JP5236687B2 - 表面処理方法及び表面処理装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 52
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims description 39
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 164
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 64
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 58
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 43
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 19
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 15
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 11
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 5
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide;molecular oxygen Chemical compound O=O.O=C=O UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 54
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 12
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 3
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
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- H—ELECTRICITY
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Description
また、本発明は、アルゴン、酸素、二酸化炭素のうちいずれか1つ、または2以上のものを含む原料のガスクラスターイオンビームを発生させ、被処理部材に照射する第1の処理工程と、前記第1の処理工程を行った後、窒素のみからなるガスクラスターイオンビームを発生させ、前記被処理部材に照射する第2の処理工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明は、ガスクラスターを生成するためのノズルと、前記ノズルに前記ガスクラスターの原料となるガスを供給する原料ガス供給部と、前記原料ガス供給部より供給されるガスを選択し制御する制御部と、を有し、前記原料ガス供給部は、アルゴン、酸素、二酸化炭素のうちいずれか1つ、または2以上のものを含む原料を供給する第1のガス供給源と、窒素のみを供給する第2のガス供給源とを有し、前記制御部における制御により、前記第1のガス供給源より原料を供給した後、前記第2のガス供給源より窒素のみを供給するものであって、前記ガスクラスターを被処理部材に照射することを特徴とする。
(表面処理装置)
最初に、本実施の形態における基板処理方法に用いられる表面処理装置について説明する。この基板処理装置は、ガスクラスターイオンビーム照射装置であり、基板等の表面にガスクラスタービームを照射することが可能な装置である。
次に、図2に基づき本実施の形態における表面処理方法について説明する。本実施の形態では、被処理部材50としてSiC(シリコンカーバイト)基板を用い、このSiC基板の表面を平坦化処理する場合について説明する。ところで、SiCはアルミナ等よりも硬く、ダイヤモンド、炭化ホウ素の次に硬い材料として知られており、高い精度で表面を平坦化することは、容易ではない材料の一種である。
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態における表面処理方法よりも更に平坦性を高めることのできる表面処理方法である。図7に基づき、本実施の形態について説明する。
20 ノズルチャンバー
21 ノズル
22 スキマー
23 原料ガス供給部
24 第1のガス供給源
25 第2のガス供給源
26 バルブ
27 制御部
30 ソースチャンバー
31 イオン化部
32 加速部
40 メインチャンバー
41 電極部
50 被処理部材
Claims (12)
- アルゴンのガスクラスターイオンビームを発生させ、被処理部材に照射する第1の処理工程と、
前記第1の処理工程を行った後、窒素のみからなるガスクラスターイオンビームを発生させ、前記被処理部材に照射する第2の処理工程と、
を有することを特徴とする表面処理方法。 - アルゴン、酸素、二酸化炭素のうちいずれか1つ、または2以上のものを含む原料のガスクラスターイオンビームを発生させ、被処理部材に照射する第1の処理工程と、
前記第1の処理工程を行った後、窒素のみからなるガスクラスターイオンビームを発生させ、前記被処理部材に照射する第2の処理工程と、
を有することを特徴とする表面処理方法。 - 前記被処理部材はCMPによる平坦化処理が行われているものであることを特徴とする請求項1または2に記載の表面処理方法。
- 前記被処理部材は、シリコンカーバイト、シリコン、石英、ガラス、アルミナ、サファイア、窒化ガリウム、ガリウムヒ素、ダイヤモンドライクカーボン、炭化ホウ素、多結晶ダイヤのいずれか1つ、または2以上のものを含むものであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の表面処理方法。
- 前記第2の処理工程の後、窒素のみからなるガスクラスターを前記第2の処理工程における加速電圧よりも低い加速電圧で加速し、前記被処理部材に照射する第3の処理工程を有することを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の表面処理方法。
- 前記第2の処理工程の後、前記第2の処理工程におけるガスクラスターよりも大きなガスクラスターを前記被処理部材に照射する第3の処理工程を有することを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の表面処理方法。
- ガスクラスターを生成するためのノズルと、
前記ノズルに前記ガスクラスターの原料となるガスを供給する原料ガス供給部と、
前記原料ガス供給部より供給されるガスを選択し制御する制御部と、
を有し、
前記原料ガス供給部は、アルゴンを供給する第1のガス供給源と、窒素のみを供給する第2のガス供給源とを有し、
前記制御部における制御により、前記第1のガス供給源よりアルゴンを供給した後、前記第2のガス供給源より窒素のみを供給するものであって、
前記ガスクラスターを被処理部材に照射することを特徴とする表面処理装置。 - ガスクラスターを生成するためのノズルと、
前記ノズルに前記ガスクラスターの原料となるガスを供給する原料ガス供給部と、
前記原料ガス供給部より供給されるガスを選択し制御する制御部と、
を有し、
前記原料ガス供給部は、アルゴン、酸素、二酸化炭素のうちいずれか1つ、または2以上のものを含む原料を供給する第1のガス供給源と、窒素のみを供給する第2のガス供給源とを有し、
前記制御部における制御により、前記第1のガス供給源より原料を供給した後、前記第2のガス供給源より窒素のみを供給するものであって、
前記ガスクラスターを被処理部材に照射することを特徴とする表面処理装置。 - 前記被処理部材はCMPによる平坦化処理が行われているものであることを特徴とする請求項7または8に記載の表面処理装置。
- 前記被処理部材は、シリコンカーバイト、シリコン、石英、ガラス、アルミナ、サファイア、窒化ガリウム、ガリウムヒ素、ダイヤモンドライクカーボン、炭化ホウ素、多結晶ダイヤのいずれか1つ、または2以上のものを含むものであることを特徴とする請求項7から9のいずれかに記載の表面処理装置。
- 前記第2のガス供給源から供給された窒素により生成された窒素のガスクラスターは、前記ガスクラスターに印加される印加電圧を変化させて前記被処理部材に照射することを特徴とする請求項7から10のいずれかに記載の表面処理装置。
- 前記第2のガス供給源から供給された窒素により生成された窒素のガスクラスターは、前記ガスクラスターの大きさを変化させて前記被処理部材に照射することを特徴とする請求項7から10のいずれかに記載の表面処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010120920A JP5236687B2 (ja) | 2010-05-26 | 2010-05-26 | 表面処理方法及び表面処理装置 |
CN2011101278114A CN102263012A (zh) | 2010-05-26 | 2011-05-12 | 表面处理方法以及表面处理装置 |
KR1020110049232A KR101336089B1 (ko) | 2010-05-26 | 2011-05-24 | 표면 처리 방법 및 표면 처리 장치 |
US13/114,096 US20120128892A1 (en) | 2010-05-26 | 2011-05-24 | Surface processing method and surface processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010120920A JP5236687B2 (ja) | 2010-05-26 | 2010-05-26 | 表面処理方法及び表面処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011246761A JP2011246761A (ja) | 2011-12-08 |
JP5236687B2 true JP5236687B2 (ja) | 2013-07-17 |
Family
ID=45009605
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010120920A Expired - Fee Related JP5236687B2 (ja) | 2010-05-26 | 2010-05-26 | 表面処理方法及び表面処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120128892A1 (ja) |
JP (1) | JP5236687B2 (ja) |
KR (1) | KR101336089B1 (ja) |
CN (1) | CN102263012A (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5925642B2 (ja) | 2012-08-31 | 2016-05-25 | 日本航空電子工業株式会社 | 無機固体材料および刃物工具 |
US8860040B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-10-14 | Dow Corning Corporation | High voltage power semiconductor devices on SiC |
US9018639B2 (en) | 2012-10-26 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Flat SiC semiconductor substrate |
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CN108972230B (zh) * | 2018-09-07 | 2020-11-27 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 光学元件加工装置及加工方法 |
CN109862684B (zh) * | 2018-12-21 | 2020-07-10 | 南京大学 | 单一尺寸强流团簇脉冲束产生方法 |
CN111421144B (zh) * | 2020-03-27 | 2021-11-19 | 西安交通大学 | 一种抗水腐蚀的难熔金属钼表面处理方法 |
JPWO2023047905A1 (ja) * | 2021-09-27 | 2023-03-30 | ||
CN116631850B (zh) * | 2023-07-24 | 2023-10-03 | 无锡邑文电子科技有限公司 | 低损伤碳化硅界面的处理方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2010
- 2010-05-26 JP JP2010120920A patent/JP5236687B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-05-12 CN CN2011101278114A patent/CN102263012A/zh active Pending
- 2011-05-24 KR KR1020110049232A patent/KR101336089B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2011-05-24 US US13/114,096 patent/US20120128892A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101336089B1 (ko) | 2013-12-03 |
KR20110129825A (ko) | 2011-12-02 |
US20120128892A1 (en) | 2012-05-24 |
JP2011246761A (ja) | 2011-12-08 |
CN102263012A (zh) | 2011-11-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |