を印加し、前記クラスターノズルと前記被処理体との間に電位差を生じさせ、DC放電により前記クラスターノズル部分にプラズマを生成させることを特徴とする請求項10に記載のガスクラスターを用いた処理方法。
- 前記クラスターノズル部分に生成されるプラズマは誘導結合プラズマであることを特徴とする請求項9または請求項10に記載のガスクラスターを用いた処理方法。
- 前記イオン化したガスクラスターを前記被処理体に照射することにより、前記被処理体の表面に付着したパーティクルを除去することを特徴とする請求項9から請求項12のいずれか1項に記載のガスクラスターを用いた処理方法。
- 磁石により前記クラスターノズルのガス噴射領域に磁界を発生させ、前記磁界に電子やイオンのような荷電成分をトラップさせ、前記荷電成分がトラップされた部分にプラズマ生成領域を規定することをさらに有することを特徴とする請求項9から請求項13のいずれか1項に記載のガスクラスターを用いた処理方法。
- 前記磁石の磁場強度が最大となる位置と、前記クラスターノズルの出口の位置が同位置、または磁場強度が最大となる位置よりも前記クラスターノズルの出口が被処理体側になるように、前記磁石が設置することを特徴とする請求項14に記載のガスクラスターを用いた処理方法。
- 真空に保持された処理容器内にイオン化したガスクラスターを発生させるガスクラスター発生装置であって、
ガスクラスターを生成するためのクラスター生成ガスを含むガスを供給するためのガス供給部と、
前記処理容器内に設けられ、前記ガス供給部から供給されたクラスター生成ガスをその内部で断熱膨張させてガスクラスターを生成させ、生成されたガスクラスターを含むガス成分を前記処理容器内に噴射するクラスターノズルと、
前記クラスターノズル部分にプラズマを生成するプラズマ生成機構と
を具備し、
前記ガス供給部から供給される前記クラスター生成ガスを含むガスは、前記クラスター生成ガスと反応性ガスとを含み、
前記クラスターノズル部分で生成されたプラズマにより前記ガスクラスターがイオン化され、前記イオン化したガスクラスターが前記クラスターノズルから噴射され、前記反応性ガスは、前記クラスターノズル部分で前記プラズマにより励起されてモノマーイオンまたはラジカルとなって化学的作用を及ぼす成分として前記クラスターノズルから噴射されることを特徴とするガスクラスター発生装置。 - 前記クラスターノズルのガス噴射領域に磁界を発生させる磁石をさらに具備し、前記磁界に電子やイオンのような荷電成分がトラップされ、前記荷電成分がトラップされた部分にプラズマ生成領域が規定されることを特徴とする請求項16に記載のガスクラスター発生装置。
- 真空に保持された処理容器内にイオン化したガスクラスターを発生させるガスクラスター発生方法であって、
前記処理容器内にクラスターノズルを設け、クラスター生成ガスと反応性ガスとを前記クラスターノズルに供給することと、
前記クラスターノズルの内部で前記クラスター生成ガスを断熱膨張させてガスクラスターを生成させることと、
前記クラスターノズル部分にプラズマを生成させることと、
前記プラズマにより前記ガスクラスターをイオン化させ、前記イオン化したガスクラスターを前記クラスターノズルから噴射させることと、
前記プラズマにより前記反応性ガスを励起してモノマーイオンまたはラジカルを生成させ、前記モノマーイオンまたは前記ラジカルを化学的作用を及ぼす成分として前記クラスターノズルから噴射させることと、
を有することを特徴とするガスクラスター発生方法。 - 磁石により前記クラスターノズルのガス噴射領域に磁界を発生させ、前記磁界に電子やイオンのような荷電成分をトラップさせ、前記荷電成分がトラップされた部分にプラズマ生成領域を規定することをさらに有することを特徴とする請求項18に記載のガスクラスター発生方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020177027268A KR102023828B1 (ko) | 2015-03-30 | 2016-02-17 | 처리 장치 및 처리 방법, 및 가스 클러스터 발생 장치 및 발생 방법 |
PCT/JP2016/054524 WO2016158054A1 (ja) | 2015-03-30 | 2016-02-17 | 処理装置および処理方法、ならびにガスクラスター発生装置および発生方法 |
TW105109623A TWI676212B (zh) | 2015-03-30 | 2016-03-28 | 處理裝置以及氣體簇產生裝置及產生方法 |
US15/715,482 US11446714B2 (en) | 2015-03-30 | 2017-09-26 | Processing apparatus and processing method, and gas cluster generating apparatus and gas cluster generating method |
US17/883,997 US11772138B2 (en) | 2015-03-30 | 2022-08-09 | Processing apparatus and processing method, and gas cluster generating apparatus and gas cluster generating method |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015068867 | 2015-03-30 | ||
JP2015068867 | 2015-03-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016192534A JP2016192534A (ja) | 2016-11-10 |
JP6545053B2 true JP6545053B2 (ja) | 2019-07-17 |
Family
ID=57245794
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015181637A Active JP6545053B2 (ja) | 2015-03-30 | 2015-09-15 | 処理装置および処理方法、ならびにガスクラスター発生装置および発生方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11446714B2 (ja) |
JP (1) | JP6545053B2 (ja) |
KR (1) | KR102023828B1 (ja) |
TW (1) | TWI676212B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016158054A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法、ならびにガスクラスター発生装置および発生方法 |
JP6545053B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2019-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法、ならびにガスクラスター発生装置および発生方法 |
KR102541747B1 (ko) * | 2015-11-30 | 2023-06-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치의 챔버 클리닝 방법 |
US10606180B2 (en) * | 2017-03-08 | 2020-03-31 | Asml Netherlands B.V. | EUV cleaning systems and methods thereof for an extreme ultraviolet light source |
JP6998664B2 (ja) * | 2017-03-23 | 2022-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスクラスター処理装置およびガスクラスター処理方法 |
JP6813459B2 (ja) | 2017-09-08 | 2021-01-13 | キオクシア株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR20200074957A (ko) * | 2017-11-07 | 2020-06-25 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 세정 장치 및 방법 |
DE102018222522A1 (de) * | 2018-12-20 | 2020-06-25 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Betrieb einer Gaszuführungseinrichtung sowie Gaszuführungseinrichtung zur Durchführung des Verfahrens und Teilchenstrahlgerät mit einer Gaszuführungseinrichtung |
KR20210115861A (ko) * | 2020-03-16 | 2021-09-27 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
WO2022036222A1 (en) * | 2020-08-14 | 2022-02-17 | The Regents Of The University Of Michigan | Plasma device for gas-based surface treatment and water activation |
Family Cites Families (147)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1483966A (en) * | 1974-10-23 | 1977-08-24 | Sharp Kk | Vapourized-metal cluster ion source and ionized-cluster beam deposition |
NL7415318A (nl) * | 1974-11-25 | 1976-05-28 | Philips Nv | Wienfilter. |
JPS56137614A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-27 | Futaba Corp | Manufacture of amorphous silicon coat |
JPS5736434A (en) * | 1980-08-13 | 1982-02-27 | Sekisui Chem Co Ltd | Magnetic recording medium and its production |
US4443488A (en) * | 1981-10-19 | 1984-04-17 | Spire Corporation | Plasma ion deposition process |
JPS60124926A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜蒸着装置 |
JPS60124932A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜蒸着装置 |
US4824724A (en) * | 1985-06-05 | 1989-04-25 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
JPS62122210A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
DE3628443C1 (de) * | 1986-08-21 | 1988-02-11 | Dornier System Gmbh | Verfahren zur Erzeugung amorpher Schichten |
US4737637A (en) * | 1986-10-15 | 1988-04-12 | Hughes Aircraft Company | Mass separator for ionized cluster beam |
CN1019513B (zh) * | 1986-10-29 | 1992-12-16 | 三菱电机株式会社 | 化合物薄膜形成装置 |
DE3884653T2 (de) * | 1987-04-03 | 1994-02-03 | Fujitsu Ltd | Verfahren und Vorrichtung zur Gasphasenabscheidung von Diamant. |
JPS63270458A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物薄膜形成装置 |
US4902572A (en) * | 1988-04-19 | 1990-02-20 | The Boeing Company | Film deposition system |
DE3824273A1 (de) * | 1988-07-16 | 1990-01-18 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung von festkoerpern |
US5314540A (en) * | 1991-03-22 | 1994-05-24 | Nippondenso Co., Ltd. | Apparatus for forming diamond film |
JP2662321B2 (ja) | 1991-05-31 | 1997-10-08 | 科学技術振興事業団 | 超低速クラスターイオンビームによる表面処理方法 |
US5286331A (en) * | 1991-11-01 | 1994-02-15 | International Business Machines Corporation | Supersonic molecular beam etching of surfaces |
EP0551117A2 (en) * | 1992-01-08 | 1993-07-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Large scale integrated circuit device and thin film forming method and apparatus for the same |
KR0158234B1 (ko) * | 1992-03-02 | 1999-02-18 | 이노우에 아키라 | 이온 주입 시스템 |
JP3169151B2 (ja) * | 1992-10-26 | 2001-05-21 | 三菱電機株式会社 | 薄膜形成装置 |
US5527731A (en) * | 1992-11-13 | 1996-06-18 | Hitachi, Ltd. | Surface treating method and apparatus therefor |
JPH0730161A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 絶縁体薄膜と酸化物超電導薄膜との積層膜及び作製方法 |
US5582879A (en) * | 1993-11-08 | 1996-12-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Cluster beam deposition method for manufacturing thin film |
JP3380091B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2003-02-24 | 株式会社荏原製作所 | 反応ガス噴射ヘッド及び薄膜気相成長装置 |
US6388381B2 (en) * | 1996-09-10 | 2002-05-14 | The Regents Of The University Of California | Constricted glow discharge plasma source |
US6213049B1 (en) * | 1997-06-26 | 2001-04-10 | General Electric Company | Nozzle-injector for arc plasma deposition apparatus |
NL1007902C2 (nl) * | 1997-12-24 | 1999-06-25 | Univ Delft Tech | Wien-filter. |
JPH11293469A (ja) * | 1998-04-13 | 1999-10-26 | Komatsu Ltd | 表面処理装置および表面処理方法 |
US6015595A (en) * | 1998-05-28 | 2000-01-18 | Felts; John T. | Multiple source deposition plasma apparatus |
JP3132489B2 (ja) * | 1998-11-05 | 2001-02-05 | 日本電気株式会社 | 化学的気相成長装置及び薄膜成膜方法 |
US6613240B2 (en) * | 1999-12-06 | 2003-09-02 | Epion Corporation | Method and apparatus for smoothing thin conductive films by gas cluster ion beam |
US6331227B1 (en) * | 1999-12-14 | 2001-12-18 | Epion Corporation | Enhanced etching/smoothing of dielectric surfaces |
JP2003529926A (ja) * | 2000-03-30 | 2003-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システム内への調整可能なガス注入のための方法及び装置 |
KR100436941B1 (ko) * | 2000-11-07 | 2004-06-23 | 주성엔지니어링(주) | 박막 증착 장치 및 그 방법 |
US7115516B2 (en) * | 2001-10-09 | 2006-10-03 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a material layer |
KR100445105B1 (ko) * | 2001-10-25 | 2004-08-21 | 주식회사 다산 씨.앤드.아이 | 가스 클러스터 이온빔을 이용한 아이.티.오 박막 표면처리시스템 및 그 방법 |
US6729850B2 (en) * | 2001-10-31 | 2004-05-04 | Tokyo Electron Limited | Applied plasma duct system |
AU2002366943A1 (en) * | 2001-12-20 | 2003-07-09 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus comprising a magnetic filter for plasma processing a workpiece |
US20030141178A1 (en) * | 2002-01-30 | 2003-07-31 | Applied Materials, Inc. | Energizing gas for substrate processing with shockwaves |
JP3910466B2 (ja) * | 2002-02-26 | 2007-04-25 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 半導体又は絶縁体/金属・層状複合クラスタの作製方法及び製造装置 |
US6686595B2 (en) * | 2002-06-26 | 2004-02-03 | Semequip Inc. | Electron impact ion source |
EP1579481B1 (en) * | 2002-06-26 | 2013-12-04 | Semequip, Inc. | A method of semiconductor manufacturing by the implantation of boron hydride cluster ions |
US20040137158A1 (en) * | 2003-01-15 | 2004-07-15 | Kools Jacques Constant Stefan | Method for preparing a noble metal surface |
JP4195819B2 (ja) * | 2003-01-17 | 2008-12-17 | 忠弘 大見 | 弗化水素ガスの流量制御方法及びこれに用いる弗化水素ガス用流量制御装置 |
EP1738388A4 (en) * | 2004-03-19 | 2009-07-08 | Tel Epion Inc | METHOD AND DEVICE FOR IMPROVED PROCESSING WITH A GAS CLUSTER ION BEAM |
US7988816B2 (en) * | 2004-06-21 | 2011-08-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
JP4926067B2 (ja) * | 2004-10-25 | 2012-05-09 | ティーイーエル エピオン インク. | ガスクラスターイオンビーム形成のためのイオナイザおよび方法 |
US7459702B2 (en) * | 2004-10-26 | 2008-12-02 | Jayant Neogi | Apparatus and method for polishing gemstones and the like |
US20060093753A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Nickel Janice H | Method of engineering a property of an interface |
KR100782369B1 (ko) * | 2004-11-11 | 2007-12-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장치 |
US7504135B2 (en) * | 2005-02-03 | 2009-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd | Method of fabricating a manganese diffusion barrier |
KR100854995B1 (ko) * | 2005-03-02 | 2008-08-28 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치 |
JP4704088B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US8298336B2 (en) * | 2005-04-01 | 2012-10-30 | Lam Research Corporation | High strip rate downstream chamber |
JP4845416B2 (ja) * | 2005-04-21 | 2011-12-28 | 双葉電子工業株式会社 | 蒸着装置 |
JP5105729B2 (ja) * | 2005-09-01 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | ガスクラスターイオンビームによる加工方法 |
JP4930913B2 (ja) * | 2005-09-12 | 2012-05-16 | 東レバッテリーセパレータフィルム合同会社 | 多孔性素材のプラズマ処理方法及び処理装置 |
JP4827081B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2011-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
US20070187363A1 (en) * | 2006-02-13 | 2007-08-16 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US7297719B2 (en) * | 2006-03-29 | 2007-11-20 | Tokyo Electron Limited | Method and integrated system for purifying and delivering a metal carbonyl precursor |
KR100849366B1 (ko) * | 2006-08-24 | 2008-07-31 | 세메스 주식회사 | 기판을 처리하는 장치 및 방법 |
JP5267130B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2013-08-21 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US7670964B2 (en) * | 2007-03-22 | 2010-03-02 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and methods of forming a gas cluster ion beam using a low-pressure source |
US7550749B2 (en) * | 2007-03-30 | 2009-06-23 | Tel Epion Inc. | Methods and processing systems for using a gas cluster ion beam to offset systematic non-uniformities in workpieces processed in a process tool |
US7550748B2 (en) * | 2007-03-30 | 2009-06-23 | Tel Epion, Inc. | Apparatus and methods for systematic non-uniformity correction using a gas cluster ion beam |
US7566888B2 (en) * | 2007-05-23 | 2009-07-28 | Tel Epion Inc. | Method and system for treating an interior surface of a workpiece using a charged particle beam |
JP5143477B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2013-02-13 | 信越化学工業株式会社 | Soiウエーハの製造方法 |
US7564024B2 (en) * | 2007-06-28 | 2009-07-21 | Tel Epion Inc. | Methods and apparatus for assigning a beam intensity profile to a gas cluster ion beam used to process workpieces |
US20090032725A1 (en) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and methods for treating a workpiece using a gas cluster ion beam |
US7917241B2 (en) * | 2007-08-01 | 2011-03-29 | Tel Epion Inc. | Method and system for increasing throughput during location specific processing of a plurality of substrates |
US7626183B2 (en) * | 2007-09-05 | 2009-12-01 | Tel Epion Inc. | Methods for modifying features of a workpiece using a gas cluster ion beam |
US8298432B2 (en) * | 2007-09-28 | 2012-10-30 | Tel Epion Inc. | Method and system for adjusting beam dimension for high-gradient location specific processing |
US7696495B2 (en) * | 2007-09-28 | 2010-04-13 | Tel Epion Inc. | Method and device for adjusting a beam property in a gas cluster ion beam system |
US7772110B2 (en) * | 2007-09-28 | 2010-08-10 | Tokyo Electron Limited | Electrical contacts for integrated circuits and methods of forming using gas cluster ion beam processing |
US7883999B2 (en) * | 2008-01-25 | 2011-02-08 | Tel Epion Inc. | Method for increasing the penetration depth of material infusion in a substrate using a gas cluster ion beam |
TWI498988B (zh) * | 2008-02-20 | 2015-09-01 | Tokyo Electron Ltd | A gas supply device, a film forming apparatus, and a film forming method |
US20090233004A1 (en) * | 2008-03-17 | 2009-09-17 | Tel Epion Inc. | Method and system for depositing silicon carbide film using a gas cluster ion beam |
WO2009119627A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 金属系膜の成膜方法および記憶媒体 |
US7905199B2 (en) * | 2008-06-24 | 2011-03-15 | Tel Epion Inc. | Method and system for directional growth using a gas cluster ion beam |
US9103031B2 (en) * | 2008-06-24 | 2015-08-11 | Tel Epion Inc. | Method and system for growing a thin film using a gas cluster ion beam |
US8202435B2 (en) * | 2008-08-01 | 2012-06-19 | Tel Epion Inc. | Method for selectively etching areas of a substrate using a gas cluster ion beam |
KR101223945B1 (ko) | 2008-08-18 | 2013-01-21 | 고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠 | 클러스터 분사식 가공 방법, 반도체 소자, 미소 기전 소자, 및 광학 부품 |
JP2010070788A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法 |
US7834327B2 (en) * | 2008-09-23 | 2010-11-16 | Tel Epion Inc. | Self-biasing active load circuit and related power supply for use in a charged particle beam processing system |
US8313663B2 (en) * | 2008-09-24 | 2012-11-20 | Tel Epion Inc. | Surface profile adjustment using gas cluster ion beam processing |
CN102224571A (zh) * | 2008-11-21 | 2011-10-19 | 国立大学法人长冈技术科学大学 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
US20110247560A1 (en) * | 2008-11-21 | 2011-10-13 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
US8097860B2 (en) * | 2009-02-04 | 2012-01-17 | Tel Epion Inc. | Multiple nozzle gas cluster ion beam processing system and method of operating |
US20100193898A1 (en) * | 2009-02-04 | 2010-08-05 | Tel Epion Inc. | Method for forming trench isolation using gas cluster ion beam processing |
US8304033B2 (en) * | 2009-02-04 | 2012-11-06 | Tel Epion Inc. | Method of irradiating substrate with gas cluster ion beam formed from multiple gas nozzles |
US7968422B2 (en) * | 2009-02-09 | 2011-06-28 | Tel Epion Inc. | Method for forming trench isolation using a gas cluster ion beam growth process |
US20100200774A1 (en) * | 2009-02-09 | 2010-08-12 | Tel Epion Inc. | Multi-sequence film deposition and growth using gas cluster ion beam processing |
US8455060B2 (en) * | 2009-02-19 | 2013-06-04 | Tel Epion Inc. | Method for depositing hydrogenated diamond-like carbon films using a gas cluster ion beam |
US8226835B2 (en) * | 2009-03-06 | 2012-07-24 | Tel Epion Inc. | Ultra-thin film formation using gas cluster ion beam processing |
US8877299B2 (en) * | 2009-03-31 | 2014-11-04 | Tel Epion Inc. | Method for enhancing a substrate using gas cluster ion beam processing |
US7982196B2 (en) * | 2009-03-31 | 2011-07-19 | Tel Epion Inc. | Method for modifying a material layer using gas cluster ion beam processing |
US8048788B2 (en) * | 2009-10-08 | 2011-11-01 | Tel Epion Inc. | Method for treating non-planar structures using gas cluster ion beam processing |
US8237136B2 (en) * | 2009-10-08 | 2012-08-07 | Tel Epion Inc. | Method and system for tilting a substrate during gas cluster ion beam processing |
US20110084214A1 (en) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | Tel Epion Inc. | Gas cluster ion beam processing method for preparing an isolation layer in non-planar gate structures |
JP2011086471A (ja) | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Canon Inc | クラスターイオンビーム装置及びクラスターイオンビーム装置の調整方法 |
CN102056395B (zh) * | 2009-10-27 | 2014-05-07 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 |
CN102763199B (zh) * | 2010-02-12 | 2016-01-20 | 应用材料公司 | 处理腔室之气流改良 |
JP5490563B2 (ja) * | 2010-02-19 | 2014-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
JP2011173184A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 研磨方法 |
JP5395708B2 (ja) * | 2010-03-09 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の配線方法及び半導体製造装置 |
JP5538959B2 (ja) * | 2010-03-09 | 2014-07-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の洗浄方法及び半導体製造装置 |
SG10201501824XA (en) * | 2010-03-12 | 2015-05-28 | Applied Materials Inc | Atomic layer deposition chamber with multi inject |
JP2011198933A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Tokyo Electron Ltd | レジスト除去装置及びレジスト除去方法 |
US8338806B2 (en) * | 2010-05-05 | 2012-12-25 | Tel Epion Inc. | Gas cluster ion beam system with rapid gas switching apparatus |
JP5031066B2 (ja) * | 2010-05-26 | 2012-09-19 | 兵庫県 | クラスタービーム発生装置、基板処理装置、クラスタービーム発生方法及び基板処理方法 |
JP5236687B2 (ja) * | 2010-05-26 | 2013-07-17 | 兵庫県 | 表面処理方法及び表面処理装置 |
JP2012054304A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法及びエッチング装置 |
US20120064713A1 (en) * | 2010-09-10 | 2012-03-15 | Tokyo Electron Limited | Ultra-low-k dual damascene structure and method of fabricating |
JP2012061585A (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置、真空処理方法及び微細加工装置 |
JP2012119065A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-21 | Japan Atomic Energy Agency | イオン加速方法、イオン加速装置、及び、イオンビーム照射装置、医療用イオンビーム照射装置 |
JP5666319B2 (ja) * | 2011-01-12 | 2015-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度センサ、温度センサの製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5811540B2 (ja) * | 2011-01-25 | 2015-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 金属膜の加工方法及び加工装置 |
JP5815967B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置及び真空処理システム |
JP5776397B2 (ja) * | 2011-07-19 | 2015-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄方法、処理装置及び記憶媒体 |
JP5851951B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2016-02-03 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、エッチング装置、および記憶媒体 |
US8436317B1 (en) * | 2011-11-09 | 2013-05-07 | Hermes-Microvision, Inc. | Wien filter |
DE102012008259B4 (de) * | 2012-04-25 | 2014-06-26 | Bruker Daltonik Gmbh | Ionenerzeugung in Massenspektrometern durch Clusterbeschuss |
US9162236B2 (en) * | 2012-04-26 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Proportional and uniform controlled gas flow delivery for dry plasma etch apparatus |
KR101411993B1 (ko) * | 2012-09-25 | 2014-06-26 | (주)젠 | 안테나 어셈블리 및 이를 구비한 플라즈마 처리 챔버 |
JP5575198B2 (ja) * | 2012-09-25 | 2014-08-20 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気抵抗効果素子の製造装置 |
JP6048043B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理システム |
KR102138729B1 (ko) * | 2012-10-30 | 2020-07-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
TW201440271A (zh) * | 2013-03-07 | 2014-10-16 | Tokyo Electron Ltd | 平坦化方法、基板處理系統、mram製造方法及mram元件 |
EP2979767A4 (en) * | 2013-03-28 | 2016-12-07 | Chugoku Electric Power | plasma spraying |
WO2014165669A2 (en) * | 2013-04-04 | 2014-10-09 | Tokyo Electron Limited | Pulsed gas plasma doping method and apparatus |
JP2015026745A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
US9275869B2 (en) * | 2013-08-02 | 2016-03-01 | Lam Research Corporation | Fast-gas switching for etching |
JP6311236B2 (ja) * | 2013-08-20 | 2018-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置 |
US20150064911A1 (en) * | 2013-08-27 | 2015-03-05 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, substrate processing apparatus and storage medium |
JP5878187B2 (ja) * | 2014-02-17 | 2016-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | トランジスタの製造方法 |
US9123505B1 (en) * | 2014-02-21 | 2015-09-01 | Tel Epion Inc. | Apparatus and methods for implementing predicted systematic error correction in location specific processing |
JP6132791B2 (ja) * | 2014-03-12 | 2017-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体デバイスの製造方法及び製造装置 |
US9540725B2 (en) * | 2014-05-14 | 2017-01-10 | Tel Epion Inc. | Method and apparatus for beam deflection in a gas cluster ion beam system |
JP6566683B2 (ja) * | 2014-07-02 | 2019-08-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
WO2016158054A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法、ならびにガスクラスター発生装置および発生方法 |
JP6545053B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2019-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法、ならびにガスクラスター発生装置および発生方法 |
KR102553629B1 (ko) * | 2016-06-17 | 2023-07-11 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
US11225708B2 (en) * | 2016-12-08 | 2022-01-18 | Tokyo Electron Limited | Plasma spraying device and method for manufacturing battery electrode |
US20190300999A1 (en) * | 2018-04-02 | 2019-10-03 | Tokyo Electron Limited | Method of forming metallic film |
JP7144281B2 (ja) * | 2018-10-29 | 2022-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 粉末供給装置、溶射装置、粉末供給方法及び溶射方法 |
-
2015
- 2015-09-15 JP JP2015181637A patent/JP6545053B2/ja active Active
-
2016
- 2016-02-17 KR KR1020177027268A patent/KR102023828B1/ko active IP Right Grant
- 2016-03-28 TW TW105109623A patent/TWI676212B/zh active
-
2017
- 2017-09-26 US US15/715,482 patent/US11446714B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11446714B2 (en) | 2022-09-20 |
US20180015510A1 (en) | 2018-01-18 |
KR102023828B1 (ko) | 2019-09-20 |
TW201709304A (zh) | 2017-03-01 |
TWI676212B (zh) | 2019-11-01 |
JP2016192534A (ja) | 2016-11-10 |
KR20170121258A (ko) | 2017-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6545053B2 (ja) | 処理装置および処理方法、ならびにガスクラスター発生装置および発生方法 | |
US11772138B2 (en) | Processing apparatus and processing method, and gas cluster generating apparatus and gas cluster generating method | |
EP3886140B1 (en) | Gas processing system | |
KR101800505B1 (ko) | 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치 | |
US6849857B2 (en) | Beam processing apparatus | |
US7034285B2 (en) | Beam source and beam processing apparatus | |
JP2006505906A (ja) | 高密度プラズマを生成する方法および装置 | |
WO2013045636A9 (en) | Plasma generator | |
JP4825846B2 (ja) | カーボンナノチューブ作製装置 | |
WO2002078044A2 (en) | Method of processing a surface of a workpiece | |
JP4042817B2 (ja) | 中性粒子ビーム処理装置 | |
JP2008108745A (ja) | 中性粒子ビーム処理装置 | |
CN107768223B (zh) | 与等离子清洁机一起使用的磁体 | |
JP2007266522A (ja) | プラズマ処理装置およびそれを用いた加工方法 | |
KR102299608B1 (ko) | 플라즈마원 및 플라즈마 처리 장치 | |
Klimov et al. | Forevacuum Plasma Source of a Ribbon Electron Beam for Beam Plasma Generation | |
JP2020155326A (ja) | プラズマ発生装置 | |
JP2011035232A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190521 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190618 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6545053 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |