JP6311236B2 - 基板洗浄装置 - Google Patents
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Description
ところで半導体製造装置においては、フットプリントの低減が課題とされており、モジュールの小型化が求められており、ガスクラスターを利用した基板洗浄装置においてもモジュールの小型化が求められる。
またエアロゾルを斜めに照射することから、表面にパターンの形成されたウエハに対して照射する場合には、パターンが倒れる虞があった。
真空雰囲気で基板の洗浄処理を行うための洗浄処理室と、
前記洗浄処理室内に設けられ、基板が載置される載置部と、
前記基板が載置されている雰囲気よりも圧力の高い領域から洗浄用のガスを前記洗浄処理室内の基板に向けて吐出し、断熱膨張により洗浄用のガスの原子または分子の集合体であるガスクラスターを生成して基板に垂直に照射するためのノズル部と、
前記洗浄処理室内を真空排気するための排気口と、
前記載置部とノズル部とを相対的に移動させるための移動機構と、を備え、
前記ノズル部の相対的移動軌跡の中心部Pは前記洗浄処理室の中心部Cから変位し、平面で見て前記洗浄処理室の中心部Cから前記中心部Pを通る直線を引いたときに、前記洗浄処理室の中心部Cから前記中心部P側を見て当該直線の伸びる方向に対して左右45度の範囲内であり、かつ基板よりも外方側の位置にのみ、前記ノズル部からガスを吐出するときに排気を行う排気口が位置し、
前記ノズル部は、前記洗浄処理室の中心部Cから前記中心部Pを通る直線と直交し、前記洗浄処理室の中心部Cを通る直線よりも、前記ノズル部からガスを吐出するときに排気を行う排気口側のみを移動することを特徴とする基板洗浄装置。
更にまた他の発明によれば、基板の被洗浄面全体を等分に周方向に分割し、各分割領域にノズル部を割り当てて、基板のX、Y方向移動により分割領域全体のガスクラスターの照射を行うと共に、基板の回転により順次分割領域とノズルとの対応関係を確立しているので洗浄処理室を小型化できる。
更に他の発明によれば、基板の被洗浄面全体を複数に分割した各分割領域にノズル部を割り当て、載置部を移動させて一の分割領域の全体をノズル部によりスキャンした時に、他の全ての各分割領域の全体ノズル部によりスキャンされるので、載置部の移動領域の狭小化を図ることができる。
洗浄処理室31の中央の位置には、ウエハWが水平な姿勢で載置される回転ステージ32が設けられている。回転ステージ32は回転軸33を介して駆動部36に接続されており、回転ステージ32は、駆動部36により回転自在、昇降自在に構成されている。なお回転ステージ32は、静電チャックであってもよい。
ガス供給路70には、当該ガス供給路70内の圧力を検出する圧力検出部78が設けられており、この圧力検出部78の検出値に基づいて、後述する制御部9により圧力調整バルブ71の開度が調整され、圧力室61内のガス圧力が制御されるように構成されている。前記圧力検出部78は、圧力室61内の圧力を検出するものであってもよい。
FOUP11により搬入されたウエハWは、大気搬送室13を介してアライメント室18に運ばれアライメントが行われる。その後、ウエハWは第1の基板搬送機構16によりロードロック室14、15及び第2の基板搬送機構26を介して洗浄モジュール3に搬送され、パーティクルの除去処理が行われる。
以上のようなガスクラスターによるパーティクルの除去処理(洗浄処理)が、ノズル部6の既述の旋回により、ウエハWの表面全体に対して行われ、ウエハWの表面に付着しているパーティクル100が除去される。そしてウエハW表面から除去されたパーティクルは、洗浄処理室31内のガスと共に排気口38から排気されることになる。
そして前記照射領域の中心部Pから洗浄処理室31の中心部Cに直線Lを引いたとき、前記洗浄処理室31の中心部Cから照射領域の中心部P側を見て、前記直線Lの延長線(直線Lの伸びる方向)に対して左右45度の直線L1、L2の間の領域が望ましい。
ところがガスクラスターの生成用ガスは、高圧高濃度のガスであるため、ウエハWにガスクラスターを照射すると、ガスクラスターの照射位置付近に局所的にガスの密度の高い領域ができる。この状態で洗浄処理室31内のガスの排気を行うと、図8に示すようにガスクラスターの照射位置付近に形成される局所的なガスの密度の高い領域から、排気口38へ向かって流れる強い気流が形成される。この気流の流速分布を熱流体解析ソフト(FLUENT Ver.6.3)を用いたシミュレーションにより求めたところ、洗浄用ガスがノズル部6から吐出された後、ウエハWの全周方向に向かって水平方向に流れる速度は、100m/秒以上の速度であり、最高速度は、500m/秒以上の速度に達していた。
図13、図14は本発明の第2の実施の形態にかかる基板洗浄装置を示している。この例では、洗浄処理室31には、載置部となる載置台54が設けられる。この載置台54は、下方に移動機構となる駆動部55を備えている。駆動部55は、図13中の紙面方向に表側から裏側方向(Y軸方向)に沿って、支持柱59を移動させるY方向駆動部57と、このY方向駆動部57を洗浄処理室31の搬送口から奥側方向(X軸方向)に沿って移動させるX方向駆動部56と、を備えている。従って載置台54は駆動部55によりX方向、Y方向に移動することができる。また駆動部55は昇降機構を備えており、載置台54は、昇降自在となっている。
第2の実施の形態おいても、ウエハWの表面全体にガスクラスターを照射する時に、ウエハWの移動領域が狭くなるため洗浄処理室31を小型化することができる。またウエハWに垂直にガスクラスターを照射するため、ウエハW上に凹部のパターンが形成されている場合にはパターン倒れを抑えることができる。
このように構成した場合にも、1つの分割領域に対応する正方形領域の全体を、当該分割領域に対応する一つのノズルグループのガスクラスターの照射領域により走査すると、残りの分割領域の全体も対応するノズルグループの照射領域(ガスクラスターを発生させている場合の照射領域ではなくガスクラスターを発生させれば照射されることになる領域も意味している)により走査されることになる。従ってウエハWの移動領域を狭くすることができるため、洗浄処理室31を狭く構成することができる。
図22、図23は本発明の第3の実施の形態にかかる基板洗浄装置を示している。この例は、図13、図14に示した基板洗浄装置と異なる構成は、第1〜第4のノズルグループ81〜84の内、第1のノズルグループ81のみが設けられ、第2〜第4のノズルグループ82〜84を除いたことにある。また第1のノズルグループ81は、ウエハWの中心部が洗浄処理室31の中心部に位置するように配置した時に、第1の分割領域85に対応する正方形領域85aの中心に位置するように設ける。また載置台54には支持柱59に代えて、回転軸60が設けられ、回転軸60は、駆動部55に設けられたY方向駆動部57により移動される回転機構に接続される。このため載置台54は、X、Y方向に移動自在であると共に、回転軸60を軸に鉛直軸周りに回転自在となっている。さらに洗浄処理室31は、第3の排気口91及び第4の排気口92が除かれた構成となっている。
以上において、被洗浄基板としては、ウエハWに限らず矩形の基板であってもよい。
本発明を評価するために、ウエハWにガスクラスターを照射したときのガスクラスターの照射位置からウエハWの外へ輸送されるまでの距離とパーティクルの再付着率について調べた。試験には図3に示す基板洗浄装置を使用した。
実施例として、ガスクラスターの照射位置をウエハWの中心から見て排気口38側の領域に固定した。また比較例として、ガスクラスターの照射位置をウエハWの中心から見て排気口38とは反対側の領域に固定した。前記照射位置と排気口38との距離については、比較例の方が実施例の2倍に設定されている。実施例と比較例の各々においてガスクラスターの照射領域にパーティクルを付着させて、ガスクラスターを照射して、パーティクルの除去を試みた。また実施例と比較例との各々の場合において、元のパーティクル数nに対するウエハWの表面に再付着したパーティクルn1の比率{再付着率:(n1/n)×100}を求めた。
図25はこの結果を示し、実施例と比較例とにおける各々のパーティクルの再付着率及び、比較例の再付着率に対する実施例の再付着率を示す特性図である。
この結果によれば、パーティクルの再付着率は、比較例では、実施例よりも、2倍以上高い値を示していた。従って、ガスクラスターの照射によりパーティクルの除去を行う場合において、排気口の位置をウエハ表面におけるガスクラスターの照射位置に近い領域に設けることで飛散したパーティクルの再付着を抑制することができるといえる。
6 ノズル部
9 制御部
31、51 洗浄処理室
32 回転ステージ
36 基板回転機構
38 排気口
42 旋回アーム
43 駆動部
53 移動機構
54 載置台
81〜84 第1〜第4のノズル部
85〜88 第1〜第4の分割領域
89〜92 第1〜第4の排気部
Claims (8)
- 基板に付着しているパーティクルを除去する基板洗浄装置において、
真空雰囲気で基板の洗浄処理を行うための洗浄処理室と、
前記洗浄処理室内に設けられ、基板が載置される載置部と、
前記基板が載置されている雰囲気よりも圧力の高い領域から洗浄用のガスを前記洗浄処理室内の基板に向けて吐出し、断熱膨張により洗浄用のガスの原子または分子の集合体であるガスクラスターを生成して基板に垂直に照射するためのノズル部と、
前記洗浄処理室内を真空排気するための排気口と、
前記載置部とノズル部とを相対的に移動させるための移動機構と、を備え、
前記ノズル部の相対的移動軌跡の中心部Pは前記洗浄処理室の中心部Cから変位し、平面で見て前記洗浄処理室の中心部Cから前記中心部Pを通る直線を引いたときに、前記洗浄処理室の中心部Cから前記中心部P側を見て当該直線の伸びる方向に対して左右45度の範囲内であり、かつ基板よりも外方側の位置にのみ、前記ノズル部からガスを吐出するときに排気を行う排気口が位置し、
前記ノズル部は、前記洗浄処理室の中心部Cから前記中心部Pを通る直線と直交し、前記洗浄処理室の中心部Cを通る直線よりも、前記ノズル部からガスを吐出するときに排気を行う排気口側のみを移動することを特徴とする基板洗浄装置。 - 前記移動機構は、前記載置部を鉛直軸周りに回転させる回転機構と、平面的に見て基板の回転中心部と基板の周縁部との間でノズル部を移動させる移動体と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄装置。
- 前記移動体は、前記ノズル部を旋回させる旋回アームを含むことを特徴とする請求項2に記載の基板洗浄装置。
- 前記移動体には複数のノズル部が設けられていることを特徴とする請求項2または3に記載の基板洗浄装置。
- 前記移動機構は、載置部をX、Y方向に移動させ、
基板の被洗浄面全体が含まれると共に四辺がX、Y方向に伸びる四角形を、複数に等分割した各分割領域に前記ノズル部を割り当て、各分割領域とノズル部との平面的位置関係は、前記複数の分割領域の間で同じであることを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄装置。 - 前記分割領域は前記四角形を4等分した領域であることを特徴とする請求項5記載の基板洗浄装置。
- 前記各分割領域には、複数のノズル部が割り当てられていることを特徴とする請求項5または6に記載の基板洗浄装置。
- 前記洗浄処理室内に設けられた複数のノズル部のうち、一部のノズル部のガスクラスターの照射は、他のノズル部のガスクラスターの照射が行われていないときに実施されることを特徴とする請求項5ないし7のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
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