JP5666319B2 - 温度センサ、温度センサの製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
温度センサ、温度センサの製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5666319B2 JP5666319B2 JP2011004342A JP2011004342A JP5666319B2 JP 5666319 B2 JP5666319 B2 JP 5666319B2 JP 2011004342 A JP2011004342 A JP 2011004342A JP 2011004342 A JP2011004342 A JP 2011004342A JP 5666319 B2 JP5666319 B2 JP 5666319B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- temperature sensor
- semiconductor device
- aluminum oxide
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 94
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 50
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 46
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 46
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 25
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 10
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- QRSFFHRCBYCWBS-UHFFFAOYSA-N [O].[O] Chemical compound [O].[O] QRSFFHRCBYCWBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/82—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of the magnetic field applied to the device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
(温度センサ)
第1の実施の形態における温度センサについて、図1に基づき説明する。
次に、図3に基づき本実施の形態における温度センサの製造方法について説明する。
(半導体装置)
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態における温度センサを有する半導体装置である。具体的には、チャージトラップ型メモリにおけるMOS(Metal Oxide Semiconductor)キャパシタの構造は、図1に示す温度センサの構造に近い構造のものである。具体的には、図1に示す構造の温度センサにおいて、GCIBによる処理を行なうことなく、ゲート電極を形成し、更に、ソース電極及びドレイン電極を形成することによりチャージトラップ型メモリとして用いられるトランジスタを形成することができる。
次に、図5に基づき本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。尚、便宜上、温度センサとチャージトラップ型メモリの構造は、ともに図1に示されるものである。
次に、第3の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第2の実施の形態における半導体装置を用いた温度制御方法である。
半導体装置は、温度に依存して特性が変化するため、半導体装置が高温になると、メモリ部21に記憶されている情報が消えてしまう場合がある。このような場合には、半導体装置20を冷却するか、メモリ部21に記憶されている情報を他に移して、メモリ部21に記憶されている情報が消去されてしまうことを防ぐ必要がある。このような制御を行なう場合について、図6に基づき説明する。
また、チャージトラップ型メモリ等の半導体装置では、温度に依存して書込特性も変化する。このため、温度に対応した書込条件で情報を書き込むことができれば、より信頼性の高い情報の書き込みを行なうことができる。このような制御を行なう場合について、図7に基づき説明する。
11 酸化シリコン膜
12 窒化シリコン膜
13 酸化アルミニウム膜
14 ゲート電極
15 素子分離領域
Claims (11)
- 基板上に、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、電極を有するチャージトラップ型構造体が積層形成されており、
前記酸化アルミニウム膜の表面は、酸素イオンの注入、または、酸素を含むガスによるGCIB照射が行なわれているものであって、
前記チャージトラップ型構造体のフラットバンド電圧を測定することにより、前記フラットバンド電圧に対応する温度を測定することができるものであることを特徴とする温度センサ。 - 前記チャージトラップ型構造体は、窒化シリコン膜をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の温度センサ。
- 基板上に、酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記酸化シリコン膜上に、酸化アルミニウム膜を形成する工程と、
前記酸化アルミニウム膜の表面に、酸素を注入する工程と、
前記酸素を注入する工程を行なった後、前記酸化アルミニウム膜上に電極を形成する工程と、
を有し、
前記酸素を注入する工程は、酸素を含むガスによるGCIB照射を行なうものであることを特徴とする温度センサの製造方法。 - 前記酸化シリコン膜上に、窒化シリコン膜を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項3に記載の温度センサの製造方法。
- 基板上に、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、電極が積層形成されたものであって、
情報の記憶及び読出しを行なうメモリまたは、電圧または電流により制御される半導体素子が形成された半導体素子領域と、温度の測定を行なう温度センサ領域と、を有し、
前記温度センサ領域における前記酸化アルミニウム膜の表面には、酸素イオンの注入、または、酸素を含むガスによるGCIB照射が行なわれており、前記半導体素子領域における前記酸化アルミニウム膜の表面には、酸素イオンの注入、または、酸素を含むガスによるGCIB照射が行なわれてはいないものであることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体素子領域には、チャージトラップ型メモリが形成されているものであることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記基板上に、窒化シリコン膜がさらに形成されたことを特徴とする請求項5または請求項6に記載の半導体装置。
- 情報の記憶及び読出しを行なうメモリまたは、電圧または電流により制御される半導体素子が形成された半導体素子領域と、温度の測定を行なう温度センサ領域を有する半導体装置の製造方法において、
基板上に、酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記酸化シリコン膜上に、酸化アルミニウム膜を形成する工程と、
前記半導体素子領域における前記酸化アルミニウム膜の表面には酸素を注入することなく、前記温度センサ領域における前記酸化アルミニウム膜の表面に酸素を注入する工程と、
前記酸素を注入する工程を行なった後、前記酸化アルミニウム膜上に電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記酸素を注入する工程は、酸素を含むガスによるGCIB照射を行なうものであることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体素子領域には、チャージトラップ型メモリが形成されているものであることを特徴とする請求項8または9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化シリコン膜上に、窒化シリコン膜を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項8乃至請求項10のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011004342A JP5666319B2 (ja) | 2011-01-12 | 2011-01-12 | 温度センサ、温度センサの製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US13/344,699 US8570825B2 (en) | 2011-01-12 | 2012-01-06 | Temperature sensor, method of manufacturing the temperature sensor, semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and method of controlling the semiconductor device |
TW101101027A TWI449888B (zh) | 2011-01-12 | 2012-01-11 | Temperature sensor, manufacturing method of temperature sensor, semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and control method of semiconductor device |
KR1020120003392A KR101314020B1 (ko) | 2011-01-12 | 2012-01-11 | 온도 센서, 온도 센서의 제조 방법, 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치의 제어 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011004342A JP5666319B2 (ja) | 2011-01-12 | 2011-01-12 | 温度センサ、温度センサの製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012145459A JP2012145459A (ja) | 2012-08-02 |
JP5666319B2 true JP5666319B2 (ja) | 2015-02-12 |
Family
ID=46455113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011004342A Expired - Fee Related JP5666319B2 (ja) | 2011-01-12 | 2011-01-12 | 温度センサ、温度センサの製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8570825B2 (ja) |
JP (1) | JP5666319B2 (ja) |
KR (1) | KR101314020B1 (ja) |
TW (1) | TWI449888B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140113029A (ko) * | 2013-03-15 | 2014-09-24 | 삼성전자주식회사 | 열전소자가 배치된 히트 슬러그 및 이를 구비하는 반도체 패키지 |
JP6545053B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2019-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法、ならびにガスクラスター発生装置および発生方法 |
US10032683B2 (en) | 2015-06-16 | 2018-07-24 | International Business Machines Corporation | Time temperature monitoring system |
JP6637374B2 (ja) * | 2016-04-27 | 2020-01-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び温度センサ |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6380546A (ja) | 1986-09-25 | 1988-04-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体集積回路装置 |
JPH03195058A (ja) | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
JPH08339693A (ja) * | 1995-06-15 | 1996-12-24 | Nippondenso Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
EP1305169A1 (en) | 2000-05-02 | 2003-05-02 | Epion Corporation | System and method for adjusting the properties of a device by gcib processing |
KR100505071B1 (ko) | 2002-12-31 | 2005-08-03 | 미래산업 주식회사 | 반도체 소자 테스트 핸들러의 소자 온도 측정장치 |
US6967877B2 (en) * | 2003-09-09 | 2005-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Temperature detecting circuit for controlling a self-refresh period of a semiconductor memory device |
JP5297584B2 (ja) | 2005-10-14 | 2013-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、半導体装置を用いた温度センサー及び半導体装置の作製方法 |
KR100816690B1 (ko) | 2006-04-13 | 2008-03-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온도 감지장치를 구비하는 반도체메모리소자 |
KR100875022B1 (ko) * | 2007-01-29 | 2008-12-19 | 주식회사 풍산마이크로텍 | 플래시 메모리의 제조방법 |
JP2008283082A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Denso Corp | 不揮発性半導体記憶装置のデータ書き換え方法 |
JP2009088236A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
JP4825789B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2011-11-30 | 株式会社東芝 | 情報処理装置及び不揮発性半導体メモリドライブ |
JP2009267254A (ja) | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Toshiba Corp | チャージトラップ型不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
US8252653B2 (en) * | 2008-10-21 | 2012-08-28 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a non-volatile memory having a silicon nitride charge trap layer |
JP2010176783A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Elpida Memory Inc | 半導体装置とその制御方法と半導体装置とそれを制御するコントローラとを含む半導体システム |
JP2010192592A (ja) | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Tokyo Electron Ltd | チャージトラップ型メモリ装置の動作制御方法、チャージトラップ型メモリ装置及び動作制御プログラム |
JP2011023097A (ja) | 2009-06-16 | 2011-02-03 | Tokyo Electron Ltd | チャージトラップ型メモリ装置における書き込み方法、消去方法及びチャージトラップ型メモリ装置 |
-
2011
- 2011-01-12 JP JP2011004342A patent/JP5666319B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-01-06 US US13/344,699 patent/US8570825B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-01-11 TW TW101101027A patent/TWI449888B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-01-11 KR KR1020120003392A patent/KR101314020B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012145459A (ja) | 2012-08-02 |
TWI449888B (zh) | 2014-08-21 |
KR101314020B1 (ko) | 2013-10-01 |
TW201243300A (en) | 2012-11-01 |
US20120176835A1 (en) | 2012-07-12 |
US8570825B2 (en) | 2013-10-29 |
KR20120081950A (ko) | 2012-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Chiu | A review on conduction mechanisms in dielectric films | |
WO2006027887A1 (ja) | 不揮発性記憶装置 | |
JP2006114902A (ja) | 複数層のトンネリング障壁層を備える不揮発性メモリ素子及びその製造方法 | |
JP5666319B2 (ja) | 温度センサ、温度センサの製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
US20110006357A1 (en) | Non-volatile memory device and method of manufacturing same | |
US10692981B2 (en) | Memory device and manufacturing method thereof | |
JP5160751B2 (ja) | フラッシュメモリ素子及びその製造方法 | |
US20130146829A1 (en) | Resistive random access memory devices and methods of manufacturing the same | |
US8089798B2 (en) | Method for operating one-time programmable read-only memory | |
US20100006924A1 (en) | One-time programmable read-only memory | |
CN105206532A (zh) | 用于处理载体的方法、载体和***栅极场效应晶体管结构 | |
JP2006196909A (ja) | Sb、GaまたはBiがドーピングされた半導体メモリ素子及びその製造方法 | |
Rao et al. | Ionizing radiation effects on electrical and reliability characteristics of sputtered Ta2O5/Si interface | |
JP6790808B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR100481869B1 (ko) | 소노스 기억 셀 형성방법 | |
EP3671875B1 (en) | Retention improvement of rram devices by high-k encapsulation | |
JP7109973B2 (ja) | 半導体装置 | |
Keum et al. | Non‐volatile memory operation in normally‐off GaN MOS heterostructure field effect transistors with thin AlGaN barrier | |
US11791290B2 (en) | Physical unclonable function for secure integrated hardware systems | |
Choi et al. | Interface engineering of 9X stacked 3D NAND flash memory using hydrogen post-treatment annealing | |
KR100851501B1 (ko) | 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법 | |
US10074802B2 (en) | Device with transistors distributed over several superimposed levels integrating a resistive memory | |
JP2004179586A (ja) | フラッシュメモリ装置の製造方法 | |
Shih et al. | Charge‐Trapping Devices Using Multilayered Dielectrics for Nonvolatile Memory Applications | |
Cacciato et al. | Optimization of interlevel dielectrics for embedded nonvolatile deep submicrometer technologies |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130903 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140325 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140516 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141125 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5666319 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |